CN115621294A - 探测基板及其制作方法和探测器 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了探测基板及其制作方法和探测器。探测基板包括：衬底；栅极，栅极设置在衬底的一侧；有源层，有源层设置在栅极远离衬底的一侧，有源层包括掺杂部，掺杂部包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，掺杂部具有第一掺杂浓度；掺杂层，掺杂层设置在第二掺杂区远离衬底的至少部分表面上，且掺杂层与第一掺杂区没有交叠，掺杂层具有第二掺杂浓度，第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度；源漏电极层，源漏电极层包括源极和漏极，漏极与第一掺杂区接触连接，源极与掺杂层接触连接。由此，上述探测基板在薄膜晶体管处于断开的状态下，不易产生漏电流，并且，掺杂层的设置进一步改善了源极与有源层的欧姆接触，提高了薄膜晶体管的开关比。

Description

探测基板及其制作方法和探测器
技术领域
本发明涉及光电探测技术领域，具体的，涉及探测基板及其制作方法和探测器。
背景技术
X射线检测技术具有广阔的应用前景，可以应用于电路板检查、无损检测、集装箱扫描、医疗、安防等诸多领域。X射线探测器通常包括薄膜晶体管和光电二极管，在X射线照射下，闪烁体将X射线转换为可见光，光电二极管将可见光转换为电信号，薄膜晶体管收集电信号并将电信号输出，电信号通过后续的模数转换、图像处理形成X射线数字影像。
然而，目前的探测器的薄膜晶体管在断开的状态下，容易产生漏电流，因此，目前的探测基板及其制作方法和探测器仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种探测基板。根据本发明的实施例，所述探测基板包括：衬底；栅极，所述栅极设置在所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述有源层包括掺杂部，所述掺杂部包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，所述掺杂部具有第一掺杂浓度；掺杂层，所述掺杂层设置在所述第二掺杂区远离所述衬底的至少部分表面上，且所述掺杂层与所述第一掺杂区没有交叠，所述掺杂层具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；源漏电极层，所述源漏电极层包括源极和漏极，所述漏极与所述第一掺杂区接触连接，所述源极与所述掺杂层接触连接。由此，上述探测基板在薄膜晶体管处于断开的状态下，不易产生漏电流，并且，掺杂层的设置进一步改善了源极与有源层的欧姆接触，提高了薄膜晶体管的开关比。
根据本发明的实施例，所述探测基板进一步包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述源漏电极层远离所述衬底的一侧，且覆盖所述源漏电极层暴露的区域；第一电极层，所述第一电极层设置在第一绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层通过过孔与所述源极电连接；光电二极管，所述光电二极管设置在所述第一电极层远离所述衬底的表面上；第二电极层，所述第二电极层设置在所述光电二极管远离所述衬底的表面上。由此，有利于进一步提高探测基板的整体性能。
根据本发明的实施例，所述掺杂层的本征半导体材料与所述有源层的本征半导体材料一致。由此，可以使得掺杂层和有源层具有更高的匹配度。
根据本发明的实施例，所述掺杂层的掺杂元素与所述掺杂部的掺杂元素一致。由此，更有利于对掺杂层和掺杂部的掺杂浓度进行调节和控制。
