CN115341193A - 一种原子层沉积设备 - Google Patents

一种原子层沉积设备 Download PDF

Info

Publication number
CN115341193A
CN115341193A CN202211109129.7A CN202211109129A CN115341193A CN 115341193 A CN115341193 A CN 115341193A CN 202211109129 A CN202211109129 A CN 202211109129A CN 115341193 A CN115341193 A CN 115341193A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
control system
component
gas
growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211109129.7A
Other languages
English (en)
Inventor
张义颖
张良
雍晓龙
何奇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pico Semiconductor Suzhou Co ltd
Original Assignee
Pico Semiconductor Suzhou Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pico Semiconductor Suzhou Co ltd filed Critical Pico Semiconductor Suzhou Co ltd
Priority to CN202211109129.7A priority Critical patent/CN115341193A/zh
Publication of CN115341193A publication Critical patent/CN115341193A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种原子层沉积设备，涉及原子层沉积技术领域，包括电控***、进气控制***、尾气***、升降控制***、衬底片和生长室，所述升降控制***和生长室相连接，所述生长室包括有外腔室部件、内腔室部件、进气部件、出气部件和产品生长区，所述外腔室部件用于隔断外界环境，所述尾气***与生长室相连接，所述尾气***包括有尾气管。本发明通过采用多层进气***，使前驱体快速均匀地分布到产品表面，采用多通道出气单元，使气体快速地流出反应室，节约吹扫时间，减少生长时间，进气***采用载气输送，提高前驱体的有效量，降低进气时间，前驱体采用独立的更换管路，可以安全更换前驱体。

Description

一种原子层沉积设备
技术领域
本发明涉及原子层沉积技术领域，具体为一种原子层沉积设备。
背景技术
ALD设备是在一定温度下把一种前驱体(也可称为源)过量的通入到反应室，前驱体通过化学吸附或者化学反应附着在被镀膜材料的表面，之后用一种惰性气体(如氮气，氩气等)将过量的前驱体吹出反应室，在将另一种前驱体过量的通入到反应室，这个前驱体与之前的反应生成所需的物质，再用惰性气体把过量的前驱体吹除。这个过程反复循环最后在被镀膜材料表面形成需要的薄膜。
现有的ALD工艺主要难点：1、进出气结构设计落后，导致原子层沉积期间吹扫耗时较长；2、沉积后各区域薄膜的均匀程度不一，成品性能一致性受到影响；3、现有的部分前驱体是见空气易燃材料，更换前需要把管路里残留的前驱体去除。
发明内容
本发明的目的在于提供一种原子层沉积设备，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种原子层沉积设备，包括电控***、进气控制***、尾气***、升降控制***、衬底片和生长室，所述升降控制***和生长室相连接，所述生长室包括有外腔室部件、内腔室部件、进气部件、出气部件和产品生长区，所述外腔室部件用于隔断外界环境，所述内腔室部件用于隔断外腔室部件与沉降空间，所述进气部件用于提供前驱体和惰性气体，所述出气部件用于排出气体，所述产品生长区用于为衬底片提供放置空间，所述电控***用于对进气控制***、尾气***、升降控制***和生长室进行控制，所述进气控制***用于控制进气部件的通断状态；
所述升降控制***内部设置有升降控制部件，所述升降控制部件用于取放待沉降载体；
所述尾气***与生长室相连接，所述尾气***包括有尾气管。
