CN116153825A - 一种半导体固晶机冷热轨道工艺***及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体固晶机冷热轨道工艺***及方法，包括上料***，上料***的输出端分别连接有热轨道模组和冷轨道模组，热轨道模组和冷轨道模组的内部均设置有上锡机构和点胶机构，两者输出端均连接有固晶位。该发明提供的半导体固晶机冷热轨道工艺***及方法通过将料片分别送至热轨道模组和冷轨道模组内部，可进行两种制作工艺，分别对料片进行上锡或点胶工作，提高工作效率，且降低工程成本；还通过各个温区不同的作用首先可使料片受热均匀，再进行上锡，后进行保温，然后进行固晶贴装，最后再进行稳定固化；且通过热轨道模组和冷轨道模组可进行拆卸，使同一个装置可分别进行热轨道模组和冷轨道模组的制作工艺，降低制作成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域，具体来说涉及一种半导体固晶机冷热轨道工艺***及方法。
背景技术
晶片是通过切割由硅或砷化镓制成的单晶圆柱体而形成的圆形切片。要提取高纯度的硅材料，需要硅砂，这是一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料，也是制作晶圆的主要原料。晶圆加工是制造和获得上述晶圆的过程。
如专利CN110556317B，公开的一种半导体加工***，包括：多个半导体加工组，相邻的两个所述半导体加工组之间设置有操作通道，所述半导体加工组包括搬运装置，搬运装置运动轨道，以及左右两排工艺设备，所述工艺设备包括装载接口，其中：针对每个所述半导体加工组，左右两排所述工艺设备相对交错设置，且所述装载接口的朝向相反，且左排所述工艺设备的所述装载接口位于右排所述工艺设备的所述装载接口的右侧；所述搬运装置运动轨道设置于所述工艺设备上方，所述搬运装置可沿所述搬运装置运动轨道运动，并将搬运的电子器件在制品输送到对应的所述装载接口。
在实际操作过程中，大多数半导体在制作过程中，因料片的材质不同，制作的环境也有不同，从而分为多个制造工艺流程，而大多数装置无法进行拆分发明，使生产成本增加。
可见，现有技术存在的上述问题，亟待改进。
发明内容
鉴于现有技术存在的上述问题，本发明的一方面目的在于提供一种半导体固晶机冷热轨道工艺***及方法，以解决大多数制造装置无法根据不同材质的料片进行拆分制作环境和制作工艺，使其生产成本增加等问题。
为了实现上述目的，本发明提供的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，包括上料***，所述上料***的输出端分别连接有热轨道模组和冷轨道模组，所述热轨道模组和冷轨道模组的内部均设置有上锡机构和点胶机构，且两者输出端均连接有固晶位，所述热轨道模组具体包括加热轨道，所述加热轨道内部具体为八段温区控制，所述加热轨道内部具体为预热温区、化锡温区、固晶温区和出料温区。
通过将料片进行区分，分别送至热轨道模组和冷轨道模组内部，可进行两种不同的制作工艺，通过热轨道模组和冷轨道模组分别对料片进行上锡或点胶工作，提高工作效率，且降低工程成本。
作为优选的，所述加热轨道内部每段温区最高温度为450℃。
作为优选的，所述预热温区被装配用于驱使料片保持受热均匀。
作为优选的，所述化锡温区被装配用于驱使料片保持上锡后发生锡固化或锡流动。
作为优选的，所述固晶温区被装配用于驱使料片保持固晶贴装。
作为优选的，所述出料温区被装配用于料片保持稳定固化。
通过各个温区不同的作用首先可使料片受热均匀，再进行上锡，后进行保温，然后进行固晶贴装，最后再进行稳定固化。
作为优选的，所述上锡机构具体包括锡线导向模组、化锡模组、软焊料上锡Z轴模组、软焊料上锡X轴模组和软焊料上锡Y轴模组。
作为优选的，所述点胶机构具体包括点胶固定模组、点胶CCD检测模组、点胶Z轴模组、点胶X轴模组和点胶Y轴模组。
作为优选的，所述热轨道模组和冷轨道模组可保持拆卸。
通过热轨道模组和冷轨道模组可进行拆卸，使同一个装置可分别进行热轨道模组和冷轨道模组的制作工艺，降低制作成本。
一种半导体固晶机冷热轨道工艺方法： 总步骤S1.通过上料机构将料片推送至轨道模组端部；
