CN115698850A - 用于产生图案形成装置且因此产生图案的***、产品和方法 - Google Patents

Abstract

本文中描述了一种用于改进图案形成装置的设计的方法。所述方法包括：(i)获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征对应于待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征；以及(ii)调整所述掩模点的位置，以基于被调整的掩模点产生所述掩模特征的被修改的设计。

Description

用于产生图案形成装置且因此产生图案的***、产品和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年6月3日递交的美国申请63/034,343、2020年6月10日递交的美国申请63/037,513和2020年12月8日递交的美国申请63/122,760的优先权，这些美国申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文中的描述总体上涉及用于产生图案形成装置且因此产生图案的***、产品和方法。

背景技术

光刻投影设备可以用于制造例如集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包含或提供对应于IC(“设计布局”)的单独的层的图案，并且可以通过诸如依靠图案形成装置上的图案来辐照已经涂布有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)之类的方法而将此图案转移至该目标部分上。一般而言，单个衬底包含多个相邻的目标部分，图案由光刻投影设备以一次一个目标部分的方式连续地转移至所述多个相邻的目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，将整个图案形成装置上的图案一次转移至一个目标部分上；此设备通常被称作步进器。在通常被称作步进扫描设备的替代设备中，投影光束在给定参考方向(“扫描”方向)上在整个图案形成装置上进行扫描，同时平行或反向平行于该参考方向而同步地移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分逐渐地转移至一个目标部分。一般而言，由于光刻投影设备将具有缩减比率M(例如，4)，所以衬底被移动的速度F将是投影光束扫描图案形成装置的速度的1/M倍。可以例如从以引用的方式并入本文中的US 6,046,792搜集到关于如本文中描述的光刻器件的更多信息。

在将图案从图案形成装置转移至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如，涂底料、抗蚀剂涂布及软烘烤。在曝光之后，衬底可能经受其他工序(“曝光后工序”)，诸如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤，以及被转移的图案的测量/检查。这一系列工序是用作制造器件(例如，IC)的单独的层的基础。然后，衬底可能经历各种过程，诸如，蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学-机械抛光等，这些过程都意图精整器件的单独的层。如果在器件中需要若干层，则针对每一层来重复整个工序或其变型。最终，在衬底上的每个目标部分中都将存在器件。然后，利用诸如切块或锯切的技术使这些器件彼此分离，据此，可以将单个器件安装于载体上、连接至引脚等。

因此，制造诸如半导体器件的器件通常涉及使用多个制作过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成所述器件的各种特征及多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械研磨及离子注入来制造及处理这些层及特征。可以在一衬底上的多个管芯上制作多个器件，并且接着将所述多个器件分离成单个器件。此器件制造过程可被认为是图案形成过程。图案形成过程涉及用于将图案形成装置上的图案转移至衬底的图案形成步骤，诸如使用光刻设备中的图案形成装置的光学和/或纳米压印光刻，并且图案形成过程通常但可选地涉及一个或更多个相关图案处理步骤，诸如由显影设备进行抗蚀剂显影、使用烘烤工具来烘烤衬底、使用蚀刻设备及使用图案进行蚀刻等。

如所提及的，光刻是在制造诸如IC的器件时的中心步骤，其中，形成于衬底上的图案界定器件的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。相似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电***(MEMS)及其他器件。

随着半导体制造过程继续进步，几十年来，功能元件的尺寸已经不断地减小，而每个器件的诸如晶体管的功能元件的量已经在稳固地增加，这遵循通常被称作“摩尔定律”的趋势。在当前技术状态下，使用光刻投影设备来制造器件的层，光刻投影设备使用来自深紫外照射源的照射而将设计布局投影至衬底上，从而产生具有充分地低于100nm的尺寸的单独的功能元件，即，所述尺寸小于来自该照射源(例如，193nm照射源)的辐射的波长的一半。

印刷具有小于光刻投影设备的经典分辨率极限的尺寸的特征的此过程根据分辨率公式CD＝k1×λ/NA而通常被称为低k1光刻，其中，λ是所使用的辐射的波长(当前在大多数情况下为248nm或193nm)，NA是光刻投影设备中的投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”——通常为所印刷的最小特征尺寸-且k1为经验分辨率因子。一般而言，k1越小，则在衬底上再生类似于由设计者规划的形状及尺寸以便实现特定电功能性及性能的图案就变得越困难。为了克服这些困难，将复杂微调步骤应用至光刻投影设备、设计布局或图案形成装置。这些步骤包括(例如，但不限于)NA及光学相干设定的优化、自定义照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时也被称作“光学及过程校正”)，或通常被定义为“分辨率增强技术”(RET)的其他方法。如本文中使用的术语“投影光学器件”应被广泛地解译为涵盖各种类型的光学***，包括例如折射光学器件、反射光学器件、孔径及反射折射光学器件。术语“投影光学器件”也可以包括用于共同地或单个地引导、成形或控制投影辐射光束的根据这些设计类型中的任一种类型而操作的部件。术语“投影光学器件”可以包括光刻投影设备中的任何光学部件，而不论光学部件位于光刻投影设备的光学路径上的何处。投影光学器件可以包括用于在来自源的辐射通过图案形成装置之前成形、调整和/或投影该辐射的光学部件，和/或用于在辐射通过图案形成装置之后成形、调整和/或投影该辐射的光学部件。投影光学器件通常不包括源和图案形成装置。

发明内容

根据实施例，提供一种非暂时性计算机可读介质，所述计算机可读介质具有指令，所述指令在由计算机执行时使所述计算机执行用于改进图案形成装置的设计的方法，所述方法包括：(i)获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征对应于待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征；以及(ii)调整所述掩模点的位置，以基于被调整的掩模点产生所述掩模特征的被修改的设计。

根据实施例，提供一种非暂时性计算机可读介质，所述计算机可读介质具有指令，所述指令在由计算机执行时使所述计算机执行用于改进图案形成装置的设计的方法，所述方法包括：(i)获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征对应于待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征；以及(ii)调整所述掩模点的位置以增大过程窗口，其中，所述过程窗口与用于将所述目标图案印刷于衬底上的图案形成过程相关联，其中，所述调整包括：基于所述被调整的位置产生被修改的设计。

根据实施例，提供一种用于改进图案形成装置的设计的方法，所述方法包括：(i)获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征对应于待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征；以及(ii)调整所述掩模点的位置，以基于被调整的掩模点产生所述掩模特征的被修改的设计。

附图说明

图1示出光刻***的各种子***的框图。

图2示出处理变量的示例性类别。

图3示意性地示出根据实施例的用于图案化仿真方法的流程。

图4示意性地示出根据实施例的用于测量仿真方法的流程。

图5A是与各种实施例一致的用于产生或改进对应于目标图案的掩模特征的设计的方法的流程图。

图5B是与各种实施例一致的用于产生掩模特征的初始设计的方法的流程图。

图5C是与各种实施例一致的用于优化掩模特征的初始设计的过程的流程图。

图6A说明与各种实施例一致的具有控制点及初始掩模点的目标特征。

图6B说明与各种实施例一致的从另一过程获得的掩模特征的设计。

图7说明与各种实施例一致的将平滑化过程应用于掩模点的过程。

图8说明与各种实施例一致的掩模特征的初始设计的被扰动版本。

图9说明与各种实施例一致的掩模特征的优化设计。

图10A说明与各种实施例一致的基于点的优化过程的示例性应用，其中，针对第一形状的目标特征产生掩模特征的优化设计。

图10B说明与各种实施例一致的基于点的优化过程的示例性应用，其中，针对第二形状的目标特征产生掩模特征的优化设计。

图10C说明与各种实施例一致的基于点的优化过程的示例性应用，其中，针对目标特征及次分辨率辅助特征(SRAF)产生掩模特征的优化设计。

图10D说明与各种实施例一致的基于点的优化过程的示例性应用，其中，针对目标特征而非针对SRAF产生掩模特征的优化设计。

图11是根据实施例的示例性计算机***的框图。

图12是根据实施例的光刻投影设备的示意图。

图13是根据实施例的另一种光刻投影设备的示意图。

图14是根据实施例的图12中的设备的更详细视图。

图15是根据实施例的图13和图14的设备的源收集器模块SO的更详细视图。

图16A说明与各种实施例一致的掩模特征的曲线设计。

图16B说明与各种实施例一致的掩模特征的多边形设计。

图16C说明与各种实施例一致的掩模特征的曲线设计和多边形设计。

图16D说明与各种实施例一致的掩模特征的曲线设计和多边形设计。

图17说明与各种实施例一致的掩模特征的混合设计。

图18说明与各种实施例一致的可以实施用于执行图5A中描述的“所有角度OPC”方法的流程图。

具体实施方式

在光刻中，图案形成装置(例如，掩模)可以提供对应于目标图案(例如，目标设计布局)的掩模图案(例如，掩模设计布局)，并且可以通过将光透射通过掩模图案而将此掩模图案转移至衬底上。然而，由于各种限制，被转移的图案可能显现为具有许多不规则性，并且因此，不相似于目标图案。光学邻近效应校正(OPC)是通常用于设计掩模图案以补偿由于光刻中的衍射或其他过程效应而引起的图像误差的增强技术。当前OPC技术通过迭代地调整设计的区段(例如，以使诸如抗蚀剂图像或蚀刻图像信号的信号最小化)并且缝合被校正的区段，以形成被校正的设计来增强掩模特征的设计。一些技术增强设计以优化成本函数，例如边缘放置误差、掩模规则检查、对称性等。一些技术将所有区段一起校正以优化成本函数。一些技术使用基于图像的增强方法，诸如自由形式技术，其中，从初始图像(例如，连续透射掩模(CTM)图像)产生自由形式掩模设计，并且该自由形式掩模设计被迭代地校正以优化图像可变像素。然而，当前技术中的至少一些是低效的，这是因为它们可能遭受收敛问题，可能具有有限的过程窗口尺寸，可能需要用户调谐许多参数以实现期望的结果，或可能消耗大量计算资源，例如运行时间和存储器，这阻止了它们在生产线中的使用。

在本公开内容中，披露了用于使用基于点的OPC(或本文中被称作“全角度OPC”)来改进掩模图案的方法和***。在基于点的OPC中，在一些实施例中，可以针对目标特征从目标图案产生初始掩模点并且所述初始掩模点可以与目标特征上的控制点相关联，例如一个控制点与一个或更多个掩模点相关联。调整所述掩模点(例如，改变位置)以产生曲线图案。掩模点可以沿着指定方向(例如，曲线图案的局部法线或其他预定方向)移动某一量，例如以优化控制点处的成本函数。可以迭代地实施调整掩模点的以上过程以更新曲线图案从而实现收敛。

在一些实施例中，基于点的OPC提供具有曲线图案的掩模的最终或中间设计，所述最终或中间设计比从已知技术产生的伸长设计更自然。在一些实施例中，可以一致地移动多个掩模点以优化一个或更多个控制点处的成本函数，这允许局部地更精细且更准确地控制掩模设计并且可能改进总体光刻性能。在一些实施例中，例如，如果掩模设计变得显著不同于目标特征，则可以打破并重新建立控制点与掩模点之间的关联关系，这使得能够通过智能型地选择待校正的掩模点而在控制点处更高效地优化(相比而言，即使区段已经相当远离控制点，例如在目标特征的拐角附近，在先前技术中，区段与控制点之间的关联关系也是固定的)。全角OPC技术可以用于产生用于掩模特征的曲线图案或非曲线图案(例如，图案的区段或直线与水平轴之间的角度为45*n度或90*n度的多边形图案，其中，n为整数)或混合设计(例如，部分是曲线及部分是多边形的设计)。

作为简要介绍，图1说明示例性光刻投影设备10A。主要部件为：辐射源12A，辐射源12A辐射源12A可以是深紫外准分子激光源或包括极紫外(EUV)源的其他类型的源(如上文所论述的，光刻投影设备自身无需具有辐射源)；照射光学器件，照射光学器件例如定义部分相干性(被表示为标准差)并且可以包括成形来自源12A的辐射的光学器件14A、16Aa和16Ab；图案形成装置18A；以及透射光学器件16Ac，透射光学器件16Ac将图案形成装置图案的图像投影至衬底平面22A上。在投影光学器件的光瞳平面处的可以调整的滤波器或孔径20A可以限定照射于衬底平面22A上的光束角度的范围，其中，最大的可能角度限定投影光学器件的数值孔径NA＝n sin(Θ_max)，其中n是衬底与投影光学器件的最后部件之间的介质的折射率，并且Θ_max是自投影光学器件射出的仍然可以照射于衬底平面22A上的光束的最大角度。

