CN115136409A - 电介质波导线路 - Google Patents

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CN115136409A CN202180014253.2A CN202180014253A CN115136409A CN 115136409 A CN115136409 A CN 115136409A CN 202180014253 A CN202180014253 A CN 202180014253A CN 115136409 A CN115136409 A CN 115136409A
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德平胜贞
山中拓
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Abstract

提供一种能够降低电磁波的穿透的电介质波导线路。本公开涉及一种电介质波导线路，其具备中心电介质A1、设于中心电介质A1的周围的电介质层A2、以及设于电介质层A2的周围的电介质层A3，其中，中心电介质A1包含聚四氟乙烯，将中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3在25℃、6GHz下的相对介电常数分别表示为εA1、εA2和εA3时，εA1为2.20以下、εA2为1.90以下、εA3为1.55以下、εA1>εA2>εA3。

Description

电介质波导线路
技术领域
本公开涉及电介质波导线路。
背景技术
在用于传送毫米波、亚毫米波的波导线路中使用聚四氟乙烯成型体是众所公知的。
专利文献1中记载了一种电介质波导线路，其具备介电常数、介质损耗角正切和硬度处于特定范围内的聚四氟乙烯成型体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/159314号
发明内容
发明所要解决的课题
本公开的目的在于提供能够降低电磁波的穿透的电介质波导线路。
用于解决课题的手段
本公开涉及一种电介质波导线路，其是具备中心电介质A1、设于中心电介质A1的周围的电介质层A2、以及设于电介质层A2的周围的电介质层A3的电介质波导线路，其中，中心电介质A1包含聚四氟乙烯，将中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3在25℃、6GHz下的相对介电常数分别表示为εA1、εA2和εA3时，εA1为2.20以下、εA2为1.90以下、εA3为1.55以下、εA1>εA2>εA3。
将中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3在25℃、6GHz下的介质损耗角正切分别表示为tanδA1、tanδA2和tanδA3时，优选tanδA1为2.20×10-4以下、tanδA2为1.20×10-4以下、tanδA3为1.00×10-4以下。
电介质层A2和A3优选包含选自由聚四氟乙烯、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物和聚烯烃组成的组中的至少一种树脂A。
本公开还涉及一种电介质波导线路，其是具备包含聚四氟乙烯的电介质B的电介质波导线路，其中，电介质B由同一材料无接缝地一体形成，并且在25℃、6GHz下的相对介电常数沿径向朝向外侧缓慢地降低。
发明的效果
根据本公开，能够提供可降低电磁波的穿透的电介质波导线路。
附图说明
图1是第1电介质波导线路的一例的截面的示意图。
图2是第2电介质波导线路的一例的截面的示意图。
具体实施方式
以下对本公开进行具体说明。
本公开涉及一种电介质波导线路，其是具备中心电介质A1、设于中心电介质A1的周围的电介质层A2、以及设于电介质层A2的周围的电介质层A3的电介质波导线路，其中，中心电介质A1包含聚四氟乙烯，将中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3在25℃、6GHz下的相对介电常数分别表示为εA1、εA2和εA3时，εA1为2.20以下、εA2为1.90以下、εA3为1.55以下、εA1>εA2>εA3(以下也称为第1电介质波导线路)。
第1电介质波导线路由于具有上述构成，因此能够降低电磁波穿透电介质波导线路的外层而泄漏到外部的电磁波的穿透。其结果，能够降低传送损失，能够提高电磁波、特别是毫米波和亚毫米波的传送效率。
第1电介质波导线路还能够缓和电介质波导线路内的群延迟，能够降低错误。
第1电介质波导线路中，将中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3在25℃、6GHz下的相对介电常数分别表示为εA1、εA2和εA3时，εA1为2.20以下、εA2为1.90以下、εA3为1.55以下、εA1>εA2>εA3。像这样设置至少3层朝向波导线路的外侧阶段性地降低相对介电常数的电介质时，与该电介质仅为2层的波导线路相比，能够减小各层的相对介电常数差，能够降低电磁波的穿透。
εA1为2.20以下、优选为2.15以下，并且优选为1.80以上、更优选为1.90以上、进一步优选为2.00以上。
εA2为1.90以下、优选为1.80以下、更优选为1.75以下，并且优选为1.50以上、更优选为1.60以上。
εA3为1.55以下、优选为1.45以下，并且优选为1.01以上、更优选为1.25以上、进一步优选为1.30以上。
第1电介质波导线路中，εA2与εA1之比εA2/εA1优选为0.65～0.95。比εA2/εA1更优选为0.92以下、进一步优选为0.90以下，并且更优选为0.70以上、进一步优选为0.80以上。
通过使比εA2/εA1处于上述范围内，能够进一步降低电磁波的穿透。
第1电介质波导线路中，εA3与εA2之比εA3/εA2优选为0.65～0.95。比εA3/εA2更优选为0.92以下、进一步优选为0.90以下，并且更优选为0.70以上、进一步优选为0.80以上。
通过使比εA3/εA2处于上述范围内，能够进一步降低电磁波的穿透。
在中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3的各层之间可以进一步设置1层以上的电介质层。在该方式中包含上述1层以上的电介质层，各层在25℃、6GHz下的相对介电常数优选越外侧的层越低。由此能够进一步降低电磁波的穿透。
在电介质层A3的周围可以进一步设置1层以上的电介质层。在该方式中，上述1层以上的电介质层在25℃、6GHz下的相对介电常数也优选越外侧的层越低。由此能够进一步降低电磁波的穿透。
