CN115133895B - 一种异构集成的悬置线高通滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及微波电子元器件技术领域,公开了一种异构集成的悬置线高通滤波器,包括陶瓷基板、连接于所述陶瓷基板上表面的第一玻璃盖体、连接于所述陶瓷基板下表面的第二玻璃盖体,所述第一玻璃盖体包括第一空腔,所述第二玻璃盖体包括第二空腔,所述陶瓷基板上表面抵挡所述第一空腔的开口构成一个腔室,所述陶瓷基板下表面抵挡所述第二空腔的开口构成一个腔室。本发明解决了现有技术存在的体积较大、高密度集成度低、近端带外抑制性能较差等问题。
Description
技术领域
本发明涉及微波电子元器件技术领域,具体是一种异构集成的悬置线高通滤波器。
背景技术
微波滤波器在微波集成电路中起到信号滤波的作用,悬置线高通滤波器与LC高通滤波器相比,具有Q值高、损耗低、温度特性好等优点。
传统悬置线高通滤波器的结构如图1所示,该结构具有三层媒质:上空气层、介质层、下空气层。上空气层、下空气层的高度分别为H1、H2,中间为厚h相对介电常数为εr的介质基板,W表示有效空气腔的宽度。常规悬置带线高通滤波器的实现方法为将导体印制在介质板上,采用双面交叠布局的金属图形实现高通滤波器的串联电容,用到地高阻抗线实现并联电感,然后把介质基板嵌置在金属壳体内。该结构的缺点比较明显:由于有金属腔体,一般需要设计紧固结构,体积的小型化难以实现,以6~18GHz传统悬置线高通滤波器为例,其典型体积达到47mm×20mm×8.6mm,难以满足高密度集成应用要求。
采用芯片技术实现的高通滤波器体积虽然较小,但其近端带外抑制难以满足宽带射频通信***中的使用要求,偏离1GHz处抑制为10dB以内(通常要求偏离边带1GHz抑制35dBc以上)。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明提供了一种异构集成的悬置线高通滤波器,解决现有技术存在的体积较大、高密度集成度低、近端带外抑制性能较差等问题。
本发明解决上述问题所采用的技术方案是:
一种异构集成的悬置线高通滤波器,包括陶瓷基板、连接于所述陶瓷基板上表面的第一玻璃盖体、连接于所述陶瓷基板下表面的第二玻璃盖体,所述第一玻璃盖体包括第一空腔,所述第二玻璃盖体包括第二空腔,所述陶瓷基板上表面抵挡所述第一空腔的开口构成一个腔室,所述陶瓷基板下表面抵挡所述第二空腔的开口构成一个腔室。
作为一种优选的技术方案,所述第一玻璃盖体还包括第一上键合凸点、第一下键合凸点、设于所述陶瓷基板上方的第一玻璃围框、设于所述第一玻璃围框上方的第一玻璃盖板,所述第一玻璃盖板的下表面与所述第一玻璃围框的上表面通过所述第一上键合凸点连接,所述陶瓷基板的上表面与所述第一玻璃围框的下表面通过所述第一下键合凸点连接,所述第一空腔设于所述第一玻璃盖板的下表面与所述陶瓷基板的上表面之间;所述第二玻璃盖体还包括第二上键合凸点、第二下键合凸点、设于所述陶瓷基板下方的第二玻璃围框、设于所述第二玻璃围框下方的第二玻璃盖板,所述陶瓷基板的下表面与所述第二玻璃围框的上表面通过所述第二上键合凸点连接,所述第二玻璃围框的下表面与所述第二玻璃盖板通过所述第二下键合凸点连接,所述第二空腔设于所述陶瓷基板的下表面与所述第二玻璃盖板之间。
作为一种优选的技术方案,所述第一上键合凸点、所述第一下键合凸点、所述第二上键合凸点、第二下键合凸点均为金制成的球体结构。
作为一种优选的技术方案,所述第一玻璃盖板包括第一盖板玻璃体、连接于所述第一盖板玻璃体上表面的第一盖板上整面金属层、连接于所述第一盖板玻璃体下表面的第一盖板下整面金属层,所述第一盖板玻璃体包括第一盖板TGV金属化通孔,所述第一盖板上整面金属层、所述第一盖板下整面金属层分别连接于所述第一盖板TGV金属化通孔的两端,第一玻璃盖板两侧边上分别设有第一缺口、第二缺口。
作为一种优选的技术方案,第一玻璃围框包括第一围框玻璃体、连接于所述第一围框玻璃体上表面的第一围框上整面金属层、连接于所述第一围框玻璃体下表面的第一围框下整面金属层,所述第一围框玻璃体包括第一围框TGV金属化通孔,所述第一围框上整面金属层、所述第一围框下整面金属层分别连接于所述第一围框TGV金属化通孔的两端,第一玻璃围框两侧边上分别设有第三缺口、第四缺口。
