CN116057674A - 晶片清洗水供给装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的晶片清洗水供给装置(1)具有：由从供给路(5)供给的超纯水(W)制备晶片清洗水(W1)的晶片清洗水制造部(2)；该制备的晶片清洗水的贮留槽(3)；以及将贮留在该贮留槽(3)中的晶片清洗水(W1)向清洗机(4)的清洗喷嘴(4A)供给的晶片清洗水供给配管(6)。该晶片清洗水供给配管(6)在清洗机(4)侧距清洗喷嘴(4A)的前端距离(t)处分支，与回送配管(7)连接，能将清洗机(4)中剩余的晶片清洗水(W1)回送至贮留槽(3)。这样的晶片清洗水供给装置能削减剩余的晶片清洗水。

Description

晶片清洗水供给装置
技术领域
本发明涉及一种晶片清洗水供给装置，其能够稳定供给半导体用晶片等的清洗/冲洗工序中有效的以极低浓度含有碱、酸、氧化剂、还原剂等溶质的清洗水。
背景技术
在半导体用硅晶片等的清洗工序中，可以使用将对pH或氧化还原电位的控制有效的溶质以极低浓度溶解在超纯水中的水(以下，称作晶片清洗水)。该晶片清洗水以超纯水为基本材料，为了赋予符合清洗或冲洗工序等各个工序的目的的pH或氧化还原电位等液体特性，添加需要的最小限度的酸/碱、氧化剂/还原剂。此时，为了赋予还原性活用H2气体的溶解，但在pH调节和赋予氧化性中，通常活用将药液通过泵注入或用非活性气体的加压方式，来微量添加(注药)液体药剂的方法。
在这种情况下，当超纯水的流量为恒定时，注药容易达到所期望的溶质浓度，但在实际使用晶片清洗水的清洗机中，用多个阀的开闭来控制向晶片倾注的清洗水的供给/停止，流量不规律地变动。对于该变动，通过对超纯水流量的比例控制、接受浓度监测器的信号的PID控制等多种手法进行溶解控制，以使晶片清洗水的溶质浓度落入所期望范围。但是，尤其是在具有多个清洗室的枚叶式清洗机中，不能够实现能够充分跟踪不规律的流量变动的注药控制，其结果是，向晶片倾注的清洗水/冲洗水的液体品质，仅控制在远离理想的值的广泛的范围内。
发明内容
发明要解决的课题
因此，虽然也存在优先液体品质稳定化，在规定条件下制造并持续供给晶片清洗水的简单方法，但在这种情况下，直接流下剩余水。在最近的多室枚叶式清洗机中，瞬间需要的最大流量与最低流量的差大，当连续供给最大流量以上的稀功能水(晶片清洗水)时，排出相当大量的剩余晶片清洗水(剩余水)，在对用水排水设备的负担、药液的过量使用/排出方面存在问题。
为了解决该剩余水的问题，使用循环型晶片清洗水制造装置，不排出剩余水，使剩余水通过配管返回到设置于晶片清洗水制造装置与清洗机之间的贮留槽。
但是，在使剩余水返回贮留槽的情况下，回送配管在即将进入清洗机之前分支连接，未使用晶片清洗水时，清洗机内的晶片清洗水供给配管处于清洗水残留的状态，即使是短时间的残留，清洗水的清洁度劣化和清洗水的pH等液体品质也变化，对晶片清洗效果造成不利影响。因此，在即将用晶片清洗水处理晶片之前，在清洗机侧需要将晶片清洗水中残留在从清洗机入口到喷嘴前端的清洗水从喷嘴喷出以排液，并替换成高清洁度且规定液体品质的清洗水的预分配的操作。在每个清洗工序中实施预分配，排出的清洗水被送入排水设备，但由于回送配管连接在即将进入清洗机之前，因此存在清洗水的排出量增多，对用水排水设备的负担大，过量使用药液等问题。因此，要求将预分配中排出的晶片清洗水(剩余水)抑制到最低限度。
本发明是鉴于上述课题而完成的，目的是提供一种能削减剩余的晶片清洗水的晶片清洗水供给装置。
用于解决课题的手段
为了达成上述目的，本发明提供一种晶片清洗水供给装置，其具备：晶片清洗水制造部，该晶片清洗水制造部通过溶解相对于超纯水的流量为规定的量的药剂，来制造规定药剂浓度的晶片清洗水；贮留槽，该贮留槽贮留该制造出的晶片清洗水；晶片清洗水供给配管，该晶片清洗水供给配管向清洗机供给所述晶片清洗水；以及回送配管，该回送配管从所述晶片清洗水供给配管分支并将清洗机中剩余的晶片清洗水回送至贮留槽，并且，将所述剩余的晶片清洗水回送至贮留槽的回送配管，在距离所述清洗机的晶片清洗水的喷出部10m以下的位置分支(发明1)。
