CN115995980A - 一种高绝缘软开关的电源电路 - Google Patents

Abstract

在本申请实施例公开了一种高绝缘软开关的电源电路。在该电路中包括：直流‑直流变换电路，直流‑直流变换电路包括输入电源、输入滤波电容、变压器、谐振电容、倍压整流电路和输出滤波电容；输入电源与输入滤波电容相连，变压器与所述谐振电容与倍压整流电路相连，输出滤波电容与倍压整流电路相连，利用了变压器的不利参数漏感作为谐振电感，通过变压器与谐振电容相连，使次级整流二极管零电流关断，提高效率；利用变压器实现软开关，从而降低电磁干扰；并且，本申请的电源电路采用开环工作，结构简单，与其它电路相比，在提高性能的前提下，并无增加器件，成本低廉，便于大规模使用。

Description

一种高绝缘软开关的电源电路

技术领域

本申请涉及电力电子领域，尤其涉及一种高绝缘软开关的电源电路。

背景技术

绝缘栅双极晶体管(I nsu l atedGateBi po l arTrans i stor，I GBT)因为有高耐压，大电流，低导通压降的特点，在高电压大功率场合得了广泛的应用。

现有技术中，I GBT驱动电源方案无论是正激、反激，推挽或半桥等拓扑型式中，其开关器件都属于硬开关，即在开关器件电压电流都不为零的情况下进行开通和关断，这样将导致开关损耗使效率降低，以及高电压变化率，电压变化率造成的电磁干扰，对敏感的驱动信号产生影响，增加安全隐患。此外这几种拓扑的变压器在制造过程中，都要求高的耦合系数，以期降低漏感，减小开关动作造成的尖峰。而高的耦合系数，将导致变压器匝间电容增大，使共模干扰加大，这同样对驱动电路正常工作不利。

发明内容

本申请实施例提供了一种高绝缘软开关的电源电路，用于提高耐压强度，降低损耗和电磁干扰。

本申请提供了一种高绝缘软开关的电源电路，包括：直流-直流变换电路，所述直流-直流变换电路包括输入电源、输入滤波电容、变压器、谐振电容、倍压整流电路和输出滤波电容；

所述输入电源与所述输入滤波电容相连，所述变压器与所述谐振电容与所述倍压整流电路相连，所述输出滤波电容与所述倍压整流电路相连；

所述输入滤波电容，用于提供能量；

所述倍压整流电路，用于将交流电转换为直流电；

所述输出滤波电容，用于对输出电压进行滤波。

可选的，所述直流-直流变换电路还包括初级侧开关管，所述初级侧开关管包括第一开关管和第二开关管；所述输入滤波电容包括第一电容和第二电容；所述第一电容与所述第一开关管串联，所述第二电容与所述第二开关管串联；