作为一种优选的技术方案,所述第二玻璃盖板包括第二盖板玻璃体、连接于所述第二盖板玻璃体上表面的第二盖板上整面金属层、连接于所述第二盖板玻璃体下表面的第二盖板下整面金属层,所述第二盖板玻璃体包括第二盖板TGV金属化通孔,所述第二盖板上整面金属层、所述第二盖板下整面金属层分别连接于所述第二盖板TGV金属化通孔的两端。
作为一种优选的技术方案,第二玻璃围框包括第二围框玻璃体、连接于所述第二围框玻璃体上表面的第二围框上整面金属层、连接于所述第二围框玻璃体下表面的第二围框下整面金属层,所述第二围框玻璃体包括第二围框TGV金属化通孔,所述第二围框上整面金属层、所述第二围框下整面金属层分别连接于所述第二围框TGV金属化通孔的两端。
作为一种优选的技术方案,陶瓷基板上设有TCV金属化通孔,第一下键合凸点、第二上键合凸点的键合位置分布在TCV金属化通孔的外侧。
作为一种优选的技术方案,所述第一上键合凸点、所述第一下键合凸点、所述第二上键合凸点、所述第二下键合凸点的直径为70um~80um,所述第一上键合凸点、所述第一下键合凸点、所述第二上键合凸点、所述第二下键合凸点的高度为25um~30um。
作为一种优选的技术方案,所述陶瓷基板的上表面设有正面金属电路,所述陶瓷基板的下表面设有背面金属电路;所述正面金属电路上设有宽边耦合区域、高阻抗线,所述背面金属电路上设有宽边耦合区域、高阻抗线;正面金属电路内设有50欧姆阻抗微带线、用以实现阻抗匹配的渐变形过度结构,渐变形过度结构的下部设有缺陷地结构;TCV金属化通孔设于高阻抗线接地点40um以内。
本发明相比于现有技术,具有以下有益效果:
本发明利用玻璃表面镀金实现了悬置带线结构。玻璃内部使用TGV技术实现接地的连续性,使用金凸点超声热压技术将玻璃和介质基板异构集成。该类结构实现的微悬置滤波器与传统结构的悬置带线滤波器相比性能相当,尺寸和重量可大幅度减小。且相比于传统结构的机械安装方式,该结构使用的超声热压技术对位精度更高,滤波器一致性更好。本发明同时兼顾了较小体积、高密度集成、高近端带外抑制性能的应用要求。
附图说明
图1为传统悬置线高通滤波器的结构示意图;
图2所示为本发明所述的微悬置高通滤波器的剖视图;
图3为第一玻璃盖板的结构示意图;
图4为图3的侧视图;
图5为第一玻璃围框结构图的结构示意图;
图6为图5的侧视图;
图7为第二玻璃围框的结构示意图;
图8为图7的侧视图;
图9为第二玻璃盖板的结构示意图;
图10为图9的侧视图;
图11为双面布线陶瓷基板的俯视图;
图12为双面布线陶瓷基板的仰视图;
图13为双面布线陶瓷基板的从上往下的投影图;
图14为本发明所述的悬置线高通滤波器的拓扑电路图;
图15为本发明所述的悬置线高通滤波器的正面外形示意图;
图16为本发明所述的悬置线高通滤波器的反面外形示意图;
图17为本发明所述的悬置线高通滤波器的侧面外形示意图;
图18为本发明所述的悬置线高通滤波器频率响应曲线。
附图中标记及相应的零部件名称:10-异构集成的悬置线高通滤波器101-第一空腔,102-第二空腔,110-第一玻璃盖体,111-第一玻璃盖板,112-第一上键合凸点,113-第一玻璃围框,114-第一下键合凸点,120-陶瓷基板,123-TCV金属化通孔,124-渐变形过度结构,125-宽边耦合区域,126-高阻抗线,127-50欧姆阻抗微带线,130-第二玻璃盖体,131-第二玻璃盖板,132-第二上键合凸点,133-第二玻璃围框,134-第二下键合凸点,1110-第一盖板玻璃体,1111-第一盖板上整面金属层,1112-第一盖板下整面金属层,1113-第一盖板TGV金属化通孔,1114-第一缺口,1115-第二缺口,1130-第一围框玻璃体,1131-第一围框上整面金属层,1132-第一围框下整面金属层,1133-第一内壁金属层,1134-第一围框TGV金属化通孔,1135-第三缺口,1136-第四缺口,1310-第二盖板玻璃体,1311-第二盖板上整面金属层,1312-第二盖板下整面金属层,1313-第二盖板TGV金属化通孔,1330-第二围框玻璃体,1331-第二围框上整面金属层,1332-第二围框下整面金属层,1333-第二内壁金属层,1334-第二围框TGV金属化通孔。
具体实施方式
下面结合实施例及附图,对本发明作进一步的详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
