CN116027599A - 有源矩阵基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供有源矩阵基板、显示面板以及显示装置，能够有效检测像素区域中的边框区域侧的端部的触摸，并且能够降低像素区域中的像素内的构造物的不良率，并且防止在边框区域内产生短路。有源矩阵基板(1)具备:触摸电极(16)，其配置于像素区域(R1)内；边框触摸电极(26)，其配置于边框区域(R2)内；以及虚拟阵列部(27)，其配置于边框区域(R2)内。边框区域(R2)包括:第一虚拟区域(Rd1)，其在与像素区域(R1)相邻的位置配置有边框触摸电极(26)；以及第二虚拟区域(Rd2)，其相对于第一虚拟区域(Rd1)而设置在与像素区域(R1)相反一侧的位置。在第二虚拟区域(Rd2)不配置边框触摸电极(26)而配置有虚拟阵列部(27)。

Description

有源矩阵基板、显示面板及显示装置
技术领域
本公开涉及一种有源矩阵基板、显示面板及显示装置。
背景技术
近年来，液晶显示装置中设置的显示面板被实用化。例如，具备有源矩阵基板的显示面板被广泛地用作智能手机、平板终端等的液晶显示装置的显示画面。这些显示面板中使用的有源矩阵基板的结构由本领域技术人员提出了各种方案。
例如，以制造工序中的不良的抑制及有源矩阵基板的性能的稳定化为目的，提出了在像素区域的周围的区域即边框区域的一部分配置有具有与设置于像素区域的构造物类似的构造、但在像素区域中不发挥与对应的构造物同样的功能的构造物(以下，称为“虚拟的构造物”)的有源矩阵基板。在这样的有源矩阵基板中，典型地，在矩形的像素区域的外侧，沿着像素区域的各边配置多行或多列虚拟的构造物。例如，在专利文献1中，将虚拟的构造物作为虚拟的像素，设置有与多个虚拟的像素对置的共通电极。虚拟的像素的排列的间隔比像素区域中的多个像素的间隔小。另外，该共通电极形成为覆盖设有多个虚拟的像素的边框区域，并且覆盖像素区域。
另外，在专利文献2的有源矩阵基板中，将虚拟的构造物设为与栅极线和栅极线交叉的虚拟的半导体层，使其排列的间隔比像素区域中的多个半导体层的间隔小。
另外，提出了显示面板具备触摸面板的功能的内嵌式触摸面板。例如，在专利文献3与4中公开了这样的内嵌式触摸面板。在内嵌式触摸面板中，以覆盖像素区域的方式形成的共通电极被分割成多个。而且，被分割的共通电极分别兼作触摸电极。另外，在上述专利文献4中，为了提高内内嵌式触摸面板中的边缘部分的触摸灵敏度，公开了将接收触摸输入的触摸电极配置在像素区域的外侧的边框区域。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2007-17478号公报
专利文献2：日本特开2016-57344号公报
专利文献3：特开2014-164752号公报
专利文献4：特开2015--64854号公报
发明内容
发明要解决的问题
在此，在有源矩阵基板中，有时静电从周围侵入。因此，在有源矩阵基板中，呈矩阵状配置的多个像素中越靠近各行和各列的端部的像素，不良率越高。因此，通过在有源矩阵基板的边框区域配置构造物，即使在静电从周围侵入的情况下，也能够防止由于构造物被破坏而对像素造成破坏。其结果，能够降低比边框区域靠内侧的像素区域中的像素内的结构物的不良率。由此，能提高有源矩阵基板的成品率。
另外，为了有效检测内嵌式触摸面板中的像素区域中的边框区域侧的端部的触摸，考虑在边框区域也配置用于检测触摸的构造物。
然而，在将用于检测触摸的构造物和用于使像素区域内的构造物的不良率降低的构造物两者配置于边框区域的情况下，这些构造物在俯视时重叠的面积变大。其结果，在制造工序中，由于混入边框区域的异物，导致用于检测触摸的构造物与用于使不良率降低的构造物短路的可能性变高这样的问题。
因此，本公开是为了解决上述技术问题而完成的，其目的在于，提供有源矩阵基板、显示面板以及显示装置，能够有效检测像素区域中的边框区域侧的端部的触摸，并且能够降低像素区域中的像素内的构造物的不良率，并且防止在边框区域内产生短路。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本公开的第一方式涉及的有源矩阵基板，具备：多条扫描布线；多条数据布线，其与所述多条扫描布线交叉配置；多个开关元件，其分别配置于由所述多条扫描布线和所述多条数据布线划分的多个像素中；以及多个像素电极，其与所述开关元件连接，所述有源矩阵基板在俯视时具有设置有所述多个像素电极的像素区域与包围所述像素区域的边框区域，所述有源矩阵基板还具备：触摸电极，其在所述像素区域内与所述多个像素电极相对配置；边框触摸电极，其在所述边框区域内形成于第一层，不与所述触摸电极电连接；边框元件，其在所述边框区域内形成于与所述第一层不同的第二层，抑制所述多个像素中的至少一个像素的静电破坏，所述边框区域包含：第一区域，其在与所述像素区域相邻的位置配置有所述边框触摸电极；第二区域，其设置在相对于所述第一区域与所述像素区域相反的一侧的位置，不配置所述边框触摸电极而配置有所述边框元件。
第二方式所涉及的显示面板具备:第一至方式涉及的有源矩阵基板；以及与有源矩阵基板相对配置的对向基板。
第三方式所涉及的显示装置具有第一方式涉及的显示面板和控制所述显示面板的控制电路。
发明效果
根据上述构成，由于在边框区域设置有边框触摸电极，所以能够有效地检测像素区域的边框区域侧的端部的触摸。另外，由于抑制像素的静电破坏的边框元件配置于边框区域，因此能够防止由静电引起的像素区域中的像素内的构造物的不良的产生。而且，由于在边框区域的第二区域不配置边框触摸电极，所以与在第一区域以及第二区域双方形成边框触摸电极的情况相比，能够防止边框触摸电极与边框元件短路。
附图说明
图1是根据第一实施方式的显示装置100的框图。
图2是示意性地示出显示面板10的构成的立体图。
图3是示意性地示出根据第一实施方式的触摸电极16与边框触摸电极26的配置关系的平面图。
图4是图3的部分A1的放大图。
