CN115083958A - 吸取晶圆的方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及半导体技术领域，提供了一种吸取晶圆的方法，包括：接收用户输入的区域划分规则；根据区域划分规则将晶环划分为多个区域，多个区域包括第一区域和第二区域，第二区域与第一区域相邻；从第一区域的预设位置开始按照第一路径吸取第一区域内的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置存在未被吸取的晶圆时，按照第二路径吸取未被吸取的晶圆；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆时，按照第三路径吸取第二区域内的晶圆，第三路径的起始位置位于与第一区域相邻的边上。该方法能够在不遗漏晶圆的情况下实现分开吸取晶环上不同区域晶圆的目的。

Description

吸取晶圆的方法和电子设备

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及吸取晶圆的方法和电子设备。

背景技术

众所周知，由于晶环上不同区域的晶圆亮度一致性不同，有些区域的晶圆亮度高，有些区域的晶圆亮度低，因此，在吸取晶圆时需要将亮度不同区域的晶圆分开吸取。目前常用的吸取晶圆的方法是最邻近法，但是，该最邻近法无法实现分开吸取晶环上不同区域的晶圆。

因此，如何在不遗漏晶圆的情况下实现分开吸取晶环上不同区域晶圆的目的是当前急需解决的问题。

发明内容

本申请提供了一种吸取晶圆的方法和电子设备，能够在不遗漏晶圆的情况下实现分开吸取晶环上不同区域晶圆的目的。

第一方面，提供了一种吸取晶圆的方法，包括：接收用户输入的区域划分规则；根据所述区域划分规则将晶环划分为多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域，所述第二区域是与所述第一区域相邻的区域；从所述第一区域的预设位置开始按照第一路径吸取所述第一区域内的晶圆；记录所述第一路径相邻位置的晶圆吸取情况；当所述第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当所述第一区域内所述第一路径相邻位置存在未被吸取的晶圆时，根据所述第一区域内所述第一路径相邻位置生成第二路径并按照所述第二路径吸取所述未被吸取的晶圆；当所述第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当所述第一区域内所述第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆时，根据所述第二区域内与所述第一路径相邻位置的晶圆生成第三路径并按照第三路径吸取所述第二区域内的晶圆，所述第三路径的起始位置位于与所述第一区域相邻的边上。

上述方法可以由电子设备或者电子设备中的芯片执行。电子设备先根据第一路径吸取第一区域内的部分晶圆，再根据第一区域内第一路径相邻位置上先前记录的存在未被吸取的晶圆生成第二路径，再按照第二路径继续吸取第一区域内剩余的晶圆，以防止遗漏第一区域内的晶圆；在吸取完第一区域内所有晶圆时，再根据先前记录的第二区域内与第一路径相邻位置的晶圆生成第三路径并按照第三路径吸取第二区域内的晶圆，依次类推，直到分开吸取完晶环上所有区域内的晶圆。由此可见，本申请只有在吸取完当前区域(比如，第一区域)内的所有晶圆后才去吸取其他区域(比如，第二区域)内的晶圆，而不是在当前区域内的晶圆还未吸取完成的情况下就去吸取别的区域的晶圆，从而避免了不同亮度的晶圆混乱吸取的情况，进而实现了在不遗漏晶圆的情况下分开吸取晶环上不同区域的晶圆的目的。

可选地，所述记录所述第一路径相邻位置的晶圆吸取情况，包括：记录所述第一区域内与所述第一路径相邻位置的晶圆吸取情况；或者，记录所述第二区域内与所述第一路径相邻位置的晶圆吸取情况。

在本实施例中，电子设备通过记录第一区域内与第一路径相邻位置的晶圆吸取情况，以便于将第一区域内的全部晶圆吸取完，此外，电子设备通过记录第二区域内与第一路径相邻位置的晶圆吸取情况，以便于电子设备在吸取完第一区域内的全部晶圆后直接转至第二区域内继续吸取晶圆，而无需中途暂停，从而提高了电子设备吸取不同区域晶圆的效率。

可选地，所述第一路径是指从所述第一区域的预设位置开始逐行依次吸取所述第一区域内的晶圆。

在本实施例中，电子设备从第一区域的预设位置开始逐行逐个的依次吸取第一区域内的晶圆，以便于吸取完该路径(即第一路径)下的所有晶圆。可选地，所述第二路径的起始位置与所述第一路径的预设位置相邻，所述第二路径是指从所述第二路径的起始位置开始逐行依次吸取所述未被吸取的晶圆。