在光刻投影设备中，源将照射(即，辐射)提供至图案形成装置，并且投影光学器件经由图案形成装置将照射引导至衬底上并且成形该照射。投影光学器件可以包括部件14A、16Aa、16Ab和16Ac中的至少一些。空中图像(AI)是衬底水平面处的辐射强度分布。可以使用抗蚀剂模型以从空中图像计算抗蚀剂图像，可以在全部公开内容以引用的方式并入本文中的美国专利申请公开案第US 2009-0157360号中找到这种情况的示例。抗蚀剂模型仅与抗蚀剂层的特性(例如，在曝光、曝光后烘烤(PEB)及显影期间发生的化学过程的效应)相关。光刻投影设备的光学特性(例如，照射、图案形成装置及投影光学器件的特性)规定空中图像并且可以被定义于光学模型中。由于可以改变用于光刻投影设备中的图案形成装置，所以需要使图案形成装置的光学特性与至少包括源及投影光学器件的光刻投影设备的其余部分的光学特性分离。美国专利申请公开案第US 2008-0301620号、第2007-0050749号、第2007-0031745号、第2008-0309897号、第2010-0162197号和第2010-0180251号中描述了用于将设计布局变换成各种光刻图像(例如，空中图像、抗蚀剂图像等)、使用那些技术及模型来应用OPC并且评估性能(例如，依据过程窗口)的技术及模型的细节，所述公开案中的每一个的全部公开内容以引用的方式并入本文中。

图案形成装置可以包括或可以形成一个或更多个设计布局。可以利用CAD(计算机辅助设计)程序来产生设计布局，此过程经常被称作EDA(电子设计自动化)。大多数CAD程序遵循一组预定的设计规则，以便产生功能设计布局/图案形成装置。通过处理和设计限制来设定这些规则。例如，设计规则定义器件(诸如栅、电容器等)或互联的线之间的空间容许度，以便确保器件或线不会以非期望的方式彼此相互作用。设计规则限制中的一种或更多种可以被称作“临界尺寸”(CD)。器件的临界尺寸可以被定义为线或孔的最小宽度或两条线或两个孔之间的最小空间。因此，CD确定所设计的器件的总尺寸及密度。当然，器件制作中的目标中的一项是在衬底上(经由图案形成装置)如实地再生原始设计意图。

如本文中使用的术语“掩模”或“图案形成装置”可以被广泛地解释为指可以用于向入射辐射光束赋予图案化横截面的通用图案形成装置，图案化横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案；术语“光阀”也可以用于此内容背景中。除了经典掩模(透射式或反射式；二元式、相移式、混合式等)以外，其他此类图案形成装置的示例包括：

-可编程反射镜数阵列。这种器件的示例是具有黏弹性控制层及反射表面的矩阵可寻址表面。此设备所隐含的基本原理为(例如)：反射表面的被寻址区域将入射辐射反射为衍射辐射，而未被寻址区域将入射辐射反射为非衍射辐射。在使用适当的滤波器的情况下，可以从反射光束滤除该非衍射辐射，从而仅留下衍射辐射；这样，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而变得图案化。可以使用合适的电子构件来执行所需的矩阵寻址。

-可编程LCD阵列。以引用的方式并入本文中的美国专利第5,229,872号中给出了此构造的示例。

理解光刻过程的一个方面是理解辐射与图案形成装置的相互作用。可以根据在辐射到达图案形成装置之前的辐射的电磁场及表征所述相互作用的函数来确定在辐射通过图案形成装置之后的辐射的电磁场。此函数可以被称作掩模透射函数(该掩模透射函数可以用于描述透射图案形成装置和/或反射图案形成装置的相互作用)。

图案形成过程的变量被称为“处理变量”。图案形成过程可以包括光刻设备中的图案的实际转移上游及下游的过程。图2示出处理变量370的示例性类别。第一类别可以是光刻设备或用于光刻过程中的任何其他设备的变量310。此类别的示例包括光刻设备的照射件、投影***、衬底平台等的变量。第二类别可以是在图案形成过程中执行的一个或更多个工序的变量320。此类别的示例包括焦点控制或焦点测量、剂量控制或剂量测量、带宽、曝光持续时间、显影温度、用于显影中的化学成份等。第三类别可以是设计布局及其在图案形成装置中或使用图案形成装置进行的实施的变量330。此类别的示例可以包括辅助特征的形状和/或位置、通过分辨率增强技术(RET)而应用的调整、掩模特征的CD等。第四类别可以是衬底的变量340。示例包括抗蚀剂层下方的结构的特性、抗蚀剂层的化学成份和/或物理尺寸等。第五类别可以是图案形成过程的一个或更多个变量的时间变化的特性350。此类别的示例包括高频平台移动的特性(例如，频率、振幅等)、高频激光带宽改变的特性(例如，频率、振幅等)和/或高频激光波长改变的特性。这些高频改变或移动为高于用于调整基础变量(例如，平台位置、激光强度)的机构的响应时间的高频改变或移动。第六类别可以是光刻设备中的图案转移上游或下游的过程的特性360，所述过程诸如为旋涂、曝光后烘烤(PEB)、显影、蚀刻、沉积、掺杂和/或封装。

如将明白的，这些变量中的许多变量(如果不是全部)将对图案形成过程的参数有影响并且经常对所关注参数有影响。图案形成过程的参数的非限制性示例可以包括临界尺寸(CD)、临界尺寸均一性(CDU)、焦点、重叠、边缘位置或放置、侧壁角、图案移位等。经常，这些参数表达相对于标称值(例如，设计值、平均值等)的误差。参数值可以是单独的图案的特性的值或图案群组的特性的统计量(例如，平均值、方差等)。

可以通过合适的方法确定处理变量中的一些或全部或与其相关的参数的值。例如，可以根据利用各种量测工具(例如，衬底量测工具)获得的数据确定值。可以从图案形成过程中的设备的各种传感器或***(例如，光刻设备的传感器(诸如调平测量传感器或对准传感器)、光刻设备的控制***(例如，衬底或图案形成装置台控制***)、涂布显影***工具中的传感器等)获得值。所述值可以来自图案形成过程的操作员。

图3说明用于模型化和/或仿真图案形成过程的一部分的示例性流程图。如将明白的，模型可以表示不同的图案形成过程且无需包括下文所描述之所有模型。源模型1200表示图案形成装置的照射的光学特性(包括辐射强度分布、带宽和/或相位分布)。源模型1200可以表示照射的光学特性，照射的光学特性包括但不限于：数值孔径设定、照射标准差(σ)设定以及任何特定的照射形状(例如，离轴辐射形状，诸如环形、四极、偶极等)，其中，σ(或标准差)为照射器的外部径向范围。

投影光学器件模型1210表示投影光学器件的光学特性(包括由投影光学器件造成的辐射强度分布和/或相位分布的改变)。投影光学器件模型1210可以表示投影光学器件的光学特性，包括像差、失真、一个或更多个折射率、一个或更多个物理尺寸、一个或更多个物理维度等。

图案形成装置/设计布局模型模块1220捕捉设计特征如何被布置于图案形成装置的图案中并且可以包括图案形成装置的详细物理特性的表示，如例如全文以引用的方式并入本文中的美国专利第7,587,704号中描述的那样。在实施例中，图案形成装置/设计布局模型模块1220表示设计布局(例如，对应于集成电路、存储器、电子器件等的特征的器件设计布局)的光学特性(包括由给定设计布局造成的辐射强度分布和/或相位分布的改变)，所述光学特性为图案形成装置上的或由图案形成装置形成的特征的布置的表示。由于可以改变用于光刻投影设备中的图案形成装置，所以需要使图案形成装置的光学特性与至少包括照射及投影光学器件的光刻投影设备的其余部分的光学特性分离。仿真的目标经常是准确地预测例如边缘放置及CD，然后可以比较所述边缘放置及CD与器件设计。器件设计通常被定义为预OPC图案形成装置布局，并且将以诸如GDSII或OASIS的标准化数字文件格式的形式被提供。

可以根据源模型1200、投影光学器件模型1210及图案形成装置/设计布局模型1220仿真空中图像1230。空中图像(AI)是衬底水平面处的辐射强度分布。光刻投影设备的光学特性(例如，照射件、图案形成装置及投影光学器件的特性)规定空中图像。

衬底上的抗蚀剂层由空中图像曝光，并且该空中图像被转移至抗蚀剂层而作为其中的潜像“抗蚀剂图像”(RI)。可以将抗蚀剂图像(RI)定义为抗蚀剂层中的抗蚀剂的溶解度的空间分布。可以使用抗蚀剂模型1240根据空中图像1230仿真抗蚀剂图像1250。可以使用抗蚀剂模型，以根据空中图像计算抗蚀剂图像，可以在全部公开内容以引用的方式并入本文中的美国专利申请公开案第US 2009-0157360号中找到这种情况的示例。抗蚀剂模型通常描述在抗蚀剂曝光、曝光后烘烤(PEB)和显影期间出现的化学过程的效应，以便预测例如形成于衬底上的抗蚀剂特征的轮廓，并且因此其通常仅与抗蚀剂层的此类特性(例如在曝光、曝光后烘烤及显影期间出现的化学过程的效应)相关。在实施例中，抗蚀剂层的光学特性，例如折射率、膜厚度、传播及偏振效应——可以作为投影光学器件模型1210的一部分被捕捉。

因此，一般而言，光学模型与抗蚀剂模型之间的连接是抗蚀剂层内的被仿真的空中图像强度，被仿真的空中图像强度起因于辐射至衬底上的投影、抗蚀剂界面处的折射及抗蚀剂膜叠层中的多重反射。辐射强度分布(空中图像强度)通过入射能量的吸收而变为潜像“抗蚀剂图像”，它是通过扩散过程及各种负载效应而被进一步修改的。足够快以用于全芯片应用的高效仿真方法通过2维空中(及抗蚀剂)图像来近似抗蚀剂叠层中的实际的3维强度分布。

在实施例中，可以将抗蚀剂图像用作至图案转移后过程模型模块1260的输入。图案转移后过程模型1260限定一个或更多个抗蚀剂显影后过程(例如蚀刻、显影等)的性能。

图案形成过程的仿真可以例如预测抗蚀剂和/或被蚀刻图像中的轮廓、CD、边缘放置(例如，边缘放置误差)等。因此，该仿真的目标是准确地预测例如被印刷图案的边缘放置、和/或空中图像强度斜率、和/或CD等。可以将这些值与预期设计进行比较，以例如校正图案形成过程，识别预测出现缺陷的地点等。预期设计通常被定义为预OPC设计布局，预OPC设计布局可以以诸如GDSII或OASIS或其他文件格式的标准化数字文件格式而被提供。

因此，模型公式描述总过程的大多数(如果不是全部)已知物理性质及化学方法，并且模型参数中的每一个模型参数理想地对应于不同的物理或化学效应。因此，模型公式设定关于模型可以用于仿真总体制造过程的良好程度的上限。

图4说明用于模型化和/或仿真量测过程的示例性流程图。如将认识到的，以下模型可以表示不同量测过程并且无需包括下文所描述的所有模型(例如，可以将一些模型组合)。源模型1300表示量测目标的照射的光学特性(包括辐射强度分布、辐射波长、偏振等)。源模型1300可以表示照射的光学特性，照射的光学特性包括但不限于：波长、偏振、照射标准差(σ)设定(其中，σ(或标准差)是照射器中的照射的径向范围)、任何特定照射形状(例如，离轴辐射形状，诸如环形、四极、偶极等)等。

量测光学器件模型1310表示量测光学器件的光学特性(包括由量测光学器件造成的辐射强度分布和/或相位分布的改变)。量测光学器件1310可以表示由量测光学器件对量测目标的照射的光学特性，以及从量测目标重新引导的辐射朝向量测设备检测器的转移的光学特性。量测光学器件模型可以表示涉及目标的照射及从量测目标重新引导的辐射朝向检测器的转移的各种特性，包括像差、失真、一个或更多个折射率、一个或更多个物理大小、一个或更多个物理尺寸等。

