CN116364734A - 图像传感器元件以及图像传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种图像传感器元件以及图像传感器，所述图像传感器元件包含：转移晶体管TX、横向溢流集成电容器选择晶体管LF、光电二极管PD以及第一溢流路径OFP。转移晶体管TX从第一端输出读出信号。横向溢流集成电容器选择晶体管LF包含连接到转移晶体管TX的第二端的第一端，以及连接到电容器的第二端。光电二极管PD共同连接到转移晶体管的第三端和横向溢流集成电容器选择晶体管LF的第三端。第一溢流路径OFP形成在光电二极管PD与横向溢流集成电容器选择晶体管LF的第二端之间。转移晶体管TX和横向溢流集成电容器选择晶体管LF中的每一个配置有竖直栅极晶体管。

Description

图像传感器元件以及图像传感器
技术领域
本公开涉及一种使用包含LOFIC的CMOS像素的图像传感器元件以及图像传感器。
背景技术
CMOS图像传感器(CMOS image sensors；CIS)已广泛用作成像元件且具有各种功能的广泛种类的CIS为可用的。
因为CIS通常无法将大量信号电荷存储在光电二极管中，所以动态范围不充分，从而容易造成LED的图像饱和和闪烁。因此常常执行多曝光以获得高动态范围(high dynamicrange；HDR)图像。然而，多曝光具有在不同曝光下获得的图像之间的时间滞后问题。
已提出一些方法来增加CIS中信号电荷的量。举例来说，专利文献1(US2008/0237446A1)使用橫向溢流集成电容器(lateral overflow integration capacitor；LOFIC)像素。因为LOFIC像素可处理大量信号电荷，所以LOFIC像素在高照明条件下耐受电荷饱和。然而，由于LOFIC像素无法在像素之间共享组件，因此每一LOFIC像素的小型化为困难的。
非专利文献1(萨开(Sakai)等人，“ITE技术报告(ITE Technical Report)”，第34卷，第16号，第59至62页)建议源极跟随器共享像素作为LOFIC像素的改良版本。在这一建议中，由于例如源极跟随器晶体管和电容器的组件可共享两个像素，因此像素的小型化表现为可能的。
然而，除常规像素的组件之外，源极跟随器共享LOFIC像素还需要LOFIC溢流晶体管和LOFIC选择晶体管。换句话说，尽管可共享一些组件，但需要一些额外组件。因此，无法仅通过这一改良来实现所要像素小型化。
发明内容
根据本公开的方面的图像传感器元件包含转移晶体管、LOFIC选择晶体管、光电二极管以及第一溢流路径。转移晶体管从第一端输出读出信号。LOFIC选择晶体管包含连接到转移晶体管的第二端的第一端，以及连接到电容器的第二端。光电二极管共同连接到转移晶体管的第三端和LOFIC选择晶体管的第三端。第一溢流路径形成在光电二极管与LOFIC选择晶体管的第二端之间。转移晶体管和LOFIC选择晶体管中的每一个配置有竖直栅极晶体管。每一竖直栅极晶体管包含栅极和第一端到第三端。栅极竖直地延伸。第一端和第二端沿水平周边安置在栅极周围。第三端安置在栅极下方。通过控制供应到栅极的电压来接通和断开第一端、第二端以及第三端之间的连接。
转移晶体管和LOFIC选择晶体管可彼此紧邻地安置在阱中，且光电二极管可安置在阱下方。
转移晶体管的第一端可连接到电浮动的浮动扩散，且浮动扩散可连接到输出晶体管的栅极。
第二溢流路径可安置在LOFIC选择晶体管的第二端与转移晶体管的第一端之间。
图像传感器可包含上文所描述的多个图像传感器元件。
利用本公开，可将LOFIC像素小型化。
附图说明
将基于以下附图描述本公开的实施例，其中：
图1A为示出竖直栅极(vertical gate；VG)晶体管的结构的横截面视图。
图1B为竖直栅极(VG)晶体管的电路图。
图1C为示出用于竖直栅极(VG)晶体管的符号的图。
图2为根据本公开的实施例的图像传感器元件的电路图。
图3A为示出根据本公开的实施例的图像传感器元件的示意性配置的平面视图。
图3B为沿着图3A中的线A-A'截取的横截面，示出根据本公开的实施例的图像传感器元件的示意性结构。
图4为示出根据本公开的实施例的图像传感器元件的行为的时序图。
图5A为示出像素的B-B'横截面处的电荷累积状态(电势)的图。
