CN115424554A - 阵列基板及其vt测试方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板及其VT测试方法、显示面板及显示装置。该阵列基板包括多个呈阵列排布的像素电路，像素电路包括驱动模块、第一初始化模块和第二初始化模块；多个测试电路，测试电路包括开关单元和测试信号线；在像素电路的测试阶段，第一控制信号端控制第一初始化模块导通，第二控制信号端控制第二初始化模块导通，第三控制信号端控制开关单元关断，根据测试信号线的输出电流测试像素电路。本发明实施例在发光元件转移到阵列基板之前进行阵列基板上像素电路的检测，可以减少发光元件的浪费，降低生产成本。

Description

阵列基板及其VT测试方法、显示面板及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其VT测试方法、显示面板及显示装置。

背景技术

随着信息社会发展，正越来越需要用于显示图像的各种形式的显示装置，并且近年来，诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)和有机发光显示装置(OLED)这样的各种显示装置已经得到利用。

对于主动发光的显示面板，在显示面板的制造过程中，包括阵列基板制作、发光元件制备(或转移)以及封装等步骤。在显示面板制作过程中，通常需要对阵列基板进行测试，确定其是否存在缺陷。然而，现有驱动电路的检测方式都是在完成发光元件的制备后，通过阵列基板驱动发光元件发光的方式进行可视化检测。尤其对于高分辨率的微型发光二极管(Micro LED)显示面板，发光元件的数量更多，一旦阵列基板不合格，会导致被转移到阵列基板上的发光元件一并报废，浪费成本。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其VT测试方法、显示面板及显示装置，以在发光元件转移到阵列基板之前进行阵列基板上像素电路的检测，可以减少发光元件的浪费，降低生产成本。

第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：

多个呈阵列排布的像素电路，所述像素电路包括驱动模块、第一初始化模块和第二初始化模块，所述驱动模块的第一端与第一电源电压端电连接，所述驱动模块的第二端与发光元件的第一电极电连接，所述第一初始化模块的第一端与参考信号端电连接，所述第一初始化模块的第二端与所述驱动模块的控制端电连接，所述第一初始化模块的控制端与第一控制信号端电连接，所述第二初始化模块的控制端与第二控制信号端电连接，所述第二初始化模块的第二端与所述发光元件的第一电极电连接；

多个测试电路，所述测试电路包括开关单元和测试信号线，所述开关单元的控制端与第三控制信号端电连接，所述开关单元的第一端与所述参考信号端电连接，所述开关单元的第二端与所述第二初始化模块的第一端电连接，所述测试信号线的第一端与所述第二初始化模块的第一端电连接，所述测试信号线的第二端用于输出测试信号；

在所述像素电路的测试阶段，所述第一控制信号端控制所述第一初始化模块导通，所述第二控制信号端控制所述第二初始化模块导通，所述第三控制信号端控制所述开关单元关断，根据所述测试信号线的输出电流测试所述像素电路。

第二方面，本发明实施例还提供一种阵列基板的VT测试方法，适用于测试上述的阵列基板，所述VT测试方法包括：

第三控制信号端控制开关单元关断；

第一控制信号端控制第一初始化模块导通，第二控制信号端控制第二初始化模块导通；

根据测试信号线的输出电流测试像素电路。

第三方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。

第四方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

本发明实施例提供的阵列基板，包括多个呈阵列排布的像素电路，像素电路包括驱动模块、第一初始化模块和第二初始化模块，驱动模块的第一端与第一电源电压端电连接，驱动模块的第二端与发光元件的第一电极电连接，第一初始化模块的第一端与参考信号端电连接，第一初始化模块的第二端与驱动模块的控制端电连接，第一初始化模块的控制端与第一控制信号端电连接，第二初始化模块的控制端与第二控制信号端电连接，所述第二初始化模块的第二端与所述发光元件的第一电极电连接；多个测试电路，测试电路包括开关单元和测试信号线，开关单元的控制端与第三控制信号端电连接，开关单元的第一端与参考信号端电连接，开关单元的第二端与第二初始化模块的第一端电连接，测试信号线的第一端与所述第二初始化模块的第一端电连接，测试信号线的第二端用于输出测试信号。通过本发明实施例提供的阵列基板结构，在发光元件制备之前，通过第一控制信号端控制第一初始化模块导通，第二控制信号端控制第二初始化模块导通，第三控制信号端控制开关单元关断，当给像素电路施加预设的驱动电流时，驱动电流可以通过测试信号线输出，然后根据测试信号线的输出电流测试像素电路是否能正常工作，例如对于驱动发光元件显示黑画面时，理论驱动电流为0，当输出电流较大时表明像素电路异常，驱动对于驱动发光元件显示白画面时，理论驱动电流较大，当输出电流过小时表名像素电流异常。本发明实施例可以避免因为阵列基板存在问题需要报废时，只能连同被转移到阵列基板上的发光元件一并废弃。解决了发光元件浪费问题，同时也降低了生产成本。