所述第一电容和所述第二电容串联，构成输入滤波电容；

所述第一电容，用于在所述第一开关管导通时提供能量；

所述第二电容，用于在所述第二开关管导通时提供能量。

可选的，所述谐振电容包括第一谐振电容和第二谐振电容，所述变压器包括励磁电感和漏感；

所述励磁电感，用于为所述初级侧开关管的零电压开关提供能量；

所述第一谐振电容和所述第二谐振电容并联，构成所述谐振电容；

所述谐振电容与所述漏感串联，构成所述串并联谐振电路。

可选的，所述变压器为利用多槽骨架绕制得到。

可选的，所述倍压整流电路包括谐振电容、第一二极管和第二二极管。

可选的，所述电路还包括方波发生电路，用于生成固定频率的方波信号。

可选的，所述方波发生电路包括：双D触发器，所述双D触发器包括第一触发器和第二触发器；

所述第一触发器，用于构成方波发生器，通过所述方波发生器生成方波；

所述第二触发器，用于将所述方波发送器生成的方波进行二分频，从而输出固定频率的方波信号，所述方波信号的占空比为0.5。

可选的，所述电路还包括半桥驱动芯片，用于基于所述方波信号生成脉冲调制信号，其中，所述脉冲调制信号为所述直流-直流变换电路提供驱动。

可选的，所述脉冲调制信号的频率与所述方波信号的频率相同；所述脉冲调制信号为带死区延时的脉冲调制信号。

可选的，所述电路还包括负压产出电路，所述负压产出电路包括正电压输出电容、负电压输出电容、齐纳二极管和分压电阻；

所述正电压输出电容与所述负电压输出电容串联，所述齐纳二极管与所述负电压输出电容并联，所述分压电阻与所述齐纳二极管串联；

所述正电压输出电容，用于对正电压进行滤波；

所述负电压输出电容，用于对负电压进行滤波；

所述齐纳二极管，用于稳定所述负电压；

所述分压电阻，用于为所述齐纳二极管提供电流通路。

本申请实施例公开了一种高绝缘软开关的电源电路。在该电路中包括：直流-直流变换电路，直流-直流变换电路包括输入电源、输入滤波电容、变压器、谐振电容、倍压整流电路和输出滤波电容；输入电源与输入滤波电容相连，变压器与所述谐振电容与倍压整流电路相连，输出滤波电容与倍压整流电路相连；输入滤波电容，用于提供能量；倍压整流电路，用于将交流电转换为直流电；输出滤波电容，用于对输出电压进行滤波。由此可见，利用本申请实施例提供的方案，利用了变压器的不利参数漏感作为谐振电感，通过变压器与谐振电容相连，使次级整流二极管零电流关断，提高效率；利用变压器实现软开关，从而降低电磁干扰；并且，本申请的电源电路采用开环工作，结构简单，与其它电路相比，在提高性能的前提下，并无增加器件，成本低廉，便于大规模使用。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种高绝缘软开关的电源电路的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种直流-直流变换电路的示意图；

图3为本申请实施例提供的一种双槽骨架的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种直流-直流变换电路的示意图；

图5为本申请实施例提供的另一种直流-直流变换电路的示意图；

图6为本申请实施例提供的另一种直流-直流变换电路的示意图；

图7为本申请实施例提供的一种方波发生电路的示意图；

图8为本申请实施例提供的一种半桥驱动芯片的示意图；

图9为本申请实施例提供的一种负压产出电路的示意图。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种高绝缘软开关的电源电路，用于提高耐压强度，降低损耗和电磁干扰。

为方便理解，首先对本申请实施例的应用场景进行介绍。

随着全球气候变化对人类社会构成重大威胁，越来越多的国家将“碳中和”上升为国家战略，提出了无碳未来的愿景。2020年，中国基于推动实现可持续发展的内在要求和构建人类命运共同体的责任担当，宣布了碳达峰和碳中和的目标愿景。

在此背景下，新能源领域如新能源汽车，光伏，风电，储能等行业得到了蓬勃发展。无论新能源哪方面的应用都绕不开不开电力电子技术的应用。电力电子技术是一个庞大的学科，门类复杂，分支众多。但无论哪种领域，哪种拓扑结构都离不开半导体开关器件，可以说开关器件的性能对设备的性能起到了决定性作用。常见的开关器件有金属-氧化物半导体场效应晶体管(Meta l-Ox ide-Semiconductor Fie l d-Effect Trans i stor,MOSFET)，I GBT，可控硅等。其中，IGBT因为有高耐压，大电流，低导通压降的特点，在高电压大功率场合得了广泛的应用。

I GBT是一种电压型全控器件，它通过在其G极和E极之间施加电压来达到控制其导通或截止。合理的驱动电路是控制I GBT安全导通与截止的关键，一个优秀的驱动电路将对电力电子设备的功能，可靠性等方面带来极大提升。