图5B为示出像素的B'-B”横截面处的电荷累积状态(电势)的图。
图6A为示出在图5A和图5B中所示出的横截面处的电势的图(在曝光周期期间无信号的电势图)。
图6B为示出在图5A和图5B中所示出的横截面处的电势的图(在PD读出期间的电势图)。
图6C为示出在图5A和图5B中所示出的横截面处的电势的图(在LOFIC读出期间的电势图)。
图7为具有转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF的配置的实例的图，所述转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF中的每一个包含多个VG晶体管(在实例中为两个)。
图8为具有多个VG晶体管的实例的图，所述多个VG晶体管中的每一个具有椭圆形横截面。
图9为包含转换效率切换机制的配置的实例的电路图。
图10为示出根据本公开的实施例的图像传感器的结构的框图。
具体实施方式
下文参考附图描述本公开的实施例。本公开不限于这些实施例。
竖直栅极晶体管
根据本公开的实施例的图像传感器元件使用下文基于图1A至图1C描述的竖直栅极(VG)晶体管。
图1A为示出每一VG晶体管的结构的实例的横截面视图。掺杂有p型杂质的p阱12安置在半导体衬底10的前侧上，而掺杂有n型杂质的n阱14安置在底侧上。
作为从前侧朝向底侧延伸的孔的沟槽16形成于半导体衬底10中。沟槽16延伸穿过p阱12，且沟槽16的底端到达n阱14的上部部分中。栅极绝缘膜18覆盖沟槽16的内圆周表面。由导电材料制成的栅极20安置在沟槽16内部。掺杂有n型杂质的两个导电区22、导电区24安置在沟槽16周围的p阱12中。导电区22为第一端P1(漏极)；导电区24为第二端P2(漏极)；n阱14为第三端P3(源极)；以及栅极20的一端外部连接作为终端G。
半导体衬底10可为硅(Si)衬底，且栅极绝缘膜18可由氧化硅制成。栅极20可由例如多晶硅的众所周知的材料制成。杂质也可为众所周知的材料。
在此类VG晶体管中，当将正电压施加到栅极20时，沟道沿竖直方向和水平方向形成在栅极20周围的p阱中，从而在第一端、第二端以及第三端之间产生导电路径。
图1B为对应于图1A的电路图。如图1B中所示出，三个晶体管Q1到晶体管Q3的栅极连接到终端G。晶体管Q1到晶体管Q3的终端(源极或漏极)依序连接，使得Q1与Q3、Q3与Q2以及Q2与Q1之间的连接分别变为第一端P1到第三端P3。
因此，三个晶体管Q1到晶体管Q3根据到栅极G的输入电压而同时接通或断开。因此，第一端P1与第二端P2之间、第二端P2与第三端P3之间以及第三端P3到第一端P1之间的连接同时接通和断开。
图1C示出根据本实施例的用于以上配置的VG晶体管的符号。下文在描述电路时提及符号。
像素配置概述
<电路配置>
图2为根据本实施例的图像传感器元件的电路图，示出用于两个像素PX0和像素PX1的电路。
尽管下文描述像素PX0的配置，但像素PX1具有相同配置。请注意，后缀“0”指示像素PX0中的组件，而后缀“1”指示像素PX1中的组件。无后缀指示两个像素的共同组件。
转移晶体管TX0的第一端连接到电隔离的浮动扩散FD。转移晶体管TX0的第二端连接到LOFIC选择晶体管LF0的第一端。LOFIC选择晶体管LF0的第二端连接到电容器Cs0的两端中的一个。这一部分充当LOFIC节点。电容器Cs0的另一端连接到电源。
LOFIC选择晶体管LF0和转移晶体管TX0的第三端共同连接到光电二极管PD0的阴极。光电二极管PD0的阳极连接到GND或相当于像素的GND的像素参考电源。
图2中以虚线形式示出的第一溢流路径OFP0设置在光电二极管PD0与LOFIC选择晶体管LF0的第二端之间。
连接到转移晶体管TX0的第一端的浮动扩散FD连接到源极跟随器晶体管SF(输出晶体管)的栅极以用于信号读出和放大。源极跟随器晶体管SF的源极经由选择晶体管SEL连接到额定电流源(未示出)。源极跟随器晶体管SF的源极为信号输出端。因此，取决于源极跟随器晶体管SF的栅极输入电压(浮动扩散FD电压)的源电压输出作为读出信号。
浮动扩散FD经由复位晶体管RST连接到复位电源。当接通复位晶体管RST时，浮动扩散FD复位到复位电压。
<元件结构>
图3A和图3B示出根据本公开的实施例的图像传感器元件的示意性结构。图3A为平面视图，且图3B为沿着图3A中的线A-A'截取的竖直横截面。
