CN1156712C - 光学元件、射线图像传感器及光学元件的制造方法 - Google Patents

光学元件、射线图像传感器及光学元件的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种射线图像传感器(10),具有:两个光学构件(12、14);淀积在光学构件(12、14)的入射端面(12a、14a)上的闪烁器(18);多个导光用光学零件(22);以及多个CCD(20)。光学构件(12、14)是分别互相平行地配置数百万条/cm2的光纤且整体成形的光学构件,该光纤的轴与入射端面(12a、14a)构成锐角。两个光学构件(12、14)配置得使构成各个光学构件(12、14)的光纤的间隔从入射端面(12a、14a)一侧向出射端面(12b、14b)一侧扩大。另外,在光学构件(12、14)各自的侧面(12c、14c)上形成滑动配合的滑动配合面(12d、14d)。

Description

光学元件、射线图像传感器 及光学元件的制造方法
技术领域
本发明涉及光学元件、射线图像传感器及光学元件的制造方法。
背景技术
在医疗、工业等领域中,对迅速且高精度地检测、拍摄射线图像的射线图像传感器的要求正在增加。为了适应该要求,已知有这样的射线图像传感器,该射线图像传感器具有将射线图像变换成光图像的闪烁器、拍摄这样的光图像的摄像元件、以及将从闪烁器输出的光图像导入摄像元件的光纤束。另外,还已知这样的一种射线图像传感器,即,为了拍摄较大的射线图像,用多条光纤束将从闪烁器输出的光图像导入多个摄像元件中,用该多个摄像元件进行摄像。
另外,例如在日本专利特开平8-211155号公报中,公开了这样的一种射线图像传感器:使光纤的轴与入射端面构成锐角的光纤束与入射端面的边缘接触排列,以便从入射端面一侧朝着出射端面光纤的间隔扩大。通过采用这样的射线图像传感器,光纤束的入射端面侧的死区空间变得极小,能防止射线图像的局部欠缺。
发明概述
可是,在上述现有技术的射线图像传感器中,有以下所述的问题。即,在射线图像传感器中,进行精度高的摄像时,为了提高光纤束的入射端面的平坦度,需要对该入射端面进行研磨。这时,在接触入射端面侧的边缘排列着光纤束的上述射线图像传感器中,研磨入射端面时,往往在边缘部分产生缺口。因此,在该缺口部分产生孔区空间,射线图像上产生欠缺。
发明内容
因此,本发明正是为了解决上述问题而提出的,目的在于提供一种使孔区空间极小、能进行精度高的摄像的射线图像传感器、其中使用的光学元件、以及该光学元件的制造方法。
为了解决上述问题,本发明的光学元件,具有:由多个光学构件构成的光学零件和闪烁器,
上述各光学构件由多条光纤排列而成,且具有互相大致平行的入射端面和出射端面,
上述多个光学构件以它们的入射端面被配置在大致同一平面上的方式排列而构成上述光学零件;
互相邻接的上述光学构件中的至少一个的上述光纤的轴与上述入射端面构成锐角,
互相邻接的上述光学构件分别配置成,使构成该各个光学构件本身的光纤的间隔从上述入射端面一侧朝上述出射端面一侧扩大,
上述闪烁器淀积在上述入射端面上;
其特征在于:
在互相邻接的上述光学构件各自的侧面的上述入射端面一侧形成使该光学构件之间滑动配合的滑动配合面,且互相邻接的侧面用粘接剂粘接起来。
由于将光纤的轴与入射端面构成锐角的光学构件配置得使光纤的间隔从入射端面一侧朝出射端面一侧扩大,在使入射端面一侧呈滑动配合状态下粘接光学构件,所以能使在该光学构件的界面上产生的孔区空间极小。另外,由于在侧面的入射端面一侧形成滑动配合面,所以即使在研磨了入射端面的情况下,也不会在入射端面上产生缺口,能防止由缺口引起的孔区空间的发生。因此,能输出精度高的射线图像。
另外,为了解决上述课题,本发明的射线图像传感器的特征在于:具有上述光学元件;以及拍摄从光学构件的出射端面输出的光图像的摄像元件。
由于使用上述光学元件,所以能使在光学构件的界面上产生的孔区空间极小,另外,由于具有摄像元件,所以能拍摄从光学构件的出射端面输出的光图像。其结果,能拍摄精度高的射线图像。