总步骤S2.将料片进行区分，分别推送至热轨道模组或冷轨道模组；
热轨道步骤S1.热轨道模组部分，首先通过直线步距送料模组将料片推送至加热轨道上；
热轨道步骤S2.再通过多温区控制将加热轨道分为预热温区、化锡温区、固晶温区和出料温区；
热轨道步骤S3.然后料片通过加热轨道后通过上锡机构对其进行上锡压料工作；
冷轨道步骤S1.通过夹持送料模组将料片推送至支架治具模组上，通过真空吸附将料片贴合于外壁；
冷轨道步骤S2.再通过点胶CCD检测模组对料片分别进行双固晶位检测，进行点胶工作；
总步骤S3.将各个料片推送至固晶位进行固晶工作；
总步骤S4.将固晶完成的料片送至下料收料盒内。
有益效果：
与现有技术相比，本发明提供的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***及方法，具备以下有益效果是：
1、通过将料片进行区分，分别送至热轨道模组和冷轨道模组内部，可进行两种不同的制作工艺，通过热轨道模组和冷轨道模组分别对料片进行上锡或点胶工作，提高工作效率，且降低工程成本。
2、通过各个温区不同的作用首先可使料片受热均匀，再进行上锡，后进行保温，然后进行固晶贴装，最后再进行稳定固化。
3、通过热轨道模组和冷轨道模组可进行拆卸，使同一个装置可分别进行热轨道模组和冷轨道模组的制作工艺，降低制作成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的原理的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的半导体冷热轨道工艺方法的结构示意图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面将结合附图对本发明作进一步的详细介绍。
如图1-2所示，一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，包括上料***，上料***的输出端分别连接有热轨道模组和冷轨道模组，热轨道模组和冷轨道模组的内部均设置有上锡机构和点胶机构，且两者输出端均连接有固晶位，热轨道模组具体包括加热轨道，加热轨道内部具体为八段温区控制，加热轨道内部具体为预热温区、化锡温区、固晶温区和出料温区。
该半导体固晶机冷热轨道工艺***及方法主要目的是为了通过将料片进行区分，分别送至热轨道模组和冷轨道模组内部，可进行两种不同的制作工艺，通过热轨道模组和冷轨道模组分别对料片进行上锡或点胶工作，提高工作效率，且降低工程成本；还通过各个温区不同的作用首先可使料片受热均匀，再进行上锡，后进行保温，然后进行固晶贴装，最后再进行稳定固化；且通过热轨道模组和冷轨道模组可进行拆卸，使同一个装置可分别进行热轨道模组和冷轨道模组的制作工艺，降低制作成本。
在一个具体的实施例中，加热轨道内每段温区的最高温度可达450℃。
再者，预热温区被装配用于驱使料片保持受热均匀。
再者，化锡温区被装配用于驱使料片上锡后进行保温且保持上锡后发生锡固化或锡流动。
再者，固晶温区被装配用于驱使料片保持固晶贴装。
再者，出料温区被装配用于料片保持稳定固化，且进行冷却以保证料片遇常温不破损。
再者，上锡机构具体包括锡线导向模组、化锡模组、软焊料上锡Z轴模组、软焊料上锡X轴模组和软焊料上锡Y轴模组，且锡线导向模组与化锡模组保持连接，可将锡线融化进行点锡工作，且通过软焊料上锡Z轴模组、软焊料上锡X轴模组和软焊料上锡Y轴模组驱使化锡模组随着料片进行移动。
其中，需要进行说明的是，点胶机构具体包括点胶固定模组、点胶CCD检测模组、点胶Z轴模组、点胶X轴模组和点胶Y轴模组，点胶CCD检测模组可对料片各分一半进行双固晶位检测，再通过点胶Z轴模组、点胶X轴模组和点胶Y轴模组驱使点胶头进行点胶工作。
在一个具体的实施例中，热轨道模组和冷轨道模组可保持拆卸。
如图1-2所示，一种半导体固晶机冷热轨道工艺方法： 总步骤S1.通过上料机构将料片推送至轨道模组端部；
总步骤S2.将料片进行区分，分别推送至热轨道模组或冷轨道模组；
热轨道步骤S1.热轨道模组部分，首先通过直线步距送料模组将料片推送至加热轨道上；
热轨道步骤S2.再通过多温区控制将加热轨道分为预热温区、化锡温区、固晶温区和出料温区；
