CN115101020B - 控制电路和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种控制电路和显示装置,主要涉及显示技术领域,能够降低高温状态下LCD存在残像的风险。其中,控制电路包括第一开关,第一开关的第一端用于接收关断电压信号,第一开关的第二端用于在第一开关导通时输出关断电压信号,关断电压信号用于关断阵列基板,控制电路还包括调节模块,调节模块包括温度检测单元和调节单元,调节单元分别与温度检测单元和第一开关连接。温度检测单元用于检测阵列基板的温度,并根据阵列基板的温度确定补偿电压,调节单元用于根据补偿电压调节关断电压信号的电压。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种控制电路和显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)在长时间的工作状态下会出现残像,即LCD在切换显示的画面时,显示器上会残留一帧画面的残影。LCD残像严重时,会影响到LCD的显示效果。
发明内容
为解决上述问题,本申请提供一种控制电路和显示装置,能够降低高温状态下LCD存在残像的风险。
第一方面,本申请提供一种控制电路,应用于显示面板,显示面板包括相对设置的阵列基板和对置基板,控制电路包括第一开关,第一开关的第一端用于接收关断电压信号,第一开关的第二端用于在第一开关导通时输出关断电压信号,关断电压信号用于关断阵列基板,控制电路还包括调节模块,调节模块包括温度检测单元和调节单元,调节单元分别与温度检测单元和第一开关连接。温度检测单元用于检测阵列基板的温度,并根据阵列基板的温度确定补偿电压,调节单元用于根据补偿电压调节关断电压信号的电压。
在一种可能的设计方式中,调节单元的第一输入端与温度检测单元连接,调节单元的第二输入端用于接收关断电压信号,调节单元的输出端与第一端连接,调节单元具体用于根据补偿电压调节第二输入端接收到的关断电压信号的电压调节为标准关断电压。
在一种可能的设计方式中,调节单元包括第一运算放大器和第二运算放大器。第一运算放大器的同相输入端与温度检测单元相连,第一运算放大器的反向输入端接地,第一运算放大器的输出端与第二运算放大器的反相输入端相连,第二运算放大器的同相输入端为调节单元的第二输入端,第二运算放大器的输出端为调节单元的输出端。
在一种可能的设计方式中,调节单元还包括第一缓冲器,第一缓冲器的反相输入端与第二运算放大器的输出端相连,第一缓冲器的输出端为调节单元的输出端。
在一种可能的设计方式中,调节单元的第一输入端与温度检测单元连接,调节单元的第二输入端与第二端连接,调节单元的输出端与阵列基板相连,调节单元具体用于根据补偿电压调节第二输入端接收到的关断电压信号的电压调节为标准关断电压。
在一种可能的设计方式中,调节单元包括第三运算放大器、第四运算放大器。第三运算放大器的同相输入端与温度检测单元相连,第三运算放大器的反向输入端接地,第三运算放大器的输出端与第四运算放大器的反相输入端相连,第四运算放大器的同相输入端为调节单元的第二输入端,第四运算放大器的输出端为调节单元的输出端。
在一种可能的设计方式中,调节单元还包括第二缓冲器,第二缓冲器的反相输入端与第四运算放大器的输出端相连,第二缓冲器的输出端为调节单元的输出端。
在一种可能的设计方式中,温度检测单元包括温度传感器和补偿模块,温度传感器与补偿模块的第三输入端相连,补偿模块的第四输入端用于接收关断电压信号,补偿模块的输出端与调节单元的第一输入端相连,温度传感器用于将控制电路的温度转换为电压信号输出给补偿模块,补偿模块用于根据电压信号和关断电压信号确定补偿电压。
在一种可能的设计方式中,补偿模块包括比较器和第二开关,比较器的一输入端为补偿模块的第三输入端,比较器的另一输入端为补偿模块的第四输入端,比较器的输出端与第二开关的一端相连,第二开关的另一端为补偿模块的输出端。
第二方面,本申请还提供一种显示装置,显示装置包括第一方面任一可选方式所述的控制电路。
本申请提供的控制电路上设置有调节模块,该调节模块与第一开关连接,能够根据阵列基板的温度调节关断电压信号的电压,使得在任意温度下,输入给阵列基板的关断电压信号的电压为对应温度下预设的标准关断电压,从而在一定程度上避免TFT列基板中TFT的漏电流增大,进而避免了高温状态下,由于漏电流增大导致LCD显示残像的现象。
