CN115605346A - 耐热缓冲片和热加压处理方法 - Google Patents

耐热缓冲片和热加压处理方法 Download PDF

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CN115605346A
CN115605346A CN202180035211.7A CN202180035211A CN115605346A CN 115605346 A CN115605346 A CN 115605346A CN 202180035211 A CN202180035211 A CN 202180035211A CN 115605346 A CN115605346 A CN 115605346A
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CN
China
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heat
resistant
sheet
buffer sheet
ptfe
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CN202180035211.7A
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村木勇三
秋叶府统
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Abstract

所提供的耐热缓冲片是在对象物的热加压处理时配置在热加压装置的热加压面与对象物之间的片，其具备氟树脂的基材、以及配置于前述基材的一个主面侧的耐热性树脂的覆盖层。耐热缓冲片的一个露出面由覆盖层构成。耐热性树脂是除氟树脂之外的树脂，且具有280℃以上的熔点和/或210℃以上的玻璃化转变温度。所提供的耐热缓冲片对所预料的处理温度和压力的进一步上升的应对性优异。

Description

耐热缓冲片和热加压处理方法
技术领域
本发明涉及耐热缓冲片和使用了其的热加压处理方法。
背景技术
作为耐热性树脂，已知氟树脂。专利文献1中公开了作为一种氟树脂的聚四氟乙烯(以下记作“PTFE”)的片。作为耐热性树脂片的PTFE片设想在高温下的使用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2007/46482号
发明内容
发明要解决的问题
有时使用热加压装置对对象物进行热加压处理。此时，可以考虑在热加压装置的热加压面与对象物(处理对象物)之间配置耐热缓冲片来防止对象物与热加压面的直接接触，并且，作为耐热缓冲片，使用耐热性树脂片、例如专利文献1的PTFE片。但是，根据本发明人等的研究，在将专利文献1的PTFE片用于耐热缓冲片的情况下，未必能够充分应对今后可预料到的处理温度和压力的进一步上升。根据上述研究而已经明确：在使处理温度和压力进一步上升的情况下，容易发生可推测是由压力、温度的不均匀施加导致的处理不均，或者，容易发生除对象物中包含的物质之外的物质在对象物的与耐热缓冲片接触的面上的附着。
本发明的目的在于，提供一种在对象物的热加压处理时配置在热加压装置的热加压面与对象物之间的耐热缓冲片，该片能够更可靠地应对可预料到的处理温度和压力的进一步上升。
用于解决问题的方案
本发明提供一种耐热缓冲片，其是在对象物的热加压处理时配置在热加压装置的热加压面与前述对象物之间的耐热缓冲片，
其具备氟树脂的基材、以及配置于前述基材的一个主面侧的耐热性树脂的覆盖层，
前述耐热缓冲片的一个露出面由前述覆盖层构成，
前述耐热性树脂是除前述氟树脂之外的树脂，且具有280℃以上的熔点和/或210℃以上的玻璃化转变温度。