根据本发明的实施例，所述掺杂层的厚度为50nm～100nm。由此，掺杂层具有合适的厚度，不会造成明显的断差，后续形成各层结构仍能保持较好的平整性，且掺杂层的厚度设置在上述范围内更有利于掺杂层掺杂元素的均匀分布，从而更好的避免漏电流的产生。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种制作前面所述的探测基板的方法。根据本发明的实施例，制作前面所述的探测基板的方法包括：提供衬底；在所述衬底的一侧形成栅极；在所述栅极远离所述衬底的一侧形成有源层，所述有源层包括掺杂部，所述掺杂部包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，所述掺杂部具有第一掺杂浓度；在所述第二掺杂区远离所述衬底的至少部分表面上形成掺杂层，所述掺杂层与所述第一掺杂区没有交叠，所述掺杂层具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；形成源漏电极层，所述源漏电极层包括源极和漏极，所述漏极与所述第一掺杂区接触连接，所述源极与所述掺杂层接触连接。由此，利用该方法制作得到的探测基板具有前面所述的探测基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述；利用该方法制作探测基板，工艺简便，易操作，有利于提高产品的良率和稳定性。
根据本发明的实施例，形成所述掺杂层包括：使用掩膜版暴露所述第二掺杂区远离所述衬底的至少部分表面；在所述第二掺杂区远离所述衬底的至少部分表面形成掺杂层。由此，掺杂层的掺杂浓度可控，操作简便易实现，重复性更好。
根据本发明的实施例，制作前面所述的探测基板的方法进一步包括：在所述源漏电极层远离所述衬底的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述源漏电极层暴露的至少部分区域；在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧形成第一电极层，所述第一电极层通过过孔与所述源极电连接；在所述第一电极层远离所述衬底的表面上形成光电二极管；在所述光电二极管远离所述衬底的表面上形成第二电极层。
在本发明的又一方面，本发明提出了一种探测器。根据本发明的实施例，所述探测器包括前面所述的探测基板。由此，该探测器具有前面所述的探测基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该探测器在薄膜晶体管断开的状态下不易产生漏电流，并且，该探测器具有较高的开关比。
根据本发明的实施例，所述探测器还包括闪烁体。由此，有利于进一步提高探测器的整体性能。
附图说明
图1显示了根据本发明一个实施例的探测基板的结构示意图；
图2显示了根据本发明另一个实施例的探测基板的结构示意图；
图3显示了薄膜晶体管未形成掺杂层的背沟道能带示意图；
图4显示了薄膜晶体管形成掺杂层后的背沟道能带示意图；
图5显示了根据本发明一个实施例制作探测基板的方法流程图；
图6显示了根据本发明一个实施例的探测器的结构示意图。
附图标记说明：
100：衬底；200：栅极；300：有源层；310：掺杂部；311：第一掺杂区；312：第二掺杂区；400：掺杂层；510：漏极；520：源极；600：第一绝缘层；700：第一电极层；800：光电二极管；900：第二电极层；10：栅绝缘层；20：过孔；30：第二绝缘层；40：第三绝缘层；50：遮挡金属层；1：载流子；1000：探测基板；2000：闪烁体。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
在本发明的一方面，本发明提出了一种探测基板。根据本发明的实施例，参考图1和图2，探测基板1000可以包括衬底100、栅极200、有源层300、掺杂层400和源漏电极层，其中，栅极200设置在衬底100的一侧；有源层300设置在栅极200远离衬底100的一侧，有源层300包括掺杂部310，掺杂部310包括间隔设置的第一掺杂区311和第二掺杂区312，掺杂部310具有第一掺杂浓度；掺杂层400设置在第二掺杂区312远离衬底100的至少部分表面上，且掺杂层400与第一掺杂区311没有交叠，掺杂层400具有第二掺杂浓度，第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度；源漏电极层包括源极520和漏极510，漏极510与第一掺杂区311接触连接，源极520与掺杂层400接触连接。由此，第一掺杂区的设置可以改善有源层和漏极的欧姆接触，第二掺杂区的设置可以改善有源层与源极的欧姆接触，在第二掺杂区远离衬底的至少部分表面上进一步设置掺杂层，并使第二掺杂层的掺杂浓度大于掺杂部的掺杂浓度，可以进一步改善有源层与源极的欧姆接触；并且，第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度还可以有效减小薄膜晶体管断开状态下的漏电流甚至避免薄膜晶体管断开状态下漏电流的产生，从而提高薄膜晶体管的开关比。需要说明的是，薄膜晶体管的开关比即是指薄膜晶体管在打开的状态下的电流Ion与薄膜晶体管在断开的状态下的电流Ioff的比值。