本申请的构造以及它的其他目的及有益效果将会通过结合附图进行详细说明,以保证对优选实施例的描述更加明显易懂。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例一提供的控制电路的结构示意图一;
图2是本申请实施例一提供的控制电路的结构示意图二;
图3是本申请实施例一提供的漏电流变化示意图;
图4是本申请实施例一提供的第一温度传感器模块的结构示意图;
图5是本申请实施例一提供的控制电路的结构示意图三;
图6是本申请实施例一提供的控制电路的结构示意图四;
图7是本申请实施例一提供的控制电路的结构示意图五;
图8是本申请实施例一提供的控制电路的结构示意图六;
图9是本申请实施例一提供的控制电路的结构示意图七。
其中,图中各附图标记:
1,电平转换器;
2,第一MOS晶体管;
3,第二MOS晶体管;
4,调节模块;401,温度检测单元;402,调节单元,402a,第一输入端,402b,第二输入端,402c,输出端,4011,温度传感器;4012,补偿模块;4013,比较器;4014,第二开关;
402,调节单元。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定
以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定***结构、技术之类的具体细节,以便透彻理解本申请实施例。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中,省略对众所周知的***、装置及电路的详细说明,以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
液晶显示面板通常包括阵列基板、对置基板和液晶层,其中,液晶层位于阵列基板和对置基板之间。
在LCD中,通常设置有控制电路(也可以称为TFT开关电路),用于向阵列基板输出开启电压(V gate high,VGH)和关断电压(V gate low,VGL),以控制TFT的开启和关断,使得LCD实现图像切换。其中,VGH和VGL为阵列基板中TFT的栅极控制电压,VGH一般为13~20V(伏)的正电压,能够使得TFT的栅极导通。VGL一般为-7.3~-10V的负电压,能够使得TFT的栅极关断。
示例性的,如图1所示,为LCD中一个控制电路的示意图,包括电平转换器(leveltranslator)1、第一MOS晶体管2和第二MOS晶体管3。其中,电平转换器1与第一MOS晶体管2和第二MOS晶体管3的栅极连接,在接收到数字信号后,将数字信号转换为数据电压输出给第一MOS晶体管2和第二MOS晶体管3。电平转换器1通过输出的数据电压控制第一MOS晶体管2和第二MOS晶体管3的通断状态。
第一MOS晶体管2的源极用于接收开启电压(V gate high,VGH),漏极与阵列基板连接。第二MOS晶体管3的漏极用于接收关断电压(V gate low,VGL),源极与阵列基板连接。VGH和VGL可以由对应的电压发生模块(例如,电源集成电路(power IC))输出。
当第一MOS晶体管2导通,第二MOS晶体管3关断时,例如,电平转换器1输出的数据电压为3.3V时,第一MOS晶体管2导通,第二MOS晶体管3关断。控制电路通过第一MOS晶体管2向阵列基板输出VGH,以驱动阵列基板中的TFT导通,从而使得LCD显示。
当第一MOS晶体管2关断,第二MOS晶体管3导通时,例如,电平转换器1输出的数据电压为0V时,第一MOS晶体管2关断,第二MOS晶体管3导通。控制电路通过第二MOS晶体管3向阵列基板输出VGL,以驱动阵列基板中的TFT关断,从而使得LCD不显示。
目前,LCD在长时间工作的状态下,可能会出现残像。其原因在于高温下TFT的漏电流Ioff增大导致了液晶的极化,从而出现残像。通过对TFT的漏电流Ioff增大的原因进行探索分析,本申请发明人发现了漏电流Ioff与VGL之间的关系。即在随着温度升高,TFT的关断电压VGL会发生漂移,也就是说,相比于常温状态下的关断电压(假设,表示为VGL1),高温状态下TFT的关断电压VGL会增大或者减小(即VGL小于VGL1,或者,VGL大于VGL1)。若在高温状态下,控制电路依然通过输出VGL1控制TFT的栅极关断,则会导致该TFT的漏电流Ioff增大。