从其它方面出发，本发明提供一种热加压处理方法，
其是利用热加压装置进行的对象物的热加压处理的方法，其中，
在前述对象物与前述装置的热加压面之间配置有耐热缓冲片的状态下实施前述热加压处理，
前述耐热缓冲片为上述本发明的耐热缓冲片，
在前述热加压处理中，前述耐热缓冲片以由前述覆盖层构成的前述一个露出面接触前述对象物的方式配置在前述对象物与前述热加压面之间。
发明的效果
根据本发明人等的研究，明确了：(1)PTFE片的表面会因进一步高的压力和温度而发生流动，在对象物之间施加偏移方向的力，由此在该表面生成纤维状的PTFE；(2)可以认为：所生成的纤维状的PTFE在夹持于耐热缓冲片与对象物之间的状态下进行热加压处理，由此产生上述问题；(3)附着于对象物的物质是上述纤维状的PTFE；以及，(4)PTFE等氟树脂比其它耐热性树脂柔软，因而有助于耐热缓冲片的高缓冲性，但具有容易因偏移方向的力之类的对树脂进行拉伸的力而成为纤维状的性质，该性质会明显影响纤维状的PTFE的形成。
本发明的耐热缓冲片中，具备有助于高缓冲性的氟树脂基材，并且，由除氟树脂之外的耐热性树脂覆盖层构成一个露出面。通过以由覆盖层构成的露出面接触对象物的方式使用耐热性缓冲片，从而能够抑制上述问题的发生，并更可靠地应对可预料到的处理温度和压力的进一步上升。
附图说明
图1是示意性地示出本发明的耐热缓冲片的一例的剖视图。
图2是示意性地示出本发明的耐热缓冲片的一例的剖视图。
图3是用于说明使用本发明的耐热缓冲片的热加压处理的一例的示意图。
图4是示出实施例中实施的、对包含半导体芯片的对象物的热加压试验后的该半导体芯片表面的放大观察图像的图。
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式，参照附图进行说明。本发明不限定于以下的实施方式。
[耐热缓冲片]
将本发明的耐热缓冲片的一例示于图1。图1所示的耐热缓冲片1由氟树脂的基材2和耐热性树脂的覆盖层3构成。覆盖层3配置在基材2的一个主面侧，更具体而言，配置在基材2的一个主面上。耐热缓冲片1的一个露出面11由覆盖层3构成。耐热缓冲片1的另一个露出面12由基材2构成。图1的耐热缓冲片1具有基材2和覆盖层3的两层结构。耐热缓冲片1具有源自基材2中包含的氟树脂的高柔软性(缓冲性)以及源自基材2中包含的氟树脂和覆盖层3中包含的耐热性树脂的高耐热性。耐热性树脂为除氟树脂之外的树脂，且具有280℃以上的熔点和/或210℃以上的玻璃化转变温度。耐热缓冲片1除了防止对象物(处理对象物)与热加压面的直接接触之外，根据其具体方式、热加压处理的种类、热加压装置的结构等，还可以具有如下功能：使从热加压面向对象物施加的热和/或压力均匀化，调整热和/或压力的施加速度。
基材2的厚度t1可以大于覆盖层3的厚度t2。覆盖层3的厚度t2相对于基材2的厚度t1之比t2/t1例如为0.001～2，可以为0.01～1，进而可以为0.02～0.5。比值t2/t1的上限可以为1.5以下、1以下、0.8以下、0.6以下、0.5以下、0.4以下，进而可以为0.3以下。比值t2/t1的下限可以为0.05以上、0.1以上、0.15以上，进而可以为0.2以上。在比值t2/t1处于这些范围的情况下，能够确保热加压处理中的耐热缓冲片1的良好缓冲性，在进一步提高处理温度和压力的情况下，也能够更可靠地抑制上述处理不均的发生、源自基材2的物质在对象物的与耐热缓冲片1的接触面上的附着。
基材2的厚度例如为10μm～5mm。基材2的厚度下限可以为30μm以上、40μm以上、50μm以上、75μm以上、100μm以上、200μm以上、300μm以上、400μm以上，进而可以为500μm以上。基材2的厚度上限可以为3mm以下、2mm以下、1mm以下、800μm以下、600μm以下、500μm以下、400μm以下、300μm以下、200μm以下，进而可以为150μm以下。
