CN116110847A - 用于3d电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件，方法包括：通过激光掩膜投影在基板的两面雕刻形成雕刻图案，将纳米银浆回填至图案基板上表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；将纳米银浆回填至图案基板下表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。上述方法使用基板作为基材，在基板表层进行激光掩膜投影形成雕刻缝隙，并在雕刻缝隙内烧结形成固态银金属，在满足电路传输的同时，使电路层更薄，形成透光率更高的薄膜电路，大幅提高了薄膜电路的应用范围。

Description

用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件
技术领域
本发明涉及芯片加工的技术领域，尤其涉及一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件。
背景技术
集成电路设计中，通常需要将金属电路印刷于柔性材料上，形成柔性薄膜电路，柔性薄膜电路由于具有可弯曲的特性，广泛应用于各种电子设备中；还可将金属电路印刷于玻璃板等非柔性材料上。然而，现有的技术方法所生产的薄膜电路具有较厚的电路层，从薄膜的正面依然能够看到电路线路，导致薄膜电路整体结构并非透明的；而在部分使用场景中需要使用透光率较高的电路结构，因此现有技术方法生产的薄膜电路，限制了在某些电子设备中的使用，导致薄膜电路的应用范围较窄。因此，现有技术方法制造得到的薄膜电路因透光率不足而存在应用范围较窄的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件，旨在解决现有技术方法制造得到的薄膜电路所存在的应用范围较窄的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述方法包括：
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；
将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内；
使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整；
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；
将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；
使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；
对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板之后，还包括：
使用激光研磨投影在所述图案基板侧边雕刻形成包含侧面雕刻图案的图案基板；
所述对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结之后，还包括：
将纳米银浆回填至所述图案基板侧边的雕刻缝隙内；
使用刮胶条对所述图案基板侧边多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的侧边平整；
对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板侧边的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；所述图案基板侧边的固态银金属对所述图案基板上下两面的固态银金属进行电连接。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内之前，还包括：
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质；
所述将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内之前，还包括：
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，包括：
使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；
使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的硬度大于所述第一刮胶条的硬度。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述第一刮胶条及所述第二刮胶条的硬度为100-150。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述第一刮胶条的硬度为100-118，所述第二刮胶条的硬度为120-150。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述第一刮胶条及所述第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条，所述聚氨酯刮胶条贴近所述图案基板表层的一侧设置进行斜切形成斜边。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述聚氨酯刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角小于35°。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为350-700微米。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，对所述图案基板进行加热烧结过程中加热的最高温度为220℃；加热的最高温度的持续时间为90-145分钟。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述对所述图案基板进行加热烧结的步骤包括：
对所述图案基板进行加热至初始加热温度；所述初始加热温度为135-160℃，所述初始加热温度的持续时间为45-75分钟；
对所述图案基板进行加热以从所述初始加热温度缓慢升温至所述最高温度。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述最高温度的持续时间为120分钟。
所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述初始加热温度为150℃，所述初始加热温度的持续时间为60分钟。
第二方面，本发明实施例还提供了一种电子元器件，其中，所述电子元器件采用如上述第一方面所述的印刷电路制造方法制造得到，所述电子元器件包括基板及设置于所述基板两面的固态银金属，所述固态银金属嵌入所述图案基板表面的雕刻缝隙内。