根据该发明(发明1)，添加相对于超纯水为规定的量的药液，来制造规定浓度的晶片清洗水，将其暂时贮留于贮留槽中，并从该贮留槽向清洗机供给。此时，在现有的晶片清洗水供给装置中，由于在紧邻清洗机入口的前方被分支为向清洗机内送清洗水的配管和返回贮留槽的配管，因此在未使用清洗水时，清洗机内侧残留相当大量的清洗水，每次运行/停止清洗机都要排出残留在清洗机侧的清洗水，无法完全回收剩余水。因此，为了尽可能回收预分配中排出的清洗水并作为清洗水再利用，采用在距离晶片清洗水的喷出部10m以下的位置处分支的结构。由此，能大幅削减预分配时排出的清洗水量。而且，也能够大幅缩短供给水质稳定的清洗水所需的时间。
在上述发明(发明1)中，优选所述回送配管设置于清洗机侧，能在贮留槽、晶片清洗水供给配管和回送配管中循环所述晶片清洗水(发明2)。
根据该发明(发明2)，常态向清洗机内供给清洗水，在未使用清洗水时，能够将剩余水从回送配管返回至贮留槽。由此，即使在未使用晶片清洗水时，也能将滞留在清洗机内的晶片清洗水供给配管的清洗水量和清洗水质因滞留而劣化抑制到最低限度。此外，不需要预分配或其量能在最小限度，还能够期待降低对用水排水设备的负荷和改善药液的过量使用/排出。
在上述发明(发明1、2)中，优选所述药剂为液体，向超纯水添加该药剂的添加机构是给液泵或压送机构，该压送机构是填充了药剂的密闭罐和向该密闭罐供给非活性气体的加压机构构成的压送机构(发明3)。
根据该发明(发明3)，容易控制相对于超纯水的流量以微量添加药液，能够向贮留槽稳定地供给规定浓度的晶片清洗水。
在上述发明(发明1～3)中，优选在所述贮留槽设置检测水位的检测机构，并且具备控制机构，该控制机构基于该检测机构的液位信息控制所述晶片清洗水制造部中晶片清洗水的制造开始/停止(发明4)。另外，在上述发明(发明1～3)中，优选能多阶段调节所述晶片清洗水制造部中的晶片清洗水的制造量，并且具备控制机构，该控制机构根据所述贮留槽的水位多阶段调节所述晶片清洗水制造部中的晶片清洗水的制造量(发明5)。
根据该发明(发明4、5)，通过根据贮留槽的水位控制晶片清洗水的制造，能够高效制造晶片清洗水。
在上述发明(发明1～5)中，优选在所述晶片清洗水制造部与所述贮留槽之间设置排出机构(发明6)。
根据该发明(发明6)，能够向体系外排出该晶片清洗水直至晶片清洗水稳定在规定浓度。
在上述发明(发明6)中，优选所述排出机构与连通到所述超纯水的供给源的返回配管连接，并在该排出机构设置能除去所述晶片清洗水中的药剂成分的离子交换装置和/或催化装置(发明7)。
根据该发明(发明7)，通过从排出的晶片清洗水中除去药剂成分，能够将晶片清洗水回送至超纯水的供给源并再利用。
在上述发明(发明1～7)中，优选所述制造部具有除去超纯水或晶片清洗水中的溶解氧的机构(发明8)。
根据该发明(发明8)，能够抑制制造出的晶片清洗水的pH和/或氧化还原电位的变动。
发明的效果
根据本发明的晶片清洗水供给装置，由于将剩余的晶片清洗水回送至贮留槽的回送配管，在距离所述清洗机的晶片清洗水的喷出部10m以下的位置分支，因此即使在一般的清洗机中实施预分配，也大幅削减排出的剩余水，还能够缩短供给水质稳定的清洗水所需的时间。
附图说明
图1是表示本发明第一实施方式的晶片清洗水供给装置的概略图。
图2是表示第一实施方式的晶片清洗水供给装置的清洗机侧的构成的概略图。
图3是表示第一实施方式中晶片清洗水制造部的概略图。
图4是表示第一实施方式的晶片清洗水供给装置的其他例子的概略图。
图5是表示本发明第二实施方式的晶片清洗水供给装置的概略图。