为此,本申请提供一种控制电路和显示装置,能够根据阵列基板的温度调节关断电压,以在一定程度上避免漏电流增大,进而在一定程度上避免高温状态下由漏电流引起的LCD出现残像的现象。
下面结合附图对本申请提供的控制电路和显示装置进行示例性的介绍。
实施例一
本申请实施例提供的控制电路包括第一开关和调节模块。其中,第一开关为用于控制阵列基板关断的开关,第一开关的第一端用于接收关断电压信号,第一开关的第二端用于在第一开关导通时输出该关断电压信号,该关断电压信号用于关断阵列基板。
示例性的,第一开关可以是如图1所示控制电路中的第二MOS晶体管3,相应的,第一端为第二MOS晶体管3的漏极,第二端为第二MOS晶体管3的源极。也可以理解的是,第一开关也可以是P型mos管、开关二极管等其他开关管,为此,本申请不作具体的限制。
在本申请实施例中,控制电路设置有调节模块,该调节模块与第一开关连接,能够根据阵列基板的温度调节关断电压信号的电压,使得在任意温度下,输入给阵列基板的关断电压信号的电压为对应温度下预设的标准关断电压,从而在一定程度上避免TFT列基板中TFT的漏电流增大,进而避免了高温状态下,由于漏电流增大导致LCD显示残像的现象。
其中,调节模块可以包括温度检测单元和调节单元,调节单元分别与温度检测单元和第一开关连接,温度检测单元402用于检测阵列基板的温度,并根据阵列基板的温度确定补偿电压。例如,该补偿电压可以为常温下的关断电压VGL1与对应温度下预设的标准关断电压之间的差值。调节单元可以根据补偿电压调节关断电压信号的电压。
下面以第一开关为第二MOS晶体管3为例对本申请提供的控制电路进行示例性的说明。
假设对应温度下标准关断电压表示为VGL,电压发生模块输出的关断电压信号的电压表示为VGL1(即常温状态下的关断电压)。其中,在常温状态下,VGL1等于VGL,当阵列基板的温度升高时,阵列基板在这个高温下的VGL不等于VGL1。
在一个示例中,控制电路的电路图可以如图2所示,调节模块4中的调节单元402的第一输入端402a与温度检测单元401连接,调节单元402的第二输入端402b用于接收关断电压信号,调节单元402的输出端402c与第一端b连接,调节单元402具体用于根据补偿电压调节第二输入端402b接收到的关断电压信号的电压。其中,第二输入端402b接收到的关断电压信号为电压发生模块输出的关断电压信号,即第二输入端402b接收到的关断电压信号的电压为常温状态下的VGL1。
在该示例中,调节模块4可以连接在第一开关3的第一端b,在关断电压信号输入第一开关3之前,对关断电压信号的电压进行调节,使得第一开关3接收到的关断电压信号的电压为对应温度下的标准关断电压VGL,进而使得第一开关3能够在导通状态下直接将对应温度下的标准关断电压VGL输出给阵列基板。
其中,对应温度下的标准关断电压VGL可以为预先统计获得的。示例性的,如图3所示,为TFT的栅极控制电压与漏电流Ioff之间的关系曲线图。统计不同温度下,使得漏电流Ioff最小的栅极控制电压为标准关断电压VGL。
示例性的,假设常温(例如,23℃)时,TFT的标准关断电压为-7V(即VGL1=-7V)。当阵列基板的温度升高至40℃时,假设这个温度下预设的标准关断电压为-8V(伏),则温度检测单元401可以根据检测到的温度输出-1V作为补偿电压,调节单元402可以将补偿电压-1V与常温下的VGL1进行加权,即-1-7=-8V,再将40℃下对应的标准关断电压-8V输出给阵列基板,以控制TFT关断。避免了始终通过VGL1控制阵列基板关断,导致漏电流Ioff增大,出现残像。
其中,温度检测单元401用于检测阵列基板的温度,并将检测到的阵列基板的温度转换为这个温度下的补偿电压。在一个示例中,如图4所示,温度检测单元401可以包括温度传感器4011和补偿模块4012,温度传感器4011与补偿模块4012的第三输入端4013a相连,补偿模块4012的第四输入端4013b用于接收关断电压信号(即可以与用于输出关断电压信号的电压发送模块连接,此时关断电压信号的电压为VGL1),补偿模块4012的输出端401a与调节单元402的第一输入端402a相连。
