CN116194434A

CN116194434A - 电子器件

Info

Publication number: CN116194434A
Application number: CN202180060005.1A
Authority: CN
Inventors: 伊洛娜·施滕格尔; 弗兰克·福格斯; 特雷莎·穆希卡-费尔瑙德; 雷米·马努克·安米安
Original assignee: Merck Patent GmbH
Current assignee: Merck Patent GmbH
Priority date: 2020-08-06
Filing date: 2021-06-30
Publication date: 2023-05-30
Also published as: KR20230048073A; WO2021170886A3; WO2021170886A2; EP4193399A2

Abstract

本发明涉及一种包含配位化合物的电子器件。本发明还涉及一种用于制造所述器件的方法。

Description

电子器件

本申请涉及一种电子器件，所述电子器件在空穴注入层和空穴传输层中包含含有至少一个铋原子的配位化合物。

在本申请的上下文中的电子器件被理解为指所谓的有机电子器件，所述有机电子器件包含作为功能材料的有机半导体材料。更特别地，这些电子器件被理解为OLED(有机电致发光器件)。术语OLED被理解为意指具有一个或多个包含有机化合物的层并且在施加电压时发光的电子器件。OLED的结构和一般功能原理是本领域技术人员已知的。

在电子器件，特别是在OLED中，在性能数据和性能方面的改善仍然备受关注。空穴注入层和空穴传输层的组成和结构在这里非常重要。为此目的，现有技术公开了在空穴注入层中使用具有低LUMO(最低未占分子轨道)的有机化合物，和/或在空穴传输层中使用芳基胺化合物。另外已知的是在空穴传输层中使用芳基胺化合物和p型掺杂剂，从而获得具有高空穴传导性的空穴传输层。

铋的配位化合物在OLED中的使用，例如作为空穴传输层中的p型掺杂剂，在现有技术中是已知的。与现有技术中已知的常规p型掺杂剂相比，作为p型掺杂剂的Bi化合物的特别优点是尤其对具有低HOMO和低固有颜色(在VIS区域中具有低吸收)以及像素之间的低串扰的空穴传输材料的可掺杂性。

然而，在此类器件的情况下，仍然需要在加工性、寿命、效率、工作电压水平、OLED工作期间工作电压的升高以及尤其串扰(由于交叉传导性和漏电流)方面进行改善。

每当像素之间的交叉传导性太大时，OLED的相邻像素之间就会发生串扰。尤其在小像素和像素之间距离小的情况下，因为由于工艺相关的原因，通常不使用另外的掩膜，所以不同着色的子像素在大面积(例如空穴注入层和空穴传输层)上共用有机层。这些层通常表现出高的交叉传导性。如果交叉传导性太高，当像素接通时，小的漏电流可导致相邻像素的弱共发光。尤其是当相邻像素(如在大多数RGB显示器中)具有不同的颜色时，这很麻烦。例如，如果蓝色像素发光，但相邻的红色像素不发光，则会有小的漏电流流动，这会导致红色像素微弱发光。在这种情况下，深蓝色不再可能，因为红色像素共同发光，因此颜色表达会恶化。尤其在小像素的情况下并且在像素彼此之间的距离小的情况下，会出现串扰问题。

已经发现，令人惊讶地，在空穴注入层和空穴传输层中包含含有至少一个铋原子的配位化合物的电子器件改善了装置的上述性能。特别地，此类结构的器件在工作期间具有小的工作电压上升和低串扰。

因此，本申请提供了一种电子器件，所述电子器件包括：

-阳极，

-在所述阳极的阴极侧上的邻接层A，所述邻接层A以至少20％的比例包含化合物K1，所述化合物K1选自包含至少一个铋原子的配位化合物；

-在层A的阴极侧上的邻接层B，所述邻接层B包含化合物H和另外的化合物K2，所述化合物K2选自包含至少一个铋原子的配位化合物；

-阴极。

根据本领域技术人员的常规理解，在从溶液涂布的层的情况下，以％表示的比例数字意指重量％，而在从气相涂布的层的情况下，以％表示的比例数字意指体积％。优选地，通常，在本申请的上下文中，“％”意指体积％。

例如，当在“包含层A的电子器件”的定义中使用“一个”的措辞时，基本上不排除其复数，这意味着在上述情况下，在电子器件中也可存在两个或更多个层A。

电子器件优选地选自有机集成电路(OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太阳能电池(OSC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝灭器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC)、有机激光二极管(O-激光器)和更优选的有机电致发光器件(OLED)。

根据本申请的器件的阳极优选地包含具有高逸出功的材料。优选地，阳极相对于真空具有大于4.5eV的逸出功。特别地，具有高氧化还原电位的金属适合于此目的，例如Ag、Pt或Au。在一个优选的实施方式中，阳极是金属/金属氧化物电极，例如包含Al/Ni/NiO_x或Al/PtO_x。对于一些应用，优选的是，至少一个电极是透明的或部分透明的，从而能够照射有机材料(有机太阳能电池)或发出光(OLED、O-激光器)。这里优选的阳极材料是导电的混合金属氧化物。用于阳极的特别优选的材料是氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)。另外优选的是导电的掺杂型有机材料，尤其是导电的掺杂型聚合物。在一个优选的实施方式中，阳极由两个或更多个层组成，例如由ITO内层和金属氧化物外层组成，所述金属氧化物优选地是氧化钨、氧化钼或氧化钒。

层A优选地直接邻接阳极。另外优选的是，层A的厚度为0.5nm至10nm，更优选地为1nm至5nm，最优选地为2nm至4nm。层A优选地为空穴注入层。在本申请的上下文中，空穴注入层被理解为意指具有空穴注入和空穴传输特性并且直接邻接阳极的层。

层A优选地以至少50％的比例，更优选地以至少90％的比例，最优选地以至少99％的比例包含化合物K1。在一个优选的实施方式中，层A基本上由化合物K1组成。最优选地，层A由化合物K1组成。这里不排除存在少量杂质。

化合物K1优选地选自包含至少一个配体和至少一个Bi原子的配位化合物。铋原子优选地以Bi(III)的形式处于+3氧化态。然而，在一个代替的优选的实施方式中，铋原子也可处于+2或+5氧化态。

