CN115985580A - 银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层，得到第一复合层，氧化物层选自二氧化硅层或氧化锌层；将第一复合层进行热等静压处理，得到第二复合层；在第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜，并去掉金属基板，得到第三复合层；提供透明导电层，透明导电层包括层叠设置的透明衬底和银纳米线层，将第三复合层转印至银纳米线层的表面，并剥离有机硅离型膜，得到预处理导电薄膜；将预处理导电薄膜进行冷等静压处理，得到银纳米线透明导电薄膜。本发明制备方法能够显著提高银纳米线透明导电薄膜可靠性，同时保证银纳米线透明导电薄膜具有高透过率。

Description

银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用

技术领域

本发明涉及透明导电薄膜技术领域，特别是涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。

背景技术

银纳米线透明导电薄膜不仅光电性能优异，而且制备工艺简单，具有易实现大面积成膜、可弯折以及价格低廉等优势，是铟锡氧化物（ITO）薄膜的最佳替代产品，可广泛应用于触控、显示、光伏、除霜除雾玻璃、防电磁干扰透明窗等领域。当银纳米线透明导电薄膜用于加热领域时，对其热稳定性和化学稳定性要求较高，需要在其表面沉积一层保护层，以防止银纳米线的氧化和表面原子扩散。

采用旋涂、喷涂或者涂布等传统湿法工艺制备的保护层致密性较差，透水率和透氧率难以达到10^-4的数量级，从而在通电加热时，极易导致银纳米线透明导电薄膜性能失效，可靠性不佳。并且，湿法工艺制备的膜层均匀性难以控制，膜层过厚不仅会影响银纳米线透明导电薄膜的加热性能，而且会降低银纳米线透明导电薄膜的透过率。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用；所述制备方法能够显著提高银纳米线透明导电薄膜可靠性，同时，保证银纳米线透明导电薄膜具有高透过率。

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层，得到第一复合层，其中，所述氧化物层选自二氧化硅层或者氧化锌层；

将所述第一复合层进行热等静压处理，得到第二复合层；

在所述第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜，并去掉所述金属基板，得到第三复合层；

提供透明导电层，所述透明导电层包括层叠设置的透明衬底和银纳米线层，将所述第三复合层转印至所述透明导电层的银纳米线层表面，并剥离所述有机硅离型膜，得到预处理导电薄膜；

将所述预处理导电薄膜进行冷等静压处理，得到银纳米线透明导电薄膜。

在其中一个实施例中，采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层的步骤中，所述氧化物层的厚度为30μm-60μm。

在其中一个实施例中，所述热等静压处理的温度为1000℃-1200℃，压力为100MPa-200MPa，时间为1h-2h。

在其中一个实施例中，在所述第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜的步骤中，设置有机硅离型膜的方式选自加压贴合，所述加压贴合的压力为10MPa-15MPa。

在其中一个实施例中，所述加压贴合的压力为10MPa-15MPa。

在其中一个实施例中，去掉所述金属基板的方法选自湿法刻蚀。

在其中一个实施例中，所述透明导电层采用硅烷偶联剂与银纳米线的混合液沉积于透明衬底的任一表面得到。

在其中一个实施例中，在混合液中，所述硅烷偶联剂与所述银纳米线的质量比为1:10-1:15。

在其中一个实施例中，所述冷等静压处理的压力为100MPa-200MPa，时间为10min-15min。

一种由如上所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法制备得到的银纳米线透明导电薄膜，所述银纳米线透明导电薄膜包括透明衬底，以及依次层叠设置于所述透明衬底表面的银纳米线层和氧化物保护层。

一种如上所述的银纳米线透明导电薄膜在摄像机视窗中的应用。

本发明所述的制备方法，先采用磁控溅射的方法沉积二氧化硅层或者氧化锌层，然后进行热等静压，能够使二氧化硅层或者氧化锌层发生晶体转变，实现分子重排，再利用冷等静压中的液体压力介质，确保银纳米线层与氧化物保护层之间每一处都受力均匀、紧密贴合。一方面，利用磁控溅射沉积与热等静压工艺的协同作用，能够得到紧密排列的晶体结构，同时排出气孔，从而显著提高氧化物保护层的致密性，并且冷等静压处理能够有效阻止水汽的侧面浸入，进而能够显著提高银纳米线透明导电薄膜的可靠性；另一方面，晶体转变后的二氧化硅层或者氧化锌层作为氧化物保护层具有高透过率，同时冷等静压处理有利于提高银纳米线透明导电薄膜的均匀性，从而使银纳米线透明导电薄膜能够保持高透过率。因此，使用本发明制备的银纳米线透明导电薄膜的摄像机视窗可靠性更好，摄像机视窗能够更好的应用于高湿度、极低温度等环境下。