在本实施例中，电子设备从第二路径的起始位置开始逐行逐个的依次吸取第一区域内的晶圆，以避免遗漏第一区域内的晶圆。可选地，所述第三路径是指从所述第三路径的起始位置开始逐行依次吸取所述第二区域内的晶圆。

在本实施例中，电子设备从第三路径的起始位置开始逐行逐个的依次吸取第二区域内的晶圆，以便于吸取完该路径(即第三路径)下的所有晶圆。

可选地，所述区域划分规则是指根据所述晶环上晶圆的不同亮度将所述晶环划分为亮度不同的多个晶圆区域。

第二方面，提供了一种电子设备，包括处理器和存储器，存储器用于存储计算机程序，处理器用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得电子设备执行第一方面中任一项的方法。

第三方面，提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储了计算机程序，当计算机程序被处理器执行时，使得处理器执行第一方面中任一项的方法。

在本申请的第二方面和第三方面的有益效果参见第一方面的有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中吸取晶圆的方法流程示意图；

图2为本发明实施例中晶环划分为多个晶圆区域的示意图；

图3为本发明实施例中又一晶环划分为多个晶圆区域的示意图；

图4为本发明实施例中电子设备吸取不同区域内晶圆的路径示意图；

图5为本发明实施例中又一电子设备吸取不同区域内晶圆的路径示意图；

图6为本发明实施例中电子设备从第二区域开始吸取不同区域内晶圆的路径示意图；

图7为本发明实施例中电子设备按照第一路径和第二路径吸取第一区域内晶圆的路径示意图；

图8为本发明实施例中电子设备的结构示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定***结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的***、装置以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。因此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。此外，说明书附图中，不同黑实线之间相交，但并未相连。

由于晶环上不同区域的晶圆亮度一致性不同，为了将亮度一致性不同区域的晶圆分开吸取。本申请提出了一种吸取晶圆的方法，该方法能够在不遗漏晶圆的情况下实现分开吸取晶环上不同区域晶圆的目的。

下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步详细说明。

图1是本申请提出的一种吸取晶圆的方法的流程示意图，该方法可由电子设备或者电子设备上的芯片执行。该方法包括：

S101，接收用户输入的区域划分规则。

示例性地，上述区域划分规则用于将晶环上的晶圆按照晶圆的不同亮度划分为不同的晶圆区域，即将晶环上晶圆亮度一致的划分为同一个晶圆区域电子设备接收到上述区域划分规则后，会根据区域划分规则将晶环划分为不同亮度的晶圆区域，以便于电子设备分开吸取晶环上不同的晶圆区域的晶圆。

可选地，区域划分规则是指根据晶环上晶圆的不同亮度将晶环划分为亮度不同的多个晶圆区域，其中，多个晶圆区域中每个晶圆区域的宽度可以相等也可以不相等，其中，每个晶圆区域的宽度可以用每个晶圆区域中晶圆的列数或者晶圆的行数表示。原因在于，晶环可以360°旋转，晶环中一列晶圆经过90°旋转会变成一行晶圆，因此，此处仅讨论每个晶圆区域的宽度用该晶圆区域中晶圆的列数来表示的情况。

比如，如图2所示，电子设备将晶环(图2中黑实线圆圈所示)上的晶圆按照晶圆的不同亮度划分为宽度相同的四个晶圆区域，即该四个晶圆区域中每个晶圆区域的宽度均是4列晶圆，其中，晶圆区域1(比如，第一区域)中所有晶圆的亮度基本一致，并且，晶圆区域1包含四列晶圆，晶圆区域2(比如，第二区域)、晶圆区域3和晶圆区域4中每个晶圆区域中所有晶圆的亮度也基本一致。上述四个晶圆区域的亮度等级为晶圆区域1的亮度低于晶圆区域2，晶圆区域2的亮度低于晶圆区域3，晶圆区域3的亮度低于晶圆区域4。电子设备划分完晶圆区域以后会记录每个晶圆区域的宽度，以便于根据每个区域的宽度设计抓取路径来分开抓取不同晶圆区域内的晶圆，以实现不同亮度区域内晶圆分类的目的。