化合物K1优选地为强路易斯酸，特别是具有接受来自另一原子的电子对的高度准备就绪状态的化合物。

化合物K1可是铋的单核络合物、铋的双核络合物或铋的多核络合物。如果化合物K1处于气相中，则这里化合物K1可是铋的单核络合物，如果化合物K1处于固相中，则化合物K1可是铋的多核络合物。这意味着化合物K1可根据物质状态而聚合或解聚。

优选地，作为配位化合物的化合物K1具有至少一个配体L，该配体L为有机化合物。配体L优选地选自单齿配体、双齿配体和三齿配体，更优选地选自单齿状配体。另外优选地，配体L带负电，优选地带三个负电荷、带两个负电荷或带单个负电荷，更优选地带单个负电荷。

化合物K1中选择的配体L可相同或不同。它们优选地是相同的。

配体L的与铋原子结合的基团优选地选自羧酸基团，硫代羧酸基团，特别是硫羟酸基团、硫羰酸基团和二硫羟酸基团，羧酰胺基团和羧酰亚胺基团，更优选地选自羧酸基团。优选地是包含选自以下的至少一个基团的配体：羧酸基团，硫代羧酸基团，特别地硫羟酸基团、硫羰酸基团和二硫羟酸基团，羧酰胺基团和羧酰亚胺基团，所述配体另外具有至少一个吸电子基团。特别优选地是包含至少一个羧酸基团的配体，所述配体除了羧酸基团之外，还具有至少一个另外的吸电子基团。吸电子基团优选地选自F、Cl、Br、I、CN、NO₂以及具有1至20个碳原子并具有至少一个选自F、C1、CN和NO₂的取代基的烷基基团，更优选地选自F、Cl、CN和CF₃。更优选地，在配体中存在一个、两个或三个，最优选地存在三个此类另外的吸电子基团。

优选地，配体L对应于下式(L-I)、(L-II)、(L-III)和(L-IV)中的一个，

其中：

W选自羧酸基团，硫代羧酸基团，特别是硫羟酸基团、硫羰酸基团和二硫羟酸基团，羧酰胺基团和羧酰亚胺基团，更优选地选自羧酸基团；

U在每种情况下相同或不同，并且如果没有W基团与其键合，则U选自N和CR¹，如果W基团与其键合，则U是C；并且

R¹在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、Cl、Br、I、C(＝O)R²、CN、Si(R²)₃、N(R²)₂、P(＝O)(R²)₂、OR²、S(＝O)R²、S(＝O)₂R²、具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团、具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团、具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R¹基团可彼此连接并且可形成环；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基团以及所述芳族环系和杂芳族环系各自被R²基团取代；并且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH₂基团可被-R²C＝CR²-、-C≡C-、Si(R²)₂、C＝O、C＝NR²、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR²-、NR²、P(＝O)(R²)、-O-、-S-、SO或SO₂代替；

R²在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、Cl、Br、I、C(＝O)R³、CN、Si(R³)₃、N(R³)₂、P(＝O)(R³)₂、OR³、S(＝O)R³、S(＝O)₂R³、具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团、具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团、具有2至20个原子的烯基或炔基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R²基团可彼此连接并且可形成环；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基团以及所述芳族环系和杂芳族环系各自被R³基团取代；并且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH₂基团可被-R³C＝CR³-、-C≡C-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR³-、NR³、P(＝O)(R³)、-O-、-S-、SO或SO₂代替；

R³在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂、具有1至20个碳原子的烷基或烷氧基基团、具有2至20个原子的烯基或炔基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R³基团可彼此连接并且可形成环；并且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基团、芳族环系和杂芳族环系可被一个或多个选自F和CN的基团取代。

以下定义适用于本申请中使用的化学基团。除非给出了任何更具体的定义，否则它们适用。

在本发明的上下文中，芳基被理解为意指简单的芳族环，即苯，或稠合芳族多环，例如萘、菲或蒽。在本申请的上下文中，稠合芳族多环由彼此稠合的两个或多个简单的芳族环组成。环之间的稠合在这里被理解为意指所述环彼此共用至少一个边。在本发明的上下文中，芳基基团包含6至40个芳族环原子。此外，芳基基团不包含作为芳族环原子的任何杂原子，而是仅包含碳原子。

在本发明的上下文中，杂芳基被理解为意指简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶或噻吩，或稠合的杂芳族多环，例如喹啉或咔唑。在本申请的上下文中，稠合的杂芳族多环由彼此稠合的两个或多个简单的芳族或杂芳族环组成，其中芳族环和杂芳族环中的至少一个是杂芳族环。环之间的稠合在这里被理解为所述环彼此共用至少一个边。在本发明的上下文中，杂芳基基团包含5至40个芳族环原子，其中至少一个是杂原子。杂芳基的杂原子优选地选自N、O和S。

各自可被上述基团取代的芳基或杂芳基尤其理解为意指源自于以下的基团：苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、苣、苝、联三苯叉、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻酚、吡咯、吲哚、异吲哚，咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩

嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、/>

唑、苯并/>

唑、萘并/>

唑、蒽并/>

唑、菲并/>

唑、异/>

唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-/>

二唑、1,2,4-/>

二唑、1,2,5-/>

二唑、1,3,4-/>

二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲哚嗪和苯并噻二唑。

在本发明的上下文中，芳族环系是如下体系：其不必仅包含芳基基团，而是它还可包含一个或多个与至少一个芳基基团稠合的非芳族环。这些非芳族环仅包含碳原子作为环原子。该定义所涵盖的基团的实例是四氢萘、芴和螺二芴。此外，术语“芳族环系”包括由两个或多个通过单键彼此连接的芳族环系组成的体系，例如联苯基、三联苯基、7-苯基-2-芴基、四联苯基和3,5-二苯基-1-苯基。在本发明的上下文中，芳族环系包含6至40个碳原子，并且在环系中不含杂原子。“芳族环系”的定义不包括杂芳基基团。

杂芳族环系符合上述芳族环系的定义，不同之处在于，它必须包含至少一个杂原子作为环原子。与芳族环系的情况一样，杂芳族环系不必仅包含芳基基团和杂芳基基团，而是可另外包含与至少一个芳基或杂芳基基团稠合的一个或多个非芳族环。非芳族环可仅包含碳原子作为环原子，或者它们可另外包含一个或多个杂原子，其中杂原子优选地选自N、O和S。此类杂芳族环系的一个实例是苯并吡喃基。此外，术语“杂芳族环系”被理解为意指由两个或多个通过单键彼此键合的芳族或杂芳族环系组成的体系，例如4,6-二苯基-2-三嗪基。在本发明的上下文中，杂芳族环系包含5至40个选自碳和杂原子的环原子，其中至少一个环原子是杂原子。杂芳族环系的杂原子优选地选自N、O和S。