附图说明

图1为现有技术中一种像素电路的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部电路结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部电路结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路结构示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路结构示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路结构示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的VT测试方法的流程示意图；

图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板的VT测试方法的流程示意图；

图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

图1为现有技术中一种像素电路的结构示意图。参考图1，该像素电路包括七个晶体管M1′～M7′和一个电容Cst′，以驱动发光元件LED发光，其中发光元件LED可以为OLED或Micro LED。现有技术中，一般在像素电路和发光元件都制作完成后点亮发光元件进行VT测试，但难以判断是发光元件故障还是像素电路故障。现有技术没有在形成发光元件之前进行VT测试的方案。在发光元件制作完成后进行检测，若像素电路发生故障，只能连同发光元件一起报废，浪费成本；对于Micro LED显示面板支持更高的分辨率，需要更多发光元件，因此形成发光元件之前进行VT测试更有必要。

为了解决上述问题，本发明实施例提供一种阵列基板，包括多个呈阵列排布的像素电路和多个测试电路。示例性的，图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部电路结构示意图。参考图2，像素电路10包括驱动模块11、第一初始化模块12和第二初始化模块13，驱动模块11的第一端与第一电源电压端PVDD电连接，驱动模块11的第二端与发光元件(例如可以为LED)的第一电极电连接，第一初始化模块12的第一端与参考信号端Vref电连接，第一初始化模块12的第二端与驱动模块11的控制端电连接，第一初始化模块12的控制端与第一控制信号端S1电连接，第二初始化模块13的控制端与第二控制信号端S2电连接，第二初始化模块13的第二端与发光元件的第一电极电连接；测试电路20包括开关单元21和测试信号线22，开关单元21的控制端与第三控制信号端S3电连接，开关单元21的第一端与参考信号端Vref电连接，开关单元21的第二端与第二初始化模块13的第一端电连接，测试信号线22的第一端与第二初始化模块13的第一端电连接，测试信号线22的第二端用于输出测试信号；在像素电路10的测试阶段，第一控制信号端S1控制第一初始化模块12导通，第二控制信号端S2控制第二初始化模块13导通，第三控制信号端S3控制开关单元21关断，根据测试信号线22的输出电流测试像素电路10。

其中，驱动模块11用于根据数据信号驱动发光元件LED发光，驱动模块11可以包括N型晶体管或P型晶体管形成的驱动晶体管。具体实施时，驱动模块11的第一端与第一电源电压端PVDD电连接可以是直接电连接，也可以通过在中间设置其他元件间接电连接，也可以是耦合连接。第一初始化模块12用于对第一节点N1的电压进行初始化，第二初始化模块13用于对发光元件LED的第一电极的电压进行初始化。可选的，在发光元件的显示阶段，第三控制信号端S3控制开关单元21导通。在像素电路10正常工作的初始化阶段，第三控制信号端S3控制开关单元21导通，参考信号端Vref提供的参考电压实现第一节点N1和发光元件的第一电极的初始化。在进行像素电路测试时，第三控制信号端S3控制开关单元21关断，其中开关单元21可以为薄膜晶体管，第一控制信号端S1控制第一初始化模块12导通，参考信号端Vref提供的参考电压传输至第一节点N1，控制驱动模块11的驱动电流，第二控制信号端S2控制第二初始化模块13导通，驱动电流经过第二初始化模块13后经过测试信号线22输出，通过测试输出电流与预设的驱动电流是否一致，可以测试像素电路是否发生异常。具体实施时，可以利用外置电流计测量测试信号线22输出的电流，本发明实施例对此不作限定。