图6是表示第二实施方式的晶片清洗水供给装置的清洗机侧的构成的概略图。
图7是表示第二实施方式的晶片清洗水供给装置的其他例子的概略图。
图8是表示本发明晶片清洗水供给装置的晶片清洗水制造部的第二方案的概略图。
图9是表示本发明晶片清洗水供给装置的晶片清洗水制造部的第三方案的概略图。
图10是表示本发明晶片清洗水供给装置的晶片清洗水制造部的第四方案的概略图。
图11是表示本发明晶片清洗水供给装置的晶片清洗水制造部的第五方案的概略图。
图12是表示本发明晶片清洗水供给装置的晶片清洗水制造部的第六方案的概略图。
图13是表示本发明晶片清洗水供给装置的晶片清洗水制造部的第七方案的概略图。
图14是表示本发明晶片清洗水供给装置的晶片清洗水制造部的第八方案的概略图。
图15是表示实施例1和比较例1、2中的晶片上微粒个数的图表。
图16是表示实施例1和比较例1、2中的清洗水的pH的图表。
图17是表示实施例1和比较例1、2中的清洗水的溶解氧浓度(DO)的图表。
具体实施方式
＜第一实施方式＞
[晶片清洗水供给装置]
图1～3示出本发明的第一实施方式的晶片清洗水供给装置。在图1和图2中，晶片清洗水供给装置1具有：由从供给路5供给的超纯水W制备晶片清洗水W1的晶片清洗水制造部2；该制备的晶片清洗水W1的贮留槽3；以及将贮留在该贮留槽3中的晶片清洗水W1向清洗机4的清洗喷嘴4A供给的晶片清洗水供给配管6。该晶片清洗水供给配管6在清洗机4侧距清洗喷嘴4A的前端距离(t)处分支，与回送配管7连接，能将清洗机4中剩余的晶片清洗水W1回送至贮留槽3。另外，在本实施方式中，该回送配管7距清洗喷嘴4A前端的距离(t)为10m以内，优选为8m以内，尤其是在6m以内的位置分支。需要说明的是，5A为排水的排出路。
在如上所述的晶片清洗水供给装置1中，例如，如图3所示，晶片清洗水制造部2能够使用分别由贮留规定量的规定浓度的第一药液M1和第二药液M2的药液罐21、从该药液罐21连通到超纯水W的供给路5的药液供给管22和输送药液的泵23构成的晶片清洗水制造部。
另外，贮留槽3使用由不损害晶片清洗水W1的纯度，且从内壁的洗脱处于能够忽略不计的水平的高纯度的材质构成的贮留槽。该贮留槽3为了防止溶解氧的上升，与N2气体的供给管8连接以使气相部侧常态充满规定压力的N2气体等非活性气体。
另外，在超纯水W的供给路5、晶片清洗水供给配管6和药液供给管22分别设置未图示的流量计等流量测量机构，并且晶片清洗水供给配管6和贮留槽3或药液供给管22分别设置未图示的pH计、氧化还原电位计等。
[晶片清洗水的供给方法]
接着，说明使用如上所述的晶片清洗水供给装置1的晶片清洗水W1的供给方法。
(晶片清洗水制备工序)
首先，从超纯水W的供给源(未图示)向供给路5流通超纯水W，向晶片清洗水制造部2供给规定量的超纯水W。另一方面，由于在药液罐21中贮留有第一药液M1和第二药液M2，因此基于超纯水W的供给量(供给路5的流量)，通过控制装置控制泵23以使第一药液M1和第二药液M2相对于超纯水W达到规定浓度，这些第一药液M1和第二药液M2从药液供给管22供给以制备晶片清洗水W1。
需要说明的是，在本说明书中，作为原水的超纯水W，例如，优选电阻率：18.1MΩ·cm以上；微粒：粒径50nm以上且为1000个/L以下；活细菌：1个/L以下；TOC(总有机碳量，Total Organic Carbon)：1μg/L以下；全硅：0.1μg/L以下；金属类：1ng/L以下；离子类：10ng/L以下，过氧化氢：30μg/L以下；水温：25±2℃。
作为第一药液M1或第二药液M2中的任一个，例如，优选pH调节剂。作为该pH调节剂没有特别的限制，但在将pH调节至小于7的情况下，能够使用盐酸、硝酸、硫酸、乙酸等酸性溶液。另外，在将pH调节至7以上的情况下，能够使用氨、氢氧化钠、氢氧化钾或TMAH(四甲基氢氧化铵)等碱性溶液。
