CN116343672A - 用于改善显示质量的显示装置及其显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及用于改善显示质量的显示装置及其显示面板，特别是，一种显示面板包括：位于所述显示面板的显示区域中的像素，所述像素包括：发光器件，其被配置为响应于驱动电流而发光；驱动晶体管，其被配置为供应所述驱动电流；以及多个开关晶体管，其被配置为控制通过所述驱动晶体管进行的所述驱动电流到所述发光器件的供应，其中，所述多个开关晶体管中的至少一个开关晶体管被配置为在像素内提供用于接地的通路，其中激发电流通过用于接地的通路排出。因此，可以改善由于在与通孔相邻的像素中无意地增加的电流量而发生的亮度现象，从而可以改善图像质量。

Description

用于改善显示质量的显示装置及其显示面板
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月22日提交的编号为10-2021-0185276的大韩民国(韩国)专利申请的优先权，该专利申请在此整体上通过引用被并入本文。
技术领域
本公开的实施例涉及显示装置和显示面板，更具体地，涉及能够改善通孔周围的亮度现象的显示装置和显示面板。
背景技术
在屏幕上实现各种信息的显示装置是信息通信时代的一项重要技术，并且一直朝着更薄、更轻以及更便携和高性能的方向发展。因此，能够以轻量且纤薄的形式制造的显示装置一直备受关注。使用自发光元件的显示装置不仅由于低电压驱动而在功耗方面具有优势，而且还具有优异的高速响应速度、高发光效率、大视角和高对比度，并且正在作为下一代显示装置被研究。显示装置通过以矩阵形式布置的多个子像素来实现图像。所述多个子像素中的每一个包括发光器件和诸如独立地驱动发光器件的多个晶体管的像素电路。
这种显示装置(例如，平板显示器)的具体示例可以包括液晶显示器(LCD)、量子点显示器(QD)、场发射显示设备(FED)、有机发光二极管(OLED)显示器等。不需要单独的光源且作为用于紧凑装置和逼真彩色显示的器具而备受关注的有机发光二极管(OLED)显示器使用有机发光二极管(OLED)以自身发光，并且具有响应速度快、对比度高、发光效率高、亮度高和视角大的优点。
随着技术的发展，除了图像显示功能之外，显示装置还可以提供拍摄功能和各种检测功能。因此，要求显示装置包括诸如相机和检测传感器的光学电子器件(也被称为光接收器件或传感器)。
由于要求光学电子器件从显示装置的前面接收光，需要将光学电子器件安装在光接收有利的位置。因此，相机(相机镜头)和检测传感器可以暴露于显示装置的前表面上。为此，可以在显示面板的一些显示区域中形成通孔或凹口，并且可以在该部分中(换句话说，在这些显示区域中)安装相机或检测传感器。所述通孔是使光透射至相机或检测传感器的光透射区域。
如果在显示面板的一些显示区域中形成通孔，则可能出现带电电荷进入(深入)显示面板内部的缺陷现象。这可能是降低对显示装置的图像质量的满意度的因素。
因此，已经开发了各种驱动技术来解决图像异常。此外，为了改善图像质量，可以通过控制像素的驱动条件来改善操作性能。
发明内容
本公开的实施例的目的是提供一种显示装置和显示面板，其能够通过消除由于带电电荷而引起的像素电路的激发电流来改善通孔周围的明亮(亮白)现象。
在一个实施例中，一种显示面板包括：位于显示面板的显示区域中的像素，所述像素包括(包含)：发光器件，其被配置为响应于驱动电流而发光；驱动晶体管，其被配置为供应所述驱动电流；以及多个开关晶体管，其被配置为控制通过所述驱动晶体管进行的所述驱动电流到所述发光器件的供应，其中，所述多个开关晶体管中的至少一个开关晶体管被配置为在所述像素内提供用于接地的通路，其中激发电流通过所述用于接地的通路排出(排放)。
在一个实施例中，一种显示面板包括：发光器件，其包括(包含)第一电极、发光层、以及第二电极；驱动晶体管，其被配置为驱动所述发光器件；偏置晶体管，其被配置为控制所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极与初始化电压线之间的连接；以及驱动功率晶体管，其被配置为控制所述初始化电压线与所述发光器件的第二电极之间的电连接。
在一个实施例中，一种显示装置包括：显示面板，其包括光学区域和非光学区域，所述光学区域包括(光)透射区域，所述非光学区域包括位于像素的发光区域中的发光器件；以及位于所述显示面板上的护罩玻璃，FP22-2573/LGD/CN
其中所述像素被配置为在所述像素内提供用于接地的通路，其中激发电流通过所述用于接地的通路排出，所述用于接地的通路不包括所述发光器件。
除了上述本公开的技术问题之外，本公开的其他特征和优点可以在下面描述，或者将从这样的描述中被本领域技术人员清楚地理解。
根据本公开的实施例，可以改善由于在与通孔相邻的像素中无意(非有意)地增加的电流量而发生的明亮现象，从而可以改善图像质量。
根据本公开的效果不限于以上例示的内容，并且本公开中可以包括更多各种效果。
附图说明
图1A、图1B和图1C是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
图2是根据本公开的实施例的显示装置的***配置图。
图3是根据本公开的实施例的显示装置中显示面板的显示区域的截面图。
图4是图示出根据本公开的实施例的显示装置中显示面板的光学区域结构的放大平面图。
图5是根据本公开的实施例沿着图4的光学区域中的线I-I′(截取)的截面图。
图6是根据本公开的实施例的显示装置中显示面板的通孔所在区域的示例性截面图。
图7是根据本公开的实施例的显示装置中像素电路的等效电路图。
图8A和图8B是根据本公开的实施例用于解释图7的显示装置中像素电路的驱动的图形。
图9A和图9B是图示出比较例(对照例)和根据本公开的实施例的显示装置中的示例的图形。
具体实施方式
参考下面结合附图详细描述的实施例，本公开的优点和特征以及用于实现它们的方法将变得显而易见。然而，本公开不限于下面公开的实施例，而是将以各种不同的形式实现。提供本实施例只是为了解释本说明书的公开是完整的，并且向本领域技术人员完整地告知本发明的范围，并且本说明书将由权利要求的范围限定。
用于解释本说明书中的实施例的附图中所公开的形状、大小(尺寸)、比率、角度、数量等是示例性的，并且本说明书的实施例不限于所例示的事项。另外，在描述实施例时，如果确定相关已知技术的详细描述可能不必要地模糊所述实施例的要点，则将省略其详细描述。
在本说明书中使用“包含(包括)”、“具有”、“包括”等术语的情况下，应理解为能够添加其他部分或元件，除非使用了“仅”。当元件用单数表示时，除非另有明确说明，否则可以理解为包括含复数在内的情况。
另外，在解释元件时，即使没有单独的明确描述，也应将其解释为包括误差范围。
在与空间关系相关的描述中，例如，当使用“在(位于)…上”、“上(部)”、“在…上方”、“在…下方”、“在…下面”、“在…之下”、“下(部)”、“在…附近”、“接近”、“邻近”等术语来描述两个元件的位置关系时，除非使用诸如“直接地(正)”、“仅”的术语，否则应当解释为一个或多个元件可以进一步“插置”于元件之间。
在描述时间关系的情况下，例如，当时间关系被描述为“在…之后”、“接下来”、“紧接着”、“然后”、“在…之前”时，除非使用“立即”或“直接地”，否则可以包括不连续的情况。
当本文中使用诸如“第一”、“第二”等术语来描述各种元件或部件(组件)时，应认为这些元件或部件不限于此。这些术语在本文中仅用于将一个元件与其他元件区分开来。因此，下面提到的第一元件可以是本公开的技术概念中的第二元件。
术语“至少一个”应当理解为包括一个或多个相关元件的所有可能组合。例如，“第一、第二和第三元件中的至少一个”的含义可能意指第一、第二和第三元件中的两个或更多个元件的所有组合以及第一、第二和第三元件中的每一个。
本说明书的各个实施例的特征可以部分地或全部地相互组合或耦合，并且可以进行各种技术链接或操作。另外，各个实施例可以相互独立地实现，也可以关联地一起实现。
FP22-2573/LGD/CN
在下文中，将参考附图描述根据本公开的显示装置的实施例。在为每个附图的部件添加附图标记时，即使在不同的附图上指示它们，相同的部件也可以尽可能地具有相同的附图标记。另外，由于为了便于描述附图中所示部件的比例可能与实际不同，附图中所示比例不限于此。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施例。
图1A、图1B和图1C是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
参考图1A、图1B和图1C，根据本公开的实施例的显示装置100可以包括用于显示图像的显示面板110以及一个或多个光学电子器件11和12(例如，光学器件)。
显示面板110可以包括其中显示图像的显示区域(或有效区域)AA以及其中不显示图像的非显示区域(或非有效区域)NDA。
可以在显示区域AA中设置多个子像素，并且可以设置用于驱动所述多个子像素的各种信号线。
