CN115933306B - 光学临近修正方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种光学临近修正方法，通过从所有主图形中筛选出所有金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；然后，从所有主图形中筛选出所有相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；接着，从第二图形组中筛选出与第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；最后，调整第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。本发明提供的方法能够同时兼顾光刻工艺窗口和OPC收敛度，并且可以避免电路连接问题，提高产品良率。

Description

光学临近修正方法

技术领域

本发明涉及及半导体制造技术领域，特别涉及一种光学临近修正方法。

背景技术

基于模型的光学临近效应修正（model-based OPC，MB-OPC)从90nm技术节点开始广泛使用。 然而，随着节点的一步步推进，版图布局也变得越来越复杂。在OPC修正过程中难免会遇到工艺窗口和OPC收敛度形成冲突的情况。目前业界的做法是牺牲OPC收敛度，以保证晶圆上的光刻胶不会出现桥接的现象。具体方法是，设定OPC修正后图形的线宽CD或者间距space的最小值为X，以避免出现在OPC修正后图形的线宽CD或间距space小于X而导致晶圆上光刻胶上的图形出现桥接的问题。然而，这种做法会出现一些缺陷，特别对于金属层，容易出现上下层套刻精度差的问题，同时金属层可能没有完全覆盖接触孔或者通孔，导致电路连接问题，影响产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光学临近修正方法，以在保证版图的工艺窗口的同时，改善版图的OPC收敛度，还能够避免电路连接问题，提高产品良率。

为了实现上述目的以及其他相关目的，本发明提供了一种光学临近修正方法，包括以下步骤：

确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图包括多个主图形，且每个所述主图形包括金属层图形和被所述金属层图形覆盖的孔结构图形；

从所有所述主图形中筛选出所有所述金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；

从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；

从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；

调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：

对所有所述主图形进行光学临近修正，获得光学临近修正后的图形；

从所述光学临近修正后的图形中筛选出所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内的光学临近修正后的图形组；

根据筛选出的所述光学临近修正后的图形组确定出对应的主图形组。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：

确定所述主图形对应的符合相邻主图形的版图设计规则的第二版图规则值，且根据所述第二版图规则值获取第二预设范围，并筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距位于所述第二预设范围内的主图形组，以保证所述主图形组中的所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述第二预设范围为所述第二版图规则值~所述第二版图规则值+N，且N的范围为1/4的所述第二版图规则值~1/3的所述第二版图规则值。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述第一预设范围为掩膜规则值~掩膜规则值+m，所述m的范围为1nm~2nm，所述掩膜规则值是根据所述主图形对应的版图掩膜设计规则确定的。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述预设值的范围为1.5倍的第一版图规则值~2倍的第一版图规则值，所述第一版图规则值是根据所述主图形中的所述金属层图形和所述孔结构图形对应的版图设计规则确定的。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度的步骤包括：

利用基于模型的光学临近修正软件，对所述第三图形组中的每个所述主图形的线边进行光学临近修正，并在光学临近修正的过程中通过调整所述主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，在从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组的步骤中，确认出重叠的主图形；在调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度的步骤中，限制所述重叠的主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形均完全覆盖孔结构图形。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述重叠的主图形的末端线条迭代时向外生长的长度为5nm~10nm。

可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述孔结构图形包括接触孔图形和/或通孔图形。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：

本发明提供了一种光学临近修正方法，通过从所有主图形中筛选出所有金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；然后，从所有主图形中筛选出所有相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；接着，从第二图形组中筛选出与第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；最后，调整第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形，以保证修正后的主图形的OPC收敛度和工艺窗口符合设计要求，同时解决了由于金属层没有完全覆盖孔结构造成的电路连接问题，提高套刻精度以及产品良率。