所述的电子元器件，其中，所述雕刻缝隙的深度为25-45微米、宽度为2.5-10微米。
本发明实施例提供了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件，方法包括：通过激光掩膜投影在基板的两面雕刻形成雕刻图案，将纳米银浆回填至图案基板上表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；将纳米银浆回填至图案基板下表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。上述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，使用基板作为基材，在基板表层进行激光掩膜投影形成雕刻缝隙，并在雕刻缝隙内烧结形成固态银金属，在满足电路传输的同时，使电路层更薄，形成透光率更高的薄膜电路，大幅提高了薄膜电路的应用范围。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的用于3D电子器件的印刷电路制造方法的方法流程示意图；
图2为本发明实施例提供的电子元器件的整体结构图；
图3为本发明实施例提供的刮胶条与图案基板的局部结构图；
图4为本发明实施例提供的用于3D电子器件的印刷电路制造方法的应用效果图；
图5为本发明实施例提供的3D电子器件的加工过程示意图；
图6为本发明实施例提供的用于3D电子器件的印刷电路制造方法中进行加热烧结的温度曲线图；
图7为本发明实施例提供的用于3D电子器件的印刷电路制造方法的效果示意图；
图8为本发明实施例提供的用于3D电子器件的印刷电路制造方法的另一效果示意图；
图9为本发明实施例提供的用于3D电子器件的印刷电路制造方法的又一效果示意图；
图10为本发明实施例提供的电子元器件的局部结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/ 或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
在本实施例中，请参阅图1，如图所示，本发明实施例提供了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其中，所述方法包括步骤S110~S170。
S110、使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板。
在具体生产过程中，可在基板的两面进行激光掩膜投影，通过激光对基板的两面分别进行雕刻，从而形成具有雕刻图案的图案基板。基板为外观透明且电损耗低的绝缘板。具体应用过程中，可采用先进塑料制作得到柔性塑料板作为基板，例如，先进塑料可以是如聚亚酰胺（Polyimide-PI）或聚醚砜（Polyethersulfone-PES）；也可采用玻璃板作为基板，则采用此基板制作得到的电子元器件为柔性薄膜电路元器件。进行雕刻所形成的图案基板放大后，如图7及图8所示，图7中十字形图案即为在柔性塑料板上雕刻所形成的雕刻图案；图8中的矩形框图案即为在玻璃板上雕刻所形成的雕刻图案，雕刻图案可以是多级阶梯式或连续性的浮雕微结构图案。其中基板的厚度不小于0.8毫米。
具体制造过程如图5所示，其中图5中的（a）图即为未经雕刻的基板，图5中的（b）图即为通过激光掩膜投影进行雕刻后得到的包含雕刻图案的图案基板。
本申请实施例中进行激光掩膜投影所使用的激光波长为680-720nm、频率为50-70kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为50-100毫米/秒，激光功率为1-6W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为1-4次。
在一具体的实施例中，步骤S110之后还包括步骤：使用激光研磨投影在所述图案基板侧边雕刻形成包含侧面雕刻图案的图案基板。
在对基板两面进行雕刻后，还可在图案基板的侧边进一步进行雕刻，从而形成包含侧面雕刻图案的图案基板，对图案基板的侧边进行雕刻的具体实现方法与对基板的两面进行雕刻的技术方法相类似，在此不作赘述。
S120、将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内。
将纳米银浆回填至图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆的银颗粒的尺寸为纳米级，银颗的直径通常为200-800纳米。
其中图5中的（c）图即为使用纳米银浆对图案基板上表面的雕刻缝隙进行回填的具体操作示意图。
在一具体的实施例中，步骤S120之前还包括步骤：使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质。
在使用纳米银浆对雕刻缝隙进行回填之前，还可使用气流对图案基板的上表面进行吹扫，以去除图案基板表层的杂质，清除图案基板表层可能存在的异物，尤其是清除碎屑或其它金属颗粒。
S130、使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。
可使用刮胶条对图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，也即是去除图案基板表面多余的纳米银浆，从而使图案基板的上表面平整。使用刮胶条对图案基板的纳米银浆进行刮除的具体操作如图3及图4所示，图3中刮胶条10的端部紧贴图案基板20，通过刮胶条10刮除图案基板20上所附着的多余的纳米银浆30。
在一具体的实施例中，步骤S130具体包括以下步骤：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的硬度大于所述第一刮胶条的硬度。
具体的，在对图案基板的纳米银浆进行刮除过程中，可依次使用第一刮胶条及第二刮胶条对图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除。通过两个刮胶条依次进行刮除，可提高对图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除的效率，使纳米银浆在雕刻缝隙被压实而更加致密，同时使进行纳米银浆刮除后的图案基板的表层更加平整。
在具体的实施例中，所述第一刮胶条及所述第二刮胶条的硬度为100-150，其中，第二刮胶条的硬度大于第一刮胶条。具体的，所述第一刮胶条的硬度为100-118，所述第二刮胶条的硬度为120-150。
在具体的实施例中，所述第一刮胶条及所述第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条，所述聚氨酯刮胶条贴近所述图案基板表层的一侧设置进行斜切形成斜边。也即刮胶条均采用聚氨酯（PU，Polyurethane）制作得到，通过聚氨酯制作得到聚氨酯刮胶条，能够具有对纳米银浆具有教好的刮除效果。