非显示区域NDA可以是显示区域AA外部的区域。多条信号线可以设置在非显示区域NDA中，并且多个驱动电路可以与之相连。非显示区域NDA可以弯曲成从前面看不见，或者可以被外壳(未示出)覆盖。非显示区域NDA也被称为边框或边框区域。
参考图1A、图1B和图1C，在根据本公开的实施例的显示装置100中，一个或多个光学电子器件11和12可以设置在显示面板110下方(例如，在观看表面的相反侧)。
所述一个或多个光学电子器件11和12可以是接收透射通过显示面板110的光并根据接收到的光执行预定功能的器件。例如，所述一个或多个光学电子器件11和12可以包括诸如相机(图像传感器)的图像捕捉装置以及诸如接近度传感器和照度传感器的检测传感器中的一个或多个。
参考图1A、图1B和图1C，根据本公开的实施例的显示面板110可以包括一个或多个光学区域OA1和OA2。
参考图1A、图1B和图1C，一个或多个光学区域OA1和OA2可以是与光学电子器件11和12中的一个或多个重叠的区域。在一个实施例中，所述光学区域OA1和OA2没有晶体管。
根据以前视图和侧视图(具体地，右侧视图)的组合示出的图1A的示例，显示区域AA可以包括(包含)第一光学区域OA1和非光学区域NA。FP22-2573/LGD/CN
所述非光学区域NA为不与所述一个或多个光学电子器件(11)重叠的区域并且可以被称为正常区域。非光学区域NA可以被定位成围绕(包围)第一光学区域OA1。此处，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子器件11重叠。此外，非光学区域NA也被称为正常区域。
根据以前视图、左侧视图和右侧视图的组合示出的图1B的示例，显示区域AA可以包括第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和非光学区域NA。非光学区域NA可以被定位成围绕第一光学区域OA1和第二光学区域OA2。在图1B的示例中，非光学区域NA可以存在于第一光学区域OA1与第二光学区域OA2之间。此处，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子器件11重叠，并且第二光学区域OA2的至少一部分可以与第二光学电子器件12重叠。
根据以前视图、左侧视图和右侧视图的组合示出的图1C的示例，显示区域AA可以包括第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和非光学区域NA。非光学区域NA可以被定位成围绕第一光学区域OA1和第二光学区域OA2。在图1C的示例中，第一光学区域OA1与第二光学区域OA2之间可以不存在非光学区域NA。也就是说，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2彼此接触。此处，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子器件11重叠，并且第二光学区域OA2的至少一部分可以与第二光学电子器件12重叠。
至少一个光学区域，即，第一光学区域OA1和/或第二光学区域OA2，需要包括透光(光透射)结构。要求在一个或多个光学区域OA1和OA2中形成用于将光透射(传输)到一个或多个光学电子器件11和12的透光结构。
所述一个或多个光学电子器件11和12是需要光接收的器件，但定位于显示面板110后面(下面，与观看表面相反)，以接收透射通过显示面板110的光。
一个或多个光学电子器件11和12可以暴露于显示面板110的前表面(观看表面)上。
例如，第一光学电子器件11可以是相机，第二光学电子器件12可以是诸如接近度传感器或亮度传感器的检测传感器。例如，检测传感器可以是用于检测红外线的红外传感器。
FP22-2573/LGD/CN
相反地，第一光学电子器件11可以是检测传感器，第二光学电子器件12可以是相机。
在下文中，为了便于描述，假设第一光学电子器件11是相机，第二光学电子器件12是检测传感器。此处，相机可以是相机镜头或图像传感器。
在第一光学电子器件11是相机的情况下，相机位于显示面板110后面(下面)，但也可以是用于拍摄显示面板110的前侧方向的前置相机。因此，用户可以在看着显示面板110的观看表面的同时通过相机拍照。
第一光学区域OA1可以具有诸如圆形、椭圆形、(正)方形、六边形或八边形的各种形状。第二光学区域OA2可以具有诸如圆形、椭圆形、(正)方形、六边形或八边形的各种形状。第一光学区域OA1和第二光学区域OA2可以具有相同的形状或不同的形状。
参考图1C，在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2彼此接触的情况下，包括第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的整个光学区域也可以具有诸如圆形、椭圆形、(正)方形、六边形或八边形的各种形状。
在下文中，为了便于解释，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个以圆形形状为例。
在根据本公开的实施例的显示装置100中，如果光学区域OA1和OA2被显示区域AA包围，则根据本公开的实施例的显示装置100可以被称为使用有效区域开孔(HIAA)技术的显示器。
因此，在根据本公开的实施例的显示装置100中，可以不在显示面板110中形成用于相机曝光的凹口。根据本公开的实施例的显示装置100可以具有用于相机曝光的相机孔。
由于不需要在显示面板110中形成凹口，因此可以减小边框区域的尺寸，可以减少设计限制，使得可以增加设计的自由度。
图2是根据本公开的实施例的显示装置的***配置图。
参考图2，显示装置100可以包括作为用于显示图像的部件的显示驱动电路和显示面板110。
显示驱动电路是用于驱动显示面板110的电路，并且可以包括数据驱动电路220、栅极驱动电路230、显示控制器240等。
显示面板110可以包括其中显示图像的显示区域(或有效区域)AA以及其中不显示图像的非显示区域(或非有效区域)NA。非显示区域NDA FP22-2573/LGD/CN
可以是显示区域AA外部的区域，也可被称为边框区域。非显示区域NDA的全部或部分可以是从显示装置100的前侧可见的区域，或者是从显示装置100的前侧弯曲且不可见的区域。
显示面板110可以包括基板SUB和设置在该基板SUB上的多个子像素。另外，显示面板110可以进一步包括各种类型的信号线，以驱动所述多个子像素SP。
根据本公开的实施例的显示装置100可以是液晶显示装置等，或者是其中显示面板110自身发光的自发光显示装置。在根据本公开的实施例的显示装置100是自发光显示装置的情况下，所述多个子像素SP中的每一个可以包括发光器件。
例如，根据本公开的实施例的显示装置100可以是其中发光器件被实现为有机发光二极管(OLED)的有机发光二极管(OLED)显示装置。作为另一示例，根据本公开的实施例的显示装置100可以是其中发光器件被实现为基于无机材料的发光二极管的无机发光显示装置。作为另一示例，根据本公开的实施例的显示装置100可以是以量子点作为发光器件而实现的量子点显示装置，其中量子点是自身发光的半导体晶体。
所述多个子像素SP中的每一个的结构可以根据显示装置100的类型而变化。例如，如果显示装置100是其中子像素SP自身发光的自发光显示装置，则每个子像素SP包括用于发光的发光器件、一个或多个晶体管以及一个或多个电容器。
例如，各种类型的信号线可以包括传送数据信号(也被称为数据电压或图像信号)的多条数据线DL，以及用于传送栅极信号(也被称为扫描信号)的多条栅极线GL。
所述多条数据线DL和所述多条栅极线GL可以彼此交叉。所述多条数据线DL中的每一条可以设置为在第一方向上延伸。所述多条栅极线GL中的每一条可以设置为在与所述第一方向不同的第二方向上延伸。
此处，第一方向可以是列方向，第二方向可以是行方向。可替换地，第一方向可以是行方向，第二方向可以是列方向。
数据驱动电路220是用于驱动所述多条数据线DL的电路，并且可以向所述多条数据线DL输出数据信号。栅极驱动电路230是用于驱动所述多条栅极线GL的电路，并且可以向所述多条栅极线GL输出栅极信号。
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显示控制器240是用于控制数据驱动电路220和栅极驱动电路230的器件，并且可以控制所述多条数据线DL的驱动时序和所述多条栅极线GL的驱动时序。
显示控制器240可以将数据驱动控制信号DCS供应至数据驱动电路220，以控制数据驱动电路220，并且可以将栅极驱动控制信号GCS供应至栅极驱动电路230，以控制栅极驱动电路230。
显示控制器240可以从主机***250接收输入图像数据，并且基于输入图像数据将图像数据供应至数据驱动电路220。
数据驱动电路220可以根据显示控制器240的驱动时序控制将数据信号供应至所述多条数据线DL。
数据驱动电路220可以从显示控制器240接收数字图像数据，并且可以将接收到的图像数据转换成模拟数据信号，以将转换后的信号输出至所述多条数据线DL。