如图3B中所示出，上述VG晶体管用于转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF。转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF的第三端不安置在如图1中的n阱14中，但安置在光电二极管PD的n区中，使得第三端连接到光电二极管PD的阴极。因此，转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF的第三端(源极)共同连接到光电二极管PD的阴极。
连接光电二极管PD的n区和电容器Cs的第一溢流路径OFP0(连接LOFIC选择晶体管LF和电容器Cs的LOFIC节点)竖直地形成在p阱12中。换句话说，第一溢流路径OFP0沿着LOFIC选择晶体管LF的栅极在竖直方向上延伸。第一溢流路径OFP0含有足够浓度的杂质，且溢流的信号电荷在从光电二极管PD产生的信号电荷饱和之后穿过所述路径。来自第一溢流路径OFP0的信号电荷存储在电容器Cs中。
连接到LOFIC节点的电容器可为任何类型，例如金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal；MIM)或金属-氧化物-硅(metal-oxide-silicon；MOS)类型。
将N型杂质掺杂在LOFIC选择晶体管LF0与转移晶体管TX0之间的Si表面沟道中，从而连接LOFIC节点和浮动扩散FD。LOFIC选择晶体管LF0的第一端P1与转移晶体管TX0的第二端P2之间的区段充当所谓的深耗尽晶体管。P1与P2之间的这一n型沟道即使在LOFIC选择晶体管LF0和转移晶体管TX0断开时仍未完全闭合，且充当第二溢流路径。当存储在电容器Cs中的信号电荷超出某一电平且从LOFIC节点溢流时，溢流的信号电荷经由第二溢流路径(n型沟道)放电到浮动扩散FD且通过设定在复位电压下的浮动扩散FD清除。
如图3A和图3B中所示出，转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF在水平方向上彼此紧邻地布置在像素PX0和像素PX1中。在上文所描述的图1A中，N+扩散层安置在VG晶体管的第一端和第二端处。在根据本实施例的像素的结构中，因为转移晶体管TX与LOFIC选择晶体管LF之间的距离足够短，所以尽管n型扩散层在这一区中仍为必要的，但不需要浓度为高的。通过将两个VG晶体管彼此紧邻地布置在p阱中，省略跨越所述两个VG晶体管的导电路径。当接通转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF时，因此跨越两个晶体管产生沟道，从而在LOFIC节点与浮动扩散FD之间建立导电路径。
如图3A中所示出，复位晶体管RST安置在像素PX0与像素PX1之间，且由这些像素共同使用。转移晶体管TX0和转移晶体管TX1的第一端经由浮动扩散FD连接到复位晶体管RST。浮动扩散FD连接到源极跟随器晶体管SF的栅极。
<行为>
下文参考图4中所示出的时序图描述电路组件的行为。
图4中的时序图以曝光工艺开始。
-曝光
在曝光工艺中，断开选择晶体管SEL；接通复位晶体管RST；以及断开转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF。在这一状态下，光电二极管PD存储对应于接收到的光的电荷。当电荷从光电二极管PD溢流时，电荷经由第一溢流路径OFP存储在电容器Cs中。
-PD读出
接通选择晶体管SEL且断开复位晶体管RST以为读出做准备。换句话说，通过接通复位晶体管RST(FD复位)，将浮动扩散FD设定成复位电压(复位电源处的电压)。
接通转移晶体管TX以允许来自光电二极管PD的电荷流向浮动扩散FD，浮动扩散FD因此根据存储在光电二极管PD中的电荷设定在电压下。在这类条件下，断开转移晶体管TX。因为接通选择晶体管SEL，所以根据源极跟随器晶体管SF的电流的电压输出作为对应于由光电二极管PD(PD读出)接收的光的量的电压(读出信号)。
