CN115745596B - 氧化锌基电阻片组合物、氧化锌基电阻片及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子陶瓷材料技术领域,公开了一种氧化锌基电阻片组合物、氧化锌基电阻片及其制备方法和应用。该组合物中含有两者以上混合保存或各自独立保存的以下组分:氧化锌、氧化钴、氧化铋、氧化锰、氧化钇、氧化硼、氧化镓和助剂;所述助剂为用量摩尔比为1:1‑3的五氧化二钒和三氧化二镧的组合。本发明通过在氧化锌基料中加入特定比例的氧化钇、氧化硼和氧化镓,并选择最优化配比的五氧化二钒和三氧化二镧作为助剂,能够有效抑制晶粒的生长,降低晶粒尺寸,从而获得尺寸小、均匀性好的氧化锌基电阻片。
Description
技术领域
本发明涉及电子陶瓷材料技术领域,具体涉及一种氧化锌基电阻片组合物、氧化锌基电阻片及其制备方法和应用。
背景技术
氧化锌电阻片是一种以氧化锌为主体,并掺杂有多种金属氧化物改性的多晶半导体材料。由于具有保护性能优越、通流容量大、无续流等特点,被广泛应用于电力、电子***的内外部过电压防护中,避雷器是其在电力***中应用的主要产品形式。当氧化锌电阻片电压梯度高、通流容量大、残压比低、老化性能优越时,既能减小避雷器本身的体积和质量,降低被保护设备的绝缘水平和造价,又能为电力设备提供更加安全可靠的防护。
因此,研究高性能高梯度氧化锌电阻片的配方体系和制备工艺,并应用于避雷器的设计中,对于超、特高压电网而言,具有重要的技术和经济意义。
电位梯度与电阻片的晶粒尺寸相关,通流能力需要晶粒的高均匀性。传统的电阻片配方中都加入了Si、Sb、Cr等元素以提升其电位梯度、致密性,SiO2与ZnO生成Zn2SiO4无定形相,与尖晶石Zn7Sb2O12一样有抑制晶粒长大的作用,降低晶粒尺寸,从而提高电位梯度。
但Zn2SiO4的热膨胀系数高于ZnO,大电流作用下易导致电阻片破裂损坏,并且Sb2O3的加入会提升烧结温度,不利于晶粒的增长和烧结经济性的提升。烧结时间过长时,部分晶粒会生长得过大导致其微观结构均匀性恶化,且会使低熔点掺杂物大量挥发,同样影响氧化锌电阻片的性能。
CN111508676A公开了一种小尺寸配网环形氧化锌电阻片及其制备方法,该方法是先将氧化物粉体研磨成细小的颗粒,然后再将金属盐类采用逐步沉积的方法,沉积在氧化物粉体颗粒表面,形成薄的沉积层。通过该沉积层,使氧化物粉体颗粒之间的联结更加紧密,增强电阻片晶粒成分分布的均匀性,减少微小气隙的产生,提升了电阻片的电位梯度。
然而,上述方法在烧结过程中外部与内部受热不均匀,材料粒径分散性差,从而导致晶粒增长不均匀,并且晶粒尺寸较大。
因此,开发出一种既能够获得高均匀性小尺寸晶粒形态的氧化锌电阻片,又能提升氧化锌电阻片的电位梯度等性能的方法,具有重要意义。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中氧化锌电阻片存在晶粒尺寸较大、均匀性差且电位梯度较低的问题。
为了实现上述目的,本发明第一方面提供一种氧化锌基电阻片组合物,该组合物中含有两者以上混合保存或各自独立保存的以下组分:
氧化锌、氧化钴、氧化铋、氧化锰、氧化钇、氧化硼、氧化镓和助剂;
以所述组合物的总摩尔量为基准,所述氧化锌的含量为91-94mol%,所述氧化钴的含量为1-1.5mol%,所述氧化铋的含量为1.5-2.5mol%,所述氧化锰的含量为0.6-1mol%,所述氧化钇的含量为0.2-1.6mol%,所述氧化硼的含量为0.7-3.6mol%,所述氧化镓的含量为0.1-1.8mol%,所述助剂的含量为0.5-2.1mol%;
所述助剂为用量摩尔比为1:1-3的五氧化二钒和三氧化二镧的组合。
本发明第二方面提供一种制备氧化锌基电阻片的方法,该方法包括:
(1)在分散剂存在下,将水和第一方面所述的组合物混合后粉碎,得到平均粒径不大于0.5μm的混合浆料,并将所述混合浆料进行喷雾造粒,得到造粒料;控制所述喷雾造粒的条件,以使得所述造粒料的D(90):D(10)为1-3:1,且所述D(50)为30-40μm;所述喷雾造粒为离心喷雾造粒,且所述喷雾造粒的条件至少包括:转速为7000-35000rpm,温度250-350℃;
