附图说明
在附图中,除非另外规定,否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或 相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解,这些附图 仅描绘了根据本公开的一些实施方式,而不应将其视为是对本公开范围的限制。
图1a为一种显示面板的截面结构示意图;
图1b为图1a所示显示面板的A向视图中一个子像素区域的示意图;
图2a为一种对第二基板进行光配向的流程示意图;
图2b为采用图2a对第二基板进行光配向后子像素区域的合成配向示意图;
图2c为采用图2b所示第二基板的显示面板的子像素区域的液晶层分子中 间态及暗线示意图;
图3a为另一种对第二基板进行光配向的流程示意图;
图3b为采用图3a对第二基板进行光配向后子像素区域的合成配向示意图;
图3c为采用图3b所示第二基板的显示面板的子像素区域的液晶层分子中 间态示意图;
图4a为一种对第一基板和第二基板进行光配向的流程示意图;
图4b为第一基板和第二基板贴合后的配向力示意图;
图4c为图4b所示显示基板的液晶层的转向示意图;
图5为图1所示显示面板在一实施例中的A向视图;
图6为一种狭缝电极的结构示意图;
图7a为图5所示显示面板在一个实施例中的第二基板的一个子像素区域的 示意图;
图7b为图5所示显示面板在一个实施例中的第一基板的一个子像素区域的 示意图;
图7c为图7a所示第二基板表面液晶分子的转向示意图;
图7d为图7b所示第一基板表面液晶分子的转向示意图;
图7e为图7a所示第二基板和图7b所示第一基板贴合后的液晶层中间态液 晶分子的转向示意图;
图8为一个实施例中形成图7a所示第二基板的流程示意图;
图9为图1所示显示面板在另一实施例中的A向视图;
图10a为图9所示显示面板在一个实施例中的第二基板的一个子像素区域 的示意图;
图10b为图9所示显示面板在一个实施例中的第一基板的一个子像素区域 的示意图;
图10c为图10a所示第二基板表面液晶分子的转向示意图;
图10d为图10b所示第一基板表面液晶分子的转向示意图;
图10e为图10a所示第二基板和图10b所示第一基板贴合后的液晶层中间 态液晶分子的转向示意图;
图11一个实施例中为形成图10a所示第二基板的流程示意图;
图12为图1所示显示面板在另一实施例中的A向视图;
图13a为第二畴区电场力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图;
图13b为第二畴区电场力俯视示意图及液晶分子转向示意图;
图14为图1所示显示面板在另一实施例中的A向视图;
图15a为图14所示显示面板在一个实施例中的第二基板的一个子像素区域 的示意图;
图15b为图14所示显示面板在一个实施例中的第一基板的一个子像素区域 的示意图;
图15c为图15a所示第二基板表面液晶分子的转向示意图;
图15d为图15b所示第一基板表面液晶分子的转向示意图;
图15e为图15a所示第二基板和图15b所示第一基板贴合后的液晶层中间 态液晶分子的转向示意图;
图16一个实施例中为形成图15a所示第二基板的流程示意图;
图17为图1所示显示面板在另一实施例中的A向视图;
图18a为图17所示显示面板在一个实施例中的第二基板的一个子像素区域 的示意图;
图18b为图17所示显示面板在一个实施例中的第一基板的一个子像素区域 的示意图;
图18c为图18a所示第二基板表面液晶分子的转向示意图;
图18d为图18b所示第一基板表面液晶分子的转向示意图;
图18e为图18a所示第二基板和图18b所示第一基板贴合后的液晶层中间 态液晶分子的转向示意图;
图19一个实施例中为形成图18a所示第二基板的流程示意图;
图20为图1所示显示面板在另一个实施例中的A向视图;
图21a为第三畴区电场力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图;
图21b为第三畴区电场力俯视示意图及液晶分子转向示意图;
图22a为本公开一实施例显示面板中狭缝电极的示意图;
图22b为本公开另一实施例显示面板中狭缝电极的示意图;
图22c为本公开另一实施例显示面板中狭缝电极的示意图;
图23a为采用图15a和图22c所示结构的显示面板的第一中心狭缝的电场 力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图;
图23b为采用图15a和图22c所示结构的显示面板的第二中心狭缝的电场 力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图;
图23c为采用图18a和图22c所示结构的显示面板的第一中心狭缝的电场 力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图;
图23d为采用图18a和图22c所示结构的显示面板的第二中心狭缝的电场 力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图。