图5是图4中的有源矩阵基板1的沿着B1-B1线的剖视图。
图6是用于说明根据第二实施方式的显示装置200的构成的一部分的图。
图7是用于说明根据第二实施方式的边框触摸电极226的构成的平面示意图。
图8是沿图6的B2-B2线的有源矩阵基板201的剖面图。
图9是用于说明根据第三实施方式的显示装置300的构成的一部分的图。
图10是沿图9的B3-B3线的有源矩阵基板301的剖面图。
图11是用于说明根据第三实施方式的边框触摸电极326的构成的平面示意图。
图12是用于说明根据第一至第三实施方式的变形例的边框触摸电极426的构成的平面示意图。
具体实施方式
以下，基于附图说明本公开的实施方式。本公开不限于下述的各实施方式中记载的内容，并且可以在满足本发明的构成的范围内适当地进行设计改变。此外，在以下的说明中，在相同部分或具有同样功能的部分，在不同附图之间共通使用同样的符号，适当省略其反复说明。另外，实施方式以及变形例中记载的各构成在不脱离本公开主旨的范围内可以适当进行组合，也可以变更。此外，在以下所参照的附图中，为了使说明容易理解，将构成简化或示意化而示出，或者将一部分构成构件省略。另外，各图所示的构成构件间的尺寸比并不一定表示实际的尺寸比例。
[第一实施方式]
图1是根据第一实施方式的显示装置100的框图。图2是示意性地示出显示面板10的构成的立体图。显示装置100并不限定于此，可以例如构成为智能手机、平板终端以及个人计算机。如图1所示，显示装置100具备显示面板10和控制电路20。控制电路20包括向配置于显示面板10的驱动电路3(参照图2)发送控制信号的定时控制器。
(显示面板的整体构成)
在第一实施方式中，显示面板10是具有根据指示体检测触摸的功能的横向电场方式(FFS方式)的液晶面板。如图2所示，显示面板10包括有源矩阵基板1和对向基板2。有源矩阵基板1也称为阵列基板。对向基板2设置有图未示的彩色滤光片，也称为彩色滤光片基板。有源矩阵基板1与对向基板2以相互的面相对的方式隔着密封材料(图未示)以保持规定的间隙的方式贴合。在有源矩阵基板1与对向基板2的间隙中填充有液晶材料(图未示)。
如图2所示，有源矩阵基板1与对向基板2不是相同的尺寸。例如，有源矩阵基板1的Y方向的长度比对向基板2的Y方向的长度大。并且，在有源矩阵基板1上且未被对向基板2覆盖的区域配置有驱动电路3。驱动电路3包含集成电路。另外，驱动电路3经由未图示的柔性印刷基板与控制电路20(参照图1)连接。另外，虽未图示，但在显示面板10的显示面及背面配置有相位差板及偏光板等光学板。另外，在显示面板10的背面配置有未图示的背光源。
(对向基板的构成)
对向基板2包括玻璃板。另外，在对向基板2的与液晶层侧接触的表面形成有遮光膜(黑矩阵)和彩色滤光片。然后，在遮光膜及彩色滤光片的液晶层侧形成外涂膜。另外，在对向基板2上，为了维持与有源矩阵基板1的间隔(液晶层的厚度)而配置有光间隔物。
(有源矩阵基板的构成)
如图2所示，有源矩阵基板1上设置有形成有多个像素11的像素区域R1和像素区域R1周围的边框区域R2。“像素”是作为影像或图像的显示单位的有源矩阵基板1的部分，是由多个扫描布线12和多个数据布线13划分的各个区域。在像素11内配置薄膜晶体管14(以下称为“TFT14”)和像素电极15。换言之，像素区域R1是显示影像或图像的显示区域。换言之，边框区域R2是不显示影像及图像的非显示区域。边框区域R2是配置电路、布线的区域。另外，在对向基板2中的与边框区域R2相对的位置配置有遮光膜，来自边框区域R2的光在对向基板2处被遮光。由此，边框区域R2内的构造(电路、布线)不会被用户视觉确认。
图3是示意性地示出根据第一实施方式的触摸电极16与边框触摸电极26的配置关系的平面图。图4是图3的部分A1的放大图。如图3所示，在第一实施方式中，在边框区域R2中的与像素区域R1相邻的位置设置有虚拟区域Rd。虚拟区域Rd是配置有后述的边框触摸电极26或虚拟阵列部27中的任一方的区域。像素区域R1例如在俯视时具有矩形形状。虚拟区域Rd以包围矩形的像素区域R1的方式形成为框状。
图5是图4中的有源矩阵基板1的沿着B1-B1线的剖视图。如图5所示，有源矩阵基板1包含玻璃基板1a。然后，在玻璃基板1a的液晶层侧(图5的Z方向)的面形成扫描布线12(参照图4)、数据布线13、像素电极15、触摸电极16以及未图示的端子。另外，在第一实施方式中，在有源矩阵基板1上形成有通过低温多晶硅工艺形成的TFT14。另外，如图2所示，在有源矩阵基板1上配置有形成为单片的扫描布线驱动电路12a。并且，扫描布线驱动电路12a向扫描布线12供给栅极信号。扫描布线驱动电路12a经由扫描布线驱动电路布线12b连接于驱动电路3。驱动电路3向扫描布线驱动电路12a发送控制信号，从而控制扫描布线驱动电路12a。另外，数据布线13与驱动电路3连接。然后，从驱动电路3向数据布线13供给数据信号。
如图4所示，在各个像素11上配置有TFT14以及连接于TFT14的像素电极15。另外，在有源矩阵基板1上配置有对多个像素电极15共通配置的触摸电极16。此外，在图4中，示出了对四个像素电极15配置一个触摸电极16的示例，但也可以对三个以下或者五个以上的像素电极15配置一个触摸电极16。
多个触摸电极16配置为矩阵状。如图2所示，多个触摸电极16经由触摸电极布线16a，连接于驱动电路3。驱动电路3作为触摸检测电路及显示控制电路两者发挥作用。驱动电路3在通过显示面板10进行显示的期间，对各触摸电极16供给用于产生与像素电极15的电场的共通电极电压。驱动电路3在通过显示面板10进行触摸检测的期间对各触摸电极16供给用于检测触摸的扫描信号。例如，驱动电路3以时分方式交替地重复进行显示的期间和进行触摸检测的期间。
(有源矩阵基板内的各部的构成)
如图4所示，扫描布线12是用于向像素区域R1的各像素电极15以行为单位供给栅极信号而成为写入状态的布线。扫描布线12是从扫描布线驱动电路布线12b沿纸面右方向(X方向)延伸的布线。扫描布线12连接于与该扫描布线12相邻配置的各像素的TFT14的栅极14a(参照图5)。通过向扫描布线12供给栅极信号，从而一行单位的TFT14成为导通状态。