如图1至图18所示,一种异构集成的悬置线高通滤波器,包括陶瓷基板120、连接于所述陶瓷基板120上表面的第一玻璃盖体110、连接于所述陶瓷基板120下表面的第二玻璃盖体130,所述第一玻璃盖体110包括第一空腔101,所述第二玻璃盖体130包括第二空腔102,所述陶瓷基板120上表面抵挡所述第一空腔101的开口构成一个腔室,所述陶瓷基板120下表面抵挡所述第二空腔102的开口构成一个腔室。
作为一种优选的技术方案,所述第一玻璃盖体110还包括第一上键合凸点112、第一下键合凸点114、设于所述陶瓷基板120上方的第一玻璃围框113、设于所述第一玻璃围框113上方的第一玻璃盖板111,所述第一玻璃盖板111的下表面与所述第一玻璃围框113的上表面通过所述第一上键合凸点112连接,所述陶瓷基板120的上表面与所述第一玻璃围框113的下表面通过所述第一下键合凸点114连接,所述第一空腔101设于所述第一玻璃盖板111的下表面与所述陶瓷基板120的上表面之间;所述第二玻璃盖体130还包括第二上键合凸点132、第二下键合凸点134、设于所述陶瓷基板120下方的第二玻璃围框133、设于所述第二玻璃围框133下方的第二玻璃盖板131,所述陶瓷基板120的下表面与所述第二玻璃围框133的上表面通过所述第二上键合凸点132连接,所述第二玻璃围框133的下表面与所述第二玻璃盖板131通过所述第二下键合凸点134连接,所述第二空腔102设于所述陶瓷基板120的下表面与所述第二玻璃盖板131之间。
作为一种优选的技术方案,所述第一上键合凸点112、所述第一下键合凸点114、所述第二上键合凸点132、第二下键合凸点134均为金制成的球体结构。
作为一种优选的技术方案,所述第一玻璃盖板111包括第一盖板玻璃体1110、连接于所述第一盖板玻璃体1110上表面的第一盖板上整面金属层1111、连接于所述第一盖板玻璃体1110下表面的第一盖板下整面金属层1112,所述第一盖板玻璃体1110包括第一盖板TGV金属化通孔1113,所述第一盖板上整面金属层1111、所述第一盖板下整面金属层1112分别连接于所述第一盖板TGV金属化通孔1113的两端,第一玻璃盖板111两侧边上分别设有第一缺口1114、第二缺口1115。
作为一种优选的技术方案,第一玻璃围框113包括第一围框玻璃体1130、连接于所述第一围框玻璃体1130上表面的第一围框上整面金属层1131、连接于所述第一围框玻璃体1130下表面的第一围框下整面金属层1132,所述第一围框玻璃体1130包括第一围框TGV金属化通孔1134,所述第一围框上整面金属层1131、所述第一围框下整面金属层1132分别连接于所述第一围框TGV金属化通孔1134的两端,第一玻璃围框113两侧边上分别设有第三缺口1135、第四缺口1136。
作为一种优选的技术方案,所述第二玻璃盖板131包括第二盖板玻璃体1310、连接于所述第二盖板玻璃体1310上表面的第二盖板上整面金属层1311、连接于所述第二盖板玻璃体1310下表面的第二盖板下整面金属层1312,所述第二盖板玻璃体1310包括第二盖板TGV金属化通孔1313,所述第二盖板上整面金属层1311、所述第二盖板下整面金属层1312分别连接于所述第二盖板TGV金属化通孔1313的两端。
作为一种优选的技术方案,第二玻璃围框133包括第二围框玻璃体1330、连接于所述第二围框玻璃体1330上表面的第二围框上整面金属层1331、连接于所述第二围框玻璃体1330下表面的第二围框下整面金属层1332,所述第二围框玻璃体1330包括第二围框TGV金属化通孔1334,所述第二围框上整面金属层1331、所述第二围框下整面金属层1332分别连接于所述第二围框TGV金属化通孔1334的两端。
作为一种优选的技术方案,陶瓷基板120上设有TCV金属化通孔123,第一下键合凸点114、第二上键合凸点132的键合位置分布在TCV金属化通孔123的外侧。
作为一种优选的技术方案,所述第一上键合凸点112、所述第一下键合凸点114、所述第二上键合凸点132、所述第二下键合凸点134的直径为70um~80um,所述第一上键合凸点112、所述第一下键合凸点114、所述第二上键合凸点132、所述第二下键合凸点134的高度为25um~30um。
作为一种优选的技术方案,所述陶瓷基板120的上表面设有正面金属电路121,所述陶瓷基板120的下表面设有背面金属电路122;所述正面金属电路121上设有宽边耦合区域125、高阻抗线126,所述背面金属电路122上设有宽边耦合区域125、高阻抗线126;正面金属电路121内设有50欧姆阻抗微带线127、用以实现阻抗匹配的渐变形过度结构124,渐变形过度结构124的下部设有缺陷地结构;TCV金属化通孔123设于高阻抗线126接地点40um以内。