(2)将所述造粒料压制成片状,得到预成品,并将所述预成品依次进行预烧结和微波烧结。
本发明第三方面提供由第二方面所述的方法制备得到的氧化锌基电阻片。
本发明第四方面提供第三方面所述的氧化锌基电阻片在防雷设备中的应用。
本发明通过在氧化锌基料中加入特定比例的氧化钇、氧化硼和氧化镓,并选择最优化配比的五氧化二钒和三氧化二镧作为助剂,能够有效抑制晶粒的生长,降低晶粒尺寸,从而获得尺寸小、均匀性好的氧化锌基电阻片。
特别地,本发明通过对电阻片配方、研磨工艺和造粒工艺进行优化,能够实现对氧化锌电阻片中晶体形态的调控,减少氧化锌的晶粒尺寸,提升均匀性,进而提升电阻片电位梯度和通流能力。
附图说明
图1是实施例1制备得到的氧化锌基电阻片的粒径分布图;
图2是对比例3制备得到的氧化锌基电阻片的粒径分布图;
图3是不同浓度镓离子对电流密度的影响分析图。
具体实施方式
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值,这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说,各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间,以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围,这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
本发明中,未作相反说明的情况下,所述室温或常温均表示25±2℃。
本发明中,未作相反说明的情况下,所述压力均为表压。
本发明中,D(90)均表示造粒料的累计粒度分布数达到90%时所对应的粒径值;D(10)和D(50)具有与D(90)相似的定义,本发明在此不再一一赘述,本领域技术人员不应理解为对本发明的限制。
如前所述,本发明的第一方面提供了一种氧化锌基电阻片组合物,该组合物中含有两者以上混合保存或各自独立保存的以下组分:
氧化锌、氧化钴、氧化铋、氧化锰、氧化钇、氧化硼、氧化镓和助剂;
以所述组合物的总摩尔量为基准,所述氧化锌的含量为91-94mol%,所述氧化钴的含量为1-1.5mol%,所述氧化铋的含量为1.5-2.5mol%,所述氧化锰的含量为0.6-1mol%,所述氧化钇的含量为0.2-1.6mol%,所述氧化硼的含量为0.7-3.6mol%,所述氧化镓的含量为0.1-1.8mol%,所述助剂的含量为0.5-2.1mol%;
所述助剂为用量摩尔比为1:1-3的五氧化二钒和三氧化二镧的组合。
本发明中,氧化钇掺入后,由于Y3+的离子半径比Zn2+半径要大,将在晶界处偏析与氧化铋反应形成Bi-Y-O相,同时,氧化钇掺杂会生成独立的氧化钇相,在晶界处起到“钉扎”作用,从而抑制晶粒的生长,降低晶粒尺寸。
本发明中,氧化硼烧结时形成液态,加速晶粒流动与分散,防止无序生长形成团聚,提升均匀性。
本发明中,氧化镓的Ga3+的离子半径为0.064nm,比Zn2+(0.074nm)的离子半径小,溶入氧化锌晶格中,能够产生大量自由电子,从而降低晶粒的电导率,显著提升通流性能。
本发明对氧化钇、氧化硼和氧化镓等组分进行深入研究,在对每个组分的功效研究基础上,进行复配和筛选,选择最优化的配比,能够获得尺寸更小、均匀性更好的氧化锌基电阻片。
优选地,所述助剂为用量摩尔比为1:1.4-2.5的五氧化二钒和三氧化二镧的组合。发明人在研究过程中发现,采用该优选情况下,能够细化晶粒,从而获得尺寸更小的电阻片。
优选地,以所述组合物的总摩尔量为基准,所述氧化锌的含量为92-94mol%,所述氧化钴的含量为1-1.2mol%,所述氧化铋的含量为2-2.5mol%,所述氧化锰的含量为0.6-0.8mol%,所述氧化钇的含量为0.4-0.8mol%,所述氧化硼的含量为0.7-1.6mol%,所述氧化镓的含量为0.5-1.2mol%,所述助剂的含量为0.8-1.5mol%。
如前所述,本发明的第二方面提供了一种制备氧化锌基电阻片的方法,该方法包括:
(1)在分散剂存在下,将水和第一方面所述的组合物混合后粉碎,得到平均粒径不大于0.5μm的混合浆料,并将所述混合浆料进行喷雾造粒,得到造粒料;控制所述喷雾造粒的条件,以使得所述造粒料的D(90):D(10)为1-3:1,且所述D(50)为30-40μm;所述喷雾造粒为离心喷雾造粒,且所述喷雾造粒的条件至少包括:转速为7000-35000rpm,温度250-350℃;
(2)将所述造粒料压制成片状,得到预成品,并将所述预成品依次进行预烧结和微波烧结。
本发明的发明人发现,基于第一方面提供的氧化锌基电阻片组合物的配方,采用前述制备方法能够制得氧化锌晶粒尺寸小、均匀性高的电阻片。
根据本发明一种特别优选的具体实施方式,在步骤(1)中,所述分散剂选自聚甲基丙烯酸铵、丙烯酸、柠檬酸铵中的至少一种。
优选地,在步骤(1)中,相对于1mol的所述组合物,所述分散剂的用量为0.5-2g,所述水的用量为60-100g。
为了进一步降低粒径和晶粒尺寸,增加电阻片电位梯度,优选地,在步骤(1)中,采用湿磨法进行粉碎,且所述湿磨的条件至少包括:磨球直径为0.1-2mm,转速为1500-3000rpm,湿磨时间为30-150min。
优选地,在步骤(1)中,所述喷雾造粒为离心喷雾造粒,且所述喷雾造粒的条件至少包括:转速为7000-35000rpm,温度250-350℃。
更优选地,在步骤(1)中,所述喷雾造粒为离心喷雾造粒,且所述喷雾造粒的条件至少包括:转速为10000-15000rpm,温度250-300℃。
发明人在研究过程中发现,采用该优选情况下的具体实施方式,一方面,能够减少材料的表面空隙,从而获得尺寸更小的晶粒;另一方面,还能够使得造粒料的D(90):D(10)为1-3,同时D(50)为30-40μm,从而降低材料粒径分散性,获得均匀性更好的晶粒。
本发明对步骤(2)中将所述造粒料压制成片状的方式没有特别的要求,可以采用本领域已知的方式进行压片,只需要满足本发明的要求即可,示例性地,本发明将所述造粒料置于压接机中采用双向压接方法进行压片,以得到外环直径为30-80mm,高度为20-30mm的预成品。
优选地,在步骤(2)中,所述预烧结的条件至少包括:升温速率为2-5℃/min,目标温度为400-800℃,保温时间为1-3h。
根据本发明一种特别优选的具体实施方式,在步骤(2)中,该方法还包括:在进行预烧结之后,以降温速率为20-50℃/min进行第一降温处理,直至降温至20-40℃。
优选地,在步骤(2)中,所述微波烧结在惰性气体保护下进行,且所述微波烧结的条件至少包括:压力为30-60MPa,升温速率为20-50℃/min,目标温度为950-1050℃,保温时间为10-30min。
更优选地,在步骤(2)中,所述微波烧结的条件至少包括:压力为30-40MPa,升温速率为20-30℃/min,目标温度为900-1000℃,保温时间为20-30min。
发明人发现,基于第一方面提供的氧化锌基电阻片组合物的配方,采用微波烧结,并优化微波烧结的压力、温度等工艺参数,在保证晶粒均匀增长的前提下,同时减少铋离子的流失。
本发明对所述惰性气体的种类没有特别的要求,可以采用本领域已知的任意一种惰性气体,示例性地,所述惰性气体为氮气。
根据本发明一种特别优选的具体实施方式,在步骤(2)中,该方法还包括:在进行微波烧结之后,以降温速率为20-50℃/min进行第二降温处理,直至降温至20-40℃。
如前所述,本发明的第三方面提供了由第二方面所述的方法制备得到的氧化锌基电阻片。
如前所述,本发明的第四方面提供了第三方面所述的氧化锌基电阻片在防雷设备中的应用。
以下将通过实例对本发明进行详细描述。以下实例中,在没有特别说明的情况下,涉及到的实验仪器和原料均为市售品。
分散剂:聚甲基丙烯酸铵,牌号为HDA-698,购自西安信征电子科技有限责任公司;
在没有特别说明的情况下,以下实例涉及的配方中组分的用量均一摩尔百分含量表示,以实施例1中的基料的摩尔百分含量为例,其计算方法为:基料的摩尔百分含量=(基料的摩尔量)/(实施例1中各组分的摩尔量之和)×100%。
实施例1