再比如，如图3所示，电子设备将晶环(图3中黑实线圆圈所示)上的晶圆按照晶圆的不同亮度划分为宽度不相同的三个晶圆区域，其中，晶圆区域1的宽度是4列晶圆，晶圆区域2的宽度是5列晶圆，晶圆区域3的宽度是7列晶圆；该晶圆区域1(比如，第一区域)中所有晶圆的亮度基本一致，并且，晶圆区域1包含4列晶圆，晶圆区域2(比如，第二区域)和晶圆区域3中每个晶圆区域的所有晶圆的亮度也基本一致。上述3个晶圆区域的亮度等级为晶圆区域1的亮度低于晶圆区域2，晶圆区域2的亮度低于晶圆区域3。电子设备划分完晶圆区域以后会记录每个晶圆区域的宽度，以便于根据每个区域的宽度设计抓取路径来分开抓取不同晶圆区域内的晶圆，以实现不同亮度区域内晶圆分类的目的。

S102，根据区域划分规则将晶环划分为多个区域，多个区域包括第一区域和第二区域，第二区域是与第一区域相邻的区域。

例如，如图4所示，电子设备根据区域划分规则将晶环按列划分为多个区域，该多个区域包括：第一区域和第二区域，其中，第一区域和第二区域在晶环上的位置相邻，第一区域的宽度为4列晶圆，第二区域的宽度为5列晶圆。电子设备可以在吸取完第一区域内的4列晶圆以后，直接去第二区域吸取晶圆。再比如，电子设备也可以将晶环按行划分为多个区域，由于晶环可以360°旋转，因此，电子设备按行将晶环划分为多个区域与按列将晶圆划分为多个区域的原理是相同的，此处不在赘述。

S103，从第一区域的预设位置开始按照第一路径吸取第一区域内的晶圆。

示例性地，上述预设位置是第一路径的起始位置，该起始位置可以以单个晶圆作为起始位置，也可以以某个行作为起始位置，当以某个行作为起始位置时，需要选定该行的两侧边缘位置的晶圆中的一侧位置的晶圆作为起始点(也即吸取路径的起始位置)，比如，如图4所示，第一区域的宽度为4列晶圆，第二区域的宽度为5列晶圆，记忆位置1(即Y位置的晶圆所在的行)为起始位置，记忆位置1中Y位置的晶圆作为第二路径的起始点(即起始位置)；上述第一路径为电子设备从第一区域吸取晶圆的路线。该第一区域内带箭头的黑实线所示的路线为第一路径，第一路径上的黑色箭头表示电子设备吸取晶圆时移动的方向；电子设备会从第一路径的预设位置(比如，X位置的晶圆开始)开始按照第一路径中箭头所示的方向逐行依次吸取晶圆，直到吸取完第一路径所示的最后一个晶圆。由于电子设备在吸取晶圆时，会看到附近相邻行或者列的晶圆，因此，电子设备从第一路径的预设位置开始识别时，会将相邻行的晶圆位置记录下来，比如，记录与预设位置相邻的上一行晶圆的位置，即图4所示的记忆位置1(即Y位置的晶圆所在的行)；当电子设备根据第一路径从预设位置开始吸取到第一区域内预设位置所在行的最后一个晶圆(即Z位置的晶圆)时，会记录第二区域内与第一路径相邻的一列晶圆的位置(即图4所示的记忆位置2)。当电子设备记录的是第二区域内与第一路径相邻的一列晶圆的位置时，电子设备可以选择记忆位置2中的任何一行(比如，第A行)作为电子设备吸取第二区域内晶圆的起始位置，电子设备可以从选定行(比如，第A行)的最左边缘位置(比如，W位置)或者最右边缘位置(比如，U位置)的晶圆开始按照预先设定的路径吸取晶圆(比如，预先设定的路径设计方式参考第一路径的设计方式)。

比如，如图5所示，当电子设备记录的是第二区域内与第一路径相邻的记忆位置3时，电子设备在吸取第二区域内晶圆时，可以以记忆位置3作为吸取第二区域内晶圆的起始位置，并以记忆位置3中最左边缘的一个晶圆(即P位置的晶圆)作为起始点或者以最右边缘的一个晶圆(即Q位置的晶圆)作为起始点。