因此，如本申请中定义的术语“杂芳族环系”和“芳族环系”彼此不同，因为芳族环系不能具有杂原子作为环原子，而杂芳族环系必须具有至少一个杂原子作为环原子。该杂原子可作为非芳族杂环的环原子或芳族杂环的环原子存在。

根据上述定义，任何芳基基团均被术语“芳族环系”所涵盖，任何杂芳基基团均被术语“杂芳族环系”所涵盖。

具有6至40个芳族环原子的芳族环系或具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系尤其被理解为意指源自上述在芳基基团和杂芳基基团下所提及基团的基团，以及源自以下物质的基团：联苯基、三联苯基、四联苯基、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、茚并咔唑或这些基团的组合。

在本发明的上下文中，具有1至20个碳原子的直链烷基和具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基以及具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团(其中个别氢原子或CH₂基团还可被上述基团定义中提到的基团取代)优选地被理解为意指甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、新戊基、正己基、环己基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基基团。

其中个别氢原子或CH₂基团也可被上述基团定义中提及的基团取代的具有1至20个碳原子的烷氧基或硫代烷基基团优选地被理解为意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、环庚氧基、正辛氧基、环辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁基硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、环庚硫基、正辛硫基、环辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯基硫基、丙烯基硫基、丁烯基硫基、戊烯基硫基、环戊烯基硫基、己烯基硫基、环己烯基硫基、庚烯基硫基、环庚烯基硫基、辛烯基硫基、环辛烯基硫基、乙炔基硫基、丙炔基硫基、丁炔基硫基、戊炔基硫基、己炔基硫基、庚炔基硫基或辛炔基硫基。

在本申请的上下文中，两个或更多个基团可一起形成环的措辞应理解为尤其意指，这两个基团通过化学键彼此连接。然而，此外，上述措辞也应理解为意指，如果两个基团中的一个是氢，则第二个基团结合至氢原子键合的位置，从而形成环。

优选地，R¹在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、Cl、Br、CN、NO₂、Si(R²)₃、N(R²)₂、具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团、具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系以及具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中所述烷基和烷氧基基团、所述芳族环系和所述杂芳族环系各自被R²基团取代；并且其中所述烷基或烷氧基基团中的一个或多个CH₂基团可被-C≡C-、-R²C＝CR²-、Si(R²)₂、C＝O、C＝NR²、-NR²-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR²-代替。

优选地，R²在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、Cl、Br、CN、NO₂、Si(R³)₃、N(R³)₂、具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团、具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系以及具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中所述烷基和烷氧基基团、所述芳族环系和所述杂芳族环系各自被R³基团取代；并且其中所述烷基或烷氧基基团中的一个或多个CH₂基团可被-C≡C-、-R³C＝CR³-、Si(R³)₂、C＝O、C＝NR³、-NR³-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR³-代替。

优选地，在式(L-I)至(L-III)中的每个中，存在至少一个R¹基团，该基团R¹选自F、Cl、Br、CN、NO₂以及具有1至20个碳原子和至少一个选自F、C1、CN和NO₂的取代基的烷基基团。在提到的基团之中，特别优选地是F、Cl、CN和CF₃。

更优选地，存在一个、两个或三个此类R¹基团，最优选地存在三个此类R¹基团。

优选地，在式(L-IV)中，存在至少一个R²基团，该R²基团选自F、Cl、Br、CN、NO₂以及具有1至20个碳原子和至少一个选自F、C1、CN和NO₂的取代基的烷基基团。在提到的基团之中，特别优选地是F、Cl、CN和CF₃。

更优选地，存在一个、两个或三个此类R²基团，最优选地存在三个此类R²基团。

优选的配体L选自氟化苯甲酸衍生物、氟化或非氟化的苯乙酸衍生物以及氟化或非氟化的乙酸衍生物。

优选的氟化苯甲酸衍生物是：2-(三氟甲基)苯甲酸；3,5-二氟苯甲酸；3-羟基-2,4,6-三碘苯甲酸；3-氟-4-甲基苯甲酸；3-(三氟甲氧基)苯甲酸；4-(三氟甲氧基)苯甲酸；4-氯-2,5-二氟苯甲酸；2-氯-4,5-二氟苯甲酸；2,4,5-三氟苯甲酸；2-氟苯甲酸；4-氟苯甲酸；2,3,4-三氟苯甲酸；2,3,5-三氟苯甲酸；2,3-二氟苯甲酸；2,4-双(三氟甲基)苯甲酸；2,4-二氟苯甲酸；2,5-二氟苯甲酸；2,6-双(三氟甲基)苯甲酸；2,6-二氟苯甲酸；2-氯-6-氟苯甲酸；2-氟-4-(三氟甲基)苯甲酸；2-氟-5-(三氟甲基)苯甲酸；2-氟-6-(三氟甲基)苯甲酸；3,4,5-三氟苯甲酸；3,4-二氟苯甲酸；3,5-双(三氟甲基)苯甲酸；3-(三氟甲基)苯甲酸；3-氯-4-氟苯甲酸；3-氟-5-(三氟甲基)苯甲酸；3-氟苯甲酸；4-氟-2-(三氟甲基)苯甲酸；4-氟-3-(三氟甲基)苯甲酸；5-氟-2-甲基苯甲酸；2-(三氟甲氧基)苯甲酸；2,3,5-三氯苯甲酸；4-(三氟甲基)苯甲酸；五氟苯甲酸；和2,3,4,5-四氟苯甲酸。最优选的是2,4-双(三氟甲基)苯甲酸。

优选的氟化或非氟化的苯乙酸衍生物是：2-氟苯基乙酸；3-氟苯基乙酸；4-氟苯乙酸；2,3-二氟苯基乙酸；2,4-二氟苯乙酸；2,6-二氟苯乙酸；3,4-二氟苯乙酸；3,5-二氟苯基乙酸；五氟苯基乙酸；2-氯-6-氟苯基乙酸；2-氯-3,6-二氟苯乙酸；3-氯-2,6-二氟苯乙酸；3-氯-4-氟苯基乙酸；5-氯-2-氟苯乙酸；2,3,4-三氟苯乙酸；2,3,5-三氟苯乙酸；2,3,6-三氟苯乙酸；2,4,5-三氟苯乙酸；2,4,6-三氟苯乙酸；3,4,5-三氟苯乙酸；3-氯-2-氟苯乙酸；6-氟苯乙酸；4-氯-2-氟苯乙酸；2-氯-4-氟苯乙酸。