覆盖层3的厚度例如为0.5～50μm。覆盖层3的厚度上限可以为40μm以下、30μm以下、25μm以下、20μm以下、15μm以下，进而可以为12μm以下。覆盖层3的厚度下限可以为1μm以上、1.5μm以上、2μm以上、5μm以上、10μm以上、15μm以上，进而可以为20μm以上。
在图1的例子中，基材2和覆盖层3两者为单层。基材2和覆盖层3可以均由两个以上的层构成，从能够抑制热加压处理时的层间剥离且能够确保从热加压面向对象物的高导热性的方面出发，基材2和/或覆盖层3优选为单层。
基材2由氟树脂构成。基材2可以仅由氟树脂构成，只要能够得到本发明的效果，就可以包含除氟树脂之外的材料。本说明书中，氟树脂是指构成主链的结构单元包含氟原子的树脂。氟原子通常以对与作为主链的一部的碳原子键合的氢原子进行取代的原子的形式存在于该结构单元中。
氟树脂的例子为PTFE、改性PTFE、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)和聚偏二氟乙烯(PVDF)。从耐热性和柔软性特别优异的方面出发，氟树脂优选为PTFE、改性PTFE和ETFE，特别优选为PTFE和改性PTFE。另外，PTFE和改性PTFE通常具有高脱模性，因此，如图1的例子那样，与覆盖层3侧处于相反侧的露出面12由基材2构成的耐热缓冲片1能够确保对热加压处理后的热加压面的优异脱模性。
改性PTFE为TFE与改性共聚单体的共聚物。为了被分类为改性PTFE，共聚物中的四氟乙烯(TFE)单元的含有率必须为99质量％以上。改性PTFE为例如TFE与选自乙烯、全氟烷基乙烯基醚和六氟丙烯中的至少1种改性共聚单体的共聚物。
基材2优选为包含历经烧成的PTFE的烧成PTFE片。本说明书中，PTFE的烧成是指将通过聚合而得到的PTFE加热至其熔点(327℃)以上的温度、例如340～380℃。
基材2可以为氟树脂的切削片。是切削片可根据在放大观察该片的表面时确认切削片特有的线状痕迹(作为切削痕迹而为本领域技术人员所知)来进行判断。在表面的放大观察中，可以使用光学显微镜等显微镜、表面性状评价装置。切削痕迹是由于通过切削加工而得到片时堆积至切削刃的树脂切屑对片表面造成线状划痕而产生的。切削痕迹通常沿着基材2的MD方向延伸。带状的基材2的MD方向通常为片的长度方向。
覆盖层3由耐热性树脂构成。覆盖层3可以仅由耐热性树脂构成，只要能够得到本发明的效果，就可以包含除耐热性树脂之外的材料。
耐热性树脂具有280℃以上的熔点和/或210℃以上的玻璃化转变温度。其中，从耐热性树脂中排除氟树脂。熔点可以为310℃以上、315℃以上、320℃以上，进而可以为325℃以上。熔点的上限例如为400℃以下。玻璃化转变温度可以为220℃以上、230℃以上、240℃以上，进而可以为250℃以上。玻璃化转变温度的上限例如为300℃以下。本说明书中，树脂的熔点是指：在差示扫描量热测定(以下记作“DSC”)中以一定的升温速度、例如10℃/分钟使树脂升温时测得的基于结晶熔解的吸热峰的峰温度。树脂的玻璃化转变温度是指：在DSC中以一定的升温速度、例如10℃/分钟使树脂升温时测得的基于玻璃化转变的吸热峰的峰温度。
耐热性树脂为例如选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、芳香族聚醚酮和聚酰胺酰亚胺中的至少1种。从高温下的尺寸稳定性特别优异的观点出发，耐热性树脂可以为聚酰亚胺和/或芳香族聚醚酮。芳香族聚醚酮例如为聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮。芳香族聚醚酮可以为PEEK。