附图说明

图1为本发明一实施方式中银纳米线透明导电薄膜的制备方法流程示意图。

其中，10、第一复合层；20、第二复合层；30、第三复合层；40、透明导电层；50、银纳米线透明导电薄膜；501、透明衬底；502、银纳米线层；503、氧化物保护层。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更详细的描述。但是，应当理解，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式或实施例。相反地，提供这些实施方式或实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式或实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

结合图1所示，为本发明提供的银纳米线透明导电薄膜50的制备方法，包括如下步骤：

S1，采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层，得到第一复合层10，其中，所述氧化物层选自二氧化硅层或者氧化锌层；

S2，将所述第一复合层10进行热等静压处理，得到第二复合层20；

S3，在所述第二复合层20的氧化物层表面设置有机硅离型膜，并去掉所述金属基板，得到第三复合层30；

S4，提供透明导电层40，所述透明导电层40包括层叠设置的透明衬底501和银纳米线层502，将所述第三复合层30转印至所述透明导电层40的银纳米线层502表面，并剥离所述有机硅离型膜，得到预处理导电薄膜；

S5，将所述预处理导电薄膜进行冷等静压处理，得到银纳米线透明导电薄膜50。

本发明先利用磁控溅射法沉积二氧化硅层或者氧化锌层，再通过热等静压工艺，使二氧化硅层或者氧化锌层发生分子重排，实现从非晶结构转变为紧密排列的晶体结构，同时排出气孔，一方面，能够显著提高氧化物保护层503的致密性；另一方面，晶体转变后的二氧化硅层或者氧化锌层作为氧化物保护层503具有高透过率，有利于使银纳米线透明导电薄膜50能够保持高透过率。

步骤S1中，氧化物层的厚度为30μm-60μm，优选为40μm-50μm，该厚度的氧化物层有利于分子重排过程中充分排出气孔，同时能够保持较高的透过率。

为了在金属基板上磁控溅射沉积高质量的氧化物层，在磁控溅射沉积制备氧化物层之前，可以先将金属基板进行超声清洗。

具体地，本发明对金属基板的选择不作限制，所述金属基板包括但不限于钛基板或者铁基板，优选为钛基板或者铁基板。

为了进一步确保二氧化硅层或者氧化锌层能够充分实现晶体转变，优选地，步骤S2中所述热等静压处理的温度为1000℃-1200℃，优选为1000℃-1100℃；压力为100MPa-200MPa，优选为120MPa-180MPa；时间为1h-2h，优选为1h-1.5h。

步骤S3中，在所述第二复合层20的氧化物层表面设置有机硅离型膜，可以便于实现氧化物层在后续制备过程中的转移及复合。

为了使有机硅离型膜能够紧密贴合至第二复合层20的氧化物层表面的同时，在后续制备过程中还能够便于剥离，优选地，在所述第二复合层20的氧化物层表面设置有机硅离型膜的步骤中，设置有机硅离型膜的方式选自加压贴合，更优选地，所述加压贴合的压力为10MPa-15MPa。

具体地，本发明对有机硅离型膜的选择不作限制，所述有机硅离型膜包括但不限于聚二甲基硅氧烷（PDMS）膜，优选为PDMS膜。

考虑到第二复合层20以及有机硅离型膜组合三层结构中各层材质之间的差异，为了充分去除金属基板的同时，不破坏第二复合层20的氧化物层和有机硅离型膜，去掉所述金属基板的方法优选为湿法刻蚀。

具体地，所述湿法刻蚀可以选自盐酸刻蚀或者硝酸刻蚀。

步骤S4中，为了进一步提高银纳米线层502与第三复合层30之间的结合效果，降低层间应力，所述透明导电层40采用硅烷偶联剂与银纳米线的混合液沉积于透明衬底的任一表面得到，利用硅烷偶联剂对银纳米线进行表面改性，有利于实现银纳米线层502与第三复合层30之间的化学键合。