具体的，如图3所示，所述聚氨酯刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角∠a小于35°。更具体的，所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度Lp为350-700微米。
通过控制聚氨酯刮胶条的斜边与图案基板表层之间的夹角为一个较小角度，从而提高对图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除的效果，使进行纳米银浆刮除后的图案基板的表层更加平整。刮胶条的斜边在截面方向的宽度也即刮胶条的斜口宽度，通过设置刮胶条的斜口宽度在合理范围内，结合刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角，提高对图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除的效果，进一步使进行纳米银浆刮除后的图案基板的表层更加平整。
S140、对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。
可对刮除纳米银浆的图案基板进行加热烧结，对图案基板进行加热烧结的具体过程如图5中的（d）图所示，通过加热烧结即可使雕刻缝隙内的银膏受热固化，形成固态银金属，通常而言所形成的固态银金属即可以金属银线的方式嵌入在图案基板表层的雕刻缝隙内。图案基板表层的雕刻缝隙内所形成的固态银金属如图9所示，图9为进行烧结后图案基板表层的放大结构图，图9中的黑色长条部分即为在图案基板20表层的雕刻缝隙内所形成的金属银线21（金属银微带线）。
在具体的实施例中，对所述图案基板进行加热烧结过程中加热的最高温度为220℃；加热的最高温度的持续时间为90-145分钟。
在对图案基板表层的纳米银膏进行加热烧结的过程中，加热的最高温度为220℃，加热的最高温度的持续时长为90-145分钟，通过这一加热烧结过程，能够使金属银膏形成致密的固态银金属，从而提高金属银膏进行烧结后的固化质量。
在一具体的实施例中，步骤S140具体包括以下步骤：对所述图案基板进行加热至初始加热温度；所述初始加热温度为135-160℃，所述初始加热温度的持续时间为45-75分钟；对所述图案基板进行加热以从所述初始加热温度缓慢升温至所述最高温度。
在对图案基板表层的纳米银膏进行加热烧结的具体过程中，可先对图案基板进行加热升温至初始加热温度，其中，初始加热温度为135-160℃，初始加热温度的持续时间为45-75分钟，实际制造过程中，可对图案基板进行加热，从而使图案基板从初始加热温度缓慢升温至最高温度。
在具体的实施例中，所述最高温度的持续时间为120分钟。其中，所述初始加热温度为150℃，所述初始加热温度的持续时间为60分钟。
具体加热过程如图6所示，从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
S150、将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内。
将纳米银浆回填至图案基板下表面的雕刻缝隙内，纳米银浆的银颗粒的尺寸为纳米级，银颗的直径通常为200-800纳米。
其中图5中的（e）图即为使用纳米银浆对图案基板下表面的雕刻缝隙进行回填的具体操作示意图。
在一具体的实施例中，步骤S150之前还包括步骤：使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质。
在使用纳米银浆对雕刻缝隙进行回填之前，还可使用气流对图案基板的下表面进行吹扫，以去除图案基板表层的杂质，清除图案基板表层可能存在的异物，尤其是清除碎屑或其它金属颗粒。
S160、使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整。
可使用刮胶条对图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，也即是去除图案基板表面多余的纳米银浆，从而使图案基板的下表面平整。这一步骤的具体实现过程与步骤S130相同，在此不作赘述。
S170、对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。
可对刮除纳米银浆的图案基板再次进行加热烧结，对图案基板再次进行加热烧结的具体过程如图5中的（f）图所示，通过加热烧结即可使雕刻缝隙内的银膏受热固化，形成固态银金属，通常而言所形成的固态银金属即可以金属银线的方式嵌入在图案基板表层的雕刻缝隙内。进行加热烧结的具体过程与上述步骤S140的操作过程相同，在此不作赘述。
在一具体的实施例中，步骤S170之后还包括步骤：将纳米银浆回填至所述图案基板侧边的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板侧边多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的侧边平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板侧边的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；所述图案基板侧边的固态银金属对所述图案基板上下两面的固态银金属进行电连接。
具体的，在图案基板的侧边进一步进行雕刻形成包含侧面雕刻图案的图案基板之后，还可将纳米银浆回填至图案基板侧边的雕刻缝隙内，同样适用刮胶条对图案基板侧边多余的纳米银浆进行刮除，之后再次对图案基板进行加热烧结，从而使图案基板侧边的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，图案基板侧边的固态银金属可对图案基板上下两面的固态银金属进行电连接，采用上述步骤进一步加工所得到的电子元器件的局部结构如图10所示。
本申请实施例中还公开了一种电子元器件，该电子元器件采用如上述实施例所述的印刷电路制造方法制造得到，请参阅图2，如图2所示，所述电子元器件包括基板及设置于所述基板两面的固态银金属，所述固态银金属嵌入所述图案基板表面的雕刻缝隙内。具体的，所述雕刻缝隙的深度D为25-45微米、宽度W为2.5-10微米。
实施例1
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为50kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为50毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为25.1微米，宽度为4.3微米。其中基板为聚亚酰胺塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例2