量测目标模型1320可以表示由量测目标重新引导的照射的光学特性(包括由量测目标造成的照射辐射强度分布和/或相位分布的改变)。因此，量测目标模型1320可以对通过量测目标进行的照射辐射至重新引导辐射的转换建模。因此，量测目标模型可以仿真从量测目标重新引导的辐射的所得到的照射分布。量测目标模型可以表示涉及目标的照射及从量测重新引导的辐射的产生的各种特性，包括一个或更多个折射率、量测的一个或更多个物理尺寸、量测目标的物理布局等。由于可以改变所用的量测目标，所以需要使量测目标的光学特性与至少包括照射及投影光学器件和检测器的量测设备的其余部分的光学特性分离。仿真的目标经常是准确地预测例如强度、相位等，然后强度、相位等可以用于导出图案形成过程的感兴趣的参数，诸如重叠、CD、焦点等。

可以根据源模型1300、量测光学器件模型1310和量测目标模型1320来仿真光瞳或空中图像1330。光瞳或空中图像是检测器水平面处的辐射强度分布。量测光学器件和量测目标的光学特性(例如，照射、量测目标和量测光学器件的特性)规定光瞳或空中图像。

量测设备的检测器被暴露至光瞳或空中图像且检测该光瞳或空中图像的一个或更多个光学特性(例如，强度、相位等)。检测模型模块1320表示如何通过量测设备的检测器来检测来自量测光学器件的辐射。检测模型可以描述检测器如何检测光瞳或空中图像，并且可以包括信号对噪声、对检测器上的入射辐射的敏感度等。因此，一般而言，量测光学器件模型与检测器模型之间的连接是仿真的光瞳或空中图像，仿真的光瞳或空中图像是由于由光学器件对量测目标的照射、由目标对辐射的重新引导及重新引导辐射至检测器的转移而导致的。辐射分布(光瞳或空中图像)由于检测器上的入射能量的吸收而变为检测信号。

量测过程的仿真可以例如基于由检测器对光瞳或空中图像的检测来预测检测器处的空间强度信号、空间相位信号等，或来自检测***的其他计算值，诸如重叠、CD等值。因此，仿真的目标是准确地预测例如对应于量测目标的检测器信号或诸如重叠、CD的导出值。可以将这些值与预期设计值比较以例如校正图案形成过程，识别预测出现缺陷的位置等。

因此，模型公式描述总体量测过程的大多数(如果不是全部)已知的物理性质及化学性质，并且模型参数中的每一个模型参数理想地对应于量测过程中的不同的物理和/或化学效应。

图案形成装置上或由图案形成装置提供的各种图案可以具有不同的过程窗口，即，将产生符合规格的图案所根据的处理变量的空间。关于潜在***性缺陷的图案规格的示例包括检查颈缩、线拉回、线薄化、CD、边缘放置、重叠、抗蚀剂顶部损耗、抗蚀剂底切和/或桥接。通常，在两个处理变量(即，剂量及焦点)上限定过程窗口，使得在图案化之后获得的CD可以在图案的特征的期望的CD的±10％内。可以通过合并每个单独图案的过程窗口(例如，使所述过程窗口重叠)来获得图案形成装置或其区域上的所有图案的过程窗口。

图5A是与各种实施例一致的用于产生或改善对应于待经由涉及光刻过程的图案形成过程印刷于衬底上的目标图案的掩模特征的设计的示例性方法500的流程图。在实施例中，目标图案可以是二元设计布局、连续色调设计布局、或具有另一种合适形式的设计布局。目标图案可以包括待印刷于衬底上的一个或更多个目标特征，并且掩模图案包括对应于一个或更多个目标特征的掩模特征。在一些实施例中，目标特征的设计可以是多边形，并且对应的掩模特征的设计可以是曲线图案。掩模特征可以是对应于目标特征的主特征或次分辨率辅助特征(SRAF)。

在过程P501处，获得掩模特征的设计的掩模点。在一些实施例中，掩模点是位于掩模特征上的一组点。掩模点可以被调整(例如，移动至不同位置)以修改掩模特征的设计。掩模点是从掩模特征的现有设计导出的或从目标特征导出的，在这种情况下，掩模点与线(平滑地)连接以形成初始设计。在一些实施例中，初始设计具有曲线图案。获得掩模点或产生初始设计的额外细节至少参照图5B的过程550进行描述。

在过程P503处，通过调整掩模点的位置来优化初始设计。对掩模点的位置的调整产生掩模特征的被修改的设计(因此被称作“基于点的优化过程”)。在一些实施例中，掩模点的位置被调整使得成本函数被优化。成本函数可以包括边缘放置误差(EPE)、诸如抗蚀剂图像信号(或蚀刻图像信号)的仿真信号、掩模规则检查(MRC)惩罚、过程窗口等中的一种或更多种。过程P503可以使用一个或更多个成本函数，并且可以以不同的方式优化不同的成本函数。

例如，过程P503可以通过减小一个或更多个目标特征的EPE(例如，直至最小化)来优化诸如EPE的成本函数。在一些实施例中，EPE是抗蚀剂图像中的轮廓(例如，对应于掩模特征的轮廓)上的点与所述点的预期位置(例如，目标特征上的控制点)之间的距离。

在另一个示例中，过程P503可以通过减少一个或更多个目标特征上的仿真信号(例如，直至最小化)来优化诸如仿真信号的成本函数。在一些实施例中，可以从抗蚀剂图像(或蚀刻图像)获得仿真信号，该抗蚀剂图像可以根据掩模特征的被修改的设计来获得，例如使用抗蚀剂模型(或蚀刻模型)来仿真。

在另一个示例中，过程P503可以通过减少MRC违反惩罚(例如，直至最小化)来优化诸如MRC违反惩罚的成本函数。在一些实施例中，MRC是用于降低可产生的掩模图案的复杂度的图像正则化方法。MRC是指掩模制造过程或设备的限制条件。惩罚可以是成本函数的依赖于违反量的项，例如掩模测量值与给定MRC或掩模参数(例如，掩模图案宽度与所允许(例如，最小或最大)的掩模图案宽度)之间的差。

在另一个示例中，过程P503可以通过增大过程窗口(例如，直至最大化)来优化诸如过程窗口的成本函数。在一些实施例中，增大过程窗口包括增大剂量值或焦点值的范围。在一些实施例中，图案形成过程的过程窗口包括用于光刻设备的源参数(诸如剂量及焦点)的值的范围，该光刻设备用于使用掩模图案将目标图案印刷于衬底上。

在一些实施例中，调整位置的过程P503是迭代过程，并且执行调整位置的迭代直至满足指定条件为止。指定条件可以是执行预定义数目次迭代或优化成本函数。另外，被修改的设计在每次迭代中更新(例如，通过调整一个或更多个掩模点的位置)，并且最终迭代的输出(例如，被修改的最终设计)可以用于制造掩模图案。掩模图案可以具有额外的结构特征，诸如对应于被修改的设计的SRAF。然后，掩模图案可以用于使用光刻设备将被修改的设计转移至衬底。

关于优化掩模特征的初始设计的额外细节至少参照图5C的过程575加以描述。

图5B是与各种实施例一致的用于产生掩模特征的初始设计的方法550的流程图。在一些实施例中，过程550作为过程500的过程P501的一部分予以执行。在过程P505处，获得目标图案501。目标图案501可以包括一个或更多个目标特征，诸如图6A的目标特征602。图6A说明与各种实施例一致的具有控制点及初始掩模点的目标特征。目标特征可以具有任何形状，例如圆圈、椭圆、多边形等。例如，目标特征602的形状为矩形。继续过程P505，目标特征602与多个控制点相关联，诸如控制点656及控制点662。在一些实施例中，通过将目标特征602分段成多个区段并且将一个或更多个控制点放置于所述区段中的每个区段中的目标特征602的边缘上而使控制点与目标特征602相关联。在图6A的示例中，控制点656和另一个相似的控制点放置于目标特征602的较短边缘的中点上，并且一些控制点(包括控制点662)放置于目标特征602的较长边缘上。在一些实施例中，目标特征上的控制点可以放置于目标特征的一个或更多个边缘上的用户定义的位置处。

多个掩模点503(诸如，掩模点604和606)是从目标特征602导出的。掩模点503是形成对应于目标特征602的掩模特征的设计的一组点。掩模点503可以使用(例如，弯曲或笔直的)线来连接，以形成掩模特征的设计。在一些实施例中，掩模点503是使用曲线连接的，以形成曲线设计。在一些实施例中，从目标特征602导出掩模点503的过程包括在用户定义的位置处(例如，在目标特征602上或附近)产生掩模点503。如图6A中说明的，诸如掩模点604的一些掩模点位于目标特征602的边缘上，并且诸如掩模点606的一些掩模点位于目标特征602的边缘或拐角附近。可以例如通过改变掩模点的位置来调整掩模点503，以更新设计(例如，如至少参照下文的图5C所描述的)。

基于点的OPC过程可以以各种方式产生的掩模特征的初始设计开始。例如，可以例如通过使用从目标特征602导出的掩模点503而从目标特征602产生掩模特征的初始设计(如下文进一步所描述)。在另一个示例中，可以将掩模特征的输入设计502提供至过程P505。输入设计502可以从另一个OPC过程获得或使用另一个OPC过程产生。此类OPC过程的示例包括机器学习自由形式OPC、CTM自由形式OPC、CTM+自由形式OPC、基于区段的OPC、逆光刻技术(ILT)、基于机器学习(ML)的OPC等。图6B说明与各种实施例一致的从另一个过程获得的掩模特征的设计。可以使用上述OPC过程中的一个OPC过程从目标特征602来产生掩模特征的设计654(例如，输入设计502)。另外，设计654的形状可以是曲线的。在过程接收设计654作为输入设计502的情况下，从设计654导出掩模点503。例如，掩模点503可以是例如，设计654上的用户定义的位置处的一组点。

在过程P507处，掩模点503与控制点相关联，以产生多个控制点-掩模点关联507。例如，在一组掩模点658与控制点656之间产生第一关联关系。该关联可以基于用户定义的输入而产生。例如，用户可以选择待与控制点656相关联的该组掩模点658。在一些实施例中，产生所述关联使得每个控制点与相同数目的掩模点相关联。例如，如图6B中说明的，每个控制点与三个掩模点相关联(使用连接掩模点与对应的控制点的边缘来描绘掩模点与控制点之间的关联关系)。然而，这仅是示例性的；可以在不背离本发明的范围的情况下使用将一个或更多个掩模点与每个控制点相关联的任何其他合适的方式。在一些实施例中，通过调整与该控制点相关联的一个或更多个掩模点的位置来优化在控制点处的成本函数，如至少参照下面的图5C所描述的。另外，掩模点与控制点之间的关联关系在调整位置的过程期间可以改变，如至少参照下面的图5C所描述的。

在过程P509处，将平滑化过程应用于掩模点503以产生掩模特征的设计509。在一些实施例中，平滑化过程可以包括应用曲线拟合，曲线拟合是构造与一系列数据点(例如，经受约束)具有最佳拟合的曲线的过程。曲线拟合可能涉及内插(其中，需要对数据的确切拟合)或平滑化(其中构造大致拟合数据的“平滑”函数)。图7说明与各种实施例一致的将平滑化过程应用于掩模点的过程。在图7中，将平滑化过程应用于掩模点503(例如，掩模点604和606)以产生曲线图案702(例如，设计509)。

在过程P511处，将扰动过程应用于设计509以产生被放大(或被缩小)的设计511，该设计为设计509的被放大(或被缩小)版本。在一些实施例中，扰动过程通过在指定方向(例如，局部法线)上移动掩模点中的每一个(例如，指定距离)来放大(或缩小)设计509。图8说明与各种实施例一致的掩模特征的初始设计的被扰动版本。例如，通过将扰动过程应用于曲线图案702(例如，通过平滑化过程产生的设计509)，产生曲线图案702的放大版本802。可以将放大版本802作为掩模特征的初始设计511输入至图5C的设计优化过程。