在本申请实施例中,温度传感器4011用于感知环境温度(即阵列基板的温度),并将检测到控制电路的温度转换为高精度的电压信号输出。补偿模块4012用于根据温度传感器4011输出的高精度电压信号和关断电压信号的电压VGL1确定补偿电压VGL2。
在该实例中,可以根据预先统计的不同温度下的标准关断电压对温度传感器4011进行设置,使得温度传感器4011可以根据预设温度与电压之间的转换关系,输出高精度电压信号。可以理解的是,高精度电压信号的电压即为对应温度下的标准关断电压VGL。
在一个示例中,如图4所示,补偿模块4012可以包括比较器4013和第二开关4014,比较器4013的一输入端4013a为补偿模块4012的第三输入端4013a,比较器4013的另一输入端4013b为补偿模块4012的第四输入端4013b,比较器4013的输出端与第二开关4014的一端相连,第二开关4014的另一端为补偿模块4012的输出端401a。
其中,第二开关可以是如图2所示的P型三极管,也可以是其他类型的三级管、开关二极管或者谐振软开关等开关管,对此,本申请不做限制。
示例性的,假设常温(例如,23℃)时,TFT的标准关断电压VGL为-7V(即VGL=VGL1=-7V)。40℃时,对应的标准关断电压VGL为VGL3=-8V。当温度传感器4011检测到阵列基板的温度升高到40℃时,温度传感器4011则可以预设的温度与电压之间的转换关系输出VGL3,并将VGL3输出给比较器4013。
比较器4013可以将接收到的VGL3和VGL1进行比较,确定补偿电压VGL2=VGL3-VGL1=-8+7=-1V。比较器4013将该补偿电压VGL2输出给第二开关4014。
可选的,若补偿电压VGL2的绝对值小于预设阈值(例如,0.1、0.3等)时,比较器4013也可以不输出补偿电压VGL2。
第二开关4014在接收到补偿电压VGL2时导通,并会将VGL2输出给调节单元402。
在一个示例中,调节单元可以包括第一运算放大器和第二运算放大器,第一运算放大器的同相输入端与第一温度检测单元相连,第一运算放大器的反向输入端接地,第一运算放大器的输出端与第二运算放大器的反相输入端相连,第二运算放大器的同相输入端用于接收关断电压VGL,即第二运算放大器的同相输入端为调节单元的第二输入端,第二运算放大器的输出端与MOS晶体管的第一端b相连,即第二运算放大器的输出端为调节单元的输出端。
示例性的,调节单元402的电路图可以如图5所示,调节单元402具体包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一运算放大器A1和第二运算放大器A2。第一电阻R1的一端接地,第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端相连,第二电阻R2的另一端与第一运算放大器A1的输出端A1a相连,第三电阻R3的一端与第一运算放大器A1的输出端A1a相连,第三电阻R3的另一端与第二运算放大器A2的输出端A2a相连,第四电阻R4的一端与第二运算放大器A2的同相输入(如图3所示A2的“+”端)端相连。
其中,第一运算放大器A1的“+”端用于接收第一温度检测单元401输出的补偿电压,并将该补偿电压进行放大校准后输出给第二运算放大器A2。
可选的,第一运算放大器A1可以是同相运算放大器,同相运算放大器的稳定性较强,使得第一运算放大器A1的“+”端接收到的补偿电压放大校准后经输出端A1a输出。
第二运算放大器A2的“-”端用于接收第一运算放大器A1输出的补偿电压信号,“+”端用于接收关断电压,第二运算放大器A2将补偿电压与VGL1进行加权(即将补偿电压与VGL1相加)后输出给第一开关3的第一端b,得到对应温度下的标准关断电压。
可选的,第二运算放大器A2可以是集成运算放大器,可以实现第二运算放大器A2“-”端与“+”端接收到的电压进行加权后输出的目的。