在I GBT驱动方案中常见的有自举电容式，脉冲变压器式和隔离电源式。其中自举电容式是利用自举二极管以及主电路的开关导通给自举电容充电以供I GBT导通使用，具有结构简单，成本低廉的特点。但该电路是非隔离的，且工作状态依赖于主电路的占空比及导通时间。因此在高电压大功率应用场合，该方案存在安全风险，很少被采用。

脉冲变压器式是利用变压器的特性将驱动信号进行隔离放大处理，一般采用正激或推挽结构。该种驱动电路虽然能够实现隔离，但驱动信号的质量会严重依赖于驱动电路的工作状态。

隔离电源式是利用DC-DC隔离拓扑搭建一个专门为I GBT开通关断提供能量的稳定电源，驱动信号通过光耦、电容或磁隔离的方式进行传输，这样就将驱动信号与隔离电源完全解耦，互不干扰，应用灵活，安全可靠。

因此，基于设备可靠性安全性的考虑，在大功率高电压的应用场合，常采用隔离电源式为IGBT开关驱动提供能量。目前，市场上常采用的I GBT驱动电源方案有正激，反激，推挽，半桥等拓扑型式。这些拓扑因结构简单，成本低廉的特点获得了大规模的应用。但因其拓扑特性，各自都存在一些缺点。如正激拓扑，必须添加额外的磁复位电路才能够正常工作；反激拓扑，开关管所受应力较大，干扰严重，且需要工作在闭环状态下，这无疑增加了电路的复杂性。

因此本申请提出一种高绝缘软开关的电源电路。该电路具有高耐压等级，低电磁干扰的特性，简单易实现，稳定可靠。该电路工作在开环固定开关频率的条件下，通过调整变压器漏感及谐振电容的参数，可使电路工作在软开关的状态下。如图1所示，该电路具体包括方波发生电路、半桥驱动芯片、直流-直流变换电路和负压产出电路。由方波发生电路生成一个固定频率的方波信号，方波信号输入至半桥驱动芯片，从而产生一组脉冲调制信号，该脉冲调制信号为直流-直流变换电路提供驱动，直流-直流变换电路将经过变换的直流电输入到负压产出电路中。

参见图2，该图为本申请实施例提供的一种直流-直流变换电路的示意图。

本申请实施例提供的直流-直流变换电路的示意图，包括：输入电源V_in、输入滤波电容、变压器、谐振电容、倍压整流电路和输出滤波电容C3。

输入电源与所述输入滤波电容相连，变压器与谐振电容与倍压整流电路相连，输出滤波电容与所述倍压整流电路相连。输入滤波电容，用于提供能量；倍压整流电路，用于将交流电转换为直流电；输出滤波电容C3，用于对输出电压进行滤波。

具体的，输入电源V_in是一个固定电压值，可以为常用的15V、24V等，需要说明的是，本申请并不限制输入电压的电压值，可根据实际情况选择合适的固定电压值。

具体的，输出滤波电容C3在该电路中起到滤波和能量支撑的作用。

在本申请实施例中，直流-直流变换电路还包括初级侧开关管，所述初级侧开关管包括第一开关管MOS1和第二开关管MOS2；输入滤波电容包括第一电容C1和第二电容C2；第一电容C1与第一开关管MOS1串联，第二电容C2与第二开关管MOS2串联。

第一电容器C1和第二电容器C2串联组成输入滤波电容，第一电容器C1在第一开关管MOS1导通时提供能量，第二电容器C2在第二开关管MOS2导通时提供能量。

在本申请实施例中，变压器T1为高频变压器，起到电压变换及隔离的作用。变压器T1利用电磁感应的原理传输电能，通过调节初次级的匝比实现电压变换的功能。变压器的初次级之间不存在直接的电路连接，而是靠电磁感应传递能量的，故变压器两端实现了隔离。变压器T1包括励磁电感LM和漏感Lr；励磁电感LM为初级侧开关管的零电压开关(ZeroVo ltage Switch，ZVS)提供能量。