本实施例提供一种制备氧化锌基电阻片的方法,该方法包括:
(1)按表1所示的氧化锌基电阻片组合物的配方,确定氧化锌基电阻片中各组分的摩尔量之和为10mol以进行试验,并根据该玻璃组合物的配方计算对应的各组分的质量,并精确称量(精确至小数点后一位);
其中,所述助剂为用量摩尔比为1:1.4的五氧化二钒和三氧化二镧的组合;
(2)将称量好的各组分放入混料机中,加入750g的水,在250rpm下搅拌混合45min,得到混合物料,将所述混合物料放入球磨机中,加入10g的分散剂后进行湿法球磨,得到混合浆料,然后将所述混合浆料进行离心喷雾造粒,得到造粒料;
其中,造粒料的D(90):D(10)为1.43,且所述D(50)为38.6μm;
湿法球磨的条件为:磨球直径为0.3mm,转速为2500rpm,湿磨时间为45min;
离心喷雾造粒的条件为:转速为12000rpm,温度280℃。
(3)将所述造粒料置于压接机中采用双向压接方式将所述造粒料压制成片状,得到预成品(外环直径为50mm,高度为25mm),并将所述预成品以3℃/min的速率升温至550℃,并保温3h,再以2℃/min的速率降至室温,然后将预烧结后的产物放入微波烧结炉中,在氮气保护下进行微波烧结,烧结完成后以30℃/min降至室温,得到氧化锌基电阻片;
其中,微波烧结的条件为:压力为40MPa,升温速率为25℃/min,目标温度为1000℃,保温时间为25min。
实施例2
本实施例提供一种制备氧化锌基电阻片的方法,该方法包括:
(1)按表1所示的氧化锌基电阻片组合物的配方,确定氧化锌基电阻片中各组分的摩尔量之和为10mol以进行试验,并根据该玻璃组合物的配方计算对应的各组分的质量,并精确称量(精确至小数点后一位);
其中,所述助剂为用量摩尔比为1:2的五氧化二钒和三氧化二镧的组合;
(2)将称量好的各组分放入混料机中,加入750g的水,在250rpm下搅拌混合45min,得到混合物料,将所述混合物料放入球磨机中,加入10g的分散剂后进行湿法球磨,得到混合浆料,然后将所述混合浆料进行离心喷雾造粒,得到造粒料;
其中,造粒料的D(90):D(10)为1.56,且所述D(50)为35μm;
湿法球磨的条件为:磨球直径为0.3mm,转速为2500rpm,湿磨时间为45min;
离心喷雾造粒的条件为:转速为12000rpm,温度250℃。
(3)将所述造粒料置于压接机中采用双向压接方式将所述造粒料压制成片状,得到预成品(外环直径为50mm,高度为25mm),并将所述预成品以2℃/min的速率升温至550℃,并保温3h,再以2℃/min的速率降至室温,然后将预烧结后的产物放入微波烧结炉中,在氮气保护下进行微波烧结,烧结完成后以30℃/min降至室温,得到氧化锌基电阻片;
其中,微波烧结的条件为:压力为30MPa,升温速率为20℃/min,目标温度为900℃,保温时间为30min。
实施例3
本实施例提供一种制备氧化锌基电阻片的方法,该方法包括:
(1)按表1所示的氧化锌基电阻片组合物的配方,确定氧化锌基电阻片中各组分的摩尔量之和为10mol以进行试验,并根据该玻璃组合物的配方计算对应的各组分的质量,并精确称量(精确至小数点后一位);
其中,所述助剂为用量摩尔比为1:2.5的五氧化二钒和三氧化二镧的组合;
(2)将称量好的各组分放入混料机中,加入750g的水,在250rpm下搅拌混合45min,得到混合物料,将所述混合物料放入球磨机中,加入10g的分散剂后进行湿法球磨,得到混合浆料,然后将所述混合浆料进行离心喷雾造粒,得到造粒料;
其中,造粒料的D(90):D(10)为1.36,且所述D(50)为36μm;
湿法球磨的条件为:磨球直径为0.3mm,转速为2500rpm,湿磨时间为45min;
离心喷雾造粒的条件为:转速为12000rpm,温度300℃。
(3)将所述造粒料置于压接机中采用双向压接方式将所述造粒料压制成片状,得到预成品(外环直径为50mm,高度为25mm),并将所述预成品以3℃/min的速率升温至550℃,并保温3h,再以2℃/min的速率降至室温,然后将预烧结后的产物放入微波烧结炉中,在氮气保护下进行微波烧结,烧结完成后以30℃/min降至室温,得到氧化锌基电阻片;