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为60毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为31.5微米，宽度为4.2微米。其中基板为聚亚酰胺塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例3
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为70毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为30.1微米，宽度为3.9微米。其中基板为聚亚酰胺塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例4
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为80毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为29.2微米，宽度为3.7微米。其中基板为聚亚酰胺塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例5
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为90毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为28.3微米，宽度为3.5微米。其中基板为聚亚酰胺塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例6
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为100毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为27.5微米，宽度为3.3微米。其中基板为聚亚酰胺塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例7
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为70kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为60毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为39.5微米，宽度为3.6微米。其中基板为聚亚酰胺塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例8
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为70kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为70毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为35.5微米，宽度为3.2微米。其中基板为聚亚酰胺塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例9
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为80毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为29.2微米，宽度为3.7微米。其中基板为聚亚酰胺塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用激光研磨投影在所述图案基板侧边雕刻形成包含侧面雕刻图案的图案基板；对图案基板的侧边进行雕刻的具体实现方法与对基板的两面进行雕刻的技术方法相同。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
将纳米银浆回填至所述图案基板侧边的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板侧边多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的侧边平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板侧边的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；所述图案基板侧边的固态银金属对所述图案基板上下两面的固态银金属进行电连接，得到电子元器件成品。在图案基板侧面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例10
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为70毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为30.1微米，宽度为3.9微米。其中基板为聚醚砜塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
实施例11
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光掩膜投影所采用的激光波长为702nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为70毫米/秒，激光功率为2W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为2次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为30.1微米，宽度为3.9微米。其中基板为玻璃基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，纳米银浆中银离子的直径位于600-800纳米之间；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。具体步骤包括：使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的的硬度大于所述第一刮胶条的硬度，其中，第一刮胶条的硬度为100，第二刮胶条的硬度为120，第一刮胶条及第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条。其中，刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角为15°；所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为500微米。