再比如，如图5所示，当电子设备按照第一路径吸取完第一区域的部分晶圆时，电子设备会检测先前记录有晶圆的位置；电子设备检测到先前记忆有晶圆的位置为记忆位置1和记忆位置2；电子设备会从当前位置(即第一路径的最后一个晶圆所在的位置Z)转向记忆位置1(如图5中虚线箭头所示)，并以记忆位置1的Y位置的晶圆作为起始位置(即起始点)生成第二路径并按照第二路径吸取第一区域内剩余的晶圆；之后，当第一区域的晶圆全部吸取完毕时，电子设备会从记忆位置2中任选一行(比如，图5中的第A行)作为预设位置生成第二区域内的第一路径并按照该第二区域内的第一路径逐行依次吸取晶圆，其中，第二区域内的第一路径的起始点(即起始位置)可以是W位置的晶圆或者U位置的晶圆；比如，电子设备根据第A行中W位置的晶圆或者U位置的晶圆作为起始位置生成第二区域内的第一路径并按照第二区域内的第一路径从第A行中W位置的晶圆或者U位置的晶圆开始逐行逐个依次吸取晶圆。

当电子设备按照第二区域内的第一路径吸取第二区域内第A行的晶圆时，会检测第二区域内的第一路径相邻位置是否存在晶圆，其中，第二区域内的第一路径相邻位置的晶圆是指第二区域内与第A行相邻位置的上一行或者下一行的晶圆以及第三区域内与第二区域内第一路径相邻位置的晶圆。当电子设备吸取第二区域内晶圆的第二区域内的第一路径是电子设备先吸取第A行的晶圆再吸取第A行的下一行的晶圆，此时，第二区域内的第一路径相邻位置(即记忆位置)的晶圆是指第二区域内与第A行相邻位置的上一行的晶圆。当电子设备吸取第二区域内晶圆的第二区域内的第一路径是电子设备先吸取第A行的晶圆再吸取第A行的上一行的晶圆，此时，第二区域内的第一路径相邻位置(即记忆位置)的晶圆是指第二区域内与第A行相邻位置的下一行的晶圆。

在本实施例中，电子设备从第一区域的预设位置开始逐行逐个的依次吸取第一区域内的晶圆，以便于吸取完该路径(即第一路径)下的所有晶圆。

S104，记录第一路径相邻位置的晶圆吸取情况。

示例性地，电子设备确定好首先要吸取的晶圆区域后，会在该晶圆区域内选择一个预设位置作为起始位置，比如，如图4所示，电子设备先吸取第一区域，会先从第一区域内预设位置开始吸取晶圆；电子设备在从预设位置开始按照第一路径吸取晶圆时，会记录该第一路径相邻位置的晶圆吸取情况；对于图4所示的第一区域，电子设备会记录第一路径相邻的记忆位置1和记忆位置2。

可选地，记录第一路径相邻位置的晶圆吸取情况，包括：记录第一区域内与第一路径相邻位置的晶圆吸取情况；或者，记录第二区域内与第一路径相邻位置的晶圆吸取情况。

比如，电子设备吸取不同区域晶圆的次序，取决于在吸取晶圆时，记录相邻位置晶圆的吸取情况。如图6所示，以第一区域至第四区域的宽度均为4列晶圆为例，电子设备先从第二区域开始吸取晶圆；电子设备在吸取第二区域内的晶圆时会记录第一区域和第三区域内相邻晶圆的位置，因此，电子设备在吸取完第二区域的晶圆之后，可以再吸取第三区域内的晶圆；由于电子设备在吸取第三区域内的晶圆时会记录第四区域内相邻位置的晶圆，因此，当电子设备吸取完第三区域内的晶圆之后，可以再继续吸取第四区域内的晶圆；由于第四区域的最右边缘没有其他区域，并且第一区域内的晶圆还未吸取，而且第一区域内的晶圆的位置已经被记录，因此，当电子设备吸取完第四区域内的晶圆之后，可以以先前记录第一区域内与第二区域内相邻位置的晶圆为起始位置再继续吸取第一区域内的晶圆。