进一步的，所述外腔室部件包括有外腔壁和外腔盖，所述外腔壁和外腔盖之间构成密闭空间，所述外腔壁分别与进气部件、出气部件、产品生长区和升降控制部件相连接，所述外腔壁内部安装有若干个加热板，外腔壁内壁上安装有多个加热板，加热板位于内腔壁和内腔盖的四周，加热板主要为沉降期间的衬底片提供加热环境。
进一步的，所述进气部件包括有外腔壁一侧的多层进气***，所述多层进气***内部设置有多个管道，所述管道贯穿外腔壁，所述多层进气***与内腔室部件相连接，多个所述管道分布于不同层高度，多层进气***由若干个管道构成，若干个管道分布于不同高度层，每个高度层设置有多个管道，前驱体采用独立的更换管路，可以安全更换前驱体，多层进气***采用载气输送，提高前驱体的有效量，降低进气时间，多层进气***使得前驱体快速均匀地分布到产品表面，提高沉积后各区域薄膜的均匀程度，进而提高成品性能的一致性。
进一步的，所述内腔室部件包括安装在多层进气***末端的内腔壁，所述内腔壁的上端安装有内腔盖，所述内腔壁与内腔盖位于外腔壁的内部，所述内腔壁的内部设置有产品生长区。
进一步的，所述产品生长区包括安装在内腔壁内部的治具，所述治具的内部安装有衬底片，所述衬底片为载体。
进一步的，所述出气部件包括有多通道出气单元，所述多通道出气单元内部设置有若干个管道，所述多通道出气单元贯穿外腔壁，所述多通道出气单元与内腔壁相连接，多通道出气单元由多个管道组成，采用多通道出气单元，使气体快速地流出反应室，节约吹扫时间，减少生长时间，加速前驱体流出，减少前驱体在管道内部留存的时间。
进一步的，所述升降控制部件包括安装在外腔壁外侧的液压缸，所述液压缸的一侧设置有升降杆，所述升降杆分别与外腔盖、内腔盖和治具相连接，液压缸控制升降杆运动，升降杆的一端外壁依次与外腔盖、内腔盖和治具相连接，在上升状态的升降杆的作用下，外腔盖、内腔盖和治具跟随升降杆同步上升，外腔壁的外侧安装有支撑杆，支撑杆的上端设置有固定板，固定板与液压缸相连接，支撑杆贯穿外腔盖，外腔盖沿着支撑杆的外壁滑动，随后操作人员利用专用工具将需要沉积的衬底片放置于治具中。
原子层沉积设备的原子层沉积工序为：
S1、液压缸通过升降杆控制外腔盖连同内腔盖和治具进行抬升。
S2、作业员用工具把治具取出，随后将衬底片放入治具中。
S3、作业员再用工具把治具放入到内腔壁中。
S4、液压缸通过升降杆控制外腔盖连同内腔盖驱动下降。
S5、通过气体抽取设备和尾气管把外腔壁和外腔盖所形成空间内部的空气抽取到低压状态，并且启动加热板。
S6、通过多层进气***把前驱体Ⅰ输送到反应室，多余的气体通过多通道出气单元排出。
S7、通过多层进气***把前驱体Ⅱ输送到反应室，多余的气体通过多通道出气单元排出。
S8、重复s6-s7步,直至衬底片上原子层沉降至所需的厚度。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
该原子层沉积设备，通过进气部件和出气部件的设置，原子层在沉积期间，进气***采用载气输送，进而提高前驱体的有效量，降低进气时间，多层进气***使前驱体快速均匀地分布到产品表面，前驱体采用独立的更换管路，可以安全更换前驱体，采用多层进气***，利用不同高度以及每层高度多个管道的设计，使前驱体快速均匀地分布到产品表面；生长室通过采用多通道出气单元，使气体快速地进入以及流出反应室，节约吹扫时间，减少生长时间，提高工作效率以及成品质量，前驱体采用独立的更换管路，可以安全更换前驱体。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明的主视全剖结构示意图；
图2是本发明的升降控制部件主视全剖结构示意图；
图3是本发明的外腔室部件主视全剖结构示意图；
图4是本发明的结构示意图；
图5是本发明的俯视结构示意图。
图中：1、外腔室部件；101、外腔壁；102、外腔盖；103、加热板；2、内腔室部件；201、内腔壁；202、内腔盖；3、进气部件；301、多层进气***；4、出气部件；401、多通道出气单元；5、产品生长区；501、治具；502、衬底片；6、升降控制部件；601、液压缸；602、升降杆；7、尾气管。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-图5，本发明提供技术方案：一种原子层沉积设备，包括电控***、进气控制***、尾气***、升降控制***、衬底片502和生长室，升降控制***和生长室相连接，生长室包括有外腔室部件1、内腔室部件2、进气部件3、出气部件4和产品生长区5，外腔室部件1用于隔断外界环境，内腔室部件2用于隔断外腔室部件1与沉降空间，进气部件3用于提供前驱体和惰性气体，出气部件4用于排出气体，产品生长区5用于为衬底片502提供放置空间，电控***用于对进气控制***、尾气***、升降控制***和生长室进行控制，进气控制***用于控制进气部件3的通断状态；