本发明实施例提供的阵列基板结构，在发光元件制备之前，通过第一控制信号端控制第一初始化模块导通，第二控制信号端控制第二初始化模块导通，第三控制信号端控制开关单元关断，当给像素电路施加预设的驱动电流时，驱动电流可以通过测试信号线输出，然后根据测试信号线的输出电流测试像素电路是否能正常工作，例如对于驱动发光元件显示黑画面时，理论驱动电流为0，当输出电流较大时表明像素电路异常，驱动对于驱动发光元件显示白画面时，理论驱动电流较大，当输出电流过小时表名像素电流异常。本发明实施例可以避免因为阵列基板存在问题需要报废时，只能连同被转移到阵列基板上的发光元件一并废弃。解决了发光元件浪费问题，同时也降低了生产成本。

图2所示的实施例中，像素电路与测试电路一一对应，每条测试信号线输出一个像素电路的驱动电流，可以实现每个像素电路的测试，具有较高的测试精度。在另一实施例中，可选的，多个像素电路与同一测试信号线的第一端电连接。

示例性的，图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图，参考图3，该阵列基板示出4个像素电路10(图3中未示出像素电路10的具体结构)和4个测试电路，每个像素电路10均与同一测试信号线22电连接(图3中未示出开关单元)，这样设置可以同时对多个像素电路10进行测量，降低测量难度。也有利于减少阵列基板中的走线数量，降低阵列基板的设计难度。另外，由于每个像素电路10可以单独控制是否加载驱动电流，多个像素电路10与同一测试信号线22连接时也可以实现像素电路的独立测试。

图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，参考图4，可选的，同一行像素电路10与同一测试信号线22的第一端电连接，具体实施时可以根据实际情况设计，本发明实施例对此不作限定。通过设置同一行像素电路10与同一测试信号线22的第一端电连接，可以实现逐行检测像素电路，相对于单个检测像素电路，可以有效提高检测速度。

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部电路结构示意图。参考图5，可选的，像素电路10还包括数据写入模块14、阈值补偿模块15、存储模块16和发光控制模块17；数据写入模块14的第一端与数据信号端Data电连接，数据写入模块15的控制端与第四控制信号端S4电连接，数据写入模块14的第二端与驱动模块11的第一端电连接；阈值补偿模块15的第一端与驱动模块11的第二端电连接，阈值补偿模块15的第二端与驱动模块11的控制端电连接，阈值补偿模块15的控制端与第五控制信号端S5电连接；存储模块16的第一端与第一电源电压端PVDD电连接，存储模块16的第二端与驱动模块11的控制端电连接；发光控制模块17包括第一发光控制模块171和第二发光控制模块172，第一发光控制模块171的第一端与第一电源电压端PVDD电连接，第一发光控制模块171的第二端与驱动模块11的第一端电连接，第一发光控制模块171的控制端与使能信号端Emit电连接，第二发光控制模块172的第一端与驱动模块11的第二端电连接，第二发光控制模块172的第二端与发光元件的第一电极电连接，第二发光控制模块172的控制端与使能信号端Emit电连接，发光元件的第二电极与第二电源电压端PVEE电连接。

其中，数据写入模块14用于在第四控制信号端S4的控制下，向第一节点N1写入数据信号，数据信号用于控制驱动模块11输出的驱动电流的大小，以控制发光元件的亮度。阈值补偿模块15用于实现驱动模块11中驱动晶体管栅极的阈值补偿，具体实施时，在数据写入模块14将数据信号写入第一节点N1时，第五控制信号端S5控制阈值补偿模块15导通，数据信号端Data提供的数据电压V_Data通过驱动模块11和阈值补偿模块15写入第一节点N1，其中第二节点N2(驱动模块11的第一端)的电压为V_Data，第一节点N1的电压为V_Data-V_th，其中V_th为驱动模块中驱动晶体管的阈值电压，通过在第一节点N1预存与V_th相关的电压，发光元件电流公式中与V_th有关的量可以消除，从而流过发光元件的电流与V_th无关，实现阈值补偿。存储模块16用于维持发光元件在发光阶段时第一节点N1的电位。第一发光控制模块171和第二发光控制模块172用于在发光阶段导通，使驱动电流流过发光元件发光。在某一实施例中，发光元件的第一电极为阳极，第二电极为阴极，第一电源电压端PVDD提供阳极电压，第二电源电压端PVEE提供阴极电压。