另外,为了解决上述课题,本发明的光学元件的制造方法是一种通过将多个由多条光纤排列而成的且具有互相大致平行的入射端面和出射端面的光学构件的上述入射端面配置在大致同一平面上,并在所排列的上述入射端面上淀积闪烁器而形成的光学元件的制造方法,其特征在于具有:加工光学构件,以使光纤的轴与入射端面构成锐角的加工工序;配置互相邻接的各个光学元件,以使构成各个光学构件的光纤的间隔从入射端面一侧朝出射端面一侧扩大的配置工序;使互相邻接的光学构件各自的侧面滑动配合,在互相邻接的光学构件各自侧面的入射端面一侧形成滑动配合面滑动配合工序;用粘合剂将互相邻接的侧面之间粘接起来的粘接工序;以及将闪烁器淀积在所排列的入射端面上的淀积工序。
由于将光纤的轴与入射端面构成锐角的光学构件配置得使光纤的间隔从入射端面一侧朝出射端面一侧扩大,在使入射端面一侧滑动的状态下粘接光学构件,所以能使在该光学构件的界面上产生的孔区空间极小。另外由于在侧面的入射端面一侧形成滑动配合面,所以即使在研磨了入射端面的情况下,也不会在入射端面上产生缺口,能防止由缺口引起的孔区空间的发生。其结果,能制造能输出精度高的射线图像的光学元件。
附图说明
图1是射线图像传感器的一部分被切掉的斜视图。
图2是沿图1中的I-I线的放大剖面图。
图3是光学元件的一部分被切掉的斜视图。
图4A~图4F是射线图像传感器的制造工序图。
图5是射线图像传感器的制造工序图。
图6A~图6E是表示滑动配合面的形状的图。
图7A~图7C是表示光图像的形态的图。
图8是光学零件的放大剖面图。
图9A及图9B是光学零件的放大剖面图。
具体实施方式
参照附图说明本发明的实施方案的射线图像传感器。另外,本发明的光学元件包含在本实施方案的射线图像传感器中,如果将该光学元件与本实施方案的射线图像传感器分开表示,则如图3所示。首先,说明本实施方案的射线图像传感器的结构。图1是本实施方案的射线图像传感器的一部分被切掉的斜视图,图2是沿图1中的I-I线的放大剖面图。
如图1所示,本实施方案的射线图像传感器10具有:将两个光学构件12、14排列成其入射端面12a、14a被设置在大致同一平面上而形成的光学零件;淀积(生长)在光学构件12、14的入射端面12a、14a上的闪烁器18;拍摄从光学元件12、14的出射端面12b、14b输出的光图像的CCD20(摄像元件);以及将从光学元件12、14的出射端面12b、14b输出的光图像引导到CCD20中的多个导光用光学零件22。以下,进行详细说明。
因为光学构件12、14分别具有相同的形状,所以以下仅说明光学构件12。光学构件12是将数百万条/cm2的光纤(直径约6微米左右)互相平行配置成一体构成的,具有互相大致平行的入射端面12a及出射端面12b。即,入射到入射端面12a上的光图像在构成光学构件12的上述各光纤内传播,从出射端面12b输出。这里,如图2所示,光纤的轴与入射端面12a及出射端面12b构成锐角。更具体地说,入射端面12a及出射端面12b的法线与光纤的轴构成的角为0.1~2°左右。
光学构件12的入射端面12a及出射端面12b呈长方形,其短边为94mm左右,长边为270mm左右,入射端面12a和出射端面12b的间隔为4mm。因此,光学构件12具有94mm×270mm左右的长方形的底面,厚度呈4mm左右的平板状。
两个光学构件12、14排列成使入射端面12a、14a配置在大致同一平面上。更具体地说,两个光学构件12、14排列成使光学构件12、14的长边一侧的侧面12c、14c互相邻接,但这时如图2所示,配置得使分别构成光学构件12、14的光纤的间隔从入射端面12a、14a一侧向出射端面12b、14b一侧扩大。
另外,在互相邻接的光学构件12、14各自的侧面12c、14c上,形成使光学构件12、14各自的侧面12c、14c滑动配合在其入射端面12a、14a一侧上的滑动配合面12d、14d。