需要说明的是，也可以使上述1层以上的电介质层在25℃、6GHz下的相对介电常数为εA3以上。
关于中心电介质A1和各电介质层的相对介电常数，从测定对象的电介质切出2.0mm×2.0mm×110mm的方杆状样品，使用空腔谐振器，在25℃、6GHz下进行测定。
测定对象的电介质仅由1种树脂构成的情况下，也可以测定该电介质的比重，基于上述树脂的比重与相对介电常数的相关关系计算出相对介电常数。通常，树脂的比重与相对介电常数处于线性关系。对于本领域技术人员来说，可以预先改变比重，对相对介电常数进行测定，由所得到的数值数据求出每种树脂的关系式。
上述比重通过液中称量法(依据JIS Z 8807)进行测定。
中心电介质A1的比重优选为1.500以上、更优选为1.700以上、进一步优选为1.900以上。上限没有特别限定，可以为2.250。
电介质层A2的比重优选为1.700以下、更优选为1.500以下、进一步优选为1.400以下。另外，优选为0.350以上、更优选为0.900以上、进一步优选为1.100以上。
电介质层A3的比重优选为1.000以下、更优选为0.850以下，并且优选为0.010以上、更优选为0.450以上、进一步优选为0.550以上。
第1电介质波导线路中，优选电介质层A2的比重小于中心电介质A1的比重、电介质层A3的比重小于电介质层A2的比重。
将中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3在25℃、6GHz下的介质损耗角正切分别表示为tanδA1、tanδA2和tanδA3时，优选tanδA1为2.20×10-4以下、tanδA2为1.20×10-4以下、tanδA3为1.00×10-4以下。
通过使各层的介质损耗角正切处于上述范围内，能够进一步降低电磁波的穿透。
tanδA1更优选为2.10×10-4以下，并且可以为0.10×10-4以上、也可以为0.50×10-4以上。
tanδA2更优选为1.00×10-4以下，并且可以为0.10×10-4以上、也可以为0.30×10-4以上。
tanδA3更优选为0.80×10-4以下，并且可以为0.10×10-4以上、也可以为0.20×10-4以上。
第1电介质波导线路中，tanδA1>tanδA2>tanδA3也是优选方式之一。
关于中心电介质A1和各电介质层的介质损耗角正切，由测定对象的电介质切出2.0mm×2.0mm×110mm的方杆状的样品，使用空腔谐振器，在25℃、6GHz下进行测定。
中心电介质A1包含PTFE。上述PTFE可以为仅由四氟乙烯(TFE)构成的TFE均聚物，也可以为改性PTFE。改性PTFE包含TFE单元、以及基于能够与TFE共聚的改性单体的改性单体单元。本说明书中，上述改性单体单元是指PTFE的分子结构的一部分，是来自改性单体的部分。改性PTFE可以均匀地被改性，也可以为后述的具有核壳结构的改性PTFE。
作为上述改性单体，只要能够与TFE共聚就没有特别限定，例如可以举出六氟丙烯[HFP]等全氟烯烃；三氟氯乙烯[CTFE]等全卤烯烃；三氟乙烯、偏二氟乙烯[VDF]等含氢氟代烯烃；全氟乙烯基醚；(全氟烷基)乙烯；乙烯；具有腈基的含氟乙烯基醚等。另外，所使用的改性单体可以为1种，也可以为2种以上。
作为上述全氟乙烯基醚没有特别限定，例如可以举出下述通式(1)
CF2＝CF-ORf1 (1)
(式中，Rf1表示全氟有机基团)所表示的全氟不饱和化合物等。本说明书中，上述“全氟有机基团”是指与碳原子键合的氢原子全部被氟原子取代而成的有机基团。上述全氟有机基团可以具有醚氧。
作为上述全氟乙烯基醚，例如可以举出上述通式(1)中的Rf1是碳原子数1～10的全氟烷基的全氟(烷基乙烯基醚)[PAVE]。上述全氟烷基的碳原子数优选为1～5。
作为上述PAVE中的全氟烷基，例如可以举出全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基等，优选全氟丙基。作为上述PAVE，优选全氟烷基为全氟丙基的全氟丙基乙烯基醚[PPVE]。
作为上述全氟乙烯基醚，进一步可以举出上述通式(1)中的Rf1是碳原子数4～9的全氟(烷氧基烷基)的物质、Rf1是下式：
[化1]
Figure BDA0003794747400000051
(式中，m表示0或1～4的整数)所表示的基团的物质、Rf1是下式：
[化2]
Figure BDA0003794747400000052
(式中，n表示1～4的整数)所表示的基团的物质等。
作为(全氟烷基)乙烯(PFAE)没有特别限定，例如可以举出(全氟丁基)乙烯(PFBE)、(全氟己基)乙烯(PFHE)等。
作为具有腈基的含氟乙烯基醚，更优选CF2＝CFORf2CN(式中，Rf2表示在2个碳原子间可以***氧原子的碳原子数为2～7的亚烷基)所表示的含氟乙烯基醚。
作为上述改性PTFE中的改性单体，优选为选自由HFP、CTFE、VDF、PPVE、PFAE以及乙烯组成的组中的至少一种。更优选为PAVE，进一步优选为PPVE。
上述改性PTFE可以具有由颗粒芯部和颗粒壳部构成的核壳结构。
基于改性单体的聚合单元(改性单体单元)优选为0.00001～1.0质量％的范围。作为改性单体单元的下限，更优选为0.0001质量％、更优选为0.0005质量％、进一步优选为0.001质量％。作为改性单体单元的上限，优选为0.90质量％、更优选为0.50质量％、进一步优选为0.40质量％、进一步更优选为0.30质量％、尤其进一步优选为0.10质量％、特别优选为0.08质量％、特别优选为0.05质量％、特别优选为0.01质量％。
本说明书中，构成PTFE的各单体的含量可以通过根据单体的种类将NMR、FT-IR、元素分析、荧光X射线分析适宜地组合而计算出。
上述PTFE优选具有原纤化特性。上述原纤化特性是指容易发生纤维化而形成原纤维的特性。
原纤化性的有无能够利用“糊料挤出”进行判断，该“糊料挤出”是对于由TFE的乳液聚合体制作出的粉末、即“高分子量PTFE粉末”进行成型的代表性方法。这是由于，通常，在能够进行糊料挤出时，高分子量PIFE粉末具有原纤化性。在通过进行糊料挤出而得到的未烧制的成型物不具有实质性的强度或伸长率的情况下、例如在伸长率为0％、若拉伸则会断裂这样的情况下，可视为不具有原纤化性。
上述PTFE优选具有非熔融二次加工性。上述非熔融二次加工性是指，依据ASTM D-1238和D-2116，在高于结晶化熔点的温度下无法测定熔体流动速率的性质。
上述PTFE的标准比重[SSG]优选为2.13～2.23、更优选为2.15～2.19。上述标准比重是使用依据ASTM D 4895-98成型出的样品通过依据ASTM D-792的水中置换法测定得到的值。
