CN116249394B - 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法,涉及显示面板技术领域;显示面板包括沿栅极线的延伸方向依次排列设置的多个像素区,像素区包括开口区和非开口区,非开口区包括薄膜晶体管设置区域和电容设置区域,显示面板包括依次铺设的基板、隔离层、遮光层、缓冲层、第一导电层、第一绝缘层和第二导电层;第一导电层、第二导电层以及遮光层在沿垂直于显示面板的出光面的方向上部分重叠;遮光层与第一导电层形成第一电容,第一导电层与第二导电层形成第二电容;该显示面板在不影响显示装置开口率的条件下提高电容设置区域的电容容量。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是主动发光器件,具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点,有望成为下一代主流平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
有源矩阵有机发光显示装置(Active Matrix Organic Lighting EmittingDisplay,AMOLED),利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT),搭配电容存储信号,来控制有机发光二极管的亮度和灰阶表现。每个单独的有源矩阵有机发光显示装置具有完整的阴极、有机功能层和阳极,阳极覆盖一个薄膜晶体管阵列,形成一个矩阵。有源矩阵有机发光显示装置具有可大尺寸化、较省电、高解析度、面板寿命较长等特点,因此在显示技术领域得到了高度重视。
随着显示面板的大尺寸化,显示装置的功耗越来越高,研究发现增大存储电容可有效增大驱动阶段的电流,从而有效降低功耗;另外,存储电容增大还可以有效降低会引起显示屏闪烁、灰度错乱等问题的跳变电压,因此,在不影响显示装置开口率的条件下,应尽量提高电容值。
发明内容
本申请的目的是提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制备方法,在不影响显示装置开口率的条件下提高电容设置区域的电容容量。
本申请公开了一种显示面板,所述显示面板包括沿栅极线的延伸方向依次排列设置的多个像素区,所述像素区包括开口区和非开口区,所述非开口区包括薄膜晶体管设置区域和电容设置区域,在沿垂直于显示面板的出光面的方向上,在所述电容设置区域,所述显示面板包括包括依次铺设的基板、隔离层、遮光层和缓冲层,所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述隔离层,所述显示面板还包括第一导电层、第一绝缘层和第二导电层,所述第一导电层形成在所述缓冲层上,所述第一导电层包括第一面、第二面和第三面,所述第一面与所述显示面板的出光面平行,所述第二面和第三面在沿垂直于出光面的方向上位于所述第一面的两侧;所述第一绝缘层形成在所述缓冲层上且覆盖所述第一导电层;所述第二导电层形成在所述第一绝缘层上,所述第二导电层包括与显示面板的出光面平行的主体部、以及设置在所述主体部两侧的第一延伸部和第二延伸部;其中,所述第二导电层与所述薄膜晶体管设置区域的薄膜晶体管漏极连通,所述第一导电层、所述第二导电层以及所述遮光层在沿垂直于所述显示面板的出光面的方向上部分重叠,所述遮光层与所述第一导电层形成第一电容,所述第一导电层与所述第二导电层形成第二电容;
其中,所述主体部与所述第一导电层的第一面形成第一子电容,所述第一延伸部与所述第一导电层的第二面形成第一侧向电容,所述第二延伸部与所述第一导电层的第三面形成第二侧向电容,所述第一子电容与所述第一侧向电容以及所述第二侧向电容共同组成所述第二电容。
可选的,所述第一延伸部和所述第二延伸部均与所述显示面板的出光面呈倾斜设置;所述第一延伸部靠近所述主体部的一端到所述基板的距离大于所述第一延伸部远离所述主体部的一端到所述基板的距离,所述第二延伸部靠近所述主体部的一端到所述基板的距离大于所述第二延伸部远离所述主体部的一端到所述基板的距离。