另外，作为第二药液M2或第一药液M1中的另一个，优选氧化还原电位调节剂。作为该氧化还原电位调节剂，在将氧化还原电位调节高的情况下，能够使用过氧化氢水等。另外，在将氧化还原电位调节低的情况下，能够使用草酸、硫化氢、碘化钾等溶液。
这些第一药液M1或第二药液M2可以添加两者，也可以添加任一个。如此地，通过基于超纯水W的流量，控制第一药液M1或第二药液M2中任一个或两者来自药液罐21的添加量，以达到规定浓度，能够制备所期望的晶片清洗水W1。
需要说明的是，在刚开始晶片清洗水W1的制造后(初期)，晶片清洗水W1中的第一药液M1和/或第二药液M2的浓度有时不落入规定范围。相对于此，通过在预先调查直至稳定在所期望的浓度为止所需的时间或处理量中，在到达该浓度之前作为排水W2从排出路5A排出，能够高精度保持向贮留槽3供给的晶片清洗水W1的溶质浓度。此时的排出部分为排水，但作为与整体相比的水量很少。
(贮留工序)
这样制备的晶片清洗水W1被直接向贮留槽3供给。此时从N2气体供给配管31向贮留槽3供给规定压力的N2气体，用N2气体充满贮留槽3的上部空间。由此，能够防止在贮留槽3内的晶片清洗水W1中溶解氧的上升，由此，能够抑制溶解气体的增加引起的pH或氧化还原电位的变动。
在本实施方式中，通过在该贮留槽3中设置未图示的液位传感器或重量测定装置等水位测量机构，能够对晶片清洗水制造部2进行打开/关闭控制，基于该水位测量机构的输出，当贮留槽3的保有水量低于一定水平时，开始晶片清洗水制造部2中晶片清洗水W1的制造。由此，能高效制造晶片清洗水W1。另外，即使在贮留槽3的水位在一定以上且晶片清洗水制造部2处于停止状态的情况下，也能够通过持续流通极小流量的超纯水，将晶片清洗水制造部2内的纯度保持得高。此时的通水出口水可以排出或与超纯水的回流配管汇合。
需要说明的是，不限于上述方法，也能够由多个阶段(例如，高流速条件、低流速条件这两个阶段)预先确定能够高精度制造所期望浓度的晶片清洗水W1的流量条件，在贮留槽3的水位上升并达到高水位的规定水平时，将制造从高流速切换至低流速，在水位降低并达到低水位的规定水平时，将制造从低流速切换至高流速。在这种情况下，制造开始时的浓度稳定化所需期间的排水变得没有，能够成为更加没有浪费的***。
(晶片清洗水供给工序)
常态向清洗机4输送贮留在贮留槽3中的晶片清洗水W1。当使用晶片清洗水W1时，从清洗喷嘴4A向晶片9喷出，当未使用晶片清洗水W1时，从晶片清洗水供给配管6分支的回送配管7返回贮留槽3。或者，即使在清洗机4工作且使用晶片清洗水W1时，也可以仅使用一部分供给的晶片清洗水W1，剩余部分从回送配管7返回贮留槽3。此时，在本实施方式中，在距清洗喷嘴4A的前端10m以内的规定地点与回送配管7连接，由于晶片清洗水W1从该回送配管7返回贮留槽3，因此即使在清洗机4停止且未使用晶片清洗水W1时，也能削减滞留在清洗机4侧的晶片清洗水供给配管6中的晶片清洗水W1的水量并将滞留导致的清洗水质的劣化抑制到最低限度。此外，由于不需要预分配或预分配为最低限度即可，因此还发挥了降低用水排水设备的负荷和改善药液的过量使用的效果。当回送配管7的连接位置距清洗喷嘴4A的前端超过10m时，上述削减晶片清洗水W1的水量和将滞留导致的清洗水质的劣化抑制到最低限度的效果不充分。
其理由如下。即，现在，通常使用的清洗机4的预分配工序为30～60秒，一条线的清洗机4中的晶片清洗水W1的使用量通常约为4L/分钟(晶片9的表面清洗部分与背面清洗部分的总和)左右，因此推测每次预分配工序排约4L的清洗水。因此，通过使晶片清洗水供给配管6与回送配管7的分支点在距清洗机4的清洗喷嘴4A的10m以内，能大幅削减预分配时排出的清洗水量。在清洗机4中，通常使用4～6mmΦ的PFA管作为晶片清洗水供给配管6，当晶片清洗水供给配管与回送配管的分支点距喷嘴在10m以内时，晶片清洗水供给配管中残留的清洗水最多为约1.5L左右，即使实施预分配，排出的剩余水也能够削减至约1/3，水质稳定的清洗水的供给所需的时间也能够为约1/4。