栅极驱动电路230可以根据显示控制器240的驱动时序控制将栅极信号供应至所述多条栅极线GL。栅极驱动电路230可以随同各种栅极驱动控制信号GCS接收对应于导通电平电压的第一栅极电压和对应于关断(截止)电平电压的第二栅极电压，以生成栅极信号，并且可以将生成的栅极信号供应至所述多条栅极线GL。
例如，数据驱动电路220可以通过卷带自动结合(TAB)方法连接到显示面板110，或者可以通过玻璃上芯片(COG)方法或面板上芯片(COP)方法连接到显示面板110的焊盘，或者可以以膜上芯片(COF)方法实现以连接到显示面板110。
栅极驱动电路230可以通过卷带自动结合(TAB)方法连接到显示面板110，或者可以通过玻璃上芯片(COG)方法或面板上芯片(COP)方法连接到显示面板110的焊盘，或者可以以膜上芯片(COF)方法实现以连接到显示面板110。可替换地，栅极驱动电路230可以以面板中栅极(GIP)型形成于显示面板110的非显示区域NDA中。栅极驱动电路230可以设置在基板SUB上或者可以连接到基板SUB。也就是说，在GIP型的情况下，栅极驱动电路230可以设置在基板SUB的非显示区域NDA中。在玻璃上芯片(COG)、膜上芯片(COF)型等的情况下，栅极驱动电路230可以连接到基板SUB。
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同时，数据驱动电路220和栅极驱动电路230中的至少一个可以设置在显示面板110的显示区域AA中。例如，数据驱动电路220和栅极驱动电路230中的至少一个驱动电路可以设置为不与子像素SP重叠，并且可以设置为与子像素SP部分或完全重叠。
数据驱动电路220可以连接到显示面板110的一侧(例如，上侧或下侧)。取决于驱动方法、面板设计方法等，数据驱动电路220可以连接到显示面板110的两侧(例如，上侧和下侧)，或者可以连接到显示面板110的四侧中的两个或更多个。
栅极驱动电路230可以连接到显示面板110的一侧(例如，左侧或右侧)。取决于驱动方法、面板设计方法等，栅极驱动电路230可以连接到显示面板110的两侧(例如，左侧和右侧)，或者可以连接到显示面板110的四侧中的至少两个。
显示控制器240可以实现为与数据驱动电路220分离的部件，或者可以与数据驱动电路220集成并实现为集成电路。
显示控制器240可以是传统显示技术中使用的时序控制器，或者能够进一步执行其他控制功能(包括时序控制器在内)的控制器件，或者不同于时序控制器的控制器件，或者控制器件中的电路。可以利用诸如集成电路(IC)、现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)或处理器的各种电路或电子部件来实现显示控制器240。
显示控制器240可以安装在印刷电路板、柔性印刷电路等上，并且可以通过印刷电路板、柔性印刷电路等电连接到数据驱动电路220和栅极驱动电路230。
显示控制器240可以根据一个或多个预定接口向数据驱动电路220传输信号以及从数据驱动电路220接收信号。此处，例如，接口可以包括低电压差分信号(LVDS)接口、EPI接口和串行***接口(SPI)。
为了提供触摸感测功能以及图像显示功能，根据本公开的实施例的显示装置100可以包括触摸传感器和触摸感测电路，用于通过感测触摸传感器或检测触摸位置来检测诸如手指或笔的触摸对象是否发生触摸。
触摸感测电路可以包括驱动和感测触摸传感器以生成和输出触摸感测数据的触摸驱动电路260，以及能够使用触摸感测数据检测触摸发生或检测触摸位置的触摸控制器270。
触摸传感器可以包括多个触摸电极。触摸传感器可以进一步包括用于电连接所述多个触摸电极和触摸驱动电路260的多条触摸线。
触摸传感器可以以触摸面板的形式存在于显示面板110外部，或者可以存在于显示面板110内部。在触摸传感器以触摸面板的形式存在于显示面板110外部的情况下，触摸传感器可以被称为外部型的触摸传感器。如果触摸传感器是外部型的触摸传感器，则触摸面板和显示面板110可以单独(分别)制造并在组装过程期间组合。外部型的触摸面板可以包括触摸面板基板以及位于触摸面板基板上的多个触摸电极。
如果触摸传感器存在于显示面板110内部，则在显示面板110的制造过程期间，触摸传感器可以连同与显示驱动相关的信号线和电极一起形成在基板SUB上。
触摸驱动电路260可以向所述多个触摸电极中的至少一个供应触摸驱动信号并感测所述多个触摸电极中的至少一个以生成触摸感测数据。
触摸感测电路可以使用自电容感测方法或互电容感测方法来执行触摸感测。
在触摸感测电路以自电容感测方法执行触摸感测的情况下，触摸感测电路可以基于每个触摸电极与触摸对象(例如，手指、笔等)之间的电容执行触摸感测。
根据自电容感测方法，所述多个触摸电极中的每一个可以作为驱动触摸电极和感测触摸电极两者。触摸驱动电路260可以驱动所述多个触摸电极中的全部或部分以及感测所述多个触摸电极中的全部或部分。
在触摸感测电路以互电容感测方法执行触摸感测的情况下，触摸感测电路可以基于触摸电极之间的电容执行触摸感测。
根据互电容感测方法，所述多个触摸电极可以分为驱动触摸电极和感测触摸电极。触摸驱动电路260可以驱动驱动触摸电极并感测感测触摸电极。
包括在触摸感测电路中的触摸驱动电路260和触摸控制器270可以实现为单独(分离)的器件或单个器件。另外，触摸驱动电路260和数据驱动电路220可以实现为单独的器件或单个器件。
显示装置100可以进一步包括用于向显示驱动电路和/或触摸感测电路供应各种类型的功率(电力)的功率供应电路(电源电路)。
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根据本公开的实施例的显示装置100可以是诸如智能电话或平板电脑的移动终端或者各种大小(尺寸)的监视器或电视机，但不限于此，并且可以是能够显示信息或图像的各种类型和各种大小的显示器。
图3是根据本公开的实施例的显示装置中显示面板的显示区域的截面图。
参考图3，基板SUB可以包括第一基板SUB1、层间绝缘层IPD和第二基板SUB2。层间绝缘层IPD可以被定位于第一基板SUB1与第二基板SUB2之间。基板SUB被配置为包括第一基板SUB1、层间绝缘层IPD和第二基板SUB2，使得可以防止或至少减少湿气(水分)渗透。例如，第一基板SUB1和第二基板SUB2可以是聚酰亚胺(PI)基板。第一基板SUB1可以被称为主PI基板，而第二基板SUB2可以被称为次PI基板。
参考图3，在基板SUB上，可以设置各种图案(ACT、SD1和GATE)、各种绝缘层(MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2和PAS0)以及各种金属图案(TM、GM、ML1和ML2)。
参考图3，可以在第二基板SUB2上设置多缓冲层MBUF，并且可以在多缓冲层MBUF上设置第一有源缓冲层ABUF1。
可以在第一有源缓冲层ABUF1上设置第一金属层ML1和第二金属层ML2。此处，第一金属层ML1和第二金属层ML2可以是用于遮蔽光的遮光层LS。
可以在第一金属层ML1和第二金属层ML2上设置第二有源缓冲层ABUF2。驱动晶体管DRT的有源层ACT可以设置在第二有源缓冲层ABUF2上。
栅极绝缘层GI可以设置在第二有源缓冲层ABUF2上，同时覆盖有源层ACT。
驱动晶体管DRT的栅极电极(或栅电极)GATE可以设置在栅极绝缘层GI上。在这种情况下，栅极材料层GM可以在与驱动晶体管DRT的形成位置不同的位置处与驱动晶体管DRT的栅极电极GATE一起设置在栅极绝缘层GI上。
第一层间绝缘层ILD1可以设置在栅极绝缘层GI上，同时覆盖栅极电极GATE和栅极材料层GM。金属图案TM可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。金属图案TM可以位于与驱动晶体管DRT的形成位置不同的位置处。FP22-2573/LGD/CN
第二层间绝缘层ILD2可以设置在第一层间绝缘层ILD1上，同时覆盖金属图案TM。
两个第一源极-漏极电极图案SD1可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。两个第一源极-漏极电极图案SD1中的一个是驱动晶体管DRT的源极节点，两个第一源极-漏极电极图案SD1中的另一个是驱动晶体管DRT的漏极节点。
两个第一源极-漏极电极图案SD1可以通过第二层间绝缘层ILD2、第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI的接触孔电连接到有源层ACT的第一侧和第二侧。
同时，参考图3，第二层间绝缘层ILD2可以包括第二-1层间绝缘层ILD2-1和第二-2层间绝缘层ILD2-2。第二-1层间绝缘层ILD2-1可以被定位于第一层间绝缘层ILD1上，同时覆盖金属图案TM。第二-2层间绝缘层ILD2-2可以设置在第二-1层间绝缘层ILD2-1上。
