CN115113488A - 具有用于确定原子氢浓度的装置的投射曝光设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种半导体光刻的投射曝光设备(1)，包括用于确定光学元件(25、25.1)的区域中等离子体(29)中原子氢浓度的装置，其中该装置包括传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)。在这种情况下，该装置包括布置在等离子体(29)的区域与传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)之间的过滤器元件(31、31.1、31.2、31.3、31.4)，其中过滤器元件(31、31.1、31.2、31.3、31.4)被配置为主要允许原子氢从等离子体(29)通行到传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)。

Description

具有用于确定原子氢浓度的装置的投射曝光设备
交叉引用
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2021 202 802.0的优先权，其内容通过引用全部并入本文。
技术领域
本发明涉及半导体光刻的投射曝光设备，其具有用于确定等离子体中原子氢的浓度的装置。
背景技术
投射曝光设备，特别是半导体光刻的投射曝光设备，用于制造极其精细的结构，特别是在半导体部件或其他微结构部件上。通过总体上通过光学元件将掩模(使用被称为掩模母版)上的结构缩小成像在配备有感光材料的要结构化的元件上，所述的设备的操作原理是基于制造高达纳米范围的非常精细结构。制造的结构的最小尺寸直接取决于所使用的光的波长。
最近，已经越来越多地使用具有发射波长在若干纳米(例如在1nm和120nm之间的范围中，特别是在13.5nm的区域)的光源。因为EUV投射曝光设备使用的短波辐射会被若干毫米或若干厘米内的任何物质——包括气体——吸收，所以EUV投射曝光设备中必须是真空。
然而，出于技术过程相关的原因，通常将气体引入真空中，例如分压为1至1000Pa的氢气。这种氢气用于清洁和保护光学表面免受特别是氧化物的污染物，并且主要是分子形式(H2)。然而，由于使用的光源发射的辐射，等离子体与分子氢H2结合产生在与光学元件的光学有效表面相邻的空间区域中，所述等离子体除了分子氢H2以外还包括原子氢H、电子e-和离子，例如H3 +。光学有效表面在此旨在被理解为表示在设备的操作期间被使用的辐射照射的光学元件的区域。除了清洁效果以外，原子氢H还具有与过程残余物(例如锌或铅)接合的趋势。这种所谓的氢诱导的污染继而可能引起光学元件上的透射损失。
此外，原子氢还具有蚀刻作用，因此它例如会攻击光学元件的主要材料，这些光学元件通常设计成反射镜的形式。一方面为了设定清洁的比例并且另一方面为了设定氢诱导的污染和蚀刻效果，因此必须知道等离子体中原子氢的浓度。原则上，这可以通过各种测量方法来确定，诸如热通量测量或蚀刻速率，或者通过光谱术来确定。所有测量类型的共同点是测量误差是由除了原子氢H以外的额外存在于等离子体中的离子H3 +和电子e-引起，而且由具有过多能量的原子氢H引起。作为示例，只有当没有电子或离子入射到对应的热通量传感器上时，热通量测量才是可能的。原则上，这是可能的，因为电子e-和离子H3 +的寿命与原子氢H相比很短，因此必须关断EUV辐射以进行测量，使得等离子体可以衰变。其缺点在于，在操作期间不可能进行测量并且测量所需的时间无法用于制造结构化元件，这继而对相关联投射曝光设备的制造率具有负面影响。
发明内容
本发明的目的是提供消除现有技术的上述缺点的装置。
该目的是通过具有独立权利要求的特征的装置和方法来实现。从属权利要求涉及本发明的有利发展例和变型。