本发明利用玻璃表面镀金实现了悬置带线结构。玻璃内部使用TGV技术实现接地的连续性,使用金凸点超声热压技术将玻璃和介质基板异构集成。该类结构实现的微悬置滤波器与传统结构的悬置带线滤波器相比性能相当,尺寸和重量可大幅度减小。且相比于传统结构的机械安装方式,该结构使用的超声热压技术对位精度更高,滤波器一致性更好。本发明同时兼顾了较小体积、高密度集成、高近端带外抑制性能的应用要求。
实施例2
如图1至图18所示,作为实施例1的进一步优化,在实施例1的基础上,本实施例还包括以下技术特征:
本发明的目的是解决传统结构的悬置带线滤波器尺寸、重量大的问题,实现小型化高抑制分布式高通滤波器。
基于TGV的微悬置高通滤波器通过将玻璃表面镀金实现悬置带线结构,达到缩小悬置带线滤波器体积的效果。
图2展示了本发明提出的基于TGV的微悬置高通滤波器的剖视图。本发明通过将玻璃表面镀金并使用TGV技术加强玻璃表面的接地以实现传统金属腔体可达到的电磁屏蔽效果。
本发明所述异构集成的悬置线高通滤波器10是一种玻璃空腔三明治结构,由第一玻璃盖体110、第一空腔101、第二玻璃盖体130、第二空腔102和位于第一空腔和第二空腔间的双面布线陶瓷基板120构成。双面布线陶瓷基板120由基板四周布置的键合金球(第一上键合凸点112、第二上键合凸点132)支撑悬空置于第一空腔101和第二空腔102之间。第一玻璃盖体110与陶瓷基板120的上表面构成第一空腔101,第二玻璃盖体130与陶瓷基板120的下表面构成第二空腔102,第一空腔101、第二空腔102及双面陶瓷基板120实现悬置结构。
进一步地,第一玻璃盖体110由第一玻璃盖板111、第一玻璃围框113和键合金球(第一上键合凸点112)构成,如图3至图6,金球的直径范围为70~80um,金球高度为25~30um,金球间距应小于滤波器波长的四分之一,并尽量小,确保电磁屏蔽效果。第一玻璃盖板111由玻璃体1110、上整面金属层1111、下整面金属层1112构成,上整面金属层1111和下整面金属层1112通过第一盖板TGV金属化通孔1113实现互联,TGV通孔的孔径范围为100um±10um,在良好接触的条件下,上整面金属层1111和下整面金属层1112之间的电阻应在零点几欧甚至更小的量级,保证良好的电连通性是实现良好功能第一空腔101的基础。TGV通孔1113布置于玻璃体1110的四周,孔径为100um±10um,TGV通孔1113和上下金属层(上整面金属层1111、下整面金属层1112)可通过激光诱导打孔、腐蚀穿孔、溅射金属化等工艺获得。第一玻璃盖板111两侧存在缺口1114和1115,用于露出双面布线基板的输入输出端口,供使用时金丝键合用。
进一步地,第一玻璃围框113由玻璃体1130,上整面金属层1131,下整面金属层1132、第一内壁金属层1133构成,上整面金属层1131和下整面金属层1132通过TGV通孔1134实现电连接,第一内壁金属层1133通过连续的金属层与上整面金属层1131和下整面金属层1132实现电连接,上整面金属层、内壁金属层、下整面金属层间的电阻应在零点几欧甚至更小的量级,保证良好的电连通性是实现良好功能第一空腔101的基础。TGV通孔和金属层的实现工艺与第一玻璃盖板111相同。第一玻璃围框113两侧存在第三缺口1135、第四缺口1136,用于露出双面布线基板(陶瓷基板120)的输入输出端口,供集成时金丝键合用。
进一步地,第二玻璃盖体130由第二玻璃盖板131、第二玻璃围框133和第二下键合凸点134通过超声热压焊技术集成。如图7至图10,第二玻璃盖板131由玻璃体1310、上整面金属层1311、下整面金属层1312构成。上整面金属层1311和下整面金属层1312通过第二盖板TGV金属化通孔1313实现电互联,上整面金属层、内壁金属层、下整面金属层间的电阻应在零点几欧甚至更小的量级,保证良好的电连通性是实现良好功能第二空腔102的基础。TGV通孔和金属层的实现工艺与第一玻璃盖板111相同。
进一步地,第二玻璃围框133由玻璃体1330,上整面金属层1331,下整面金属层1332、第二内壁金属层1333构成,上整面金属层1331和下整面金属层1332通过第二围框TGV金属化通孔1334实现电连接,第二内壁金属层1333通过连续的金属层与上整面金属层1331和下整面金属层1332实现电连接,上整面金属层、内壁金属层、下整面金属层间的电阻应在零点几欧甚至更小的量级,保证良好的电连通性是实现良好功能第二空腔102的基础。TGV通孔和金属层的实现工艺与第一玻璃盖板111相同。