数据布线13是用于对各像素电极15供给与影像相应的电压的布线。数据布线13是沿纸面纵向(Y方向)延伸的布线。在第一实施方式中，由于显示装置100采用FFS方式，因此像素电极15的在纵向延伸的轮廓的一部分如图4所示那样包括俯视时弯曲的弯曲部分。另外，为了确保显示面板10的开口率，数据布线13在俯视时具有沿着像素电极15的弯曲部分的形状。即，在数据布线13上设置有弯曲部分。
如图5所示，TFT14包括栅极14a、半导体层14b、源极14c、漏极14d。TFT14例如具有顶栅构造。即，栅极14a配置在半导体层14b的上层(液晶层侧)。另外，源极14c与数据布线13连接。另外，源极14c的一部分配置在接触孔内，与半导体层14b接触。另外，漏极14d与像素电极15连接。另外，漏极14d的一部分配置在接触孔内，与半导体层14b接触。
像素电极15配置在各像素11内。另外，在进行彩色显示的情况下，各像素11由与RGB的三原色对应的三个子像素构成。在该情况下，像素电极15排列有纵与横之比为3:1的细长的子像素，但在图4中，在说明上图示为像素具有正方形的形状。
触摸电极16是用于触摸检测的电极，并且是用于控制液晶层的电极。另外，触摸电极布线16a是用于向触摸电极16供给信号的布线。如图4所示，多个触摸电极布线16a在像素区域R1内沿纸面左右方向隔开规定间隔地排列配置。另外，触摸电极布线16a具有沿着数据布线13的弯曲部分的形状，以便提高显示面板10的开口率并且不过于接近数据布线13。多个触摸电极布线16a分别与各个触摸电极16连接(一对一关系)。另外，触摸电极16的纸面右侧的边及纸面左侧的边分别包含沿着数据布线13的弯曲部分的形状弯曲的弯曲部分。另外，在触摸电极16上，针对每个像素11(子像素)形成有俯视时弯曲的狭缝部16b。
(虚拟区域内的构成)
如图4所示，虚拟区域Rd在边框区域R2中设置在像素区域R1与扫描布线驱动电路12a之间。虚拟区域Rd是从像素区域R1与边框区域R2的边界到配置有后述的虚拟阵列部27的位置且距离该边界最远的位置的区域。虚拟区域Rd包括设置在与像素区域R1相邻的位置的第一虚拟区域Rd1以及相对于第一虚拟区域Rd1设置在与像素区域R1相反一侧的位置(比第一虚拟区域Rd1远离像素区域R1的位置)的第二虚拟区域Rd2。例如，第二虚拟区域Rd2设置于第一虚拟区域Rd1的靠近扫描布线驱动电路12a侧。在此，在本公开中，第一虚拟区域Rd1内的构成与第二虚拟区域Rd2内的构成不同。例如，对应于第一虚拟区域Rd1和第二虚拟区域Rd2各自的区域，边框触摸电极26的有无或其形态不同，此外，虚拟阵列部27的有无或其形态不同。在第一实施方式中，在第一虚拟区域Rd1配置有边框触摸电极26。在第二虚拟区域Rd2不配置边框触摸电极26而配置有虚拟阵列部27。即，第一虚拟区域Rd1为从虚拟区域Rd中的像素区域R1侧的端部至边框触摸电极26中的与像素区域R1相反一侧的端部的范围。另外，第二虚拟区域Rd2是从边框触摸电极26中的与像素区域R1相反一侧的端部到配置有虚拟阵列部27的区域中的与像素区域R1相反一侧的端部的范围。
〈第一虚拟区域：边框触摸电极的构成〉
第一虚拟区域Rd1是以提高像素区域R1的端部或者端部附近的触摸检测的灵敏度为目的的区域。如图3所示，在第一虚拟区域Rd1配置有边框触摸电极26。边框触摸电极26不与像素区域R1内的触摸电极16电连接。另外，边框触摸电极26在俯视时具有包围像素区域R1的框状。另外，在边框触摸电极26的驱动电路3侧的端部连接有边框触摸电极布线26a。边框触摸电极26经由边框触摸电极布线26a连接于驱动电路3。驱动电路3对边框触摸电极26提供虚拟的共通电极电压和虚拟的用于触摸检测的扫描信号。在此，“虚拟的共通电极电压”虽然不用于影像或图像，但是是以与共通电极电压相同的电压值在同一期间(进行显示的期间)内供给的电压。另外，“虚拟的用于触摸检测的扫描信号”虽然不用于配置有边框触摸电极26的位置上的触摸检测，但是是为了提高像素区域R1的端部中的触摸检测的灵敏度而供给的信号。即，“虚拟的用于触摸检测的扫描信号”是用于像素区域R1中的边框区域R2侧的端部和端部附近的触摸检测的信号。此外，“虚拟的用于触摸检测的扫描信号”在进行触摸检测的期间内发送。
在此，在以边框触摸电极的整体和虚拟阵列部的整体在俯视时重叠的方式配置的情况下，边框触摸电极的尺寸需要设定为虚拟阵列部内的虚拟像素的尺寸的整数倍的大小(倍数的大小)。与此相对，在第一实施方式中，如图4所示那样，仅边框触摸电极26和虚拟阵列部27的一部分在俯视下重叠，因此边框触摸电极26的X方向的宽度W1能够任意地设定成能够确保作为边框触摸电极26所需的面积。即，在第一实施方式中，将边框触摸电极26的宽度W1设定为不受虚拟阵列部27的尺寸左右的独立的尺寸，能够确保在边框触摸电极26的动作的观点所必要的大小(面积)。另外，在边框触摸电极26中，除了虚拟阵列部27的一部分之外，在俯视下扫描布线12重叠，但由于实质上不存在其他电极或布线，因此降低了在边框触摸电极26与其他电极或布线之间混入异物而短路的可能性。另外，在图4中，将边框触摸电极26的宽度W1图示为比虚拟阵列部27的宽度W2大，但也可以将宽度W1构成为宽度W2以下。
根据上述的结构，在与像素区域R1相邻的第一虚拟区域Rd1设置有边框触摸电极26，因此与虚拟阵列部27相比，能够将边框触摸电极26优先配置于接近触摸电极16的位置。其结果，能够提高像素区域R1的端部以及端部附近的触摸检测的灵敏度。另外，如上所述，能够任意地设定边框触摸电极26的面积，因此能够减小边框触摸电极26的负荷，能够提高来自边框触摸电极26的信号的大小。另外，由于在第二虚拟区域Rd2未设置边框触摸电极26，因此能够防止边框触摸电极26与其他布线或电极之间混入异物而短路。其结果，能够降低有源矩阵基板1变得不良的可能性(提高成品率)。