图5C是与各种实施例一致的用于优化掩模特征的设计的过程575的流程图。在一些实施例中，过程575作为过程500的过程P503的一部分而被执行。在过程P521处，将初始设计511作为输入而接收。将诸如抗蚀剂及蚀刻模型的过程模型应用于初始设计以获得仿真图像(例如，抗蚀剂图像或蚀刻图像)，并且使用被仿真图像来计算成本函数521。在一些实施例中，针对与目标特征602相关联的控制点中的每个控制点确定成本函数521。如上文所描述的，成本函数521可以是EPE、仿真信号、过程窗口等中的一种或更多种。例如，可以使用被仿真图像通过从被仿真图像提取掩模特征的轮廓并且比较该轮廓与目标特征602以获得控制点处的EPE来确定诸如EPE的成本函数。

在过程P523处，针对每个控制点至少部分地基于成本函数521来确定掩模点503的位置调整数据523。在一些实施例中，位置调整数据523可以包括与控制点相关联的一个或更多个掩模点必须移动以便优化成本函数521(例如，减小或最小化EPE)所采用的斜率及距离值。例如，用于控制点656的位置调整数据523可以指示来自该组掩模点658的一个或更多个掩模点必须移动以使控制点656处的EPE最小化所采用的方向(例如，诸如设计的局部法线的方向或其他方向)和距离。位置调整数据523的确定也可以考虑与控制点相关联的掩模点的当前位置以及目标特征的几何信息(例如，形状)。例如，用于控制点656的位置调整数据523的确定可考虑该组掩模点658的当前位置以及目标特征602的几何信息(例如，形状)。

在过程P525处，基于位置调整数据523调整与每个控制点相关联的一个或更多个掩模点的位置以优化成本函数521。在调整一个或更多个掩模点的位置之后，产生被修改的设计525，例如，如图9中说明的。

图9说明与各种实施例一致的掩模特征的优化设计。在调整了初始设计511的一个或更多个掩模点的位置之后，产生被修改的设计902a(例如，被修改的设计525)。应该注意的是，图9说明通过相对于控制点656移动一个或更多个掩模点658，控制点656处的诸如EPE的成本函数521从初始值减小至“3.5nm”。在一些实施例中，通过从被修改的设计902a获得被仿真图像(例如，抗蚀剂图像或蚀刻图像)、从被仿真图像提取轮廓912a并且测量轮廓912a上的点与控制点656之间的距离来确定EPE。在一些实施例中，在调整掩模点时，过程可以将设计***成多个片段(例如，弧形片段)并且随后对设计的所述片段应用调整。例如，可以共同地(例如，一致地)或单独地(例如，分开地)调整多个掩模点。

在过程P527处，将平滑化过程应用于被修改的设计902a。如上文所描述的，平滑化过程可以是曲线拟合过程，曲线拟合过程构造与一系列数据点(例如，被调整的掩模点)具有最佳拟合的曲线。

在过程P529处，将MRC过程应用于被修改的设计902a以进一步更新被修改的设计902a，以确保被修改的设计902a遵照掩模制造过程或设备的限制条件(例如，掩模设计宽度在所允许的(例如，最小或最大)掩模设计宽度内)。

在确定过程P531处，作出是否满足优化条件的确定。如果满足优化条件(例如，成本函数521被优化或执行预定义数目次迭代)，则过程575结束。如果未满足优化条件，则将被修改的设计902a输入至过程P521并且重复过程575以通过调整掩模点并且产生另一个被修改的设计来进一步优化成本函数521。在一些实施例中，优化掩模特征的设计(例如，初始设计511或被修改的设计902a)的过程575是迭代过程，并且重复迭代(例如，诸如P521至P529的以上过程)直至优化成本函数521或执行预定义数目次迭代，其中，每次迭代通过调整一个或更多个掩模点产生被修改的设计。在若干次迭代之后，产生被修改的最终掩模设计525。在一些实施例中，与被修改的最终设计525相关联的成本函数521被优化。例如，在图9中，在若干次迭代之后，产生被修改的最终设计902b(例如，被修改的最终设计525)。应该注意的是，在控制点656处的被修改的最终设计902b中的成本函数521(诸如EPE)为“1.1nm”，1.1nm小于初次迭代中的”3.5nm”的EPE。即，EPE随着迭代的数目增大而减小(例如，成本函数521被优化)。在一些实施例中，可以不进一步优化为“1.1nm”的EPE，并且因此，被修改的设计902b可以被认为对应于目标特征602的掩模特征的最终优化设计。在一些实施例中，通过获得轮廓912b(例如，根据如以上所描述的被仿真图像)并且测量轮廓912b上的点与控制点656之间的距离来确定EPE。

在一些实施例中，当经过若干次迭代而优化被修改的设计525时，掩模点与控制点之间的关联关系可以是“固定的”或“动态的”。例如，在固定模式中，如果第一组掩模点与第一次迭代中的第一控制点相关联，则第一组掩模点保持与所有迭代中的第一控制点相关联。在动态模式中，如果第一组掩模点与第一次迭代中的第一控制点相关联，则来自第一组掩模点的一个或更多个掩模点可以与第二次迭代中的第二控制点相关联以便优化成本函数521。即，可以打破掩模点与控制点之间的现有关联并且可以建立新的关联。此动态调整将在各种情境中都会有帮助，例如，在被修改的设计变得显著不同于目标特征的形状(这可以通过比较被修改的设计与目标特征而确定)的情况下。这样，可以通过智能地选择待校正的掩模点来更有效地优化控制点处的成本函数521。

在又一种关联模式(被称作“软”模式)中，可能在掩模点与控制点之间不存在所定义的关联。可以基于与在掩模点的某个距离内的控制点中的每个控制点相关联的成本函数521来调整掩模点。在一些实施例中，所选择的关联的“软”模式可以依赖于目标特征602的几何形状。例如，掩模点调整的量可以依赖于掩模点与控制点之间的距离及掩模点处的局部法线与连接掩模点及控制点的直线之间的角度。

虽然参考EPE描述优化成本函数521的前述描述，但也可以使用诸如仿真信号或过程窗口的其他成本函数。如果成本函数521是仿真信号，则过程575可以调整掩模点的位置以通过减小仿真信号(例如，直至最小化)而优化仿真信号。在另一个示例中，如果成本函数521是过程窗口，则过程575可以调整掩模点的位置以通过增大过程窗口(例如，直至最大化)而优化过程窗口。在又一个示例中，如果成本函数521是诸如EPE和过程窗口的一个或更多个指标的组合，则过程575可以调整掩模点的位置以通过减小EPE(例如，直至最小化)并且增大过程窗口(例如，直至最大化)来优化EPE和过程窗口。在一些实施例中，诸如仿真信号或EPE的成本函数为局部成本函数，例如控制点局部的成本函数，而诸如过程窗口的成本函数是与整体上的一个或更多个目标特征相关的全局成本函数。在一些实施例中，可能在优化局部成本函数及全局成本函数两者时出现冲突，在这种情况下，经由折衷来实现优化(例如，在可以不优化一个或更多个局部成本函数的同时，可以优化其他局部成本函数或全局成本，或反之亦然)。例如，如果一个控制点处的仿真信号或EPE受另一个控制点(例如，相邻控制点)处的仿真信号或EPE影响，则局部成本函数两者可能不会同时被优化并且可以采用折衷的优化，诸如其中的一项可以被优化或其两者可以在一定程度上被优化(例如，EPE被减小但未被最小化)，一者不影响另一者。

虽然前述描述描述了优化单个掩模特征的设计，但掩模图案可以具有对应于目标图案中的多个目标特征的多个此类掩模特征。可以针对掩模图案中的所有掩模特征执行基于点的优化过程(例如，过程500)以产生用于对应掩模特征的优化设计。然后，具有掩模特征的优化设计(诸如优化设计902b)的掩模图案可以用于制造可以用于将掩模图案转移至衬底的掩模。

产生或优化掩模特征的设计的基于点的优化过程可以用于各种应用中。图10A至图10D说明与各种实施例一致的设计优化过程的各种示例性应用。图10A说明基于点的优化过程的示例性应用，其中，针对诸如所说明的正方形的目标特征(例如，目标特征1001)产生掩模特征的优化设计(例如，优化设计1002)。图1OB说明基于点优化过程的示例性应用，其中，针对诸如圆圈及椭圆的目标特征(例如，目标特征1007)产生掩模特征的优化设计(例如，优化设计1008)。图10C说明基于点的优化过程的示例性应用，其中，针对诸如倾斜图案的目标特征产生掩模特征的优化设计。在图10C中，基于点的优化过程并不分离不同类型的掩模特征，诸如主特征(例如，目标特征)和SRAF，即，针对主特征及SRAF两者产生优化设计。例如，掩模图案1003包括对应于主特征(例如，目标特征)和SRAF的掩模特征。基于点的优化过程产生对应于目标特征1005的掩模特征的优化设计1010。在图1OD中，基于点的优化过程分离不同类型的掩模特征，并且产生针对主特征而非针对SRAF的掩模特征的优化设计。例如，掩模图案1017包括对应于主特征(例如，目标特征)和SRAF两者的掩模特征。基于点的优化过程产生对应于目标特征1020的掩模特征的优化设计1025。

虽然基于点的优化过程可以从目标特征产生掩模特征的初始设计且优化该初始设计，但基于点的优化过程也可以用于改善通过其他OPC过程(诸如自由形式过程)产生的掩模特征的设计。在图10C和图10D的示例中，使用自由形式过程产生掩模特征的初始设计，然后将所述初始设计被输入至基于点的优化过程以用于将其优化成优化设计1010及1025。

在一些实施例中，基于点的优化过程比其他OPC过程更高效。例如，基于点的优化过程相比于其他过程可以以较少数目次迭代优化成本函数，由此最小化在产生优化设计中消耗的计算资源，例如处理器运行时间及存储器。在另一个示例中，基于点的优化过程与其他OPC过程相比实现成本函数的较好优化，同时相比于其他过程消耗更少的计算资源，例如处理器运行时间及存储器。

在一些实施例中，使用基于点的优化过程结合其他OPC过程比使用所述其他OPC过程而不使用基于点的优化过程更高效。即，使用其他OPC过程来产生初始设计，然后使用基于点的优化过程来优化所述初始设计以实现提高的效率。例如，与其他过程在不使用基于点的优化过程的情况下产生优化设计中将消耗的计算资源相比，基于点的优化过程可以通过消耗更少的计算资源(例如，处理器运行时间及存储器)而从初始设计产生优化设计。此外，与其他OPC过程在不使用基于点的优化过程的情况下将实现的情形相比，基于点的优化过程可以实现成本函数的更好的优化。

在一些实施例中，基于点的优化过程可以通过优化掩模点位置连同光刻设备的源以优化过程窗口而并入至源掩模优化(SMO)流程中。例如，在SMO的每次迭代中，每个掩模点移动的方向及量可以依赖于源形状，该源形状也在同一次SMO迭代中被优化。然后，来自SMO的掩模输出由(例如，使用平滑化过程)平滑连接的优化掩模点构成。

图11是说明可以辅助实施本发明中所披露的方法、流程或设备的计算机***100的框图。计算机***100包括用于传达信息的总线102或其他通信机构，以及与总线102联接以用于处理信息的处理器104(或多个处理器104及105)。计算机***100还包括联接至总线102以用于储存待由处理器104执行的信息及指令的主存储器106，诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态存储。主存储器106也可以用于在待由处理器104执行的指令的执行期间储存暂时性变量或其他中间信息。计算机***100还包括联接至总线102以用于储存用于处理器104的静态信息及指令的只读存储器(ROM)108或其他静态存储装置。提供诸如磁盘或光盘的存储装置110，并且存储装置110联接至总线102以用于储存信息及指令。

计算机***100可以经由总线102而联接至用于向计算机用户显示信息的显示器112，诸如，阴极射线管(CRT)或平板显示器或触控面板显示器。包括字母按键及其他按键的输入设备114联接至总线102以用于将信息及命令选择传达至处理器104。另一类型的用户输入设备是用于将方向信息及命令选择传达至处理器104并且用于控制显示器112上的光标移动的光标控制件116，诸如，鼠标、轨迹球或光标方向按键。此输入设备通常具有在两个轴线(第一轴线(例如，x)和第二轴线(例如，y))中的两个自由度，该两个自由度允许该设备指定在平面中的位置。触控面板(屏幕)显示器也可以被用作输入设备。