可选的,在所述薄膜晶体管设置区域,所述显示面板包括包括有源层、栅绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层、源极、漏极、基板、隔离层、遮光层以及缓冲层,所述有源层形成在所述缓冲层上;所述栅绝缘层形成在所述有源层上;所述栅极金属层形成在所述栅绝缘层上;所述第二绝缘层形成在所述缓冲层上且覆盖所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极金属层,所述第二绝缘层上设有过孔;所述源极和漏极形成在所述第二绝缘层上,并通过所述过孔与所述有源层连接;其中,所述漏极与所述第二导电层连通,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层间隔设置。
可选的,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间形成第一开口,所述漏极和所述第二导电层填充所述第一开口;其中,所述第一开口沿平行于所述显示面板的出光面的方向的长度大于等于10微米。
可选的,所述遮光层由金属制成,所述遮光层与所述第二导电层之间通过过孔连接。
可选的,所述第一导电层和所述第二导电层为金属制成,所述第一导电层和所述第二导电层的材质为铜合金或铝合金。
可选的,在所述开口区,所述显示面板包括缓冲层、钝化层、色阻层、平坦层、阳极层、发光层、像素定义层、阴极层、基板和隔离层;所述缓冲层形成在所述隔离层上;所述钝化层形成在所述缓冲层上;所述色阻层形成在所述钝化层上;所述平坦层形成在所述钝化层上且覆盖所述色阻层;所述阳极层形成在所述平坦层上;所述发光层形成在所述阳极层上;所述像素定义层形成在所述平坦层上;所述阴极层形成在所述像素定义层上且覆盖所述发光层;其中,所述发光层覆盖部分所述像素定义层。
可选的,所述阴极层为铝合金制成,所述阴极层为所述发光层的反射层。
本申请还公开了一种显示装置,包括驱动电路和如上所述的显示面板,所述驱动电路用于驱动所述显示面板。
本申请还公开了一种显示面板的制备方法,用于制备如上所述的显示面板,所述制备方法包括步骤:
在基板上依次铺设隔离层、遮光层和缓冲层,且所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述隔离层;
在缓冲层上铺设第一导电层;
在缓冲层上依次铺设有源层、栅绝缘层和栅极金属层;
在缓冲层上铺设绝缘层,且所述绝缘层覆盖所述第一导电层、有源层、栅绝缘层和栅极金属层;
蚀刻所述绝缘层以形成位于薄膜晶体管设置区域的第二绝缘层和位于电容设置区域的第一绝缘层,且蚀刻消除开口区的绝缘层;
在第二绝缘层上蚀刻形成用于设置源极和漏极的过孔;以及,
在第一绝缘层上铺设第二导电层,在第二绝缘层上铺设源极和漏极;
其中,所述第一导电层、所述第二导电层以及所述遮光层在沿垂直于所述显示面板的出光面的方向上部分重叠,所述遮光层与所述第一导电层形成第一电容,所述第一导电层与所述第二导电层形成第二电容,所述第一绝缘层和第二绝缘层为同一光罩工艺蚀刻制成。
本申请通过将遮光层、第一导电层和第二导电层设置成沿垂直于显示面板的出光面的方向上存在部分重叠的面积,以使遮光层与第一导电层之间形成第一电容,第一导电层与第二导电层之间形成第二电容,第一电容和第二电容共同组成存储电容,以使得在不增加存储电容所占平面面积的前提下,且第二电容包括第一侧向电容和第二侧向电容,使得第二电容的主体部所占用的平面面积能够减少,从而减少电容设置区域所占用的平面面积,实现单位面积内电容容量的提升;总的来说,本申请的显示面板的电容设置区域的结构设计,在不增加存储电容所占平面面积的前提下,提高了存储电容的电容容量,实现单位面积内电容容量的提升。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本申请的实施方式,并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1是本申请的第一实施例的一种显示面板的结构示意图;