或者，电子设备先从第二区域开始吸取晶圆；电子设备在吸取第二区域内的晶圆时会记录第一区域和第三区域内相邻晶圆的位置，因此，电子设备吸取完第二区域的晶圆之后，可以再吸取第一区域内的晶圆；由于第一区域的最左边缘没有其他区域，并且电子设备在吸取第二区域内的晶圆时，会记录第三区域内相邻位置的晶圆，因此，当电子设备吸取完第一区域内的晶圆之后，可以以先前记录的第三区域与第二区域相邻位置的晶圆作为起始位置再吸取第三区域内的晶圆；由于电子设备在吸取第三区域内的晶圆时会记录第四区域内相邻位置的晶圆，因此，当电子设备吸取完第三区域内的晶圆之后，可以再继续吸取第四区域内的晶圆。

在本实施例中，电子设备通过记录第一区域内与第一路径相邻位置的晶圆吸取情况，以便于将第一区域内的全部晶圆吸取完，此外，电子设备通过记录第二区域内与第一路径相邻位置的晶圆吸取情况，以便于电子设备在吸取完第一区域内的全部晶圆后直接转至第二区域内继续吸取晶圆，而无需中途暂停，从而提高了电子设备吸取不同区域晶圆的效率。

S105，当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置存在未被吸取的晶圆时，根据第一区域内第一路径相邻位置生成第二路径并按照第二路径吸取未被吸取的晶圆。

示例性地，如图5所示，当电子设备按照第一路径吸取完第一路径上的晶圆(即第一区域内的部分)时，电子设备会检测第一区域内还有没有先前记录的存在晶圆的位置，比如，记忆位置1，此时，电子设备在吸取完第一路径下的最后一个位置Z的晶圆后，会根据先前记录的存在晶圆的位置(比如，记忆位置1)生成第二路径(如图5所示)，之后，再按照第二路径吸取第一区域内剩余的晶圆。可选地，第二路径的起始位置(即Y位置的晶圆所在的行)与第一路径的预设位置(即X位置的晶圆所在的行)相邻，第二路径是指从第二路径的起始位置(比如，Y位置的晶圆)开始逐行逐个依次吸取第一区域内剩余未被吸取的晶圆，从而避免了遗漏第一区域内的晶圆。

S106，当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆时，根据第二区域内与第一路径相邻位置的晶圆生成第三路径并按照第三路径吸取第二区域内的晶圆，第三路径的起始位置位于与第一区域相邻的边上。

示例性地，如图7所示，当预设位置为位置M的晶圆时，电子设备以M位置处的晶圆作为起始位置按照第一路径吸取第一区域内的晶圆，直到吸取完第一区域内的最后一个位置N处的晶圆；当然第一路径也可以是以N位置的晶圆作为起始位置反向(相比以M位置的晶圆作为起始位置的第一路径吸取晶圆时的移动方向)逐行逐个依次吸取晶圆，直到吸取完第一区域内最后一个位置M处的晶圆。此处，仅以M位置的晶圆作为起始位置的第一路径吸取晶圆时的移动方向为例，而以N位置的晶圆作为起始位置的第一路径吸取晶圆时的移动方向吸取晶圆的方式类似，此处不再赘述。由于M位置所在行的上一行没有其他晶圆(即第一区域内第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆)，因此，电子设备在按照第一路径吸取晶圆时，仅会记录第二区域内与第一区域相邻的晶圆位置(比如，记忆位置9)；当第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当第一区域内第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆时，电子设备不会在第一区域内生成第二路径，而会以第二区域内记录的存在晶圆的记忆位置9作为起始位置生成第三路径并按照第三路径吸取第二区域内的晶圆，其中，第三路径的起始位置(比如，第二区域内的L位置)位于与第一区域相邻的边上。可选地，第三路径是指从第三路径的起始位置(比如，L位置的晶圆作为起始点)开始逐行逐个依次吸取第二区域内的晶圆，以便于吸取完该路径(即第三路径)下的所有晶圆。