根据一个实施例，可以通过计算机***100响应于处理器104执行主存储器106中所包括的一个或更多个指令的一个或更多个序列来执行本文中描述的一种或多种方法的一部分。可以将此类指令从另一个计算机可读介质(诸如存储装置110)读取至主存储器106中。主存储器106中包括的指令序列的执行致使处理器104执行本文中描述的过程步骤。呈多处理配置的一个或更多个处理器也可以用于执行主存储器106中包括的指令序列。在替代实施例中，可以代替或结合软件指令而使用硬联机电路***。因此，本文中的描述不限于硬件电路***及软件的任何特定组合。

本文中使用的术语“计算机可读介质”是指参与将指令提供至处理器104以供执行的任何介质。此介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质及传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如，存储装置110。易失性介质包括易失存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴缆线、铜线及光纤，包括电线，该电线包括总线102。传输介质也可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外线(IR)数据通信期间产生的声波或光波。计算机可读介质的常见形式包括例如软盘、可挠性磁盘、硬盘、磁带、任何其他磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、打孔卡、纸带、具有孔图案的任何其他物理介质、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他存储器芯片或卡匣、如下文所描述的载波，或可供计算机读取的任何其他介质。

可以在将一个或更多个指令的一个或更多个序列携载至处理器104以供执行时涉及计算机可读介质的各种形式。例如，最初可以将所述指令承载于远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载至其易失存储器中，并且使用调制解调器经由电话线而发送指令。在计算机***100本地的调制解调器可以接收在电话线上的数据，并且使用红外传输器以将数据转换成红外线信号。联接至总线102的红外检测器可以接收红外信号中所携载的数据并且将数据放置于总线102上。总线102将数据携载至主存储器106，处理器104自该主存储器获取及执行指令。由主存储器106接收的指令可以可选地在由处理器104执行之前或之后存储于存储装置110上。

计算机***100还可以包括联接至总线102的通信接口118。通信接口118提供对网络链路120的双向数据通信联接，网络链路120连接至局域网络122。例如，通信接口118可以是综合业务数字网(ISDN)卡或调制解调器以提供至对应类型的电话线的数据通信连接。作为另一个示例，通信接口118可以是局域网络(LAN)卡，以提供对兼容LAN的数据通信连接。也可以实施无线链路。在任何此类实施中，通信接口118发送和接收携载表示各种类型的信息的数字数据串流的电信号、电磁信号或光信号。

网络链路120通常经由一个或更多个网络而向其他数据装置提供数据通信。例如，网络链路120可以经由局域网络122而向主计算机124或向由因特网服务提供商(ISP)126操作的数据设备提供连接。ISP 126又经由全球封包数据通信网络(现在通常被称作“因特网”)128而提供数据通信服务。局域网络122及因特网128两者都使用携载数字数据串流的电信号、电磁信号或光信号。经由各种网络的信号及在网络链路120上并且经由通信接口118的信号(所述信号将数字数据携载至计算机***100及携载来自计算机***100的数字数据)为输送信息的载波的示例性形式。

计算机***100可以经由网络、网络链路120及通信接口118而发送消息且接收数据(包括程序代码)。在因特网示例中，服务器130可能经由因特网128、ISP 126、局域网络122及通信接口118而传输用于应用程序的被请求程序代码。例如，一个此类被下载的应用程序可以提供本文中描述的方法的全部或一部分。所接收的程序代码可以在其被接收时由处理器104执行，和/或存储于存储装置110或其他非易失性存储器中以供稍后执行。这样，计算机***100可以获得呈载波的形式的应用程序代码。

图12示意性地描绘了可以结合本文中描述的技术利用的示例性光刻投影设备。该设备包括：

-照射***IL，所述照射***用于调节辐射束B。在这种特定情况下，照射***还包括辐射源SO；

-第一载物台(例如，图案形成装置台)MT，所述第一载物台具备用于保持图案形成装置MA(例如，掩模版)的图案形成装置保持器，并且连接至用于相对于物品PS来准确地定位该图案形成装置的第一***；

-第二载物台(衬底台)WT，所述第二载物台具备用于保持衬底W(例如，涂覆有抗蚀剂的硅晶片)的衬底保持器，并且连接至用于相对于物品PS来准确地定位该衬底的第二***；

-投影***(“透镜”)PS(例如，折射型、反射型、或反射折射型光学***)，所述投影***用于将图案形成装置MA的被照射部分成像至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

如本文中描绘的，设备属于透射类型(即，具有透射型图案形成装置)。然而，一般而言，它也可以属于反射类型，例如(具有反射图案形成装置)。设备可以使用与经典掩模不同种类的图案形成装置；示例包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。

源SO(例如，汞灯或准分子激光、LPP(激光产生等离子体)EUV源)产生辐射束。例如，此束直接地馈送至照射***(照射器)IL中或在已经穿过诸如扩束器Ex的调节构件之后馈送至照射***(照射器)IL中。照射器IL可以包括调整构件AD，以用于设定束中的强度分布的外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称作σ外部和σ内部)。另外，照射器IL通常将包括各种其他部件，诸如积光器IN和聚光器CO。这样，照射于图案形成装置MA上的束B在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。

关于图12应该注意的是，源SO可以在光刻投影设备的外壳内(这经常是当源SO是例如汞灯时的情况)，但源SO也可以远离光刻投影设备，源SO所产生的辐射束(例如，借助于合适的引导反射镜)被引导至该设备中；这后一种情境经常是当源SO为准分子激光器(例如，基于KrF、ArF或F2激光作用)时的情况。

束PB随后截取被保持于图案形成装置台MT上的图案形成装置MA。在已经穿过图案形成装置MA的情况下，束B穿过透镜PL，该透镜将束B聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位构件(及干涉测量构件IF)，可以准确地移动衬底台WT，例如，以使不同的目标部分C定位于束PB的路径中。相似地，第一定位构件可以用于例如在从图案形成装置库机械地获取图案形成装置MA之后或在扫描期间相对于束B的路径来准确地定位图案形成装置MA。一般而言，将借助于未在图12中明确地描绘的长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(精定位)来实现载物台MT、WT的移动。然而，在步进器(相对于步进扫描工具)的情况下，图案形成装置台MT可以仅连接至短冲程致动器，或可以是固定的。

可以在两种不同模式中使用所描绘的工具：

-在步进模式中，将图案形成装置台MT保持基本上静止，并且将整个图案形成装置图像一次投影((即，单次“闪光”)至目标部分C上。然后，使衬底台WT在x方向和/或y方向上移位，使得可以由束PB照射不同的目标部分C；

-在扫描模式中，基本上适用相同的情境，但单次“闪光”中不曝光给定目标部分C除外。取而代之的是，图案形成装置台MT可以在给定方向(所谓的“扫描方向”，例如，y方向)上以速度v移动，使得投影束B在整个图案形成装置图像上进行扫描；同时，衬底台WT以速度V＝Mv在相同或相反的方向上同时地移动，其中M为透镜PL的放大率(通常，M＝1/4或＝1/5)。这样，可以在不必损害分辨率的情况下曝光相对较大的目标部分C。

图13示意性地描绘可以结合本文中描述的技术利用的另一个示例性光刻投影设备1000。

该光刻投影设备1000包括：

-源收集器模块SO；

-照射***(照射器)IL，所述照射***配置为调节辐射束B(例如，EUV辐射)；

-支撑结构(例如，图案形成装置台)MT，所述支撑结构构造成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并且连接至配置为准确地定位该图案形成装置的第一***PM；

-衬底台(例如，晶片台)WT，所述衬底台构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且连接至配置为准确地定位该衬底的第二***PW；以及

-投影***(例如，反射投影***)PS，所述投影***配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

如此处所描绘的，设备1000属于反射类型(例如使用反射图案形成装置)。应该注意的是，因为大多数材料在EUV波长范围内有吸收性，所以图案形成装置可以具有包括例如钼与硅的多叠层的多层反射器。在一个示例中，多叠层反射器具有钼与硅的40个层对，其中，每一层的厚度为四分之一波长。可以利用X射线光刻来产生甚至更小的波长。由于大多数材料在EUV和x射线波长下有吸收性，所以图案形成装置形貌(例如多层反射器的顶部上的TaN吸收体)上的图案化的吸收材料薄片限定特征将在何处印刷(正型抗蚀剂)或不印刷(负型抗蚀剂)。

参照图13，照射器IL接收来自源收集器模块SO的极紫外辐射束。用于产生EUV辐射的方法包括但未必限于：利用在EUV范围内的一个或更多个发射谱线将具有至少一个元素(例如氙、锂或锡)的材料转换成等离子体状态。在一种此类方法(经常被称为激光产生等离子体“LPP”)中，可以通过利用激光束来照射燃料(诸如具有谱线发射元素的材料小滴、串流或簇)而产生等离子体。源收集器模块SO可以是包括激光(图13中未示出)的EUV辐射***的部件，该激光用于提供激发燃料的激光束。所得到的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，使用设置于源收集器模块中的辐射收集器收集该输出辐射。例如，当使用CO2激光器以提供用于燃料激发的激光束时，激光器与源收集器模块可以是分立的实体。

在此类情况下，不认为激光形成光刻设备的部件，并且辐射束借助于包括例如合适引导反射镜和/或扩束器的束传递***而从激光器传递至源收集器模块。在其他情况下，例如，当源是放电产生等离子体EUV产生器(经常被称为DPP源)时，源可以是源收集器模块的整体部件。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称作σ外部及σ内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如琢面场反射镜装置及琢面光瞳反射镜装置。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均一性及强度分布。

辐射束B入射于被保持于支撑结构(例如，图案形成装置台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过该图案形成装置而图案化。在从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影***PS，投影***PS将束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二***PW及位置传感器PS2(例如，干涉装置、线性编码器或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如以使不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中。相似地，第一***PM及另一个位置传感器PS1可以用于相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2及衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA及衬底W。

所描绘的设备1000可以用于以下模式中的至少一种模式中：

1.在步进模式中，在将被赋予辐射束的整个图案一次投影至目标部分C上时，使支撑结构(例如，图案形成装置台)MT及衬底台WT保持基本上静止(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台WT在X和/或Y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分C。

2.在扫描模式中，在将被赋予辐射束的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描支撑结构(例如，图案形成装置台)MT及衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影***PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，图案形成装置台)MT的速度及方向。

3.在另一种模式中，在将被赋予辐射束的图案投影至目标部分C上时，使支撑结构(例如，图案形成装置台)MT保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WT。在此模式中，通常使用脉冲式辐射源，并且在衬底台WT的每一次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要而更新可编程图案形成装置。此操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。

图14更详细地示出设备1000，该设备包括源收集器模块SO、照射***IL及投影***PS。源收集器模块SO被构造和配置为使得可以将真空环境维持于源收集器模块SO的围封结构220中。可以由放电产生等离子体源形成EUV辐射发射等离子体210。可以通过气体或蒸气(例如，Xe气体、Li蒸气或Sn蒸气)而产生EUV辐射，其中，产生极热等离子体210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。例如，通过造成至少部分离子化等离子体的放电来产生极热等离子体210。为了高效地产生辐射，可需要为例如10Pa的分压的Xe、Li、Sn蒸气或任何其他合适的气体或蒸气。在实施例中，提供受激发锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。

由热等离子体210发射的辐射经由定位于源腔室211中的开口中或后方的选用气体阻挡部或污染物阱230(在一些情况下，也被称作污染物阻挡部或箔片阱)而从源腔室211传递至收集器腔室212中。污染物阱230可以包括通道结构。污染阱230也可以包括气体阻挡部，或气体阻挡部与通道结构的组合。如在本领域中已知的，本文中进一步指示的污染物阱或污染物阻挡部230至少包括通道结构。

收集器腔室211可以包括可以是所谓的掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器CO的辐射可以从光栅光谱滤波器240反射以沿着由点划线”O”指示的光学轴线而聚焦于虚源点IF中。虚源点IF通常被称作中间焦点，并且源收集器模块被配置为使得中间焦点IF位于围封结构220中的开口221处或附近。虚源点IF是辐射发射等离子体210的图像。

随后，辐射穿过照射***IL，照射***IL可以包括琢面场反射镜装置22及琢面光瞳反射镜装置24，琢面场反射镜装置22及琢面光瞳反射镜装置24被配置以提供辐射束21在图案形成装置MA处的期望的角度分布，以及辐射强度在图案形成装置MA处的期望的均一性。在辐射束21于由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处的反射后，形成图案化的束26，并且由投影***PS将图案化的束26经由反射部件28、30而成像至由衬底台WT保持的衬底W上。