进一步地,如图11至图13,双面布线陶瓷基板120的两面有正面金属电路121、背面金属电路122。为实现高通滤波功能,滤波器的输入输出之间串联电容、并联电感,滤波器的拓扑电路如图14所示。电路中的并联电感通过一端接地的高阻抗线126实现,电路中的串联电容则通过介质基板上下层的宽边耦合区域125实现,介质基板正反面周围的金属作为滤波器的参考地,参考地通过金属化孔123实现上下层地的互联。金属化孔123的设计位置应避免出现在与第一玻璃盖体110、第二玻璃盖体130的键合区域。
为了实际使用,有别与传统悬置线滤波器使用连接器作为输入输出接头。本发明的微悬置高通滤波器不将空气腔体全封闭,在输入输出处露出50欧姆阻抗微带线50欧姆阻抗微带线127作为端口,由于悬置带线和微带线的介电常数不同,50欧姆阻抗微带线127的线宽更细,本发明渐变形过度结构124进行不同线宽间的过度,实现良好的匹配。渐变形过度结构124的背面不应该有地平面,50欧姆阻抗微带线127的背面应存在地平面且与周围地平面良好连接。渐变形过度结构124下部设有缺陷地结构(即没有完整地平面)。
将第一玻璃盖体110、第二玻璃盖体130、介质基板(陶瓷基板120)使用超声热压通过金球(第一下键合凸点114和第二上键合凸点132)实现电连接和电磁屏蔽,形成微悬置高通滤波器整件。完成键合后测量高通滤波器上下表面之间电阻,应在零点几欧甚至更小的量级。最终完成的微悬置滤波器外形如图15至图17所示。
本发明中,两相邻凸点之间的间距应小于滤波器中心频率对应的四分之一波长。
本发明利用玻璃表面镀金实现了悬置带线结构。玻璃内部使用TGV技术实现接地的连续性,使用金凸点超声热压技术将玻璃和介质基板异构集成。该类结构实现的微悬置滤波器与传统结构的悬置带线滤波器相比性能相当,尺寸和重量可大幅度减小。且相比于传统结构的机械安装方式,该结构使用的超声热压技术对位精度更高,滤波器一致性更好。本发明同时兼顾了较小体积、高密度集成、高近端带外抑制性能的应用要求。
采用本发明所提出微悬置高通滤波器结构,使用图14所示的拓扑电路设计出一款6GHz~18GHz微悬置高通滤波器。滤波器的介质基板采用相对介电常数为9.9,厚度为0.127mm的氧化铝陶瓷,设计出的图形如图13所示。最终实现的微悬置高通滤波器尺寸为8.5mm×5mm×1.6mm,其频率响应曲线如图18所示,通过频率响应的传输系数S(2,1)曲线可以看出,滤波器的带内***损耗小于1dB,5GHz处有35dB以上的带外抑制,通过频率响应的反射系数S(1,1)曲线可以看出,滤波器通带内的反射系数在-17dB以下。
本发明也可以应用于带通、带阻的滤波器小型化应用上。
如上所述,可较好地实现本发明。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件尽可以处于的方位。
本说明书中所有实施例公开的所有特征,或隐含公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合和/或扩展、替换。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,依据本发明的技术实质,在本发明的精神和原则之内,对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等,均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种异构集成的悬置线高通滤波器,其特征在于,包括陶瓷基板(120)、连接于所述陶瓷基板(120)上表面的第一玻璃盖体(110)、连接于所述陶瓷基板(120)下表面的第二玻璃盖体(130),所述第一玻璃盖体(110)包括第一空腔(101),所述第二玻璃盖体(130)包括第二空腔(102),所述陶瓷基板(120)上表面抵挡所述第一空腔(101)的开口构成一个腔室,所述陶瓷基板(120)下表面抵挡所述第二空腔(102)的开口构成一个腔室;