有源层ACT的与栅极电极GATE重叠的部分是沟道区域。两个第一源极-漏极电极图案SD1中的一个可以连接到有源层ACT中的沟道区域的一侧，两个第一源极-漏极电极图案SD1中的另一个可以连接到有源层ACT中的沟道区域的另一侧。
钝化层PAS0可以设置在第二-2层间绝缘层ILD2-2上，同时覆盖两个第一源极-漏极电极图案SD1。平坦化层PLN可以设置在钝化层PAS0上。平坦化层PLN可以包括第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2。
第一平坦化层PLN1可以设置在钝化层PAS0上。
第二源极-漏极电极图案SD2可以设置在第一平坦化层PLN1上。第二源极-漏极电极图案SD2可以通过第一平坦化层PLN1的接触孔连接到两个第一源极-漏极电极图案SD1中的一个(例如，图3的子像素SP中驱动晶体管DRT的第二节点N2)。
第二平坦化层PLN2可以设置在第一平坦化层PLN1上，同时覆盖第二源极-漏极电极图案SD2。发光器件ED可以设置在第二平坦化层PLN2上。
在发光器件ED的堆叠结构中，阳极电极AE可以设置在第二平坦化层PLN2上。阳极电极AE可以通过第二平坦化层PLN2的接触孔电连接到第二源极-漏极电极图案SD2。
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堤部BANK可以设置在第二平坦化层PLN2上，同时覆盖阳极电极AE的一部分。与子像素SP的发光区域EA相对应的堤部BANK的一部分可以开口。
阳极电极AE的一部分可以通过堤部BANK的开口(开口部分)暴露。发光层EL可以被定位于堤部BANK的侧表面和堤部BANK的开口(开口部分)上。发光层EL的全部或部分可以被位于相邻堤部之间。
在堤部BANK的开口中，发光层EL可以接触阳极电极AE。阴极电极CE可以设置在发光层EL上。
发光器件ED可以由阳极电极AE、发光层EL和阴极电极CE形成。发光层EL可以包括有机层。
封装层ENCAP可以设置在上述发光器件ED上。
封装层ENCAP可以具有单层结构或多层结构。例如，如图3所示，封装层ENCAP可以包括第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2。
例如，第一封装层PAS1和第三封装层PAS2中的每一个可以是无机层，第二封装层PCL可以是有机层。第二封装层PCL可以是第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2中最厚的一个。因此，第二封装层PCL可以用作平坦化层。第一封装层PAS1也可以称为第一无机封装层，第二封装层PCL也可以称为有机封装层，第三封装层PAS2也可以称为第二无机封装层。
第一封装层PAS1可以设置在阴极电极CE上并且可以设置为最靠近发光器件ED。第一封装层PAS1可以由能够低温沉积的无机绝缘材料形成。例如，第一封装层PAS1可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)或氧化铝(Al2O3)制成。由于第一封装层PAS1在低温气氛中沉积，因此在沉积过程期间，第一封装层PAS1可以防止包括易受高温气氛影响的有机材料的发光层EL受到损坏。
第二封装层PCL可以具有比第一封装层PAS1更小的面积。在这种情况下，第二封装层PCL可以形成为暴露第一封装层PAS1的两端。第二封装层PCL可以用作缓冲层，用于缓解由于显示装置100的弯曲而引起的层间应力，并且还可以用于增强平坦化性能。例如，第二封装层PCL可以由丙烯FP22-2573/LGD/CN
酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、硅氧碳(SiOC)等制成，并且可以由有机绝缘材料形成。例如，第二封装层PCL可以通过喷墨方法形成。
第三封装层PAS2可以形成在其上形成有第二封装层PCL的基板SUB上，以便分别覆盖第二封装层PCL和第一封装层PAS1的上表面和侧表面。第三封装层PAS2可以减少或阻止外部湿气或氧气渗入第一封装层PAS1和第二封装层PCL中。例如，第三封装层PAS2可以由诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)或氧化铝(Al2O3)的无机绝缘材料形成。
参考图3，如果触摸传感器TS是嵌入在显示面板110中的类型，则触摸传感器TS可以设置在封装层ENCAP上。下面将详细描述触摸传感器的结构。
触摸缓冲层T-BUF可以设置在封装层ENCAP上。触摸传感器TS可以设置在触摸缓冲层T-BUF上。
触摸传感器TS可以包括定位于不同层上的触摸传感器金属TSM和桥接(件)金属BRG。
触摸层间绝缘层T-ILD可以设置在触摸传感器金属TSM与桥接金属BRG之间。
例如，触摸传感器金属TS可以包括第一触摸传感器和第二触摸传感器。第一触摸传感器和第二触摸传感器可以由触摸传感器金属TSM形成。第一触摸传感器和第二触摸传感器可以通过定位于与触摸传感器金属TSM不同的层上的桥接金属BRG电连接。
当触摸传感器TS形成于显示面板110上时，在其制造过程中使用的化学溶液(显影剂或蚀刻剂等)或湿气可能从外部生成。触摸传感器TS被设置在触摸缓冲层T-BUF上，以便在触摸传感器TS的制造过程期间可以防止或至少减少化学溶液或湿气渗入到包括有机材料的发光层EL中。因此，触摸缓冲层T-BUF可以防止对易受化学溶液或湿气影响的发光层EL的损坏。
触摸缓冲层T-BUF可以在低于一定温度(例如，100度(℃))的低温下形成，以防止或至少减少对含有易受高温影响的有机材料的发光层EL的损坏，并且可以由具有1至3的低介电常数的有机绝缘材料形成。例如，触摸缓冲层T-BUF可以由丙烯酸基、环氧基或硅基材料形成。当显示装置100被弯曲或折叠时，封装层ENCAP可能被损坏，并且定位于触摸缓冲层FP22-2573/LGD/CNT-BUF上的触摸传感器金属可能断裂。即使当显示装置100被弯曲时，由有机绝缘材料制成且具有平坦化性能的触摸缓冲层T-BUF也可以防止对封装层ENCAP的损坏和/或构成触摸传感器TS的触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG的断裂。
钝化层PAC可以设置在触摸层间绝缘层T-ILD上，同时覆盖触摸传感器TS。钝化层PAC可以是有机绝缘层。
图4是图示出根据本公开的实施例的显示装置中显示面板的光学区域结构的放大平面图。
参考图4，光学区域OA设置在显示区域AA中。像素(未示出)可以设置在光学区域OA周围(即，围绕光学区域OA设置)。光学区域OA可以是上述的第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的任何一个。
参考图4，光学区域OA可以包括通孔TH和通孔TH周围的周边(周围)区域SA。粗糙(或不平坦)图案RP(rough pattern)可以位于通孔TH周围的周边区域SA中。用于显示图像的子像素可以不位于光学区域OA中。在一个实施例中，通孔TH为将外部光透射到与光学区域OA重叠的相机或传感器的透光区域。
通孔TH可以通过沿着修边线去除基板来形成。通孔TH的形状可以是如图4所示的圆形，但是也可以具有诸如椭圆形、(正)方形、六边形或八边形的各种形状。
粗糙图案RP可以包括内(或内侧)粗糙图案IRP(例如，第一粗糙图案)和外(或外侧)粗糙图案ORP(例如，第二粗糙图案)。在一个实施例中，内粗糙图案IRP为第一突起，且外粗糙图案ORP为第二突起。
参考图4，在周边区域SA中，可以在内粗糙图案IRP与外粗糙图案ORP之间设置用于分隔上述两个图案(即内粗糙图案IRP和外粗糙图案ORP)的内坝DMI。
可以进一步定位设置在内粗糙图案IRP外部的显示区域AA中的外坝(未示出)。外坝可以被设置为防止第二封装层PCL溢出显示区域AA。
内坝DMI的形状对应于通孔TH的形状并且具有围绕通孔TH的闭合曲线形状。内坝DMI和通孔TH可以具有不同的闭合曲线形状，但也可以具有形状相同但大小不同的闭合曲线。例如，内坝DMI和通孔TH可以具有同心圆形状，并且可以设置成以预定间隔彼此隔开。
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粗糙图案RP具有围绕通孔TH且同时对应于通孔TH的形状的闭合曲线形状。粗糙图案RP可以具有与通孔TH不同的闭合曲线形状，但也可以具有形状相同但大小不同的闭合曲线形状。例如，如图4所示，粗糙图案RP和通孔TH可以具有相同的形状，并且可以通过预定间隔彼此隔开。在一个实施例中，外粗糙图案ORP围绕通孔T，并且内粗糙图案IRP围绕外粗糙图案ORP和通孔T。
同时，设置在显示区域AA中的子像素可以包括发光器件。在发光器件为有机发光器件的情况下，发光层(未示出)可以被定位于显示区域AA中，并且发光层可以为包括有机材料的有机发光层。
有机发光层可以一直设置到光学区域OA的至少部分区域。
同时，当湿气渗入有机发光层时，可能出现诸如子像素变暗的缺陷现象。在通孔TH所处的区域中可能存在湿气渗入的可能性。