优选地，在混合液中，硅烷偶联剂与银纳米线的质量比为1:10-1:15。

其中，本发明对银纳米线层502的沉积工艺不作限制，包括但不限于喷涂沉积、旋涂沉积、涂布沉积、静电吸附沉积或者化学键合沉积。

具体地，本发明对硅烷偶联剂的选择不作限制，所述硅烷偶联剂包括但不限于3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基硅烷中的至少一种，优选为3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基硅烷中的至少一种。

本发明对透明衬底501的具体选择也不作限制，所述透明衬底501包括但不限于聚芳醚腈（PEN）衬底、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）衬底、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）衬底中的至少一种，优选为PEN衬底、PET衬底或者PMMA衬底。

步骤S5中，利用冷等静压中的液体压力介质，能够使银纳米线层502与氧化物层之间每一处都受力均匀、紧密贴合，一方面，能够有效阻止水汽的侧面浸入，进一步提高银纳米线透明导电薄膜50的可靠性；另一方面，有利于提高银纳米线透明导电薄膜50的均匀性，使银纳米线透明导电薄膜50保持高透过率。

同时，冷等静压处理过程中对银纳米线层502产生施加的压力，也有利于降低银纳米线层502中银纳米线的结点电阻，从而降低银纳米线透明导电薄膜50的方阻，进一步提高银纳米线透明导电薄膜50的可靠性和加热性能。

优选地，所述冷等静压处理的压力为100MPa-200MPa，时间为10min-15min。

本发明还提供一种由如上所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法制备得到的银纳米线透明导电薄膜50，所述银纳米线透明导电薄膜50包括透明衬底501，以及依次层叠设置于所述透明衬底501表面的银纳米线层502和氧化物保护层503。

本发明所述的银纳米线透明导电薄膜50具有较高的透光率、较低的方阻以及优异的致密性，不受使用环境中湿度、含氧量等条件的限制，可靠性优异，能够广泛应用于各种不同的恶劣使用环境中。

本发明还提供一种银纳米线透明导电薄膜50在摄像机视窗中的应用。

本发明所述的银纳米线透明导电薄膜50用于摄像机视窗，可以达到优异的除雾除霜效果，解决因视窗起雾起霜造成拍摄影像不清晰等问题；另外，由于本发明的银纳米线透明导电薄膜50具有优异的可靠性，使得使用本发明银纳米线透明导电薄膜50的摄像机视窗可靠性更好，摄像机视窗能够更好的应用于高湿度、极低温度等环境下。

以下，将通过以下具体实施例对所述银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用做进一步的说明。

实施例1

在超声状态下分别用丙酮和乙醇清洗钛基板15min，并自然干燥，然后通过磁控溅射，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为30μm的二氧化硅层，得到第一复合层。

将第一复合层置于热等静压设备中，调控温度为1100℃，施加压力为100MPa，并持续1h，得到第二复合层。

于10MPa的施加压力条件下，将聚二甲基硅氧烷膜加压贴合至第二复合层的二氧化硅层表面，然后将其置于盐酸中浸泡直至金属基板被完全刻蚀，得到第三复合层。

采用甲基丙烯酰氧基硅烷分散银纳米线，并通过喷涂工艺将质量比为1:10的甲基丙烯酰氧基硅烷与银纳米线的混合液沉积于聚对苯二甲酸乙二酯衬底表面，得到银纳米线导电层，并将第三复合层转印至银纳米线导电层的表面，剥离聚二甲基硅氧烷膜，得到预处理导电薄膜。

于100MPa的施加压力条件下，将预处理导电薄膜进行冷等静压处理10min，得到银纳米线透明导电薄膜。

实施例2

在超声状态下分别用丙酮和乙醇清洗钛基板15min，并自然干燥，然后通过磁控溅射，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为40μm的氧化锌层，得到第一复合层。

将第一复合层置于热等静压设备中，调控温度为1150℃，施加压力为140MPa，并持续1.5h，得到第二复合层。

于12MPa的施加压力条件下，将聚二甲基硅氧烷膜加压贴合至第二复合层的氧化锌层表面，然后将其置于盐酸中浸泡直至金属基板被完全刻蚀，得到第三复合层。

采用甲基丙烯酰氧基硅烷分散银纳米线，并通过旋涂工艺将质量比为1:12的甲基丙烯酰氧基硅烷与银纳米线的混合液沉积于聚对苯二甲酸乙二酯衬底表面，得到银纳米线导电层，并将第三复合层转印至银纳米线导电层的表面，剥离聚二甲基硅氧烷膜，得到预处理导电薄膜。