优选的氟化或非氟化的乙酸衍生物是：二氟乙酸；三氟乙酸；氯二氟乙酸；(3-氯苯基)二氟乙酸；(3,5-二氟苯基)二氟乙酸；(4-丁基苯基)二氟乙酸；(4-叔-丁基苯基)二氟乙酸；(3,4-二甲基苯基)二氟乙酸；(3-氯-4-氟苯基)二氟乙酸；(4-氯苯基)二氟乙酸；2-联苯基-3’,5’-二氟乙酸；3-联苯基-3’,5’-二氟乙酸；4-联苯基-3’,5’-二氟乙酸；2-联苯基-3’,4’-二氟乙酸；3-联苯基-3’,4’-二氟乙酸；4-联苯基-3’,4’-二氟乙酸和2,2-二氟丙酸及其更高级同系物。

上述列表中提到的质子化形式的配体L优选地在化合物K1中为去质子化的形式。

层B优选地在阴极侧直接邻接层A。层B优选地为空穴传输层。层B的厚度优选地为5nm至100nm，更优选地为10nm至50nm，最优选地为10至30nm。

层B优选地包含化合物K2作为p型掺杂剂。p型掺杂剂在这里被理解为意指作为少数组分添加到主要组分的化合物，所述p型掺杂剂显著增加了包含所述少数组分和主要组分的层的空穴传导性。

层B中化合物K2优选地与化合物H形成路易斯酸-路易斯碱对，其中化合物K2充当路易斯酸，且化合物H充当路易斯碱。不受此理论的束缚，认为这是由于化合物H的自由电子对与化合物K2的Bi原子相互作用所致。

除了化合物H和化合物K2之外，层B还可包含另外的化合物。层B优选地由化合物H和化合物K2组成，但这不排除在该层中存在少量杂质。在一个优选的实施方式中，层B包含恰好一种化合物H和恰好一种化合物K2。在一个代替的优选的实施方式中，层B包含恰好两种不同的化合物H和恰好一种化合物K2。

化合物K2优选地在层B中呈现掺杂剂的形式。优选地是，层B以0.1％至20％，更优选地0.5％至12％，甚至更优选地1％至10％，最优选地2％至8％的浓度包含化合物K2。这里的百分比优选地为体积％。

化合物K2优选地选自包含至少一个配体和至少一个Bi原子的配位化合物。铋原子优选地以Bi(III)的形式处于+3氧化态。然而，在一个代替的优选的实施方式中，铋原子也可处于+2或+5氧化态。

化合物K2优选地为强路易斯酸。强路易斯酸尤其被理解为意指具有接受来自另一个原子的电子对的高度准备就绪状态的化合物。

化合物K2可以是铋的单核络合物、铋的双核络合物或铋的多核络合物。这里，如果化合物K1处于气相中，则化合物K1可以是铋的单核络合物，如果化合物K1处于固相中，则化合物K1可以是铋的多核络合物。这意味着化合物K2可根据物质状态聚合或解聚。

优选地，作为配位化合物的化合物K2具有至少一个配体L，该配体L为有机化合物。配体L优选地选自单齿配体、双齿配体和三齿配体，更优选地选自单齿状配体。另外优选地，配体L带负电，优选地带三个负电荷、带两个负电荷或带单个负电荷，更优选地带单个负电荷。

化合物K2中选择的配体L可相同或不同。它们优选地是相同的。

化合物K2中配体L的的与铋原子结合的基团优选地选自羧酸基团，硫代羧酸基团，特别是硫羟酸基团、硫羰酸基团和二硫羟酸基团，羧酰胺基团和碳酰亚胺基团，更优选地选自羧酸基团。优选地是包含至少一个选自以下基团的配体：羧酸基团，硫代羧酸基团，特别是硫羟酸基团、硫羰酸基团和二硫羟酸基团，羧酰胺基团和羧酰亚胺基团，且所述配体另外具有至少一个吸电子基团。特别优选地是包含至少一个羧酸基团的配体，除了羧酸基团之外，所述配体还具有至少一个另外的吸电子基团。吸电子基团优选地选自F、Cl、Br、I、CN、NO₂以及具有1至20个碳原子并具有至少一个选自F、C1、CN和NO₂的取代基的烷基，更优选地选自F、Cl、CN和CF₃。更优选地，在配体中存在一个、两个或三个此类另外的吸电子基团，最优选地存在三个此类另外的吸电子基团。

优选地，化合物K2中的配体L符合如上定义的式(L-I)、(L-II)、(L-III)和(L-IV)中的一个，其中包括所有优选的实施方式。

化合物K2中的优选的配体L选自氟化苯甲酸衍生物、氟化或非氟化的苯乙酸衍生物以及氟化或非氟化的乙酸衍生物。在上面的列表中指定了优选的氟化苯甲酸衍生物、优选的氟化和非氟化的苯乙酸衍生物以及优选的氟化或非氟化的乙酸衍生物。在化合物K2中，配体优选地为脱质子化形式。

化合物K1和K2可相同或不同；它们优选地是相同的。

化合物H优选地为空穴传输化合物。化合物H更优选地选自芳族胺。芳族胺在这里被理解为意指包含与氮原子键合的三个芳族基团的化合物。这里的三个芳族基团优选地彼此不键合。术语“芳族基团”包括杂芳族基团和在环系中不含任何杂原子的芳族基团。化合物H优选地包含单个氨基基团。还优选的是，化合物H不包含具有超过10个芳族环原子的稠合芳基基团，也不包含具有超过14个芳族环原子的稠合杂芳基基团。

化合物H优选地具有通过循环伏安法确定的-5.1eV至-5.7eV，优选地-5.2eV至-5.7eV的HOMO。这可通过以下方法进行：在该方法中，使电压连续增加或降低，直到获得反向电位，然后再返回到启动电压。在此时段期间测量电流。升高电流意味着氧化还原操作正在进行。由于氧化还原操作以扩散受控的方式进行，电流在一段时间后再次下降，导致峰值。在获得反向电位后，在“返回路程”上，当反应可逆时，电化学产生的物质返回到其原始状态。两个峰值电位的平均值是半波电位。