应注意，通过在接通转移晶体管TX之前接通复位晶体管RST(FD复位)，将浮动扩散FD设定在复位电压(复位电源处的电压)下。当随后接通转移晶体管以允许引入来自光电二极管PD的电荷时，将浮动扩散FD从FD复位处的复位电压设定在差分电压下。关于PD读出，可通过使用图4的时序图中的PD读出和FD复位处的信号进行所谓的“相关双取样(correlateddouble sampling；CDS)”。
-LOFIC读出
接着，接通转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF两个。因为这连接浮动扩散FD和LOFIC节点，所以将存储在电容器Cs中的电荷添加到设定在PD读出处的浮动扩散FD的电荷。
在这时将源极跟随器晶体管SF的栅极设定成浮动扩散FD的电压且读出(LOFIC读出)这一电压。
-LOFIC复位
在LOFIC读出之后，在接通转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF的情况下，接通复位晶体管RST，复位浮动扩散FD、光电二极管PD以及LOFIC节点(电容器Cs)。
在这一复位之后，LOFIC选择晶体管LF、转移晶体管TX、复位晶体管RST按这一次序(从距源极跟随器晶体管SF最远的晶体管)断开。
在以上状态下，晶体管的设定与上文所描述的读出序列开始时(在FD复位时)的设定相同。当随后接通转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF时，晶体管处于与LOFIC读出处的那些晶体管相同的状态而不输入来自光电二极管PD的电荷信号。可通过在这一状态下接通源极跟随器晶体管SF且在这时读出信号来读出复位状态下的信号(复位状态读出)。
由光电转换产生的信号的量可通过计算复位状态下的读出信号与上文所描述的读出信号(LOFIC读出)之间的差来测量。
通过在以上述方式读出信号之后再次接通复位晶体管RST、再次复位浮动扩散FD和LOFIC节点以及断开转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF，开始曝光变为可能的。
<溢流路径>
图5A为示出在右图中沿着左图中的虚线B-B'截取的横截面处的电荷存储状态(电势)的横截面视图。如图5A所示出，光电二极管PD将电荷存储在由转移晶体管TX和第一溢流路径OFP的壁围封的空间中。当电荷超出一定量时，电荷经由第一溢流路径OFP流动到LOFIC节点中且存储在电容器Cs中。
图5B在右图中示出沿着左图中的线B'-B”截取的横截面处的LOFIC节点中的电荷存储状态(电势)。如上文所描述，n型沟道区形成在转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF的Si表面中，从而产生所谓的深耗尽晶体管。即使在断开转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF时，沟道仍未完全闭合，而是充当溢流路径。调整杂质浓度，使得每个晶体管处的电势变得如横截面电势图中所示出。当针对转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF的电势从LOFIC节点朝向浮动扩散FD形成倾角时，当LOFIC节点饱和时，电荷放电到浮动扩散FD。这可防止模糊，其中电荷溢流到p阱上方的邻近像素中，即使在光电二极管PD和LOFIC节点饱和时也是如此。
待由本公开的像素结构解决的问题中的一个为在转移晶体管TX与LOFIC选择晶体管LF之间产生暗信号。因为沟道的电势倾角将所产生暗信号放电到浮动扩散FD，所以防止暗信号在从光电二极管PD和LOFIC信号读出信号时产生问题。应注意，转移晶体管TX与LOFIC选择晶体管LF之间的距离可较短以防止将另外很可能发生的电势凹部。
图6A至图6C示出图5A和图5B中所示出的横截面处的电势图。图6A示出在曝光周期期间无信号的电势图。如使用图5A至图5B所前述，当光电二极管PD饱和时，信号电荷溢流穿过溢流路径OFP到LOFIC节点中。并且，即使在LOFIC节点饱和且信号电荷溢流时，当溢流的信号电荷经由n型沟道区(第二溢流路径)放电到复位电源中时，可防止溢流的信号电荷流动到邻近像素中且产生模糊。图6B示出在PD读出期间的电势图。接通转移晶体管TX，因此将光电二极管PD中的信号电荷转移到FD中。在这时，接通LOFIC选择晶体管LF，因此LOFIC信号电荷保持在LOFIC节点中。图6C示出在LOFIC读出期间的电势图。接通转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF，因此FD和LOFIC节点通过那些晶体管彼此连接。