需要说明的是，在本实施方式中，如图4所示，可以通过在排出路5A上设置用于除去第一药液M1成分和第二药液M2成分的离子交换装置等除去机构10，能将排水W2回送至超纯水W的供给侧。由此，能够大幅削减以超纯水W为原料的排水。
＜第二实施方式＞
接着，说明本发明的第二实施方式。
[晶片清洗水供给装置]
图5和图6示出本发明的第二实施方式的晶片清洗水供给装置。第二实施方式的晶片清洗水供给装置，在前述第一实施方式中，是向多个清洗机供给清洗水W1的装置，由于具有基本上相同的构成，因此同一构成标记同一符号，省略其详细说明。
在图5和图6中，晶片清洗水供给装置1，具有从供给路5供给的超纯水W制备晶片清洗水W1的晶片清洗水制造部2、该制备的晶片清洗水的贮留槽3，并且能将贮留在该贮留槽3的晶片清洗水W1，从具备增压泵11A、11B、11C的晶片清洗水供给配管6(6A、6B和6C)向多台(3台)清洗机41、42和43供给。该晶片清洗水供给配管6A、6B和6C分别在距清洗机41、42和43的清洗喷嘴41A、42A和43A的前端为距离(t)处分支，与回送配管7(7A、7B和7C)连接，能将清洗机41、42和43中剩余的晶片清洗水W1回送至贮留槽3。另外，在本实施方式中，该回送配管7A、7B和7C在距清洗喷嘴4A的前端的距离(t)为10m以内的位置分支。
在如上所述的晶片清洗水供给装置1中，作为晶片清洗水制造部2和贮留槽3，能够使用与前述第一实施方式相同的装置。
[晶片清洗水的供给方法]
说明使用了如上所述的晶片清洗水供给装置1的晶片清洗水W1的供给方法。
(晶片清洗水制备工序)
将超纯水W从超纯水W的供给源(未图示)向供给路5流通，并向晶片清洗水制造部2供给规定量的超纯水W。另一方面，由于药液罐21中贮留有第一药液M1和第二药液M2，因此基于超纯水W的供给量(供给路5的流量)，通过控制装置控制泵23以使第一药液M1和第二药液M2为规定浓度，并将这些第一药液M1和第二药液M2从药液供给管22供给，以制备晶片清洗水W1。在此，作为第一药液M1或第二药液M2，能够使用与第一实施方式相同的药液。
(贮留工序)
这样制备的晶片清洗水W1被直接供给至贮留槽3。此时从N2气体供给配管31向贮留槽3供给规定压力的N2气体，用N2气体充满贮留槽3的上部空间。由此，能够防止在贮留槽3内的晶片清洗水W1中溶解氧的上升，由此，能够抑制溶解气体的增加引起的pH或氧化还原电位的变动。
(晶片清洗水供给工序)
贮留在贮留槽3中的晶片清洗水W1能从晶片清洗水供给配管6(6A、6B和6C)向多台(3台)清洗机41、42和43供给。此时，由于晶片清洗水供给配管6A、6B和6C分别设置增压泵11A、11B、11C，因此能够确保将晶片清洗水W1向多台清洗机供给时的送水压力。另外，清洗水W1从清洗喷嘴41A、42A和43A分别向晶片9A、9B和9C喷出，当未使用晶片清洗水W1时，从晶片清洗水供给配管6分支的回送配管7返回贮留槽3。或者，即使在清洗机41、42和43工作且使用晶片清洗水W1时，也可以仅使用一部分供给的晶片清洗水W1，剩余部分从回送配管7(7A、7B和7C)返回贮留槽3。此时，在本实施方式中，在距清洗喷嘴41A、42A和43A的前端10m以内的规定地点与回送配管7A、7B和7C连接，由于晶片清洗水W1从该回送配管7A、7B和7C返回贮留槽3，因此即使在清洗机41、42和43停止且未使用晶片清洗水W1时，也能削减滞留在清洗机4侧的晶片清洗水供给配管6A、6B和6C中的晶片清洗水W1的水量并将滞留导致的清洗水质的劣化抑制到最低限度。此外，由于不需要预分配或预分配为最低限度即可，因此还发挥了降低用水排水设备的负荷和改善药液的过量使用的效果。