上述PTFE的第一熔点优选为333～347℃。更优选为335～345℃。上述第一熔点是下述熔解热曲线中的极大值所对应的温度，该熔解热曲线是对于没有经历过加热至300℃以上的温度的加热历史的PTFE使用差示扫描量热计[DSC]以10℃/分钟的速度进行升温时的熔解热曲线。
另外，作为上述PTFE，还能够使用高分子量PTFE和低分子量PTFE。上述高分子量PTFE的第一熔点优选为333～347℃、更优选为335～345℃。上述低分子量PTFE的第一熔点优选为322～333℃、更优选为324～332℃。上述第一熔点是下述熔解热曲线中的极大值所对应的温度，该熔解热曲线是对于没有经历过加热至300℃以上的温度的加热历史的PTFE使用差示扫描量热计[DSC]以10℃/分钟的速度进行升温时的熔解热曲线。
上述高分子量PTFE与上述低分子量PTFE的质量比优选为80/20～99/1、更优选为85/15～97/3、进一步优选为90/10～95/5。
中心电介质A1可以进一步包含上述PTFE以外的树脂。作为上述PTFE以外的树脂，优选TFE/六氟丙烯[HFP]共聚物[FEP]、TFE/全氟(烷基乙烯基醚)[PAVE]共聚物[PFA]、聚烯烃等。
作为上述PTFE以外的树脂，还可以举出乙烯/TFE共聚物[ETFE]、聚偏二氟乙烯[PVdF]、聚三氟氯乙烯[PCTFE]等。
中心电介质A1可以包含其他成分。作为上述其他成分，可以举出表面活性剂、抗氧化剂、光稳定剂、荧光增白剂、着色剂、颜料、染料、填料等。另外，还可以举出炭黑、石墨、氧化铝、云母、碳化硅、氮化硼、氧化钛、氧化铋、青铜、金、银、铜、镍等的粉末或纤维粉末等。
中心电介质A1可以包含高介电常数无机颗粒作为上述其他成分。作为上述高介电常数无机颗粒，可以举出钛酸钡、钛酸钙、钛酸锶、钛酸镁、钛酸铅、钛酸锌、锆酸铅、锆酸钙、锆酸锶、锆钛酸钡、锆钛酸铅等。
中心电介质A1即使在包含上述PTFE以外的树脂、上述其他成分的情况下，也优选包含相对于中心电介质A1为99.0质量％以上的上述PTFE、更优选包含99.9质量％以上的上述PTFE。
电介质层A2和A3优选包含选自由PTFE、TFE/六氟丙烯[HFP]共聚物[FEP]、TFE/全氟(烷基乙烯基醚)[PAVE]共聚物[PFA]以及聚烯烃组成的组中的至少一种树脂A。
关于作为树脂A的PTFE，可以举出与作为可用于中心电介质A1中的PTFE所例示出的物质同样的PTFE。
作为上述FEP没有特别限定，优选TFE单元与HFP单元的摩尔比(TFE单元/HFP单元)为70/30以上且小于99/1的共聚物。更优选的摩尔比为70/30以上98.9/1.1以下、进一步优选摩尔比为80/20以上97/3以下。若TFE单元过少，则机械物性趋于降低；若过多，则熔点过高、成型性趋于降低。FEP还优选为来自能够与TFE和HFP共聚的单体的单体单元为0.1～10摩尔％、TFE单元和HFP单元合计为90～99.9摩尔％的共聚物。作为能够与TFE和HFP共聚的单体，可以举出PAVE、烷基全氟乙烯基醚衍生物等。
上述FEP的熔点优选为150～320℃、更优选为200～300℃、进一步优选为240～280℃。上述熔点是使用差示扫描量热计[DSC]以10℃/分钟的速度升温时的熔解热曲线中的极大值所对应的温度。
上述FEP的熔体流动速率(MFR)优选为0.01～100g/10分钟、更优选为0.1～80g/10分钟、进一步优选为1～60g/10分钟、特别优选为1～50g/10分钟。
本说明书中，MFR是依据ASTM D 1238在温度372℃、负荷5kg下测定得到的值。
作为上述PFA中的PAVE，例如可以举出式(10)：
CF2＝CF-ORf10 (10)
(式中，Rf10表示碳原子数1～10、优选碳原子数1～5的全氟烷基)所表示的物质，其中优选全氟(甲基乙烯基醚)[PMVE]、全氟(乙基乙烯基醚)[PEVE]、全氟(丙基乙烯基醚)[PPVE]。
作为上述PFA没有特别限定，优选TFE单元与PAVE单元的摩尔比(TFE单元/PAVE单元)为70/30以上且小于99.5/0.5的共聚物。更优选的摩尔比为70/30以上98.9/1.1以下，进一步优选的摩尔比为80/20以上98.5/1.5以下。若TFE单元过少，则机械物性趋于降低；若过多，则熔点过高、成型性趋于降低。上述PFA可以为仅由TFE和PAVE构成的共聚物，还优选为来自能够与TFE和PAVE共聚的单体的单体单元为0.1～10摩尔％、TFE单元和PAVE单元合计为90～99.9摩尔％的共聚物。作为能够与TFE和PAVE共聚的单体，可以举出HFP、CZ1Z2＝CZ3(CF2)nZ4(式中，Z1、Z2和Z3相同或不同，表示氢原子或氟原子，Z4表示氢原子、氟原子或氯原子，n表示2～10的整数)所表示的乙烯基单体、以及CF2＝CF-OCH2-Rf11(式中，Rf11表示碳原子数1～5的全氟烷基)所表示的烷基全氟乙烯基醚衍生物等。
上述PFA的熔点优选为180～340℃、更优选为230～330℃、进一步优选为280～320℃。上述熔点是使用差示扫描量热计[DSC]以10℃/分钟的速度升温时的熔解热曲线中的极大值所对应的温度。
上述PFA的MFR优选为0.1～100g/10分钟、更优选为0.5～90g/10分钟、进一步优选为1.0～85g/10分钟。
本说明书中，构成氟树脂的各单体单元的含量可以通过根据单体的种类将NMR、FT-IR、元素分析、荧光X射线分析适宜地组合而计算出。
上述FEP和PFA优选进行了氟化处理。通过上述氟化处理，能够降低-COOH、-CH2OH、-COF、-CONH2等对热和电学特性不稳定的末端基团(不稳定末端基团)，能够提高传送效率。
上述氟化处理可以通过公知的方法进行，例如可以通过使未经氟化处理的氟树脂与含氟化合物接触来进行。
作为上述含氟化合物，可以举出在氟化处理条件下产生氟自由基的氟自由基源、例如F2气体、CoF3、AgF2、UF6、OF2、N2F2、CF3OF以及氟化卤素(例如IF5、ClF3)等。
作为上述聚烯烃，可以举出聚乙烯、聚丙烯等，其中优选聚乙烯。
树脂A优选为选自由PTFE、FEP、PFA和聚烯烃组成的组中的至少一种，更优选为选自由PTFE和聚烯烃组成的组中的至少一种，进一步优选为选自由PTFE和聚乙烯组成的组中的至少一种，特别优选为PTFE。
树脂A还优选为聚烯烃、还优选为聚乙烯。
电介质层A2和A3可以进一步包含其他成分。作为上述其他成分，可以举出与可用于中心电介质A1中的其他成分同样的成分。
电介质层A2和A3中，相对于电介质层A2和A3，优选包含99.0质量％以上的树脂A、更优选包含99.9质量％以上的树脂A。