<本实施例的特性>
如上文所描述，在本实施例中，转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF为彼此紧邻安置的VG晶体管。当接通转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF两个时，浮动扩散FD连接到LOFIC选择晶体管的已连接有电容器Cs的LOFIC节点。这可省略控制LOFIC节点与浮动扩散FD之间的连接另外将需要的晶体管。可因此从非专利文献1(萨开等人，“ITE技术报告”，第34卷，第16号，第59至62页)的电路减少一个晶体管。随着连接到浮动扩散FD的晶体管的数目减少时，转换增益可增加。通过将VG晶体管彼此紧邻地布置，可实现具有高效布置的结构，从而减小像素的大小同时维持LOFIC架构。
其它实施例
尽管在以上实施例中转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF中的每一个包含单一VG晶体管，但转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF中的每一个可包含多个VG晶体管。
图7为其中转移晶体管TX和LOFIC选择晶体管LF中的每一个包含两个VG晶体管的平面视图。如图8中所示出，VG晶体管可具有拥有不同长度的竖直轴和水平轴的横截面，例如椭圆形形状。
提供多个VG晶体管的优点为可增加VG晶体管之间的电势调制程度。当具有如图8所示出的椭圆形横截面的VG晶体管可比具有图7中所示出的圆横截面的VG晶体管具有更大的面向相对VG晶体管的表面区域时，椭圆形VG晶体管的电势调制程度很可能更高。更高电势调制程度意味着晶体管的更高接通/断开性能，从而实现从光电二极管PD更易读出信号(PD信号)的优点。
图9示出可切换信号电荷的转换效率的配置。增益控制开关晶体管CG安置在复位晶体管RST与浮动扩散FD(源极跟随器晶体管SF的栅极)之间。电容器Cc的一端连接在增益控制开关晶体管CG与复位晶体管RST之间，且电容器Cc的另一端连接到电源。可通过接通和断开增益控制开关晶体管CG来切换浮动扩散FD的容量。当断开增益控制开关晶体管CG时，可获得具有较低容量的较高转换效率，而当接通时，可获得具有较低转换效率的较高容量。一般来说，众所周知尽管LOFIC适合于获得高亮度信号，但LOFIC造成低亮度信号的较大噪音。当来自光电二极管PD的PD信号的输出范围太窄时，已知PD信号转换成LOFIC信号的区中的信噪比降低。已知PD信号的转换效率的切换为有利于确保足够PD输出范围同时降低低亮度噪音，且结合LOFIC有效地将图像质量维持在信号转换范围内。
这一转换效率切换配置适用于本公开的像素配置。本申请案实现根据本公开的配置的超紧密像素以获得宽动态范围图像同时维持图像质量。
[图像传感器]
图10为示出根据本公开的实施例的图像传感器的结构的框图。这一实例配置的图像传感器100包括像素阵列110、读出电路114以及功能逻辑116。
像素阵列110为二维阵列，其中像素P以行和列形式布置。每个像素P可在光入射侧上具有彩色滤光片，且已穿过彩色滤光片的特定色彩的光入射到像素P上。
控制电路112控制像素阵列110的操作。举例来说，控制电路112控制每个像素P的曝光周期、每个像素P的图像信号的输出或类似物。
读出电路114个别地读出每个像素P的图像信号，模数转换器(analog-to-digitalconverter；ADC)转换读取信号以获取数字数据，且将数字数据供应到功能逻辑116。
功能逻辑116对来自每个像素P的数据应用工艺，以获取图像数据且输出数据。将图像数据供应到电子装置，例如显示器、存储装置或某物。功能逻辑116可部分定位在传感器芯片外部，例如所述功能逻辑包含利用应用程序处理单元(Application ProcessingUnit；APU)的处理。
应用实例