再比如，如图6所示，电子设备先从第二区域内预设位置A处的晶圆开始按照第一路径吸取晶圆；电子设备在按照第一路径吸取第二区域内的晶圆时会分别记录第二区域内与第一路径相邻晶圆的位置(即记忆位置4)，以及第三区域内与第一路径相邻晶圆的位置(即记忆位置6)，以及第一区域内与第一路径相邻晶圆的位置(即记忆位置5)。当电子设备在按照第一路径吸取完该路径下的所有晶圆时，会检测先前记录的存在晶圆的位置；当第二区域内还有其他位置(比如，记忆位置4)还存在晶圆时，可选地，电子设备会以记忆位置4的位置B处的晶圆为起点生成第二路径并按照第二路径吸取第二区域内剩余部分的晶圆，直到吸取到位置C处的晶圆，才算第二区域内的晶圆吸取完毕。当第二区域内的晶圆吸取完毕之后，电子设备会去第三区域内吸取晶圆或者去第一区域吸取晶圆，此处，以电子设备去第三区域吸取晶圆为例；此时，电子设备会从第三区域内的记忆位置6任选一行作为预设位置(即起始位置)来吸取第三区域内的晶圆；可选地，电子吸取完第二区域内的最后一个位置C处的晶圆后，选择记忆位置6中位置D处的晶圆为起始位置生成第三路径，并按照第三路径吸取第三区域内的晶圆，并记录与第三路径相邻的第三区域内的记忆位置7以及记录与第三路径相邻的第四区域内的记忆位置8，该记忆位置8为第四区域内的一行，由此可见，电子设备既可以记录与当前吸取区域相邻区域的行也可以记录相邻区域的列作为记忆位置；当电子设备吸取完第三区域内的所有晶圆时，会以第四区域内的记忆位置8为起始位置，按照预设路径(可参考第一路径或者第二路径的设计方式，此处不再赘述)吸取完第四区域内的所有晶圆；当第四区域内的所有晶圆吸取完毕时，电子设备会检测是否还有先前记录的存在晶圆的位置，此时，电子设备会检测到第一区域内还存在未被吸取的晶圆；电子设备会在吸取完第四区域内的所有晶圆之后，从记忆位置5中任选一个位置的晶圆作为起始位置(即预设位置)生成新的吸取路径，并以该新的吸取路径吸取第一区域内的晶圆，其中，新的吸取路径是指从记忆位置5中任选一个位置的晶圆作为起始位置逐行逐个依次吸取第一区域内的晶圆，并检测与新的吸取路径相邻的位置是否存在未被吸取的晶圆；若存在，则进行晶圆位置记录；若不存在，则不记录。当电子设备吸取完第一区域内的晶圆所有晶圆之后，才算电子设备吸取完整个晶环上的晶圆。

综上所述，电子设备先根据第一路径吸取第一区域内的部分晶圆，再根据第一区域内第一路径相邻位置上先前记录的存在未被吸取的晶圆生成第二路径，再按照第二路径继续吸取第一区域内剩余的晶圆，以防止遗漏第一区域内的晶圆；在吸取完第一区域内所有晶圆时，再根据先前记录的第二区域内与第一路径相邻位置的晶圆生成第三路径并再按照第三路径吸取第二区域内的晶圆，依次类推，直到分开吸取完晶环上所有区域内的晶圆。由此可见，本申请只有在吸取完当前区域(比如，第一区域)内的所有晶圆后才去吸取其他区域(比如，第二区域)内的晶圆，而不是在当前区域内的晶圆还未吸取完成的情况下就去吸取别的区域的晶圆，从而避免了不同亮度的晶圆混乱吸取的情况，进而实现了在不遗漏晶圆的情况下分开吸取晶环上不同区域的晶圆的目的。

图8示出了本申请提供了一种电子设备的结构示意图。图8中的虚线表示该单元或该模块为可选的。电子设备800可用于实现上述方法实施例中描述的方法。电子设备800可以是服务器或芯片。

电子设备800包括一个或多个处理器801，该一个或多个处理器801可支持电子设备800实现图1所对应方法实施例中的方法。处理器801可以是通用处理器或者专用处理器。例如，处理器801可以是中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。CPU可以用于对电子设备800进行控制，执行软件程序，处理软件程序的数据。电子设备800还可以包括通信单元805，用以实现信号的输入(接收)和输出(发送)。