所述第一玻璃盖体(110)还包括第一上键合凸点(112)、第一下键合凸点(114)、设于所述陶瓷基板(120)上方的第一玻璃围框(113)、设于所述第一玻璃围框(113)上方的第一玻璃盖板(111),所述第一玻璃盖板(111)的下表面与所述第一玻璃围框(113)的上表面通过所述第一上键合凸点(112)连接,所述陶瓷基板(120)的上表面与所述第一玻璃围框(113)的下表面通过所述第一下键合凸点(114)连接,所述第一空腔(101)设于所述第一玻璃盖板(111)的下表面与所述陶瓷基板(120)的上表面之间;所述第二玻璃盖体(130)还包括第二上键合凸点(132)、第二下键合凸点(134)、设于所述陶瓷基板(120)下方的第二玻璃围框(133)、设于所述第二玻璃围框(133)下方的第二玻璃盖板(131),所述陶瓷基板(120)的下表面与所述第二玻璃围框(133)的上表面通过所述第二上键合凸点(132)连接,所述第二玻璃围框(133)的下表面与所述第二玻璃盖板(131)通过所述第二下键合凸点(134)连接,所述第二空腔(102)设于所述陶瓷基板(120)的下表面与所述第二玻璃盖板(131)之间。
2.根据权利要求1所述的一种异构集成的悬置线高通滤波器,其特征在于,所述第一上键合凸点(112)、所述第一下键合凸点(114)、所述第二上键合凸点(132)、第二下键合凸点(134)均为金制成的球体结构。
3.根据权利要求2所述的一种异构集成的悬置线高通滤波器,其特征在于,所述第一玻璃盖板(111)包括第一盖板玻璃体(1110)、连接于所述第一盖板玻璃体(1110)上表面的第一盖板上整面金属层(1111)、连接于所述第一盖板玻璃体(1110)下表面的第一盖板下整面金属层(1112),所述第一盖板玻璃体(1110)包括第一盖板TGV金属化通孔(1113),所述第一盖板上整面金属层(1111)、所述第一盖板下整面金属层(1112)分别连接于所述第一盖板TGV金属化通孔(1113)的两端,第一玻璃盖板(111)两侧边上分别设有第一缺口(1114)、第二缺口(1115)。
4.根据权利要求3所述的一种异构集成的悬置线高通滤波器,其特征在于,第一玻璃围框(113)包括第一围框玻璃体(1130)、连接于所述第一围框玻璃体(1130)上表面的第一围框上整面金属层(1131)、连接于所述第一围框玻璃体(1130)下表面的第一围框下整面金属层(1132),所述第一围框玻璃体(1130)包括第一围框TGV金属化通孔(1134),所述第一围框上整面金属层(1131)、所述第一围框下整面金属层(1132)分别连接于所述第一围框TGV金属化通孔(1134)的两端,第一玻璃围框(113)两侧边上分别设有第三缺口(1135)、第四缺口(1136)。
5.根据权利要求4所述的一种异构集成的悬置线高通滤波器,其特征在于,所述第二玻璃盖板(131)包括第二盖板玻璃体(1310)、连接于所述第二盖板玻璃体(1310)上表面的第二盖板上整面金属层(1311)、连接于所述第二盖板玻璃体(1310)下表面的第二盖板下整面金属层(1312),所述第二盖板玻璃体(1310)包括第二盖板TGV金属化通孔(1313),所述第二盖板上整面金属层(1311)、所述第二盖板下整面金属层(1312)分别连接于所述第二盖板TGV金属化通孔(1313)的两端。
6.根据权利要求5所述的一种异构集成的悬置线高通滤波器,其特征在于,第二玻璃围框(133)包括第二围框玻璃体(1330)、连接于所述第二围框玻璃体(1330)上表面的第二围框上整面金属层(1331)、连接于所述第二围框玻璃体(1330)下表面的第二围框下整面金属层(1332),所述第二围框玻璃体(1330)包括第二围框TGV金属化通孔(1334),所述第二围框上整面金属层(1331)、所述第二围框下整面金属层(1332)分别连接于所述第二围框TGV金属化通孔(1334)的两端。
7.根据权利要求6所述的一种异构集成的悬置线高通滤波器,其特征在于,陶瓷基板(120)上设有TCV金属化通孔(123),第一下键合凸点(114)、第二上键合凸点(132)的键合位置分布在TCV金属化通孔(123)的外侧。
8.根据权利要求7所述的一种异构集成的悬置线高通滤波器,其特征在于,所述第一上键合凸点(112)、所述第一下键合凸点(114)、所述第二上键合凸点(132)、所述第二下键合凸点(134)的直径为70um~80um,所述第一上键合凸点(112)、所述第一下键合凸点(114)、所述第二上键合凸点(132)、所述第二下键合凸点(134)的高度为25um~30um。