第1电介质波导线路可以进一步在电介质层A3的周围(在电介质层A3的外侧进一步具有电介质层的情况下在该电介质层的周围)具备保护层。上述保护层是为了保护位于内侧的电介质层而设置的，可任选设置。上述保护层可以由聚氯乙烯、聚烯烃、氟树脂等材料构成。
第1电介质波导线路例如通过包括将PTFE成型而得到中心电介质A1的工序、以及在中心电介质A1的周围形成电介质层A2和A3的工序的制造方法适当地制造。
通过将上述PTFE成型而得到中心电介质A1。中心电介质A1可以由未烧制PTFE成型体形成，可以由半烧制PTFE成型体形成，也可以由烧制PTFE成型体形成。
上述未烧制PTFE成型体例如将含有未烧制PTFE的粉末和挤出助剂的混合物进行糊料挤出成型而得到。另外，在糊料挤出成型后，可以通过将所得到的挤出物干燥而除去挤出助剂。上述混合物可以如下得到：将未烧制PTFE的粉末与挤出助剂通过公知的方法混合，熟化1～24小时，在压力0.5～2.0MPa下进行预成型，从而得到该混合物。上述糊料挤出可以在挤出压力2～100MPa下进行。
上述未烧制PTFE成型体可以根据需要进行拉伸，制成未烧制拉伸PTFE成型体。
上述未烧制PTFE是没有经历过加热至326℃以上的加热历史的PTFE，优选为没有经历过加热至300℃以上的加热历史的PTFE。
上述半烧制PTFE成型体例如通过将未烧制PTFE成型体在320～340℃、优选330～340℃进行10秒～180分钟加热而得到。上述半烧制PTFE成型体还优选为不将未烧制PTFE加热至大于345℃的情况下得到的物质。
上述加热可以使用盐浴、砂浴、热风循环式电炉等来进行。
上述烧制PTFE成型体例如通过将未烧制PTFE成型体在PTFE的第一熔点以上、优选大于340℃、更优选大于345℃、进一步优选大于350℃以上的温度下加热10秒～180分钟而得到。
上述加热可以使用盐浴、砂浴、热风循环式电炉等来进行。
通过对上述拉伸、烧制的有无、它们的条件进行调整，可以调整树脂的比重、结晶度，可以调整中心电介质A1的相对介电常数。通常，拉伸倍率越高、并且结晶度越低，则相对介电常数越低。
电介质层A2和A3例如可以通过将构成电介质层A2和A3各层的树脂A利用公知的方法挤出到中心电介质A1的周围而形成。可以将电介质层A2用的树脂A和电介质层A3用的树脂A分别挤出，也可以将它们共挤出。
关于上述(共)挤出，在树脂A为PTFE的情况下优选为糊料(共)挤出，在树脂A为熔融加工性树脂的情况下优选为熔融(共)挤出。糊料共挤出例如可以效仿日本特开2001-357730号公报中记载的方法来进行。
电介质层A2和A3还可以通过将包含构成电介质层A2和A3各层的树脂A的片(带)卷绕在中心电介质A1的周围来形成。或者也可以通过使包含构成电介质层A2和A3各层的树脂A的管覆盖中心电介质A1来形成。上述使用片(带)或管的方法例如可以效仿国际公开第2012/07760号中记载的方法、国际公开第2016/159314号中记载的方法来实施。
在形成电介质层A2和A3时，可以对树脂A进行拉伸、发泡、烧制等处理。通过调整这些处理的有无、处理条件，可以对树脂的比重、结晶度进行调整，可以对电介质层A2和A3的相对介电常数进行调整。通常，拉伸倍率或发泡率越高、并且结晶度越低，则相对介电常数越低。
树脂A为PTFE的情况下，相对介电常数的调整优选通过拉伸或烧制来进行。拉伸和烧制的方法没有特别限定，可以采用公知的方法。另外，也可以通过国际公开第2005/019320号中记载的发泡方法来调整相对介电常数。
树脂A为FEP或PFA的情况下，相对介电常数的调整优选通过发泡来进行。作为发泡方法没有特别限定，例如可以举出将FEP或PFA投入到以用于发泡操作的方式设计的螺杆挤出机中，使用连续的气体注射法的方法等公知的方法。作为上述气体，例如可以使用氯二氟甲烷、氮、二氧化碳等气体或上述气体的混合物。上述气体可以以加压气体的形式导入到挤出机内的熔融树脂中，也可以通过在熔融树脂中混合化学的发泡剂来产生气体。另外，以气泡的细小化、均匀分布化为目的，也可以使树脂中存在发泡成核剂。
树脂A为聚烯烃的情况下，相对介电常数的调整优选通过发泡来进行。作为发泡方法没有特别限定，可以举出熔融发泡等公知的方法。
电介质层A2和A3优选包含选自由未烧制PTFE、拉伸PTFE、发泡FEP、发泡PFA和发泡聚烯烃组成的组中的至少一种，更优选包含选自由未烧制PTFE、拉伸PTFE和发泡聚烯烃组成的组中的至少一种，进一步优选包含选自由未烧制PTFE、拉伸PTFE和发泡聚乙烯组成的组中的至少一种，特别优选包含选自由未烧制PTFE和拉伸PTFE组成的组中的至少一种。
电介质层A2和A3还优选包含发泡聚烯烃，还优选包含发泡聚乙烯。
第1电介质波导线路优选具备中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3作为波导介质。另外，第1电介质波导线路优选为利用电介质间的相对介电常数差传送毫米波、亚毫米波等高频的电介质波导线路。
本公开还涉及一种电介质波导线路，其是具备包含PTFE的电介质B的电介质波导线路，其中，电介质B由同一材料无接缝地一体形成，并且在25℃、6GHz下的相对介电常数沿径向朝向外侧缓慢地降低(以下也称为第2电介质波导线路)。
第2电介质波导线路由于具有上述构成，因此能够降低电磁波的穿透。其结果，能够降低传送损失，能够提高电磁波、特别是毫米波和亚毫米波的传送效率。
第2电介质波导线路还能够缓和电介质波导线路内的群延迟，能够降低错误。
第2电介质波导线路中，电介质B由同一材料无接缝地一体形成，并且在25℃、6GHz下的相对介电常数沿径向朝向外侧缓慢地降低。像这样设置相对介电常数沿径向朝向外侧缓慢地降低的电介质时，与具备相对介电常数不同的2层电介质的波导线路相比，能够减小各部分的相对介电常数差，能够降低电磁波的穿透。另外，通过使电介质由同一材料无接缝地一体形成，不需要用于形成2层以上的电介质层的工序。
电介质B中，优选相对介电常数沿径向朝向外侧连续地(无阶段地)降低。
电介质B中，相对介电常数的降低率优选沿径向朝向外侧每1mm为0.005％以上，更优选为0.01％以上、进一步优选为0.1％以上，并且优选为20％以下、更优选为10％以下、进一步优选为5％以下。
电介质B的中心部的相对介电常数优选为2.30以下、更优选为2.25以下，并且优选为1.90以上、更优选为2.00以上、进一步优选为2.10以上。
电介质B的外周部的相对介电常数优选为2.10以下、更优选为2.00以下，并且优选为1.30以上、更优选为1.50以上、进一步优选为1.70以上。
第2电介质波导线路为曲线状的情况下，电介质B的中心部与外周部的相对介电常数之差(中心部-外周部)Δε优选为0.5以上。上限可以为1.50。第2电介质波导线路为直线状的情况下，Δε优选大于0且小于0.5。