附图说明

图1是一种光学临近修正后的图形；

图2是相邻两个光学临近修正后的图形之间的线端间距小于X时的结构示意图；

图3根据图2中的图形对晶圆进行曝光后获得的光刻胶的图形的扫描电镜图；

图4是相邻两个光学临近修正后的图形之间的线端间距不小于X时的结构示意图；

图5是根据图4中的图形对晶圆进行曝光后获得的光刻胶的图形的扫描电镜图；

图6是仿真出曝光后的光刻胶图形的结构示意图；

图7是本发明一实施例的光学临近修正方法的流程图；

图8是本发明一实施例中的选中两个主图形的金属层图形的末端线条的结构示意图；

图9是本发明一实施例中的筛选出的金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形的结构示意图；

图10是本发明一实施例中的筛选出的相邻的两个光学临近修正后的图形的结构示意图；

图11是根据图10中筛选出的相邻的两个光学临近修正后的图形确定出对应的相邻的两个主图形以及该两个主图形的末端线条的结构示意图；

图12是本发明另一实施例中的筛选出的两个主图形的结构示意图；

图13是本发明一实施例中的筛选出的重叠的主图形的结构示意图；

图14是本发明一实施例中的限制末端线条迭代时向外生长的结构示意图；

图1~图6中：

01-测试版图，0111-第一金属层图形，0112-第一孔结构图形，0121-第二金属层图形，0122-第二孔结构图形，02-光刻胶图形，021-第一光刻胶图形，022-第二光刻胶图形，03-光学临近修正后的图形，031-第一光学临近修正后的图形，032-第二光学临近修正后的图形，04-光刻胶；

图7~图14中：

11-金属层图形，12-孔结构图形，20-光刻胶图形，30-光学临近修正后的图形。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

承如背景技术所述，目前，为了避免光学邻近效应而对版图进行修正的技术为光学邻近修正(OpticalProximity Correction，OPC)技术。在基于模型的光学临近修正方法得到广泛应用后，一般的光学临近效应都能得到很好的补偿，使得最终在芯片上的图形能尽量接近目标图形的尺寸和形状。而基于模型的OPC修正方法是通过模拟不同版图在特定条件下的光刻图形，从而补偿光学临近效应引起的图形失真，并通过不断的修正和模拟得到能最接近目标图形的修正后版图。

所述基于模型的OPC修正方法使用光学模形和光刻胶模型来计算出曝光后的图形。参阅图1，基于模型的光学临近效应修正软件首先把测试版图01的边缘识别出来，让每一个边缘都可以自由移动。一般所述测试版图01的边缘上会存在多个格点，通过格点来实现每一个边缘的自由移动。软件仿真出曝光后光刻胶图形02的边缘，并和测试版图01对比，它们之间的差别称为边缘放置误差（edge placement error, EPE)。EPE 是用来衡量修正质量的指标，边缘放置误差小就意味着曝光后的图形和测试版图（即目标图形）接近，OPC收敛度就越好。

但是，随着节点的一步步推进，版图布局也变得越来越复杂。在光学临近修正过程中难免会遇到工艺窗口和OPC收敛度形成冲突的情况。例如图2~图5所示，在光学临近修正后的图形03的s（线宽CD或者间距space）<X时，晶圆上的光刻胶04出现桥接的问题。而在光学临近修正后的图形03的s（线宽CD或者间距space）≥X时，晶圆上的光刻胶04未出现桥接的问题。所述光学临近修正后的图形03是测试版图01进行光学临近修正后得到的图形。

目前业界的做法是牺牲OPC收敛度，以保证晶圆上的光刻胶不会出现桥接的现象。具体的方法是：设定光学临近修正后图形的线宽CD或者间距space的最小值为X，以避免出现在光学临近修正后的图形的线宽CD或间距space小于X而导致晶圆上光刻胶上的图形出现桥接的问题。然而，这种做法会出现一些缺陷，特别对于金属层。参阅图6，图6示出了第一金属层图形0111、第一金属层图形0111覆盖的第一孔结构图形0112、第二金属层图形0121和第二金属层图形0121覆盖的第二孔结构图形0122。第一金属层图形0111进行光学临近修正后得到第一光学临近修正后的图形031与第二金属层图形0121进行光学临近修正后得到第二光学临近修正后的图形032的线端间距s等于X，以光学临近修正后的图形作为掩膜图形进行软件模拟，以仿真出曝光后的光刻胶图形，可以发现，金属层图形与软件仿真出的曝光后的光刻胶图形的边缘之间的EPE非常大。图6中的第一光学临近修正后的图形031软件仿真出的曝光后的第一光刻胶图形021，第二光学临近修正后的图形032软件仿真出的曝光后的第二光刻胶图形022，所述第二金属层图形0121与软件仿真出的曝光后的第二光刻胶图形022边缘之间的EPE一般会达到-19 nm左右，而且软件仿真出的曝光后的第二光刻胶图形022并没有完全覆盖第二孔结构图形0122，即制备出的金属层可能没有完全包住接触孔或者通孔，容易出现上下层套刻精度差的问题，导致电路连接问题，影响产品良率。