需要说明的是，在本实施方式中，如图7所示，也可通过在排出路5A设置用于除去第一药液M1成分和第二药液M2成分的离子交换装置等除去机构10，能将排水W2回送至超纯水W的供给侧。由此，能够大幅削减以超纯水W为原料的排水。
＜晶片清洗水制造部2的各种方案＞
以上，基于所述第一和第二实施方式说明了本发明的晶片清洗水供给装置，但晶片清洗水制造部2不限于上述实施方式中使用的第一方案的晶片清洗水制造部2，能应用各种方案，因此，如下进行例示。
(晶片清洗水制造部2的第二方案)
第二方案的晶片清洗水制造部2，由于具有与前述第一方案的晶片清洗水制造部2基本上相同的构成，因此同一构成标记同一符号，省略其详细说明。
如图8所示，晶片清洗水制造部2中，具有贮留规定量的规定浓度的第一药液M1和第二药液M2的药液罐21、从该药液罐21连通到超纯水W的供给路5的药液供给管22，并且代替输送药液的泵23，连接有连通到药液罐21的作为非活性气体的N2气体的供给管24。
如此地，在晶片清洗水制造部2中，可以通过不使用泵23，将N2气体向药液罐21供给并挤出，来输送药液。
(晶片清洗水制造部2的第三方案)
第三方案的晶片清洗水制造部2，由于具有与前述第一方案的晶片清洗水制造部2基本上相同的构成，因此同一构成标记同一符号，省略其详细说明。
如图9所示，晶片清洗水制造部2中，具有贮留规定量的规定浓度的第一药液M1的第一药液罐21A、从该第一药液罐21A连通到超纯水W的供给路5的药液供给管22A、以及输送药液的泵23A。此外，具有贮留规定量的规定浓度的第二药液M2的第二药液罐21B，从该第二药液罐21B连通到超纯水W的供给路5的药液供给管22B，以及输送药液的泵23B。
如此地，在晶片清洗水制造部2中，可以分别独自添加第一药液M1和第二药液M2。
(晶片清洗水制造部2的第四方案)
第四方案的晶片清洗水制造部2，由于具有与前述第三方案的晶片清洗水制造部2基本上相同的构成，因此同一构成标记同一符号，省略其详细说明。
如图10所示，晶片清洗水制造部2中，在第三方案的晶片清洗水制造部2中，代替输送药液的泵23A、23B，分别与从连通到第一药液罐21A和第二药液罐21B的作为非活性气体的N2气体的供给管24分支的供给管24A、24B连接。
如此地，可以通过不使用泵23A、23B，向第一药液罐21A和第二药液罐21B分别供给N2气体并挤出，分别输送第一药液M1和第二药液M2药液。
(晶片清洗水制造部2的第五方案)
第五方案的晶片清洗水制造部2，由于具有与前述第一方案的晶片清洗水制造部2基本上相同的构成，因此同一构成标记同一符号，省略其详细说明。
如图11所示，晶片清洗水制造部2分别由贮留规定量的规定浓度的第一药液M1和第二药液M2的药液罐21、从该药液罐21连通到超纯水W的供给路5的药液供给管22、以及输送药液的泵23构成。另外，超纯水W的供给路5中，在药液供给管22近前设置过氧化氢除去机构25。
如此地，由于通过在晶片清洗水制造部2的药液供给管22的近前设置过氧化氢除去机构25，能够高度除去超纯水W中的过氧化氢，因此能够通过第一药液M1和第二药液M2更精确地进行pH和/或氧化还原电位的调节。
(晶片清洗水制造部2的第六方案)
第六方案的晶片清洗水制造部2，由于具有与前述第五方案的晶片清洗水制造部2基本上相同的构成，因此同一构成标记同一符号，省略其详细说明。
如图12所示，晶片清洗水制造部2中，在第五方案的晶片清洗水制造部2中，除了在超纯水W的供给路5的与药液供给管22的连通位置的后段具备具有真空泵27的脱气膜装置26以外，具有相同的构成。
如此地，通过在药液供给管22的连通位置的后段具备脱气膜装置26，通过除去第一药液M1和第二药液M2中含有的氧等溶解气体，能够抑制第一药液M1、第二药液M2和添加后的晶片清洗水W1的pH和/或氧化还原电位的变动。
(晶片清洗水制造部2的第七方案)
第七方案的晶片清洗水制造部2，由于具有与前述第三方案的晶片清洗水制造部2基本上相同的构成，因此同一构成标记同一符号，省略其详细说明。