图2是本申请的第一实施例的一种显示面板的结构示意图
图3a是本申请的第一实施例的一种显示面板的部分结构示意图;
图3b是本申请的第一实施例的一种显示面板的部分结构示意图;
图4是本申请的第二实施例的一种显示装置的结构示意图;
图5是本申请的第三实施例的一种显示面板的制备方法的步骤流程图。
其中,100、显示面板;100a、薄膜晶体管设置区域;100b、电容设置区域;100c、开口区;100d、非开口区;110、基板;121、隔离层;122、遮光层;123、缓冲层;124、有源层;125、栅绝缘层;126、钝化层;127、色阻层;128、平坦层;130a、第一导电层;130b、栅极金属层;131、第一面;132、第二面;133、第三面;140a、第一绝缘层;140b、第二绝缘层;141、第一开口;150a、第二导电层;150b、漏极;150c、源极;151、主体部;152、第一延伸部;153、第二延伸部;161、阳极层;162、发光层;163、像素定义层;164、阴极层;200、驱动电路;300、显示装置;400、像素区。
具体实施方式
需要理解的是,这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节,仅仅是为了描述具体实施例,是代表性的,但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现,不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示相对重要性,或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,除非另有说明,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征;“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形,意为不排他的包含,可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外,“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语,是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的,仅是为了便于描述本申请的简化描述,而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
如图1和图2所示,作为本申请的第一实施例,公开了一种显示面板100,所述显示面板100包括沿栅极线的延伸方向依次排列设置的多个像素区400,所述像素区400包括开口区100c和非开口区100d,所述非开口区100d包括薄膜晶体管设置区域100a和电容设置区域100b,在沿垂直于显示面板100的出光面的方向上,在所述电容设置区域100b,所述显示面板100包括依次铺设的基板110、隔离层121、遮光层122和缓冲层123,所述缓冲层123覆盖所述遮光层122和所述隔离层121,所述显示面板100还包括第一导电层130a、第一绝缘层140a和第二导电层150a,所述隔离层121形成在所述基板110上,所述遮光层122形成在所述隔离层121上,所述缓冲层123形成在所述隔离层121上且覆盖所述遮光层122,所述第一导电层130a形成在所述缓冲层123上,所述第一导电层130a包括第一面131、第二面132和第三面133,所述第一面131与所述显示面板100的出光面平行,所述第二面132和第三面133在沿垂直于出光面的方向上位于所述第一面131的两侧,所述第一绝缘层140a形成在所述缓冲层123上且覆盖所述第一导电层130a,所述第二导电层150a形成在所述第一绝缘层140a上且覆盖所述第一绝缘层140a,所述第二导电层150a包括与显示面板100的出光面平行的主体部151、以及设置在所述主体部151两侧的第一延伸部152和第二延伸部153,所述第二导电层150a与所述薄膜晶体管设置区域100a的薄膜晶体管的漏极150b连通,所述第一导电层130