具体的，在MOS管的漏极和源极之间存在有寄生电容Cds，MOS管在开通过程中需要将Cds所存储的能量释放掉，期间电压与电流产生交叠就会产生开关损耗，即硬开关。所谓ZVS，就是在MOS管开通之前，Cds的电压已经为零，故不产生损耗。本申请实施例在MOS1和MOS2交替导通过程中，会给变压器两端即LM两端施加一个±1/2Vi n方波电压。例如，当MOS1导通，MOS2截止时，变压器输入电压为+1/2Vi n,流过LM的电流将线性上升。此时关断MOS1，由于电感电流不能突变，LM将给MOS1的Cds充电，MOS2的Cds放电。在死区时间内，MOS2的Cds放电至0。此时开通MOS2，即实现了零电压开通。

在本申请实施例中，变压器T1可以采用多槽骨架产生漏感，提高耐压等级。如图3所示的双槽骨架结构示意图，在绕线的中心区域存在一个挡墙，变压器初级侧绕组和次级侧绕组分别绕制在挡墙两侧，用以提高初次级绕组之间的绝缘等级。初次级绕制在挡墙两侧与均匀绕制在变压器骨架上相比会产生较大漏感。变压器的漏感，匝间耦合电容通常为电路中的不利寄生参数，会产生如开关尖峰，高频干扰，共模电压等影响电路正常工作的不利因素。本发明有效利用变压器漏感，实现软开关过程，能提高效率，增加开关频率，减小体积，同时降低电磁干扰。利用多槽骨架绕制变压器，减小耦合电容，增强了绝缘性能。

在本申请实施例中，谐振电容包括第一谐振电容Cr1和第二谐振电容Cr2，第一谐振电容和所述第二谐振电容并联，构成谐振电容；谐振电容与漏感Lr串联，构成LC串并联谐振电路。利用了变压器的不利参数漏感作为Lr，实现软开关过程，并且能使次级整流二极管零电流关断，提高效率。

在电流为正流向时，Cr1与输出滤波电容C3串联后与Cr2并联。由于C3为储能电容，通常C3的电容值远大于Cr1的电容值，因此，Cr1与C3串联后电容值接近C3。在电流反方向流动时，Cr2和C3串联，Cr2与C3串联后电容值接近C3，因此可近似等效为Cr1和Cr2并联，构成谐振电容，谐振电容与Lr串联组成串并联谐振电路。

在本申请实施例中，Cr1和Cr2与第一二极管D1和第二二极管D2构成倍压整流电路。

在一种可能的实现方式中，如图4所示，为本申请实施例提供的另一种直流-直流变换电路。

图4与图2中的区别为由倍压整流变为桥式整流，谐振电容Cr变为1支。若图4要和图2中实现同一电压输出，需要将变压器T1匝比变为原来的1/2。

图4所述的另一种直流-直流变换电路包括：输入电压源VDC2、输入滤波电容、变压器T1、第一开关管MOS1、第二开关管MOS2、谐振电容Cr、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4、输出滤波电容C3。

具体的，第一电容器C1和第二电容器C2串联组成输入滤波电容；第一开关管MOS1和第二开关管MOS2同变压器连接，用于功率变换；Lr为变压器T1等效漏感，与谐振电容Cr组成串联谐振网络；Lm为变压器T1励磁电感，为实现MOS管ZVS提供能量；第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4构成桥式整流电路，用于将变压器输出的交流电变为直流电。

在一种可能的实现方式中，如图5所示，为本申请实施例提供的另一种直流-直流变换电路。

图5为另一种直流-直流变换电路，具体为初级谐振对称半桥电路，相较于图2，图5所提供的直流-直流变换电路将谐振电容Cr移到了初级侧，次级侧为桥式整流，为实现图2中相同的输出电压，需要将变压器T1匝比变为原来的1/2。

图5所示的另一种直流-直流变换电路包括：输入电压源VDC3、输入滤波电容、变压器T1、第一开关管MOS1、第二开关管MOS2、谐振电容Cr、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4、输出滤波电容C3。