另外，如图3所示，在虚拟区域Rd中的比像素区域R1更靠纸面下侧(驱动电路3侧)的区域Rd1a，未设置第二虚拟区域Rd2(虚拟阵列部27)，仅设置第一虚拟区域Rd1(边框触摸电极26)。另外，在虚拟区域Rd中的比像素区域R1更靠纸面上侧的区域Rd1b，未设置第二虚拟区域Rd2(虚拟阵列部27)，仅设有第一虚拟区域Rd1(边框触摸电极26)。
〈第二虚拟区域：虚拟阵列部的构成〉
第二虚拟区域Rd2是以抑制有源矩阵基板1的制造工序中的不良(成品率提高)为目的的区域。具体而言，在第二虚拟区域Rd2配置有虚拟阵列部27，以保护像素区域R1内的布线、像素电极15及TFT14免受制造工序中产生的静电的影响。在此，虚拟阵列部27是在边框区域R2内形成在与形成有边框触摸电极26的层不同的层，虚拟阵列部27自身被来自有源矩阵基板1的周围的静电破坏，由此抑制像素区域R1内的像素11的静电破坏的边框元件。即，在有源矩阵基板1的制造工序中以及完成后，即使在静电从周围侵入有源矩阵基板1的情况下，由于在向像素区域R1内的像素11传递静电之前，虚拟阵列部27先被静电破坏，因此能够防止像素11内的构造物变得不良。即，虚拟阵列部27作为静电保护元件发挥功能。
如图4所示，虚拟阵列部27具有模仿像素区域R1的像素11内的构造物中的至少一部分构造物的阵列状的构造。具体而言，虚拟阵列部27包括扫描布线12的一部分、虚拟数据布线23、虚拟薄膜晶体管24(以下，称为“虚拟TFT24”)以及虚拟像素电极25。虚拟数据布线23、虚拟TFT24及虚拟像素电极25分别由与数据布线13、TFT14及像素电极15相同的层且相同的材料构成，在俯视时具有相同的形状。由此，在制造数据布线13的工序中，能够通过虚拟数据布线23抑制因从有源矩阵基板1的周围侵入的静电而破坏数据布线13。另外，在进行制造多个TFT14的工序时，能够通过虚拟TFT24抑制因从有源矩阵基板1的周围侵入的静电而破坏TFT14。另外，在进行制造多个像素电极15的工序时，能通过虚拟像素电极25抑制因从有源矩阵基板1的周围侵入的静电而破坏像素电极15。由此，在有源矩阵基板1的制造工序中，也能够保护像素区域R1的像素11内的构造物免受静电。其结果，像素区域R1的像素11内的构造物的不良率降低。
如上所述，当边框触摸电极26与其他电极或布线在俯视时重叠时，边框触摸电极26的负荷变大，容易与该其他电极或布线短路。与此相对，在第一实施方式中，虚拟阵列部27大致整体配置于第二虚拟区域Rd2。如图5所示，虚拟阵列部27的虚拟像素电极25的一部分与边框触摸电极26的一部分以隔着第四绝缘膜1e在俯视时重叠的方式配置。另外，在像素区域R1比图5示出的示例更小的情况下，边框触摸电极26的长度变小而负荷变小，因此与图5示出的例子相比，也可以增大虚拟阵列部27和边框触摸电极26在俯视下重叠的面积。
另外，在将虚拟阵列部27中包含的虚拟像素电极25的面积构成为比像素电极15的面积小的情况下，也可以虚拟阵列部27中的虚拟像素电极25以外的部分和边框触摸电极26在俯视时重叠地配置。在使虚拟阵列部27和边框触摸电极26重叠的面积变大的情况下，能够使边框区域R2小型化。
如图3所示，在区域Rd1a及Rd1b，配置有边框触摸电极26，未配置虚拟阵列部27。由此，边框触摸电极26与其他驱动电路或布线、特别是在区域Rd1a中数据布线13及触摸电极布线16a不会与第二虚拟区域Rd2的虚拟阵列部27干扰。其结果，为了防止数据布线及触摸电极布线相对于第二虚拟区域的虚拟阵列部干扰，与绕过虚拟阵列部配置的情况相比，能够减小显示面板10的边框区域R2。另外，本公开在边框区域R2即使大型化也没有问题的情况下，也可以在区域Rd1a及Rd1b设置第二虚拟区域Rd2。
(有源矩阵基板的制造方法)
接着，参照图5，对有源矩阵基板1的制造方法进行说明。
〈底涂层膜的形成〉
如图5所示，在由无碱玻璃等构成的玻璃基板1a的表面，成膜有由氧化硅和氮化硅中的至少一方构成的底涂层膜1b(第一绝缘膜)。底涂层膜1b在像素区域R1及边框区域R2上连续地形成。
〈半导体层以及虚拟半导体层的形成〉
接着，在底涂层膜1b上形成硅薄膜。然后，通过激光等对该硅薄膜进行加热后，进行冷却，将由多晶硅的薄膜构成的半导体层14b和虚拟TFT24的虚拟半导体层24b形成为同一层。之后，半导体层14b和虚拟半导体层24b被图案化为规定的形状。在第一实施方式中，半导体层14b与虚拟半导体层24b具有相同的形状。
〈栅极绝缘膜的形成〉
然后，以覆盖半导体层14b及虚拟半导体层24b的方式，成膜由氧化硅或氮化硅的薄膜构成的栅极绝缘膜1c(第二绝缘膜)，以使半导体层14b与栅极14a不接触且虚拟半导体层24b与虚拟栅极24a不接触。栅极绝缘膜1c在像素区域R1及边框区域R2上连续地形成。
〈栅极以及虚拟栅极的形成〉
而且，在栅极绝缘膜1c上，由钽、钨等高熔点的金属薄膜构成的TFT14的栅极14a、虚拟TFT24的虚拟栅极24a及扫描布线12作为同一层而成膜，分别被图案化为规定的形状。在第一实施方式中，栅极14a和虚拟栅极24a使用相同的材料图案形成为相同的形状。
〈层间膜的形成〉
而且，由氧化硅或氮化硅等薄膜构成的第三绝缘膜1d(层间膜)以覆盖栅极14a、虚拟栅极24a及扫描布线12的方式形成。第三绝缘膜1d在像素区域R1及边框区域R2上连续地形成。第三绝缘膜1d成膜后，各种接触孔形成在栅极绝缘膜1c和第三绝缘膜1d中。具体而言，形成有:配置有源极14c的一部分，用于连接半导体层14b和源极14c的接触孔；以及配置有漏极14d的一部分，用于连接半导体层14b和漏极14d的接触孔。另外，形成有:配置虚拟源极24c的一部分，用于连接虚拟半导体层24b和虚拟源极24c的接触孔；以及配置虚拟漏极24d的一部分，用于连接虚拟半导体层24b和虚拟漏极24d的接触孔。
<源极、数据布线、漏极、虚拟源极、虚拟数据布线、虚拟漏极及触摸电极布线的形成>