利用粘合剂24将两个光学构件12、14互相邻接的侧面12c、14c粘接固定。这里,作为粘合剂24使用能吸收在闪烁器18内产生后入射到粘合剂24中的光的粘合剂,特别是最好使用能将在闪烁器18内产生后入射到粘合剂24中的光的50%以上的粘合剂。这样的粘合剂24之一例,能举出使用EPOXY TECHNOLOGY公司制的EPO-TEK353ND(商品名)等。
如上所述,排列两个光学构件12、14,能使入射端面12a、14a构成一体。更具体地说,通过排列并粘接两个光学构件12、14,研磨其外周面,实际上能形成186mm×248mm左右大面积的入射端面。这里,由于使大量的光纤整体成形,所以也可以认为从一开始就形成具有大面积的入射端面的光学构件,但随着整体成形的光学构件的入射端面的增大,其均匀性的控制等也变得困难起来,如上所述排列多个入射端面的面积较小的光学构件,形成大面积的入射端面的方法非常实际而且很经济。
在两个光学构件12、14的侧面12c、14c中互不相邻的侧面12c、14c上、即在外部露出的侧面上采用涂敷方法形成光透射率在50%以下的遮光材料25(图1(图3也一样)中示出了一部分切口)。
在通过排列两个光学构件12、14而呈一体的入射端面12a、14a上,利用气相生长法形成伴随X射线等射线的入射而发出可见光的闪烁器18。闪烁器18由CsI形成,同时从入射端面12a、14a沿大致垂直的方向排列形成延伸600微米左右的柱状结构体。
另外,在闪烁器18上形成机械性地保护闪烁器18、同时防止形成闪烁器18的CsI的潮解用的保护膜26。保护膜26是在闪烁器18上依次层叠了第一层28(耐湿保护层)、第二层30、第三层32的三层结构。更详细地说,保护膜26形成得不仅覆盖在闪烁器18上,而且还一直覆盖到闪烁器18的侧面及光学构件12、14的侧面12c、14c上。
第一层28由聚对二甲苯树脂构成,形成得接触在闪烁器18上。更具体地说,充满CsI的柱状结构体的间隙,同时从该柱状结构体的最顶部再生长10微米左右。作为这样的聚对二甲苯树脂有三键(three bond)公司制的パリレン(商品名)等。聚对二甲苯树脂极少透过水蒸气及气体,疏水性、耐药性也高,除此以外,即使是薄膜,也具有良好的电气绝缘性,具有对射线、可见光呈透明状态等适合于保护闪烁器18的良好的特征。
在三键技术新闻报导(平成4年9月23日发行)中记载了用聚对二甲苯形成的涂层的详细情况,这里说明其特征。
与金属的真空蒸镀一样,采用在真空中在支撑体上进行蒸镀的化学蒸镀(CVD)法,也能涂敷聚对二甲苯。这一过程由以下工序构成:使成为原料的二对二甲苯单体进行热分解,在甲苯、苯等有机溶剂中使生成物急剧冷却,获得称为二聚物的二对二甲苯的工序;使该二聚物进行热分解,生成稳定的游离基对二甲苯气体的工序;以及将发生的气体吸附在材料上,进行聚合而形成分子量约为50万的聚对二甲苯膜的工序。
在聚对二甲苯蒸镀和金属真空蒸镀中,有两大不同。首先,聚对二甲苯蒸镀时的压力比金属真空蒸镀时的压力0.133Pa(0.001Torr)高,达到13.3~26.7Pa(0.1~0.2Torr),而且,聚对二甲苯蒸镀的适应系数比金属真空蒸镀的适应系数1小两位至4位。因此,蒸镀时,单分子膜将全部被蒸镀物覆盖后,在它上面蒸镀聚对二甲苯。因此,能以无针孔的状态且厚度均匀地生成由0.2微米厚度构成的薄膜,也能涂敷在液态物质所不可能达到的锐角部或边缘部、微米级的狭窄间隙中。另外,涂敷时不需要进行热处理等,能在室温附近的温度下涂敷,所以不会伴随硬化而发生机械应力或热变形,涂层的稳定性也好。另外,能对大部分固体材料进行涂敷。
第二层30由Al构成,在第一层28上形成0.25微米左右的厚度。Al具有能使射线透过、而反射可见光的性质,所以能防止在闪烁器18中发生的光漏到外部,能提高射线图像传感器10的灵敏度。
第三层32与第一层28相同,由聚对二甲苯树脂构成,在第二层30上形成10微米左右的厚度。形成第二层30的Al在空气中容易腐蚀,但第二层30被夹在由聚对二甲苯树脂构成的第一层28和第三层32之间,所以能防止该Al腐蚀。