于135MPa的施加压力条件下，将预处理导电薄膜进行冷等静压处理10min，得到银纳米线透明导电薄膜。

实施例3

在超声状态下分别用丙酮和乙醇清洗钛基板15min，并自然干燥，然后通过磁控溅射，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为50μm的二氧化硅层，得到第一复合层。

将第一复合层置于热等静压设备中，调控温度为1200℃，施加压力为180MPa，并持续1.5h，得到第二复合层。

于14MPa的施加压力条件下，将聚二甲基硅氧烷膜加压贴合至第一复合层的二氧化硅层表面，然后将其置于盐酸中浸泡直至金属基板被完全刻蚀，得到第三复合层。

采用γ-脲基丙基三乙氧基硅烷分散银纳米线，并通过喷涂工艺将质量比为1:15的γ-脲基丙基三乙氧基硅烷与银纳米线的混合液沉积于聚对苯二甲酸乙二酯衬底表面，得到银纳米线导电层，并将第三复合层转印至银纳米线导电层的表面，剥离聚二甲基硅氧烷膜，得到预处理导电薄膜。

于170MPa的施加压力条件下，将预处理导电薄膜进行冷等静压处理15min，得到银纳米线透明导电薄膜。

实施例4

在超声状态下分别用丙酮和乙醇清洗钛基板15min，并自然干燥，然后通过磁控溅射，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为60μm的氧化锌层，得到第一复合层。

将第一复合层置于热等静压设备中，调控温度为1000℃，施加压力为200MPa，并持续2h，得到第二复合层。

于15MPa的施加压力条件下，将聚二甲基硅氧烷膜加压贴合至，得到第二复合层的氧化锌层表面，然后将其置于盐酸中浸泡直至金属基板被完全刻蚀，得到第三复合层。

采用3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷分散银纳米线，并通过喷涂工艺将质量比为1:15的3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷与银纳米线的混合液沉积于聚对苯二甲酸乙二酯衬底表面，得到银纳米线导电层，并将第三复合层转印至银纳米线导电层的表面，剥离聚二甲基硅氧烷膜，得到预处理导电薄膜。

于200MPa的施加压力条件下，将预处理导电薄膜进行冷等静压处理12min，得到银纳米线透明导电薄膜。

实施例5

实施例5与实施例1的区别在于，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为28μm的二氧化硅层。

实施例6

实施例6与实施例1的区别在于，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为65μm的二氧化硅层。

对比例1

采用甲基丙烯酰氧基硅烷分散银纳米线，通过喷涂工艺将甲基丙烯酰氧基硅烷与银纳米线的混合液沉积于聚对苯二甲酸乙二酯衬底表面，得到银纳米线导电层。

通过磁控溅射在银纳米线导电层表面沉积厚度为30μm的二氧化硅层，作为保护层，得到银纳米线透明导电薄膜。

对比例2

采用甲基丙烯酰氧基硅烷分散银纳米线，通过喷涂工艺将甲基丙烯酰氧基硅烷与银纳米线的混合液沉积于聚对苯二甲酸乙二酯衬底表面，得到银纳米线导电层。

通过喷涂工艺在银纳米线导电层表面沉积厚度为30μm的二氧化硅层，作为保护层，得到银纳米线透明导电薄膜。

对比例3

在超声状态下分别用丙酮和乙醇清洗钛基板15min，并自然干燥，然后通过磁控溅射，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为30μm的二氧化硅层，得到第一复合层。

于100MPa的施加压力条件下，将第一复合层持续施压1h，得到第二复合层。

于10MPa的施加压力条件下，将聚二甲基硅氧烷膜加压贴合至第二复合层的二氧化硅层表面，然后将其置于盐酸中浸泡直至金属基板被完全刻蚀，得到第三复合层。

采用甲基丙烯酰氧基硅烷分散银纳米线，并通过喷涂工艺将质量比为1:10的甲基丙烯酰氧基硅烷与银纳米线的混合液沉积于聚对苯二甲酸乙二酯衬底表面，得到银纳米线导电层，并将第三复合层转印至银纳米线导电层的表面，剥离聚二甲基硅氧烷膜，得到预处理导电薄膜。