根据本发明的半导体光刻的投射曝光设备具有用于在光学元件的区域中确定等离子体中原子氢浓度的装置，该装置包括传感器以及布置在等离子体区域与传感器之间的过滤器元件，其中过滤器元件被配置为主要允许原子氢从等离子体通行到传感器。
通过根据本发明的过滤器元件实现的是，不必为了测量而停用所使用的光源并且不必为了能够进行测量而等待剩余的等离子体成分的衰变。相反，投射曝光设备的制造操作可以伴随着正在进行的测量。
原则上，光学元件可以是在投射曝光设备中使用的任何元件，也就是说，还可以是在照明***或光源中使用的集光器反射镜。
特别地，过滤器元件可以包括用于原子氢通过的通道形区域。在这种情况下，在等离子体区域与传感器之间创建通道形区域是有利的，因为在通道内侧可提供附加表面，等离子体的带电成分可以在这些附加表面上重新组合。由于带电成分的复合率典型地高于原子氢的复合率，因此在通向传感器的路径上实现等离子体的过滤，结果是优选地原子氢而非等离子的其他成分到达传感器。
在本发明的有利变型中，通道形区域的内侧至少部分地形成为使得当原子氢入射在其上时存在低复合概率。对于金属的、氧化的和优选陶瓷表面特别是如此，例如具有铝氧化物。可以实现特别有效的过滤，这借助于通道形区域的长度与最小直径之比在20:1与4:1之间的范围内，优选地在8:1与4:1之间的范围内，特别优选地为至少在区段中为6:1的量级。还可以想到其中通道形区域具有彼此成角度的区段的变型，每个区段具有不同的长度与直径之比。
在本发明的有利实施例中，通道形区域相对于入射在光学元件上的所用辐射的偏振方向以大于30°的角度对准。这实现的是，典型地在EUV辐射的偏振方向上移动的等离子体电子无法在直接路径上(也就是说，在不接触过滤器元件的内表面中的一个的情况下)到达传感器。
特别地，通道形区域可以具有成角度的实施例。成角度的实施例实现的是在等离子体与传感器之间没有视线，从而防止了等离子体中存在的元素(H、H2、H3 +、e-)中的一个的直接入射在传感器上。
特别地，通道形区域可以通过光学元件的主体与壳体的相互作用来形成。这样，已经存在的几何结构可以有利地用作过滤器元件。
当光学元件是投射曝光设备的非致动反射镜时，可以以特别简单的方式形成所描述的通道形区域。
由于在等离子体区域与传感器之间布置用于产生电场或磁场的装置，可以通过静电或洛伦兹力的效果——与通道形区域相结合或在没有通道形区域的情况下——获得过滤效果或过滤效果的改进。
在本发明的有利变型中，传感器可以设计为热通量传感器；它还可以包括碳样品。
特别地，传感器可以包括当暴露于H自由基时经历蚀刻移除的牺牲材料。在这种情况下，牺牲材料可以包括C、Si、Zn、Sn、Pb、In、P或上述元素的混合物；优选地，应使用C或Si。
在此，可以有利地存在用于确定蚀刻移除的装置。
作为示例，蚀刻移除可以通过透射测量、椭偏术测量或伴随质量损失的石英微量天平(QMB)的频移测量来确定。
附图说明
下面参考附图更详细地解释本发明的示例性实施例和变型，附图中：
图1示意性示出了EUV投射光刻的投射曝光设备的子午截面；
图2示出了本发明的第一实施例；
图3示出了本发明的其他实施例；
图4和4a示出了本发明可能实施例的不同变型；以及
图5示出了光电子相对于电磁辐射传播方向的方向分布。
具体实施方式
参考图1，微光刻投射曝光设备1的基本部件在下面以示例性方式开始描述。投射曝光设备1以及其部件的基本结构的描述在此不被认为是受限制的。
投射曝光设备1的照明***2的实施例，除了辐射源3以外，还具有在物平面6中照明物场5的照明光学单元4。在替代的实施例中，光源3还可以作为与剩余照明***分开的模块来提供。在这种情况下，照明***不包括光源3。
布置在物场5中的掩模母版7被曝光。掩模母版7由掩模母版保持件8保持。掩模母版保持件8通过掩模母版位移驱动器9是可移位的，特别是在扫描方向上。
出于解释的目的，图1示出了笛卡尔xyz坐标系。x方向垂直于附图的平面延伸并进入该平面。y方向水平延伸，并且z方向垂直延伸。扫描方向沿图1中的y方向延伸。z方向垂直于物平面6延伸。
投射曝光设备1包括投射光学单元10。投射光学单元10用于将物场5成像到像平面12中的像场11中。像平面12平行于物平面6延伸。替代地，物平面6与像平面12之间的不等于0°的角度也是可能的。
将掩摸母版7上的结构成像到像平面12的像场11的区域中布置的晶片13的感光层上。晶片13由晶片保持件14保持。晶片保持件14通过晶片位移驱动器15是可移位的，特别是沿y方向。一方面通过掩模母版位移驱动器9对掩模母版7的位移和另一方面通过晶片位移驱动器15对晶片13的位移可以以彼此同步的方式发生。
辐射源3是EUV辐射源。辐射源3特别是发射EUV辐射16，其在下文中也称为使用辐射、照明辐射或照明光。特别地，使用的辐射的波长在5nm与30m之间的范围内。辐射源3能够是等离子体源，例如LPP源(激光产生等离子体)或GDPP源(气体放电产生等离子体)。辐射源3还可以是基于同步加速器的辐射源。辐射源3是自由电子激光器(FEL)。
由集光器17聚焦从辐射源3出现的照明辐射16。集光器17可以是具有一个或多个椭圆和/或双曲面反射表面的集光器。照明辐射16可以以掠入射(GI)(即以大于45°的入射角)或以垂直入射(NI)(即以小于45°的入射角)入射到集光器17的至少一个反射表面上。集光器17可以被结构化和/或涂覆，首先，用于优化其对使用的辐射的反射率，并且，其次，用于抑制外来光。
在集光器17的下游，照明辐射16通过中间焦平面18中的中间焦点传播。中间焦平面18可以表示具有辐射源3和集光器17的辐射源模块与照明光学单元4之间的分离。
照明光学单元4包括偏转反射镜19和布置在其下游的束路径中的第一分面反射镜20。偏转反射镜19可以是平面偏转反射镜，或者替代地，具有超出纯粹偏转效果的束影响效果的反射镜。作为对此的替代或附加，偏转反射镜19可以被实施为光谱滤光器，其将照明辐射16的使用的光波长与具有偏离其的波长的外来光分开。如果第一分面反射镜20布置在照明光学单元4的平面内，该平面与作为场平面的物平面6光学共轭，则第一分面反射镜20还被称为场分面反射镜。第一分面反射镜20包括多个单独的第一分面21，它们在下文中也称为场分面。这些分面21中的一些仅作为示例在图1中示出。
第一分面21可以被实施为宏观分面，特别是矩形分面或具有弧形***轮廓或部分圆的***轮廓的分面。第一分面21可以被实施为平面分面，或者可替代地被实施为凸出或凹入弯曲的分面。
如例如从DE 10 2008 009 600 A1已知的，第一分面21本身还可以在各个情况下由大量单独的反射镜、特别是大量微反射镜构成。第一分面反射镜20特别可以形成为微机电***(MEMS***)。对于细节，请参考DE 10 2008 009 600 A1。
照明辐射16在集光器17与偏转反射镜19之间水平地行进，即沿y方向行进。
在照明光学单元4的束路径中，第二分面反射镜22布置在第一分面反射镜20的下游。如果第二分面反射镜22布置在照明光学单元4的光瞳平面中，则第二分面反射镜也被称为光瞳分面反射镜。第二分面反射镜22还可以布置在距照明光学单元4的光瞳平面一距离处。在这种情况下，第一分面反射镜20与第二分面反射镜22的组合也被称为反射镜表面反射器。其他反射镜表面反射器从US 2006/0132747 A1、EP 1 614 008 B1和US 6,573,978已知。
第二分面反射镜22包括多个第二分面23。在光瞳分面反射镜的情况下，第二分面23也被称为光瞳分面。
第二分面23同样可以是宏观分面，其可以例如具有圆形、矩形或六边形边界，或者可选地是由微反射镜构成的分面。在该方面，同样请参考DE 10 2008 009 600 A1。
第二分面23可以具有平坦的或可选地凸出或凹入弯曲的反射表面。
照明光学单元4因此形成二次分面的***。这个基本原理也被称为蜂窝聚光器(蝇眼积分器)。
将第二分面反射镜22不精确地布置在与投射光学单元10的光瞳平面光学共轭的平面中可以是有利的。特别地，光瞳分面反射镜22可以布置成相对于投射光学单元7的光瞳平面倾斜，例如在DE 10 2017 220 586 A1中描述。
借助第二分面反射镜22将单独的第一分面21成像到物场5中。第二分面反射镜22是最后一个束整形反射镜，或者实际上是在物场5之前的束路径中用于照明辐射16的最后一个反射镜。
在未示出的照明光学单元4的其他实施例中，有助于将第一分面21成像到物场5中的传输光学单元可以布置在第二分面反射镜22与物场5之间的束路径中。传输光学单元可以恰好具有一个反射镜，或者可选地具有两个或更多个反射镜，它们在照明光学单元4的束路径中一个接一个地布置。传输光学单元特别可以包括一个或两个垂直入射反射镜(NI反射镜)和/或一个或两个掠入射镜(GI反射镜)。
在图1所示的实施例中，照明光学单元4在集光器17的下游恰好具有三个反射镜，具体是偏转反射镜19、场分面反射镜20和光瞳分面反射镜22。
在照明光学单元4的其他实施例中也可以省略偏转反射镜19，因此照明光学单元4则可以在集光器17的下游恰好具有两个反射镜，具体是第一分面反射镜20和第二分面反射镜22。
通常，通过第二分面23或使用第二分面23和传输光学单元将第一分面21成像到物平面6中只是近似成像。
投射光学单元10包括多个反射镜Mi，其根据它们在投射曝光设备1的束路径中的布置来顺序编号。
图1所图示的示例中，投射光学单元10包括六个反射镜M1至M6。具有四个、八个、十个、十二个或任何其他数量的反射镜Mi的替代方案类似地是可能的。倒数第二个反射镜M5和最后一个反射镜M6各自都具有用于照明辐射16的通孔。投射光学单元10是双重遮蔽的光学单元。投射光学单元10的像侧数值孔径大于0.3，也可以大于0.6，例如可以为0.7或0.75。
反射镜Mi的反射表面可以被实施为不含旋转对称轴线的自由形式曲面。替代地，反射镜Mi的反射表面可以被设计为具有反射面形式的恰好一个旋转对称轴线的非球面表面。就像照明光学单元4的反射镜一样，反射镜Mi可以具有用于照明辐射16的高反射涂层。这些涂层可以被设计为多层涂层，特别是具有钼和硅的交替层。
投射光学单元10在物场5的中心的y坐标与像场11的中心的y坐标之间的y方向上具有大的物像偏移。在y方向上，该物-像偏移可以具有与物平面6与像平面12之间的z距离近似相同的尺寸。
特别地，投射光学单元10可以具有变形形式。特别是，它在x和y方向上具有不同的成像尺度βx、βy。投射光学单元10的两个成像比例βx，βy优选地位于(βx，βy)＝(+/-0.25，+/-0.125)。正成像比例β意味着没有图像反转的成像。成像比例β的负号意味着具有图像反转的成像。
因此，投射光学单元10导致在x方向上(即与扫描方向垂直的方向上)尺寸以4:1的比例缩小。
投射光学单元10导致在y方向(即扫描方向上)尺寸以8:1缩小。
其他成像尺度同样是可能的。在x方向和y方向上具有相同符号和相同绝对值的成像比例也是可能的，例如具有0.125或0.25的绝对值。
物场5与像场11之间的束路径中在x方向上和在y方向上的中间像平面的数目可以相同，或者可以取决于投射光学单元10的实施例而不同。从US 2018/0074303 A1已知在x方向和y方向上具有不同数目的此类中间像的投射光学单元的示例。
在各个情况下，光瞳分面23中的一个恰好被分配给场分面21中的一个，用于在各个情况下形成用于照明物场5的照明通道。特别是，这可以根据科勒原理产生照明。远场借助于场分面21被分解成大量物场5。场分面21在分别分配给其的光瞳分面23上产生多个中间焦点像。
出于照明物场5的目的，在各个情况下通过分配的光瞳分面23将场分面21以彼此叠加的方式成像到掩模母版7上。物场5的照明特别是尽可能均匀的。它优选地具有小于2％的均匀性误差。场均匀性可以通过不同照明通道的叠加来实现。
投射光学单元10的入射光瞳的照明可以通过光瞳分面的布置在几何学上定义。投射光学单元10的入射光瞳中的强度分布可以通过选择照明通道，特别是引导光的光瞳分面的子集来设定。强度分布还被称为照明设定。
照明光学单元4的照明光瞳的定义的照明部分的区域中的同样优选的光瞳均匀性可以通过照明通道的重新分布来实现。
下面描述物场5的照明以及特别是投射光学单元10的入射光瞳的照明的其他方面和细节。
特别地，投射光学单元10可以具有同心入射光瞳。后者可能是可达到的。它也可能是不可达到的。
投射光学单元10的入射光瞳不能规律地使用光瞳分面反射镜22准确地照明。在将光瞳分面反射镜22的中心远心地成像在晶片13上的投射光学单元10进行成像的情况下，孔径射线通常不会在单个点相交。然而，可以找到成对确定的孔径射线的距离变得最小的区域。该区域表示入射光瞳或与其共轭的真实空间中的区域。特别是，该区域具有有限曲率。
投射光学单元10对于切向束路径和对于弧矢束路径的入射光瞳位置可以不同。在这种情况下，成像元件，特别是传输光学单元的光学部件部分，应该配备在第二分面反射镜22与掩模母版7之间。借助于该光学元件，可以考虑切向入射光瞳和弧矢入射光瞳的不同位置。
在图1中图示的照明光学单元4的部件布置中，光瞳分面反射镜22布置在与投射光学单元10的入射光瞳共轭的区域中。场分面反射镜20以相对于物平面6倾斜的方式布置。第一分面反射镜20相对于由偏转反射镜19限定的布置平面以倾斜的方式布置。
第一分面反射镜20被布置成相对于由第二分面反射镜22限定的布置平面倾斜。
图2示出了本发明的第一实施例并且示出了反射镜25，其例如对应于反射镜M1至M6或19、20、22中的一个或对应于图1中描述的投射曝光设备1的集光器反射镜。反射镜25部分地被壳体27包围，其中在壳体27与反射镜25之间形成一个小间隙28。所述间隙防止机械激励的传输并且允许在由壳体27围绕的区域与周围环境之间进行气体交换。
反射镜25包括反射镜表面26，该反射镜表面26受到用于成像目的EUV辐射16的照射。由于EUV辐射16对存在于投射曝光设备1的真空中的分子氢H2的作用，已知如等离子体29的物体在反射镜表面26上方形成。在该上下文中，本发明含义内的等离子体应理解为是指分子氢H2、H3 +离子和其他含H-离子、电子e-和原子氢H的混合物。此外，包括过滤器元件31的传感器32布置在壳体27的外部，过滤器元件包括通道形区域33，其在所示示例中具有管状实施例，并且特别地，能够具有矩形或圆形横截面。
此外，过滤器元件31的内表面被设计成当原子氢H入射到其上时存在低复合概率。对于金属的、氧化的和优选陶瓷表面特别是如此，其例如具有铝氧化物。过滤器元件31的长度与最小直径的纵横比在4:1至8:1之间，优选为6:1，其中最小高度应不超过4mm。过滤器元件31的一端朝向传感器32的方向，另一端穿透壳体27，使其突出到反射镜表面26上方的等离子体29中。
过滤器元件31被配置为仅向传感器32供应原子氢H。因此，如图所示，过滤器元件31优选地布置成相对于由箭头指示的EUV辐射16的方向成平角。这防止来自等离子体29的电子e-——该电子e-典型地垂直于EUV辐射16的束方向移动(在图2中以示例性方式指示，对于电子e-没有用箭头单独标记)——在非直接路径上到达传感器32，即不接触过滤器元件32的内表面中的一个。
电子e-和离子H3 +——即等离子体29的带电粒子已经通过与过滤器元件31接触而被消除，因此只有原子氢H到达传感器32。由于金属壳体29经常被氧化，例如在排气后，因此原子氢H的复合概率在千分之几到20％之间，这使得原子氢H甚至在与壳体27以及与过滤器元件31有多次接触的情况下可以前进到传感器32。
为了确定反射镜表面26上方的原子氢H的浓度，需要模拟等离子体中的离子H3 +、原子氢H和电子e-的浓度以及取决于过滤器元件31中随时间变化的表面质量的从等离子体到传感器32的路径上原子氢H的还原。必须考虑时间变化，因为特别是金属的表面在排气后可能会被氧化，导致复合概率低。然而，表面由于原子氢和离子等离子体物质穿透进入过滤器元件31的入口区域而相继还原，因此复合概率增加。通过在类似或相同几何和环境条件下的实验验证模拟。在所示的示例性实施例中，传感器32被设计为热通量传感器，其可以直接确定原子氢H的浓度。替代地，还可以例如通过碳蚀刻率来检测原子氢的浓度。碳样品的布置与热通量传感器的布置相同，因为传感器上的离子或电子同样会伪造结果。在这种情况下，可以通过透射测量、振动石英天平、椭偏测量或异位分析来确定蚀刻速率。
图3示出了本发明的其他实施例，其中同样示出了被壳体27围绕的反射镜25。与图2中描述的实施例相比，过滤器元件31集成在壳体27中。为了避免带电粒子(e-、H3 +)和具有过多能量的原子氢H的直接入射，这将导致利用的热通量传感器32中的测量误差，过滤器元件31形成有弯折部35。在所示的示例性实施例中，弯折部35为90度，弯折部35只需大到使得在等离子体29与传感器32之间没有视线，防止等离子体29中出现的元素(H、H2、H3 +、e-)中的一个直接入射在传感器32上。过滤器元件31具有形成为通道的第一部分33.1，其平行于反射镜25的反射镜表面26延伸并且由反射镜表面26和连接到壳体27的通道元件36形成。该第一部分33.1经由弯折部35连接到过滤器元件31的第二部分33.2，该第二部分由反射镜的侧面34和壳体27的延伸部30形成并且垂直于第一部分33.1延伸在反射镜25与壳体27之间。传感器32布置在第二部分33.2的端部。原则上，过滤器元件还可以形成磁场或电场，其使带电粒子H3 +、e-偏转使得它们就不会撞击传感器32。然而，在能量过多，即速度过快的情况下，不带电的原子氢H直接撞击传感器32可能会导致测量干扰。
下面将基于图4解释本发明的可能实施例的不同变型。在图4所示的示例中，反射镜25.1也位于壳体27.1内，并且由照明辐射16照射。此外，单独电子和H3+离子在图中用箭头指示的移动方向和速度来表示。在本发明的第一变型中，过滤器元件31.1——其基本上形成为笔直通道并且包括传感器32.1——配置有磁场通过的区域。在图中，这由载流导体的指示路线(未在图中单独标记)和B场的对应符号指示。由于B场的存在，进入过滤器元件31.1的带电粒子朝向过滤器元件的壁偏转，如基于图4a中的详细说明所阐明的。
在图4中的过滤器元件31.1下方示出了一个补充或替代的过滤器元件31.2。在这种情况下，借助于过滤器元件31.2改进了过滤器效果，该过滤器元件31.2的传感器32.2相对于入射或反射的照明辐射16的传播方向以相对平角布置。过滤器元件31.2的一端也朝向传感器32.2的方向，另一端不穿透壳体27.1，而是对壳体27.1的表面元件上的原子氢H的通量进行采样。这实现的是过滤器元件31.2的传感器32.2被尽可能少的光电子到达，光电子通过照明辐射16与位于光学元件25.1的区域中的等离子体或气体的相互作用而产生。出于说明目的，图5在未对图中所示的单独元素进行任何详细标记的情况下示出了光电子相对于电磁辐射传播方向(在所示示例中为线偏振电辐射)的双叶形方向分布。类似的东西适用于圆偏振。
包括壳体27.1的过滤器元件31.3的成角度的实施例的变型同样在图4中图示。在该过程中，由壳体27.1和光学元件25.1的几何形状产生彼此成角度布置的单独部分33.5至33.8。这同样导致对不需要的带电粒子的有效过滤，并因此有效保护传感器32.3。
具有两个部分33.4和33.3的成角度过滤器元件31.4的略微简化的实施例示出在图4中壳体27.1的左侧区域中，这些部分同样以一定角度布置，因此同样保护传感器32.4免受不需要的带电粒子的撞击。
附图标记列表
Figure BDA0003549214820000131
Figure BDA0003549214820000141

Claims (14)

1.一种半导体光刻的投射曝光设备(1)，包括用于确定光学元件(25、25.1)的区域中等离子体(29)中原子氢浓度的装置，其中所述装置包括传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4),
其特征在于，
所述装置还包括布置在所述等离子体(29)的区域与所述传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)之间的过滤器元件(31、31.1、31.2、31.3、31.4)，其中所述过滤器元件(31、31.1、31.2、31.3、31.4)被配置为主要允许原子氢从所述等离子体通行到所述传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)。
2.根据权利要求1所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述过滤器元件(31、31.1、31.2、31.3、31.4)包括用于所述原子氢通过的通道形区域(33、33.1-33.8)。
3.根据权利要求2所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述通道形区域(33、33.1-33.8)的内侧至少部分地形成为使得当原子氢入射在其上时存在低复合概率。
4.根据权利要求2或3所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述通道形区域(33、33.1-33.8)的长度与最小直径之比在20:1与4:1之间的范围内，优选地在8:1与4:1之间的范围内，特别优选地为至少在区段中为6:1的量级。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述通道形区域(33)相对于入射在所述光学元件(25、25.1)上的使用的辐射(16)的偏振方向以>30°的角度对准。
6.根据权利要求2至4中的任一项所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述通道形区域(33.1-33.8)具有成角度的实施例。
7.根据权利要求6所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述通道形区域(33、33.1、33.2)由所述光学元件(25、25.1)的主体与壳体(27.1)的相互作用来形成。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述光学元件(25、25.1)是所述投射曝光设备(1)的非致动反射镜。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
用于产生电场或磁场的装置布置在所述等离子体(29)的区域与所述传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)之间。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)被设计为热通量传感器。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)包括牺牲材料，所述牺牲材料当暴露于H自由基时经历蚀刻移除。
12.根据权利要求11所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述牺牲材料包含一种或多种物质Zn、Sn、Pb、In、P，优选地C或Si。
13.根据前述权利要求11或12所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
存在用于确定所述蚀刻移除的装置。
14.根据权利要求13所述的投射曝光设备(1)，
其特征在于，
所述装置被配置为进行透射测量、椭偏测量或石英微量天平的频移测量。
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