导光用光学零件22也与光学构件12等相同,是将数百万条/cm2的光纤互相平行配置形成一体构成的,具有与该光纤的轴交叉的入射端面22a及出射端面22b。但是,导光用光学零件22呈锥形,其出射端面22b比入射端面22a小。因此,入射到入射端面22a上的光图像在构成导光用光学零件22的上述各光纤内传播、缩小后从出射端面22b输出。
各个导光用光学零件22的入射端面22a接触在光学构件12、14的出射端面12b、14b上。这里,各个导光用光学零件22也可以分别对应于光学构件12、14的出射端面12b、14b设置,也可以在任意分割的每个区域设置通过排列两个光学构件12、14而呈一体化的出射端面12b、14b。在本实施方案的射线图像传感器10中,将通过排列两个光学构件12、14而呈一体化的出射端面12b、14b分割成纵向3个、横向4个合计12个区域,在各区域中设置一个一个的导光用光学零件22。因此,设有合计12个导光用光学零件22。
CCD20连接在各个导光用光学零件22的出射端面22b上。因此,本实施方案的射线图像传感器10具有12个CCD20。
接着,说明本发明的实施方案的射线图像传感器的制造方法。图4A~图4F是本实施方案的射线图像传感器10的制造工序图。为了制造射线图像传感器10,首先,如图4A所示,加工光学构件12、14,以便光纤的轴与入射端面12a、14a构成锐角。具体地说,通过研磨,使排列多条光纤形成的光学构件相对于光纤的轴倾斜,形成光学构件12、14。此后,利用平均粒径为9.5微米的研磨剂研磨光学构件12、14的各个侧面12c、14c,另外如图4B所示,使光学构件12、14的全部侧面12c、14c之间滑动配合。
接着,如图4C所示,分别配置光学构件12、14,以便使构成各个光学构件12、14的光纤的间隔从入射端面12a、14a一侧向出射端面12b、14b一侧扩大。更具体地说,如图5所示,使光学构件12的侧面12c的边缘和光学构件14的侧面14c的边缘相对地将光学构件12、14分别配置在涂敷了平均粒径为9.5微米的研磨剂(图中未示出)的台100上。另外,还将平均粒径为9.5微米的研磨剂102夹在光学构件12的侧面12c和光学构件14的侧面14c之间。
接着,在上述的状态下,使光学构件12的侧面12c和光学构件14的侧面14c滑动配合,如图4D所示,在各个光学构件12、14的侧面12c、14c的入射端面12a、14a一侧形成滑动配合面12d、14d。在该时刻,滑动配合面12d、14d从入射端面12a、14a一侧向出射端面12b、14b一侧最好有0.1mm以上的幅度。以便在以后的工序中确保研磨入射端面12a、14a时的研磨补偿。另外,从减薄粘接材料24的层厚度的观点看,如图6A所示,最好沿光学构件12、14的侧面12c、14c的长度方向均匀地形成滑动配合面12d、14d,但如果沿光学构件12、14的侧面12c、14c的长度方向连续地形成滑动配合面12d、14d,则滑动配合面12d、14d的形状也可以如图6B~图6E所示。如果形成了滑动配合面12d、14d,倍冲洗研磨剂102,再用流动的水对全部光学构件12、14冲洗后,用***吹干残留的水分。然后,用500℃的温度烘烤一小时左右,将附着在表面上的有机物除去。
接着,如图4E所示,用粘合剂24将光学构件12、14的侧面12c、14c之间粘接起来。具体地说,如下进行。即,使侧面12c、14c相对地将光学构件12、14配置在粘接用台面上。然后,将粘合剂24涂敷在光学构件12和光学构件14的边界部分上,涂敷宽度达2mm左右。如果粘合剂24流入光学构件12和光学构件14的间隙中,则从横向按压各个光学构件12和光学构件14,使光学构件12和光学构件14的间隙逐渐变窄。这时,使粘合剂24均匀地扩大,以便在该粘合剂24中不残留气泡。如果光学构件12和光学构件14的间隙已足够窄,则将砝码置于光学构件12和光学构件14上,使粘合剂24初始硬化(40℃、4小时;以及80℃、1.5小时)。初始硬化后,确认粘接部分的宽度、缺口的有无等,在粘接部分的宽度适当、无缺口的情况下,使粘合剂24正式硬化(250℃、1小时)。