附图标记说明:
10、第一基板;20、第二基板;30、液晶层;41、子像素区域;411、第一 畴区;412、第二畴区;413、第三畴区;414、第四畴区;421、第一中心轴; 422、第二中心轴;423、第一侧外边缘;424、第二侧外边缘;425、第一中心 狭缝;426、第二中心狭缝。
具体实施方式
在下文中,仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认 识到的那样,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可通过各种不同方式修 改所描述的实施例,不同的实施例在不冲突的情况下可以任意结合。因此,附 图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
图1a为一种显示面板的截面结构示意图,图1b为图1a所示显示面板的A 向视图中一个子像素区域的示意图。如图1a所示,显示面板可以包括相对设置 的第一基板10和第二基板20,以及设置在第一基板10和第二基板20之间的 液晶层30。示例性地,第一基板10和第二基板20中的一个可以为薄膜晶体管 (Thin Film Transistor,TFT)基板,另一个可以为彩膜(Color Filter,CF)基 板。
如图1b所示,显示面板包括多个子像素区域41,子像素区域41具有经过 中心的第一中心轴421和第二中心轴422,第一中心轴421和第二中心轴422 相互垂直,第一中心轴421可以沿子像素区域的长度方向。
可以采用SUVA Ⅲ对第二基板20进行光配向。图2a为一种对第二基板进 行光配向的流程示意图,图2b为采用图2a对第二基板进行光配向后子像素区 域的合成配向示意图;图2c为采用图2b所示第二基板的显示面板的子像素区 域的液晶层分子中间态及暗线示意图。图2b和图2c均为子像素区域的如图1a 所示的A向视图。
需要说明的是,为了区分液晶分子的两端,本文中采用锥体来表征液晶分 子,锥体的尖端表示液晶分子的尾部,锥体的大端表示液晶分子的头部,如图 2c所示。
子像素区域41沿第一中心轴421划分为依次相邻的第一畴区411、第二畴 区412、第三畴区413和第四畴区414。如图2a所示,先采用偏振分光棱镜 (Polarization BeamSplitter,PBS)PBS对第二基板20的四个畴区分别进行低 能量曝光,能量设定为1mJ~7mJ,四个畴区的光配向方向如图2a所示,各畴区 的光配向方向均与第二中心轴422相平行。然后采用线栅型(Wire Grid,WGP) 45°偏光片对四个畴区分别进行曝光,能量设定约为20mJ,各畴区的光配向方 向如图2a所示,各畴区的光配向方向均与第二中心轴422之间的夹角为45°。 需要说明的是,在对第二基板20进行曝光时,具体的曝光能量值需要根据不同 的聚酰亚胺(PI)进行设定。
图3a为另一种对第二基板进行光配向的流程示意图,图3b为采用图3a对 第二基板进行光配向后子像素区域的合成配向示意图;图3c为采用图3b所示 第二基板的显示面板的子像素区域的液晶层分子中间态示意图。在图3a所示的 光配向工艺中,先采用PBS对第二基板20的四个畴区分别进行低能量曝光, 能量设定为1mJ~7mJ,四个畴区的光配向方向如图3a所示,各畴区的光配向方 向均与第二中心轴422相平行。然后采用WGP 45°偏光片对四个畴区分别进 行曝光,能量设定约为20mJ,各畴区的光配向方向如图3a所示,各畴区的光 配向方向均与第二中心轴422之间的夹角为45°。
上述两个示例中,将PBS低能量和WGP高能量两种曝光合成后,子像素 区域的各畴区的光配向方向分别如图2b和图3b所示所示。由于图2b中各畴区 的光配向方向为图2a所示两种配向的合成配向,图3b中各畴区的光配向方向 为图3a所示两种配向的合成配向,因此,图2b和图3b中各畴区的合成后的光 配向方向均与水平方向之间的夹角小于45°。从而,各畴区内液晶分子的方位 角小于45°,如图2c和图3c所示。需要说明的是,在图2c或图3c所示的示 意图中,液晶分子的方位角为液晶层30的中间态液晶分子与子像素区域的第二 中心轴422(图1中为水平方向)之间的夹角。
通过采用图2a或图3a所示曝光流程对第二基板20进行光配向后,显示面 板的左右视角色偏得到改善。图2a和图3a所示的光配向方式,在显示面板的 光配向过程中,曝光的总次数为8次,降低了显示面板的产能。
图4a为一种对第一基板和第二基板进行光配向的流程示意图,图4b为第 一基板和第二基板贴合后的配向力示意图;图4c为图4b所示显示基板的液晶 层的转向示意图。图4b中,虚线箭头代表的配向力位于第二基板20,实线箭 头代表的配向力位于第一基板10上。在一种实例中,子像素区域被第一中心轴 421和第二中心轴422划分为四个畴区,分别为第一畴区411、第二畴区412、 第三畴区413和第四畴区414。可以采用SUVA Ⅴ工艺对第一基板10和第二基 板20进行光配向,如图4a所示,采用WGP 45°偏光板对第一基板10进行四次曝光,可以得到与第二中心轴422相平行的相反的配向方向,第二畴区412 和第三畴区413的配向方向均朝向远离第一中心轴421的方向,第一畴区411 和第四畴区414的配向方向均朝向远离第一中心轴421的方向。采用WGP 45° 偏光板对第二基板20进行四次曝光,可以得到与第一中心轴421相平行的相反 的配向方向,第一畴区411和第二畴区412的配向方向均朝向第二中心轴422, 第三畴区413和第四畴区414的配向方向均朝向第二中心轴422。第二基板20 和第一基板10贴合后,显示基板的配向方向如图4b所示,图4b中,第一基板 10的配向层朝向上侧。图4c示出了第一基板10表面液晶转向、第二基板20 表面液晶转向以及中间态液晶分子转向及暗线。如图4c所示,暗线包括一条横 向暗线和一条纵向暗线,暗线形态成“十”字型,暗线长度为(4/3)a。现有 技术中,暗线长度为(8/3)a,因此,采用图4a所示光配向工艺进行配向后, 显示基板的暗线占比为现有量产工艺的50%,暗线缩短了50%。
采用SUVA Ⅴ工艺,第一基板10和第二基板20均需要曝光,曝光总次数 8次,产能损失较大,降低了显示面板的产能。
图5为图1所示显示面板在一实施例中的A向视图,图5中示出了各畴区 的光配向方向和狭缝电极。本公开实施例提供一种显示面板,如图1和图5所 示,显示面板包括相对设置的第一基板10和第二基板20,以及位于第一基板 10和第二基板20之间的液晶层30。显示面板包括多个子像素区域,子像素区 域被划分为m个依次相邻的畴区,第一基板10和第二基板20中的一个基板的 各畴区均设置有光配向方向,另一个基板的各畴区均设置有狭缝电极。其中, 各畴区的光配向方向相互平行,各畴区的狭缝电极中的狭缝的延伸方向与光配 向方向不平行,其中,m为大于0的偶数。
示例性地,图5中示出的子像素区域,子像素区域划分为4个畴区。实际 实施中,m的具体数值可以根据需要设定,例如,m可以为2或4等大于0的 偶数。在一个实施例中,m为4,即子像素区域被划分为4个依次相邻的畴区。
图6为一种狭缝电极的结构示意图。示例性地,狭缝电极可以包括电极层 以及开设在电极层上的相互平行的多个狭缝(slit)。例如,可以在基板的一侧 形成电极层,对电极层进行图案化处理,去除位于狭缝位置的电极材料,在电 极层上开设出多个狭缝,从而形成狭缝电极。狭缝电极的材料可以为透明导电 材料,例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌等。图6中示出的狭缝沿水平方向, 可以理解的是,具体实施中,狭缝的延伸方向可以根据需要设置。
示例性地,光配向层的材质可以为聚酰亚胺(PI),可以采用光配向技术例 如采用SUVA Ⅲ或SUVAⅤ技术对光配向薄膜进行曝光,在光配向薄膜上形成 预设的光配向方向,从而形成光配向层。
示例性地,各畴区的狭缝电极中的狭缝的延伸方向与光配向方向不平行, 各畴区的狭缝电极中的狭缝的延伸方向与光配向方向之间最大为90°,从而, 液晶层30中液晶分子的方位角最大为45°。
相关技术中,为了使得液晶层30具有合适的方位角,需要采用8次曝光, 降低了显示面板的产能。
本公开实施例的显示面板中,第一基板10和第二基板20中的一个基板的 各畴区均设置有光配向方向,另一个基板的各畴区均设置有狭缝电极,各畴区 的光配向方向相互平行,各畴区的狭缝电极中的狭缝的延伸方向与光配向方向 不平行。从而,显示面板中液晶层30的液晶分子由单侧模式变更为旋转模式, 有利于减小各畴区内液晶分子的方位角,有利于改善显示面板的色偏状况;并 且,只对第一基板10和第二基板20中的一个基板进行光配向,减小了对显示 面板的总曝光次数,提升了显示面板的产能。
示例性地,图5所示的显示面板中,光配向方向设置在第二基板20上,狭 缝电极设置在第一基板10上。需要说明的是,在其它实施例中,光配向方向可 以设置在第一基板10上,狭缝电极可以设置在第二基板20上。
在一种实施方式中,如图5所示,每相邻两个畴区的狭缝电极可以相互对 称,在自第一基板10和第二基板20的一个朝向另一个的方向上,每相邻两个 畴区的液晶分子的旋转状态对称。从而,显示面板中,各子像素区域内液晶分 子转向对称,可以缩短显示面板的暗线长度,提高显示面板的透过率。
在一种实施方式中,每相邻两个畴区的狭缝电极相互对称,如图5所示, 各畴区的狭缝电极中的狭缝与第二中心轴422所在方向成预设夹角θ,45° ≤θ≤90°,其中,第二中心轴422经过子像素区域的中心。
需要说明的是,图5为子像素区域的平面示意图,实际中,子像素区域设 置有位于第一基板10和第二基板20之间的液晶层30。将各畴区的狭缝电极中 的狭缝与第二中心轴422所在方向设置为成预设夹角θ,45°≤θ<90°,可以使 得各畴区液晶分子的方位角小于45°,也就是说,各畴区液晶层30中间态液 晶分子与第二中心面之间的夹角小于45°,第二中心面为经过第二中心轴422 且与第一基板10相垂直的平面。这样的设置方式,显示面板在第二中心轴422 方向上的色偏水准较好,改善了显示面板在第二中心轴422方向上的色偏问题。
在一种实施方式中,60°≤θ≤80°。示例性地,预设夹角θ可以为60°~80° 之间的任意数值。例如,预设夹角可以为60°、70°或80°。这样的方式,可 以使得各畴区液晶分子的方位角位于30°~40°,进一步提高显示面板在第二 中心轴422方向上的色偏水准,提高显示效果。
在一种实施方式中,子像素区域沿第一中心轴421所在的方向划分为四个 依次相邻的第一畴区411、第二畴区412、第三畴区413和第四畴区414,四个 畴区的光配向方向均与第二中心轴422相平行,第一畴区411和第四畴区414 的光配向方向均朝向子像素区域的与第一中心轴421相平行的一侧外边缘,第 二畴区412和第三畴区413的光配向方向均与第一畴区411的光配向方向相反。 其中,第一中心轴421经过子像素区域的中心,第二中心轴422经过子像素区 域的中心且与第一中心轴421相垂直。
示例性地,如图5所示,子像素区域沿第一中心轴421所在的方向自上而 下划分为四个依次相邻的的第一畴区411、第二畴区412、第三畴区413和第四 畴区414,四个畴区的光配向方向均与第二中心轴422相平行。第一畴区411 和第四畴区414的光配向方向均朝向子像素区域的与第一中心轴421相平行的 第一侧外边缘423(图5中为右侧外边缘),第二畴区412和第三畴区413的光 配向方向均朝向子像素区域的与第一中心轴421相平行的第二侧外边缘424(图 5中为左侧外边缘)。
将第一畴区411和第四畴区414的光配向方向设置为相同,将第二畴区412 和第三畴区413的光配向方向设置为与第一畴区411的光配向方向相反,有利 于实现相邻两个畴区的液晶分子的旋转状态相反,进而有利于实现相邻两个畴 区的液晶分子的旋转状态对称。
图7a为图5所示显示面板在一个实施例中的第二基板的一个子像素区域的 示意图,图7b为图5所示显示面板在一个实施例中的第一基板的一个子像素区 域的示意图。
在一种实施方式中,显示面板的显示侧位于第二基板20的背离第一基板 10的一侧,光配向方向设置在第二基板20,狭缝电极设置在第一基板10,如 图7a和图7b所示。每相邻两个畴区的狭缝电极相互对称,第一畴区411中狭 缝电极的狭缝与第二中心轴422所在方向成预设夹角θ,预设夹角θ朝向与第 一畴区411的光配向方向相反的一侧。
示例性地,如图7b所示,第一畴区411和第二畴区412的狭缝电极相互对 称,第二畴区412和第三畴区413的狭缝电极相互对称,第三畴区413和第四 畴区414的狭缝电极相互对称。第一畴区411中狭缝电极的狭缝与第二中心轴 422所成的预设夹角θ朝向左侧,第一畴区411的光配向方向朝向第一侧外边 缘423(右侧外边缘),因此,第一畴区411中狭缝电极的狭缝与第二中心轴422 所成的预设夹角θ朝向与第一畴区411的光配向方向相反的一侧,即朝向第二 侧外边缘424(左侧外边缘)。
图7c为图7a所示第二基板表面液晶分子的转向示意图,图7d为图7b所 示第一基板表面液晶分子的转向示意图,图7e为图7a所示第二基板和图7b所 示第一基板贴合后的液晶层中间态液晶分子的转向示意图,图7c、图7d和图 7e均为沿图1中的A向视图。从图7c、图7d和图7e可以看出,自第二基板 20朝向第一基板10,第一畴区411的液晶分子顺时针旋转,第二畴区412的液 晶分子逆时针旋转,第三畴区413的液晶分子顺时针旋转,第四畴区414的液 晶分子逆时针旋转,相邻两个畴区的液晶分子的旋转方向相反,相邻两个畴区 的液晶分子的旋转状态对称。
图8一个实施例中为形成图7a所示第二基板的流程示意图,图8中的第二 基板20的膜面即配向层面朝上。如图8所示,可以采用PBS分别对四个畴区 进行曝光,第一畴区411和第四畴区414的光配向方向均朝向第一侧外边缘423 且与第二中心轴422相平行,第二畴区412和第三畴区413的光配向方向均朝 向第二侧外边缘424且与第二中心轴422相平行,从而,对第二基板20进行4 次曝光后得到图7a所示的第二基板20的光配向方向。
图9为图1所示显示面板在另一实施例中的A向视图,图9中示出了各畴 区的光配向方向和狭缝电极。示例性地,如图9所示,子像素区域沿第一中心 轴421所在的方向自上而下划分为四个依次相邻的的第一畴区411、第二畴区 412、第三畴区413和第四畴区414,四个畴区的光配向方向均与第二中心轴422 相平行。第一畴区411和第四畴区414的光配向方向均朝向子像素区域的与第 一中心轴421相平行的第二侧外边缘424(图9中为左侧外边缘),第二畴区412 和第三畴区413的光配向方向均朝向子像素区域的与第一中心轴421相平行的 第一侧外边缘423(图5中为右侧外边缘)。
图10a为图9所示显示面板在一个实施例中的第二基板的一个子像素区域 的示意图,图10b为图9所示显示面板在一个实施例中的第一基板的一个子像 素区域的示意图。在一种实施方式中,显示面板的显示侧位于第二基板20的背 离第一基板10的一侧,光配向方向设置在第二基板20,狭缝电极设置在第一 基板10,如图10a和图10b所示。每相邻两个畴区的狭缝电极相互对称,第一 畴区411中狭缝电极的狭缝与第二中心轴422所在方向成预设夹角θ,预设夹 角θ朝向与第一畴区411的光配向方向相反的一侧。
示例性地,如图10a和图10b所示,第一畴区411和第二畴区412的狭缝 电极相互对称,第二畴区412和第三畴区413的狭缝电极相互对称,第三畴区 413和第四畴区414的狭缝电极相互对称。第一畴区411中狭缝电极的狭缝与 第二中心轴422所成的预设夹角θ朝向右侧,第一畴区411的光配向方向朝向 第二侧外边缘424(左侧外边缘),因此,第一畴区411中狭缝电极的狭缝与第 二中心轴422所成的预设夹角θ朝向与第一畴区411的光配向方向相反的一侧, 即朝向第一侧外边缘423(右侧外边缘)。
图10c为图10a所示第二基板表面液晶分子的转向示意图,图10d为图10b 所示第一基板表面液晶分子的转向示意图,图10e为图10a所示第二基板和图 10b所示第一基板贴合后的液晶层中间态液晶分子的转向示意图,图10c、图 10d和图10e均为沿图1中的A向视图。从图10c、图10d和图10e可以看出, 自第二基板20朝向第一基板10,第一畴区411的液晶分子逆时针旋转,第二 畴区412的液晶分子顺时针旋转,第三畴区413的液晶分子逆时针旋转,第四 畴区414的液晶分子顺时针旋转,相邻两个畴区的液晶分子的旋转方向相反, 相邻两个畴区的液晶分子的旋转状态对称。
图11一个实施例中为形成图10a所示第二基板的流程示意图,图11中的 第二基板20的膜面即配向层面朝上。如图11所示,可以采用PBS分别对四个 畴区进行曝光,第一畴区411和第四畴区414的光配向方向均朝向第二侧外边 缘424且与第二中心轴422相平行,第二畴区412和第三畴区413的光配向方 向均朝向第一侧外边缘423且与第二中心轴422相平行,从而,对第二基板20 进行4次曝光后得到图10a所示的第二基板20的光配向方向。
在一种实施方式中,如图7b和图10b所示,预设夹角θ中,45°≤θ<90°。 示例性地,60°≤θ≤80°。
因此,图5和图9所示的显示面板,一共需要4次曝光,相比于8次曝光, 本公开实施例的显示面板的曝光次数大大减少,提高了显示面板的产能。
图12为图1所示显示面板在另一实施例中的A向视图,图12中示出了各 畴区的光配向方向和狭缝电极。在一种实施方式中,如图12所示,光配向方向 设置在第一基板10,狭缝电极设置在第二基板20,每相邻两个畴区的狭缝电极 相互对称,第一畴区411中狭缝电极的狭缝与第二中心轴422所在方向成预设 夹角θ,预设夹角θ朝向与第一畴区411的光配向方向相同的一侧。
示例性地,如图12所示,子像素区域沿第一中心轴421所在的方向自上而 下划分为四个依次相邻的的第一畴区411、第二畴区412、第三畴区413和第四 畴区414,四个畴区的光配向方向均与第二中心轴422相平行。第一畴区411 和第四畴区414的光配向方向均朝向子像素区域的与第一中心轴421相平行的 第二侧外边缘424(图12中为左侧外边缘),第二畴区412和第三畴区413的 光配向方向均朝向子像素区域的与第一中心轴421相平行的第一侧外边缘423 (图12中为右侧外边缘)。
示例性地,如图12所示,第一畴区411中狭缝电极的狭缝与第二中心轴 422所成的预设夹角θ朝向左侧,第一畴区411的光配向方向朝向第二侧外边 缘424(左侧外边缘),因此,第一畴区411中狭缝电极的狭缝与第二中心轴422 所成的预设夹角θ朝向与第一畴区411的光配向方向相同的一侧,即朝向第二 侧外边缘424(左侧外边缘)。
图5、图9、图12所示实施例中,第一基板10和第二基板20的其中一个 上设置光配向方向,另一个上设置狭缝电极,液晶分子在光配向方向的配向力 和狭缝电极的电场力作用下,完成方位角旋转,使得液晶层30形成4个畴区分 割,各畴区的方位角小于45°,提高了显示面板在第二中心轴422方向上的色 偏水准,提高了显示效果。
下面以图5所示显示面板为例简要说明液晶分子的转向原理。图13a为第 二畴区电场力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图,图13b为第二畴区电 场力俯视示意图及液晶分子转向示意图,在图13a和图13b中,第一基板10可 以为阵列基板(TFT基板),第二基板20可以为彩膜基板(CF基板)。如图13a 和图13b所示,第二基板20侧曝光,液晶分子依据配向力方向进行倾倒,第一 基板10侧设置狭缝电极,液晶分子在第二基板20配向力及第一基板10狭缝电 极电场力作用下,完成方位角旋转,形成4个畴区分割。
图14为图1所示显示面板在另一实施例中的A向视图,图14中示出了各 畴区的光配向方向和狭缝电极;图15a为图14所示显示面板在一个实施例中的 第二基板的一个子像素区域的示意图,图15b为图14所示显示面板在一个实施 例中的第一基板的一个子像素区域的示意图。在一种实施方式中,如图14所示, 子像素区域被第一中心轴421和第二中心轴422划分为依次相邻的第一畴区411、 第二畴区412、第三畴区413和第四畴区414,各畴区的光配向均与第一中心轴 421或第二中心轴422中的一个相平行。各畴区的狭缝电极中的狭缝与第二中 心轴422所在方向成预设夹角θ,各畴区的预设夹角θ均与对应畴区的与第一中心轴421相平行的外边缘相对。其中,第一中心轴421经过子像素区域的中 心,第二中心轴422经过子像素区域的中心且与第一中心轴421相垂直。
在图14中,第一畴区411、第二畴区412、第三畴区413和第四畴区414 逆时针排列,在其他实施例中,四个畴区可以沿顺时针方向排列。
示例性地,如图14所示,各畴区的光配向均与第二中心轴422相平行。第 一畴区411的预设夹角θ朝向第一畴区411的与第一中心轴421相平行的外边 缘(右侧外边缘),第二畴区412的预设夹角θ朝向左侧外边缘,第三畴区413 的预设夹角θ朝向左侧外边缘,第四畴区414的预设夹角θ朝向右侧外边缘。
示例性地,各畴区的光配向方向的趋向方向相同,趋向方向包括朝向子像 素区域的外侧和朝向子像素区域的内侧。在图14所示实施例中,各畴区的光配 向方向均朝向子像素区域的内侧。
在一种实施方式中,显示面板的显示侧位于第二基板20的背离第一基板 10的一侧,光配向方向设置在第二基板20,狭缝电极设置在第一基板10,如 图15a和图15b所示。每相邻两个畴区的狭缝电极相互对称,各畴区的光配向 方向均与第一中心轴421或第二中心轴422中的一个中心轴相平行,且均朝向 另一个中心轴。
示例性地,如图15a和图15b所示,第一畴区411和第二畴区412的狭缝 电极相互对称,第二畴区412和第三畴区413的狭缝电极相互对称,第三畴区 413和第四畴区414的狭缝电极相互对称。各畴区的光配向方向均与第二中心 轴422相平行,且均朝向第一中心轴421。
图15c为图15a所示第二基板表面液晶分子的转向示意图,图15d为图15b 所示第一基板表面液晶分子的转向示意图,图15e为图15a所示第二基板和图 15b所示第一基板贴合后的液晶层中间态液晶分子的转向示意图,图15c、图 15d和图15e均为沿图1中的A向视图。从图15c、图15d和图15e可以看出, 自第二基板20朝向第一基板10,第一畴区411的液晶分子逆时针旋转,第二 畴区412的液晶分子顺时针旋转,第三畴区413的液晶分子逆时针旋转,第四 畴区414的液晶分子顺时针旋转,相邻两个畴区的液晶分子的旋转方向相反, 相邻两个畴区的液晶分子的旋转状态对称。
图16一个实施例中为形成图15a所示第二基板的流程示意图,图16中的 第二基板20的膜面即配向层面朝上。如图16所示,可以采用WGP 45°偏光 片对四个畴区进行曝光,每次曝光方向如图16所示。第一次曝光,对第一畴区411和第四畴区414进行曝光,曝光方向自与第二侧外边缘424朝向第一中心 轴421且逐渐靠近与第二中心轴422相平行的下侧外边缘;第二次曝光,对第 一畴区411和第四畴区414进行曝光,曝光方向自与第二侧外边缘424朝向第 一中心轴421且逐渐远离与第二中心轴422相平行的下侧外边缘;第三次曝光, 对第二畴区412和第三畴区413进行曝光,曝光方向自与第一侧外边缘423朝 向第一中心轴421且逐渐靠近与第二中心轴422相平行的下侧外边缘;第四次 曝光,对第二畴区412和第三畴区413进行曝光,曝光方向自与第一侧外边缘 423朝向第一中心轴421且逐渐远离与第二中心轴422相平行的下侧外边缘。 从而,对第二基板20进行4次曝光后得到图15a所示的第二基板20的光配向 方向。
图17为图1所示显示面板在另一实施例中的A向视图,图17中示出了各 畴区的光配向方向和狭缝电极;图18a为图17所示显示面板在一个实施例中的 第二基板的一个子像素区域的示意图,图18b为图17所示显示面板在一个实施 例中的第一基板的一个子像素区域的示意图。
示例性地,如图17和图18a所示,各畴区的光配向均与第一中心轴421相 平行,且均朝向第二中心轴422。
图18c为图18a所示第二基板表面液晶分子的转向示意图,图18d为图18b 所示第一基板表面液晶分子的转向示意图,图18e为图18a所示第二基板和图 18b所示第一基板贴合后的液晶层中间态液晶分子的转向示意图,图18c、图 18d和图18e均为沿图1中的A向视图。从图18c、图18d和图18e可以看出, 自第二基板20朝向第一基板10,第一畴区411的液晶分子顺时针旋转,第二 畴区412的液晶分子逆时针旋转,第三畴区413的液晶分子顺时针旋转,第四 畴区414的液晶分子逆时针旋转,相邻两个畴区的液晶分子的旋转方向相反, 相邻两个畴区的液晶分子的旋转状态对称。
图19一个实施例中为形成图18a所示第二基板的流程示意图,图19中的 第二基板20的膜面即配向层面朝上。如图19所示,可以采用WGP 45°偏光 片对四个畴区进行曝光,每次曝光方向如图19所示。第一次曝光,对第一畴区 411和第二畴区412进行曝光,曝光方向自与第二中心轴422相平行的上侧外 边缘朝向第二中心轴422且逐渐远离第二侧外边缘424;第二次曝光,对第一 畴区411和第二畴区412进行曝光,曝光方向自与第二中心轴422相平行的上 侧外边缘朝向第二中心轴422且逐渐靠近第二侧外边缘424;第三次曝光,对第三畴区413和第四畴区414进行曝光,曝光方向自与第二中心轴422相平行 的下侧外边缘朝向第二中心轴422且逐渐远离第二侧外边缘424;第四次曝光, 对第三畴区413和第四畴区414进行曝光,曝光方向自与第二中心轴422相平 行的下侧外边缘朝向第二中心轴422且逐渐靠近第二侧外边缘424。从而,对 第二基板20进行4次曝光后得到图18a所示的第二基板20的光配向方向。
在一种实施方式中,如图15b和图18b所示,预设夹角θ中,45°≤θ<90°。 示例性地,60°≤θ≤80°。
在图17所示显示面板中,45°<θ<90°的情况下,各畴区的方位角大于45°, 也就是说,各畴区的中间态液晶分子与第二中心轴422之间的夹角大于45°。 但是,各畴区的中间态液晶分子与第一中心轴421之间的夹角小于45°,因此, 图17所示显示面板在第一中心轴421方向上的色偏水准较好。
因此,图14和图17所示的显示面板,一共需要4次曝光,相比于8次曝 光,本公开实施例的显示面板的曝光次数大大减少,提高了显示面板的产能。
图20为图1所示显示面板在另一个实施例中的A向视图,图20示出了各 畴区的光配向反向和狭缝电极。在一种实施方式中,如图20所示,光配向方向 设置在第一基板10,狭缝电极设置在第二基板20,每相邻两个畴区的狭缝电极 相互对称。各畴区的光配向方向均与第一中心轴421或第二中心轴422中的一 个中心轴相平行,且均朝向远离另一个中心轴的方向。
示例性地,如图20所示,各畴区的光配向方向均与第二中心轴422相平行, 且均朝向远离第一中心轴421的方向。在另一个实施例中,各畴区的光配向方 向可以均与第一中心轴421相平行,且均朝向远离第二中心轴422的方向。
图14、图17、图20所示实施例中,第一基板10和第二基板20的其中一 个上设置光配向方向,另一个上设置狭缝电极,液晶分子在光配向方向的配向 力和狭缝电极的电场力作用下,完成方位角旋转,使得液晶层30形成4个畴区 分割。图14和图20的各畴区的方位角小于45°,提高了显示面板在第二中心 轴422方向上的色偏水准,提高了显示效果。
下面以图14所示显示面板为例简要说明液晶分子的转向原理。图21a为第 三畴区电场力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图,图21b为第三畴区电 场力俯视示意图及液晶分子转向示意图。在图21a和图21b中,第一基板10为 阵列基板(TFT基板),第二基板20为彩膜基板(CF基板),如图21a和图21b 所示,CF基板侧曝光,液晶分子依据配向力方向进行倾倒,阵列基板侧设置狭 缝电极,液晶分子在CF基板配向力及TFT基板狭缝电极电场力作用下,完成 方位角旋转,形成4个畴区分割。
图22a为本公开一实施例显示面板中狭缝电极的示意图。图22b为本公开 另一实施例显示面板中狭缝电极的示意图;图22c为本公开另一实施例显示面 板中狭缝电极的示意图。
如图22a所示,在一种实施方式中,狭缝电极还可以包括第一中心狭缝425, 第一中心狭缝425经过子像素区域的中心且与第一中心轴421相平行。
如图22b所示,在一种实施方式中,狭缝电极还可以包括第二中心狭缝426, 第二中心狭缝426经过子像素区域的中心且与第二中心轴422相平行。
如图22c所示,在一种实施方式中,狭缝电极还可以包括第一中心狭缝425 和第二中心狭缝426,第一中心狭缝425经过子像素区域的中心且与第一中心 轴421相平行,第二中心狭缝426经过子像素区域的中心且与第二中心轴422 相平行。
需要说明的是,第一中心狭缝425的长度和第二中心狭缝426的长度可以 根据需要设置,例如,第一中心狭缝425不能将子像素区域左右两侧的电极层 隔断,第二中心狭缝426不能将子像素区域上下两侧的电极层隔断,要保证子 像素区域内电极层的连接。
示例性地,可以将光配向方向设置在第一基板10和第二基板20其中的一 个基板上,将狭缝电极设置在另一个基板上。例如,将光配向方向设置在第二 基板20上,将狭缝电极设置在第一基板10上,第二基板20可以采用如图15a 所示的结构,第一基板10上的狭缝电极可以采用如图22a、图22b或图22c所 示的结构。
图23a为采用图15a和图22c所示结构的显示面板的第一中心狭缝的电场 力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图,在图23a中,第一基板10为TFT 基板,第二基板20为CF基板。如图23a所示,电场力作用下,液晶分子旋转 方向a与配向力作用下液晶分子旋转方向b相反,相互作用下液晶分子不安定, 暗线区域比较大,因此,设置第一中心狭缝425的效果相比于不设置第一中心 狭缝425的效果较差。
图23b为采用图15a和图22c所示结构的显示面板的第二中心狭缝的电场 力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图,在图23b中,第一基板10为TFT 基板,第二基板20为CF基板。如图23b所示,第二中心狭缝426电场力作用 下,液晶分子旋转方向c与畴区内电场作用下液晶分子旋转方向d相反,相互 作用下液晶分子不安定,暗线区域比较大,因此,设置第二中心狭缝426的效 果相比于不设置第二中心狭缝426的效果较差。
图23c为采用图18a和图22c所示结构的显示面板的第一中心狭缝的电场 力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图,在图23c中,第一基板10为TFT 基板,第二基板20为CF基板。如图23c所示,第一中心狭缝425电场力作用 下,液晶分子旋转方向a与畴区内电场作用下液晶分子旋转方向b相反,相互 作用下液晶分子不安定,暗线区域比较大,因此,设置第一中心狭缝425的效 果相比于不设置第一中心狭缝425的效果较差。
图23d为采用图18a和图22c所示结构的显示面板的第二中心狭缝的电场 力截面斜视角示意图及液晶分子转向示意图,在图23d中,第一基板10为TFT 基板,第二基板20为CF基板。如图23d所示,电场力作用下,液晶分子旋转 方向c与配向力作用下液晶分子旋转方向d相反,相互作用下液晶分子不安定, 暗线区域比较大,因此,设置第二中心狭缝426的效果相比于不设置第二中心 狭缝426的效果较差。
在图14、图17和图20所示实施例中,可以采用SUVAⅤ模式对基板进行 曝光,可以适用于大基板的曝光配向,大基板可以划分为多个不同PPI的基板, 曝光四次,可以实现对大基板上多个基板的曝光配向,提高生产效率。
基于前述实施例的发明构思,本公开实施例还提供了一种显示装置,该显 示装置包括采用实施例的显示面板。显示装置可以为:手机、平板电脑、电视 机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部 件。
在本说明书的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长 度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、 “顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指 示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本 公开和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、 以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相 对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二” 的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中,“多 个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、 “固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接, 或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接,还可以是通信;可以是直接相 连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的 相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述 术语在本公开中的具体含义。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或 之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直 接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、 “上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特 征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括 第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二 特征。
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。 为了简化本公开,上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅 为示例,并且目的不在于限制本公开。此外,本公开可以在不同例子中重复参 考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨 论各种实施方式和/或设置之间的关系。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此, 任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到其各 种变化或替换,这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护 范围应以权利要求的保护范围为准。