为此，本发明提供了一种光学临近修正方法，以在保证版图的工艺窗口的同时，改善版图的OPC收敛度，同时能够避免电路连接问题，并最终提升产品良率，推进研发进度。

参阅图7，本发明提供的光学临近修正方法包括以下步骤：

确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图包括多个主图形，且每个所述主图形包括金属层图形和被所述金属层图形覆盖的孔结构图形；

从所有所述主图形中筛选出所有所述金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；

从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；

从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；

调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。

本发明的形成第一图形组的步骤和形成第二图形组的步骤的执行顺序可以变化。例如，本实施例中可以先执行形成第一图形组的步骤，然后再执行形成第二图形组的步骤。在其他实施例中可以先执行形成第二图形组的步骤，然后再执行形成第一图形组的步骤，当然也存在同时执行形成第二图形组的步骤和形成第一图形组的步骤。

在确定预制作版图对应的测试版图的步骤中，所述测试版图可以包括多个主图形，且每个所述主图形包括金属层图形和被所述金属层图形覆盖的孔结构图形。所述孔结构图形可以包括接触孔图形和/或通孔图形。在本实施例中，可以先根据预制作的版图确定其对应的测试版图，以用于通过后续步骤验证预制作的版图中的各主图形的光刻工艺窗口以及OPC收敛度是否同时满足设计要求，若不同时满足，则可及时进行OPC修正，从而有效提升产品良率，推进研发进度。

在从所有主图形中筛选出第一图形组的步骤中，所述第一图形组中的主图形的金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离需要大于所述预设值Y。所述预设值Y可以根据所述第一版图规则值获取。通常，在设计测试版图时，测试版图中的孔结构图形与金属层图形本身就需要满足一定的设计规则，例如图形与图形之间、图形与线条之间以及线条与线条之间的距离设置需要在设计规则范围内。测试版图的设计规则值可由厂家提供。本实施例中的所述第一版图规则值是根据所述主图形中的所述金属层图形和所述孔结构图形对应的版图设计规则确定的，具体的，所述第一版图规则值则是所述测试版图设计时孔结构图形与金属层图形的末端线条之间需要满足的最小距离值，该值可由厂家提供。

所述预设值Y的范围可以为1.5倍的第一版图规则值~2倍的所述第一版图规则值。由于曝光条件的不同，所述预设值Y的最佳值可能存在不同。因此，可以通过多次试验来确定某一曝光条件下的最佳的预设值Y。例如，在设计测试版图时，将所述孔结构图形与所述金属层图形的末端线条之间的距离设置成1.5倍的第一版图规则值；然后对设计的测试版图进行光学临近修正和软件仿真模拟，获得仿真出的曝光后的光刻胶图形；最后判断该光刻胶图形是否刚好完全覆盖孔结构图形。若刚好完全覆盖，则预设值Y的最佳值为1.5倍的第一版图规则值；若没有完全覆盖，则将所述孔结构图形与所述金属层图形的末端线条之间的距离更改成1.6倍的第一版图规则值，然后再次对设计的测试版图进行光学临近修正和软件仿真模拟，并重新获得仿真出的曝光后的光刻胶图形，再次判断重新获得的仿真出的光刻胶图形是否刚好完全覆盖孔结构图形。若刚好完全覆盖，则预设值Y的最佳值为1.6倍的第一版图规则值。若没有覆盖，则重新将所述孔结构图形与所述金属层图形的末端线条之间的距离更改成1.7、1.8等倍的第一版图规则值，并重复上述过程，直至仿真出的曝光后的光刻胶图形刚好完全覆盖孔结构图形。每次试验过程中的光学临近修正和软件仿真模拟的参数设置完全相同，不同的仅是测试版图中的孔结构图形与金属层图形的末端线条之间的距离，通过不断改变该距离设置，获取该曝光条件下的最佳预设值Y。