聚酰亚胺例如为四羧酸二酐与二胺的缩聚物。其中，聚酰亚胺不限定于上述例子。另外，聚酰亚胺为上述缩聚物时，四羧酸二酐和二胺的种类没有限定。典型而言，聚酰亚胺为芳香族聚酰胺。
图1的例子的覆盖层3从与耐热缓冲片1的主面垂直的方向观察时，以覆盖基材2整体的方式配置。但是，覆盖层3的配置方式不限定于上述例子。覆盖层3只要至少配置于在热加压处理时与对象物接触的区域(耐热缓冲片1的使用区域)即可。
基材2与覆盖层3彼此接合。接合可利用例如粘接剂(粘接剂包括粘合剂)来实施。换言之，耐热缓冲片1可以进一步具备粘接层4，且基材2与覆盖层3通过粘接层4彼此接合(参照图2)。基材2与覆盖层3也可通过热层压等其它方法来接合。但是，基于粘接层4的接合在热加压处理的高温下更稳定。
粘接层4包含粘接剂组合物和/或其固化物。粘接剂组合物的例子为有机硅系组合物、丙烯酸系组合物、氨基甲酸酯系组合物、环氧系组合物和橡胶系组合物。从耐热性优异的观点出发，粘接剂组合物可以为有机硅系组合物。
粘接层4的厚度例如为3～50μm，可以为4～45μm、5～40μm，进而可以为5～35μm。粘接层4的厚度可以比基材2的厚度小，也可以比覆盖层3的厚度大。
覆盖层3和粘接层4分别可以是具备耐热性树脂的基层和形成在该基层的主面上的粘合剂层的粘合带的基层和粘合剂层。
只要能够得到本发明的效果，耐热缓冲片1也可以具有除基材2和覆盖层3之外的构件和/或层。其中，如图1的例子那样，不具有除基材2和覆盖层3之外的构件和层的形态在能够确保从热加压面向对象物的高导热性的方面是有利的。另外，此时，耐热缓冲片1的露出面12由氟树脂的基材2构成，因此，对热加压处理后的热加压面能够确保源自氟树脂的高脱模性。
耐热缓冲片1优选为非多孔片。耐热缓冲片1可以是至少在使用区域内不具有将两者的主面连通的孔的无孔片。耐热缓冲片1根据基材2和/或覆盖层3中包含的材料、例如PTFE所具有的高拒液性(拒水性和拒油性)，可以是水等流体(fluid)不会沿着厚度方向渗透的不透性片。另外，耐热缓冲片1根据基材2和/或覆盖层3中包含的材料、例如PTFE所具有的高绝缘性，可以是绝缘性片(非导电片)。绝缘性用至少一个露出面的例如1×1014Ω/□以上的表面电阻率来表示。表面电阻率可以为1×1015Ω/□以上、1×1016Ω/□以上，进而可以为1×1017Ω/□以上。基材2和/或覆盖层3可以包含炭黑、导电性聚合物、导电性金属氧化物等导电性材料。该情况下，耐热缓冲片1可以具有基于导电性材料的功能、例如抗静电功能。包含导电性材料的耐热缓冲片1的表面电阻率在至少一个露出面例如为1×1012Ω/□以下，可以为1×108Ω/□以下、1×104Ω/□以下。显示上述各表面电阻率的露出面可以为在热加压处理时与对象物接触的露出面11。
耐热缓冲片1的形状例如可以是包括正方形和长方形在内的多边形、圆形、椭圆形、以及带状。多边形的角可以是圆角。但是，耐热缓冲片1的形状不限定于上述例子。多边形、圆形和椭圆形的耐热缓冲片1可以以单片形式流通，带状的耐热缓冲片1可以以卷绕于卷芯的卷绕体(卷)的形式流通。带状的耐热缓冲片1的宽度和将带状的耐热缓冲片1卷绕而成的卷绕体的宽度可以自由设定。
耐热缓冲片1的厚度例如为10.5μm以上，可以为20μm以上、30μm以上、50μm以上、100μm以上、125μm以上、150μm以上、200μm以上、250μm以上、300μm以上、400μm以上、500μm以上，进而可以为550μm以上。厚度的上限例如为5100μm以下，可以为5000μm以下、4000μm以下、3000μm以下、2000μm以下、1500μm以下、1000μm以下、800μm以下、600μm以下、500μm以下、400μm以下、300μm以下，进而可以为200μm以下。