具体的，第一电容器C1和第二电容器C2串联组成输入滤波电容；第一开关管MOS1和第二开关管MOS2同变压器连接，用于功率变换；Lr为变压器T1等效漏感，与谐振电容Cr组成串联谐振网络；Lm为变压器T1励磁电感，为实现MOS管ZVS提供能量；第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4构成桥式整流电路，用于将变压器输出的交流电变为直流电。

在一种可能的实现方式中，如图6所示，为本申请实施例提供的另一种直流-直流变换电路。

图6为另一种直流-直流变换电路，具体初级谐振不对称半桥电路，输入滤波电容数量调整为一支，谐振电容Cr移至初级，次级侧为桥式整流，此电路为实现于图2所示电路中相同输出电压，需要将变压器匝比变为原来的1/2。

图6所示的另一种直流-直流变换电路包括：输入电压源VDC2、输入滤波电容、变压器T1、第一开关管MOS1、第二开关管MOS2、谐振电容Cr、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4、输出滤波电容C3。

具体的，第一电容器C1和第二电容器C2串联组成输入滤波电容；第一开关管MOS1和第二开关管MOS2同变压器连接，用于功率变换；Lr为变压器T1等效漏感，与谐振电容Cr组成串联谐振网络；Lm为变压器T1励磁电感，为实现MOS管ZVS提供能量；第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4构成桥式整流电路，用于将变压器输出的交流电变为直流电。

需要说明的是，本申请并不限制MOS驱动的器件，还可以使用如555定时器或其它电源管理芯片等器件产生MOS驱动。

需要说明的是，本申请实施例附图的图2、图4至图6中的“。”表示电流流动方向。

本申请实施例公开了一种高绝缘软开关的电源电路。在该电路中包括：直流-直流变换电路，直流-直流变换电路包括输入电源、输入滤波电容、变压器、谐振电容、倍压整流电路和输出滤波电容；输入电源与输入滤波电容相连，变压器与所述谐振电容与倍压整流电路相连，输出滤波电容与倍压整流电路相连；输入滤波电容，用于提供能量；倍压整流电路，用于将交流电转换为直流电；输出滤波电容，用于对输出电压进行滤波。由此可见，利用本申请实施例提供的方案，利用了变压器的不利参数漏感作为谐振电感，通过变压器与谐振电容相连，使次级整流二极管零电流关断，提高效率；利用变压器实现软开关，从而降低电磁干扰；并且，本申请的电源电路采用开环工作，结构简单，与其它电路相比，在提高性能的前提下，并无增加器件，成本低廉，便于大规模使用。

参见图7，该图为本申请实施例提供的一种方波发生电路的示意图。

本申请实施例提供的方波发生电路的示意图，包括：双D触发器、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1和第二二极管D2。

方波发生电路，用于生成固定频率的方波信号。

具体的，CD4013为双D触发器，它是由两个一样的、彼此独立的数据型触发器构成。每个触发器都有独立的数据(D)、置位(S)、复位(R)，时钟输入(CP)、输出(Q和

)引脚。

CD4013的第一个触发器与R1，C1和D1以及R2，C2和D2组成一个方波发生器。当初始上电时，Q1输出低电平，

输出高电平，通过R1向C1充电；当C1充电至S1的触发电平时，触发器输出反转，此时Q1为高电平，它将通过R2向C2充电，C1则通过D1快速放电；当C2充电至R1的触发电平时，触发器将再次发生反转，C1充电，C2放电。如此反复，CD4013的第一个触发器将输出一个方波信号，频率及占空比由R1，C1，R2，C2的参数共同决定。