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃加热11分钟，升温至初始加热温度150℃，稳定在初始加热温度60分钟后，进一步从初始加热温度升温至最高温度220℃，在最高温度维持120分钟后，缓慢降温至初始温度，降温过程持续6分钟。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
对比例1
使用激光在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光波长为490nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为60毫米/秒，激光功率为10W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为1次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为11.3微米，宽度为8.6微米。基板为聚乙烯塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，银浆中银离子的直径大于1.2微米；使用刮胶条对所述图案基板上多余的银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。
对刮除银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃升温至220℃，维持120分钟后缓慢降温至初始温度。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
对比例2
使用激光在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光波长为490nm、频率为60kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为80毫米/秒，激光功率为10W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为1次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为10.6微米，宽度为8.2微米。基板为聚乙烯塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，银浆中银离子的直径大于1.2微米；使用刮胶条对所述图案基板上多余的银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。
对刮除银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃升温至220℃，维持120分钟后缓慢降温至初始温度。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
对比例3
使用激光在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；其中，所述激光波长为490nm、频率为70kHz，雕刻过程中激光相对于基板的运动速度为60毫米/秒，激光功率为10W，对雕刻图案中同一线路进行雕刻的次数为1次；所形成的雕刻图案中凹槽的平均深度为12.6微米，宽度为8.4微米。基板为聚乙烯塑料基板，基板厚度为1.2毫米。
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质，其中进行吹扫的气流风速为8m/s。将银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内，银浆中银离子的直径大于1.2微米；使用刮胶条对所述图案基板上多余的银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整。
对刮除银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。进行加热烧结的具体过程为：从初始温度（室温）22℃升温至220℃，维持120分钟后缓慢降温至初始温度。
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质；将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属，得到电子元器件成品。在图案基板下表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法与上述步骤中在图案基板上表面的雕刻缝隙内制作得到固态银金属的具体方法相同。
对上述实施例及对比例进行导电率测试。其中，上述实施例及对比例中制作得到的电子元器件成品进行导电率测试的固态银金属（金属银微带线）的长度相等（均为150毫米）。在电子元器件成品的金属银微带线的两端施加5V电压，测量通过金属银微带线的电流值，电流值越大，则电子元器件成品中金属银微带线的导电率越高；电流值越小，则电子元器件成品中金属银微带线的导电率越低。
具体测试结果如表1所示：
表1
上述测试结果表明本申请实施例中所制作得到的电子元器件成品的导电率明显好于对比例中采用传统技术方法所制作得到的电子元器件。
对上述实施例及对比例分别进行透光率测试。在暗室中设置一个暗箱，在暗箱中放置光线感应装置，上述实施例及对比例中制作得到的电子元器件成品设置于暗箱的一侧面，上述实施例及对比例中制作得到的电子元器件成品的平面尺寸相等，且各电子元器件成品中固态银金属（金属银微带线）的设置密度相等。使用固定光源从外侧面照射电子元器件成品，电子元器件成品将固定光源发出的光线进行透射至暗箱内，暗箱内的光线感应装置即可感应到各电子元器件所透过的光线强度。
其中，固定光源照射电子元器件成品正面的光照强度（将光线感应装置放置于暗箱中用于设置电子元器件的位置处并通过固定光源进行照射）为1600Lux（勒克斯）,测试放置不同电子元器件后，暗箱内的光线感应装置所感应到的光强度值，进行统计得到统计结果如表2所示。
表2
组别 光强度值（Lux） 透光率（%）
实施例1 1411 88.5
实施例2 1429 89.3
实施例3 1432 89.5
实施例4 1437 89.9
实施例5 1443 90.2
实施例6 1451 90.7
实施例7 1446 90.4
实施例8 1454 90.9
实施例9 1438 89.7
实施例10 1435 89.7
实施例11 1448 90.5
对比例1 1291 80.7
对比例2 1309 81.8
对比例3 1301 81.3
上述测试结果表明本申请实施例中所制作得到的电子元器件成品的透光率在90%左右，最高到达90.9%，而对比例所制作得到的电子元器件成品的透光率在80%左右，最高81.8%，因此本申请技术方法制作得到的电子元器件成品的透光率明显高于对比例中采用传统技术方法所制作得到的电子元器件。