如图13所示，晶片清洗水制造部2中，具有贮留规定量的规定浓度的第一药液M1的第一药液罐21A、从该第一药液罐21A连通到超纯水W的供给路5的药液供给管22A、以及输送药液的泵23A。此外，具有贮留规定量的规定浓度的第二药液M2的第二药液罐21B、从该第二药液罐21B连通到超纯水W的供给路5的药液供给管22B、以及输送药液的泵23B。另外，超纯水W的供给路5中，在药液供给管22A近前设置过氧化氢除去机构25。
如此地，由于通过在晶片清洗水制造部2的药液供给管22A近前设置过氧化氢除去机构25，能够高度除去超纯水W中的过氧化氢，因此能够通过第一药液M1和第二药液M2更精确地进行pH和/或氧化还原电位的调节。
(晶片清洗水制造部2的第八方案)
第八方案的晶片清洗水制造部2，由于具有与前述第四方案的晶片清洗水制造部2基本上相同的构成，因此同一构成标记同一符号，省略其详细说明。
如图14所示，晶片清洗水制造部2中，具有贮留规定量的规定浓度的第一药液M1的第一药液罐21A、从该第一药液罐21A连通到超纯水W的供给路5的药液供给管22A、以及输送药液的泵23A。此外，具有贮留规定量的规定浓度的第二药液M2的第二药液罐21B、从该第二药液罐21B连通到超纯水W的供给路5的药液供给管22B、以及输送药液的泵23B。另外，超纯水W的供给路5中，除了在药液供给管22A近前具备具有真空泵27的脱气膜装置26以外，具有相同的构成。
如此地，由于通过在药液供给管22A的连通位置近前具备脱气膜装置26，通过高度除去超纯水W中含有的氧等溶解气体，能够精确地进行第一药液M1、第二药液M2和添加后的晶片清洗水W1的pH和/或氧化还原电位的调节。
以上，虽然基于所述实施方式说明了本发明的晶片清洗水供给装置，但本发明不限定于所述实施方式，可以有各种变形实施。另外，在本实施方式中，作为用晶片清洗水供给装置添加的第一药液M1和第二药液M2使用了液体，但是也可以使用气体溶解膜装置，通过溶解例如氢(H2)、碳酸气体(CO2)、臭氧(O3)等气体来调节pH和/或氧化还原电位。
[实施例]
以下，通过具体的实施例进一步详细说明本发明。
[实施例1]
使用图1示出的晶片清洗水供给装置1，在晶片清洗水制造部2中，分别向超纯水W添加规定量的作为第一药液M1的氨和作为第二药液M2的过氧化氢，持续排出直至氨浓度和过氧化氢浓度稳定，来制造作为晶片清洗水W1的极稀APM(氨浓度：10ppm(pH约10)、过氧化氢浓度：100ppm(氧化还原电位0.05V))。需要说明的是，晶片清洗水供给装置1中，将晶片清洗水供给管6在距清洗喷嘴4A的前端5m的位置与回送配管7连接，通过供给比从清洗机4的清洗喷嘴4A的喷出量更多的晶片清洗水W1，使晶片清洗水W1常态循环。
另外，测定从清洗喷嘴4A喷出的初期的晶片清洗水W1的微粒个数、pH和溶解氧浓度。将结果示于图15～17。
[比较例1]
在实施例1中，在停止图1所示的晶片清洗水供给装置1的回送配管7，并使晶片清洗水W滞留10分钟后，测定从清洗喷嘴4A喷出的初期的晶片清洗水W1的微粒个数、pH和溶解氧浓度。将结果示于图15～17。
[比较例2]
在实施例1中，将晶片清洗水供给管6在距清洗喷嘴4A的前端的距离(t)为15m的位置与回送配管7连接并使其能循环。
另外，在清洗停止时，进行预分配(将从晶片清洗水供给管6到清洗喷嘴4A的晶片清洗水W1喷出并舍弃)，在下次清洗时，测定从清洗喷嘴4A喷出的初期的晶片清洗水W1的微粒个数、pH和溶解氧浓度。将结果示于图15～17。
由图15～图17可知，没有预分配就常态循环流通晶片清洗水W1的实施例1，与进行了从晶片清洗水供给管6到清洗喷嘴4A的晶片清洗水W1的预分配的比较例2，在晶片上微粒数、晶片清洗水W1的pH和溶解氧浓度方面同等。认为这是由于在晶片清洗时以外也常态流通晶片清洗水W1，因此晶片清洗水W1中的微粒数和清洗水液体品质不变化且能够保持恒定。而且，排出的晶片清洗水W1的量能够比比较例2减少1L以上。