图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路结构示意图。参考图6，图6示出了一种具体的像素电路结构，可选的，驱动模块11包括驱动晶体管M3，第一初始化模块12包括第一晶体管M5，第二初始化模块13包括第二晶体管M7，数据写入模块14包括第三晶体管M2，阈值补偿模块15包括第四晶体管M4，第一发光控制模块171包括第五晶体管M1，第二发光控制模块172包括第六晶体管M6，存储模块16包括第一电容Cst。开关单元21包括第七晶体管M8。

在具体实施时，像素电路中的晶体管可以包括P型晶体管，也可以包括N型晶体管，或者既包括P型晶体管又包括N型晶体管，本实施例中示出的像素电路中示出的晶体管均以P型晶体管为例，并不是对本发明实施例的限定。

图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路结构示意图。参考图7，可选的，第四控制信号端S4复用为第五控制信号端S5。

可以理解的是，由于在数据写入阶段数据写入模块14和阈值补偿模块15同时导通，即第三晶体管M2和第四晶体管M4同时导通，当第三晶体管M2和第四晶体管M4类型相同时，可以将第四控制信号端S4复用为第五控制信号端S5，从而减少控制信号端的数量，简化电路结构。

图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路结构示意图。参考图8，可选的，第一控制信号端S1复用为第二控制信号端S2。

本实施例中，第一初始化模块12和第二初始化模块13均接收参考信号端Vref提供的初始化信号，驱动模块11和发光元件的初始化可以同时进行，即可以将第一控制信号端S1复用为第二控制信号端S2，以减少控制信号端的数量，简化电路结构。

在另一实施例中，可选的，阵列基板还包括m×n条数据线、n个数据信号端和多路复用器，多路复用器包括n个输入端和n个输出端；第i个数据信号端与多路复用器的第i个输入端连接；数据线与一列像素电路的数据写入模块的第一端电连接，第i×j条数据线的一端与多路复用器的第i个输出端电连接，第i个数据信号端为第i×j条数据线提供数据信号；其中，1≤i≤n，1≤j≤m，n≥2，m≥2，且i、j、n、m均为整数。

示例性的，图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。参考图9，以m＝3，n＝2为例，该阵列基板6条数据线D1～D6、2个数据信号端Data1和Data2以及多路复用器30，多路复用器30包括2个输入端和2个输出端，具体的，多路复用器30包括2个开关K1和K2，K1和K2的控制端与控制端S连接。其中数据信号端Data1和开关K1的第一端(多路复用器30的输入端)连接，开关K1的第二端与奇数列数据线(D1、D3和D5)连接，数据信号端Data2和开关K2的第一端连接，开关K2的第二端与偶数列数据线(D2、D4和D6)连接。

可以理解的是，当进行像素电路检测时，同时检测的像素电路数量越多，检测速度越快，但测量的误差会增大，为了减小测量误差，可以利用图9所示的结构，通过对数据信号做多路复用的方式减小误差。例如图9的实施例中，奇数列数据线和偶数列数据线连接不同的数据信号端，测试时可以由原来的整行像素电路同时测试变为对半行像素电路同时测试，数据信号端数量越多，则测试的精度越高。

图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的VT测试方法的流程示意图，该VT测试方法适用于测试上述实施例提供的任意一种阵列基板，参考图10，该VT测试方法包括：

步骤S110、第三控制信号端控制开关单元关断。

其中，开关单元可以包括薄膜晶体管，例如开关单元为P型晶体管时，第三控制信号端给开关单元的控制端提供高电平信号，以使开关单元关断；开关单元为N型晶体管时，第三控制信号端给开关单元的控制端提供低电平信号，以使开关单元关断。