在本发明实施例所提供了一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件，方法包括：通过激光掩膜投影在基板的两面雕刻形成雕刻图案，将纳米银浆回填至图案基板上表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；将纳米银浆回填至图案基板下表面的雕刻缝隙内，刮除多余的纳米银浆后进行加热烧结，以使图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。上述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，使用基板作为基材，在基板表层进行激光掩膜投影形成雕刻缝隙，并在雕刻缝隙内烧结形成固态银金属，在满足电路传输的同时，使电路层更薄，形成透光率更高的薄膜电路，大幅提高了薄膜电路的应用范围。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述方法包括：
使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板；
将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内；
使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的上表面平整；
对刮除纳米银浆的所述图案基板进行加热烧结，以使所述图案基板上表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；
将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内；
使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的下表面平整；
对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板下表面的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属。
2.根据权利要求1所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述使用激光掩膜投影在基板的两面分别雕刻形成包含雕刻图案的图案基板之后，还包括：
使用激光研磨投影在所述图案基板侧边雕刻形成包含侧面雕刻图案的图案基板；
所述对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结之后，还包括：
将纳米银浆回填至所述图案基板侧边的雕刻缝隙内；
使用刮胶条对所述图案基板侧边多余的纳米银浆进行刮除，以使所述图案基板的侧边平整；
对刮除纳米银浆的所述图案基板再次进行加热烧结，以使所述图案基板侧边的雕刻缝隙内的银膏转化为固态银金属；所述图案基板侧边的固态银金属对所述图案基板上下两面的固态银金属进行电连接。
3.根据权利要求2所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述将纳米银浆回填至所述图案基板上表面的雕刻缝隙内之前，还包括：
使用气流吹扫所述图案基板的上表面，以去除所述图案基板表层的杂质；
所述将纳米银浆回填至所述图案基板下表面的雕刻缝隙内之前，还包括：
使用气流吹扫所述图案基板的下表面，以去除所述图案基板表层的杂质。
4.根据权利要求1-2任一项所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述使用刮胶条对所述图案基板上多余的纳米银浆进行刮除，包括：
使用第一刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆进行刮除；
使用第二刮胶条对所述图案基板表层多余的纳米银浆再次进行刮除；所述第二刮胶条的硬度大于所述第一刮胶条的硬度。
5.根据权利要求4所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述第一刮胶条及所述第二刮胶条的硬度为100-150。
6.根据权利要求5所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述第一刮胶条的硬度为100-118，所述第二刮胶条的硬度为120-150。
7.根据权利要求5所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述第一刮胶条及所述第二刮胶条均为聚氨酯刮胶条，所述聚氨酯刮胶条贴近所述图案基板表层的一侧设置进行斜切形成斜边。
8.根据权利要求7所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述聚氨酯刮胶条的斜边与所述图案基板表层之间的夹角小于35°。
9.根据权利要求7所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述聚氨酯刮胶条的斜边在截面方向的宽度为350-700微米。
10.根据权利要求1-3任一项所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，对所述图案基板进行加热烧结过程中加热的最高温度为220℃；加热的最高温度的持续时间为90-145分钟。
11.根据权利要求10所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述对所述图案基板进行加热烧结的步骤包括：
对所述图案基板进行加热至初始加热温度；所述初始加热温度为135-160℃，所述初始加热温度的持续时间为45-75分钟；
对所述图案基板进行加热以从所述初始加热温度缓慢升温至所述最高温度。
12.根据权利要求11所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述最高温度的持续时间为120分钟。
13.根据权利要求12所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法，其特征在于，所述初始加热温度为150℃，所述初始加热温度的持续时间为60分钟。
14.一种电子元器件，其特征在于，所述电子元器件采用如权利要求1-13任一项所述的用于3D电子器件的印刷电路制造方法制造得到，所述电子元器件包括基板及设置于所述基板两面的固态银金属，所述固态银金属嵌入所述图案基板表面的雕刻缝隙内。
15.根据权利要求14所述的电子元器件，其特征在于，所述雕刻缝隙的深度为25-45微米、宽度为2.5-10微米。
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