接着,如图4F所示,研磨光学构件12、14的入射端面12a、14a及出射端面12b、14b。然后,采用气相生长法在入射端面12a、14a上淀积闪烁器18,在它上面形成保护膜26。另外,将导光用光学零件22及CCD20连接在光学构件12、14的出射端面12b、14b一侧,制成射线图像传感器10。
接着,说明本实施方案的射线图像传感器的作用及效果。如果射线图像入射到闪烁器18上,则利用CsI的射线-可见光变换作用,在闪烁器18的内部生成相当于入射的射线图像的可见光图像(以下称光图像)。
在闪烁器18内部生成的光图像从光学构件12、14的入射端面12a、14a入射到其内部,在该光学构件12、14内传播并从出射端面12b、14b射出。
从光学构件12、14的出射端面12b、14b射出的光图像被分割成多个部分(在本实施方案中为12个部分),分别入射到配置在对应的位置的导光用光学零件22的入射端面22a上。
入射到导光用光学零件22的入射端面22a上的被分割的光图像利用导光用光学零件22的作用而分别被缩小,从导光用光学零件22的出射端面22b射出,利用连接在各个导光用光学零件22的出射端面22b上的CCD20进行摄像。然后,对各个利用CCD20拍摄的图像进行图像处理等后再进行配置,能获得入射的射线图像的拍摄图像。
这里,本实施方案的射线图像传感器10将光纤的轴与入射端面12a、14a构成锐角的光学构件12、14配置得使光纤的间隔从入射端面12a、14a一侧向出射端面12b、14b一侧扩大,在使入射端面12a、14a一侧滑动配合的状态下粘接光学构件12、14,所以能使在光学构件12、14的界面上产生的孔区空间极小。另外,由于在入射端面12a、14a一侧形成滑动配合面,所以即使在研磨了入射端面12a、14a的情况下,在入射端面12a、14a上也不会产生缺口,能防止发生由缺口引起的孔区空间。其结果,利用该射线图像传感器能使孔区空间极小,能进行精度高的摄像。
具体地说,在形成了图6A所示的均匀的滑动配合面12d、14d的情况下,能使入射端面12a、14a不产生缺口的粘合剂24的幅度(光学构件12和光学构件14的间隙)减小到2~4微米。在此情况下,光学构件12和光学构件14之间产生的孔区空间在使用直径为6微米的光纤的情况下为10~15微米,在使用直径为3微米的光纤的情况下为7~10微米,达到最小。这里,在射线图像传感器10中,光纤的间隔从入射端面12a、14a一侧向出射端面12b、14b一侧扩大,所以在图7A所示的光图像入射到入射端面12a、14a上的情况下,在从出射端面12b、14b输出后被CCD20拍摄的光图像中,如图7B所示,在出射端面12b和出射端面14b的边界部分产生40~300微米左右的黑带状部分(输入图像未进入的部分)。可是,如图7C所示,这样的带状部分能容易地除去,结果射线图像的欠缺部分变为10微米以下(使用直径为3微米的光纤时),达到极小程度。
另外,本实施方案的射线图像传感器10在闪烁器18上设有保护膜26,该保护膜26通过层叠以下三层构成:由聚对二甲苯树脂构成的第一层28、由Al构成的第二层30、以及由聚对二甲苯树脂构成的第三层32。这里,由聚对二甲苯树脂构成的第一层28通过排除水蒸气等,防止构成闪烁器18的CsI潮解,良好地维持闪烁器18的射线-光变换特性。另外,由Al构成的第二层30伴随射线的入射,将在闪烁器18内发生的光封闭在里面,提高射线图像传感器10的检测灵敏度。另外,由聚对二甲苯树脂构成的第三层32通过排除水蒸气等,防止构成第二层30的Al腐蚀。
另外,在本实施方案的射线图像传感器10中,由于使用吸收入射光的50%以上的粘合剂24,所以能将入射到粘合剂24中的光除去。因此,由CCD20产生的拍摄图像中对应于出射端面12b和出射端面14b的边界部分呈黑色,能容易地从拍摄图像中除去该部分。
另外,在本实施方案的射线图像传感器10中,由于在光学构件12、14露出到外部的侧面12c、14c上形成遮光材料25,所以能防止光线从外部入射到光学构件12、14中。其结果,提高了信噪比。
另外,在本实施方案的射线图像传感器10中,通过设置CCD20,能有效地拍摄入射到闪烁器18中的射线图像。另外,由于具有导光用光学零件22,所以能将从光学构件12、14的出射端面12b、14b射出的光图像有效地导入CCD20中。