a、所述第二导电层150a以及所述遮光层122在沿垂直于所述显示面板100的出光面的方向上部分重叠,其中,所述遮光层122与所述第一导电层130a形成第一电容,所述第一导电层130a与所述第二导电层150a形成第二电容;所述第一延伸部152与所述第一导电层130a的第二面132对应,所述第二延伸部153与所述第一导电层130a的第三面133对应,所述主体部151与所述第一导电层130a的第一面131形成第一子电容,所述第一延伸部152与所述第一导电层130a的第二面132形成第一侧向电容,所述第二延伸部153与所述第一导电层130a的第三面133形成第二侧向电容,所述第一子电容与所述第一侧向电容以及所述第二侧向电容共同组成所述第二电容;需要说明的是,垂直于所述显示面板100的出光面的方向为如图1中的X轴的方向,栅极线的延伸方向为如图1中的Y轴的方向。
本实施例的显示面板100的电容设置区域100b中,由于遮光层122、第一导电层130a和第二导电层150a在沿垂直于显示面板100的出光面的方向上存在部分重叠的面积,遮光层122与第一导电层130a之间会形成第一电容,第一导电层130a与第二导电层150a之间会形成第二电容,第一电容和第二电容的位置一上一下,共同组成了本申请的显示面板100中的存储电容,存储电容分为两处且为上下排布,在不增加存储电容所占平面面积的前提下,实现单位面积内电容容量的提升,即在不影响显示装置300开口率的条件下,提高了存储电容的电容容量,从而有效增大驱动阶段的电流,降低功耗,且有效降低会引起显示屏闪烁、灰度错乱等问题的跳变电压,维持像素节点的稳定性,有利于实现更高分辨率的显示显示技术;所述主体部151与所述第一导电层130a的第一面131正对设置,所述第一延伸部152与所述第一导电层130a的第二面132正对设置,所述第二延伸部153与所述第一导电层130a的第三面133正对设置,所述第一延伸部152与所述第二延伸部153均与所述显示面板100的出光面的位置关系为非平行设置;相比起将第一延伸部152和第二延伸部153设置成与显示面板100的出光面的位置关系为平行设置而言,本实施例的第一导电层130a的第一面131、第二面132和第三面133均能与第二导电层150a形成电容,以达到增大电容设置区域100b的电容有效面积,从而能够减少第二导电层150a的主体部151所占用的平面面积,来实现减少电容设置区域100b所占用的平面面积,使得单位面积中电容容量的提升,有利于实现更高分辨率的显示显示技术;总的来说,本实施例电容设置区域100b的显示面板100的结构设计,在不增加存储电容所占平面面积的前提下,提高了存储电容的电容容量,实现单位面积内电容容量的提升;需要说明的是,所述第二导电层150a与所述薄膜晶体管设置区域100a的漏极150b连通,即所述第二导电层150a与所述薄膜晶体管的漏极150b的电压值相等,第二导电层150a和薄膜晶体管的漏极150b之间不会形成电容以相互干扰。
在本实施例中,所述遮光层122可以是由金属制成,所述遮光层122与所述第二导电层150a的电压值相等,以避免所述遮光层122与所述第二导电层150a之间存在电压差而形成电容,对显示面板100的其他区域造成影响,其中,所述遮光层122可以通过设置过孔与所述第二导电层150a进行连接,以使所述遮光层122与所述第二导电层150a的电压值相等,当然,也可以选择其他的设置方式使遮光层122与第二导电层150a的电压值相等,此处不做赘述,设计人员可以根据实际需求进行选择设计;所述遮光层122也可以不是由金属制成,制成遮光层122的材料仅需具备能够导电且能实现遮光的效果即可,此处不做赘述;所述第一导电层130a和所述第二导电层150a也为金属制成,所述第一导电层130a和所述第二导电层150a的材质可以是铜合金或者是铝合金,设计人员可以根据生产需求进行选择设计,此处不做赘述。
其中,上述的所述第一延伸部152和第二延伸部153可以为如下所述的两种设置方式,具体如下所述:
如图1和图2所示,第一种设置方式为将所述第一延伸部152和所述第二延伸部153均与所述显示面板100的出光面呈倾斜设置,所述第一延伸部152靠近所述主体部151的一端到所述基板110的距离大于所述第一延伸部152远离所述主体部151的一端到所述基板110的距离,所述第二延伸部153靠近所述主体部151的一端到所述基板110的距离大于所述第二延伸部153远离所述主体部151的一端到所述基板110的距离,如此设置,将第二导电层150a形成类似等腰梯形的形状,能够很好的将第一绝缘层140a进行覆盖,而且还能够通过调整第一延伸部152和第二延伸部153与显示面板100的出光面的倾斜角度来实现电容数值的调控,即控制第一延伸部152和第二延伸部153与第一导电层130a的第二面132和第三面133的正对面积的大小,来实现第一侧向电容和第二侧向电容的电容数值调控。
第二种设置方式为将所述第一延伸部152和所述第二延伸部153均与所述显示面板100的出光面呈垂直设置,所述第一延伸部152、所述第二延伸部153和所述主体部151组合形成类似“门”字形的半包围结构,将所述第一导电层130a包围,形成第一电容和第二电容。
上述的两种设置方式中,与原有的设置方式相比,由于第二导电层150a设置了第一延伸部152和第二延伸部153,第一延伸部152与第一导电层130a的第二面132形成第一侧向电容,第二延伸部153与第一导电层130a的第三面133形成第二侧向电容,第一侧向电容和第二侧向电容与第一子电容组合共同形成第二电容,使得本实施例中的显示面板100的电容设置区域100b的存储电容的固定单位面积内的电容总量增加;换而言之,若在同一分辨率下的显示面板,其像素区域所固定占用的面积已经固定,且像素区域包括薄膜晶体管设置区域100a、电容设置区域100b和开口区100c,采用本实施例中的电容设置区域100b的设置方式,即设置包含主体部151、第一延伸部152和第二延伸部153的第二导电层150a,能够在保持电容设置区域100b的存储电容的电容容量不变的同时,缩小电容设置区域100b的电容面积,从而使得像素区域中的开口区100c的面积进行增大,提高显示面板的开口率,且这种设计,在高分辨率和高像素密度的情况下也能够实现更好的开口率,提升显示装置300的显示效果。
进一步的,所述所述薄膜晶体管设置区域100a的显示面板100包括有源层124、栅绝缘层125、栅极金属层130b、第二绝缘层140b、源级、漏极150b以及与所述电容设置区域100b为相同设置的基板110、隔离层121、遮光层122和缓冲层123,所述有源层124形成在所述缓冲层123上,所述栅绝缘层125形成在所述有源层124上,所述栅极金属层130b形成在所述栅绝缘层125上,所述第二绝缘层140b形成在所述缓冲层123上且覆盖所述有源层124、所述栅绝缘层125和所述栅极金属层130b,所述第二绝缘层140b上设有过孔,所述源极150c和漏极150b形成在所述第二绝缘层140b上,并通过所述过孔与所述有源层124连接,所述漏极150b与所述第二导电层150a连通,所述第一绝缘层140a与所述第二绝缘层140b间隔设置;所述显示面板100的薄膜晶体管设置区域100a中的漏极150b与电容设置区域100b中的第二导电层150a连通,在本实施例中,所述第二导电层150a也可以与所述薄膜晶体管的漏极150b为同一材料制成,以在形成薄膜晶体管的漏极150b的同时也形成第二导电层150a,节省显示面板100的制成工序,如此设计的显示面板100结构,不仅能够增大存储电容的电容容量,还能够减少制成存储电容的制成工序,使得该显示面板100的薄膜晶体管设置区域100a的薄膜晶体管可以与电容设置区域100b内的存储电容一同制成;需要说明的是,所述第一绝缘层140a和所述第二绝缘层140b也可以为同一材料制成,以在形成第一绝缘层140a的同时形成第二绝缘层140b;且本实施例中的薄膜晶体管也可以是采用顶栅结构或底栅结构或双栅结构,均可实现本发明的目的,属于本发明的保护范围。