步骤S120、第一控制信号端控制第一初始化模块导通，第二控制信号端控制第二初始化模块导通。

当开关单元关断时，参考信号端仅与第一初始化模块导通，当第一初始化模块导通时，参考信号端提供的参考电压可以传输至第一节点，当参考电压控制驱动模块导通时，驱动电流经过驱动模块、第二初始化模块后由测试信号线输出。

步骤S130、根据测试信号线的输出电流测试像素电路。

具体实施时，可以控制参考信号端的输出电压，以形成不同的驱动电流。例如在某一实施例中，可选的，根据测试信号线的输出电流测试像素电路，包括：

控制参考信号端输出第一电平信号，驱动模块关断。

若测试信号线的输出电流大于第一电流值，则待测像素电路异常。

例如当驱动晶体管为P型晶体管时，第一电平信号为高电平信号，当驱动晶体管为N型晶体管时，第一电平信号为低电平信号，此时驱动晶体管关断，此时对应显示黑画面，像素电路中没有驱动电流，考虑到误差的存在，误差一般为μA量级，因此第一电流值的大小可以设置成μA级别，具体数值可以根据实际情况标定设置，当输出电流大于第一电流值时，表明像素电路关断时有较大的漏电流，该像素电路异常。

在另一实施例中，可选的，根据测试信号线的输出电流测试像素电路，包括：

控制参考信号端输出第二电平信号，驱动模块导通。

若测试信号线的输出电流小于第二电流值，则待测像素电路异常。

例如当驱动晶体管为P型晶体管时，第一电平信号为低电平信号，当驱动晶体管为N型晶体管时，第一电平信号为高电平信号，此时驱动晶体管导通，此时对应显示白画面，像素电路中流过驱动电流，例如显示白画面时，驱动电流为0.5mA，因此第二电流值的大小可以设置在0.5mA附近，具体数值可以根据实际情况标定设置，当输出电流小第二电流值时，表明像素电路导通时电流过小，该像素电路异常。

图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板的VT测试方法的流程示意图，该VT测试方法适用于图9中的阵列基板，参考图11，该VT测试方法包括：

步骤S210、第三控制信号端控制开关单元关断。

步骤S220、第四控制信号端控制数据写入模块导通，第五控制信号端控制阈值补偿模块导通，第i个数据信号端通过多路复用器向第i×j条数据线提供数据信号，以使对应像素电路的驱动模块写入数据信号。

步骤S230、第二控制信号端控制第二初始化模块导通。

步骤S240、根据测试信号线的输出电流测试像素电路。

图11中的实施例与图10中的实施例不同的是，图10中的实施例利用参考信号端提供的信号控制驱动模块的导通或关断，图11中的实施例利用数据写入模块提供的数据信号控制驱动模块导通，然后根据测试信号线的输出电流进行像素电路的测试。另外图11中的实施例利用多路复用的方式对一行像素电路中的部分电路进行测试，有利于提高测试精度。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述实施例提供的任意一种阵列基板。由于本发明实施例提供的显示面板包括上述实施例提供的任意一种阵列基板，具备与阵列基板相同或相应的技术效果，此处不再详述。

图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参考图12，该显示装置1包括本发明实施例提供的显示面板2。该显示装置1具体可以为手机、电脑以及智能可穿戴设备等。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

多个呈阵列排布的像素电路，所述像素电路包括驱动模块、第一初始化模块和第二初始化模块，所述驱动模块的第一端与第一电源电压端电连接，所述驱动模块的第二端与发光元件的第一电极电连接，所述第一初始化模块的第一端与参考信号端电连接，所述第一初始化模块的第二端与所述驱动模块的控制端电连接，所述第一初始化模块的控制端与第一控制信号端电连接，所述第二初始化模块的控制端与第二控制信号端电连接，所述第二初始化模块的第二端与所述发光元件的第一电极电连接；

多个测试电路，所述测试电路包括开关单元和测试信号线，所述开关单元的控制端与第三控制信号端电连接，所述开关单元的第一端与所述参考信号端电连接，所述开关单元的第二端与所述第二初始化模块的第一端电连接，所述测试信号线的第一端与所述第二初始化模块的第一端电连接，所述测试信号线的第二端用于输出测试信号；

