CN116107154B - 掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质，掩膜版数据生成方法包括：基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据；将初始图形数据和辅助图形数据合并，得到合并数据；对合并数据进行数据提取，确定出与半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据；对第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据；基于第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据。该方法提取出的至少部分层别的初始层别图形数据中带有辅助图形数据，避免了在分离各层别的图形数据后再分别生成对应的辅助图形数据所导致的工作量的增加和检查步骤的增设，降低了运算错误率，减少了运算量和工作流程，提升了掩膜版数据生成效率和准确性。

Description

掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质。

背景技术

由于光学***的不完善性和衍射效应，需要对掩膜版的图形数据进行光学邻近效应修正，这将会导致掩膜版的部分区域存在狭缝，进而在通过掩膜版对半导体结构进行曝光时使得半导体结构的图案存在缺陷。

为解决上述问题，通常是对半导体结构对应的掩膜版图形数据进行层别分离后，再对会因光学邻近效应修正而产生图案缺陷的层别所对应的掩膜版图形数据添加辅助图形数据，通过辅助图形数据解决狭缝问题，这种方式存在运算量大、错误率高且需要增设检查步骤等问题。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种掩膜版数据生成方法，用于生成制作掩膜版所需的数据，所述掩膜版用于制作半导体结构，所述掩膜版数据生成方法包括：

基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；

将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；

对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；

对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形。

本公开的一些实施例中，所述半导体结构包括多个芯片区以及相邻所述芯片区之间的切割道区，所述芯片区和所述切割道区均包括用于设置保护环的保护环区；

所述基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，包括：

获取所述初始图形数据中与所述芯片区对应的芯片尺寸数据或者与所述保护环区对应的保护环尺寸数据；

根据所述芯片尺寸数据或者所述保护环尺寸数据，确定所述辅助图形数据，以使得所述预设区域能够将所述芯片区和/或所述切割道区的所述保护环区覆盖。

本公开的一些实施例中，所述对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，包括：

在所述初始图形数据中提取出各层别对应的图形数据，并将各层别对应的图形数据分别与所述辅助图形数据形成与各层别对应的所述初始层别图形数据。

本公开的一些实施例中，所述掩膜版数据生成方法还包括：

对至少部分所述初始层别图形数据标记第一预设标识，所述第一预设标识用于指示该初始层别图形数据需要进行光学邻近效应修正且修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

所述对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，包括：

将具有所述第一预设标识的所述初始层别图形数据确定为所述第一层别图形数据；

对所述第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，且修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域，得到所述第一修正图形数据。

本公开的一些实施例中，所述掩膜版数据生成方法还包括：

对至少部分所述初始层别图形数据中的第二层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第二修正图形数据，修正区域为所述第二层别图形数据对应的初始图形；

所述基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，包括：

将未进行光学邻近效应修正的各所述初始层别图形数据、所述第一修正图形数据和所述第二修正图形数据确定为所述各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据。

本公开的一些实施例中，所述掩膜版数据生成方法还包括：

对各所述初始层别图形数据中的所述辅助图形数据标记第二预设标识，所述第二预设标识用于表征所述辅助图形数据为非生产用数据。

本公开的一些实施例中，所述目标层别图形数据为GDS格式数据。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种掩膜版数据生成装置，所述掩膜版数据生成装置包括：

第一确定模块，所述第一确定模块被配置为基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；

合并模块，所述合并模块被配置为将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；

提取模块，所述提取模块被配置为对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；

第一修正模块，所述第一修正模块被配置为对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

第二确定模块，所述第二确定模块被配置为基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形。

根据本公开实施例的第三方面，提供一种掩膜版数据生成设备，所述掩膜版数据生成设备包括：

处理器；

用于存储处理器可执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为执行：

基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；

将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；

对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；

对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形。

根据本公开实施例的第四方面，提供一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由掩膜版数据生成设备的处理器执行时，使得掩膜版数据生成设备能够执行：