比所示出元件多的元件通常可以存在于照射光学器件单元IL及投影***PS中。依赖于光刻设备的类型，可以可选地存在光栅光谱滤波器240。另外，可以存在比诸图所示出的反射镜多的反射镜，例如，在投影***PS中可以存在比图12所示出的反射元件多1至6个的额外的反射元件。

如图12中说明的收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254及255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254及255被设置为围绕光学轴线O轴向地对称，并且此类型的收集器光学器件CO可以与经常被称为DPP源的放电产生等离子体源组合使用。

替代地，源收集器模块SO可以是如图15中所示出的LPP辐射***的部件。激光器LA被配置为将激光能量沉积至诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)的燃料中，从而产生具有数十电子伏特的电子温度的高度离子化等离子体210。在这些离子的去激发及再结合期间产生的高能辐射从等离子体发射、由近正入射收集器光学器件CO收集，并且聚焦至围封结构220中的开口221上。

如上文至少参照图5A至图1OD所描述的，“全角度OPC”技术产生用于对应于目标图案中的目标特征的掩模特征的曲线图案。该曲线图案是通过调整可以从输入掩模特征或对应目标特征导出的掩模点产生的，直至成本函数被优化。在一些实施例中，“全角度OPC”技术可以产生用于掩模特征的非曲线设计(例如，图案的区段或直线与水平轴线之间的角度为45*n度或90*n度的多边形图案，其中，n为整数)或混合设计(例如，部分是曲线且部分是多边形的设计)。另外，可以针对掩模特征产生此类设计，掩模特征可以是(a)对应于目标特征的主特征或(b)SRAF。应该注意的是，本文中使用的术语“多边形设计”或“多边形图案”是指图案的区段或直线与水平轴线之间的角度为45*n度或90*n度的图案，其中，n为整数。在一些实施例中，可以使用至少参照图5A至图5C所描述的方法，通过调整掩模点以使得最终设计(例如，被修改的最终设计525或902b)的两条直线之间的角度为45*n度或90*n度来产生多边形图案。例如，至少参照图5B所描述的平滑化过程或至少参照图5C所描述的成本函数521(成本函数521用于确定掩模点的位置调整数据)可以被调适以产生用于掩模特征的多边形或混合设计而非曲线设计。

待产生的设计的类型(例如，曲线、多边形或混合)可以基于一个或更多个参数而确定。在一些实施例中，基于用户偏好，掩模特征可以被产生为多边形或混合设计。例如，用户可以选择将掩模特征产生为多边形或混合设计而非曲线设计以最小化制造具有曲线设计的图案形成装置的复杂度。在一些实施例中，掩模特征可以被产生为多边形或混合设计以与利用曲线设计可以实现的情形相比更好地优化成本函数(例如，EPE、MRC违反惩罚)。例如，当使用曲线设计产生掩模特征时，成本函数(诸如EPE)可以减小至第一值，但在利用多边形或混合设计产生掩模特征时，成本函数可以甚至进一步减小至第二值(第二值＜第一值)。在一些实施例中，当目标图案具有目标特征的密集配置并且产生曲线设计可能违反一个或更多个MRC约束，诸如掩模特征尺寸、宽度、两个掩模特征之间的距离或其他MRC约束时，掩模特征可以被产生为多边形或混合设计。例如，当掩模特征被产生为曲线设计时，两个掩模特征之间的距离可能小于最小距离临限值，但当掩模特征被产生为多边形或混合设计时，两个掩模特征之间的距离可能等于或大于最小距离临限值。在一些实施例中，掩模特征可以被产生为目标特征的指定部分的曲线设计并且被产生为目标特征的其他部分的多边形设计。例如，掩模特征可以被产生为接近于目标特征的一个或更多个顶点或线端的目标特征的一部分的曲线设计，并且被产生为目标特征的剩余部分的多边形设计(例如如图17中说明的)。在一些实施例中，掩模特征可以被产生为多边形或混合设计而非曲线设计以最小化在产生曲线设计时所消耗的计算资源。

图16A说明与各种实施例一致的掩模特征的曲线设计。对应于目标特征1602的掩模特征1604被产生为曲线设计。在一些实施例中，掩模特征1604相似于图9的被修改的设计902b，并且目标特征1602相似于目标特征602。

图16B说明与各种实施例一致的掩模特征的多边形设计。对应于目标特征1602的掩模特征1606被产生为多边形设计(例如，使用直线构造的设计)。在一些实施例中，以与至少参照图5A至图10D所描述的方法相似的方式产生掩模特征1606，但掩模特征1606被产生为多边形且不被产生为曲线图案除外。

图16C说明与各种实施例一致的掩模特征的曲线设计和多边形设计。对应于目标特征1602的掩模特征1604被产生为曲线设计。对应于SRAF的掩模特征1614被产生为多边形设计。

图16D说明与各种实施例一致的掩模特征的曲线设计和多边形设计。对应于目标特征1602的掩模特征1606被产生为多边形设计，而对应于SRAF的掩模特征1616被产生为曲线设计。

图17说明与各种实施例一致的掩模特征的混合设计。对应于目标特征1702的掩模特征1704被产生为混合设计，其中，第一部分1706被产生为多边形设计并且第二部分1708(例如，接近于目标特征1702的顶点)被产生为曲线设计。在一些实施例中，掩模特征1704相似于图9的被修改的设计902b(但掩模特征1704被产生为多边形及曲线图案除外)并且目标特征1702相似于目标特征602。

虽然图16C和图16D示出用于掩模特征的设计的特定组合，诸如图16C中的用于主掩模特征1604的曲线设计及用于SRAF掩模特征1614的多边形设计，和图16D中的用于主掩模特征1606的多边形设计及用于SRAF掩模特征1616的曲线设计，但各种其他组合也是可能的。例如，主掩模特征及SRAF掩模特征两者可以具有相同的设计。在另一个示例中，主掩模特征的设计可以不同于SRAF掩模特征的设计。在又一个示例中，可以不产生SRAF掩模特征。

图18说明与各种实施例一致的用于执行图5A中描述的“全角度OPC”方法的流程图。

在过程P1801处，将作为对应于目标图案的目标图像的多个片段1801输入CTM引擎，以对所述片段1801执行OPC，从而产生CTM或CTM+掩模图像1802。在一些实施例中，CTM引擎可以对片段1801执行CTM及CTM+的多个阶段，以获得作为被优化OPC结果的掩模图像1802。掩模图像1802可以包括主特征及SRAF两者。掩模图像1802可以用作用于训练机器学习(ML)模型1805以产生用于任何给定目标图案的掩模图案(例如，后OPC)的真值。

在过程P1802处，将片段1801及掩模图像1802作为训练数据集提供至ML模型1805以训练ML模型1805。在一些实施例中，训练ML模型1805可以是迭代过程，并且每次迭代可以包括：确定指示预测的掩模图案(例如，由ML模型1805产生的掩模图案)与输入至ML模型1805的掩模图像之间的差的成本函数；以及调整ML模型1805的参数以最小化成本函数。当成本函数最小化(例如，预测的掩模图案与输入掩模图像之间的差小于阈值)时，考虑训练ML模型1805。在良好地训练ML模型1805之后，ML模型1805可以用于针对任何给定目标图案产生掩模图案。

将目标图案的目标图像1803输入被训练的ML模型1805以获得用于目标图案的掩模图案1804。在一些实施例中，由ML模型1805产生的掩模图案1804可能未被优化(例如，EPE可能未被优化)。

在过程P1803处，将掩模图案1804输入全角度OPC模块，该全角度OPC模块执行全角度OPC方法(例如，如至少参照图5A至图5C所描述的)以改善掩模图案1804且产生改善的掩模图案1807。在一些实施例中，改善的掩模图案1807与图5C的被修改的最终掩模设计525相似。在一些实施例中，可以优化改善的掩模图案1807(例如，可以优化EPE)。另外，掩模图案1807可以具有曲线设计、多边形设计或混合设计。

在一些实施例中，全角度OPC技术与自由形式OPC的不同之处在于：全角度OPC通过调整与掩模图案相关联的掩模点来产生掩模图案，而自由形式OPC通过调整对应于设计布局的图像中的像素值来产生掩模图案。另外，在先前基于区段的OPC方法中，虽然保留区段角度(例如，区段被限于具有45*n度的角度，其中，n为整数)时，但可能不保留用于调整掩模图案的掩模点的数目。相比而言，在全角度OPC技术中，掩模点的数目或掩模图案的区段之间的角度在调整过程期间可以都不被保留，这是由于可以在调整过程期间添加或删除掩模点并且区段之间的角度可以是任何角度(例如，任何度数，诸如用于曲线设计的“0”至“360”度，以及用于多边形设计的45*n度或90*n度)。另外，在全角度OPC技术中，相对于其中沿着区段法线方向调整掩模图案的边缘区段的基于区段的OPC方法，掩模点可以在任何方向上移动。

在一些实施例中，全角度OPC技术可以与其他OPC技术组合以产生掩模图案。每一项技术都可以用于产生掩模图案的不同的掩模特征或掩模特征的不同部分，并且每一项技术都可以用于产生多边形设计或曲线设计。例如，对于图16D中说明的目标特征1602，基于区段的OPC技术或基于图像的OPC技术可以用于产生掩模特征1606并且全角度OPC技术可以用于产生掩模特征1616。

尽管在本文中可以特定地参考IC制造，但应该明确理解，本文中的描述具有许多其他可能的应用。例如，本文中的描述可以用于制造集成光学***、用于磁畴存储器的引导及检测图案、液晶显示面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将明白，在此类替代应用的内容背景中，本文中对术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用应该被认为分别与更上位的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”是可互换的。

在本文件中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和EUV(极紫外辐射，例如，具有在约5nm至100nm的范围内的波长)。

本文中披露的概念可以仿真用于使次波长特征成像的任何通用成像***或在数学上对所述任何通用成像***建模，并且可以尤其供能够产生具有越来越小的尺寸的波长的新兴成像技术使用。已经在使用中的新兴技术包括EUV(极紫外)光刻，EUV光刻能够通过使用ArF激光器来产生193nm的波长且甚至能够通过使用氟激光来产生157nm的波长。此外，EUV光刻能够通过使用同步加速器或通过利用高能电子来撞击到材料(固体或等离子体)上而产生在5nm至20nm的范围内的波长，以便产生在此范围内的光子。

虽然本文中披露的概念可以用于在诸如硅晶片的衬底上的成像，但应该理解，所披露的概念可以与任何类型的光刻成像***一起使用，例如，用于在不同于硅晶片的衬底上的成像的光刻成像***。

如本文中使用的术语“优化的(optimizing)”和“优化(optimization)”是指或意味着调整图案化设备(例如，光刻设备)、图案形成过程等使得结果和/或过程具有较合乎期望的特性，诸如设计图案于衬底上的较高的投影准确度、较大的过程窗口等。因此，如本文中使用的术语“优化的(optimizing)”和“优化(optimization)”是指或意味着识别用于一个或更多个参数的一个或更多个值的过程，该一个或更多个值相比于用于那些一个或更多个参数的一组初始的一个或更多个值提供至少一个相关指标的改善，例如，局部优化。应相应地解释“优化”及其他相关术语。在实施例中，可以迭代地应用优化步骤，以提供一个或更多个指标的进一步改善。

可以以任何方便的形式来实施本发明的方面。例如，实施例可以由一个或更多个适当的计算机程序实施，该一个或更多个适当的计算机程序可以承载在可能是有形载体介质(例如，磁盘)或无形载体介质(例如，通信信号)的适当载体介质上。可以使用可以具体地采取可编程计算机的形式的合适设备来实施本公开内容的实施例，该可编程计算机执行被配置以实施如本文中描述的方法的计算机程序。因此，可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实施本公开内容的实施例。本公开内容的实施例也可以被实施为存储于机器可读介质上的指令，所述指令可以由一个或更多个处理器读取及执行。机器可读介质可以包括用于存储或传输以可以由机器(例如计算装置)读取的形式的信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括：只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存装置；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外线信号、数字信号等)等。另外，固件、软件、例程、指令可以在本文中被描述为执行某些动作。然而，应该明白，此类描述仅是出于方便起见，并且此类动作事实上是由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其他装置引起的。