进一步的,如图3a和图3b所示,为了使所述第一绝缘层140a和所述第二绝缘层140b由同一材料制成的时候,还能够让第一绝缘层140a和第二绝缘层140b为间隔设置,所述第一绝缘层140a和所述第二绝缘层140b之间形成第一开口141,其中,所述漏极150b和所述第二导电层150a填充所述第一开口141,以使薄膜晶体管设置区域100a中的薄膜晶体管的漏极150b与第二导电层150a进行连接,漏极150b与第二导电层150a之间不存在电压差而不会产生额外的电容;且为了避免设置在第一开口141两侧的漏极150b和第二导电层150a在使用的时候会产生较大的寄生电容而造成显示异常的情况发生,所述第一开口141沿平行于所述显示面板100的出光面的方向的长度大于等于10微米;在本实施例中,所述漏极150b与所述第二导电层150a为同一材料制成,当铺设好第一绝缘层140a和第二绝缘层140b后,在第一绝缘层140a和第二绝缘层140b之间蚀刻出第一开口141,随后在第一绝缘层140a和第二绝缘层140b上铺设第二导电层150a的材料以形成薄膜晶体管设置区域100a的漏极150b以及电容设置区域100b的第二导电层150a,且在铺设第二导电层150a的材料的时候会填充第一开口141,以使漏极150b和第二导电层150a组合形成高低不平的形状,如图1所示。
进一步的,所述开口区100c包括缓冲层123、钝化层126、色阻层127、平坦层128、阳极层161、发光层162、像素定义层163、阴极层164以及与所述电容设置区域100b为相同设置的基板110和隔离层121,所述缓冲层123形成在所述隔离层121上,所述钝化层126形成在所述缓冲层123上,所述色阻层127形成在所述钝化层126上,所述平坦层128形成在所述钝化层126上且覆盖所述色阻层127,所述阳极层161形成在所述平坦层128上,所述发光层162形成在所述阳极层161上,所述像素定义层163形成在所述平坦层128上,所述阴极层164形成在所述像素定义层163上且覆盖所述发光层162,所述发光层162覆盖部分所述像素定义层163;本实施例中的开口区100c,与现有的显示面板的开口区100c相比,去除了开口区100c中的绝缘层,一定程度上提高了开口区100c的透过率,同时,与上述的在第一绝缘层140a和第二绝缘层140b之间形成第一开口141的设计结合,在显示面板的制成步骤上来说,可以直接铺设横跨薄膜晶体管设置区域100a、电容设置区域100b和开口区100c的绝缘层材料以形成第一绝缘层140a和第二绝缘层140b,随后再通过蚀刻的方式去除位于第一开口141处的绝缘层材料以及位于开口区100c处的绝缘层材料,可以在形成第一开口141的同时兼容开口区100c去除绝缘层的设计,无需额外设计去除开口区100c的绝缘层的制成步骤,是相辅相成的设计,使得在制作工序的时候,既能够满足第一绝缘层140a和第二绝缘层140b的设计需求,也能够满足开口区100c的设计需求;在本实施例中,所述阴极层为铝合金制成,所述阴极层作为所述发光层的反射层,以将发光层射出的光线得以最大化的利用,需要说明的是,阴极层也可以是其他具备反光功能的材料制成,设计人员可以根据实际需求进行选择设计。
如图4所述,作为本申请的第二实施例,公开了一种显示装置300,所述显示装置300包括驱动电路200和如上述的第一实施例或第二实施例中所述的显示面板100,所述驱动电路200用于驱动所述显示面板100,本实施例中的显示装置300,能够在不增加显示面板100中的电容设置区域100b所占用的平面面积的前提下,提高存储电容的电容容量,实现单位面积内电容容量的提升,有效降低会引起显示屏闪烁、灰度错乱等问题的跳变电压,维持像素节点的稳定性,提升显示装置300的开口率。
如图5所述,作为本申请的第三实施例,公开了一种显示面板的制备方法,用于制备如第一实施例所述的显示面板,所述制备方法包括步骤:
在基板上依次铺设隔离层、遮光层和缓冲层,且所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述隔离层;
在缓冲层上铺设第一导电层;
在缓冲层上依次铺设有源层、栅绝缘层和栅极金属层;
在缓冲层上铺设绝缘层,且所述绝缘层覆盖所述第一导电层、有源层、栅绝缘层和栅极金属层;
蚀刻所述绝缘层以形成位于薄膜晶体管设置区域的第二绝缘层和位于电容设置区域的第一绝缘层,且蚀刻消除开口区的绝缘层;
在第二绝缘层上蚀刻形成用于设置源极和漏极的过孔;以及,
在第一绝缘层上铺设第二导电层,在第二绝缘层上铺设源极和漏极;
其中,所述第一导电层、所述第二导电层以及所述遮光层在沿垂直于所述显示面板的出光面的方向上部分重叠,所述遮光层与所述第一导电层形成第一电容,所述第一导电层与所述第二导电层形成第二电容,所述第一绝缘层和第二绝缘层为同一工序制成。
通过上述的制备方法制成的显示面板,显示面板的遮光层会与第一导电层形成第一电容,第一导电层会与第二导电层形成第二电容,第一电容和第二电容共同组成显示面板的存储电容,以使得在不增加存储电容所占平面面积的前提下,实现单位面积内电容容量的提升;
在基板上形成隔离层、遮光层、缓冲层之后,为了使显示面板的薄膜晶体管设置区域和电容设置区域共同成型,先在缓冲层上依次铺设形成有源层、栅绝缘层和栅极金属层,完成薄膜晶体管设置区域的栅极制程,再在缓冲层上铺设第一导电层,随后在第一导电层上铺设第一绝缘层,在栅极金属层上铺设第二绝缘层,并在第二绝缘层上蚀刻形成用于设置源极和漏极的过孔,以及在第一绝缘层和第二绝缘层之间形成第一开口,随后,在过孔以及第一开口处形成薄膜晶体管设置区域的源极、漏极以及电容设置区域的第二导电层,后续依次铺设钝化层、色阻层、平坦层、阳极、像素定义层、发光层和阴极即可形成显示面板;
其中,所述栅极金属层的材质可以与第一导电层的材质相同,以使得在铺设栅极金属层的时候,可以同时铺设第一导电层,节约制程步骤,所述第二导电层和所述薄膜晶体管设置区域的源极和漏极的材质相同,以使得在形成第二导电层的时候,可以同时形成薄膜晶体管设置区域的源极和漏极,即在铺设第二导电层时同时铺设源极和漏极,以减少制程步骤,仅需修改铺设第一绝缘层和第二绝缘层时所需要使用的光罩即可。
需要说明的是,本方案中涉及到的各步骤的限定,在不影响具体方案实施的前提下,并不认定为对步骤先后顺序做出限定,写在前面的步骤可以是在先执行的,也可以是在后执行的,甚至也可以是同时执行的,只要能实施本方案,都应当视为属于本申请的保护范围。
需要说明的是,本申请的发明构思可以形成非常多的实施例,但是申请文件的篇幅有限,无法一一列出,因而,在不相冲突的前提下,以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例,各实施例或技术特征组合之后,将会增强原有的技术效果。
以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明,不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本申请的保护范围。
Claims (8)
1.一种显示面板,所述显示面板包括沿栅极线的延伸方向依次排列设置的多个像素区,所述像素区包括开口区和非开口区,非开口区包括薄膜晶体管设置区域和电容设置区域,在沿垂直于显示面板的出光面的方向上,在所述电容设置区域,所述显示面板包括包括依次铺设的基板、隔离层、遮光层和缓冲层,所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述隔离层,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一导电层,形成在所述缓冲层上,所述第一导电层包括第一面、第二面和第三面,所述第一面与所述显示面板的出光面平行,所述第二面和第三面在沿垂直于出光面的方向上位于所述第一面的两侧;
第一绝缘层,形成在所述缓冲层上且覆盖所述第一导电层;以及,
第二导电层,形成在所述第一绝缘层上,所述第二导电层包括与显示面板的出光面平行的主体部、以及设置在所述主体部两侧的第一延伸部和第二延伸部;
其中,所述第二导电层与所述薄膜晶体管设置区域的薄膜晶体管的漏极连通,所述第一导电层、所述第二导电层以及所述遮光层在沿垂直于所述显示面板的出光面的方向上部分重叠,所述遮光层与所述第一导电层形成第一电容,所述第一导电层与所述第二导电层形成第二电容;
其中,所述主体部与所述第一导电层的第一面形成第一子电容,所述第一延伸部与所述第一导电层的第二面形成第一侧向电容,所述第二延伸部与所述第一导电层的第三面形成第二侧向电容,所述第一子电容与所述第一侧向电容以及所述第二侧向电容共同组成所述第二电容;
所述开口区包括缓冲层、钝化层、色阻层、平坦层、阳极层、发光层、像素定义层、阴极层以及与所述电容设置区域为相同设置的基板和隔离层,所述缓冲层形成在所述隔离层上,所述钝化层形成在所述缓冲层上,所述色阻层形成在所述钝化层上,所述平坦层形成在所述钝化层上且覆盖所述色阻层,所述阳极层形成在所述平坦层上,所述发光层形成在所述阳极层上,所述像素定义层形成在所述平坦层上,所述阴极层形成在所述像素定义层上且覆盖所述发光层,所述发光层覆盖部分所述像素定义层;
其中,所述第一延伸部和所述第二延伸部均与所述显示面板的出光面呈倾斜设置,所述第一延伸部靠近所述主体部的一端到所述基板的距离大于所述第一延伸部远离所述主体部的一端到所述基板的距离,所述第二延伸部靠近所述主体部的一端到所述基板的距离大于所述第二延伸部远离所述主体部的一端到所述基板的距离,所述第二导电层形成等腰梯形的形状。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述薄膜晶体管设置区域,所述显示面板包括:
基板、隔离层、遮光层以及缓冲层;
有源层,形成在所述缓冲层上;
栅绝缘层,形成在所述有源层上;
栅极金属层,形成在所述栅绝缘层上;
第二绝缘层,形成在所述缓冲层上且覆盖所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极金属层,所述第二绝缘层上设有过孔;以及,
源极和漏极,所述源极和漏极形成在所述第二绝缘层上,并通过所述过孔与所述有源层连接;
其中,所述漏极与所述第二导电层连通,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层间隔设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间形成第一开口,所述漏极和所述第二导电层填充所述第一开口;
其中,所述第一开口沿平行于所述显示面板的出光面的方向的长度大于等于10微米。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层由金属制成,所述遮光层与所述第二导电层之间通过过孔连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层和所述第二导电层为金属制成,所述第一导电层和所述第二导电层的材质为铜合金或铝合金。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极层为铝合金制成,所述阴极层为所述发光层的反射层。
7.一种显示装置,其特征在于,包括驱动电路和如权利要求1至6任意一项所述的显示面板,所述驱动电路用于驱动所述显示面板。
8.一种显示面板的制备方法,用于制备如权利要求1至6任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述制备方法包括步骤:
在基板上依次铺设隔离层、遮光层和缓冲层,且所述缓冲层覆盖所述遮光层和所述隔离层;
在缓冲层上铺设第一导电层;
在缓冲层上依次铺设有源层、栅绝缘层和栅极金属层;
在缓冲层上铺设绝缘层,且所述绝缘层覆盖所述第一导电层、有源层、栅绝缘层和栅极金属层;
蚀刻所述绝缘层以形成位于薄膜晶体管设置区域的第二绝缘层和位于电容设置区域的第一绝缘层,且蚀刻消除开口区的绝缘层;
在第二绝缘层上蚀刻形成用于设置源极和漏极的过孔;以及,
在第一绝缘层上铺设第二导电层,在第二绝缘层上铺设源极和漏极;
其中,所述第一导电层、所述第二导电层以及所述遮光层在沿垂直于所述显示面板的出光面的方向上部分重叠,所述遮光层与所述第一导电层形成第一电容,所述第一导电层与所述第二导电层形成第二电容,所述第一绝缘层和第二绝缘层为同一光罩工艺蚀刻制成。
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