另外,在本实施方案的射线图像传感器10中,由于研磨入射端面12a、14a及出射端面12b、14b,所以能提高入射端面12a、14a及出射端面12b、14b的平坦度,能获得精度极高的拍摄图像。
在本实施方案的射线图像传感器10中,虽然使光学构件12、14各自的侧面12c、14c进行滑动配合的滑动配合面12d、14d形成得比较大,但如图8所示,也可以将滑动配合面12d、14d研磨得极小。如果一旦形成滑动配合面12d、14d,则能防止研磨时发生缺口。
另外,在本实施方案的射线图像传感器10中,虽然光学构件12、14两者的光纤的轴与各入射端面12a、14a构成锐角,但如图9A及图9B所示,也可以使光学构件12、14两者中的任意一者的光纤的轴与各入射端面12a(或14a)构成锐角,而另一者的光纤的轴与各入射端面14a(或12a)构成直角。这里,图9A是滑动配合面12d、14d形成得较大的例,图9B是滑动配合面12d、14d被研磨得较小的例。即使这样构成,也能使孔区空间极小,能进行精度高的摄像。
另外,在本实施方案的射线图像传感器10中,虽然配置了两个光学构件12、14,但也可以配置3个以上的光学构件。通过配置3个以上的光学构件,能拍摄更大的射线图像。
另外,在本实施方案的射线图像传感器10中,虽然利用聚对二甲苯树脂形成用来构成保护膜26的第一层28、第三层32,但也可以用聚对氯二甲苯(polyparachoroxylene,ポリパラクロロキシリレン)树脂形成。即使用聚对氯二甲苯树脂形成第一层28、第三层32,也能有效地防止CsI的潮解、Al的腐蚀。这里,作为聚对氯二甲苯树脂的一例,能举出三键公司制的パリレンC(商品名)等。
另外,在本实施方案的射线图像传感器10中,虽然使用了伴随X射线的入射而发生可见光的闪烁器18,但不限定于此。例如,也可以是伴随X射线的入射而发生紫外线的闪烁器。在此情况下,由于使用在紫外光波长区域内具有灵敏度的摄像元件,所以能拍摄射线图像。
产业上利用的可能性
本发明的光学元件能用于射线图像传感器,本发明的射线图像传感器能用于例如CT装置等中。

Claims (11)

1.一种光学元件,具有:由多个光学构件构成的光学零件、和闪烁器,
上述各光学构件由多条光纤排列而成,且具有互相大致平行的入射端面和出射端面,
上述多个光学构件以它们的入射端面被配置在大致同一平面上的方式排列而构成上述光学零件;
互相邻接的上述光学构件中的至少一个的上述光纤的轴与上述入射端面构成锐角,
互相邻接的上述光学构件分别配置成,使构成该各个光学构件本身的光纤的间隔从上述入射端面一侧朝上述出射端面一侧扩大,
上述闪烁器淀积在上述入射端面上;
其特征在于:
在互相邻接的上述光学构件各自的侧面的上述入射端面一侧形成使该光学构件之间滑动配合的滑动配合面,且互相邻接的侧面用粘接剂粘接起来。
2.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:在上述闪烁器上形成保护膜。
3.根据权利要求2所述的光学元件,其特征在于:上述保护膜包含与上述闪烁器相接地形成的由聚对二甲苯构成的耐湿保护层。
4.根据权利要求2所述的光学元件,其特征在于:上述保护膜包含与上述闪烁器相接地形成的由聚对氯二甲苯构成的耐湿保护层。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的光学元件,其特征在于:上述粘合剂是吸收入射到该粘合剂中的光的粘合剂。
6.根据权利要求5所述的光学元件,其特征在于:上述粘合剂是吸收入射到该粘合剂中的光的50%以上的粘合剂。
7.根据权利要求1所述的光学元件,其特征在于:在互不相邻的上述光学构件的侧面上设有透射率为50%以下的遮光材料。
8.一种射线图像传感器,具有:光学元件、和摄像元件,
上述光学元件,具有由多个光学构件构成的光学零件和闪烁器,
上述各光学构件由多条光纤排列而成,且具有互相大致平行的入射端面和出射端面,