可以通过以下方面进一步描述本公开内容的实施例。

1.一种非暂时性计算机可读介质，所述计算机可读介质具有指令，所述指令在由计算机执行时使该计算机执行用于改善图案形成装置的设计的方法，该方法包括：

获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征与待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征相关联；以及

调整所述掩模点的位置，以基于被调整的掩模点产生所述掩模特征的被修改的设计。

2.如方面1所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置是迭代过程，其中，每次迭代包括：

确定与光学邻近效应校正过程或源掩模优化过程相关联的成本函数，

针对所述目标特征上的每个控制点，基于所述成本函数确定所述掩模点的位置数据；以及

基于所述位置数据调整所述掩模点中的一个或更多个掩模点的位置，以优化所述成本函数，其中，所述调整包括更新所述被修改的设计。

3.如方面2所述的计算机可读介质，其中，所述成本函数包括边缘放置误差或仿真信号，并且其中，优化所述成本函数包括减小所述成本函数。

4.如方面3所述的计算机可读介质，其中，确定所述成本函数包括：

利用所述被修改的设计执行仿真，以获得仿真图像，其中，所述被仿真图像包括抗蚀剂图像或蚀刻图像，

从所述被仿真图像提取轮廓，以及

基于所述轮廓及用于每个控制点的所述目标特征确定作为所述成本函数的所述边缘放置误差。

5.如方面4所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置包括执行多次迭代直至使所述边缘放置误差被最小化。

6.如方面3所述的计算机可读介质，其中，确定所述成本函数包括：

利用所述被修改的设计执行仿真，以获得作为所述仿真信号的抗蚀剂图像信号或蚀刻图像信号，以及

确定用于每个控制点的所述仿真信号。

7.如方面6所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置包括执行多次迭代直至使所述仿真信号被最小化。

8.如方面2所述的计算机可读介质，其中，所述成本函数包括用于将所述被修改的设计印刷于衬底上的图案形成过程的过程窗口，并且其中，优化所述成本函数包括增大所述过程窗口。

9.如方面8所述的计算机可读介质，其中，确定所述成本函数包括：

利用所述被修改的设计执行仿真，以获得仿真图像，其中，所述仿真图像包括抗蚀剂图像或蚀刻图像，以及

使用所述被仿真图像获得所述过程窗口，其中，所述过程窗口包括使用所述被修改的设计印刷于衬底上的所述目标图案满足预定规格的焦点范围和剂量值范围。

10.如方面9所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置包括执行多次迭代直至所述过程窗口被最大化。

11.如方面2所述的计算机可读介质，其中，所述成本函数包括边缘放置误差、仿真信号、过程窗口或掩模规则检查违反惩罚中的至少一项。

12.如方面1所述的计算机可读介质，其中，获得所述掩模点包括：

从所述目标特征导出所述掩模点。

13.如方面2所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置包括：

使所述掩模点与所述目标特征上的控制点相关联，以产生第一组掩模点与第一控制点之间的第一关联关系、以及第二组掩模点与第二控制点之间的第二关联关系。

14.如方面13所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置包括：

基于所述被修改的设计与所述目标特征之间的比较，修改所述掩模点与所述控制点之间的关联关系。

15.如方面13所述的计算机可读介质，其中，所述目标特征上的每个控制点在每次迭代中与所述同一组掩模点相关联。

16.如方面13所述的计算机可读介质，其中，所述目标特征上的一个或更多个控制点在至少两次迭代中与不同组的掩模点相关联。

17.如方面1所述的计算机可读介质，其中，获得所述掩模点包括：

将平滑化过程应用于所述掩模点，其中，所述平滑化过程执行曲线拟合以用曲线连接所述掩模点，以产生作为第一曲线图案的所述设计。

18.如方面17所述的计算机可读介质，还包括：

对所述设计执行图像扰动以产生所述设计的放大版本。

19.如方面2所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点中的一个或更多个掩模点的位置包括共同地调整一组所述掩模点。

20.如方面2所述的计算机可读介质，其中，调整一个或更多个掩模点的位置包括单独地调整所述掩模点。

21.如方面2所述的计算机可读介质，其中，每个掩模点的位置数据包括斜率值和距离值，通过所述斜率值及所述距离值，关于对应的掩模点所相关联的控制点来执行对所述对应的掩模点的位置调整。

22.如方面2所述的计算机可读介质，还包括：

对所述被修改的设计应用平滑化过程。

23.如方面22所述的计算机可读介质，还包括：

对所述被修改的设计应用掩模规则检查过程以满足掩模规则检查约束。

24.如方面2所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置以产生所述被修改的设计包括执行预定数目次迭代。

25.如方面1所述的计算机可读介质，其中，获得所述设计包括：

从如下过程获得所述设计：所述过程从所述目标特征产生所述设计，其中，所述过程包括基于机器学习(ML)的最佳邻近效应校正(OPC)、连续透射掩模(CTM)自由形式OPC、CTM+自由形式OPC、基于区段的OPC或逆光刻技术中的一项或更多项。

26.如方面1所述的计算机可读介质，其中，所述掩模特征是次分辨率辅助特征。

27.如方面1至26中任一项所述的计算机可读介质，还包括：

使用所述被修改的设计执行图案形成步骤以经由图案形成过程将图案印刷于所述衬底上。

28.如方面1至27中任一项所述的计算机可读介质，还包括：

制造包括对应于所述被修改的设计的结构特征的所述图案形成装置。

29.如方面28所述的计算机可读介质，还包括：

经由光刻设备将所述图案形成装置的所述被修改的设计转移至所述衬底。

30.一种非暂时性计算机可读介质，所述计算机可读介质具有指令，所述指令在由计算机执行时使所述计算机执行用于改善图案形成装置的设计的方法，所述方法包括：

获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征对应于待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征；以及

调整所述掩模点的位置以增大过程窗口，其中，所述过程窗口与用于将所述目标图案印刷于衬底上的图案形成过程相关联，其中，所述调整包括：基于所述被调整的位置产生被修改的设计。

31.如方面30所述的计算机可读介质，其中，调整所述位置是迭代过程，其中，每次迭代包括：

基于所述被修改的设计获得所述过程窗口，其中，所述过程窗口包括用于使用所述被修改的设计将所述目标图案印刷于所述衬底上的所述图案形成过程的至少一个参数的值的范围，以及

调整所述掩模点中的一个或更多个掩模点的位置以增大所述一个或更多个参数的所述值的范围，其中，所述调整包括更新所述被修改的设计。

32.如方面31所述的计算机可读介质，其中，所述至少一个参数包括与用于将所述目标图案印刷于所述衬底上的光刻设备相关联的剂量或焦点中的至少一项。

33.一种非暂时性计算机可读介质，所述计算机可读介质具有指令，所述指令在由计算机执行时使所述计算机执行用于改善图案形成装置的设计的方法，所述方法包括：

获得待印刷于衬底上的目标图案及对应于所述目标图案中的目标特征的掩模特征的设计；

导出所述设计的掩模点；以及

通过基于成本函数调整所述掩模点中的一个或更多个掩模点的位置而迭代地更新所述设计，其中，所述更新产生所述掩模特征的被修改的设计。

34.如方面33所述的计算机可读介质，其中，获得所述设计包括：

从如下过程获得所述设计：所述过程从所述目标图案产生所述设计，其中，所述过程包括基于机器学习(ML)的最佳邻近效应校正(OPC)、连续透射掩模(CTM)自由形式OPC、CTM+自由形式OPC、基于区段的OPC或逆光刻技术中的一项或更多项。

35.如方面33所述的计算机可读介质，其中，导出所述掩模点包括：

使所述掩模点与所述目标特征上的控制点相关联，其中，所述相关联包括使第一组掩模点与第一控制点相关联以及使第二组掩模点与第二控制点相关联。

36.如方面35所述的计算机可读介质，其中，迭代地更新所述设计包括在每次迭代中执行以下操作：

确定所述成本函数，其中，所述成本函数包括边缘放置误差，

针对每个控制点，基于所述成本函数确定所述掩模点的位置数据，以及

基于所述位置数据调整所述掩模点中的一个或更多个掩模点的位置以减小所述成本函数。

37.如方面36所述的计算机可读介质，其中，迭代地更新所述设计包括执行数次迭代直至使所述成本函数最小化。

38.如方面35所述的计算机可读介质，其中，迭代地更新所述设计包括在每次迭代中执行以下操作：

确定所述成本函数，其中，所述成本函数包括用于将所述被修改的设计印刷于衬底上的图案形成过程的过程窗口，

针对每个控制点，基于所述成本函数确定所述掩模点的位置数据，以及

基于所述位置数据调整所述掩模点中的一个或更多个掩模点的位置以增大所述成本函数。

39.如方面38所述的计算机可读介质，其中，迭代地更新所述设计包括执行数次迭代直至使所述成本函数最大化。

40.一种改善图案形成装置的设计的方法，所述方法包括：

获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征对应于待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征；以及

调整所述掩模点的位置，以基于被调整的掩模点产生被修改的设计。

41.一种改善图案形成装置的设计的方法，所述方法包括：

获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征对应于待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征；以及

调整所述掩模点的位置以增大过程窗口，其中，所述过程窗口与用于将所述目标图案印刷于衬底上的图案形成过程相关联，其中，所述调整包括：基于所述被调整的位置产生被修改的设计。

42.一种改善图案形成装置的设计的方法，所述方法包括：

获得待印刷于衬底上的目标图案及对应于所述目标图案中的目标特征的掩模特征的设计；

导出所述设计的掩模点；以及

通过基于成本函数调整所述掩模点中的一个或更多个掩模点的位置而迭代地更新所述设计，其中，所述更新产生所述掩模特征的被修改的设计。

43.一种计算机程序产品，包括非暂时性计算机可读介质，所述计算机可读介质上记录有指令，所述指令在由计算机执行时实施如以上方面中任一项所述的方法。

44.一种存储指令的非暂时性有形的计算机可读介质(CRM)，所述指令在由处理器执行时使所述处理器执行光学邻近效应校正(OPC)的方法：

获得掩模特征的设计的掩模点；以及通过执行OPC以调整所述掩模点的位置而修改所述掩模特征的所述设计。

45.如方面44所述的介质，其中，所述方法还包括获得位于所述掩模特征的目标多边形上的控制点，并且其中，每个控制点与一个或更多个掩模点相关联。

46.如方面45所述的介质，其中，所述修改包括对所述掩模点执行曲线拟合以获得所述掩模特征的所述被修改的设计，并且其中，所述被修改的设计中的所述掩模特征的边缘包括拟合于所述掩模点之间的曲线。

47.如方面44所述的介质，其中，所述执行OPC包括调整所述掩模点的位置以优化所述控制点上的仿真信号或EPE。

48.如方面47所述的介质，其中，所述仿真信号是抗蚀剂图像信号。

49.如方面47所述的介质，其中，所述调整包括一致地调整多个掩模点以优化在越来越多的控制点处的所述仿真信号。

50.如方面47所述的介质，其中，所述调整包括单独地调整所述掩模点以优化一个或更多个控制点处的所述仿真信号。

51.如方面44所述的介质，其中，所述掩模点最初基于所述特征的目标多边形设计而获得。

52.如方面44所述的介质，其中，所述等掩模点最初基于由基于区段的OPC过程产生的设计而获得。

53.如方面52所述的介质，其中，所述基于区段的OPC过程是CTM自由形式OPC过程、机器学习OPC过程或ILT过程。

54.如方面44所述的介质，所述方法还包括：

建立控制点与掩模点之间的关联关系；

打破所述控制点与掩模点之间的所述关联；以及

建立所述控制点与另一个掩模点之间的关联关系。

55.如方面54所述的介质，其中，所述打破和/或所述重新建立基于所述被修改的设计与所述特征的目标多边形的比较。

56.如方面44所述的介质，其中，所述掩模特征是主特征或SRAF。

57.如方面44所述的介质，还包括基于掩模特征的所述被调整设计而确定过程窗口。

58.一种存储指令的非暂时性有形的计算机可读介质(CRM)，所述指令在由处理器执行时使所述处理器执行源掩模优化(SMO)的方法：

获得掩模特征的设计的掩模点；以及通过调整所述掩模点的位置以根据SMO过程优化过程窗口而修改所述掩模特征的所述设计。

59.如方面1所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置以产生所述被修改的设计包括产生作为多边形图案的所述被修改的设计。