使用的标准溶剂是DCM。由于参比电极的电位可变化，因此添加二茂铁(Fc)或十甲基二茂铁(dmFc)作为内标；以这种方式，可参比二茂铁/二茂铁盐。

这里，HOMO计算如下：

HOMO(eV)＝-4.8eV-(E_样品峰–E_参考峰)–(偏移_dmFc/Fc)

其中：

E_样品峰＝化合物的半波电位(以eV计)，

E_参考峰＝参考化合物的半波电位(以eV计)，

偏移_dmFc/Fc＝Fc和dmFc半波电位之间的电位差(以eV计)。

H优选地符合下式：

其中出现的基团如下：

Ar¹在每种情况下相同或不同，并且选自具有6至60个芳族环原子且被R⁴基团取代的芳族环系，以及具有5至60个芳族环原子且被R⁴基团取代的杂芳族环系；这里Ar¹基团可通过R⁴基团彼此键合；

R⁴在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、Cl、Br、I、C(＝O)R⁵、CN、Si(R⁵)₃、N(R⁵)₂、P(＝O)(R⁵)₂、OR⁵、S(＝O)R⁵、S(＝O)₂R⁵、具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团、具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团、具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R⁴基团可彼此连接并且可形成环；其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基团以及所述芳族环系和杂芳族环系各自被R⁵基团取代；并且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基团中的一个或多个CH₂基团可被-R⁵C＝CR⁵-、-C≡C-、Si(R⁵)₂、C＝O、C＝NR⁵、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR⁵-、NR⁵、P(＝O)(R⁵)、-O-、-S-、SO或SO₂代替；

R⁵在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20个碳原子的烷基或烷氧基基团、具有2至20个原子的烯基或炔基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R⁵基团可彼此连接并且可形成环；并且其中所述烷基、烷氧基、烯基和炔基基团、芳族环系和杂芳族环系可被一个或多个选自F和CN的基团取代。

优选地，式(H)的化合物中的至少一个Ar¹基团选自各自被R⁴基团取代的苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、荧蒽基、芴基、茚并芴基、螺二芴基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、菲啶基、苯并咪唑基、嘧啶基、吡嗪基和三嗪基；更优选地选自各自被R⁴基团取代的苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、荧蒽基、芴基、茚并芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、吖啶基和菲啶基。

优选地，R⁴在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、CN、Si(R⁵)₃、N(R⁵)₂、具有1至20个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团、具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中所述烷基和烷氧基基团、所述芳族环系和所述杂芳族环系各自被R⁵基团取代；并且其中所述烷基或烷氧基基团中的一个或多个CH₂基团可被-C≡C-、-R⁵C＝CR⁵-、Si(R⁵)₂、C＝O、C＝NR⁵、-NR⁵-、-O-、-S-、-C(＝O)O-或-C(＝O)NR⁵-代替。

化合物H优选地符合下式中的一个：

其中式(H-III)中的未占据位置各自被R⁴基团取代，并且其中出现的基团和标记如下：

Z在每种情况下相同或不同，并且是CR⁴或N；

Y在每种情况下相同或不同，并且是O、S、C(R⁴)₂、Si(R⁴)₂、PR⁴、NR⁴、C(R⁴)₂-C(R⁴)₂或CR⁴＝CR⁴；

Ar¹如上所定义，并且优选地符合以上指定的优选的实施方式中的一个；

Ar²是具有6至20个芳族环原子且被R⁴基团取代的芳族环系，或具有5至20个芳族环原子且被R⁴基团取代的杂芳族环系；

n、p、q相同或不同并且是0或1。

在式(H-I)至(H-III)之中，优选地是式(H-I)。

优选地，一个环中不超过三个Z基团是N。

优选地，不超过两个相邻的Z基团是N。更优选地，Z是CR⁴。

优选地，Y在每种情况下相同或不同，并且是O、S、NR⁴或(CR⁴)₂，更优选地是(CR⁴)₂。

优选地，标记p和q中的至少一个是1。优选地，标记p和q的总和是1。

优选地，Ar²包括至少一个选自以下的基团：苯、萘、菲、荧蒽、联苯基、三联苯基、四联苯基、芴、茚并芴、螺二芴、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吲哚、异吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并咪唑、嘧啶、吡嗪和三嗪，其中所述基团可被R⁴基团取代。优选地，Ar²仅由上述基团中的一个或多个上述基团的组合组成。

上述式(H-I)至(H-III)的优选的实施方式符合以下式：

其中式(H-III-I)中的未占据位置各自被R⁴基团取代，并且其中出现的基团和标记如上面所定义，并且优选地符合其上述指定的优选的实施方式。在式(H-I-I)至(H-III-I)之中，优选地是式(H-I-I)。

式(H)化合物的优选的实施方式是以下化合物：

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电子器件优选地在层B和阴极之间包括一个或多个发光层。

所述器件的发光层可包括一种或多种磷光发光体，和/或其可包括一种或多种荧光发光体。

术语“磷光发光化合物”通常包括通过其中自旋禁阻跃迁，例如从激发三重态或具有较高自旋量子数的状态，例如五重态的跃迁来实现发光的化合物。

合适的磷光发光化合物(＝三重发光体)尤其是如下化合物：其在受到适当激发时发光，优选地在可见区域发光并且还含有至少一个原子序数大于20，优选大于38且小于84，更优选地大于56且小于80的原子。优选地使用含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，尤其是含有铱、铂或铜的化合物作为磷光发光化合物。在本发明的上下文中，所有发光铱、铂或铜络合物都被认为是磷光发光化合物。

此类磷光发光化合物的实例可在申请WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373和US2005/0258742中找到。一般来说，根据现有技术和如有机电致发光器件领域的技术人员已知的用于磷光OLED的所有磷光络合物都是合适的。本领域技术人员在不付出创造性劳动的情况下，也可在OLED中结合本发明的材料使用其它磷光络合物。