然后，由低电阻金属的薄膜(第二金属薄膜)构成的源极14c、数据布线13、漏极14d、虚拟源极24c、虚拟数据布线23、虚拟漏极24d以及触摸电极布线16a形成为同一层。作为“低电阻金属”，能够使用铝、铬等单膜、合金膜或与钛等的层叠金属薄膜。并且，半导体层14b的一端与源极14c连接，半导体层14b的另一端与漏极14d连接。虚拟半导体层24b的一端与虚拟源极24c连接，虚拟半导体层24b的另一端与虚拟漏极24d连接。由此，完成TFT14及虚拟TFT24。另外，通过上述工序，在玻璃基板1a上形成单片的扫描布线驱动电路12a(参照图2)。另外，使用后述的透明氧化物薄膜，用于与驱动电路3及挠性印刷基板连接的端子形成在有源矩阵基板1的边框区域R2内且不被对向基板2覆盖的区域。另外，虚拟TFT24与像素区域R1内的TFT14的平面形状相同，但不限于此。例如，可以使虚拟TFT24的面积比TFT14小，易于被静电破坏。由此，与像素区域R1内的TFT14相比，虚拟TFT24优先被静电破坏，因此，能够进一步降低像素区域R1内的TFT14的不良率。
〈平坦化膜的形成〉
在如上所述形成的扫描布线12、TFT14、虚拟TFT24、数据布线13、虚拟数据布线23、触摸电极布线16a上形成第四绝缘膜1e(平坦化膜)。作为第四绝缘膜1e，可使用由丙烯酸树脂构成的感光性树脂。然后，在第四绝缘膜1e形成用于连接漏极14d和像素电极15的接触孔15a、用于连接虚拟漏极24d和虚拟像素电极25的接触孔25a、用于连接触摸电极布线16a和触摸电极16的接触孔16e。
〈像素电极的形成〉
而且，由第一透明氧化物薄膜构成的像素电极15及虚拟像素电极25作为同一层而成膜，被图案化为规定的形状。作为第一透明氧化物薄膜，可以使用ITO(Indium TinOxide:氧化铟锡)或IZO(Indium/inc Oxide:氧化铟锌)。像素电极15被图案化为按每个像素(每个虚拟像素)被分离，整体状且为FFS方式用的在俯视时弯曲的形状。
〈分离膜的形成〉
在上述之后，形成为了将像素电极15和触摸电极16电分离，并且用于将虚拟像素电极25和边框触摸电极26电分离的分离膜1f(第五绝缘膜)。作为分离膜1f，使用氧化硅或氮化硅。并且，在分离膜1f上形成有用于连接触摸电极16与触摸电极布线16a的接触孔16e。
〈触摸电极以及边框触摸电极的形成〉
然后，成膜由第二透明氧化物薄膜构成的触摸电极16和边框触摸电极26，被图案化为规定的形状。作为第二透明氧化物薄膜，可以使用ITO或IZO。然后，在触摸电极16形成狭缝部16b。由此完成有源矩阵基板1。
[第二实施方式]
接着，参照图6至图8，对根据第二实施方式的显示装置200的构成进行说明。另外，与第一实施方式同样的结构标注与第一实施方式相同的符号，并省略说明。例如，显示装置200中的像素区域R1内的结构与第一实施方式的显示装置100中的像素区域R1内的结构相同。
图6是用于说明根据第二实施方式的显示装置200的构成的一部分的图。图7是用于说明根据第二实施方式的边框触摸电极226的构成的平面示意图。图8是沿图6的B2-B2线的有源矩阵基板201的剖面图。
另外，第二实施方式的配置于第一虚拟区域Rda1的边框触摸电极226的方式与第一实施方式的边框触摸电极26的方式不同。具体而言，边框触摸电极226包括朝向像素区域R1突出的凸部226b。凸部226b在俯视下具有沿着触摸电极16中的边框触摸电极226侧的边16c的形状的形状。具体而言，边16c具有在俯视时朝向X方向凹陷的弯曲部分。而且，凸部226b的像素区域R1侧的端边具有朝向边16c的弯曲部分在X方向上突出的弯曲部分。第一虚拟区域Rda1包括设置有凸部226b的第三虚拟区域Rda3。第三虚拟区域Rda3设置于第一虚拟区域Rda1中的像素区域R1侧。另外，在第一实施方式中，在扫描布线驱动电路12a与像素区域R1之间，边框触摸电极26中的像素区域R1侧的端边形成为与Y方向平行的直线状。
另外，第二实施方式的配置于第二虚拟区域Rda2的虚拟阵列部227的方式与第一实施方式的虚拟阵列部27的方式不同。具体而言，在第二实施方式的虚拟阵列部227未设置虚拟像素电极25，包含多个虚拟TFT224。另外，多个虚拟TFT224中的一部分配置于在俯视时与边框触摸电极226重叠的位置。
如图7所示，在边框触摸电极226中的像素区域R1的更靠纸面右侧的部分，设置有具有沿着触摸电极16的边16d的形状的凹部226c。由此，在像素区域R1的纸面左方向的端部(一端)和纸面右方向的端部(另一端)双方，边框触摸电极226成为分别沿着触摸电极16的边16c以及16d的形状。其结果，像素区域R1的一端的边框触摸电极226与另一端的边框触摸电极226为相同的大小，能提高触摸电极16的灵敏度。
如图6所示，第二实施方式的显示装置200具备边框触摸电极布线226a。边框触摸电极布线226a例如由金属薄膜构成。由此，能够降低边框触摸电极226的负荷。边框触摸电极布线226a由作为数据布线13的材料的上述第二金属薄膜(低电阻金属的薄膜)构成。并且，如图8所示，边框触摸电极226和边框触摸电极布线226a经由设置在第四绝缘膜1e(平坦化膜)上的接触孔226d连接。另外，边框触摸电极布线226a配置在边框触摸电极226的下层。另外，如图7所示，边框触摸电极布线226a在俯视下与虚拟TFT224的至少一部分重叠配置。这样，边框触摸电极226的一部分、边框触摸电极布线226a的一部分和虚拟TFT224的一部分重叠配置，因此能够缩小用于配置该些的面积。
在第二实施方式中，与第一实施方式相比，配置有更多的虚拟阵列部227，并且，虚拟阵列部227与框缘触摸电极226重叠的区域大。但是，在第二实施方式中，由于虚拟阵列部227不包含虚拟像素电极，仅由虚拟TFT224构成，所以边框触摸电极226和虚拟阵列部227在俯视时重叠的面积缩小。由此，能够降低在边框触摸电极226与其他电极之间因异物而短路的可能性。