上述多个光学构件以它们的入射端面被配置在大致同一平面上的方式排列而构成上述光学零件;
互相邻接的上述光学构件中的至少一个的上述光纤的轴与上述入射端面构成锐角,
互相邻接的上述光学构件分别配置成,使构成该各个光学构件本身的光纤的间隔从上述入射端面一侧朝上述出射端面一侧扩大,
上述闪烁器淀积在上述入射端面上;
上述摄像元件拍摄从上述光学构件的上述出射端面输出的光图像,
其特征在于:
在互相邻接的上述光学构件各自的侧面的上述入射端面一侧形成使该光学构件之间滑动配合的滑动配合面,且互相邻接的侧面用粘接剂粘接起来。
9.根据权利要求8所述的射线图像传感器,其特征在于:还具有将从上述光学构件的上述出射端面输出的光图像导入上述摄像元件中的导光用光学零件。
10.一种光学元件的制造方法,上述光学元件是通过将多个由多条光纤排列而成且具有互相大致平行的入射端面和出射端面的光学构件的上述入射端面配置在大致同一平面上,并在所排列的上述入射端面上淀积闪烁器而形成的,该制造方法的特征在于包括下列工序:
加工上述光学构件,使上述光纤的轴与上述入射端面构成锐角的加工工序;
配置互相邻接的各个上述光学构件,使构成各个该光学构件的光纤的间隔从上述入射端面一侧朝上述出射端面一侧扩大的配置工序;
使互相邻接的上述光学构件各自的侧面滑动配合,在互相邻接的上述光学构件各自侧面的入射端面一侧形成滑动配合面滑动配合工序;
用粘合剂将互相邻接的侧面之间粘接起来的粘接工序;以及
将闪烁器淀积在所排列的上述入射端面上的淀积工序。
11.根据权利要求10所述的光学元件的制造方法,其特征在于:还有对所排列的上述入射端面进行研磨的研磨工序。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4907799B2 (ja) * 2001-08-24 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 撮像装置
JP3712368B2 (ja) * 2001-08-24 2005-11-02 浜松ホトニクス株式会社 イメージ検出装置
US7053381B2 (en) * 2001-12-06 2006-05-30 General Electric Company Dual para-xylylene layers for an X-ray detector
US7126130B2 (en) 2001-12-06 2006-10-24 General Electric Company Direct scintillator coating for radiation detector assembly longevity
JP2004127760A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Jeol Ltd 透過電子顕微鏡像の撮像装置
JP4208687B2 (ja) * 2003-09-29 2009-01-14 株式会社東芝 イメージセンサ
EP1861733B1 (en) 2005-03-16 2016-03-09 Philips Intellectual Property & Standards GmbH X-ray detector with in-pixel processing circuits
JP2008251211A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Toshiba Corp イメージインテンシファイア
KR101475042B1 (ko) * 2008-10-14 2014-12-31 엘지이노텍 주식회사 라인형 x-레이 이미지 검출 디텍터
KR101475041B1 (ko) * 2008-10-15 2014-12-23 엘지이노텍 주식회사 라인형 x-레이 이미지 검출 디텍터
JP2011017683A (ja) * 2009-07-10 2011-01-27 Fujifilm Corp 放射線画像検出器及びその製造方法