磷光发光化合物优选地与一种或多种基质材料组合存在于发光层中。磷光发光体以及本发明化合物的优选的基质材料是芳族酮、芳族氧化膦或芳族亚砜或砜、三芳基胺、咔唑衍生物(例如CBP(N,N-双咔唑基联苯))或咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、茚并咔唑衍生物、氮杂咔唑衍生物、偶极基质材料、硅烷、硼氮杂环戊熳或硼酸酯、三嗪衍生物、锌络合物、硅二氮杂环戊熳或硅四氮杂环戊熳衍生物、磷二氮杂环戊熳衍生物、桥连咔唑衍生物、联三苯叉衍生物或内酰胺。

在一个代替的实施方式，同样优选的实施方式中，电子器件具有包含荧光发光化合物的发光层。优选地，在这种情况下，发光层包含芳基氨基化合物作为荧光发光化合物，更优选地与基质材料组合。在这种情况下，基质材料优选地选自包含一个或多个蒽基团的化合物。

在电子器件中使用的发光层的优选的荧光发光化合物选自芳基胺类。在本发明的上下文中，芳基胺或芳族胺理解为意指含有三个与氮直接键合的取代或未取代的芳族环系或杂芳族环系的化合物。优选地，这些芳族环系或杂芳族环系中的至少一个是稠合环系，更优选地具有至少14个芳族环原子。这些化合物的优选实例是芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族苣胺或芳族苣二胺。芳族蒽胺理解为意指其中一个二芳基氨基基团直接键合至蒽基团(优选地在9位键合)的化合物。芳族蒽二胺理解为意指其中两个二芳基氨基基团直接键合至蒽基团(优选地在9、10位键合)的化合物。与此类似地定义芳族的芘胺、芘二胺、苣胺或苣二胺，其中二芳基氨基基团优选在1位或1,6位与芘键合。另外优选的发光化合物是茚并芴胺或茚并芴二胺、苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺、二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺以及具有稠合芳基基团的茚并芴衍生物。同样优选地是芘芳基胺。同样优选地是连接到呋喃单元或噻吩单元的苯并茚并芴胺、苯并芴胺、扩展的苯并茚并芴、吩

嗪和芴衍生物。

用于荧光发光化合物的有用的基质材料包括各种物质类别的材料。优选的基质材料选自以下类别：低聚芳亚基(例如2,2',7,7'-四苯基螺二芴)，尤其是含有稠合芳族基团的低聚芳亚基、低聚芳亚基乙烯亚基、多足金属络合物、空穴传导化合物、电子传导化合物，尤其是酮、氧化膦和亚砜；阻转异构体、硼酸衍生物或苯并蒽。特别优选的基质材料选自如下类别：低聚芳亚基，包括萘、蒽、苯并蒽和/或芘，或这些化合物的阻转异构体、低聚芳亚基乙烯亚基、酮、氧化膦和亚砜。非常特别优选的基质材料选自如下类别：低聚芳亚基，包括蒽、苯并蒽、苯并菲和/或芘，或这些化合物的阻转异构体。在本发明的上下文中，低聚芳亚基应理解为指其中至少三个芳基或芳亚基基团彼此键合的化合物。

电子器件的发光层还可包含含有多种基质材料(混合基质体系)和/或多种发光化合物的体系。同样在这种情况下，发光体通常是在体系中具有较小比例的那些材料，而基质材料是在体系内具有较大比例的那些材料。然而，在个别情况下，体系中单种基质材料的比例可小于单种发光化合物的比例。

混合基质体系优选地包含两种或三种不同的基质材料，更优选地两种不同的基质材料。优选地，在这种情况下，两种材料中的一种是具有空穴传输特性的材料，另一种材料是具有电子传输特性的材料。两种不同的基质材料可以1:50至1:1，优选地1:20至1:1，更优选地1:10至1:1，最优选地1:4至1:1的比例存在。优选地在磷光有机电致发光器件中使用混合基质体系。

混合基质体系可包含一种或多种发光化合物，优选地一种或多种磷光发光化合物。通常，混合基质体系优选地用于磷光有机电致发光器件中。

根据在混合基质体系中使用的发光体类型，从以下针对磷光发光体指定的优选的基质材料或针对荧光发光体的优选的基质材料中选择用于混合基质体系的特别合适的基质材料。

电子器件优选地具有按以下层顺序的以下层：

-阳极-

-空穴注入层-

-空穴传输层-

-任选的另外空穴传输层-

-发光层-

-任选的空穴阻挡层-

-电子传输层-

-电子注入层-

-阴极-。

然而，不必存在所提及的所有层，和/或可存在附加的另外层。

除了层A和B之外，电子器件优选地在阳极和发光层之间包括一个或多个另外的层。这些层优选地选自空穴传输层和电子阻挡层。空穴传输层被理解为指布置在阳极和发光层之间并具有空穴传输特性的层。电子阻挡层被理解为指布置在阳极和发光层之间的层，该层在阳极侧直接邻接发光层，并减少或防止电极沿阳极方向离开发光层的通道。在一个优选的实施方式中，电子器件在阳极和发光层之间包括以下层：层A、层B、另外的空穴传输层和电子阻挡层(按所述顺序)。在阳极和发光层之间优选地没有另外的层。

在电子器件的上述另外的空穴传输层和电子阻挡层中使用的化合物优选地选自茚并芴胺衍生物、胺衍生物、六氮杂联三苯叉衍生物、具有稠合芳族体系的胺衍生物、单苯并茚并芴胺、二苯并茚并芴胺、螺二芴胺、芴胺、螺二苯并吡喃胺、二氢吖啶衍生物、螺二苯并呋喃和螺二苯并噻吩、菲二芳基胺、螺三苯并托酚酮、具有间苯二胺基团的螺二芴、螺二吖啶、呫吨二芳基胺和具有二芳基氨基基团的9,10-二氢蒽螺化合物。

选自茚并芴胺衍生物、胺衍生物、六氮杂联三苯叉衍生物、具有稠合芳族体系的胺衍生物、单苯并茚并芴胺、二苯并茚并芴胺、螺二芴胺、芴胺、螺二苯并吡喃胺、二氢吖啶衍生物、螺二苯并呋喃和螺二苯并噻吩、菲二芳基胺、螺三苯并托酚酮、具有间苯二胺基团的螺二芴、螺二吖啶、呫吨二芳基胺和具有二芳基氨基基团的9,10-二氢蒽螺化合物的上述化合物通常适用于具有空穴传输功能的层。具有空穴传输功能的层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及发光层。当在发光层中使用时，所述化合物适合作为基质材料，特别地作为具有空穴传输特性的基质材料。本部分中的陈述适用于任何结构的OLED，而不仅仅适用于根据本申请的定义的OLED。