基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；

将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；

对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；

对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形。

本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：基于半导体结构的初始图形数据自动生成辅助图形数据，并且生成辅助图形数据是在提取各层别对应的初始层别图形数据之前，使得提取出的至少部分层别的初始层别图形数据中带有辅助图形数据，避免了在分离各层别的图形数据后再分别生成对应的辅助图形数据所导致的工作量的增加和检查步骤的增设，降低了运算错误率，减少了运算量和工作流程，提升了掩膜版数据生成效率和准确性。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的掩膜版数据生成方法的流程图。

图2是根据一示例性实施例示出的半导体结构的俯视图。

图3是根据一示例性实施例示出的半导体结构的局部示意图。

图4是根据一示例性实施例示出的掩膜版数据生成装置的框图。

图5是根据一示例性实施例示出的掩膜版数据生成设备的框图。

图6是一种掩膜版图形的示意图。

图7是一种掩膜版图形进行光学邻近效应修正后的示意图。

图8是根据一示例性实施例示出的具有预设范围A的半导体结构的局部示意图。

图9是根据另一示例性实施例示出的具有预设范围B的半导体结构的局部示意图。

图10是根据另一示例性实施例示出的具有预设范围C的半导体结构的局部示意图。

图11是根据另一示例性实施例示出的具有预设范围D的半导体结构的局部示意图。

图中：

10-第一确定模块；20-合并模块；30-提取模块；40-第一修正模块；50-第二确定模块；60-芯片区；70-切割道区；80-保护环区；801-第一保护环区；802-第二保护环区；81-保护环；811-第一保护环；812-第二保护环；100-计算机设备；101-处理器；102-存储器。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。

相关技术中，在通过掩膜版将设计的图案转移到光刻胶上以使半导体结构具有特殊图案时，由于光学***的不完善性和衍射效应，光刻胶上的图形和掩膜上的图形不完全一致，需要对掩膜版的图形数据进行光学邻近效应修正（Optical Proximity Correction，OPC），图6与图7分别为掩膜版图形进行光学邻近效应修正前后的示意图，通过修正后的图形数据在光罩厂进行数据转换后制成的掩膜版将会导致芯片区60与切割道区70之间存在狭缝缺陷，影响产品良率。

为解决上述问题，通常是根据芯片区60的尺寸生成辅助图形数据，以确定部分层别中不进行光学邻近效应修正的区域，使得修正后芯片区60与切割道区70的边缘延伸到同一个完整的连接区域，避免了狭缝缺陷的产生。然而，现有的掩膜版数据生成方法中，由于半导体结构具有多个层别，而每个层别进行光刻则需要制作对应的光罩，每个光罩具有特殊的掩膜版图形，因此需要先对半导体结构的初始图形数据进行各层别的分离提取，再根据提取出的各层别的图形数据分别手动计算生成辅助图形数据并将辅助图形数据逐个手动添加至对应的初始图形数据中，最后通过在辅助图形数据限制作用下对各层别的初始图形数据进行光学邻近效应修正，得到用于生成掩膜版图形的掩膜版数据，每一层别的掩膜版数据对应一个层别的光罩。

上述的数据处理过程运算量大，且在层别分离后的数据基础上进行运算容易导致运算结果出错和操作失误。另外，为了避免运算对分离后的各层别中的其他标记的排布造成影响，需要增设检查步骤对其他标记进行检查，影响工作效率。

基于此，本公开示例性实施例提供一种掩膜版数据生成方法，基于半导体结构的初始图形数据自动生成辅助图形数据，并且生成辅助图形数据是在提取各层别对应的初始层别图形数据之前，使得提取出的至少部分层别的初始层别图形数据中带有辅助图形数据，避免了在分离各层别的图形数据后再分别生成对应的辅助图形数据所导致的工作量的增加和检查步骤的增设，降低了运算错误率，减少了运算量和工作流程，提升了掩膜版数据生成效率和准确性。

在一个示例性实施例中，参考图1所示，提供了一种掩膜版数据生成方法，掩膜版数据生成方法包括：

S100、基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域。

在步骤S100中，半导体结构的初始图形数据例如可以为用于定义半导体结构的全部数据或者是用于定义半导体结构中除芯片内部以外的数据，根据半导体结构的初始图形数据可以确定辅助图形数据，辅助图形数据用于定义半导体结构中的预设区域，例如可以包括预设区域在半导体结构中的位置、尺寸等。

S200、将初始图形数据和辅助图形数据合并，得到合并数据。

在步骤S200中，将初始图形数据和辅助图形数据合并，得到合并数据，即合并数据中包括了用于定义半导体结构的全部或者是用于定义半导体结构中除芯片内部以外的初始图形数据，以及定义半导体结构中特定预设区域的辅助图形数据。

S300、对合并数据进行数据提取，确定出与半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分初始层别图形数据中包括辅助图形数据。

在步骤S300中，对合并数据进行分离，提取出与半导体结构的各层别分别对应的初始层别图形数据，由于合并数据中包括初始图形数据和辅助图形数据，因此初始层别图形数据中也能够包括与该层别对应的初始图形数据以及能够定义该层别中预设区域范围的辅助图形数据。至少部分初始层别图形数据中包括辅助图形数据例如可以为，所有初始层别图形数据中均包括辅助图形数据，或者部分初始层别图形数据中包括辅助图形数据。

S400、对至少部分初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为第一层别图形数据对应的初始图形中除预设区域之外的区域。

在步骤S400中，第一层别图形数据中均包括辅助图形数据，通过辅助图形数据中对预设区域的定义，对第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，修正区域为第一层别图形数据对应的初始图形中除预设区域之外的区域。

S500、基于第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，目标层别图形数据作为掩膜版数据，掩膜版数据用于生成掩膜版图形。

在步骤S500中，第一层别图形数据进行光学邻近效应修正后得到了第一修正图形数据，这部分进行光学邻近效应修正的层别的第一修正图形数据即为该层别对应的目标层别图形数据，目标层别图形数据即为生成的掩膜版数据，掩膜版数据能够用于生成掩膜版图形，可将该掩膜版数据提交给光罩厂进行数据的转换和掩膜版的生产。

其中，合并数据包括用于定义半导体结构的初始图形数据以及辅助图形数据，根据半导体结构多层别结构的特性，将合并数据按照层别划分进行分离，能够提取出与各个层别对应的初始层别图形数据，第一层别图形数据则是所有初始层别图形数据中需要进行光学邻近效应修正，并且修正后可能存在狭缝问题的层别所对应的初始层别图形数据。

本实施例中，基于半导体结构的初始图形数据自动生成辅助图形数据，并且生成辅助图形数据是在提取各层别对应的初始层别图形数据之前，使得提取出的至少部分层别的初始层别图形数据中带有辅助图形数据，避免了在分离各层别的图形数据后再分别生成对应的辅助图形数据所导致的工作量的增加和检查步骤的增设，降低了运算错误率，减少了运算量和工作流程，提升了掩膜版数据生成效率和准确性。

一实施例中，参考图2和图3所示，半导体结构包括多个芯片区60以及相邻芯片区60之间的切割道区70，芯片区60和切割道区70均包括用于设置保护环81的保护环区80。

其中，在晶圆上制作半导体结构前，需要对晶圆进行布局设计，以将晶圆划分为多个芯片区60和位于芯片区60之间的切割道区70，芯片区60用于后续形成半导体结构中的多个芯片，切割道区70用于在半导体结构制作完成后，作为封装阶段芯片区60分割时的切割区域。保护环81用于在切割时对芯片区60进行保护，避免切割伤害到芯片以及避免切割产生的静电对芯片区60内半导体器件产生影响。保护环区80设置在芯片区60与切割道区70相交的环形区域，保护环区80包括位于芯片区60中的第一保护环区801和位于切割道区70的第二保护环区802，参考图3所示，第一保护环区801和第二保护环区802由图3中的虚线分隔开，该虚线同时也是芯片区60与切割道区70的分界线。

相应地，保护环81包括位于第一保护环区801中的第一保护环811以及位于第二保护环区802中的第二保护环812。其中，位于同一个第一保护环区801中的第一保护环811可以为一个，也可以为多个，当为多个时，多个第一保护环811由内向外依次排布。位于同一个第二保护环区802中的第二保护环812可以为一个，也可以为多个，当为多个时，多个第二保护环812由内向外依次排布。

基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，包括：

S110、获取初始图形数据中与芯片区对应的芯片尺寸数据或者与保护环区对应的保护环尺寸数据。

在步骤S110中，获取初始图形数据中与芯片区60对应的芯片尺寸数据，或者与保护环区80对应的保护环尺寸数据，芯片尺寸数据和保护环尺寸数据例如可以为用于定义芯片区60和保护环区80的数量、大小、位置、形状等的数据信息，通过芯片尺寸数据或保护环尺寸数据即可确定半导体结构中芯片区60或保护环区80所对应的区域范围。

S120、根据芯片尺寸数据或者保护环尺寸数据，确定辅助图形数据，以使得预设区域能够将芯片区和/或切割道区的保护环区覆盖。

在步骤S120中，由于通过芯片尺寸数据或保护环尺寸数据即可确定半导体结构中芯片区60或保护环区80所对应的区域范围，因此根据芯片尺寸数据或保护环尺寸数据，即可确定用于定义预设区域的辅助图形数据，根据芯片尺寸数据或保护环尺寸数据所确定的辅助图形数据能够定义预设区域的范围。

示例性的，预设区域能够覆盖切割道区70的第二保护环区802，预设区域的外轮廓可以与第二保护环区802的外轮廓重合，也可以如图8所示，A区域所代表的预设区域的外轮廓位于第二保护环区802的外侧。或者，预设区域能够覆盖芯片区60中的第一保护环区801以及切割道区70中的第二保护环区802，预设区域的外轮廓可以与第一保护环区801与第二保护环区802所形成的区域的外轮廓重合，也可以如图9所示，B区域所代表的预设区域的外轮廓位于第一保护环区801和第二保护环区802所形成的区域的外侧。

本实施例中，预设区域将设置有保护环81的保护环区80覆盖，使得辅助图形数据所定义的预设区域即为芯片区60与切割道区70的连接区域，是后续该区域不进行光学邻近效应修正以解决狭缝问题的前置必要条件，且通过芯片尺寸数据或保护环尺寸数据对预设范围的确定，实现了辅助图形数据的自动生成，减少了手动计算所带来的巨大工作量，且避免了手动添加数据可能产生的操作失误等问题，提升了掩膜版数据生成效率和准确性。

另外，预设区域也可以是覆盖第一保护环区801的全部或者一部分。示例性地，如图10所示，第一保护环811的四角位置呈倒角设置，C区域所代表的预设区域的形状与第一保护环811的形状相适配，即该预设区域的形状外轮廓和内轮廓均在四角位置呈倒角设置。也可以如图11所示，D区域所代表的预设区域的形状外轮廓和内轮廓在四角位置呈直角设置，有部分第一保护环811未被预设区域覆盖，保证预设区域的形状外轮廓位于所有第一保护环811的外侧即可。

一实施例中，对合并数据进行数据提取，确定出与半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，包括：在初始图形数据中提取出各层别对应的图形数据，并将各层别对应的图形数据分别与辅助图形数据形成与各层别对应的初始层别图形数据。

其中，合并数据中包括了初始图形数据和辅助图形数据，半导体结构包括了多个层别，且每个层别的制作都需要进行对应的图案设计，以形成接触孔、金属连线等特定结构，能够对应半导体结构的多个层别在合并数据的初始图形数据中提取出各层别的图形数据，而用于定义预设区域的辅助图形数据在每个层别中所定义的预设区域均相同，因此能够将各层别对应的图形数据分别与辅助图形数据形成与各层别对应的初始层别图形数据。

本实施例中，通过对合并数据的数据提取，使得经过层别分离提取后得到的初始层别图形数据中能够带有各层别对应的图形数据和用于定义预设区域的辅助图形数据。而现有技术中通常是对初始层别数据直接进行提取，经过层别分离提取后仅能够得到各层别对应的图形数据，需要对分离后各层别对应的图形数据分别进行辅助图形数据的运算和添加。本实施例则不需要再对分离后的各层别分别进行辅助图形数据的运算和添加，避免了在分离后的层别上进行运算所带来的错误率的增加和可能产生的操作失误等问题，提升了掩膜版生成效率和准确性。

一实施例中，掩膜版数据生成方法还包括：

S600、对至少部分初始层别图形数据标记第一预设标识，第一预设标识用于指示该初始层别图形数据需要进行光学邻近效应修正且修正区域为第一层别图形数据对应的初始图形中除预设区域之外的区域。

在步骤S600中，部分初始层别图形数据是指所有初始层别图形数据中需要进行光学邻近效应修正并且修正后可能存在狭缝问题的层别所对应的初始层别图形数据，对这部分初始层别标记第一预设标识以指示该初始层别图形数据需要进行光学邻近效应修正，修正过程中预设区域内不进行光学邻近效应修正。

本实施例中，对至少部分初始层别图形数据标记第一预设标识，使得后续进行光学邻近效应修正时能够识别出第一预设标识，以对带有第一预设标识的初始层别图形数据进行光学效应修正并且在修正过程中保证预设区域内不进行光学邻近效应修正，实现了对需要进行光学邻近效应修正的初始层别数据的识别和修正条件的限制，是后续预设区域不进行光学邻近效应修正以解决狭缝问题的前置必要条件，减少了分离层别提取数据后非必要数据的输出，提升了掩膜版生成效率和准确性。

一实施例中，对至少部分初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，包括：

S410、将具有第一预设标识的初始层别图形数据确定为第一层别图形数据。

在步骤S410中，将具有第一预设标识的初始层别图形数据确定为第一层别图形数据，即第一层别图形数据是所有初始层别图形数据中需要进行光学邻近效应修正并且修正后可能存在狭缝问题的层别所对应的初始层别图形数据。

S420、对第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，且修正区域为第一层别图形数据对应的初始图形中除预设区域之外的区域，得到第一修正图形数据。

在步骤S420中，对带有第一预设标识的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正且预设区域内不进行光学邻近效应修正以保留第一层别图形数据对应的初始图形中芯片区60和切割道区70之间的连接区域，以避免芯片区60与切割道区70之间狭缝的产生。

本实施例中，将带有第一预设标识的初始层别图形数据确定为第一层别图形数据，实现了第一预设标识的标记作用，使得至少部分初始层别图形数据能够被识别为第一层别图形数据，并通过第一预设标识和辅助图形数据的修正指示实现对第一层别图形数据的特殊修正，避免了对其他不带有第一预设标识的初始层别进行光学邻近效应修正所带来的错误数据的生成和运算量的增加，保证了第一修正图形数据的准确输出，提升了掩膜版生成效率和准确性。

一实施例中，掩膜版数据生成方法还包括：

S700、对至少部分初始层别图形数据中的第二层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第二修正图形数据，修正区域为第二层别图形数据对应的初始图形。

其中，部分初始层别图形数据中的第二层别图形数据是指所有初始层别图形数据中需要进行光学邻近效应修正并且修正后不存在狭缝问题的层别所对应的初始层别图形数据，因此对第二层别图形数据同样需要进行光学邻近效应修正，但不需要对其修正区域进行进一步的限制，最终得到的结果为第二修正图形数据。

本实施例中，除第一层别图形数据外，还有部分初始层别图形数据需要进行光学邻近效应修正，步骤S700的设置实现了对该部分初始层别图形数据的识别和修正，并且保证其修正区域为对应的初始图形的全部范围，以使得最终得到的第二修正图形数据与第一修正图形数据能够分别作为第二层别图形数据和第一层别图形数据的修正结果，提升了掩膜版数据生成的效率和准确性。

一实施例中，基于第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，包括：将未进行光学邻近效应修正的各初始层别图形数据、第一修正图形数据和第二修正图形数据确定为各层别对应的目标层别图形数据，目标层别图形数据作为掩膜版数据。

其中，第一修正图形数据是初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正后得到的，第二修正图形数据是初始层别图形数据中的第二层别图形数据进行光学邻近效应修正后得到的，因此未进行光学邻近效应修正的初始层别图形数据与第一修正图形数据、第二修正图形数据所对应的层别共同组成了形成半导体结构的所有层别，最终确定的目标层别图形数据即为各层别最终输出的掩膜版数据。