升降控制***内部设置有升降控制部件6，升降控制部件6用于取放待沉降载体；
尾气***与生长室相连接，尾气***包括有尾气管7；
外腔室部件1包括有外腔壁101和外腔盖102，外腔壁101和外腔盖102之间构成密闭空间，外腔壁101分别与进气部件3、出气部件4、产品生长区5和升降控制部件6相连接，外腔壁101内部安装有若干个加热板103；
进气部件3包括有外腔壁101一侧的多层进气***301，多层进气***301内部设置有多个管道，管道贯穿外腔壁101，多层进气***301与内腔室部件2相连接，原子层在沉积期间，其中进气***采用载气输送，进而提高前驱体的有效量，降低进气时间，多层进气***301使前驱体快速均匀地分布到产品表面，前驱体采用独立的更换管路，可以安全更换前驱体，采用多层进气***301，利用不同高度以及每层高度多个管道的设计，使前驱体快速均匀地分布到产品表面；
内腔室部件2包括安装在多层进气***301末端的内腔壁201，内腔壁201的上端安装有内腔盖202，内腔壁201与内腔盖202位于外腔壁101的内部，内腔壁201的内部设置有产品生长区5；
产品生长区5包括安装在内腔壁201内部的治具501，治具501的内部安装有衬底片502，衬底片502为载体；
出气部件4包括有多通道出气单元401，多通道出气单元401贯穿外腔壁101，多通道出气单元401与内腔壁201相连接，进气部件3和出气部件4内部设置有多层进气***301和多通道出气单元401，多层进气***301和多通道出气单元401均为多通道设计，生长室通过采用多通道出气单元401，使气体快速地进入以及流出反应室，节约吹扫时间，减少生长时间，提高工作效率以及成品质量；进气***采用载气输送，提高前驱体的有效量，降低进气时间，前驱体采用独立的更换管路，可以安全更换前驱体；
升降控制部件6包括安装在外腔壁101外侧的液压缸601，液压缸601的一侧设置有升降杆602，升降杆602分别与外腔盖102、内腔盖202和治具501相连接；
s1、液压缸601通过升降杆602控制外腔盖102连同内腔盖202和治具501进行抬升。
s2、作业员用工具把治具501取出，随后将衬底片502放入治具501中。
s3、作业员再用工具把治具501放入到内腔壁201中。
s4、液压缸601通过升降杆602控制外腔盖102连同内腔盖202驱动下降。
s5、通过气体抽取设备和尾气管7把外腔壁101和外腔盖102所形成空间内部的空气抽取到低压状态，并且启动加热板103。
s6、通过多层进气***301把前驱体Ⅰ输送到反应室，多余的气体通过多通道出气单元401排出。
s7、通过多层进气***301把前驱体Ⅱ输送到反应室，多余的气体通过多通道出气单元401排出。
s8、重复s6-s7步,直至衬底片502上原子层沉降至所需的厚度。
本发明的工作原理：启动装置内部的液压缸601，液压缸601控制升降杆602运动，升降杆602的一端外壁依次与外腔盖102、内腔盖202和治具501相连接，在上升状态的升降杆602的作用下，外腔盖102、内腔盖202和治具501跟随升降杆602同步上升，外腔壁101的外侧安装有支撑杆，支撑杆的上端设置有固定板，固定板与液压缸601相连接，支撑杆贯穿外腔盖102，外腔盖102沿着支撑杆的外壁滑动，随后操作人员利用专用工具将需要沉积的衬底片502放置于治具501中；
衬底片502放置完成之后，控制液压缸601再次工作，在升降杆602的带动下，将治具501、内腔盖202和外腔盖102依次进行复位，随后本设备开始对外腔壁101和外腔盖102所形成的空间进行净化清洁，外腔壁101的一侧设置有尾气管7，尾气管7的一端设置有气体抽取设备，启动气体抽取设备，外腔壁101和外腔盖102所形成的空间在尾气管7和气体抽取设备的作用下，外腔壁101和外腔盖102所形成的空间内气压逐渐降低，同时启动外腔壁101内部的加热板103，加热板103主要为沉降期间的衬底片502提供加热环境,加热板103由电控***进行控制，当外腔壁101和外腔盖102所形成的空间内空气被抽离后，电控***开始控制加热板103进行工作，多个加热板103工作产生的热量散发至外腔壁101和外腔盖102所形成的空间中，直至加热板103将外腔壁101内部的温度提升至适宜沉降温度即止，加热板103使得外腔壁101和外腔盖102所形成的空间内温度达到恒温状态；
随后启动外腔壁101一侧的多层进气***301将前驱体Ⅰ输送到反应室，反应室为治具501所在的空间；