在电介质B的周围可以进一步设置1层以上的电介质层。在该方式中，上述1层以上的电介质层在25℃、6GHz下的相对介电常数还优选低于电介质B的外周部的上述相对介电常数，还优选越外侧的层上述相对介电常数越低。由此，能够进一步降低电磁波的穿透。
需要说明的是，也可以使上述1层以上的电介质层在25℃、6GHz下的相对介电常数为电介质B的外周部以上。
关于电介质B的各部分和各电介质层的相对介电常数，从测定对象的部分切出2.0mm×2.0mm×110mm的方杆状样品，使用空腔谐振器在25℃、6GHz下进行测定。
测定对象的电介质仅由1种树脂构成的情况下，也可以对测定对象部分的比重进行测定，基于上述树脂的比重与相对介电常数的相关关系计算出相对介电常数。通常，树脂的比重与相对介电常数处于线性关系。对于本领域技术人员来说，由改变比重来测定相对介电常数而得到的数值数据，能够求出每种树脂的关系式。
上述比重通过液中称量法(JIS Z 8807准拠)进行测定。
在电介质B中，优选比重沿径向朝向外侧缓慢地降低。还优选比重沿径向朝向外侧连续地(无阶段地)降低。
电介质B的中心部的介质损耗角正切优选为2.20×10-4以下、更优选为2.10×10-4以下，并且可以为0.10×10-4以上、也可以为0.50×10-4以上。
电介质B的中心部的介质损耗角正切优选为1.00×10-4以下、更优选为0.80×10-4以下，并且可以为0.10×10-4以上、也可以为0.20×10-4以上。
电介质B中，优选介质损耗角正切沿径向朝向外侧缓慢地降低。还优选介质损耗角正切沿径向朝向外侧连续地(无阶段地)降低。
关于电介质B的介质损耗角正切，从测定对象的电介质切出2.0mm×2.0mm×110mm的方杆状样品，使用空腔谐振器，在25℃、6GHz下进行测定。
电介质B包含PTFE。作为可在电介质B中使用的PTFE，可以举出与可在上述中心电介质A1中使用的PTFE同样的物质。
电介质B可以进一步包含上述PTFE以外的树脂、其他成分。作为上述PTFE以外的树脂和其他成分，可以举出与能够在上述中心电介质A1中使用的树脂和其他成分同样的物质。
电介质B即使在包含上述PTFE以外的树脂、上述其他成分的情况下，也优选包含相对于电介质B为99.0质量％以上的上述PTFE、更优选包含99.9质量％以上的上述PTFE。
电介质B可以为第2电介质波导线路中的最内层。
第2电介质波导线路可以进一步在电介质B的周围(在电介质B的外侧进一步具有电介质层的情况下在该电介质层的周围)具备保护层。上述保护层是为了保护位于内侧的电介质层而设置的，其设置是任意的。上述保护层可以由聚氯乙烯、聚烯烃、氟树脂等材料构成。
第2电介质波导线路例如通过包括下述工序的制造方法适当地制造：将未烧制PTFE成型而得到未烧制PTFE成型体的工序；将上述未烧制PTFE成型体加热至上述PTFE的第一熔点以上的温度的工序；以及通过将加热后的PTFE成型体的外周急冷而得到电介质B的工序。
将加热后的PTFE成型体的外周急冷至上述PTFE的第一熔点以上的温度时，外周附近的PTFE的结晶度降低、相对介电常数降低。与之相对，上述PTFE成型体的中心附近比外周附近更不容易发生热的散逸，因此被缓慢冷却，结晶度增高、相对介电常数增高。其结果，可得到由同一材料无接缝地一体形成、并且相对介电常数沿径向朝向外侧缓慢地降低的电介质B。
上述未烧制PTFE是没有经历过加热至326℃以上的加热历史的PTFE，优选为没有经历过加热至300℃以上的加热历史的PTFE。
上述未烧制PTFE成型体例如将含有未烧制PTFE的粉末和挤出助剂的混合物进行糊料挤出成型而得到。另外，在糊料挤出成型后，可以通过将所得到的挤出物干燥而除去挤出助剂。上述混合物可以如下得到：将未烧制PTFE的粉末与挤出助剂通过公知的方法混合，熟化1～24小时，在压力0.5～2.0MPa下进行预成型，从而得到该混合物。上述糊料挤出可以在挤出压力2～100MPa下进行。
上述加热在上述PTFE的第一熔点以上、优选大于340℃、更优选大于345℃、进一步优选350℃以上的温度进行。加热时间优选为10秒～180分钟。
上述加热可以使用盐浴、砂浴、热风循环式电炉等来进行。
上述急冷中的降温速度优选为100℃/小时以上、更优选为200℃/小时以上、进一步优选为300℃/小时以上。
上述急冷例如可以通过将加热至上述PTFE的第一熔点以上的温度的PTFE成型体放置在100℃以下的气氛下、或者100℃以下的水中来实施。
上述气氛或水的温度优选为50℃以下、更优选为30℃以下，并且优选大于0℃。
另外，第2电介质波导线路也可以通过包括下述工序的制造方法适当地制造：将金属线用未烧制PTFE成型体被覆的工序；对上述金属线进行加热，由此将上述未烧制PTFE成型体的中心部加热至上述PTFE的第一熔点以上的温度的工序；以及从通过加热得到的PTFE成型体中除去上述金属线，由此得到电介质B的工序。
通过利用金属线将未烧制PTFE成型体自中心部起进行加热，中心附近的PTFE的结晶度增高、相对介电常数增高。与之相对，外周附近不像中心附近那样被加热，因此结晶度降低、相对介电常数降低。其结果，得到由同一材料无接缝地一体形成、并且相对介电常数沿径向朝向外侧缓慢地降低的电介质B。
上述被覆例如可以通过将含有未烧制PTFE的粉末和挤出助剂的混合物在金属线上糊料挤出成型而实施。另外，可以通过在糊料挤出成型后将所得到的挤出物干燥而除去挤出助剂。上述混合物可以如下得到：将未烧制PTFE的粉末和挤出助剂通过公知的方法混合，熟化1～24小时，在压力0.5～2.0MPa下进行预成型，得到该混合物。上述糊料挤出可以在挤出压力2～100MPa下进行。
上述金属线的加热例如可以通过对上述金属线施加电压并通电来实施。上述金属线优选为通电会发热的金属线，例如可以举出尼克洛姆镍铬耐热合金线、铁铬线、银镀覆铜线等。
上述加热按照使上述未烧制PTFE成型体的中心部达到上述PTFE的第一熔点以上、优选大于340℃、更优选大于345℃、进一步优选为350℃以上的温度的方式来进行。
例如，对施加至上述金属线的电压进行调整，以使得上述未烧制PTFE成型体的中心部的温度为上述范围内。
上述加热优选按照上述未烧制PTFE成型体的外周部温度达到小于上述PTFE的第一熔点的温度的方式进行。
第2电介质波导线路优选具备电介质B作为波导介质。另外，第2电介质波导线路优选为利用电介质B内的相对介电常数差传送毫米波、亚毫米波等高频的电介质波导线路。
第1和第2电介质波导线路的形状没有特别限定，可以为与上述电介质波导线路所要求的特性相应的形状，优选为线状(棒状)。