上述无机封装层(例如，PAS1)可以被定位于粗糙图案RP上。湿气可能穿透无机封装层，并且粗糙图案RP可以具有延长湿气通过其渗入无机封装层的路径的效果。因此，粗糙图案RP可以防止或至少减少从通孔TH引入的湿气到达定位于显示区域AA中的发光层。
图5是根据一个实施例沿着图4的光学区域中的线I-I′(截取)的截面图。
参考图5，光学区域OA包括通孔TH和周边区域SA，并且显示区域AA可以位于周边区域SA外部。
定位于显示面板下面并且定位成以至少部分区域与通孔TH重叠的光学电子器件可以被定位于通孔TH中。这种光学电子器件可以是上述第一光学电子器件11。
参考图5，根据本公开的实施例的显示装置可以包括诸如定位于显示区域AA中的外坝DMO和定位于周边区域SA中的内坝DMI的“坝结构”。坝结构可以具有垂直于基板SUB形成的三层结构。例如，坝结构可以包括由平坦化层PLN形成的第一层、由堤部BANK形成的第二层、以及由间隔件(未示出)形成的第三层。
参考图5，上述第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2被简略地例示为平坦化层PLN。在这种坝结构中，发光层EL的至少一部分可以设置在间隔件上。
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构成发光器件的一些部件可以堆叠在内坝DMI上。例如，发光层EL和公共电极(未示出)可以堆叠成攀越内坝DMI的形状。也就是说，发光层EL位于内坝DMI上。
粗糙图案RP位于内坝DMI的内侧(例如，第一侧)和外侧(例如，第二侧)。粗糙图案RP可以包括山部(例如，突起)和谷部，其中所述山部包括绝缘层(例如，ILD1、ILD2-1、ILD2-2等)，而所述绝缘层的至少一部分从所述谷部中去除。
发光层EL可以被定位于粗糙图案RP的至少一部分中。发光层EL可以是包括有机材料的有机发光层。发光层EL可以从显示区域AA延伸到周边区域SA的至少部分区域。
参考图5，发光层EL可以被不连续地定位于内粗糙图案IRP和外粗糙图案ORP中。也就是说，发光层EL的位于周边区域SA中的部分在内粗糙图案IRP和外粗糙图案ORP上不连续地延伸，使得在发光层EL中具有中断(部)。因此，即使从通孔TH引入的湿气到达定位于周边区域SA中的发光层EL，湿气也不会渗透到定位于显示区域AA中的发光层EL。也就是说，由于发光层EL不连续地设置在粗糙图案RP中，除了延长湿气渗透路径的效果之外，还可以提供防止或至少减少流入发光层EL的湿气扩散到显示区域AA的效果。
同时，参考图5，山部的高度在内粗糙图案IRP和外粗糙图案ORP中可以彼此不同。内粗糙图案IRP中的山部的高度可以大于外粗糙图案ORP中的山部的高度。
山部的高度在内粗糙图案IRP和外粗糙图案ORP中不同的原因可能归因于山部中包含的层间绝缘层(例如，ILD1、ILD2-1、ILD2-2)不同的事实。
例如，参考图5，内粗糙图案IRP的山部可以包括第二-2层间绝缘层ILD2-2，但可以不包括第二-1层间绝缘层ILD2-1和第一层间绝缘层ILD1。外粗糙图案ORP的山部可以包括第二-1层间绝缘层ILD2-1和第一层间绝缘层ILD1，但可以不包括第二-2层间绝缘层ILD2-2。
同时，参考图5，位于外粗糙图案ORP中的谷部的底表面可以位于比位于内粗糙图案IRP中的谷部的底表面更低的位置。
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例如，可以通过去除第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的至少一部分(例如，第二-1层间绝缘层ILD2-1)来形成外粗糙图案ORP中的谷部。
参考图5，在从外粗糙图案ORP去除第一层间绝缘层ILD1以形成粗糙图案RP的谷部的过程中，存在栅极绝缘层GI可能被损坏或位于栅极绝缘层GI下方的绝缘层(例如，ABUF、MBUF等)可能被损坏的风险。
因此，金属图案MP可以位于下述谷部中，其中所述谷部位于外粗糙图案ORP中。每个金属图案可以位于外粗糙图案ORP中的两个山部之间的谷部中。
参考图5，例如，金属图案MP可以设置在周边区域SA中，以具有与定位于外粗糙图案ORP中的谷部的形状相同的形状。定位为对应于粗糙图案RP的谷部的金属图案MP可以用作“蚀刻阻挡件”。
可替换地，金属图案MP可以被定位为与定位于外粗糙图案ORP中的山部重叠。也就是说，金属图案MP可以广泛地定位于外粗糙图案ORP下面。在这种情况下，金属图案MP还可以执行防止在通孔TH中生成的微裂纹扩展至显示区域AA的功能。在这种情况下，金属图案MP不仅可以起到蚀刻阻挡件的作用，而且可以起到裂纹阻挡件的作用。
金属图案MP可以被定位于栅极绝缘层GI上。金属图案MP可以由与上述图3的驱动晶体管DRT的栅极电极GATE相同的材料形成。
金属图案MP可以由与金属图案MP上方和下方的绝缘层(例如，栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1)不同的材料制成。因此，即使在诸如蚀刻的过程中去除覆盖金属图案MP的绝缘层(例如，第一层间绝缘层ILD1)，也可以保护金属图案MP下面的绝缘层(例如，栅极绝缘层GI)。
同时，对齐标记MNT可以位于周边区域SA中。对齐标记MNT也可以被称为“对齐键”。对齐标记MNT可以设置在基板SUB上，以通过蚀刻基板SUB中的预设区域来形成通孔TH。
对齐标记MNT可以设置成与周边区域SA中的通孔TH的形状相对应的形状，或者可以设置成与通孔TH的形状不同的形状。例如，对齐标记MNT可以仅位于通孔TH的顶部、底部、左侧和右侧的一些区域中。
同时，对齐标记MNT可以与金属图案MP位于同一层上。例如，对齐标记MNT可以由与栅极电极GATE相同的材料形成。对齐标记MNT可以被FP22-2573/LGD/CN
定位于栅极绝缘层GI上。对齐标记MNT可以被定位于栅极绝缘层GI上，同时被第一层间绝缘层ILD1覆盖。
例如，对齐标记MNT可以位于与内坝DMI重叠的区域中。例如，对齐标记MNT可以位于内粗糙图案IRP与外粗糙图案ORP之间。
图6是根据本公开的实施例的显示装置中显示面板的通孔所在区域的示例性截面图。
参考图6，可以形成包括如图3-5所示的基板SUB、有机发光器件OLED、封装层ENCAP和触摸传感器TS的显示面板110。背板BP可以设置在显示面板110的后表面上。在显示面板110的基板由诸如聚酰亚胺的塑料材料制成的情况下，显示装置100的制造过程在由玻璃制成的支撑基板设置在显示面板110的后表面上的情况下进行，并且可以在完成制造过程后分离和释放支撑基板。由于即使在释放支撑基板之后也需要用于支撑显示面板110的部件，用于支撑显示面板110的背板BP可以设置在显示面板110的后表面上。
背板BP可以防止或至少减少异物(外来物质)粘附到基板SUB的下部，并且可以用于缓冲来自外部的冲击。背板BP可以由塑料薄膜形成，所述塑料薄膜由诸如聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或这些聚合物的组合的聚合物形成。
金属板MEP(例如，金属层)可以设置在背板BP的后表面上。金属板MEP可以由诸如不锈钢(SUS)的金属材料制成，并且可以起到辐射来自显示装置的热量、接地和保护后表面的作用。也就是说，金属板MEP可以是复合散热片。
偏光板POL(例如，偏光器)可以抑制外部光在显示面板110上的反射。在一个实施例中，所述偏光器位于非光学区域NA中，而不位于光学区域OA中。如果在室外(户外)使用显示装置100，则外部自然光可以被引入并通过包括在电致发光元件的阳极中的反射层反射，或者可以通过设置在电致发光元件下面的由金属制成的电极反射。显示装置100的图像通过反射光可能不容易被识别。偏光板POL可以使从外部引入的光沿特定方向偏振，并防止反射光再次发射至显示装置100的外部。
偏光板POL可以是由偏光器和保护偏光器的保护膜组成的偏光板，或者可以通过涂覆偏光材料以获得柔韧性来形成。用于保护显示面板110的FP22-2573/LGD/CN
外部的护罩玻璃(玻璃盖板)CG可以利用插置于护罩玻璃CG与偏光板POL之间的粘合(剂)层OCA附接并设置在偏光板POL上。也就是说，护罩玻璃CG被提供，以覆盖显示面板110的前表面并且用于保护显示面板110。
可以在护罩玻璃CG的后边缘上形成遮光图案BM。另外，遮光图案BM可以形成于通孔TH周围(围绕通孔TH形成)。遮光图案BM可以延伸并形成为与下面的粘合层OCA、偏光板POL和显示面板110的一部分重叠，或者可以被配置为单独的层。遮光图案BM可以涂敷有黑色油墨。
参考图6，在护罩玻璃CG的表面上生成的摩擦电荷可通过通孔TH传播并穿过通孔TH周围的封装层ENCAP，从而进入显示面板110内的像素中。在这种情况下，摩擦电荷可能通过阴极电极转移到与通孔TH相邻的像素，其中所述阴极电极是具有导电性的公共层。也就是说，进入显示面板110中的摩擦电荷可能被供应至像素，以引起有机发光二极管OLED发光。因此，可能会出现通孔附近的像素由于摩擦电荷而不必要地发光的现象。