另外，多个虚拟TFT224的纸面左右方向的配置间隔的大小P1(间距)比像素区域R1的TFT14的配置间隔的大小P2(间距)小。由此，即使虚拟区域Rda的大小与第一实施方式的虚拟区域Rd相同，与第一实施方式相比，也能够配置多个虚拟TFT224。其结果，即使因静电而从有源矩阵基板1的端部开始依次进行ESD破坏，也能够降低像素区域R1的TFT14被破坏的可能性。另外，虚拟TFT224与像素区域R1内的TFT14的平面形状相同，但不限于此。例如，虚拟TFT224可以不具有通过接触孔连接的虚拟源极或虚拟漏极。另外，例如，也可以使虚拟TFT224的配置方向与像素区域R1内的TFT14不同。另外，虚拟TFT224由虚拟栅极224a、栅极绝缘膜1c、与虚拟栅极交叉的虚拟半导体层224b构成，但可以虚拟栅极224a从不是扫描布线12分支的图案，虚拟栅极224a也可以是扫描布线12本身。
第三虚拟区域Rda3是以抑制由于像素区域R1内的多个像素11内的构造物所具有的电路常数的不均匀性(不连续性)而导致的显示品质降低为目的的区域。对电路常数的影响很大的因素之一是寄生电容。因此，在第三虚拟区域Rda3中形成寄生电容，防止显示品质的降低。
在此，寄生电容在接近的电极之间产生。因此，第三虚拟区域Rda3设置在第一虚拟区域Rda1中的靠近像素区域R1一侧的部分。另外，第三虚拟区域Rda3接近像素区域R1的数据布线13和触摸电极16。
如图6所示，触摸电极16具有以Y轴为中心的非线对称的形状。由此，与触摸电极16相比纸面左侧的边框触摸电极226的凸部226b的形状如图7所示，也可以是与比触摸电极16更靠纸面右侧的边框触摸电极226的凹部226c的形状不同的形状。
如图7所示，边框触摸电极226的凸部226b与触摸电极16的间隔的大小d2与在纸面左右方向上相邻的两个触摸电极16的间隔的大小d1相等。由此，能够使像素区域R1的端部附近的像素11内的构造物所具有的电路常数与像素区域R1的中央部的像素11内的构造物所具有的电路常数相同。其结果，能够实现显示的均匀化。
[第三实施方式]
接着，参照图9至图11，对根据第三实施方式的显示装置300的构成进行说明。另外，与第一或第二实施方式同样的结构标注与第一或第二实施方式相同的符号，并省略说明。
图9是用于说明根据第三实施方式的显示装置300的构成的一部分的图。图10是沿图9的B3-B3线的有源矩阵基板301的剖面图。图11是用于说明根据第三实施方式的边框触摸电极326的构成的平面示意图。
如图9所示，在第三实施方式中，除了第一虚拟区域Rdb1、第二虚拟区域Rdb2和第三虚拟区域Rdb3之外，在第一虚拟区域Rdb1内还设置有第四虚拟区域Rdb4。
第四虚拟区域Rdb4是第一虚拟区域Rdb1中的接近像素区域R1一侧的区域，并且是边框触摸电极326的图案密度被调整的区域。另外，第四虚拟区域Rdb4是用于确保像素电极15及触摸电极16的图案化的精度的区域。在此，像素电极15和触摸电极16可以使用上述制造方法(半导体形成工艺)进行图案化。然而，当比较像素区域R1的中央部分和端部时，在端部图案的疏密有时急剧变化。因此，在端部，图案化有时不能达到所希望的形状或尺寸。与此相对，在第三实施方式中，通过第四虚拟区域Rdb4，防止像素区域R1的端部处的图案化不能达到所希望的形状或尺寸。
具体而言，边框触摸电极326具有与设置在像素区域R1的触摸电极16的狭缝部16b具有相同形状的虚拟狭缝部326d。由此，触摸电极16的图案化跨过像素区域R1整体均匀地形成。另外，虚拟狭缝部326d不设置在边框触摸电极326的整体上，而仅设置在靠近像素区域R1一侧的一部分区域(第四虚拟区域Rdb4)内。由此，能够防止边框触摸电极326的面积变得过小。例如，如图11所示，设置在像素区域R1的纸面左侧及右侧的虚拟狭缝部326d为每行像素设有1个。另外，在设置于像素区域R1的纸面上侧及下侧的第四虚拟区域Rdb4上形成的虚拟狭缝部326e，在边框触摸电极326上设置与在纸面上方向或纸面下方向上相邻的狭缝部16b相同的数量。另外，虚拟狭缝部326e的Y方向的长度L2比狭缝部16b的长度L1短，例如约为三分之一。
以上，对实施方式进行了说明，但上述实施方式只不过是用于实施本发明的示例。因此，本公开并不限定于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够对上述的实施方式进行适当变形而实施。
(1)在上述第一至第三实施方式中，示出了像素电极形成在比触摸电极更下层的例子，但本公开并不限定于此。例如，也可以将像素电极形成在比触摸电极更靠上层的位置。
(2)在上述第一至第三实施方式中，示出了利用与触摸电极同一层且由同一材料(第二透明氧化物)形成边框触摸电极的例子，但本公开并不限定于此。例如，也可以由像素电极用的第一透明氧化物和触摸电极用的第二透明氧化物的层叠膜构成边框触摸电极。另外，边框触摸电极也可以不由透明的导电膜构成，而是由包含金属薄膜、金属薄膜的层叠膜构成。
(3)在上述第一至第三实施方式中，示出了在与数据布线同一层形成触摸电极布线的例子，但本公开并不限定于此。例如，可以由与数据布线不同的材料构成触摸电极布线。在该情况下，可以将触摸电极布线和数据布线以在俯视时不重叠的方式平行地配置，也可以隔着绝缘膜来层叠数据布线和触摸电极布线。
(4)在上述第一至第三实施方式中，示出了以包围像素区域的方式配置边框触摸电极的例子，但本公开并不限定于此。例如，也可以仅将像素区域中的触摸的动作容易变得不稳定的边作为对象，部分地配置边框触摸电极。即，边框触摸电极的线的宽度W1(参照图4)也可以在像素区域的周围不是固定的。例如，也可以在触摸灵敏度容易变得不稳定的像素区域的端部(边)加宽边框触摸电极的线的宽度。在此，一律地使边框触摸电极的线的宽度变宽，有时显示面板的边框变大。另外，由于边框触摸电极与扫描布线以及数据布线的交叉部增加，因此成为意料之外的不良的原因。根据本申请发明人的实验(见解)，在矩形的像素区域的情况下，在存在端子的边(下边)处触摸灵敏度稳定，在与存在端子的边交叉的方向的边(左边和右边)以及远离端子的边(上边)处触摸灵敏度容易不稳定。因此，如图12所示的变形例的边框触摸电极426那样，在将配置于有端子的边(下边:Y轴的负侧)的部分的线的宽度设为W1B、将配置于夹着像素区域而远离端子的一侧的边(上边:Y轴的正侧)的部分的线的宽度设为W1T、将配置于与端子侧的边交叉的方向的左边及右边的边框触摸电极426的线宽分别设为W1L及W1R的情况下，例如，也可以以具有以下式(1)的关系的方式构成边框触摸电极426。另外，不限于式(1)，也可以以具有式(2)或式(3)的关系的方式构成边框触摸电极426。