第1电介质波导线路的截面形状可以为正圆状、椭圆状等圆形，可以为正方形、长方形等方形，也可以为圆环状等。
第1和第2电介质波导线路还优选为曲线状。通常，在曲线状的电介质波导线路中，特别容易发生电磁波的穿透，但第1和第2电介质波导线路即使为曲线状，也不容易发生电磁波的穿透。
第1和第2电介质波导线路的截面积根据所使用的电磁波的频率适宜地选择，例如在传送28GHz的高频的情况下，优选为2～10mm2、更优选为5～9mm2。
作为第1和第2电介质波导线路，可以举出圆柱状电介质线路、管状电介质线路、图像线路、海岛图像线路、陷阱图像(トラップドイメージ)线路、脊背式波导、带状电介质线路(ストリップ誘電体線路)、反带状线路(逆ストリップ線路)、H形波导、非放射性电介质线路(NRD波导)等。
作为第1电介质波导线路的一例，在图1中示出了具备中心电介质1、相对介电常数比中心电介质低的电介质层2、相对介电常数比电介质层2低的电介质层3、以及保护层4(套管)的电介质波导线路的截面的示意图。中心电介质1、电介质层2和电介质层3分别相当于第1电介质波导线路中的中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3。
作为第2电介质波导线路的一例，图2中示出了具备相对介电常数从中心沿径向朝向外侧缓慢地降低的电介质11、以及保护层12(套管)的电介质波导线路的截面的示意图。电介质11相当于第2电介质波导线路中的电介质B。
需要说明的是，第1和第2电介质波导线路的构成并不限定于图示的构成。
实施例
接着举出实施例更详细地说明本公开，但本公开并不仅限于这些实施例。
实施例的各数值通过以下的方法测定。
介电常数和介质损耗角正切(tanδ)
关于构成电介质波导线路的电介质(层)的相对介电常数，使用表示比重与相对介电常数(25℃、6GHz)的相关关系(线性关系)的关系式，根据上述电介质(层)的比重通过计算而求出。
上述比重通过液中称量法(依据JIS Z 8807)进行测定。
计算中使用的关系式根据树脂的种类而不同，但均可以根据预先获得的2个以上的比重和相对介电常数的数值数据而求出。作为数值数据的一例，将PTFE的比重和相对介电常数的数值数据示于表1。
[表1]
比重 相对介电常数
0.00 1.00
0.71 1.40
1.38 1.75
1.60 1.85
1.80 1.96
2.23 2.20
关于构成电介质波导线路的电介质(层)的介质损耗角正切，由测定对象的电介质切出2.0mm×2.0mm×110mm的方杆状样品，使用株式会社关东电子应用开发制造的空腔谐振器，在25℃、6GHz下进行测定。
实施例1
内层线路的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到直径3.5mm的圆棒状挤出物。将该挤出物利用80℃的电炉加热30分钟，其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物放入加热至360℃的电炉中30分钟，将PTFE进行烧制，以60℃/hr的降温速度冷却至200℃后，在常温下取出，由此将其缓慢冷却，得到内层线路。内层线路的比重为2.060、相对介电常数为2.10、介质损耗角正切为0.00020。
中间层1的制作
将被切割成8mm宽的厚度250μm的压延未烧制未拉伸PTFE带按照1mm间隔以S捻卷绕在内层线路的周围，使其厚度为1mm，作为中间层1。中间层1的比重为1.595、相对介电常数为1.85、介质损耗角正切为0.00007。
中间层2的制作
将进行3倍拉伸、被切割成8mm宽的厚度150μm的压延未烧制未拉伸PTFE带按照1mm间隔以Z捻卷绕在中间层1的周围，使其厚度为1mm，作为中间层2。中间层2的比重为0.957、相对介电常数为1.51、介质损耗角正切为0.00004。
外层的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到外径15mm、内径7.5mm的管状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物放入设定为300℃的电炉中30分钟后，拉伸至2.5倍的长度，由此制作比重0.657、相对介电常数1.35、介质损耗角正切0.00003的拉伸PTFE管。将该管覆盖在中间层2的外侧，由此制成外层，得到电介质波导线路。
将上述得到的电介质波导线路切割成长度600mm，将两端加工成圆锥状，***到圆锥状喇叭天线中，利用网络分析器测定在60GHz下的***损失，结果为-0.18dB/cm。
需要说明的是，***损失的绝对值越小，电磁波的穿透越少。
实施例2
内层线路的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到直径3.5mm的圆棒状挤出物。将该挤出物利用80℃的电炉加热30分钟、其后利用200℃的电炉加热10分钟、进一步利用300℃的电炉加热30分钟，由此使挤出助剂蒸散，得到内层线路。内层线路的比重为1.595、相对介电常数为1.85、介质损耗角正切为0.00007。
中间层1的制作
将进行3倍拉伸、被切割成8mm宽的厚度150μm的压延未烧制未拉伸PTFE带按照1mm间隔以Z捻卷绕在内层线路的周围，使其厚度为1mm，作为中间层1。中间层1的比重为0.957、相对介电常数为1.51、介质损耗角正切为0.00004。
外层的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到外径15mm、内径7.5mm的管状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的管放入设定为300℃的电炉中30分钟后，拉伸至2.5倍的长度，由此制作比重0.657、相对介电常数1.35、介质损耗角正切0.00003的拉伸PTFE管。将该管覆盖在中间层1的外侧，由此制成外层，得到电介质波导线路。
将上述得到的电介质波导线路切割成长度600mm，将两端加工成圆锥状，将两端分别***到圆形波导管中，利用网络分析器测定在60GHz下的***损失，结果为-0.17dB/cm。
实施例3
内层线路的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到3.5mm×7mm见方的方杆状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热30分钟、利用80℃的电炉加热30分钟、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物放入被加热至360℃的电炉中30分钟，将PTFE进行烧制，以60℃/hr的降温速度冷却至200℃后，在常温下取出，由此缓慢冷却，得到内层线路。内层线路的比重为2.158、相对介电常数为2.15、介质损耗角正切为0.00010。