尤其适用于在任何OLED，而不仅是根据本申请的定义的OLED中具有空穴传输功能的层中使用的化合物，包括以下化合物：

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上述化合物通常适用于空穴传输层中。所述化合物的用途不限于例如用作根据本申请的化合物H，或以任何其它方式限制于特定OLED，例如本申请中描述的OLED。

化合物HT-1至HT-9可通过上述公开的说明书中公开的方法制备。关于在上表中引用的在公开的说明书中公开的化合物的用途和制备的另外的教导在此通过引用明确地并入，并且优选地与上面给出的关于上述化合物作为空穴传输材料的用途的教导相结合。化合物HT-1至HT-9在OLED中使用时表现出优异的性能，特别是优异的寿命和效率。

电子器件优选地在发光层和阴极之间包含一个或多个层。这些层选自空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴阻挡层被理解为意指在阴极侧直接邻接发光层并阻碍或防止空穴沿阴极方向离开发光层通道的层。电子传输层被理解为意指布置在发光层和阴极之间并传输电子的层。电子阻挡层被理解为意指在阳极侧直接邻接阴极并促进电子从阴极注入的层。

在一个优选的实施方式中，所述电子注入层包含一种或多种选自以下的材料：铝络合物(例如Alq₃)、锆络合物(例如Zrq₄)、锂络合物(例如Liq)、苯并咪唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、喹喔啉衍生物、喹啉衍生物、

二唑衍生物、芳族酮、内酰胺、硼烷、磷二氮杂环戊熳衍生物和氧化膦衍生物。尤其优选的是，所述电子注入层包含一种或多种n型掺杂剂。所述电子注入层优选地以小于20％、更优选地小于15％的比例包含所述掺杂剂。在一个代替的优选的实施方式中，所述电子注入层不包含任何n型掺杂剂。

在本申请的上下文中，n型掺杂剂被理解为意指作为少数组分添加到主要组分中的化合物，其显著增加了包含少数组分和主要组分的层的电子传导性。特别地，这被理解为意指具有相对于Fc/Fc+为小于或等于-1.5eV的氧化电位的化合物。

所述空穴阻挡层和/或所述电子传输层和/或所述电子注入层优选地包含选自以下的化合物：铝络合物(例如Alq₃)、锆络合物(例如Zrq₄)、锂络合物(例如Liq)、苯并咪唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、喹喔啉衍生物、喹啉衍生物、

二唑衍生物、芳族酮、内酰胺、硼烷、磷二氮杂环戊熳衍生物和氧化膦衍生物。

所述电子器件的优选的阴极是具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，其包含多种金属例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。另外合适的是包含碱金属或碱土金属和银的合金，例如包含镁和银的合金。在多层结构的情况下，除了上述金属之外，还可使用具有相对高逸出功的其它金属，例如Ag或Al，在这种情况下，通常使用例如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag的金属的组合。还可优选地在金属阴极和有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。用于此目的的有用材料的实例是碱金属或碱土金属氟化物，也可以是相应的氧化物或碳酸盐(例如LiF、Li₂O、BaF₂、MgO、NaF、CsF、Cs₂CO₃等)。为此目的也可使用喹啉锂(LiQ)。该层的层厚度优选地为0.5至5nm。

所述器件是通过电子器件领域中的常规方法生产的。

在一个优选的实施方式中，通过升华法涂布电子器件的一个或多个层，优选地包括层A和B。在这种情况下，在小于10^-5毫巴、优选地小于10^-6毫巴的初始压力，在真空升华***中通过气相沉积涂布材料。然而，在这种情况下，初始压力也可甚至更低，例如小于10^-7毫巴。

在另一个优选的实施方式中，通过OVPD(有机气相沉积)法或借助于载气升华涂布电子器件的一个或多个层。在这种情况下，以10^-5毫巴至1巴的压力涂布材料。这种方法的特例是OVJP(有机蒸气喷印)法，其中材料直接通过喷嘴涂布，从而进行结构化。

在另一个优选的实施方式中，从溶液中例如通过旋涂，或通过任何印刷方法(例如丝网印刷、柔版印刷、喷嘴印刷或胶版印刷)，但更优选地通过LITI(光引发热成像、热转印)或喷墨印刷来产生所述电子器件的一个或多个层。

在另一个优选的实施方式中，通过从溶液中涂布所述器件的一层或多层，以及通过升华法涂布所述器件的一层或多层。

在涂布功能层(根据应用)之后，将所述器件进行结构化、接触连接并最终密封，从而排除水和空气的损害效应。

所述电子器件优选地用于显示器中、在照明应用中用作光源以及在医疗和/或美容应用中用作光源。

附图索引：

图1示出了用于测量串扰的实例中使用的ITO指状结构。

实施例

A)OLED的生产和测试方法

已涂覆有厚度为50nm的结构化ITO(氧化锡铟)的玻璃板形成涂覆OLED的基底。

OLED具有以下层结构：基底/任选的第一空穴注入层(HIL)/第一空穴传输层(HTL1)/第二空穴传输层(HTL2)/电子阻挡层(EBL)/发光层(EML)/空穴阻挡层(HBL)/电子传输层(ETL)/电子注入层(EIL)，最后是阴极。阴极由厚度为100nm的铝层形成。荧光茚并芴胺化合物用作蓝色发光掺杂剂。芴基三嗪化合物用作HBL材料。OLED的结构可在下面示出的表中找到。所使用的另外材料的结构如下表所示。

所有材料都在真空室中通过热气相沉积涂布。在这种情况下，发光层总是由基质材料和发光体组成，所述发光体通过共蒸发以特定体积比例混合(掺杂)到基质材料中。以SMB:SEB(95％:5％)的形式给出的数字这里意指材料SMB以95体积％的比例存在于层中，且材料SEB以5体积％的比例存在于层中。这同样适用于电子传输层和包含铋络合物的层。

B)根据本申请的OLED与不含p型掺杂层的OLED的比较

将OLED E1(根据本申请)与OLED V1进行比较。OLED V1对应于OLED E1，唯一的区别是V1在HTL1中不是p型掺杂的。

OLED具有以下结构：

获得以下结果：

比较表明，与比较OLED相比，根据本申请的OLED在60mA/cm²的电流密度下每小时的电压上升(dU_LT@60mA/cm²，以mV/h计)小得多。在该参数的测量中，50h和350h的寿命之间的电压上升以线性方式近似。