于100MPa的施加压力条件下，将预处理导电薄膜进行冷等静压处理10min，得到银纳米线透明导电薄膜。

对比例4

在超声状态下分别用丙酮和乙醇清洗钛基板15min，并自然干燥，然后通过磁控溅射，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为30μm的二氧化硅层，得到第一复合层。

将第一复合层于1100℃温度下加热处理1h，得到第二复合层。

于10MPa的施加压力条件下，将聚二甲基硅氧烷膜加压贴合至第二复合层的二氧化硅层表面，然后将其置于盐酸中浸泡直至金属基板被完全刻蚀，得到第三复合层。

采用甲基丙烯酰氧基硅烷分散银纳米线，并通过喷涂工艺将质量比为1:10的甲基丙烯酰氧基硅烷与银纳米线的混合液沉积于聚对苯二甲酸乙二酯衬底表面，得到银纳米线导电层，并将第三复合层转印至银纳米线导电层的表面，剥离聚二甲基硅氧烷膜，得到预处理导电薄膜。

于100MPa的施加压力条件下，将预处理导电薄膜进行冷等静压处理10min，得到银纳米线透明导电薄膜。

对比例5

对比例5与实施例1的区别在于，通过原子层沉积法（ALD）代替磁控溅射法，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为30μm的二氧化硅层。

对比例6

对比例6与实施例1的区别在于，在清洗后的钛基板表面沉积厚度为30μm的氧化铝层。

将实施例1-实施例6和对比例1-对比例6制备得到的银纳米线透明导电薄膜分别进行透光率、透水率、透氧率以及方阻性能测试，测试结果如表1所示。

根据表1可知，实施例1-实施例6制备得到的银纳米线透明导电薄膜具有较高的透光率和较低的方阻，并且透水率和透氧率均达到10^-4的数量级。而对比例1-对比例6制备得到的银纳米线透明导电薄膜的透光率、方阻不及实施例1-实施例6优异，透水率和透氧率最高仅达到10^-3的数量级。

应用实施例

分别将实施例1-实施例6和对比例1-对比例6制备得到的银纳米线透明导电薄膜分别用于摄像机视窗，作为样品1-样品12进行可靠性测试：在环境设定温度为85℃、湿度为85%以及输入电压为12V的条件下，测定样品1-样品12保持加热性能不变的工作时长。测试结果如表2所示。

根据表2可知，样品1-样品6在温度为85℃、湿度为85%的环境条件下，能够稳定工作，且工作时长高达559h以上。而样品7-样品12在温度为85℃、湿度为85%的工作时长最低仅2h左右。因此，本发明提供的制备方法能够显著提高银纳米线透明导电薄膜的可靠性，从而使银纳米线透明导电薄膜应用于摄像机视窗，在高湿度和高含氧量的工作环境中，仍可以保持优异的加热效果。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层，得到第一复合层，其中，所述氧化物层选自二氧化硅层或者氧化锌层；

将所述第一复合层进行热等静压处理，得到第二复合层；

在所述第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜，并去掉所述金属基板，得到第三复合层；

提供透明导电层，所述透明导电层包括层叠设置的透明衬底和银纳米线层，将所述第三复合层转印至所述透明导电层的银纳米线层表面，并剥离所述有机硅离型膜，得到预处理导电薄膜；

将所述预处理导电薄膜进行冷等静压处理，得到银纳米线透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层的步骤中，所述氧化物层的厚度为30μm-60μm。

3.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述热等静压处理的温度为1000℃-1200℃，压力为100MPa-200MPa，时间为1h-2h。

4.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜的步骤中，设置有机硅离型膜的方式选自加压贴合，所述加压贴合的压力为10MPa-15MPa。

5.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，去掉所述金属基板的方法选自湿法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述透明导电层采用硅烷偶联剂与银纳米线的混合液沉积于透明衬底的任一表面得到。

7.根据权利要求6所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，在混合液中，所述硅烷偶联剂与所述银纳米线的质量比为1:10-1:15。

8.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述冷等静压处理的压力为100MPa-200MPa，时间为10min-15min。

9.一种由如权利要求1至权利要求8任一项所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法制备得到的银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，包括透明衬底，以及依次层叠设置于所述透明衬底表面的银纳米线层和氧化物保护层。

10.一种如权利要求9所述的银纳米线透明导电薄膜在摄像机视窗中的应用。

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