例如，电子设备800可以是芯片，通信单元805可以是该芯片的输入和/或输出电路，或者，通信单元805可以是该芯片的通信接口，该芯片可以作为电子设备的组成部分。

又例如，通信单元805可以是该电子设备800的收发器，或者，通信单元805可以是该电子设备800的收发电路。

电子设备800中可以包括一个或多个存储器802，其上存有程序804，程序804可被处理器801运行，生成指令803，使得处理器801根据指令803执行上述方法实施例中描述的方法。可选地，存储器802中还可以存储有数据。可选地，处理器801还可以读取存储器802中存储的数据，该数据可以与程序804存储在相同的存储地址，该数据也可以与程序804存储在不同的存储地址。

处理器801和存储器802可以单独设置，也可以集成在一起，例如，集成在电子设备的***级芯片(System On Chip，SOC)上。

处理器801执行吸取晶圆的方法的具体方式可以参见方法实施例中的相关描述。

应理解，上述方法实施例的各步骤可以通过处理器801中的硬件形式的逻辑电路或者软件形式的指令完成。处理器801可以是CPU、数字信号处理器(Digital SignalProcessor,DSP)、现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，FPGA)或者其它可编程逻辑器件，例如，分立门、晶体管逻辑器件或分立硬件组件。

本申请还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品被处理器801执行时实现本申请中任一方法实施例的方法。

该计算机程序产品可以存储在存储器802中，例如是程序804，程序804经过预处理、编译、汇编和链接等处理过程最终被转换为能够被处理器801执行的可执行目标文件。

本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被计算机执行时实现本申请中任一方法实施例的方法。该计算机程序可以是高级语言程序，也可以是可执行目标程序。

该计算机可读存储介质例如是存储器802。存储器802可以是易失性存储器或非易失性存储器，或者，存储器802可以同时包括易失性存储器和非易失性存储器。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(ProgrammableROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(Static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(DynamicRAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data Rate SDRAM，DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(SynchLink DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(Direct Rambus RAM,DRRAM)。

本领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的装置和设备的具体工作过程以及产生的技术效果，可以参考前述方法实施例中对应的过程和技术效果，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，所揭露的***、装置和方法，可以通过其它方式实现。例如，以上描述的方法实施例的一些特征可以忽略，或不执行。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***。另外，各单元之间的耦合或各个组件之间的耦合可以是直接耦合，也可以是间接耦合，上述耦合包括电的、机械的或其它形式的连接。

以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种吸取晶圆的方法，其特征在于，所述方法包括：

接收用户输入的区域划分规则；

根据所述区域划分规则将晶环划分为多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域，所述第二区域是与所述第一区域相邻的区域；

从所述第一区域的预设位置开始按照第一路径吸取所述第一区域内的晶圆；

记录所述第一路径相邻位置的晶圆吸取情况；

当所述第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当所述第一区域内所述第一路径相邻位置存在未被吸取的晶圆时，根据所述第一区域内所述第一路径相邻位置生成第二路径并按照所述第二路径吸取所述未被吸取的晶圆；

当所述第一路径上的晶圆吸取完毕时，并且，当所述第一区域内所述第一路径相邻位置不存在未被吸取的晶圆时，根据所述第二区域内与所述第一路径相邻位置的晶圆生成第三路径并按照第三路径吸取所述第二区域内的晶圆，所述第三路径的起始位置位于与所述第一区域相邻的边上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述记录所述第一路径相邻位置的晶圆吸取情况，包括：

记录所述第一区域内与所述第一路径相邻位置的晶圆吸取情况；或者，记录所述第二区域内与所述第一路径相邻位置的晶圆吸取情况。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一路径是指从所述第一区域的预设位置开始逐行依次吸取所述第一区域内的晶圆。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二路径的起始位置与所述第一路径的预设位置相邻，所述第二路径是指从所述第二路径的起始位置开始逐行依次吸取所述未被吸取的晶圆。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第三路径是指从所述第三路径的起始位置开始逐行依次吸取所述第二区域内的晶圆。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述区域划分规则是指根据所述晶环上晶圆的不同亮度将所述晶环划分为亮度不同的多个晶圆区域。

7.一种电子设备，其特征在于，电子设备包括处理器和存储器，存储器用于存储计算机程序，处理器用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得电子设备执行权利要求1至6中任一项所述的方法。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，计算机可读存储介质中存储了计算机程序，当计算机程序被处理器执行时，使得处理器执行权利要求1至6中任一项所述的方法。

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