CN115910799A - 一种半导体引线框架的表面处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体引线框架的表面处理方法，包括以下步骤：电解除油：将不锈钢材料浸入除油液中电解除油；电镀铜：对不锈钢材料真空镀铬；酸洗抛光：将引线框架浸入硫酸中酸洗抛光；铜材料的保护：将半导体引线框架导入保护液中浸泡附上铜保护膜，此引线框架表面处理效果好，处理方法简单。
Description
技术领域
本发明主要涉及引线框架领域，尤其涉及一种半导体引线框架的表面处理方法。
背景技术
导体封装中一个非常重要的材料就是引线框架。引线框架是半导体封装的三大基本原材料之一(另外两种是塑封材料和芯片本身)。半导体封装中的内部互联通常使用金线、铝丝、铜丝，实现管脚与芯片之间的连接。
引线框架一般由铜合金作为基材。表面处理主要是除油、电镀铜和镀层保护，引线框架的表面处理之所以重要是因为焊接工艺直接作用于其表面，作为引线的电气连接点是实现芯片功能和外部电路连接的桥梁，对于内互联来说比较重要的是表面质量，直接影响焊接的可靠性。
发明内容
针对现有技术的上述缺陷，本发明提供一种半导体引线框架的表面处理方法，包括以下步骤：
电解除油：将不锈钢材料浸入除油液中电解除油；
电镀铜：对不锈钢材料真空镀铬
酸洗抛光：将引线框架浸入硫酸中酸洗抛光；
铜材料的保护：将半导体引线框架导入保护液中浸泡附上铜保护膜。
优选的，酸洗抛光后，将引线浸入水中进行水洗。
优选的，保护液pH为5～7。
优选的，镀铬的温度范围为50℃-65℃。
本发明的有益效果：
此引线框架表面处理效果好，处理方法简单。
具体实施方式
为了使本技术领域人员更好地理解本发明的技术方案，并使本发明的上述特征、目的以及优点更加清晰易懂，下面结合实施例对本发明做进一步的说明。实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
一种半导体引线框架的表面处理方法，包括以下步骤：
电解除油：将不锈钢材料浸入除油液中电解除油；
电镀铜：对不锈钢材料真空镀铬，镀铬的温度范围为50℃-65℃；
酸洗抛光：将引线框架浸入硫酸中酸洗抛光；酸洗抛光后，将引线浸入水中进行水洗
铜材料的保护：将半导体引线框架导入保护液中浸泡附上铜保护膜，保护液pH为5～7。
上述实施例仅例示性说明本专利申请的原理及其功效，而非用于限制本专利申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利申请的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本专利申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利请的权利要求所涵盖。
Claims (4)
1.一种半导体引线框架的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
电解除油：将不锈钢材料浸入除油液中电解除油；
电镀铜：对不锈钢材料真空镀铬
酸洗抛光：将引线框架浸入硫酸中酸洗抛光；
铜材料的保护：将半导体引线框架导入保护液中浸泡附上铜保护膜。
2.根据权利要求1所述的一种半导体引线框架的表面处理方法，其特征在于：酸洗抛光后，将引线浸入水中进行水洗。
3.根据权利要求2所述的一种半导体引线框架的表面处理方法，其特征在于：保护液pH为5～7。
4.根据权利要求3所述的一种半导体引线框架的表面处理方法，其特征在于：镀铬的温度范围为50℃-65℃。
Priority Applications (1)
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| CN202110995004.8A CN115910799A (zh) | 2021-08-27 | 2021-08-27 | 一种半导体引线框架的表面处理方法 |
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Publications (1)
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| CN115910799A true CN115910799A (zh) | 2023-04-04 |
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Country Status (1)
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2021
- 2021-08-27 CN CN202110995004.8A patent/CN115910799A/zh active Pending
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