如上所述，将参考图7和图8描述用于防止由于摩擦电荷而引起的通孔周围的明亮现象的像素电路的像素电路配置和驱动。
图7是根据本公开的实施例的显示装置中像素电路的等效电路图。
参考图7，所述多个像素P中的每一个可以包括像素电路和连接到像素电路的发光器件OLED，其中所述像素电路包括驱动晶体管DT。
像素电路可以通过控制流过发光器件OLED的驱动电流Id来驱动发光器件OLED。像素电路可以包括驱动晶体管DT、第一至第六晶体管T1至T6以及存储电容器Cst。晶体管DT和T1至T6中的每一个可以包括第一电极、第二电极和栅极电极。第一和第二电极中的一个可以是源极电极(或源电极)，并且第一和第二电极中的另一个可以是漏极电极(或漏电极)。
晶体管DT、T1至T7中的每一个可以是PMOS晶体管或NMOS晶体管。在下文中，例示了其中第一晶体管T1是NMOS晶体管、而其他晶体管DT、T2至T7是PMOS晶体管的示例。因此，第一晶体管T1通过向栅极节点施加逻辑高电压而导通，而其他晶体管DT、T2至T7通过向栅极节点施加逻辑低电压而导通。
根据示例，第一晶体管T1可以用作补偿晶体管，第二晶体管T2可以用作数据供应晶体管，第三和第四晶体管T3和T4可以用作发光控制晶体管，FP22-2573/LGD/CN
第五和第六晶体管T5和T6可以用作偏置晶体管，以及第七晶体管T7可以用作驱动功率晶体管。
发光器件OLED可以包括像素电极(或阳极电极)和阴极电极。发光器件OLED的像素电极可以连接到第五节点N5，发光器件OLED的阴极电极可以连接到第二驱动功率(源)VSSEL。
驱动晶体管DT可以包括连接到第一节点N1的第一电极、连接到第三节点N3的第二电极、以及连接到第二节点N2的栅极电极。驱动晶体管DT可以基于第一节点N1的电压(或存储于随后将描述的电容器Cst中的数据电压)向发光器件OLED提供驱动电流Id。
第一晶体管T1可以包括连接到第二节点N2的第一电极、连接到第三节点N3的第二电极、以及接收第一扫描信号SC1(n)的栅极电极。第一晶体管T1可以响应于第一扫描信号SC1(n)而导通并可以将施加至第三节点N3的数据信号Vdata传送到第二节点N2。第一晶体管T1可以在第二节点N2与第三节点N3之间进行二极管连接，以对驱动晶体管DT的阈值电压Vth进行采样。第一晶体管T1可以为补偿晶体管。
第二晶体管T2可以包括连接到数据线DL(或接收数据信号Vdata)的第一电极、连接到第一节点N1的第二电极、以及接收第二扫描信号SC2(n)的栅极电极。第二晶体管T2可以响应于第二扫描信号SC2(n)而导通，并且可以将数据信号Vdata传输到第一节点N1。第二晶体管T2可以是数据供应晶体管。
第三晶体管T3和第四晶体管T4(或第一和第二发射控制晶体管)可以连接在第一驱动功率(电源)VDDEL与发光器件OLED之间，并且可以形成由驱动晶体管DT生成的驱动电流Id流过的电流通路。
第三晶体管T3可以包括连接到第四节点N4以接收第一驱动功率(电力)ELVDD的第一电极、连接到第一节点N1的第二电极、以及用以接收发射信号EM(n)的栅极电极。
类似地，第四晶体管T4可以包括连接到第三节点N3的第一电极、连接到第五节点N5(或发光器件OLED的像素电极)的第二电极、以及接收发射信号EM(n)的栅极电极。
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第三晶体管T3和第四晶体管T4可以响应于发射信号EM(n)而导通，并且在这种情况下，驱动电流Id被提供给发光器件OLED，并且发光器件OLED可以发出具有与驱动电流Id相对应的亮度的光。
第五晶体管T5可以包括连接到第三节点N3的第一电极、接收第一偏置电压Vini的第二电极、以及用于接收第三扫描信号SC3(n)的栅极电极。第五晶体管T5可以响应于第三扫描信号SC3(n)而导通，并且可以选择性地将导通偏置应力电压(on-bias stressvoltage)Vobs(在下文中被称为“应力电压”)和初始化电压Vini传输到第三节点N3。第五晶体管T5将从栅极驱动电路230输出的电压施加到驱动晶体管DT。
由于第五晶体管T5控制在驱动晶体管DT的第一电极和第二电极之间形成的高压漏极-源极电压Vds，第五晶体管T5可能对第五晶体管T5的阈值电压Vth的偏移敏感。另外，由于第五晶体管T5是PMOS晶体管，第五晶体管T5的阈值电压Vth可能由于护罩玻璃CG的摩擦电荷而正(向)偏移。因此，第五晶体管T5可以被配置为双栅极结构，以减少晶体管的劣化(恶化)。然而，本公开不限于此，并且第五晶体管T5可以被配置为一个晶体管。
第六晶体管T6可以包括连接到第五节点N5的第一电极、连接到第二偏置电压VAR的第二电极、以及接收第三扫描信号SC3(n)的栅极电极。第六晶体管T6可以在发光器件OLED发光之前(或在发光器件OLED发光之后)响应于第三扫描信号SC3(n)而导通，并且可以通过使用第二偏置电压VAR初始化发光器件OLED的像素电极(或阳极电极)。发光器件OLED可以具有在像素电极与阴极电极之间形成的寄生电容器。另外，寄生电容器可以在发光器件OLED发光的同时被充电，使得发光器件OLED的像素电极可以具有特定电压。因此，可以通过经由第六晶体管T6将第二偏置电压VAR施加到发光器件OLED的像素电极来初始化在发光器件OLED中累积的电荷量。
第七晶体管T7可以包括连接到第六节点N6的第一电极、连接到第二电源电压VSSEL的第二电极、以及接收发射信号EM(n)的栅极电极。第七晶体管T7可以响应于发射信号EM(n)而导通，并且可以将第二驱动功率VSSEL传输到第六节点N6。第七晶体管T7可以是驱动功率晶体管。
为了改善第五晶体管T5的阈值电压Vth的正偏移，可以在发射信号EM(n)处于低电平的发射时段Te期间使第七晶体管T7导通，并且可以将第FP22-2573/LGD/CN
二驱动功率VSSEL连续地施加到第六节点N6，以消除激发电流。也就是说，在发射时段Te期间导通的第七晶体管T7提供用于接地的通路(例如，VSSEL)，以排放激发电流的电荷。
电容器Cst可以连接或形成在第二节点N2与第四节点N4之间。电容器Cst可以存储或维持提供的数据信号Vdata。
图8A和图8B是根据一个实施例用于解释图7的显示装置中像素电路的驱动的图形。
参考图8A和图8B，所述多个像素P中的每一个可以初始化像素电路中充入或剩余的电压。具体地，可以去除前一帧中存储的数据电压Vdata和驱动电压VDD的影响。因此，所述多个像素P中的每一个可以显示与新数据电压Vdata相对应的图像。
像素电路的操作可以包括至少一个初始化时段、采样时段和发射时段，但这仅仅是示例并且不一定限于此顺序。
根据本公开的实施例的显示装置可以分别由图8A所示的刷新帧和图8B所示的重置帧驱动。在刷新帧中，在每个像素P中对数据电压Vdata进行编程，并且有机发光二极管OLED发光。另外，重置帧可以是垂直空白帧，并且有机发光二极管OLED的阳极电极可以在重置帧期间被重置。
在根据本公开的实施例的显示装置中，刷新帧可以被分为导通偏置应力时段Tobs(在下文中被称为“应力时段”)、初始时段Ti、采样时段Ts、发射时段Te和阳极重置时段(示出为第二导通偏置应力时段Tobs，在下文中被称为“重置时段”)。应力时段Tobs是其中偏置应力被施加到作为驱动晶体管DT的源极电极的第一节点N1的时段。初始时段Ti是用于初始化作为驱动晶体管DT的漏极电极的第三节点N3的电压的时段。采样时段Ts是用于对驱动晶体管DT的阈值电压Vth进行采样并对数据电压Vdata进行编程的时段。发射时段Te是其中有机发光二极管OLED根据通过被编程的驱动晶体管DT的源极-栅极电压的驱动电流发光的时段。重置时段是其中对于除了发射时段Te以外的剩余时段而言有机发光二极管OLED的阳极电极的电压电平被固定为重置电压VAR的时段。
具体地，参考图8A，在第一应力时段Tobs期间，第三扫描信号SC3(n)是作为导通电平的低电平。因此，第六晶体管T6被导通，以向第五节点N5施加重置电压VAR。也就是说，有机发光二极管OLED的阳极电极被重置FP22-2573/LGD/CN
为重置电压VAR。第五晶体管T5也被导通，以将应力电压Vobs从数字初始化电压线DVini施加到第三节点N3。应力电压Vobs可以在充分高于有机发光二极管OLED的工作电压的电压范围内选择，并且可以被设置为等于或低于第一驱动功率VDDEL。也就是说，可以在应力时段Tobs期间向作为驱动晶体管DT的漏极电极的第三节点N3施加偏置应力，以降低驱动晶体管DT的栅极-源极电压Vgs。因此，可以通过在应力时段Tobs期间使驱动晶体管DT的源极-漏极电流Ids流动来减小驱动晶体管DT的滞后效应。
在这种情况下，由于第五晶体管T5作为用于将应力电压Vobs供应到第三节点N3的开关晶体管运行(工作)，可能存在由于晶体管的关断特性劣化而由摩擦电荷引起的非期望(无意)电流朝向有机发光二极管OLED的流动。因此，为了防止该问题，重要的是防止阈值电压Vth偏移。