本实施例中，通过将未进行光学邻近效应修正的各初始层别图形数据、第一修正图形数据和第二修正图形数据确定为各层别对应的目标层别图形数据，使得各层别的目标层别图形数据均为根据各层别是否需要进行光学邻近效应修正以及限制修正条件进行判断分类后对应生成的最终图形数据，保证了掩膜版数据生成的完整性和准确性。

一实施例中，掩膜版数据生成方法还包括：

S800、对各初始层别图形数据中的辅助图形数据标记第二预设标识，第二预设标识用于表征辅助图形数据为非生产用数据。

其中，对各初始层别图形数据中的辅助图形数据进行标记，标记的第二预设标识用于表征辅助图形数据仅作为定义预设区域范围的非生产用数据，以对第一层别图形数据的修正范围进行限制，在光罩厂接收到掩膜版数据进行转换和后续进行掩膜版制作生产时，辅助图形数据不被光罩厂抓取。

本实施例中，通过对辅助图形数据标记第二预设标识，使得生成的最终掩膜版数据中的辅助图形数据能够被识别且使其不被光罩厂抓取，仅作为限制光学邻近效应修正区域以解决狭缝问题的辅助用数据，避免了辅助图形数据对掩膜版制作生产过程产生干扰，提升了后续数据转换和掩膜版制作生产的效率和准确性。

一实施例中，目标层别图形数据为GDS格式数据。

其中，GDS(Graphic Data Stream，图形数据流文件)主要是以模块结构的形式组合而成，每个模块除了包含若干称之为图素的几何图形之外，也可以在该模块中***多层次的模块参数。GDS格式的目标层别图形数据在输出给光罩厂后，光罩厂可将GDS格式的数据转换为生产级电子束曝光*** (Manufacturing Electron-Beam Exposure System，MEBES)格式的数据，以用于掩膜版的制作生产，GDS格式的图形数据与MEBES格式的图形数据所定义的图案相反。

在一个示例性实施例中，参考图4所示，提供了一种掩膜版数据生成装置，掩膜版数据生成装置包括第一确定模块10、合并模块20、提取模块30、第一修正模块40和第二确定模块50，第一确定模块10被配置为基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；合并模块20被配置为将初始图形数据和辅助图形数据合并，得到合并数据；提取模块30被配置为对合并数据进行数据提取，确定出与半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分初始层别图形数据中包括辅助图形数据；第一修正模块40被配置为对至少部分初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为第一层别图形数据对应的初始图形中除预设区域之外的区域；第二确定模块50被配置为基于第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，目标层别图形数据作为掩膜版数据，掩膜版数据用于生成掩膜版图形。

本实施例中，第一确定模块10基于半导体结构的初始图形数据自动生成辅助图形数据，并且第一确定模块10生成辅助图形数据是在提取模块30提取各层别对应的初始层别图形数据之前，使得提取模块30提取出的部分层别的初始层别图形数据中带有辅助图形数据，避免了在分离各层别的图形数据后再分别生成对应的辅助图形数据所导致的工作量的增加和检查步骤的增设，降低了运算错误率，减少了运算量和工作流程，提升了掩膜版数据生成效率和准确性。

一实施例中，掩膜版数据生成装置还包括：第一标记模块，第一标记模块被配置为对至少部分初始层别图形数据标记第一预设标识，第一预设标识用于指示该初始层别图形数据需要进行光学邻近效应修正且修正区域为第一层别图形数据对应的初始图形中除预设区域之外的区域。

本实施例中，通过第一标记模块对至少部分初始层别图形数据标记第一预设标识，能够使得后续进行光学邻近效应修正时能够识别出第一预设标识，以对带有第一预设标识的初始层别图形数据进行光学效应修正并且在修正过程中保证预设区域内不进行光学邻近效应修正，实现了对需要进行光学邻近效应修正的初始层别数据的识别和修正条件的限制，是后续预设区域不进行光学邻近效应修正以解决狭缝问题的前置必要条件，减少了分离层别提取数据后非必要数据的输出，提升了掩膜版生成效率和准确性。