在本实施例中，所述金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于所述预设值Y时，所述金属层图形经过软件曝光模拟后获得的光刻胶图形可以完全覆盖孔结构图形；否则，所述金属层图形经过软件曝光模拟后获得的光刻胶图形不能完全覆盖孔结构图形。

本实施例从所有主图形中筛选出所有金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于所述预设值Y的主图形，形成第一图形组。

本实施例可以先确认选中所有的主图形，并确认选中所有主图形的金属层图形的末端线条，所述金属层图形的末端线条作为所述主图形的末端线条；然后在所有的主图形中筛选出金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于所述预设值Y的主图形，形成所述第一图形组。例如，图8示出了两个相邻的主图形的金属层图形11，确认选中该两个主图形以及该两个主图形的金属层图形的末端线条a和b。图9示出了末端线条a与孔结构图形12的之间的距离S1大于所述预设值Y，末端线条b与孔结构图形12的之间的距离S2小于所述预设值Y，因此，末端线条a（图9中的粗线仅表示被确认选中或者被筛选出来）对应的主图形被筛选出来。

在从所有主图形中筛选出第二图形组的步骤中，所述第二图形组包括多个由相邻两个主图形组成的主图形组，且相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内。所述第一预设范围根据掩膜规则值设置，而所述掩膜规则值是根据所述主图形对应的版图掩膜设计规则确定的。掩膜版制造厂商会根据实际版图的曝光显影情况，为每个类型的版图设置一掩膜规则值，即版图在保证光刻工艺窗口下的最小间距space或最小线宽CD。因此，在设计人员在对预制作版图对应的测试版图进行OPC修正的过程中，其需要修正后的测试版图中的相邻两个主图形之间的线端间距不小于所述掩膜规则值。

本实施例中也可以根据多次试验获取所述掩膜规则值。例如，在相同的曝光***条件下，多次变换掩膜版的CD值，即多次变换相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距，然后进行软件模拟，获取仿真出的曝光后的光刻胶图形，并判断获得的光刻胶图形是否出现桥接问题。在获得的光刻胶图形刚好不出现桥接问题时，该光刻胶图形对应的掩膜版的CD值即为所述掩膜规则值。

图10~图11示出了一种筛选出第二图形组的方法。具体包括：

对所有所述主图形进行光学临近修正，获得光学临近修正后的图形；

从所述光学临近修正后的图形中筛选出所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内的光学临近修正后的图形组；

根据筛选出的所述光学临近修正后的图形组确定出对应的主图形组。

在对所有所述主图形进行光学临近修正的步骤中，本实施例按照所述掩膜规则值，对所述测试版图的主图形进行光学临近修正，获得光学临近修正后的图形。由于本实施例是按照所述掩膜规则值进行光学临近修正的，因此最终获得的所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距均不小于所述掩膜规则值，从而能够保证修正后的所述主图形的工艺窗口符合设计要求。

本实施例的所述第一预设范围是根据所述掩膜规则值设置的，所述第一预设范围优选为掩膜规则值~掩膜规则值+m，且所述m优选为1nm~2nm。在相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内，且该相邻的两个主图形中存在金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离不大于所述预设值Y的主图形时，软件仿真出的该主图形（即金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离不大于所述预设值Y的主图形）曝光后的光刻胶图形不能完全覆盖孔结构图形。本发明通过后续的步骤能够解决曝光后的光刻胶图形不能完全覆盖孔结构图形的情况的出现。

在对所有所述主图形进行光学临近修正的步骤之后，筛选出光学临近修正后的图形组。本实施例筛选出所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内的修正后图形组。例如，图10中示出了一组相邻的两个光学临近修正后的图形30，相邻两个光学临近修正后的图形30的末端线条c与末端线条d之间的距离S3位于所述第一预设范围内，则该组相邻的两个光学临近修正后的图形30同时被筛选出来。

在筛选出光学临近修正后的图形组的步骤之后，根据筛选出的修正后图形组确定出对应的主图形组。例如图11中，根据筛选出来的相邻的两个光学临近修正后的图形30可以确定出对应的相邻的两个主图形，该两个主图形的末端线条为a1和b1。

图12示出了另一种筛选出第二图形组的方法。该实施例的方法可以不进行光学临近修正的过程，可以直接筛选出第二图形组。具体包括：

确定所述主图形对应的符合相邻主图形的版图设计规则的第二版图规则值，且根据所述第二版图规则值获取第二预设范围，并筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距位于所述第二预设范围内的主图形组，以保证所述主图形组中的所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内。例如图12中相邻两个所述主图形的末端线条a1和b1之间的距离S4位于第二预设范围内，该两个主图形被筛选出来。

本实施例中的所述第二版图规则值则是所述测试版图设计时相邻的金属层图形的末端线条之间需要满足的最小距离值（min rule），该值由厂家提供。所述第二预设范围为所述第二版图规则值~所述第二版图规则值+N，所述N优选为1/4的第二版图规则值~1/3的第二版图规则值。发明人研究发现，只有相邻两个所述主图形之间的线端间距位于所述第二预设范围内，这两个主图形进行光学临近修正之后才能出现掩膜版CD值（这两个主图形光学临近修正后的图形之间的线端间距）位于第一预设范围内的情况。因此，该实施例中所有相邻两个所述主图形之间的线端间距位于所述第二预设范围的主图形组，能够保证该主图形组中的所有相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内。

在所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组的步骤中，筛选出的每个所述主图形组中的相邻两个主图形中的至少一个主图形与所述第一图形组的主图形为同一主图形。

在调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度的步骤中，利用基于模型的光学临近修正软件，对所述第三图形组中的每个所述主图形的线边进行光学临近修正，并在光学临近修正的过程中通过调整所述主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。

本实施例按照所述掩膜规则值，对所述第三图形组中的主图形进行光学临近修正，获得光学临近修正后的图形。由于本实施例是按照所述掩膜规则值对所述第三图形组中的每个主图形进行光学临近修正的，因此最终获得所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距均不小于所述掩膜规则值，从而保证修正后的所述主图形的工艺窗口符合设计要求。

本实施例在从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组的步骤中，还需要确认出重叠的主图形，同时还可以确认出该重叠的主图形中与孔结构图形之间的距离大于所述预设值Y的金属层图形的末端线条e，在调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度的步骤中，限制该末端线条e迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形均完全覆盖孔结构图形。例如，参阅图13和图14，确认出了重叠的主图形中与孔结构图形之间的距离大于所述预设值Y的金属层图形的末端线条e，并限制该末端线条e迭代时向外生长的长度，使得与所述末端线条e相邻的主图形被软件仿真出的曝光后的光刻胶图形20能够完全覆盖孔结构图形12，所述光刻胶图形20为曝光后的金属层图形。本实施例中所述重叠的主图形的末端线条e迭代时向外生长的长度优选为5nm~10nm。由于本实施例需要按照所述掩膜规则值对所述第三图形组中的每个主图形进行光学临近修正，最终获得所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距是位于所述第一预设范围内的。即在光学临近修正的过程中，需要保证末端线条e与相邻的主图形的末端线条之间的距离位于所述第一预设范围内，因此，在所述末端线条e迭代时向外生长的长度减小时，与所述末端线条e相邻的主图形的末端线条迭代时向外生长的长度就会增加，以使与所述末端线条e相邻的主图形软件仿真出的曝光后的图形能够完全覆盖孔结构图形，即曝光后的金属层图形可以完全覆盖孔结构图形，能够解决由于金属层图形没有完全覆盖孔结构图形造成的电路连接问题，还可以减小与所述末端线条e相邻的主图形EPE，例如图14中EPE为0，保证OPC收敛度符合设计要求，进而能够提高套刻精度以及产品良率。