JP2011179855A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Mitsubishi Electric Corp 放射線検出器
US8766180B2 (en) 2010-04-02 2014-07-01 Board Of Trustees Of Northern Illinois University High performance computing for three dimensional proton computed tomography (HPC-PCT)
US9140810B2 (en) 2010-04-02 2015-09-22 Board Of Trustees Of Northern Illinois University High performance computing for three dimensional proton computed tomography (HPC-pCT)
JP5657614B2 (ja) 2011-08-26 2015-01-21 富士フイルム株式会社 放射線検出器および放射線画像撮影装置
US11156727B2 (en) * 2015-10-02 2021-10-26 Varian Medical Systems, Inc. High DQE imaging device
CN106443754B (zh) * 2016-11-16 2019-02-01 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 X射线图像摄取装置
JP7046698B2 (ja) * 2018-04-24 2022-04-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法
JP7206431B2 (ja) * 2018-04-24 2023-01-17 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法
CN109545810A (zh) * 2018-11-20 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种平板探测器及其制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63311193A (ja) * 1987-06-15 1988-12-19 Seiko Instr & Electronics Ltd X線イメ−ジセンサ−
DE4101645A1 (de) * 1990-01-29 1991-08-01 Gen Electric Zweidimensionaler mosaikartiger szintillationsdetektor
JPH07211877A (ja) * 1994-01-21 1995-08-11 Hamamatsu Photonics Kk 放射線像検出器及び放射線像検出装置
US5572034A (en) * 1994-08-08 1996-11-05 University Of Massachusetts Medical Center Fiber optic plates for generating seamless images
US5563414A (en) * 1994-11-03 1996-10-08 Siemens Aktiengesellschaft X-ray image sensor
JP3595759B2 (ja) * 1999-07-02 2004-12-02 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム

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