需要说明的是，探测基板1000还可以包括栅绝缘层10，参考图1和图2，栅绝缘层10覆盖栅极200远离衬底100的至少部分表面。还需要说明的是，有源层300还包括沟道区(图中未示出)，沟道区在衬底上的正投影位于第一掺杂区311在衬底上的正投影和第二掺杂区312在衬底上的正投影之间。
下面详细描述本发明的探测基板能够减小甚至避免薄膜晶体管在断开状态下的漏电流的原理：参考图3，图3中示出了薄膜晶体管未形成掺杂层的情况下背沟道的能带示意图，其中，Ec代表导带，Ef代表费米能级，Ei代表本征半导体的费米能级，Ev代表价带，由图3可以看到，对本征半导体进行掺杂之后得到的第一掺杂区和第二掺杂区的能带与有源层本征半导体的能带相比，产生了一定的变化，第二掺杂区与有源层本征半导体之间存在一定的导带势垒，发明人发现，在这种情况下，由于第二掺杂区与有源层本征半导体之间的导带势垒较小，载流子1(本发明中载流子为电子)在薄膜晶体管断开的情况下，仍然可能会克服该势垒并向第一掺杂区和漏极输运，形成漏电流。参考图4，图4中示出了薄膜晶体管形成掺杂层的情况下背沟道的能带示意图，本发明中设置掺杂层的第二掺杂浓度大于掺杂部(包括第一掺杂区和第二掺杂区)的第一掺杂浓度，在这种情况下，掺杂层与有源层本征半导体之间的导带势垒较大，当薄膜晶体管断开时，载流子1(电子)难以克服较大的导带势垒，载流子1难以向第一掺杂区和漏极输运，因此，设置掺杂层具有较高的掺杂浓度可以有效减小甚至避免薄膜晶体管断开状态下的漏电流。
根据本发明的实施例，参考图2，探测基板1000可以进一步包括：第一绝缘层600，第一绝缘层600设置在源漏电极层远离衬底100的一侧，且覆盖源漏电极层暴露的至少部分区域；第一电极层700，第一电极层700设置在第一绝缘层600远离衬底100的一侧，第一电极层700通过过孔20与源极520电连接；光电二极管800，光电二极管800设置在第一电极层700远离衬底100的表面上；第二电极层900，第二电极层900设置在光电二极管800远离衬底100的表面上。由此，有利于提高探测基板的整体性能，通过第二电极层向光电二极管施加偏压，从而使得光电二极管将可见光的光子转换为载流子(电子)，电子由第一电极层输运到源极，薄膜晶体管收集电信号并将电信号输出，再结合后续的模数转换和图像处理形成数字影像。
根据本发明的一些实施例，探测基板1000中，掺杂层400的本征半导体材料与有源层300的本征半导体材料一致。掺杂层和有源层采用相同的本征半导体材料，可以使得掺杂层和有源层具有更高的匹配度，便于通过掺杂来调控掺杂层与有源层本征半导体的导带势垒，从而更好的减小甚至避免薄膜晶体管断开状态下的漏电流。
根据本发明的一些实施例，掺杂层400的掺杂元素与掺杂部310的掺杂元素一致。由此，在形成掺杂部和掺杂层时，可以通过掺杂元素的掺杂时间或掺杂速率等来调控掺杂部和掺杂层的掺杂浓度，使得掺杂层的掺杂浓度大于掺杂部的掺杂浓度，从而有效减小甚至避免薄膜晶体管断开状态下的漏电流。
本发明中，对掺杂层400的掺杂元素和掺杂部310的掺杂元素的具体成分不做特别限定，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择和设置。根据本发明的一些实施例，掺杂层的掺杂元素和掺杂部的掺杂元素可以均为磷元素，以对本征半导体进行N型掺杂从而形成N型半导体。
根据本发明的实施例，参考图1，掺杂层400的厚度H可以为50nm～100nm。根据本发明的一些实施例，掺杂层400的厚度H可以为50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、100nm等，掺杂层的厚度设置在上述范围内，不会形成较为明显的断差，对后续形成的各层的平整性不会造成明显的不利影响，并且，有利于掺杂层中掺杂元素的均匀分布，掺杂层形成过程中也不易影响第二掺杂区。
根据本发明的一些实施例，形成源漏电极层的材质和形成第一电极层700的材质可以均为铝，形成栅极200的材质可以为钼，形成第一绝缘层600的材质可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等，形成第二电极层900的材质可以为氧化铟锡。
根据本发明的一些实施例，参考图2，探测基板1000可以进一步包括第二绝缘层30、第三绝缘层40以及遮挡金属层50。其中，参考图2，第二绝缘层30覆盖第一绝缘层600远离衬底100的部分表面、第一电极层700远离衬底100的部分表面、光电二极管800远离衬底100的部分表面以及第二电极层900远离衬底100的部分表面；第三绝缘层40覆盖第二绝缘层30远离衬底100的部分表面，遮挡金属层50覆盖第三绝缘层40远离衬底100的部分表面，且遮挡金属层50与第二电极层900电连接。由此，形成的探测基板具有较好的探测功能。
根据本发明的一些实施例，第二绝缘层30可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材质形成，由此，第二绝缘层具有较好的绝缘性能。
根据本发明的一些实施例，第三绝缘层40可以采用树脂材料形成，由此，第三绝缘层可以起到较好的绝缘作用，并且，第三绝缘层还可以起到较好的平坦化作用，有利于进一步在第三绝缘层远离衬底的一侧形成其他层结构。
根据本发明的一些实施例，遮挡金属层50可以采用铜、铝、钛等金属材质形成，由此，遮挡金属层50具有较好的导电性和遮光性，从而有利于进一步提高探测基板的整体性能。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种制作前面所述的探测基板的方法。根据本发明的实施例，参考图5，制作前面所述的探测基板的方法可以包括以下步骤：
S100：提供衬底。
在该步骤中，提供衬底，本发明中对于衬底的具体材质不做特别限定，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择和设置，例如，可以选择玻璃、聚酰亚胺等材质的衬底。
S200：在衬底的一侧形成栅极。
根据本发明的实施例，在该步骤中，在衬底100的一侧形成栅极200，参考图5中的(a)图，栅极200覆盖衬底100的部分表面。
S300：在栅极远离衬底的一侧形成有源层。
根据本发明的实施例，在栅极200远离衬底100的一侧形成有源层300，参考图5中的(b)图，有源层300包括掺杂部310，掺杂部310包括间隔设置的第一掺杂区311和第二掺杂区312，其中，掺杂部310具有第一掺杂浓度。
根据本发明的一些实施例，形成有源层300时，可以先形成本征半导体(例如α-Si)的原始有源层，之后，对原始有源层的部分区域进行掺杂，形成间隔设置的第一掺杂区311和第二掺杂区312。根据本发明的一些具体实施例，对原始有源层的部分区域进行掺杂形成整层的原始掺杂部，之后，对原始掺杂部进行刻蚀，形成间隔设置的第一掺杂区311和第二掺杂区312。
需要说明的是，在形成有源层300之前，还包括形成栅绝缘层10的步骤，栅绝缘层10覆盖栅极200远离衬底100的表面，图5中为了更清楚的示出栅极、有源层以及掺杂层、源漏电极层等结构，并未示出栅绝缘层10。
S400：在第二掺杂区远离衬底的至少部分表面上形成掺杂层。
在该步骤中，在第二掺杂区312远离衬底100的至少部分表面上形成掺杂层400，参考图1、图2和图5中的(c)图，掺杂层400与第一掺杂区311没有交叠，掺杂层400具有第二掺杂浓度，第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度，由此，可以提高薄膜晶体管断开状态下掺杂层与有源层本征半导体之间的导带势垒，从而有效减小甚至避免薄膜晶体管断开状态下的漏电流，还可以改善有源层与源极的欧姆接触，提高薄膜晶体管的开关比。
根据本发明的一些实施例，形成掺杂层400包括：使用掩膜版暴露第二掺杂区312远离衬底100的至少部分表面；在第二掺杂区312远离衬底100的至少部分表面形成掺杂层400。由此，通过使用掩膜版，可以更好的控制掺杂层的形成以及掺杂层的添加浓度，避免在掺杂层形成过程中对第二掺杂区造成不良影响，利用掩膜版形成掺杂层的方案具有工艺简单、重复性好等优点，并且，掺杂层的掺杂浓度可控，形成的探测基板整体稳定性更好。
为了减小甚至避免薄膜晶体管在断开状态下的漏电流，发明人尝试采用对有源层本征半导体进行梯度掺杂，将有源层本征半导体的部分区域进行较低浓度的掺杂，再将与源极接触的部分区域进行较高浓度的掺杂，从而提高该部分区域与源极的欧姆接触，但经过大量实验发现，梯度掺杂工艺较为复杂、重复性较差，而且，梯度浓度难以进行较好的控制，形成的探测基板的稳定性较差。之后，发明人经过大量实验改进发现，可以在形成有源层的低浓度掺杂区域之后，利用掩膜版仅在与源极对应的低浓度掺杂区域远离衬底的表面上另外形成高浓度的掺杂层，可以更好的调控掺杂浓度，且不会对低浓度掺杂区域造成不良影响，工艺简单、重复性好，形成的高浓度掺杂区域与源极接触，在薄膜晶体管断开的状态下，该高浓度掺杂区域与有源层本征半导体之间具有较大的导带势垒，可以更好的阻碍载流子向漏极输运，减小甚至避免薄膜晶体管在断开状态下的漏电流。需要说明的是，本发明中的高浓度与低浓度为相对的概念，表明高浓度掺杂的掺杂浓度大于低浓度掺杂的掺杂浓度。
根据本发明的一些具体实施例，形成掺杂层400可以包括：使用掩膜版暴露第二掺杂区312远离衬底100的至少部分表面，在第二掺杂区312远离衬底100的至少部分表面形成本征半导体层，之后，对本征半导体层进行掺杂形成掺杂层400。
根据本发明的另一些具体实施例，形成掺杂层400可以包括：使用掩膜版暴露第二掺杂区312远离衬底100的至少部分表面，在第二掺杂区312远离衬底100的至少部分表面同时沉积(例如可以采用化学气相沉积方法)本征半导体材料和掺杂元素，以形成掺杂层400。
S500：形成源漏电极层。
在形成掺杂层400之后，形成源漏电极层，其中，参考图1、图2和图5中的(d)图，源漏电极层包括源极520和漏极510，漏极510与第一掺杂区311接触连接，源极520与掺杂层400接触连接。
利用上述方法制作探测基板，采用掩膜版在有源层远离衬底的至少部分表面形成掺杂浓度较高的掺杂层，改善了有源层与源极的欧姆接触，提高了薄膜晶体管断开状态下掺杂层与有源层本征半导体之间的导带势垒，有效阻碍载流子向漏极输运，从而在薄膜晶体管断开的状态下可以有效减小漏电流甚至避免漏电流的产生；上述方法工艺简单，易重复，且能够更好的调节和控制掺杂浓度。
根据本发明的一些实施例，制作前面所述的探测基板的方法可以进一步包括以下步骤：在源漏电极层远离衬底100的一侧形成第一绝缘层600，第一绝缘层600覆盖源漏电极层暴露的至少部分区域；在第一绝缘层600远离衬底100的一侧形成第一电极层700，第一电极层700通过过孔20与源极520电连接；在第一电极层700远离衬底100的表面上形成光电二极管800；在光电二极管800远离衬底100的表面上形成第二电极层900。由此，形成的探测基板具有较好的探测功能，可以更好的进行光电转换以及电信号的收集等。
根据本发明的一些实施例，在形成第二电极层900之后，制作前面所述的探测基板的方法还可以包括形成第二绝缘层30的步骤，第二绝缘层30覆盖第一绝缘层600远离衬底100的部分表面、第一电极层700远离衬底100的部分表面、光电二极管800远离衬底100的部分表面以及第二电极层900远离衬底100的部分表面。
根据本发明的一些实施例，在形成第二绝缘层30之后，制作前面所述的探测基板的方法还可以包括形成第三绝缘层40、遮挡金属层50的步骤，第三绝缘层40覆盖第二绝缘层30远离衬底100的部分表面，遮挡金属层50覆盖第三绝缘层40远离衬底100的部分表面，且遮挡金属层50与第二电极层900电连接。
在本发明的又一方面，本发明提出了一种探测器。根据本发明的实施例，该探测器包括前面所述的探测基板1000。由此，该探测器具有前面所述的探测基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该探测器在薄膜晶体管断开的状态下漏电流较小甚至可以避免漏电流，稳定性好。
根据本发明的一些实施例，参考图6，探测器还包括闪烁体2000，其中，闪烁体2000设置在探测基板1000的遮挡金属层远离衬底的一侧。由此，有利于进一步提高探测器的整体性能，当X射线照射到闪烁体之后，闪烁体可以将X射线转换为可见光，之后通过光电二极管进行光电转换、薄膜晶体管进行电信号收集等实现探测器的探测功能。
文中术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”、“一些实施例”、“一些具体实施例”或“另一些具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种探测基板，其特征在于，包括：
衬底；
栅极，所述栅极设置在所述衬底的一侧；
有源层，所述有源层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述有源层包括掺杂部，所述掺杂部包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，所述掺杂部具有第一掺杂浓度；
掺杂层，所述掺杂层设置在所述第二掺杂区远离所述衬底的至少部分表面上，且所述掺杂层与所述第一掺杂区没有交叠，所述掺杂层具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；
源漏电极层，所述源漏电极层包括源极和漏极，所述漏极与所述第一掺杂区接触连接，所述源极与所述掺杂层接触连接。
2.根据权利要求1所述的探测基板，其特征在于，进一步包括：
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述源漏电极层远离所述衬底的一侧，且覆盖所述源漏电极层暴露的至少部分区域；
第一电极层，所述第一电极层设置在第一绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层通过过孔与所述源极电连接；
光电二极管，所述光电二极管设置在所述第一电极层远离所述衬底的表面上；
第二电极层，所述第二电极层设置在所述光电二极管远离所述衬底的表面上。
3.根据权利要求1或2所述的探测基板，其特征在于，所述掺杂层的本征半导体材料与所述有源层的本征半导体材料一致。
4.根据权利要求1或2所述的探测基板，其特征在于，所述掺杂层的掺杂元素与所述掺杂部的掺杂元素一致。
5.根据权利要求1或2所述的探测基板，其特征在于，所述掺杂层的厚度为50nm～100nm。
6.一种制作权利要求1～5中任一项所述的探测基板的方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底的一侧形成栅极；
在所述栅极远离所述衬底的一侧形成有源层，所述有源层包括掺杂部，所述掺杂部包括间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区，所述掺杂部具有第一掺杂浓度；
在所述第二掺杂区远离所述衬底的至少部分表面上形成掺杂层，所述掺杂层与所述第一掺杂区没有交叠，所述掺杂层具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；
形成源漏电极层，所述源漏电极层包括源极和漏极，所述漏极与所述第一掺杂区接触连接，所述源极与所述掺杂层接触连接。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述掺杂层包括：
使用掩膜版暴露所述第二掺杂区远离所述衬底的至少部分表面；
在所述第二掺杂区远离所述衬底的至少部分表面形成掺杂层。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述源漏电极层远离所述衬底的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述源漏电极层暴露的至少部分区域；
在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧形成第一电极层，所述第一电极层通过过孔与所述源极电连接；
在所述第一电极层远离所述衬底的表面上形成光电二极管；
在所述光电二极管远离所述衬底的表面上形成第二电极层。
9.一种探测器，其特征在于，包括权利要求1～5中任一项所述的探测基板。
10.根据权利要求9所述的探测器，其特征在于，还包括闪烁体。
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