示例性的,假设常温(例如,23℃)时,TFT的标准关断电压VGL为-7V(即VGL=VGL1=-7V)。40℃时,对应的标准关断电压VGL为VGL3=-8V。当温度传感器4011检测到阵列基板的温度升高到40℃时,温度检测单元401则可以输出补偿电压VGL2给第一运算放大器A1,第一运算放大器A1将VGL2进行校准处理输出给第二运算放大器A2,第二运算放大器A2将VGL2和VGL1加权,即VGL3=VGL2+VGL1=-7+-1=-8V,如此,第二运算放大器A2输出VGL3给阵列基板。
在一个示例中,为了使得调节单元402输出的标准关断电压VGL可以稳定输出给第一开关的第一端b,如图6所示,调节单元402中可以设置第一缓冲器A3,第一缓冲器A3的反相输入端(如图6所示A3的“-”端)与第二运算放大器A2的输出端A1a相连,第一缓冲器A3的输出端A3a与第一开关3的第一端b相连。在第二运算放大器A2的输出端A1a设置第一缓冲器A3,在一定程度上可以避免由于输出(即第二运算放大器A2的输出端)阻抗较高,而下一级输入(第一开关3的第一端b)阻抗较小时产生的信号损耗。
可以理解的是,在本申请实施例中,调节模块4可以如图2所示,调节第一开关3的第一端b输入的关断电压信号,则也可以对第一开关3的第二端c输出的关断电压信号进行调整。
例如,在另一个示例中,控制电路的电路图也可以如图7所示,调节单元402的第一输入端402a与温度检测单元401连接,调节单元402的第二输入端402b与第二端c连接,调节单元402的输出端与阵列基板相连,调节单元402具体用于根据补偿电压调节第二输入端402b接收到的关断电压信号的电压。其中,调节单元402接收到的关断电压信号的电压为常温状态下的VGL1。
在该示例中,调节模块4可以对第一开关3接收到的关断电压信号的电压进行调节,使得第一开关3接收到的关断电压信号的电压即为对应温度下的标准关断电压,进而输出给阵列基板的电压为标准关断电压VGL。
其中,温度检测单元401的具体结构可以参见上述图5所示的结构,此处不在赘述。
在一个示例中,调节单元包括第三运算放大器和第四运算放大器。第三运算放大器的同相输入端与温度检测单元相连,第三运算放大器的反向输入端接地,第三运算放大器的输出端与第四运算放大器的反相输入端相连,第四运算放大器的同相输入端为调节单元的第二输入端,第四运算放大器的输出端为调节单元的输出端。
示例性的,调节单元402的电路图可以如图8所示,调节单元402还包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第三运算放大器A4和第四运算放大器A5。第一电阻R1的一端接地,第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端相连,第二电阻R2的另一端与第三运算放大器A4的输出端A4a相连,第三电阻R3的一端与第三运算放大器A4的输出端A4a相连,第三电阻R3的另一端与第四运算放大器A5的输出端A3a相连,第四电阻R4的一端与第四运算放大器A5的同相输入端(如图8所示A5的“+”端)相连。
其中,第三运算放大器A4的“+”端用于接收温度检测单元401输出补偿电压,并将该补偿电压进行放大校准后输出给第四运算放大器A5。
可选的,第三运算放大器A4可以是同相运算放大器,同相运算放大器的稳定性较强,使得第三运算放大器A4的“+”端接收到的补偿电压信号放大校准后经输出端A4a输出。
第四运算放大器A5的“-”端用于接收第三运算放大器A4输出的补偿电压信号,“+”端用于接收第一开关5的第二端c输出的关断电压信号,第四运算放大器A5将补偿电压与关断电压信号进行加权(即将补偿电压信号与关断电压信号相加)后输出给阵列基板,得到对应温度下的标准关断电压。
可选的,第四运算放大器A5可以是集成运算放大器,则可以实现第四运算放大器A5“-”端与“+”端接收到的电压进行加权后输出的目的。
在一个示例中,为了使得调节单元402输出的关断电压VGL可以稳定输出给阵列基板,如图9所示,调节单元402中可以设置第二缓冲器A6,第二缓冲器A6的反相输入端(如图9所示A6的“-”端)与第四运算放大器A53的输出端A4a相连,第二缓冲器A6的输出端A6a与阵列基板相连。在第四运算放大器A5的输出端A4a后设置第二缓冲器A6,在一定程度上可以避免由于输出(即第四运算放大器A5的输出端)阻抗较高,而下一级输入(即阵列基板)阻抗较小时产生的信号损耗。