前驱体Ⅰ输送至反应式期间内部，多余的气体通过多通道出气单元401离开，随后将前驱体Ⅱ输送到反应室，多余的气体通过多通道出气单元401排出，重复输入前驱体Ⅰ和Ⅱ的步骤，直至衬底片502上原子层沉降至所需的厚度。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种原子层沉积设备，其特征在于：电控***、进气控制***、尾气***、升降控制***、衬底片(502)和生长室，所述升降控制***和生长室相连接，所述生长室包括有外腔室部件(1)、内腔室部件(2)、进气部件(3)、出气部件(4)和产品生长区(5)，所述外腔室部件(1)用于隔断外界环境，所述内腔室部件(2)用于隔断外腔室部件(1)与沉降空间，所述进气部件(3)用于提供前驱体和惰性气体，所述出气部件(4)用于排出气体，所述产品生长区(5)用于为衬底片(502)提供放置空间，所述电控***用于对进气控制***、尾气***、升降控制***和生长室进行控制，所述进气控制***用于控制进气部件(3)的通断状态；
所述升降控制***内部设置有升降控制部件(6)，所述升降控制部件(6)用于取放待沉降载体；
所述尾气***与生长室相连接，所述尾气***包括有尾气管(7)。
2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备，其特征在于：所述外腔室部件(1)包括有外腔壁(101)和外腔盖(102)，所述外腔壁(101)和外腔盖(102)之间构成密闭空间，所述外腔壁(101)分别与进气部件(3)、出气部件(4)、产品生长区(5)和升降控制部件(6)相连接，所述外腔壁(101)内部安装有若干个加热板(103)。
3.根据权利要求2所述的一种原子层沉积设备，其特征在于：所述进气部件(3)包括有外腔壁(101)一侧的多层进气***(301)，所述多层进气***(301)内部设置有多个管道，所述管道贯穿外腔壁(101)，所述多层进气***(301)与内腔室部件(2)相连接，多个所述管道分布于不同层高度。
4.根据权利要求3所述的一种原子层沉积设备，其特征在于：所述内腔室部件(2)包括安装在多层进气***(301)末端的内腔壁(201)，所述内腔壁(201)的上端安装有内腔盖(202)，所述内腔壁(201)与内腔盖(202)位于外腔壁(101)的内部，所述内腔壁(201)的内部设置有产品生长区(5)。
5.根据权利要求4所述的一种原子层沉积设备，其特征在于：所述产品生长区(5)包括安装在内腔壁(201)内部的治具(501)，所述治具(501)的内部安装有衬底片(502)，所述衬底片(502)为载体。
6.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备，其特征在于：所述出气部件(4)包括有多通道出气单元(401)，所述多通道出气单元(401)内部设置有若干个管道，所述多通道出气单元(401)贯穿外腔壁(101)，所述多通道出气单元(401)与内腔壁(201)相连接。
7.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备，其特征在于：所述升降控制部件(6)包括安装在外腔壁(101)外侧的液压缸(601)，所述液压缸(601)的一侧设置有升降杆(602)，所述升降杆(602)分别与外腔盖(102)、内腔盖(202)和治具(501)相连接。
CN202211109129.7A 2022-09-13 2022-09-13 一种原子层沉积设备 Pending CN115341193A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211109129.7A CN115341193A (zh) 2022-09-13 2022-09-13 一种原子层沉积设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211109129.7A CN115341193A (zh) 2022-09-13 2022-09-13 一种原子层沉积设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115341193A true CN115341193A (zh) 2022-11-15

Family

ID=83955275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211109129.7A Pending CN115341193A (zh) 2022-09-13 2022-09-13 一种原子层沉积设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115341193A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008172205A (ja) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応容器