热轨道步骤S3.然后料片通过加热轨道后通过上锡机构对其进行上锡压料工作；
冷轨道步骤S1.通过夹持送料模组将料片推送至支架治具模组上，通过真空吸附将料片贴合于外壁；
冷轨道步骤S2.再通过点胶CCD检测模组对料片分别进行双固晶位检测，进行点胶工作；
总步骤S3.将各个料片推送至固晶位进行固晶工作；
总步骤S4.将固晶完成的料片送至下料收料盒内。
工作原理：首先通过上料机构将料片推送至轨道模组端部，将料片进行区分，分别推送至热轨道模组或冷轨道模组；
热轨道模组内先通过直线步距送料模组将料片推送至加热轨道上，然后料片通过加热轨道后通过上锡机构对其进行上锡压料工作；
冷轨道模组内先通过夹持送料模组将料片推送至支架治具模组上，通过真空吸附将料片贴合于外壁；
然后通过点胶CCD检测模组对料片分别进行双固晶位检测，进行点胶工作；
最后再将各个料片推送至固晶位进行固晶工作，然后将固晶完成的料片送至下料收料盒内。
以上只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，不应理解为对本发明权利要求保护范围的限制。
Claims (10)
1.一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，其特征在于，包括上料***，所述上料***的输出端分别连接有热轨道模组和冷轨道模组，所述热轨道模组和冷轨道模组的内部均设置有上锡机构和点胶机构，且两者输出端均连接有固晶位，所述热轨道模组具体包括加热轨道，所述加热轨道内部具体为八段温区控制，所述加热轨道内部具体为预热温区、化锡温区、固晶温区和出料温区。
2.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，其特征在于，所述加热轨道内部每段温区最高温度为450℃。
3.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，其特征在于，所述预热温区被装配用于驱使料片保持受热均匀。
4.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，其特征在于，所述化锡温区被装配用于驱使料片保持上锡后发生锡固化或锡流动。
5.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，其特征在于，所述固晶温区被装配用于驱使料片保持固晶贴装。
6.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，其特征在于，所述出料温区被装配用于料片保持稳定固化。
7.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，其特征在于，所述上锡机构具体包括锡线导向模组、化锡模组、软焊料上锡Z轴模组、软焊料上锡X轴模组和软焊料上锡Y轴模组。
8.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，其特征在于，所述点胶机构具体包括点胶固定模组、点胶CCD检测模组、点胶Z轴模组、点胶X轴模组和点胶Y轴模组。
9.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺***，其特征在于，所述热轨道模组和冷轨道模组可保持拆卸。
10.一种半导体固晶机冷热轨道工艺方法，其特征在于：
总步骤S1.通过上料机构将料片推送至轨道模组端部；
总步骤S2.将料片进行区分，分别推送至热轨道模组或冷轨道模组；
热轨道步骤S1.热轨道模组部分，首先通过直线步距送料模组将料片推送至加热轨道上；
热轨道步骤S2.再通过多温区控制将加热轨道分为预热温区、化锡温区、固晶温区和出料温区；
热轨道步骤S3.然后料片通过加热轨道后通过上锡机构对其进行上锡压料工作；
冷轨道步骤S1.通过夹持送料模组将料片推送至支架治具模组上，通过真空吸附将料片贴合于外壁；
冷轨道步骤S2.再通过点胶CCD检测模组对料片分别进行双固晶位检测，进行点胶工作；
总步骤S3.将各个料片推送至固晶位进行固晶工作；
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20230523 |