中间层1的制作
将被切割成8mm宽的厚度250μm的压延未烧制未拉伸PTFE带按照1mm间隔以S捻卷绕在内层线路的周围，使其厚度为2mm，作为中间层1。中间层1的比重为1.595、相对介电常数为1.85、介质损耗角正切为0.00007。
中间层2的制作
将进行3倍拉伸、被切割成8mm宽的厚度150μm的压延未烧制未拉伸PTFE带按照1mm间隔以Z捻卷绕在中间层1的周围，使其厚度为2mm，作为中间层2。中间层2的比重为0.957、相对介电常数为1.51、介质损耗角正切为0.00004。
外层的制作
将进行5倍拉伸、被切割成8mm宽的厚度100μm的压延未烧制未拉伸PTFE带按照1mm间隔以S捻卷绕在中间层2的周围，使其厚度为1mm，作为外层。外层的比重为0.657、相对介电常数为1.35、介质损耗角正切为0.00003。
将FEP制造的热收缩管覆盖在外层的外侧，利用热风枪加热使其收缩，制成保护层，得到电介质波导线路。
将上述得到的电介质波导线路切割成长度600mm，将两端加工成1:2的四棱锥状，将两端分别***到棱锥喇叭天线中，利用网络分析器测定在28GHz下的***损失，结果为-0.25dB/cm。
实施例4
内层线路的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到直径3.5mm的圆棒状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散，得到内层线路。内层线路的比重为2.158、相对介电常数为2.15、介质损耗角正切为0.00010。
中间层1的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到外径6.5mm、内径3.5mm的管状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。将该管覆盖在内层线路的外侧，由此制成中间层1。中间层1的比重为1.80、相对介电常数为1.96、介质损耗角正切为0.00009。
中间层2的制作
利用与中间层1相同的方法得到外径10mm、内径6.5mm的管状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。将该管装入设定为300℃的电炉中30分钟后，拉伸至2.5倍的长度，由此制作比重1.6、相对介电常数1.85、介质损耗角正切0.00007的拉伸PTFE管。将该管覆盖在中间层1的外侧，由此制作中间层2。
外层的制作
利用与中间层1相同的方法得到外径18mm、内径10mm的管状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。将该管装入设定为300℃的电炉中30分钟后，拉伸至3倍的长度，由此制作比重0.71、相对介电常数1.4、介质损耗角正切0.00003的拉伸PTFE管。将该管覆盖在中间层2的外侧，由此制成外层。
将上述得到的电介质波导线路切割成长度600mm，将两端加工成圆锥状，将两端分别***到圆形波导管中，利用网络分析器测定在60GHz下的***损失，结果为-0.17dB/cm。
实施例5
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到直径9mm的圆棒状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用100℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物放入被加热至340℃的电炉中15分钟，由此对PTFE进行烧制。将烧制后的PTFE圆棒立即置于常温气氛中，由此将表面急冷，得到相对介电常数沿径向朝向外侧缓慢地降低的电介质波导线路。
上述得到的电介质波导线路的中心部的比重为2.23、相对介电常数为2.20、从中心起沿径向约2.3mm的部分的比重为2.17、相对介电常数为2.08、外周部的比重为2.10、相对介电常数为1.95。
将上述得到的电介质波导线路切割成长度600mm，将两端加工成圆锥状，将两端分别***到圆形波导管中，利用网络分析器测定在60GHz下的***损失，结果为-0.19dB/cm。
实施例6
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm内径16mm的预成型品。使用PTFE糊料挤出成型机将该预成型品被覆挤出在0.511mm银镀覆铜线上，得到直径9.0mm的被覆挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物切割成长度2m，在银镀覆铜线的两端连接直流电源，施加7.5V，结果流过15A的电流。在上述挤出物的表面达到250℃的时刻停止电压施加，冷却至常温。其后拔出银镀覆线，得到电介质波导线路。
上述得到的电介质波导线路的中心(铜线所在的部分)附近的比重为2.23、相对介电常数为2.20，从中心起沿径向约2.3mm的部分的比重为2.17、相对介电常数为2.08，外周部的比重为2.10、相对介电常数为1.95。
将上述得到的电介质波导线路切割成长度600mm，将两端加工成圆锥状，将两端分别***到圆形波导管中，利用网络分析器测定在60GHz下的***损失，结果为-0.20dB/cm。
实施例7
内层线路的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到直径3.5mm的圆棒状挤出物。将该挤出物利用80℃的电炉加热30分钟、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物放入被加热至360℃的电炉中30分钟，对PTFE进行烧制，以60℃/hr的降温速度冷却至200℃后，在常温下取出，由此缓慢冷却，得到内层线路。内层线路的比重为2.060、相对介电常数为2.10、介质损耗角正切为0.00020。
中间层1的制作
将由聚乙烯(PE)得到的发泡PE管覆盖在内层线路的周围。中间层1的内径为3.6mm、外径为10.5mm、比重为0.396、相对介电常数为1.56、介质损耗角正切为0.00003。
外层的制作
将由PE得到的发泡PE片(厚度9mm、宽度10mm)按照1层的方式卷绕在中间层1的周围，制成外层，得到电介质波导线路。上述外层的比重为0.01569、相对介电常数为1.03、介质损耗角正切为0.00002。