此外，与比较OLED相比，根据本申请的OLED在10mA/cm²的电流密度下测量的工作电压更低，并且串扰低得多。

用于测量串扰的ITO指状结构如图1中所示。指状结构的厚度和所述结构中ITO指状物之间的距离各为100μm。

为了确定串扰，在8V的恒定电压下测量两个导电ITO结构之间的电流。将完整的OLED叠层(但没有顶部铝电极)应用于每个指状结构。

如果代替的化合物HTM2代替化合物HTM1用作空穴传输材料，则对于根据本申请的OLED(比较对E2:V2)，发现了相同的优点：电压上升降低且串扰降低。

C)根据本申请的OLED与其中p型掺杂层直接邻接阳极的OLED的比较

在另外的比较测试中，将根据本申请的OLED E3与OLED V3进行比较，OLED V3不包括包含单一材料的HIL。OLED的结构如下：

在这种情况下，与根据本申请的OLED E3相比，对于比较OLEDV3，在工作电压和低串扰方面最初获得了良好的结果，但是在OLED的工作时段期间发生了显著的电压升高：

如果代替的化合物HTM2代替化合物HTM1用作空穴传输材料，则对于根据本申请的OLED(比较对E4:V4)发现了相同的优点：在OLED的工作时段期间电压上升显著较小：

总之，只有在根据本申请的OLED的情况下，在工作时段期间才会出现期望的小的电压上升和期望的低串扰。

Claims

1.一种电子器件，所述电子器件包括：

-阳极，

-在所述层A的阴极侧上的邻接层B，所述邻接层B包含化合物H和另外的化合物K2，所述化合物K2选自包含至少一个铋原子的配位化合物；

-阴极。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件选自有机电致发光器件。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，所述层A直接邻接所述阳极。

4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述层A以至少99％的比例包含化合物K1。

5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述化合物K1选自包含至少一个配体L和至少一个处于+3氧化态的Bi原子的配位化合物。

6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，作为配位化合物的化合物K1具有至少一个配体L，所述至少一个配体L是有机化合物。

7.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于，所述配体L中与铋原子结合的基团选自羧酸基团和硫代羧酸基团。

8.根据权利要求5至7中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述配体L包含至少一个羧酸基团，除了所述羧酸基团之外，所述配体L具有至少一个选自F、Cl、CN和CF₃的吸电子基团。

9.根据权利要求6至8中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述配体L对应于下式(L-I)、(L-II)、(L-III)和(L-IV)中的一个：

其中：

U在每种情况下相同或不同，并且如果没有W基团与U键合，则U选自N和CR¹，如果W基团与U键合，则U是C；并且

R³在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO₂、具有1至20个碳原子的烷基或烷氧基基团、具有2至20个原子的烯基或炔基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R³基团可彼此连接并且可形成环；并且其中所述烷基基团、烷氧基基团、烯基基团、炔基基团、芳族环系和杂芳族环系可被一个或多个选自F和CN的基团取代。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其特征在于，在式(L-I)至(L-III)中的每个中，存在至少一个R¹基团，所述R¹基团选自F、Cl、Br、CN、NO₂和具有1至20个碳原子以及至少一个选自F、C1、CN和NO₂的取代基的烷基基团。

11.根据权利要求6至10中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述配体L选自氟化苯甲酸衍生物、氟化或非氟化的苯乙酸衍生物以及氟化或非氟化的乙酸衍生物。

12.根据权利要求1至11中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述层B在阴极侧直接邻接所述层A。

13.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，层B中化合物K2与化合物H形成路易斯酸-路易斯碱对，其中所述化合物K2充当路易斯酸并且所述化合物H充当路易斯碱。

14.根据权利要求1至13中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述层B以0.1％至20％的浓度包含所述化合物K2。

15.根据权利要求1至14中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述化合物K2选自包含至少一个配体L和至少一个处于+3氧化态的Bi原子的配位化合物。

16.根据权利要求1至15中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述化合物K2具有至少一个配体L，所述配体L是有机化合物，其中所述配体L的与所述铋原子结合的基团选自羧酸基团和硫代羧酸基团。

17.根据权利要求1至16中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述化合物K2具有至少一个配体L，所述至少一个配体L包含羧酸基团，并且除了羧酸基团之外，所述至少一个配体L还具有至少一个选自F、Cl、CN和CF₃的基团。

18.根据权利要求1至17中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述化合物K2包含至少一个配体L，所述至少一个配体L符合在权利要求9中定义的式(L-I)、(L-II)、(L-III)和(L-IV)中的一个。

19.根据权利要求1至18中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述化合物K1和所述化合物K2是相同的。

20.根据权利要求1至19中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述化合物H选自包含单个氨基基团的芳族胺。

21.根据权利要求1至20中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述化合物H的通过循环伏安法确定的HOMO为-5.1eV至-5.7eV。

22.根据权利要求1至21中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述化合物H符合下式(H-I-I)至(H-III-I)中的一个：

其中式(H-III-I)中的未占据位置各自被R⁴基团取代，并且其中出现的基团和标记如下：

Z在每种情况下相同或不同，并且是CR⁴或N；

Ar¹在每种情况下相同或不同，并且选自具有6至60个芳族环原子且被R⁴基团取代的芳族环系，和具有5至60个芳族环原子且被R⁴基团取代的杂芳族环系；Ar¹基团在此可通过R⁴基团彼此键合；

R⁵在每种情况下相同或不同，并且选自H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20个碳原子的烷基或烷氧基基团、具有2至20个原子的烯基或炔基基团、具有6至40个芳族环原子的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系；其中两个或更多个R⁵基团可彼此连接并且可形成环；并且其中所述烷基基团、烷氧基基团、烯基基团、炔基基团、芳族环系和杂芳族环系可被一个或多个选自F和CN的基团取代；

n、p、q相同或不同并且是0或1。

23.根据权利要求1至22中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，除了层A和层B之外，所述电子器件还包含在阳极和发光层之间的一个或多个另外的层。

24.根据权利要求1至23中的一项或多项所述的电子器件在显示器中、作为照明应用中的光源以及作为医疗应用和/或美容应用中的光源的用途。

25.一种用于制造根据权利要求1至23中的一项或多项所述的电子器件的方法，其特征在于，通过升华法涂布所述层A和B。