其中,微波烧结的条件为:压力为35MPa,升温速率为30℃/min,目标温度为950℃,保温时间为20min。
实施例4
按照实施例1的方法制备氧化锌基电阻片,所不同的是,在步骤(2)中,所述离心喷雾造粒的温度为220℃,以使得所述造粒料的D(90):D(10)为3.1:1,且所述D(50)为48.6μm。
实施例5
按照实施例1的方法制备氧化锌基电阻片,所不同的是,在步骤(2)中,所述离心喷雾造粒转速为6000rpm,以使得所述造粒料的D(90):D(10)为4.2:1,且所述D(50)为50.2μm。
对比例1
按照实施例1的方法制备氧化锌基电阻片,所不同的是,在步骤(1)中,所述助剂为用量摩尔比为1:5的五氧化二钒和三氧化二镧的组合。
对比例2
按照实施例1的方法制备氧化锌基电阻片,所不同的是,在步骤(1)中,应用的助剂全部为五氧化二钒。
对比例3
按照实施例1的方法制备氧化锌基电阻片,所不同的是,在步骤(1)中,不添加助剂。
对比例4
按照实施例1的方法制备氧化锌基电阻片,所不同的是,在步骤(1)中,用等摩尔量的氧化钨替换氧化钇,并用等摩尔量的氧化钙替换氧化硼。
表1
实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 | |
氧化锌/mol% | 92.4 | 92.6 | 92.1 | 同实施例1 | 同实施例1 |
氧化钴/mol% | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 同实施例1 | 同实施例1 |
氧化铋/mol% | 2.2 | 2 | 2.5 | 同实施例1 | 同实施例1 |
氧化锰/mol% | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 同实施例1 | 同实施例1 |
氧化钇/mol% | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 同实施例1 | 同实施例1 |
氧化硼/mol% | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 同实施例1 | 同实施例1 |
氧化镓/mol% | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 同实施例1 | 同实施例1 |
助剂/mol% | 1.2 | 1.2 | 1.2 | 同实施例1 | 同实施例1 |
表1(续表)
测试例
将实施例和对比例制备得到的氧化锌基电阻片进行性能测试,具体测试结果见表1。
其中,晶粒平均粒径的测试方法为:
步骤1)将造粒后ZnO压敏电阻样品贴在样品台上;
步骤2)显微形貌观察采用扫描电子显微镜(SEM,Regulus 8100,Hitachi,Japan);
步骤3)晶粒尺寸分布的统计分析采用金相分析软件(ProImaging,Zeiss)根据Mendelson线性截距法进行;
电位梯度通过1mA电压测试装置测试得到;
能耗密度的计算公式为:(通流的能量/电阻片体积);
老化性能的测试方法为:通过氧化锌避雷器元件交直流老化试验***测量电阻片的老化性能,对部分ZnO压敏电阻样品进行直流加速老化实验,以分析其长期稳定性,采用西安电友科技有限公司的电阻老化试验装置(Xady-LH35/105),在130℃烘箱中,在0.85U1mA下进行10h小时的加速直流老化,待样品冷却至室温后取出,静置48h后,计算老化系数。
老化系数的计算公式为:k=(U2I2/U1I1),式(1-1);
其中,式(1-1)中,U1和I1分别为试验最初的瞬间电压和电流值;U2和I2分别为老化试验后瞬间电压和电流值。
表2
通过上表结果可以看出,本发明通过在氧化锌基料中加入特定比例的氧化钇、氧化硼和氧化镓,并选择最优化配比的五氧化二钒和三氧化二镧作为助剂,能够有效抑制晶粒的生长,降低晶粒尺寸,从而获得尺寸小、均匀性好的氧化锌基电阻片。