另外，参考图8A，在初始时段Ti期间，第一扫描信号SC1(n)是作为导通电平的高电平，而第三扫描信号SC3(n)是作为导通电平的低电平。因此，第一晶体管T1和第五晶体管T5被导通，以将初始化电压Vini从数字初始化电压线DVini施加到第二节点N2。结果是，驱动晶体管DT的栅极电极被初始化为初始化电压Vini。初始化电压Vini可以在充分低于有机发光二极管OLED的工作电压的电压范围内选择，并且可以被设置为等于或低于第二驱动功率VSSEL。另外，在初始时段Ti中，第六晶体管T6被再次导通，并且偏置电压VAR被施加到第五节点N5。
另外，参考图8A，在采样时段Ts期间，第一扫描信号SC1(n)是作为导通电平的高电平，而第二扫描信号SC2(n)是作为导通电平的低电平。因此，在采样时段Ts期间，第二晶体管T2被导通，并且数据电压Vdata被施加到第一节点N1。另外，由于第一晶体管T1也被导通，驱动晶体管DT被二极管(式)连接，并且驱动晶体管DT的栅极和漏极短路，因此驱动晶体管DT像二极管一样运行。
在采样时段Ts中，电流Ids在驱动晶体管DT的源极电极和漏极电极之间流动。由于驱动晶体管DT的栅极电极和漏极电极处于二极管连接状态，第二节点N2的电压可以变化(例如，可以升高)，直到驱动晶体管DT的栅极-源极电压Vgs通过从源极电极流向漏极电极的电流变为驱动晶体管DT的阈值电压Vth为止。
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另外，参考图8A，在第二应力时段Tobs期间，第三扫描信号SC3(n)是作为导通电平的低电平。因此，第六晶体管T6被导通，以向第五节点N5施加重置电压VAR。也就是说，有机发光二极管OLED的阳极电极被重置为重置电压VAR。另外，第五晶体管T5被导通，以向第三节点N3施加应力电压Vobs。也就是说，可以通过在第二应力时段Tobs期间向作为驱动晶体管DT的漏极电极的第三节点N3施加偏置应力来减小驱动晶体管DT的滞后效应。
另外，参考图8A，在发射时段Te期间，发射信号EM(n)是作为导通电平的低电平。因此，第三晶体管T3被导通，以向第一节点N1施加第一驱动功率VDDEL。而且，由于第二节点N2通过存储电容器Cst耦合到第一驱动功率VDDEL，第一驱动功率VDDEL也反映在第二节点N2中。另外，第四晶体管T4也被导通，以在第三节点N3与第四节点N4之间形成电流通路。结果是，通过驱动晶体管DT的源极电极和漏极电极的驱动电流Ioled被施加到有机发光二极管OLED。
另外，参考图8A，当发射信号EM(n)处于低电平时，第七晶体管T7被导通，以向第六节点N6施加第二驱动功率VSSEL。
随着在护罩玻璃CG的表面上形成的摩擦电荷穿过通孔TH进入像素中，第五晶体管T5的阈值电压Vth可能被正偏移。结果是，第五晶体管T5的漏极-源极电压Vds之间的电位差可能增加，并且因此晶体管的关断特性可能劣化。结果是，在发射时段Te期间，根据驱动电流发光的有机发光二极管OLED的电流量不必要地增加，使得通孔TH周围的像素发出明亮的光。
因此，第七晶体管T7可以连接在作为第五晶体管T5的源极电极的第六节点N6与被供应第二驱动功率VSSEL的有机发光二极管OLED的阴极之间，并且可以根据发射信号EM(n)而导通，从而可以消除激发电流。
也就是说，在根据本公开的实施例的显示装置中，通过第七晶体管T7在第五晶体管T5中形成接地通路(例如，用于接地的通路)，因此可以消除(例如，减少或排放)随着护罩玻璃CG的表面上的摩擦电荷穿透显示面板110内的像素并使第五晶体管T5的阈值电压Vth正偏移而生成的激发电流。因此，可以改善由于在与通孔TH相邻的像素中无意地增加的电流量而出现的明亮现象，并且因此可以改善图像质量。
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另外，参考图8B，在重置帧期间，第一扫描信号SC1(n)维持在作为关断电平的低电平，而第二扫描信号SC2(n)也维持在作为关断电平的高电平。因此，在重置帧期间，数据电压Vdata未被编程于每个像素P中。
然而，第三扫描信号SC3(n)可以周期性地摆动。也就是说，由于第三扫描信号SC3(n)周期性地摆动，重置帧可以包括多个应力时段Tobs。
也就是说，在重置帧期间，有机发光二极管OLED的阳极电极被重置为重置电压VAR，并且偏置应力可以被施加到作为驱动晶体管DT的漏极电极的第三节点N3。
结果是，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以在刷新帧和重置帧期间周期性地重置有机发光二极管OLED的阳极电极。因此，由于可以防止归因于泄漏电流的有机发光二极管OLED的阳极电极的电压的持续增加，有机发光二极管OLED的阳极电极可以维持恒定的电压电平(水平)。因此，可以最小化显示装置的亮度变化并且可以改善图像质量。
图9A和图9B是图示出比较例和根据本公开的实施例的显示装置中的示例的图形。
参考图9A和图9B，图9A的比较例是传统像素电路的运行(操作)的照片，而图9B的实施例是进一步包括第七晶体管T7的像素电路的运行的照片。
如图9A所示，在比较例中，存在与通孔TH相邻的像素发出明亮光的现象。然而，如图9B所示，在根据本公开的实施例的示例中，由于在发射信号EM(n)处于导通电平时通过将第二驱动功率VSSEL施加到第六节点N6来消除激发电流，可以防止如比较例中那样的明亮现象，并且可以改善图像质量。
根据本说明书的实施例的显示面板和显示装置可以描述如下。
在一个实施例中，一种显示面板包括：位于所述显示面板的显示区域中的像素，所述像素包括：发光器件，其被配置为响应于驱动电流而发光；驱动晶体管，其被配置为供应所述驱动电流；以及多个开关晶体管，其被配置为控制通过所述驱动晶体管进行的所述驱动电流到所述发光器件的供应，其中，所述多个开关晶体管中的至少一个开关晶体管被配置为在所述像素内提供用于接地的通路，其中激发电流通过所述用于接地的通路排出。
在一个实施例中，所述发光器件包括阴极电极，并且所述显示面板进一步包括：连接到所述像素的初始化电压线，其中所述多个开关晶体管包括驱动功率晶体管，所述驱动功率晶体管被配置为控制所述初始化电压线与所述发光器件的阴极电极之间的电连接，并且所述用于接地的通路包括所述驱动功率晶体管。
在一个实施例中，所述多个开关晶体管进一步包括：偏置晶体管，其被配置为控制所述驱动晶体管的源极电极或漏极电极与所述初始化电压线之间的连接，其中接地通路被配置于所述驱动晶体管的源极电极或漏极电极与所述阴极电极之间，使得所述接地通路包括所述偏置晶体管和所述驱动功率晶体管。
在一个实施例中，所述激发电流根据所述偏置晶体管的阈值电压的变化而生成。
在一个实施例中，配置为提供所述用于接地的通路的所述多个开关晶体管中的所述至少一个开关晶体管包括：连接到所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极的第一晶体管；以及连接到所述第一晶体管的第二晶体管，所述第二晶体管被配置为在所述发光器件发光时为所述第一晶体管提供所述用于接地的通路。
在一个实施例中，所述多个开关晶体管进一步包括：连接在所述驱动晶体管与所述发光器件之间的第三晶体管，其中所述第三晶体管的栅极电极被连接到所述第二晶体管的栅极电极。
在一个实施例中，所述第二晶体管被连接到所述发光器件的阴极电极。
在一个实施例中，一种显示面板包括：发光器件，其包括第一电极、发光层和第二电极；驱动晶体管，其被配置为驱动所述发光器件；偏置晶体管，其被配置为控制所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极与初始化电压线之间的连接；以及驱动功率晶体管，其被配置为控制所述初始化电压线与所述发光器件的第二电极之间的电连接。
在一个实施例中，所述显示面板进一步包括：发射控制晶体管，其被配置为控制所述发光器件的光发射(发光)，其中所述驱动功率晶体管的栅极电极被电连接到所述发射控制晶体管的栅极电极。
在一个实施例中，所述发射控制晶体管位于所述驱动晶体管与所述发光器件之间。
在一个实施例中，所述偏置晶体管被连接到所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极，并且所述驱动晶体管被连接到所述偏置晶体管的漏极电极或源极电极和所述发光器件的第二电极。
在一个实施例中，一种显示装置包括：显示面板，其包括光学区域和非光学区域，所述光学区域包括透射区域，并且所述非光学区域包括位于像素的发光区域中的发光器件；以及位于所述显示面板上的护罩玻璃，其中，所述像素被配置为在所述像素内提供用于接地的通路，其中激发电流通过所述用于接地的通路排出，所述用于接地的通路不包括所述发光器件。
在一个实施例中，所述发光器件被配置为响应于驱动电流而发光，所述发光器件包括第一电极、发光层和第二电极，其中所述像素进一步包括：驱动晶体管，其被配置为供应所述驱动电流；以及多个开关晶体管，其被配置为控制通过所述驱动晶体管进行的所述驱动电流到所述发光器件的供应，所述多个开关晶体管包括驱动功率晶体管，所述驱动功率晶体管被配置为提供所述用于接地的通路，其中在所述像素中生成的激发电流通过所述用于接地的通路排出。