另一方面，在没有预分配且在PFA制管中滞留10分钟的比较例1中，晶片上微粒数、晶片清洗水W1的pH和溶解氧浓度全都大幅差于比较例2。这是由于通常PFA管具有气体透过性，微粒等杂质在超纯水中洗脱。因此，认为经由PFA管的晶片清洗水W1中溶解杂质或大气中的氧或碳酸气体，清洗水中的微粒数或液体品质劣化。另一方面，在实施了预分配的比较例2中，由于这样排出滞留在PFA管内的晶片清洗水W1，因此未发生这样的劣化。另外，在实施例1中，认为是由于在晶片清洗时以外也常态循环通晶片清洗水W1，清洗水中的微粒数和清洗水液体品质不变化且保持恒定，因此获得与比较例2同等的结果。
附图标记的说明
1：晶片清洗水供给装置。
2：晶片清洗水制造部。
3：贮留槽。
4、41、42、43：清洗机。
4A、41A、42A、43A：清洗喷嘴。
5：供给路。
5A：排水的排出路。
6、6A、6B、6C：晶片清洗水供给配管。
7、7A、7B、7C：回送配管。
8：N2气体的供给管(非活性气体的供给管)。
9、9A、9B、9C：晶片。
10：除去机构。
11A、11B、11C：增压泵。
21：药液罐。
21A：第一药液罐。
21B：第二药液罐。
22、22A、22B：药液供给管。
23、23A、23B：泵。
24、24A、24B：N2气体的供给管。
25：过氧化氢除去机构。
26：脱气膜装置。
27：真空泵。
W：超纯水。
W1：晶片清洗水。
W2：排水。
M1：第一药液。
M2：第二药液。

Claims (8)

1.一种晶片清洗水供给装置，其中，所述晶片清洗水供给装置具备：
晶片清洗水制造部，该晶片清洗水制造部通过溶解相对于超纯水的流量为规定量的药剂，来制造规定的药剂浓度的晶片清洗水；
贮留槽，该贮留槽贮留该制造出的晶片清洗水；
晶片清洗水供给配管，该晶片清洗水供给配管向清洗机供给所述晶片清洗水；以及
回送配管，该回送配管从所述晶片清洗水供给配管分支并将清洗机中剩余的晶片清洗水回送至贮留槽，
并且，将所述剩余的晶片清洗水回送至贮留槽的回送配管，在距离所述清洗机的晶片清洗水的喷出部10m以下的位置分支。
2.如权利要求1所述的晶片清洗水供给装置，其中，
所述回送配管设置于清洗机侧，能在贮留槽、晶片清洗水供给配管和回送配管中循环所述晶片清洗水。
3.如权利要求1或2所述的晶片清洗水供给装置，其中，
所述药剂为液体，向超纯水添加该药剂的添加机构是给液泵或压送机构，该压送机构是填充了药剂的密闭罐和向该密闭罐供给非活性气体的加压机构构成的压送机构。
4.如权利要求1～3中任一项所述的晶片清洗水供给装置，其中，
所述晶片清洗水供给装置在所述贮留槽设置检测水位的检测机构，并且具备控制机构，该控制机构基于该检测机构的液位信息控制所述晶片清洗水制造部中的晶片清洗水的制造开始/停止。
5.如权利要求1～3中任一项所述的晶片清洗水供给装置，其中，
所述晶片清洗水供给装置能多阶段调节所述晶片清洗水制造部中的晶片清洗水的制造量，并且具备控制机构，该控制机构根据所述贮留槽的水位多阶段调节所述晶片清洗水制造部中的晶片清洗水的制造量。
6.如权利要求1～5中任一项所述的晶片清洗水供给装置，其中，
在所述晶片清洗水制造部与所述贮留槽之间设置排出机构。
7.如权利要求6所述的晶片清洗水供给装置，其中，
所述排出机构与连通到所述超纯水的供给源的返回配管连接，并在该排出机构设置能除去所述晶片清洗水中的药剂成分的离子交换装置和/或催化装置。
8.如权利要求1～7中任一项所述的晶片清洗水供给装置，其中，
在所述制造部具有除去超纯水或晶片清洗水中的溶解氧的机构。
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