基材2与覆盖层3之间的接合力可以为1.5N/20mm以上，可以为1.6N/20mm以上、1.8N/20mm以上、2N/20mm以上、2.5N/20mm以上、3N/20mm以上、4N/20mm以上、5N/20mm以上、6N/20mm以上，进而可以为7N/20mm以上。接合力的上限例如为15N/20mm以下。基材2与覆盖层3之间的接合力可通过将覆盖层3从基材2剥离的180°剥离试验(剥离速度：300mm/分钟)来评价。在基材2与覆盖层3通过粘接层4而彼此接合的情况下，剥离试验时的剥离面可以处于基材2与粘接层4之间。
[耐热缓冲片的制造方法]
耐热缓冲片1可通过例如以下的方法来制造。但是，耐热缓冲片1的制法不限定于以下示出的例子。
以由PTFE或改性PTFE构成的基材2为例，说明基材2的制法。首先，将PTFE粉末(Molding powder，成形粉)导入至模具中，对模具内的粉末以规定的时间施加规定的压力而进行预成形。预成形可以在常温下实施。为了能够进行后述基于切削车床的切削，模具的内部空间的形状优选为圆柱状。此时，得到圆柱状的预成形品和PTFE块。PTFE块为圆柱状时，可以利用一边使块旋转一边连续切削表面的切削车床，能够高效地形成基材2。接着，将得到的预成形品从模具中取出，在PTFE的熔点(327℃)以上的温度下进行规定时间的烧成，得到PTFE块。接着，将得到的PTFE块切削成规定的厚度，得到作为切削片的PTFE片。所得PTFE片可以直接用作基材2，也可以在历经规定处理、其它层的层叠等后再用作基材2。根据上述制法，比较容易控制所形成的基材2的厚度，也比较容易形成带状的基材2。另外，通过使用改性PTFE粉末来代替PTFE粉末，从而能够利用上述方法形成作为切削片的改性PTFE片。
由PTFE或改性PTFE构成的基材2可利用以下的方法来制造。首先，准备要在表面上涂布PTFE分散液的基体片。基体片由例如树脂、金属、纸和它们的复合材料构成。对于基体片的要涂布PTFE分散液的表面，可以实施用于使PTFE片自基体片上的剥离容易的剥离处理。剥离处理可以应用公知方法。接着，在基体片的表面形成PTFE分散液的涂布膜。在PTFE分散液的涂布中，可以使用公知的各种涂布机。也可以通过将基体片浸渍于PTFE分散液而在基体片的表面涂布PTFE分散液。接着，通过干燥和烧成，由形成于基体片表面的PTFE分散液的涂布膜形成PTFE片。接着，将所形成的PTFE片自基体片剥离，得到作为流延片的PTFE片。所得PTFE片可以直接用作基材2，也可以在历经规定处理、其它层的层叠等后用作基材2。在该方法中，可根据PTFE分散液对基体片的涂布厚度和/或涂布次数来控制所形成的PTFE片的厚度。需要说明的是，通过使用改性PTFE分散液来代替PTFE分散液，能够利用上述方法形成改性PTFE片。
对PTFE片等氟树脂片进行的上述规定处理的例子是提高氟树脂片对其它构件的表面接合力的易粘接处理。易粘接处理可以是化学处理，也可以是物理处理。化学处理的例子是使用包含金属钠的处理液进行的表面处理。物理处理的例子是溅射蚀刻处理、等离子体蚀刻处理和电晕放电处理等低温等离子体处理。从该侧面出发，基材2的覆盖层3侧的主面可以进行了易粘接处理。
以由聚酰亚胺构成的覆盖层3为例，说明覆盖层3的制法。由聚酰亚胺构成的覆盖层3可根据例如一般的聚酰亚胺片的制造方法来制造。以下示出制造方法的一例。首先，由四羧酸二酐和二胺形成聚酰亚胺的前体、即聚酰胺酸的溶液。接着，将所形成的聚酰胺酸溶液涂布于基体片的表面。基体片由例如树脂、金属、纸和它们的复合材料构成。对于基体片的要涂布聚酰胺酸溶液的表面，可以实施用于使聚酰亚胺片自基体片的剥离容易的剥离处理。剥离处理可以应用公知的方法。为了对基体片涂布聚酰胺酸溶液，可以使用公知的各种涂布机。也可以通过将基体片浸渍于聚酰胺酸溶液而在基体片的表面涂布聚酰胺酸溶液。接着，对形成于基体片表面的聚酰胺酸溶液的涂布膜进行酰亚胺化，形成聚酰亚胺片。酰亚胺化可通过例如加热和/或添加催化剂来进行。接着，根据需要而实施用于去除溶剂等的后加热后，将所形成的聚酰亚胺片自基体片剥离，得到聚酰亚胺片。所得聚酰亚胺片可以直接用作覆盖层3，也可以在历经规定处理后再用作覆盖层3。在该方法中，可根据聚酰胺酸溶液对基体片的涂布厚度来控制所得聚酰亚胺片的厚度。
除聚酰亚胺片之外的覆盖层3可根据例如熔融挤出等各种片成形方法来制造。
接着，将所形成的基材2与覆盖层3彼此接合而得到耐热缓冲片1。接合可以使用例如粘接剂。
[耐热缓冲片的使用]
如图3所示那样，耐热缓冲片1可以在利用热加压装置31进行的对象物35的热加压处理时配置在热加压装置31的热加压面34与对象物35之间来使用。根据耐热缓冲片1，可防止对象物35与热加压面34的直接接触，由此，能够防止例如两者的固着。耐热缓冲片1的缓冲性优异。图3的热加压装置31具备载台32和具有热加压面34的热加压头33。耐热缓冲片1可以以由覆盖层3构成的露出面11接触对象物35的方式配置在热加压头33与对象物35之间来使用。关于该例子中的热加压处理，在将对象物35载置于载台32上的状态下使热加压头33与载台32接近，典型地为使热加压头33下降来实施。热加压处理的例子为对象物35的热压接、热压制。但是，热加压处理不限定于上述例子。
耐热缓冲片1可以通过输送而供给和配置在热加压面34与对象物35之间。通过输送而供给和配置的耐热缓冲片1例如为带状。
热加压处理的热加压装置31的加热设定温度、换言之耐热缓冲片1的使用温度例如为200℃以上，也可以为225℃以上、250℃以上、275℃以上、进而300℃以上。使用温度的上限例如为330℃以下。热加压处理的热加压装置31的加压设定压力、换言之耐热缓冲片1的使用压力例如为10MPa以上，也可以为15MPa以上、20MPa以上、25MPa以上、进而30MPa以上。使用压力的上限例如为50MPa以下。但是，耐热缓冲片1的使用温度和使用压力不限定于这些范围。也可以以比上述例示低的使用温度和/或使用压力使用耐热缓冲片1。
[热加压处理方法]
可使用本发明的耐热缓冲片1对对象物35进行热加压处理。热加压处理可通过例如热加压装置31来实施。更具体而言，可以在以由覆盖层3构成的露出面11接触对象物35的方式将耐热缓冲片1配置在对象物35与热加压面34之间的状态下实施热加压处理。根据耐热缓冲片1，可防止对象物35与热加压面34的直接接触。耐热缓冲片1可通过例如搬运而向对象物35与热加压面34之间供给和配置。
[热加压处理物的制造方法]
可使用本发明的耐热缓冲片1来制造热加压处理物。使用耐热缓冲片1来制造热加压处理物的方法包括：在以由覆盖层3构成的露出面11接触对象物35的方式将耐热缓冲片1配置在对象物35与热加压面34之间的状态下实施热加压处理，得到对象物的热加压处理物的工序。根据耐热缓冲片1，可防止对象物35与热加压面34的直接接触。热加压处理例如为对象物35的热压接、热压制。该情况下，作为热加压处理物，得到热压接物、热压制物。
实施例
以下，通过实施例更详细地说明本发明。本发明不限定于以下的实施例。
首先，示出本实施例中制作的基材、覆盖层和耐热缓冲片的评价方法。
[厚度]
基材、覆盖层和耐热缓冲片的厚度以对任意3点利用数字千分尺(最小刻度0.001mm)在25℃下的测定值的平均值的形式求出。
[接合力]
基材与覆盖层之间的接合力如下所述地进行评价。将制作的耐热缓冲片切成宽度20mm且长度200mm的条状，制成试验片。在PTFE切削片(基材)上贴合粘合带(覆盖层和粘接层)后，使日本产业标准(原日本工业标准；JIS)Z0237:2009中规定的质量2kg的压接辊在25℃下往返一次，并且，进一步放置20分钟而使两者的接合稳定，然后实施切割。接着，使用双面粘合带(日东电工公司制、No.500)，在不锈钢板的表面上贴合试验片。贴合以PTFE切削片的整体接触不锈钢板的方式来实施。双面粘合带选择具有在评价中试验片恰好不从不锈钢板上剥离的充分粘合力的粘合带。接着，用手从长度方向的端部起自基材剥离10mm左右的粘合带，在粘合带上设置自由端。接着，将试验片和不锈钢板安装于拉伸试验机。安装以试验片的长边方向与试验机的夹具间的方向一致的方式、并且以试验机的一个夹具夹持不锈钢板且另一个夹具夹持粘合带的自由端的方式来实施。接着，实施在剥离角度为180°且剥离速度为300mm/分钟的条件下将粘合带自PTFE切削片剥离的180°剥离试验。试验开始后，将从粘合带被剥离20mm的时刻起至被剥离150mm的时刻为止的应力测定值的平均作为基材与覆盖层之间的接合力。试验在温度为25±1℃、相对湿度为50±5％的环境中实施。
[热加压处理时的脱模性]
通过使用模拟对象物的热压制试验，如下所述地对耐热缓冲片评价热加压处理时的脱模性。
在具备热加压头和载台的热加压装置(伯东公司制、HTM-3000)的载台上配置模拟压接对象物。压接对象物使用对芯片配置面进行了镀银的铜基板(尺寸为20mm×20mm、厚度为3mm)与对接合面进行了镀银和烧结接合银糊剂材料(应用纳米颗粒研究所制、ANP-1)的涂布的Si半导体芯片(尺寸为5mm×5mm、厚度为0.2mm)的层叠体。压接对象物的配置以载台与铜基板接触的方式来实施。接着，在上述层叠体的Si半导体芯片上配置尺寸裁切成30mm×30mm的评价对象的耐热缓冲片。耐热缓冲片以从上述方向观察时半导体芯片位于耐热缓冲片的大致中央的方式进行配置。载台的设定温度设为80℃。接着，以压力达到20MPa的方式使热加压头下降后，将该头升温至300℃(升温速度为1℃/秒)，实施升温后的加压时间为300秒的热压制试验，评价耐热缓冲片是否对热加压头或作为压接对象物的层叠体发生热固着。将在试验后耐热缓冲片从热加压头和Si半导体芯片自然剥离或通过用手拉扯片而发生剥离的情况记作良好(○)，将即便用手拉扯片也不剥离的情况记作为不可(×)。
[有无PTFE附着于对象物]
利用光学显微镜(倍率150倍)对实施上述热压制试验后的Si半导体芯片的表面进行确认，确认有无PTFE、典型地为纤维状的PTFE附着于该表面。从能够得到高对比度的放大观察图像的方面出发，利用暗视场显微镜观察来实施确认。
(比较例1)
将PTFE粉末(DAIKIN INDUSTRIES,LTD.制、Polyflon PTFE M-12)导入至圆筒状的模具中，以温度23℃、压力8.5MPa和压力施加时间1小时的条件进行预成形。接着，将形成的预成形品从模具中取出，在370℃下进行24小时的烧成，得到高300mm、外径470mm的圆柱状的PTFE块。接着，利用切削车床对得到的PTFE块进行切削，制作PTFE切削片(厚度100μm)，将其作为比较例1的耐热缓冲片。
(实施例1)
准备厚度60μm的聚酰亚胺粘合带(日东电工公司制、No.360UL、聚酰亚胺层的厚度为25μm)。将所准备的粘合带作为覆盖层3和粘合层4，将比较例1中制作的PTFE切削片作为基材2，并彼此接合，将其作为实施例1的耐热缓冲片。
(实施例2)
对于比较例1中制作的PTFE切削片的一个主面，实施使用氩气的溅射蚀刻处理(气体量为300～600scc/分钟、真空度为8～15Pa、输出功率为6～10kW、频率为13.56MHz)。接着，将实施例1中准备的粘合带作为覆盖层3和粘合层4，接合于上述PTFE切削片的溅射蚀刻处理面，将其作为实施例2的耐热缓冲片。
(实施例3)