将上述得到的电介质波导线路切割成长度600mm，将两端加工成圆锥状，***到喇叭天线中，利用网络分析器测定在60GHz下的***损失，结果为-0.17dB/cm。
实施例8
内层线路的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到直径3.5mm的圆棒状挤出物。将该挤出物利用80℃的电炉加热30分钟、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物放入被加热至360℃的电炉中30分钟，对PTFE进行烧制，以60℃/hr的降温速度冷却至200℃后，在常温下取出，由此缓慢冷却，得到内层线路。内层线路的比重为2.060、相对介电常数为2.10、介质损耗角正切为0.00020。
中间层1的制作
将由PFA得到的发泡PFA管覆盖在内层线路的周围。中间层1的内径为3.6mm、外径为10.5mm、比重为1.2、相对介电常数为1.5、介质损耗角正切为0.0002。
外层的制作
将由PFA得到的发泡PFA片(厚度9mm、宽度10mm)按照1层的方式卷绕在中间层1的周围，制成外层，得到电介质波导线路。上述外层的比重为1.0、相对介电常数为1.2、介质损耗角正切为0.00008。
实施例9
内层线路的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到直径3.5mm的圆棒状挤出物。将该挤出物利用80℃的电炉加热30分钟、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物放入被加热至360℃的电炉中30分钟，对PTFE进行烧制，以60℃/hr的降温速度冷却至200℃后，在常温下取出，由此缓慢冷却，得到内层线路。内层线路的比重为2.060、相对介电常数为2.10、介质损耗角正切为0.00020。
中间层1的制作
将由FEP得到的发泡FEP管覆盖在内层线路的周围。中间层1的内径为3.6mm、外径为10.5mm、比重为1.1、相对介电常数为1.5、介质损耗角正切为0.0002。
外层的制作
将由FEP得到的发泡FEP片(厚度9mm、宽度10mm)按照1层的方式卷绕在中间层1的周围，制成外层，得到电介质波导线路。上述外层的比重为1.0、相对介电常数为1.1、介质损耗角正切为0.00007。
比较例1
内层线路的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到直径3.5mm的圆棒状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物放入被加热至360℃的电炉中30分钟，对PTFE进行烧制，以60℃/hr的降温速度冷却至200℃后，在常温下取出，由此进行缓慢冷却，得到内层线路。内层线路的比重为2.060、相对介电常数为2.10、介质损耗角正切为0.0002。
外层的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到外径15mm、内径3.5mm的管状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将该未烧制PTFE管装入300℃的电炉中1小时，进一步拉伸至2.5倍的长度，在维持全长的状态下冷却至常温，由此得到比重0.582、相对介电常数1.31、介质损耗角正切为0.00003的外层管。
将该外层管覆盖在上述内层线路上，作为外层。
将FEP制造的热收缩管覆盖在外层的外侧，利用热风枪加热使其收缩，制成保护层，得到电介质波导线路。
将上述得到的电介质波导线路切割成长度600mm，将两端加工成圆锥状，将两端分别***到圆形波导管中，利用网络分析器测定在60GHz下的***损失，结果为-0.21dB/cm。
比较例2
内层线路的制作
在PTFE细粉(标准比重(SSG)：2.175)2kg中混合烃系溶剂410g作为挤出助剂，在3MPa下进行成型，由此制作出直径49mm的预成型品。将该预成型品使用PTFE糊料挤出成型机进行糊料挤出，得到3.5mm×7mm见方的方杆状挤出物。将该挤出物利用50℃的电炉加热1小时、利用80℃的电炉加热1小时、其后利用200℃的电炉加热10分钟，由此使挤出助剂蒸散。
将挤出助剂蒸散后的上述挤出物放入被加热至360℃的电炉中30分钟，对PTFE进行烧制，以60℃/hr的降温速度冷却至200℃后，在常温下取出，由此进行缓慢冷却，得到内层线路。上述内层线路的比重为2.158、相对介电常数为2.15、介质损耗角正切为0.00010。
外层的制作
将被切割成8mm宽的厚度100μm的压延未烧制未拉伸PTFE带按照1mm间隔以S捻在内层线路的周围卷绕数次，制成5mm厚度的外层。外层的比重为0.657、相对介电常数为1.35、介质损耗角正切为0.00003。
将FEP制造的热收缩管覆盖在上述外层的外侧，利用热风枪加热使其收缩，制成保护层，得到电介质波导线路。
将上述得到的电介质波导线路切割成长度600mm，将两端加工成1:2的四棱锥状，将两端分别***到棱锥喇叭天线中，利用网络分析器测定在28GHz下的***损失，结果为-0.35dB/cm。

Claims (4)

1.一种电介质波导线路，其是具备中心电介质A1、设于中心电介质A1的周围的电介质层A2、以及设于电介质层A2的周围的电介质层A3的电介质波导线路，其中，
中心电介质A1包含聚四氟乙烯，
将中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3在25℃、6GHz下的相对介电常数分别表示为εA1、εA2和εA3时，
εA1为2.20以下、εA2为1.90以下、εA3为1.55以下，εA1>εA2>εA3。
2.如权利要求1所述的电介质波导线路，其中，将中心电介质A1、电介质层A2和电介质层A3在25℃、6GHz下的介质损耗角正切分别表示为tanδA1、tanδA2和tanδA3时，tanδA1为2.20×10-4以下、tanδA2为1.20×10-4以下、tanδA3为1.00×10-4以下。
3.如权利要求1或2所述的电介质波导线路，其中，电介质层A2和A3包含选自由聚四氟乙烯、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物和聚烯烃组成的组中的至少一种树脂A。
4.一种电介质波导线路，其是具备包含聚四氟乙烯的电介质B的电介质波导线路，其中，
电介质B由同一材料无接缝地一体形成，并且在25℃、6GHz下的相对介电常数沿径向朝向外侧缓慢地降低。
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