本发明示例性地提供了本发明实施例1制备得到的氧化锌基电阻片的粒径分布图,对比例3制备得到的氧化锌基电阻片的粒径分布图,以及不同浓度镓离子对电流密度的影响分析图,分别见图1-3。
图1为实施例1制备得到的氧化锌基电阻片的粒径分布图,图2为对比例3制备得到的氧化锌基电阻片的粒径分布图,图3为不同浓度镓离子对电流密度的影响分析图。
从图1和图2中可以看出,相比对比例3制备得到的氧化锌基电阻片,本发明提供的电阻片晶粒平均粒径从10.24μm下降到4.87μm;可见,采用本发明提供的方法能够制备得到均匀性更好的氧化锌基电阻片。
从图3中可以看出,镓离子能够溶入氧化锌晶格中,产生大量自由电子,从而降低晶粒的电导率,同样的电流下电阻片的残压更低,产生的能量更小,因此能通过更大的电流。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合,这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容,均属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种氧化锌基电阻片组合物,其特征在于,该组合物中含有两者以上混合保存或各自独立保存的以下组分:
氧化锌、氧化钴、氧化铋、氧化锰、氧化钇、氧化硼、氧化镓和助剂;
以所述组合物的总摩尔量为基准,所述氧化锌的含量为91-94mol%,所述氧化钴的含量为1-1.5mol%,所述氧化铋的含量为1.5-2.5mol%,所述氧化锰的含量为0.6-1mol%,所述氧化钇的含量为0.2-1.6mol%,所述氧化硼的含量为0.7-3.6mol%,所述氧化镓的含量为0.1-1.8mol%,所述助剂的含量为0.5-2.1mol%;
所述助剂为用量摩尔比为1:1.4-2.5的五氧化二钒和三氧化二镧的组合。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,以所述组合物的总摩尔量为基准,所述氧化锌的含量为92-94mol%,所述氧化钴的含量为1-1.2mol%,所述氧化铋的含量为2-2.5mol%,所述氧化锰的含量为0.6-0.8mol%,所述氧化钇的含量为0.4-0.8mol%,所述氧化硼的含量为0.7-1.6mol%,所述氧化镓的含量为0.5-1.2mol%,所述助剂的含量为0.8-1.5mol%。
3.一种制备氧化锌基电阻片的方法,其特征在于,该方法包括:
(1)在分散剂存在下,将水和权利要求1或2所述的组合物混合后粉碎,得到混合浆料,并将所述混合浆料进行喷雾造粒,得到造粒料;控制所述喷雾造粒的条件,以使得所述造粒料的D(90):D(10)为1-3:1,且所述D(50)为30-40μm;所述喷雾造粒为离心喷雾造粒,且所述喷雾造粒的条件至少包括:转速为7000-35000rpm,温度250-350℃;
(2)将所述造粒料压制成片状,得到预成品,并将所述预成品依次进行预烧结和微波烧结。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,在步骤(1)中,相对于1mol的所述组合物,所述分散剂的用量为0.5-2g,所述水的用量为60-100g。
5.根据权利要求3或4所述的方法,其中,在步骤(1)中,采用湿磨法进行粉碎,且所述湿磨的条件至少包括:磨球直径为0.1-2mm,转速为1500-3000rpm,湿磨时间为30-150min。
6.根据权利要求3或4所述的方法,其中,在步骤(2)中,所述预烧结的条件至少包括:升温速率为2-5℃/min,目标温度为400-800℃,保温时间为1-3h。
7.根据权利要求3或4所述的方法,其中,在步骤(2)中,所述微波烧结的条件至少包括:压力为30-60MPa,升温速率为20-50℃/min,目标温度为950-1050℃,保温时间为10-30min。
8.由权利要求3-7中任意一项所述的方法制备得到的氧化锌基电阻片。
9.权利要求8所述的氧化锌基电阻片在防雷设备中的应用。
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