一实施例中，掩膜版数据生成装置还包括：第二修正模块，第二修正模块被配置为对至少部分初始层别图形数据中的第二层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第二修正图形数据，修正区域为第二层别图形数据对应的初始图形。

本实施例中，除第一层别图形数据外，还有部分初始层别图形数据需要进行光学邻近效应修正，第二修正模块的设置实现了对该部分初始层别图形数据的识别和修正，并且保证其修正区域为对应的初始图形的全部范围，以使得最终得到的第二修正图形数据与第一修正图形数据能够分别作为第二层别图形数据和第一层别图形数据的修正结果，提升了掩膜版数据生成的效率和准确性。

一实施例中，掩膜版数据生成装置还包括：第二标记模块，第二标记模块被配置为对各初始层别图形数据中的辅助图形数据标记第二预设标识，第二预设标识用于表征辅助图形数据为非生产用数据。

本实施例中，通过第二标记模块对辅助图形数据标记第二预设标识，使得生成的最终掩膜版数据中的辅助图形数据能够被识别且使其不被光罩厂抓取，仅作为限制光学邻近效应修正区域以解决狭缝问题的辅助用数据，避免了辅助图形数据对掩膜版制作生产过程产生干扰，提升了后续数据转换和掩膜版制作生产的效率和准确性。

图5是根据一示例性实施例示出的一种掩膜版数据生成设备，即计算机设备100的框图。例如，计算机设备100可以被提供为终端设备。参考图5所示，计算机设备100包括处理器101，处理器101的个数可以根据需要设置为一个或者多个。计算机设备100还包括存储器102，用于存储可由处理器101执行的指令，例如应用程序。存储器102的个数可以根据需要设置一个或者多个。其存储的应用程序可以为一个或者多个。处理器101被配置为执行指令，以执行上述方法。

本领域技术人员应明白，本公开的实施例可提供为方法、装置（设备）、或计算机程序产品。因此，本公开可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本公开可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质上实施的计算机程序产品的形式。计算机存储介质包括在用于存储信息（诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据）的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质,包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘（DVD）或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质等。此外，本领域技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

在一个示例性实施例中，提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器102，上述指令可由计算机设备100的处理器101执行以完成上述方法。例如，非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器（RAM）、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。

当存储介质中的指令由掩膜版数据生成设备的处理器执行时，使得掩膜版数据生成设备能够执行：

基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；

将初始图形数据和辅助图形数据合并，得到合并数据；

对合并数据进行数据提取，确定出与半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分初始层别图形数据中包括辅助图形数据；

对至少部分初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为第一层别图形数据对应的初始图形中除预设区域之外的区域；

基于第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，目标层别图形数据作为掩膜版数据，掩膜版数据用于生成掩膜版图形。

本公开是参照根据本公开实施例的方法、装置（设备）和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在本公开中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (9)

1.一种掩膜版数据生成方法，用于生成制作掩膜版所需的数据，所述掩膜版用于制作半导体结构，其特征在于，所述掩膜版数据生成方法包括：

基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；

将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；

对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；

对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形；

所述半导体结构包括多个芯片区以及相邻所述芯片区之间的切割道区，所述芯片区和所述切割道区均包括用于设置保护环的保护环区；

所述基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，包括：

获取所述初始图形数据中与所述芯片区对应的芯片尺寸数据或者与所述保护环区对应的保护环尺寸数据；

根据所述芯片尺寸数据或者所述保护环尺寸数据，确定所述辅助图形数据，以使得所述预设区域能够将所述芯片区和/或所述切割道区的所述保护环区覆盖。

2.根据权利要求1所述的掩膜版数据生成方法，其特征在于，所述对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，包括：

在所述初始图形数据中提取出各层别对应的图形数据，并将各层别对应的图形数据分别与所述辅助图形数据形成与各层别对应的所述初始层别图形数据。

3.根据权利要求2所述的掩膜版数据生成方法，其特征在于，所述掩膜版数据生成方法还包括：

对至少部分所述初始层别图形数据标记第一预设标识，所述第一预设标识用于指示该初始层别图形数据需要进行光学邻近效应修正且修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