本实施例可以通过多次试验确定末端线条e的迭代时向外生长的最佳值。例如，在光学临近修正的过程中，先将末端线条e迭代时向外生长的长度设置为10nm，在完成光学临近修正后，通过软件模拟，获得仿真出的曝光后的光刻胶图形，并判断与所述末端线条e相邻的主图形仿真出的曝光后的光刻胶图形是否完全覆盖孔结构图形。若判断是，则末端线条e的迭代时向外生长的长度的最佳值为10nm；否则，重新调整末端线条e迭代时向外生长的长度，例如调整成8nm，然后在完成光学临近修正后，通过软件模拟，并再次判断与所述末端线条e相邻的主图形的仿真出的曝光后的光刻胶图形是否完全覆盖孔结构图形，依次循环直至与所述末端线条e相邻的主图形的仿真出的曝光后的光刻胶图形刚好完全覆盖孔结构图形。

本发明的光学临近修正方法，能够使得调整后的主图形既满足光刻工艺窗口的设计要求，又能使得曝光后的每个主图形中的金属层图形均完全覆盖孔结构图形，保证修正后的主图形的OPC收敛度符合设计要求，也能够解决由于金属层图形没有完全覆盖孔结构图形造成的电路连接问题，进而能够提高套刻精度以及产品良率。本发明的光学临近修正方法可以为后续OPC修正的准确性提供了良好保障，同时也可以减轻LRC检查时的时间，加快T/O速度，推进研发进度。

此外，可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

而且还应该理解的是，本发明并不限于此处描述的特定的方法、化合物、材料、制造技术、用法和应用，它们可以变化。还应该理解的是，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”、“一种”以及“该”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。因此，例如，对“一个步骤”引述意味着对一个或多个步骤的引述，并且可能包括次级步骤。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。因此，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此处描述的结构将被理解为还引述该结构的功能等效物。可被解释为近似的语言应该被那样理解，除非上下文明确表示相反意思。

Claims (8)

1.一种光学临近修正方法，其特征在于，包括以下步骤：

确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图包括多个主图形，且每个所述主图形包括金属层图形和被所述金属层图形覆盖的孔结构图形；

从所有所述主图形中筛选出所有所述金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组，所述预设值的范围为1.5倍的第一版图规则值~2倍的第一版图规则值，所述第一版图规则值是根据所述主图形中的所述金属层图形和所述孔结构图形对应的版图设计规则确定的；

从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组，所述第一预设范围为掩膜规则值~掩膜规则值+m，所述m的范围为1nm~2nm，所述掩膜规则值是根据所述主图形对应的版图掩膜设计规则确定的；

从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；

调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。

2.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：

对所有所述主图形进行光学临近修正，获得光学临近修正后的图形；

从所述光学临近修正后的图形中筛选出所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内的光学临近修正后的图形组；

根据筛选出的所述光学临近修正后的图形组确定出对应的主图形组。

3.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：

确定所述主图形对应的符合相邻主图形的版图设计规则的第二版图规则值，且根据所述第二版图规则值获取第二预设范围，并筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距位于所述第二预设范围内的主图形组，以保证所述主图形组中的所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内。

4.如权利要求3所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述第二预设范围为所述第二版图规则值~所述第二版图规则值+N，且N的范围为1/4的所述第二版图规则值~1/3的所述第二版图规则值。

5.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度的步骤包括：

利用基于模型的光学临近修正软件，对所述第三图形组中的每个所述主图形的线边进行光学临近修正，并在光学临近修正的过程中通过调整所述主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。

6.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，在从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组的步骤中，确认出重叠的主图形；在调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度的步骤中，限制所述重叠的主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形均完全覆盖孔结构图形。

7.如权利要求6所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述重叠的主图形的末端线条迭代时向外生长的长度为5nm~10nm。

8.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述孔结构图形包括接触孔图形和/或通孔图形。

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