9.根据权利要求1至8任一项所述的一种异构集成的悬置线高通滤波器,其特征在于,所述陶瓷基板(120)的上表面设有正面金属电路(121),所述陶瓷基板(120)的下表面设有背面金属电路(122);所述正面金属电路(121)上设有宽边耦合区域(125)、高阻抗线(126),所述背面金属电路(122)上设有宽边耦合区域(125)、高阻抗线(126);正面金属电路(121)内设有50欧姆阻抗微带线(127)、用以实现阻抗匹配的渐变形过度结构(124),渐变形过度结构(124)的下部设有缺陷地结构;TCV金属化通孔(123)设于高阻抗线(126)接地点40um以内。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6271579B1 (en) * | 1993-10-08 | 2001-08-07 | Stratedge Corporation | High-frequency passband microelectronics package |
CN101784889A (zh) * | 2007-05-18 | 2010-07-21 | 生命安全销售股份公司 | 用于气体传感器的绝热陶瓷基板 |
CN112340694A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-02-09 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种用于氮化镓功放芯片的玻璃微流道散热器制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5174673B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2013-04-03 | エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル. | 基板レベル・アセンブリを具えた電子装置及びその製造処理方法 |
EP2806258B1 (en) * | 2013-05-20 | 2018-09-12 | ams international AG | Differential pressure sensor |
-
2022
- 2022-08-23 CN CN202211009387.8A patent/CN115133895B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6271579B1 (en) * | 1993-10-08 | 2001-08-07 | Stratedge Corporation | High-frequency passband microelectronics package |
CN101784889A (zh) * | 2007-05-18 | 2010-07-21 | 生命安全销售股份公司 | 用于气体传感器的绝热陶瓷基板 |
CN112340694A (zh) * | 2020-11-03 | 2021-02-09 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种用于氮化镓功放芯片的玻璃微流道散热器制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
"Through-glass copper via using the glass reflow and seedless electroplating processes for wafer-level RF MEMS packaging";Ju-Yong Lee等;《Journal of Micromechanics and Microengineering》;20130624;第23卷(第8期);第2-3页、图1 * |
"多通道时间交织高速采样算法研究及FPGA实现";贾逸群;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》;20190215;I135-604 * |
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Publication number | Publication date |
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