在所述像素电路的测试阶段，所述第一控制信号端控制所述第一初始化模块导通，所述第二控制信号端控制所述第二初始化模块导通，所述第三控制信号端控制所述开关单元关断，根据所述测试信号线的输出电流测试所述像素电路。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述像素电路与同一所述测试信号线的第一端电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，同一行所述像素电路与同一所述测试信号线的第一端电连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括数据写入模块、阈值补偿模块、存储模块和发光控制模块；

所述数据写入模块的第一端与数据信号端电连接，所述数据写入模块的控制端与第四控制信号端电连接，所述数据写入模块的第二端与所述驱动模块的第一端电连接；

所述阈值补偿模块的第一端与所述驱动模块的第二端电连接，所述阈值补偿模块的第二端与所述驱动模块的控制端电连接，所述阈值补偿模块的控制端与第五控制信号端电连接；

所述存储模块的第一端与所述第一电源电压端电连接，所述存储模块的第二端与所述驱动模块的控制端电连接；

所述发光控制模块包括第一发光控制模块和第二发光控制模块，所述第一发光控制模块的第一端与所述第一电源电压端电连接，所述第一发光控制模块的第二端与所述驱动模块的第一端电连接，所述第一发光控制模块的控制端与使能信号端电连接，所述第二发光控制模块的第一端与所述驱动模块的第二端电连接，所述第二发光控制模块的第二端与所述发光元件的第一电极电连接，所述第二发光控制模块的控制端与所述使能信号端电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动模块包括驱动晶体管，所述第一初始化模块包括第一晶体管，所述第二初始化模块包括第二晶体管，所述数据写入模块包括第三晶体管，所述阈值补偿模块包括第四晶体管，所述第一发光控制模块包括第五晶体管，所述第二发光控制模块包括第六晶体管，所述存储模块包括第一电容。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第四控制信号端复用为所述第五控制信号端。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述发光元件的显示阶段，所述第三控制信号端控制所述开关单元导通。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一控制信号端复用为所述第二控制信号端。

9.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括m×n条数据线、n个数据信号端和多路复用器，所述多路复用器包括n个输入端和n个输出端；

第i个所述数据信号端与所述多路复用器的第i个输入端连接；

所述数据线与一列所述像素电路的所述数据写入模块的第一端电连接，第i×j条所述数据线的一端与所述多路复用器的第i个输出端电连接，所述第i个数据信号端为所述第i×j条所述数据线提供数据信号；

其中，1≤i≤n，1≤j≤m，n≥2，m≥2，且i、j、n、m均为整数。

10.一种阵列基板的VT测试方法，其特征在于，适用于测试权利要求1～9任一所述的阵列基板，所述VT测试方法包括：

第三控制信号端控制开关单元关断；

第一控制信号端控制第一初始化模块导通，第二控制信号端控制第二初始化模块导通；

根据测试信号线的输出电流测试像素电路。

11.根据权利要求10所述的阵列基板的VT测试方法，其特征在于，所述根据测试信号线的输出电流测试像素电路，包括：

控制参考信号端输出第一电平信号，所述驱动模块关断；

若所述测试信号线的输出电流大于第一电流值，则待测像素电路异常。

12.根据权利要求10所述的阵列基板的VT测试方法，其特征在于，所述根据测试信号线的输出电流测试像素电路，包括：

控制参考信号端输出第二电平信号，所述驱动模块导通；

若所述测试信号线的输出电流小于第二电流值，则待测像素电路异常。

13.一种阵列基板的VT测试方法，其特征在于，适用于权利要求9所述的阵列基板，所述VT测试方法包括：

第三控制信号端控制开关单元关断；

第四控制信号端控制数据写入模块导通，第五控制信号端控制阈值补偿模块导通，第i个数据信号端通过多路复用器向第i×j条数据线提供数据信号，以使对应像素电路的驱动模块写入所述数据信号；

第二控制信号端控制第二初始化模块导通；

根据测试信号线的输出电流测试所述像素电路。

14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～9任一所述的阵列基板。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14所述的显示面板。

Images