实施例二
本申请实施例二还提供一种显示装置,显示装置包括如实施例一所述的至少一个控制电路。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (8)
1.一种控制电路,应用于显示面板,显示面板包括相对设置的阵列基板和对置基板,所述控制电路包括第一开关,所述第一开关的第一端用于接收关断电压信号,所述第一开关的第二端用于在所述第一开关导通时输出所述关断电压信号,所述关断电压信号用于关断所述阵列基板,其特征在于,所述控制电路还包括调节模块,所述调节模块包括温度检测单元和调节单元,所述调节单元分别与所述温度检测单元和所述第一开关连接;
所述温度检测单元用于检测所述阵列基板的温度,并根据所述阵列基板的温度确定补偿电压;
所述调节单元用于根据所述补偿电压调节所述关断电压信号的电压;
所述温度检测单元包括温度传感器和补偿模块,所述温度传感器与所述补偿模块的第三输入端相连,所述补偿模块的第四输入端用于接收所述关断电压信号,所述补偿模块的输出端与所述调节单元的第一输入端相连;
所述温度传感器用于将所述控制电路的温度转换为电压信号输出给所述补偿模块,所述补偿模块用于根据所述电压信号和所述关断电压信号确定所述补偿电压;
其中,所述电压信号为对应温度下的标准关断电压;
所述补偿模块包括比较器和第二开关,所述比较器的一输入端为所述补偿模块的第三输入端,所述比较器的另一输入端为所述补偿模块的第四输入端,所述比较器的输出端与所述第二开关的一端相连,所述第二开关的另一端为所述补偿模块的输出端;
若所述补偿电压的绝对值小于预设阈值时,所述比较器不输出所述补偿电压;
所述第二开关在接收到所述补偿电压时导通,并将所述补偿电压输出给所述调节单元。
2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述调节单元的第一输入端与所述温度检测单元连接,所述调节单元的第二输入端用于接收所述关断电压信号,所述调节单元的输出端与所述第一端连接,所述调节单元具体用于根据所述补偿电压调节所述第二输入端接收到的所述关断电压信号的电压。
3.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述调节单元包括第一运算放大器和第二运算放大器;
所述第一运算放大器的同相输入端与所述温度检测单元相连,所述第一运算放大器的反向输入端接地,所述第一运算放大器的输出端与所述第二运算放大器的反相输入端相连,所述第二运算放大器的同相输入端为所述调节单元的第二输入端,所述第二运算放大器的输出端为所述调节单元的输出端。
4.根据权利要求3所述的控制电路,其特征在于,所述调节单元还包括第一缓冲器,所述第一缓冲器的反相输入端与所述第二运算放大器的输出端相连,所述第一缓冲器的输出端为所述调节单元的输出端。
5.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述调节单元的第一输入端与所述温度检测单元连接,所述调节单元的第二输入端与所述第二端连接,所述调节单元的输出端用于与所述阵列基板相连,所述调节单元具体用于根据所述补偿电压调节所述第二输入端接收到的所述关断电压信号的电压。
6.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述调节单元包括第三运算放大器、第四运算放大器;
所述第三运算放大器的同相输入端与所述温度检测单元相连,所述第三运算放大器的反向输入端接地,所述第三运算放大器的输出端与所述第四运算放大器的反相输入端相连,所述第四运算放大器的同相输入端为所述调节单元的第二输入端,所述第四运算放大器的输出端为所述调节单元的输出端。
7.根据权利要求6所述的控制电路,其特征在于,所述调节单元还包括第二缓冲器,所述第二缓冲器的反相输入端与所述第四运算放大器的输出端相连,所述第二缓冲器的输出端为所述调节单元的输出端。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-7任一项所述的控制电路。
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