准备厚度25μm的PEEK片(信越聚合物公司制、Shin-Etsu Sepla Film)。将准备的PEEK片作为覆盖层3，层叠于比较例1中制作的PTFE切削片，将其作为实施例3的耐热缓冲片。
将评价结果总结于以下的表1。另外，将对实施例1和比较例1实施热压制试验后的Si半导体芯片的表面的放大观察图像(基于光学显微镜的明视场图像和暗视场图像)示于图4。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 比较例1
接合力[N/20mm] 1.80 7.74 - -
脱模性 ○ ○ ○ ○
PTFE对于对象物的附着 无 无 无 有
实施例1、2和比较例1均能够没有问题地实施铜基板与Si半导体芯片的接合。但是，如表1和图4所示那样，比较例1中观察到纤维状的PTFE对Si半导体芯片表面的大量附着。另一方面，实施例1、2中未观察到PTFE的附着。需要说明的是，PTFE的附着在明视场图像中难以确认，可通过制成暗视场图像来确认(参照图4)。另外确认到：通过对PTFE片进行溅射蚀刻处理，从而能够提高基材2与覆盖层3的接合力。
产业上的可利用性
本发明的耐热缓冲片可以在对象物的热加压处理时配置在热加压装置的热加压面与对象物之间来使用。热加压处理例如为热压接、热压制。

Claims (9)

1.一种耐热缓冲片，其是在对象物的热加压处理时配置在热加压装置的热加压面与所述对象物之间的耐热缓冲片，
其具备氟树脂的基材、以及配置于所述基材的一个主面侧的耐热性树脂的覆盖层，
所述耐热缓冲片的一个露出面由所述覆盖层构成，
所述耐热性树脂是除所述氟树脂之外的树脂，且具有280℃以上的熔点和/或210℃以上的玻璃化转变温度。
2.根据权利要求1所述的耐热缓冲片，其中，所述基材的厚度大于所述覆盖层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的耐热缓冲片，其中，所述基材和/或所述覆盖层为单层。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的耐热缓冲片，其还具备粘接层，
所述基材与所述覆盖层借助所述粘接层彼此接合。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的耐热缓冲片，其中，所述基材为所述氟树脂的切削片。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的耐热缓冲片，其中，所述氟树脂为聚四氟乙烯(PTFE)或改性PTFE，
所述改性PTFE中的四氟乙烯(TFE)单元的含有率为99质量％以上。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的耐热缓冲片，其中，所述耐热性树脂为选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、芳香族聚醚酮和聚酰胺酰亚胺中的至少1种。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的耐热缓冲片，其中，所述基材与所述覆盖层之间的接合力为1.5N/20mm以上。
9.一种热加压处理方法，其是利用热加压装置进行的对象物的热加压处理的方法，其中，
在所述对象物与所述装置的热加压面之间配置有耐热缓冲片的状态下实施所述热加压处理，
所述耐热缓冲片为权利要求1～8中任一项所述的耐热缓冲片，
在所述热加压处理中，所述耐热缓冲片以由所述覆盖层构成的所述一个露出面接触所述对象物的方式配置在所述对象物与所述热加压面之间。
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