CD4013的第二个触发器的作用是将第一个触发器产生的方波进行二分频，第二触发器的时钟信号CP2的输入为第一触发器信号输出

它将输出频率固定，占空比为0.5的方波信号。

参见图8，该图为本申请实施例提供的一种半桥驱动芯片的示意图。

本申请实施例提供的半桥驱动芯片的示意图，包括：半桥驱动芯片、去耦电容C1、电容C2、二极管D1。

具体的，D1和C2为同芯片组成自举电路，为上管输出HO提供电源；HO和LO为芯片输出，为直流-直流变换电路中的MOS管提供驱动信号。

具体的，方波发生电路生成的方波信号输入至半桥驱动芯片中，从而产生一组频率与输入方波信号相等的并带死区延时的脉冲调制信号(Pu l se Width Modu l at ion，PWM)。该组信号为直流-直流变换电路提供驱动，使其正常工作。

参见图9，该图为本申请实施例提供的一种负压产生电路的示意图。

本申请实施例提供的负压产生电路的示意图，包括：正电压输出电容、负电压输出电容、齐纳二极管和分压电阻。

具体的，正电压输出电容与负电压输出电容串联，齐纳二极管与负电压输出电容并联，分压电阻与齐纳二极管串联。正电压输出电容，用于对正电压进行滤波；负电压输出电容，用于对负电压进行滤波；齐纳二极管，用于稳定负电压；分压电阻，用于为齐纳二极管提供电流通路。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

以上的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上仅为本发明的具体实施方式而已。

以上，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种高绝缘软开关的电源电路，其特征在于，所述电路包括：直流-直流变换电路，所述直流-直流变换电路包括输入电源、输入滤波电容、变压器、谐振电容、倍压整流电路和输出滤波电容；

所述输入电源与所述输入滤波电容相连，所述变压器与所述谐振电容与所述倍压整流电路相连，所述输出滤波电容与所述倍压整流电路相连；

所述输入滤波电容，用于提供能量；

所述倍压整流电路，用于将交流电转换为直流电；

所述输出滤波电容，用于对输出电压进行滤波。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述直流-直流变换电路还包括初级侧开关管，所述初级侧开关管包括第一开关管和第二开关管；所述输入滤波电容包括第一电容和第二电容；所述第一电容与所述第一开关管串联，所述第二电容与所述第二开关管串联；

所述第一电容和所述第二电容串联，构成输入滤波电容；

所述第一电容，用于在所述第一开关管导通时提供能量；

所述第二电容，用于在所述第二开关管导通时提供能量。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述谐振电容包括第一谐振电容和第二谐振电容，所述变压器包括励磁电感和漏感；

所述励磁电感，用于为所述初级侧开关管的零电压开关提供能量；

所述第一谐振电容和所述第二谐振电容并联，构成所述谐振电容；

所述谐振电容与所述漏感串联，构成所述串并联谐振电路。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述变压器为利用多槽骨架绕制得到。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述倍压整流电路包括谐振电容、第一二极管和第二二极管。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括方波发生电路，用于生成固定频率的方波信号，所述方波信号的占空比为0.5。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述方波发生电路包括：双D触发器，所述双D触发器包括第一触发器和第二触发器；

所述第一触发器，用于构成方波发生器，通过所述方波发生器生成方波；

所述第二触发器，用于将所述方波发送器生成的方波进行二分频，从而输出固定频率的方波信号。

8.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述电路还包括半桥驱动芯片，用于基于所述方波信号生成脉冲调制信号，其中，所述脉冲调制信号为所述直流-直流变换电路提供驱动。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述脉冲调制信号的频率与所述方波信号的频率相同；所述脉冲调制信号为带死区延时的脉冲调制信号。

10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括负压产出电路，所述负压产出电路包括正电压输出电容、负电压输出电容、齐纳二极管和分压电阻；

所述正电压输出电容与所述负电压输出电容串联，所述齐纳二极管与所述负电压输出电容并联，所述分压电阻与所述齐纳二极管串联；

所述正电压输出电容，用于对正电压进行滤波；

所述负电压输出电容，用于对负电压进行滤波；

所述齐纳二极管，用于稳定所述负电压；

所述分压电阻，用于为所述齐纳二极管提供电流通路。

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