在一个实施例中，所述驱动功率晶体管被连接在初始化电压线与所述第二电极之间，所述初始化电压线被连接到所述像素。
在一个实施例中，所述多个开关晶体管进一步包括：偏置晶体管，其被连接到所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极和所述初始化电压线，所述偏置晶体管被配置为将所述初始化电压线提供的电压供应到所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极，其中所述驱动功率晶体管被连接在所述发光器件的第二电极与所述偏置晶体管的漏极电极或源极电极之间。
在一个实施例中，所述显示装置进一步包括：位于所述非光学区域中而不位于所述光学区域中的偏光器。
在一个实施例中，所述光学区域没有任何晶体管。
在一个实施例中，所述显示装置进一步包括：包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧的基板；以及位于所述第二侧上的金属层，所述金属层被配置为至少辐射来自所述显示装置的热量。
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在一个实施例中，所述显示装置进一步包括：与所述光学区域重叠的光学器件。
在一个实施例中，所述激发电流通过允许在所述护罩玻璃上生成的带电电荷穿过所述透射区域进入所述像素而生成。
本公开的上述示例中描述的特征、结构、效果等被包括在本公开的至少一个实施例中，并且不一定局限于仅一个实施例。此外，在本公开的至少一个示例中例示出的特征、结构、效果等可以由本领域技术人员关于其他示例进行组合或修改。因此，与此类组合和修改相关的内容应被解释为包括在本公开的范围之内。
尽管已经参考附图更详细地描述了本公开的实施例，但是本发明不一定局限于这些实施例，并且在不脱离本发明的技术精神的范围内可以进行各种修改。因此，本公开所公开的实施例并不旨在限制本发明的技术精神，而是示例性地解释本发明，并且本发明的技术精神的范围不受这些实施例的限制。因此，应当理解，上述实施例在所有方面均是例示性而非限制性的。本发明的保护范围应当由以下权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思均应被解释为包括在本发明的范围内。

Claims (20)

1.一种显示面板，其包括：
位于所述显示面板的显示区域中的像素，所述像素包括：
发光器件，其被配置为响应于驱动电流而发光；
驱动晶体管，其被配置为供应所述驱动电流；以及
多个开关晶体管，其被配置为控制通过所述驱动晶体管进行的所述驱动电流到所述发光器件的供应，
其中，所述多个开关晶体管中的至少一个开关晶体管被配置为在所述像素内提供用于接地的通路，其中激发电流通过所述用于接地的通路排出。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光器件包括阴极电极，并且所述显示面板进一步包括：
连接到所述像素的初始化电压线，
其中所述多个开关晶体管包括驱动功率晶体管，所述驱动功率晶体管被配置为控制所述初始化电压线与所述发光器件的阴极电极之间的电连接，并且所述用于接地的通路包括所述驱动功率晶体管。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述多个开关晶体管进一步包括：
偏置晶体管，其被配置为控制所述驱动晶体管的源极电极或漏极电极与所述初始化电压线之间的连接，
其中接地通路被配置于所述驱动晶体管的源极电极或漏极电极与所述阴极电极之间，使得所述接地通路包括所述偏置晶体管和所述驱动功率晶体管。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述激发电流根据所述偏置晶体管的阈值电压的变化而生成。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，配置为提供所述用于接地的通路的所述多个开关晶体管中的所述至少一个开关晶体管包括：
连接到所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极的第一晶体管；以及
连接到所述第一晶体管的第二晶体管，所述第二晶体管被配置为在所述发光器件发光时为所述第一晶体管提供所述用于接地的通路。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述多个开关晶体管进一步包括：
连接在所述驱动晶体管与所述发光器件之间的第三晶体管，
其中所述第三晶体管的栅极电极被连接到所述第二晶体管的栅极电极。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第二晶体管被连接到所述发光器件的阴极电极。
8.一种显示面板，其包括：
发光器件，其包括第一电极、发光层和第二电极；
驱动晶体管，其被配置为驱动所述发光器件；
偏置晶体管，其被配置为控制所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极与初始化电压线之间的连接；以及
驱动功率晶体管，其被配置为控制所述初始化电压线与所述发光器件的第二电极之间的电连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，进一步包括：
发射控制晶体管，其被配置为控制所述发光器件的光发射，
其中所述驱动功率晶体管的栅极电极被电连接到所述发射控制晶体管的栅极电极。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述发射控制晶体管位于所述驱动晶体管与所述发光器件之间。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述偏置晶体管被连接到所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极，并且所述驱动晶体管被连接到所述偏置晶体管的漏极电极或源极电极和所述发光器件的第二电极。
12.一种显示装置，其包括：
显示面板，其包括光学区域和非光学区域，所述光学区域包括透射区域，并且所述非光学区域包括位于像素的发光区域中的发光器件；以及
位于所述显示面板上的护罩玻璃，
其中，所述像素被配置为在所述像素内提供用于接地的通路，其中激发电流通过所述用于接地的通路排出，所述用于接地的通路不包括所述发光器件。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述发光器件被配置为响应于驱动电流而发光，所述发光器件包括第一电极、发光层和第二电极，其中所述像素进一步包括：
驱动晶体管，其被配置为供应所述驱动电流；以及
多个开关晶体管，其被配置为控制通过所述驱动晶体管进行的所述驱动电流到所述发光器件的供应，所述多个开关晶体管包括驱动功率晶体管，所述驱动功率晶体管被配置为提供所述用于接地的通路，其中在所述像素中生成的激发电流通过所述用于接地的通路排出。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述驱动功率晶体管被连接在初始化电压线与所述第二电极之间，所述初始化电压线被连接到所述像素。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述多个开关晶体管进一步包括：
偏置晶体管，其被连接到所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极和所述初始化电压线，所述偏置晶体管被配置为将所述初始化电压线提供的电压供应到所述驱动晶体管的漏极电极或源极电极，
其中所述驱动功率晶体管被连接在所述发光器件的第二电极与所述偏置晶体管的漏极电极或源极电极之间。
16.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括：
位于所述非光学区域中而不位于所述光学区域中的偏光器。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述光学区域没有任何晶体管。
18.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括：
包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧的基板；以及
位于所述第二侧上的金属层，所述金属层被配置为至少辐射来自所述显示装置的热量。
19.根据权利要求12所述的显示装置，进一步包括：
与所述光学区域重叠的光学器件。
20.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述激发电流通过允许在所述护罩玻璃上生成的带电电荷穿过所述透射区域进入所述像素而生成。
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