60.如方面59所述的计算机可读介质，其中，所述多边形图案包括图案，其中，所述图案的直线与水平轴线之间的角度为45*n度，其中，n为整数。

61.如方面59所述的计算机可读介质，其中，所述多边形图案包括图案，其中，所述图案的直线与水平轴线之间的角度为90*n度，其中，n为整数。

62.如方面1所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置以产生所述被修改的设计包括产生作为曲线图案的所述被修改的设计。

63.如方面62所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置包括通过相对于所述目标特征上的控制点在任何方向上移动所述掩模点中的掩模点来调整所述掩模点的位置。

64.如方面59至63中任一项所述的计算机可读介质，其中，所述被修改的设计基于与光学邻近效应校正过程或源掩模优化过程相关联的成本函数而被产生为所述多边形图案或所述曲线图案。

65.如方面64所述的计算机可读介质，其中，基于与所述被修改的设计被产生为所述曲线图案时相比更多地优化所述成本函数的确定，所述被修改的设计被产生为所述多边形图案。

66.如方面64所述的计算机可读介质，其中，基于在所述被修改的设计被产生为所述曲线图案时不满足掩模规则检查约束的确定，所述被修改的设计被产生为所述多边形图案。

67.如方面1所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置以产生所述被修改的设计包括产生作为多边形图案和曲线图案的组合的所述被修改的设计。

68.如方面67所述的计算机可读介质，其中，所述被修改的设计被产生为接近于所述目标特征的一个或更多个顶点的一部分的所述曲线图案。

69.如方面67所述的计算机可读介质，其中，所述被修改的设计被产生为除了接近于所述目标特征的一个或更多个顶点的一部分之外的所述目标特征的一部分的所述多边形图案。

70.如方面67所述的计算机可读介质，其中，所述被修改的设计被产生为所述目标特征的第一部分的所述曲线图案及所述目标特征的第二部分的所述多边形图案。

71.如方面70所述的计算机可读介质，其中，所述目标特征的所述第一部分包括接近于所述目标特征的一个或更多个顶点的一部分。

72.如方面70所述的计算机可读介质，其中，所述目标特征的所述第二部分包括除了接近于所述目标特征的一个或更多个顶点的一部分之外的一部分。

在框图中，所说明的部件被描绘为单独的功能区块，但实施例不限于本文中描述的功能性如所说明地来组织的***。由部件中的每一个提供的功能性可以由软件或硬件模块提供，所述软件或硬件模块以与目前所描绘的方式不同的方式组织，例如，可以混和、结合、复制、解散、分配(例如，在数据中心内或按地区)，或另外以不同方式组织此软件或硬件。本文中描述的功能性可以由执行存储于有形的、非暂时性机器可读介质上的程序代码的一个或更多个计算机的一个或更多个处理器提供。在一些情况下，第三方内容传递网络可以主控经由网络传达的信息中的一些或全部，在这种情况下，在据称供应或以另外方式提供信息(例如，内容)的情况下，可以通过发送指令以从内容传递网络获取所述信息来提供该信息。

除非另外特定陈述，否则如根据论述显而易见，将明白的是，贯穿本说明书，利用诸如“处理”、“计算”、“运算”、“确定”或其类似者的术语的论述是指诸如专用计算机或相似专用电子处理/计算装置的特定设备的动作或过程。

读者将明白，本申请描述了若干发明。已经将这些发明分组成单个文件，而非将那些发明分离成多个单独的专利申请案，这是因为它们的相关主题在应用过程中有助于经济发展。但不应合并此类发明的不同的优点及方面。在一些情况下，实施例解决了本发明中所提及的所有缺陷，但应该理解，所述发明是独立地有用的，并且一些实施例仅解决此类问题的子集或提供其他未提及的益处，所述益处对于检阅本发明的本领域技术人员将是显而易见的。由于成本限制，目前可能未要求保护本文中披露的一些发明，并且可能在稍后的申请(诸如接续申请案或通过修正本技术方案)中要求保护所述发明。相似地，由于空间限制，本文件的“说明书摘要”和“发明内容”章节都不应该被视为包括所有此类发明的全面清单或此类发明的所有方面。

应该理解，本说明书和附图并不意图将本发明限于所披露的特定形式，而是正相反，意图涵盖属于如由随附的权利要求书限定的本发明的精神及范围的所有修改、等同物及替代方案。

鉴于本说明书，本发明的各种方面的修改及替代实施例对于本领域技术人员而言将是显而易见的。因此，本说明书和附图应该被解释为仅是说明性的，并且是出于教导本领域技术人员实施本发明的一般方式的目的。应该理解，本文中示出和描述的本发明的形式应该被视为实施例的示例。部件及材料可以替代本文中说明和描述的部件及材料，部分及过程可以被反转或被省略，可以独立利用某些特征，并且可以组合实施例或实施例的特征，这些对本领域技术人员在获得本说明书的益处之后都将是显而易见的。可以在不背离如在以下权利要求书中描述的本发明的精神及范围的情况下对本文中描述的元件作出改变。本文中使用的标题仅为实现组织性目的，并且不意图用于限制本说明书的范围。

如在本申请中使用的，词语“可以”是在许可的意义(即，意味着有可能)而非强制性的意义(即，意味着必须)下予以使用。词语“包括”、“包含”和“包括了”及其类似词语意味着包括但不限于。如本申请中使用的，除非内容另有明确地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”包括多个指示物。因此，例如，尽管会针对一个或更多个元件使用其他术语及词组，诸如“一个或更多个”，但是对于“一个”或“一件”元件的参考包括两个或多于两个的元件的组合。除非另有指示，否则术语“或”是非独占式的，即，涵盖“和”与“或”两者。如本文中使用的，除非另外特定陈述，除非组合不可行，否则术语“或”涵盖所有可能的组合。例如，如果陈述元件可以包括A或B，则除非另外特定陈述或不可行，否则元件可以包括A、或B、或A及B。作为第二示例，如果陈述元件可以包括A、B或C，则除非另外特定陈述或不可行，否则元件可以包括A、或B、或C、或A及B、或A及C、或B及C、或A及B及C。描述条件关系的术语，例如“响应于X，而Y”、“在X后，即Y”、“如果X，则Y”、“当X时，Y”及其类似术语涵盖因果关系，其中，前提是必要的因果条件，前提是充分的因果条件，或前提是结果的贡献因果条件，例如，“在条件Y获得后，即出现状态X”对于“仅在Y后，才出现X”和“在Y及Z后，即出现X”是通用的。此类条件关系不限于立即遵循前提而获得的结果，这是因为可能延迟一些结果，并且在条件陈述中，前提连接至其结果，例如，前提与出现结果的可能性相关。除非另有指示，否则多个特质或功能被映射至多个物体(例如，执行步骤A、B、C及D的一个或更多个处理器)的陈述涵盖所有此类特质或功能被映射至所有此类物体及特质或功能的子集被映射至特质或功能的子集两者(例如，所有处理器各自执行步骤A至D，以及其中处理器1执行步骤A，处理器2执行步骤B及步骤C的一部分，并且处理器3执行步骤C的一部分及步骤D的情况)。另外，除非另有指示，否则一个值或动作是“基于”另一个条件或值的陈述涵盖条件或值为单独因子的情况与条件或值为多个因子当中的一个因子的情况两者。除非另有指示，否则某个集合的“每个”项具有某一特性的陈述不应该被解释为排除较大集合的一些以其他方式相同或相似成员不具有该特性(即，每一项未必意味着每个都)的情况。对于从范围内选择的提法包括该范围的端点。

在以上描述中，流程图中的任何过程、描述或区块应该被理解为表示程序代码的模块、区段或部分，程序代码包括用于实施该过程中的特定的逻辑功能或步骤的一个或更多个可执行指令，并且替代的实施方案被包括于本发明进展的示例性实施例的范围内，其中，功能可能依赖于所涉及的功能性而不按照所示出或论述的顺序执行，包括实质上同时或以相反顺序执行，如本领域技术人员应该理解的那样。

在某些美国专利、美国专利申请案或其他材料(例如论文)已经以引用的方式并入本文中的情况下，此类美国专利、美国专利申请案及其他材料的文字仅在此材料与本文中所阐述的陈述和附图之间不存在冲突的情况下以引用的方式并入。在存在此类冲突的情况下，以引用的方式并入本文中的美国专利、美国专利申请案及其他材料中的任何此类冲突文字并不特定地以引用的方式并入本文中。

虽然已经描述了某些实施例，但这些实施例仅作为示例来呈现，并且并不意图限制本发明的范围。实际上，本文中描述的新颖方法、设备及***可以以多种其他形式体现；此外，在不背离本发明的精神的情况下，可以对本文中描述的方法、设备及***的形式进行各种省略、替代及改变。随附的权利要求书及其等同物意图涵盖将属于本发明的范围及精神内的此类形式或修改。

Claims (15)

1.一种具有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时使所述计算机执行用于改进图案形成装置的设计的方法，所述方法包括：

获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征与待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征相关联；以及

调整所述掩模点的位置，以基于被调整的掩模点产生所述掩模特征的被修改的设计。

2.如权利要求1所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置是迭代过程，其中，每次迭代包括：

确定与光学邻近效应校正过程或源掩模优化过程相关联的成本函数，

针对所述目标特征上的每个控制点，基于所述成本函数确定所述掩模点的位置数据；以及

基于所述位置数据调整所述掩模点中的一个或更多个掩模点的位置，以优化所述成本函数，其中，所述调整包括更新所述被修改的设计。

3.如权利要求3所述的计算机可读介质，其中，确定所述成本函数包括：

利用所述被修改的设计执行仿真，以获得作为仿真信号的抗蚀剂图像信号或蚀刻图像信号，以及

确定用于每个控制点的仿真信号，并且其中，所述调整是基于用于所述控制点的仿真信号进行的。

4.如权利要求8所述的计算机可读介质，其中，确定所述成本函数包括：

利用所述被修改的设计执行仿真，以获得仿真图像；

使用所述仿真图像获得过程窗口，其中，所述过程窗口包括使用所述被修改的设计印刷于衬底上的所述目标图案满足预定规格的焦点和剂量值的范围。

5.如权利要求2所述的计算机可读介质，其中，所述成本函数包括边缘放置误差、仿真信号、过程窗口或掩模规则检查违反惩罚中的至少一项。

6.如权利要求1所述的计算机可读介质，其中，获得所述掩模点包括：

从所述目标特征导出所述掩模点，其中，所述导出包括：使所述掩模点与所述目标特征上的控制点相关联，以产生第一组掩模点与第一控制点之间的第一关联关系、以及第二组掩模点与第二控制点之间的第二关联关系。

7.如权利要求6所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点的位置包括：

基于所述被修改的设计与所述目标特征之间的比较，修改所述掩模点与所述控制点之间的关联关系。

8.如权利要求6所述的计算机可读介质，其中，所述目标特征上的一个或更多个控制点在至少两次迭代中与不同组掩模点相关联。

9.如权利要求1所述的计算机可读介质，其中，获得所述掩模点包括：

将平滑化过程应用于所述掩模点，其中，所述平滑化过程执行曲线拟合以用曲线连接所述掩模点，以产生所述图案形成装置的作为第一曲线图案的所述设计。

10.如权利要求8所述的计算机可读介质，还包括：

对所述图案形成装置的所述设计执行图像扰动以产生所述设计的放大版本。

11.如权利要求2所述的计算机可读介质，其中，调整所述掩模点中的一个或更多个掩模点的位置包括：共同地或单独地调整一组所述掩模点。

12.如权利要求2所述的计算机可读介质，其中，每个掩模点的位置数据包括斜率值和距离值，利用所述斜率值和所述距离值，关于对应的掩模点所相关联的控制点来执行对所述对应的掩模点的位置调整。

13.如权利要求12所述的计算机可读介质，还包括：

对所述被修改的设计应用掩模规则检查过程以满足掩模规则检查约束。

14.如权利要求1所述的计算机可读介质，其中，获得所述设计包括：

从如下过程获得所述设计：所述过程从所述目标特征产生所述设计，其中，所述过程包括基于机器学习(ML)的最佳邻近效应校正(OPC)、连续透射掩模(CTM)自由形式OPC、CTM+自由形式OPC、基于区段的OPC或逆光刻技术中的一种或更多种。

15.如权利要求1所述的计算机可读介质，其中，所述掩模特征是次分辨率辅助特征或是主特征。

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