W1B＜W1L＝W1R＜W1T…(1)
W1B＜W1L＝W1R＝W1T…(2)
W1B＝W1L＝W1R＜W1T…(3)
另外，在上述式(1)
Figure BDA0003905965040000241
(3)中，边框触摸电极426的配置于左边的部分的线的宽度W1L和配置于右边的部分的线的宽度W1R设为相同，但不限于此。也可以在满足上述大小关系的基础上，进一步以使配置于左边的部分的线的宽度W1L与配置于右边的部分的线的宽度W1R不同的方式构成边框触摸电极426。
(5)在上述第一至第三实施方式中，示出了由与边框触摸电极相同的材料或第二金属薄膜(低电阻金属的薄膜)构成边框触摸电极布线的例子，但本公开并不限定于此。例如，也可以将边框触摸电极布线由与低电阻金属的薄膜不同的金属薄膜形成。另外，也可以在边框触摸电极的下方形成虚拟数据布线，将该虚拟数据布线用作边框触摸电极布线。
(6)在上述第一至第三实施方式中，示出了将对各个触摸电极设置的触摸电极布线的条数设为一条的例子，但本公开并不限定于此。例如，也可以对一个触摸电极设置多个触摸电极布线。另外，也可以不使设置于各个触摸电极的触摸电极布线的根数相同，而对于触摸电极布线变长的触摸电极设置更多条数的触摸电极布线。另外，边框触摸电极经由触摸电极布线分时地施加用于检测虚拟的共通电极电压和虚拟的触摸的扫描信号，但不限于此。例如对触摸检测的稳定化的贡献受到限制，但出于触摸电极周围的寄生电容的均匀化的目的，也可以对边框触摸电极始终施加虚拟的共通电极电压。
(7)在上述第一至第三实施方式中，示出了在像素区域与边框区域的边界附近配置触摸电极的端部的例子，但本公开并不限定于此。触摸电极也可以越过像素区域与边框区域的边界而向外侧稍微延伸。在该情况下，即使在边框区域内，由于在存在触摸电极的区域不能配置边框触摸电极，因此第一虚拟区域从像素区域的端部或触摸电极的端部中的位于外缘侧的端部至边框触摸电极的轮廓中的位于远离像素区域的一侧的轮廓为止。
(8)在上述第一至第三实施方式中，作为边框元件的一个例子，示出了将包含虚拟开关元件和虚拟像素电极的至少一个的虚拟阵列部设置于第二虚拟区域的例子，但不限于此。例如，也可以由用二极管或曲折的电阻部件连接扫描布线和其他扫描布线的构造物、或由用二极管或曲折的电阻部件连接数据布线和其他数据布线的构造物构成边框元件。另外，也可以将边框元件与共通电极的布线连接，和/或由与接地线连接的虚拟的扫描布线、虚拟的数据布线构成，将这样的虚拟的布线构成为静电的接受者(取代像素内的构造物而接受静电的构造物)。
(9)在上述第一至第三实施方式中，作为有源矩阵基板的成品率提高对策设置有虚拟阵列部，但本公开并不限定于此。为了提高成品率，也可以以包围像素区域的方式配置布线、电极。另外，作为用于提高成品率的管理单元，例如可以配置用于识别布线、像素的行位置/列位置的图案。例如也可以将半导体层、金属薄膜、透明电极或者绝缘膜中的任一个图案化而设置在与边框触摸电极俯视时重叠的区域上的英文字母数字等记号。由于这些记号是电浮动的，所以即使与边框触摸电极短路，驱动上也没有问题。另外，不需要用于配置符号的区域，起到不增大边框的优点。
(10)在上述第一至第三实施方式中，示出了以在第一虚拟区域中，边框触摸电极与虚拟阵列部的一部分重叠的例子，但本公开并不限定于此。即，在第一虚拟区域中，边框触摸电极与虚拟阵列部不重叠。
上述显示装置也可以以如下方式进行说明。
第一构成涉及的有源矩阵基板，具备：多条扫描布线；多条数据布线，其与所述多条扫描布线交叉配置；多个开关元件，其分别配置于由所述多条扫描布线和所述多条数据布线划分的多个像素中；以及多个像素电极，其与所述开关元件连接，所述有源矩阵基板在俯视时具有设置有所述多个像素电极的像素区域与包围所述像素区域的边框区域，所述有源矩阵基板还具备：触摸电极，其在所述像素区域内与所述多个像素电极相对配置；边框触摸电极，其在所述边框区域内形成于第一层，不与所述触摸电极电连接；边框元件，其在所述边框区域内形成于与所述第一层不同的第二层，抑制所述多个像素中的至少一个像素的静电破坏，所述边框区域包含：第一区域，其在与所述像素区域相邻的位置配置有所述边框触摸电极；第二区域，其设置在相对于所述第一区域与所述像素区域相反的一侧的位置，不配置所述边框触摸电极而配置有所述边框元件(第一构成)。
根据上述第一构成，由于在边框区域设置有边框触摸电极，所以能够有效地检测像素区域的边框区域侧的端部的触摸。另外，由于抑制像素的静电破坏的边框元件配置于边框区域，因此能够防止由静电引起的像素区域中的像素内的构造物的不良的产生。而且，由于在边框区域的第二区域不配置边框触摸电极，所以与在第一区域以及第二区域双方形成边框触摸电极的情况相比，能够防止边框触摸电极与边框元件短路。
在第一构成中，所述边框元件也可以包括虚拟开关元件与虚拟像素电极中的至少一个，所述虚拟开关元件由与所述多个开关元件相同的材料且在同一层上形成，所述虚拟像素电极由与所述多个像素电极相同的材料且在同一层上形成(第二构成)。
根据上述第二构成，在边框元件包括虚拟开关元件的情况下，在进行制造多个开关元件的工序时，能够通过虚拟开关元件抑制开关元件因从有源矩阵基板的周围侵入的静电而被破坏。另外，在边框元件包含虚拟像素电极的情况下，在进行制造多个像素电极的工序时，能够通过虚拟像素电极抑制像素电极被从有源矩阵基板的周围侵入的静电破坏。