根据本公开的实施例的图像传感器元件可应用于各种类型的图像传感器，确切地说不仅单一曝光HDR***，而且还可应用于包含不同曝光时间的多个像素的多个曝光***。图像传感器元件还可不仅用于单大小像素HDR传感器，而且还用于其中不同大小的像素组合以获得较高动态范围的多大小像素传感器。图像传感器元件可进一步与包含芯片堆叠传感器的电压域全局快门传感器组合使用。
在本说明书中，假定信号电荷为电子。然而，信号电荷可为空穴。即使在这种情况下，以上描述可仍通过交换半导体类型N和半导体类型P以及源极和漏极来应用。

Claims (10)

1.一种图像传感器元件，包括：
转移晶体管，从第一端输出读出信号；
横向溢流集成电容器选择晶体管，包括连接到所述转移晶体管的第二端的第一端，以及连接到电容器的第二端；
光电二极管，共同连接到所述转移晶体管的第三端和所述横向溢流集成电容器选择晶体管的第三端；以及
第一溢流路径，形成在所述光电二极管与所述横向溢流集成电容器选择晶体管的第二端之间，
其中所述转移晶体管和所述横向溢流集成电容器选择晶体管中的每一个配置有竖直栅极晶体管，所述竖直栅极晶体管包括：
栅极，竖直地延伸；
第一端和第二端，沿水平周边安置在所述栅极周围；以及
第三端，安置在所述栅极下方，
其中通过控制供应到所述栅极的电压来接通和断开所述竖直栅极晶体管的所述第一端、所述第二端以及所述第三端之间的连接。
2.根据权利要求1所述的图像传感器元件，其中
所述转移晶体管和所述横向溢流集成电容器选择晶体管彼此紧邻地安置在阱中，且
所述光电二极管安置在所述阱下方。
3.根据权利要求2所述的图像传感器元件，其中
所述转移晶体管的所述第一端连接到电浮动的浮动扩散，且所述浮动扩散连接到输出晶体管的栅极。
4.根据权利要求3所述的图像传感器元件，其中
在其中所述光电二极管由于曝光而产生电荷的曝光周期期间，所述横向溢流集成电容器选择晶体管和所述转移晶体管的沟道区存在电势梯度，以便从所述横向溢流集成电容器选择晶体管的所述第二端朝向所述转移晶体管的所述第一端转移电荷。
5.根据权利要求4所述的图像传感器元件，其中
安置在所述横向溢流集成电容器选择晶体管的所述第二端与所述转移晶体管的所述第一端之间的路径充当第二溢流路径。
6.一种图像传感器，包括在行方向和列方向上布置的多个图像传感器元件，
所述图像传感器元件中的每一个包括：
转移晶体管，从第一端输出读出信号；
横向溢流集成电容器选择晶体管，包括连接到所述转移晶体管的第二端的第一端，以及连接到电容器的第二端；
光电二极管，共同连接到所述转移晶体管的第三端和所述横向溢流集成电容器选择晶体管的第三端；以及
第一溢流路径，形成在所述光电二极管与所述横向溢流集成电容器选择晶体管的第二端之间，
其中所述转移晶体管和所述横向溢流集成电容器选择晶体管中的每一个配置有竖直栅极晶体管，所述竖直栅极晶体管包括：
栅极，竖直地延伸；
第一端和第二端，沿水平周边安置在所述栅极周围；以及
第三端，安置在所述栅极下方，
其中通过控制供应到所述栅极的电压来接通和断开所述竖直栅极晶体管的所述第一端、所述第二端以及所述第三端之间的连接。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中
所述转移晶体管和所述横向溢流集成电容器选择晶体管彼此紧邻地安置在阱中，且
所述光电二极管安置在所述阱下方。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中
所述转移晶体管的所述第一端连接到电浮动的浮动扩散，且所述浮动扩散连接到输出晶体管的栅极。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中
在其中所述光电二极管由于曝光而产生电荷的曝光周期期间，所述横向溢流集成电容器选择晶体管和所述转移晶体管的沟道区存在电势梯度，以便从所述横向溢流集成电容器选择晶体管的所述第二端朝向所述转移晶体管的所述第一端转移电荷。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中
安置在所述横向溢流集成电容器选择晶体管的所述第二端与所述转移晶体管的所述第一端之间的路径充当第二溢流路径。
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