所述对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，包括：

将具有所述第一预设标识的所述初始层别图形数据确定为所述第一层别图形数据；

对所述第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，且修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域，得到所述第一修正图形数据。

4.根据权利要求1所述的掩膜版数据生成方法，其特征在于，所述掩膜版数据生成方法还包括：

对至少部分所述初始层别图形数据中的第二层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第二修正图形数据，修正区域为所述第二层别图形数据对应的初始图形；

所述基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，包括：

将未进行光学邻近效应修正的各所述初始层别图形数据、所述第一修正图形数据和所述第二修正图形数据确定为所述各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据。

5.根据权利要求1所述的掩膜版数据生成方法，其特征在于，所述掩膜版数据生成方法还包括：

对各所述初始层别图形数据中的所述辅助图形数据标记第二预设标识，所述第二预设标识用于表征所述辅助图形数据为非生产用数据。

6.根据权利要求1至5任一项所述的掩膜版数据生成方法，其特征在于，所述目标层别图形数据为GDS格式数据。

7.一种掩膜版数据生成装置，其特征在于，所述掩膜版数据生成装置包括：

第一确定模块，所述第一确定模块被配置为基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；

合并模块，所述合并模块被配置为将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；

提取模块，所述提取模块被配置为对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；

第一修正模块，所述第一修正模块被配置为对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

第二确定模块，所述第二确定模块被配置为基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形；

所述半导体结构包括多个芯片区以及相邻所述芯片区之间的切割道区，所述芯片区和所述切割道区均包括用于设置保护环的保护环区；

所述基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，包括：

获取所述初始图形数据中与所述芯片区对应的芯片尺寸数据或者与所述保护环区对应的保护环尺寸数据；

根据所述芯片尺寸数据或者所述保护环尺寸数据，确定所述辅助图形数据，以使得所述预设区域能够将所述芯片区和/或所述切割道区的所述保护环区覆盖。

8.一种掩膜版数据生成设备，其特征在于，所述掩膜版数据生成设备包括：

处理器；

用于存储处理器可执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为执行：

基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；

将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；

对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；

对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形；

所述半导体结构包括多个芯片区以及相邻所述芯片区之间的切割道区，所述芯片区和所述切割道区均包括用于设置保护环的保护环区；

所述基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，包括：

获取所述初始图形数据中与所述芯片区对应的芯片尺寸数据或者与所述保护环区对应的保护环尺寸数据；

根据所述芯片尺寸数据或者所述保护环尺寸数据，确定所述辅助图形数据，以使得所述预设区域能够将所述芯片区和/或所述切割道区的所述保护环区覆盖。

9.一种非临时性计算机可读存储介质，其特征在于，当所述存储介质中的指令由掩膜版数据生成设备的处理器执行时，使得掩膜版数据生成设备能够执行：

基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，所述辅助图形数据用于定义初始图形中的预设区域；

将所述初始图形数据和所述辅助图形数据合并，得到合并数据；

对所述合并数据进行数据提取，确定出与所述半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据，其中至少部分所述初始层别图形数据中包括所述辅助图形数据；

对至少部分所述初始层别图形数据中的第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据，修正区域为所述第一层别图形数据对应的初始图形中除所述预设区域之外的区域；

基于所述第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据，所述目标层别图形数据作为所述掩膜版数据，所述掩膜版数据用于生成掩膜版图形；

所述半导体结构包括多个芯片区以及相邻所述芯片区之间的切割道区，所述芯片区和所述切割道区均包括用于设置保护环的保护环区；

所述基于所述半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据，包括：

获取所述初始图形数据中与所述芯片区对应的芯片尺寸数据或者与所述保护环区对应的保护环尺寸数据；

根据所述芯片尺寸数据或者所述保护环尺寸数据，确定所述辅助图形数据，以使得所述预设区域能够将所述芯片区和/或所述切割道区的所述保护环区覆盖。