在第一或构成中，在所述第一区域内，所述边框触摸电极的至少一部分与所述边框元件中的一部分在俯视时重叠(第三构成)。
根据上述第三构成，能够使边框区域小型化相当于边框触摸电极的至少一部分与边框元件中的一部分在第一区域内重叠的量。
在第一至第三构成的任一个中，边框触摸电极也可以形成为在俯视时包围像素区域(第四构成)。
根据上述第四构成，能够提高像素区域的边缘部分的整体的触摸灵敏度。
在第一至第四构成的任一个中，所述触摸电极的所述第一区域侧的端边包括在俯视时弯曲的弯曲线部分，所述边框触摸电极的所述像素区域侧的端边包括在与所述弯曲线部分相对的位置具有沿着所述弯曲线部分的形状的部分(第五构成)。
根据上述第五构成，由于边框触摸电极的像素区域侧的端边具有沿着触摸电极的弯曲线部分的形状，因此能够使边框触摸电极与触摸电极之间的间隙变小。
在第一至第五构成的任一个中，触摸电极可以包含多个狭缝部，所述边框触摸电极具有在所述边框触摸电极中的所述像素区域侧的部分形成的孔部或缺口部(第六构成)。
在此，在半导体形成工艺中，在电极的密度急剧变化的部位，有时不会成为所希望的形状或所希望的尺寸。与此相对，根据上述第六构成，由于在边框触摸电极中的像素区域侧的部分形成孔部或缺口部，因此能够使边框触摸电极中的像素区域侧的部分的密度为接近设置有狭缝的触摸电极的密度的大小。其结果是，在触摸电极与边框触摸电极之间，电极的密度不会急剧地变化，因此能够防止触摸电极不会成为所希望的形状或所希望的尺寸。
在第六构成中，边框触摸电极的孔部或缺口部可以与多个狭缝部中的至少一个在俯视时具有相同的形状(第七构成)。
根据上述第七构成，能够使边框触摸电极中的像素区域侧的部分的密度与设置有狭缝的触摸电极的密度相同。
第八构成所涉及的显示面板具备:第一至第七的任一构成的有源矩阵基板；以及与有源矩阵基板相对配置的对向基板(第八构成)。
根据上述第八构成，能够提供能有效检测像素区域中的边框区域侧的端部的触摸、且能降低像素区域中的像素内的构造物的不良率的同时防止在边框区域内产生短路的显示面板。
第九构成所涉及的显示装置具有第八构成的显示面板和控制显示面板的控制电路(第九构成)。
根据上述第九构成，能提供能有效检测像素区域中的边框区域侧的端部的触摸且能降低像素区域中的像素内的构造物的不良率的同时防止在边框区域内产生短路的显示装置。
附图标记说明
1，201，301…有源矩阵基板，2…对向基板，3…驱动电路，10…显示面板，11…像素，12…扫描布线，13…数据布线，14…薄膜晶体管，15…像素电极，16…触摸电极，16b…狭缝部，16c，16d…边，20…控制电路23…虚拟数据布线、24、224…虚拟薄膜晶体管、24a、224a…虚拟栅极、24b、224b…虚拟半导体层、25…虚拟像素电极、26、226、326、426…边框触摸电极、27、227…虚拟阵列部、100、200、300…显示装置、226b…凸部、226c…凹部、326d、326e…虚拟狭缝部、R1…像素区域、R2…边框区域、Rd、Rda、Rdb…虚拟区域、Rd1、Rdb1…第一虚拟区域、Rd2、Rdb2…第二虚拟区域、Rda3…第三虚拟区域、Rdb4…第四虚拟区域。

Claims (9)

1.一种有源矩阵基板，具备：
多条扫描布线；
多条数据布线，其与所述多条扫描布线交叉配置；
多个开关元件，其分别配置于由所述多条扫描布线和所述多条数据布线划分的多个像素中；以及
多个像素电极，其与所述开关元件连接，
该有源矩阵基板的特征在于，
所述有源矩阵基板在俯视时具有设置有所述多个像素电极的像素区域与包围所述像素区域的边框区域，
所述有源矩阵基板还具备：
触摸电极，其在所述像素区域内与所述多个像素电极相对配置；
边框触摸电极，其在所述边框区域内形成于第一层，不与所述触摸电极电连接；
边框元件，其在所述边框区域内形成于与所述第一层不同的第二层，抑制所述多个像素中的至少一个像素的静电破坏，
所述边框区域包含：
第一区域，其在与所述像素区域相邻的位置配置有所述边框触摸电极；
第二区域，其设置在相对于所述第一区域与所述像素区域相反的一侧的位置，不配置所述边框触摸电极而配置有所述边框元件。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述边框元件包括虚拟开关元件与虚拟像素电极中的至少一个，所述虚拟开关元件由与所述多个开关元件相同的材料且在同一层上形成，所述虚拟像素电极由与所述多个像素电极相同的材料且在同一层上形成。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，在所述第一区域内，所述边框触摸电极的至少一部分与所述边框元件中的一部分在俯视时重叠。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述边框触摸电极在俯视时包围所述像素区域。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述触摸电极的所述第一区域侧的端边包括在俯视时弯曲的弯曲线部分，
所述边框触摸电极的所述像素区域侧的端边包括在与所述弯曲线部分相对的位置具有沿着所述弯曲线部分的形状的部分。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述触摸电极包括多个狭缝部，
所述边框触摸电极具有在所述边框触摸电极中的所述像素区域侧的部分形成的孔部或缺口部。
7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述孔部或者所述缺口部与所述多个狭缝部中的至少一个在俯视时具有相同的形状。
8.一种显示面板，其特征在于，具备根据权利要求1至7中任一项所述的有源矩阵基板；以及
与所述有源矩阵基板相对配置的对向基板。
9.一种显示装置，其特征在于，具备权利要求8所述的显示面板；以及
控制所述显示面板的控制电路。
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