JP2011195863A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層堆積装置及び原子層堆積方法
JP2014216540A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置
CN209260200U (zh) * 2018-12-28 2019-08-16 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 一种横流式原子层沉积腔室
CN112481604A (zh) * 2020-12-03 2021-03-12 无锡市邑晶半导体科技有限公司 一种ald加工设备以及加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008172205A (ja) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応容器
JP2011195863A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層堆積装置及び原子層堆積方法
JP2014216540A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置
CN209260200U (zh) * 2018-12-28 2019-08-16 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 一种横流式原子层沉积腔室
CN112481604A (zh) * 2020-12-03 2021-03-12 无锡市邑晶半导体科技有限公司 一种ald加工设备以及加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9777371B2 (en) ALD systems and methods
EP2286006B1 (en) Methods and apparatus for deposition reactors
RU2518845C2 (ru) Устройство для осаждения атомного слоя и способ загрузки устройства для осаждения атомного слоя
JP3078620U (ja) 薄膜を成長させるための装置
US9175388B2 (en) Reaction chamber with removable liner
US20190194809A1 (en) Apparatus and methods for atomic layer deposition
CN111354657B (zh) 半导体多站处理腔体
KR101625478B1 (ko) 수직 적층식 히터를 구비한 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
CN115341193A (zh) 一种原子层沉积设备
US6442867B2 (en) Apparatus and method for cleaning a vertical furnace pedestal and cap
CN114411120A (zh) 一种多腔体化学气相沉积设备
CN114197056B (zh) 一种半导体材料退火装置及退火方法
CN218621039U (zh) 原子层沉积或刻蚀装置
KR20080101494A (ko) 배치형 원자층 증착장치 및 증착방법
CN219951206U (zh) 显示面板中转装置以及镀膜处理设备
CN212560428U (zh) 一种真空镀膜生产线真空腔抽气提速用真空气囊
KR101300127B1 (ko) 샤워헤드 및 이의 제작 방법
CN216360514U (zh) 一种新型立式气相沉积炉
JPH0513348A (ja) 半導体製造装置
CN114875385A (zh) 一种新型双层腔室的原子层沉积反应装置
CN112030131A (zh) 一种真空镀膜生产线真空腔抽气提速方法及真空气囊
JPH1036970A (ja) 薄膜気相成長装置
JPH08162418A (ja) 半導体ウエハの処理装置及びそれを用いた半導体ウエハの処理方法
JPH01312077A (ja) 光化学反応装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination