CN115079765B - 线性稳压器及包括其的集成电路器件 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及线性稳压器及包括其的集成电路器件，所述线性稳压器包括放大器、驱动级电路和输出级电路，其中：所述放大器的第一输入端连接基准电压、第二输入端连接到所述输出级电路提供的输出电压、输出端连接到所述驱动级电路；所述驱动级电路包括：电流源；和第一场效应管，其源极接入所述电流源、栅极接入所述放大器的输出端、漏极接地；所述输出级电路包括：第二场效应管，其栅极接入所述第一场效应管的源极、源极引出所述输出电压。

Description

线性稳压器及包括其的集成电路器件
技术领域
本申请涉及集成电路的电源领域，具体而言，涉及线性稳压器及包括其的集成电路器件。
背景技术
线性稳压器是一种在集成电路中常用的基本模块，常用于在芯片上为特定模块提供定制的电源。相比于开关电源，线性稳压器产生的电源噪声和纹波更小。更为重要的是，线性稳压器能够抑制来自外部电源的噪声与纹波，从而使得内部电路得到的电源质量更高。这种特性被称为线性稳压器的电源抑制能力，可以用电源抑制（Power SupplyRejection，PSR）来进行衡量。
线性稳压器的PSR特性与频率相关。在低速的***中，通常只会关心线性稳压器在低频处的PSR特性，但在高速的、噪声敏感的***中，需要关心线性稳压器全频带的PSR特性，以避免某个频率的电源噪声过多的进入***中。
为此，需要设计一种改进的线性稳压器。
发明内容
本申请的实施例提供了一种线性稳压器及包括其的集成电路器件，用于为集成电路器件提供噪声和波纹较小的高质量电源。
根据本申请的一方面，提供一种线性稳压器。所述线性稳压器包括放大器、驱动级电路和输出级电路，其中：所述放大器的第一输入端连接基准电压、第二输入端连接到所述输出级电路提供的输出电压、输出端连接到所述驱动级电路；所述驱动级电路包括：电流源；和第一场效应管，其源极接入所述电流源、栅极接入所述放大器的输出端、漏极接地；所述输出级电路包括：第二场效应管，其栅极接入所述第一场效应管的源极、源极引出所述输出电压。
在本申请的一些实施例中，可选地，所述第一场效应管为P沟道场效应管，并且所述第二场效应管为N沟道场效应管。
在本申请的一些实施例中，可选地，所述第二场效应管的漏极接入第一电源，所述放大器由第二电源驱动，并且所述第二电源的电压高于所述第一电源的电压。
在本申请的一些实施例中，可选地，所述电流源由所述第二电源驱动。
根据本申请的另一方面，提供一种线性稳压器。所述线性稳压器包括放大器、驱动级电路、反馈电路和一个或多个输出级电路，其中：所述放大器的第一输入端连接基准电压、第二输入端连接到所述反馈电路、输出端连接到所述驱动级电路；所述驱动级电路包括：电流源；和第一场效应管，其源极接入所述电流源、栅极接入所述放大器的输出端、漏极接地；所述反馈电路包括：第二场效应管，其栅极接入所述第一场效应管的源极、源极连接到所述第二输入端；和负载电阻，其连接到所述第二场效应管的源极与***接地之间；所述输出级电路包括：第三场效应管，其栅极接入所述第一场效应管的源极、源极引出所述输出电压。
在本申请的一些实施例中，可选地，所述第一场效应管为P沟道场效应管，并且所述第二场效应管、所述第三场效应管为N沟道场效应管。
在本申请的一些实施例中，可选地，所述输出级电路以所述输出电压向第二负载电阻供电，所述负载电阻的阻值被配置成使得所述第二场效应管与所述第三场效应管的尺寸之比等于所述第二负载电阻与所述负载电阻的阻值之比。
在本申请的一些实施例中，可选地，所述第二场效应管的漏极和所述第三场效应管的漏极接入第一电源，所述放大器由第二电源驱动，并且所述第二电源的电压高于所述第一电源的电压。
在本申请的一些实施例中，可选地，所述电流源由所述第二电源驱动。
根据本申请的另一方面，提供一种集成电路器件，所述器件包括如上文所述的任意一种线性稳压器。
附图说明
从结合附图的以下详细说明中，将会使本申请的上述和其他目的及优点更加完整清楚，其中，相同或相似的要素采用相同的标号表示。
图1示出了根据本申请的一个实施例的线性稳压器；
图2示出了根据本申请的一个实施例的线性稳压器；
图3示出了根据本申请的一个实施例的线性稳压器的PSR特性电路模型；
图4-7示出了根据现有的线性稳压器及其PSR特性电路模型。
具体实施方式
出于简洁和说明性目的，本文主要参考其示范实施例来描述本申请的原理。但是，本领域技术人员将容易地认识到相同的原理可等效地应用于所有类型的线性稳压器及包括其的集成电路器件，并且可以在其中实施这些相同或相似的原理，任何此类变化不背离本申请的真实精神和范围。本文中，N沟道场效应管（P沟道场效应管）、NMOS（PMOS）以及NMOS管（PMOS管）将混合使用。
图4-7示出了根据现有的线性稳压器及其PSR特性电路模型。其中，图4示出了一个典型的PMOS线性稳压器结构，其中包括了高增益放大器Amp、PMOS管M1（由电源Vdd1供电）、负载电阻Rload以及与之并联的电容Cload。在该线性稳压器的环路中，高增益放大器Amp（其工作电压也可由电源Vdd1提供）通过调整A点电压使基准电压Vref与输出电压Vout差值最小化，从而实现对输出电压直流点的调整。
假设基准电压Vref是一个无噪声的理想参考，以下将考虑其全频带的PSR特性。在低频时，输出端（引出输出电压Vout的位置）的噪声看到的电源噪声会受到环路的抑制，从而改善了低频的PSR。在高频时，输出端的噪声会被Cload到地的低阻抗抑制，因此在高频处，该设计也能获得较好的PSR特性。但在中频处，此时环路增益已经降低至小于1，而Cload的阻抗仍然较大，此时线性稳压器的PSR由PMOS管M1的输出电阻Rout与负载电阻Rload的分压来决定：
Figure DEST_PATH_IMAGE002
（1）
可见，普通结构的PMOS线性稳压器的全频带PSR接近于1，难以满足噪声敏感***的要求。
图5展示了一种在图4的基础上改进了的全频带PSR的NMOS线性稳压器设计。相比于图4所示的PMOS线性稳压器，其中以NMOS管M2替换了PMOS管M1，其余部分则保持不变。NMOS线性稳压器具有低输出阻抗的输出节点，减弱了噪声从电源到输出点的传递。由电阻分压导致的PSR可以计算为：
Figure DEST_PATH_IMAGE004
（2）
其中，Rout2表示NMOS管M2的输出电阻，gm2表示NMOS管M2的跨导，Rload表示电路中的负载电阻。通常，gm2Rout2的值显著大于式（2）中的其它项，这使得NMOS线性稳压器中频的PSR特性主要取决于调整管M2的自增益，并且NMOS线性稳压器的PSR特性显著好于PMOS线性稳压器。
图6中示出了图5中的NMOS线性稳压器的电容PSR影响，其中，Ramp表示放大器Amp的输出电阻，Cint表示B点连接的对地电容，Cgd表示NMOS管M2的栅极与漏极之间寄生的电容。在中频处，除了从Vdd1经过NMOS管M2输出电阻传递到输出电压Vout的电阻通路，NMOS线性稳压器还有一条通过栅极电容传递电源噪声的电容通路。由于输出级的跟随特性，可以认为在中频处输出电压Vout将跟随B点的变化。因此，从电源传递到B点的噪声将完全传递到输出电压Vout点。由于Ramp很大，计算时可以忽略，最终由电容导致的PSR特性能够表达为：
Figure DEST_PATH_IMAGE006
(3)
最终，由两种因素导致的总PSR特性为：
Figure DEST_PATH_IMAGE008
(4)
在总PSR特性中，电阻与电容导致的PSR特性具有相同权重，如果要优化总PSR则要求两者都具有较好的特性。式（3）中表明，要想优化电容PSR，需要加大Cint的大小。因此，NMOS线性稳压器需要额外的片上面积来放置电容来实现优化PSR的效果。
图7展示了一种在图5所示的NMOS线性稳压器进行改进的双电源NMOS线性稳压器。相比图5所示的NMOS线性稳压器，双电源NMOS线性稳压器使用Vdd1与Vdd2这两个工作电压分别对NMOS管M3和高增益放大器Amp进行供电，其中Vdd2的电压高于Vdd1的电压。这样，C点的电压受限于Vdd2的电压，但能够高于Vdd1的电压。NMOS管M3的压降不会受限于阈值电压的限制，从而能够获得远高于典型NMOS线性稳压器的效率。
为了解决以上描述的现有技术的线性稳压器中的一个或多个缺点，下文中将结合具体实施例说明本申请的基本原理。
根据本申请的一方面，提供一种线性稳压器。如图1所示，线性稳压器10中包括放大器101、驱动级电路102和输出级电路103。出于清晰示出本申请原理的考虑，图1中还示出了接入输出级电路103的负载电阻Rload和电容Cload，需要说明的是负载电阻Rload和电容Cload可以是对实际接入线性稳压器10（具体而言为输出级电路103）的各种负载的抽象。亦即，负载电阻Rload和电容Cload可以分别为实际负载的综合阻性、容性表征。
放大器101的第一输入端（图示为“+”极）连接到基准电压Vref、第二输入端（图示为“-”极）连接到输出级电路103提供的输出电压Vout、输出端连接到驱动级电路102。在其他一些示例中，放大器101的第一输入端与第二输入端的输入信号也可以互换。基准电压Vref的作用在于限定输出级电路103向外提供的输出电压Vout，具体而言，可以通过图中所示的放大器101、驱动级电路102和输出级电路103所构成的环路实现输出电压Vout的反馈和调整。
驱动级电路102包括电流源和第一场效应管M4，第一场效应管M4的源极接入电流源、栅极接入放大器101的输出端、漏极接地。输出级电路103包括第二场效应管M5，第二场效应管M5的栅极接入第一场效应管M4的源极、源极引出输出电压Vout。并联的负载电阻Rload以及电容Cload连接在输出级电路103的第二场效应管M5的源极与***接地之间。
放大器101可用于提供环路所需的增益，其可以具有较高的输出电阻。第一场效应管M4与上方的电流源构成驱动级电路102，用于在第二场效应管M5的栅极产生一个低阻抗节点（E点）。第二场效应管M5为线性稳压器10的调整管，用于构成输出级电路103。如前文所述，负载电阻Rload与电容Cload用于表示所需驱动的负载。
放大器101可以利用其高增益的特性使D点电压随着Vref与Vout的差值进行变化，在环路的作用下，可以使直流状态下Vout与Vref的差值很小，从而实现了对输出电压Vout的调整。利用具有较高增益的、差分输入的放大器一般可满足放大器101的设计需求。放大器101可以具有较高的输出电阻，使得其输出点D为环路中的低频极点，从而保证环路的稳定性。此外，在D点可以增加一些电容，进一步提高环路的稳定性，而不会影响本发明所关注的PSR特性。
第一场效应管M4与上方电流源构成驱动级电路102，其作用是将第二场效应管M5的栅极E点转变为低阻抗节点。在直流状态，第一场效应管M4的源级E点跟随栅极D点的变化而变化，因此驱动级电路102在直流点近似于短路且不会改变环路的增益。在交流状态，由于第一场效应管M4的特性，E点的对地电阻变为：
Figure DEST_PATH_IMAGE010
(5)
其中gm4表示第一场效应管M4的跨导，Rout,I表示电流源的输出电阻。通过合理调节电流源的电流大小，1/gm4可以远小于Rout,I以及放大器101的输出电阻。因此，相比将D、E直接短路的情况，驱动级电路102将E点的对地阻抗大大减小了。
输出级电路103中的第二场效应管M5可以通过E点电压值来控制输出电压Vout的大小。
在本申请的一些实施例中，第一场效应管M4为P沟道场效应管，并且第二场效应管M5为N沟道场效应管。N沟道场效应管具有低输出阻抗的输出节点，减弱了噪声从电源到输出点的传递。因此，以N沟道场效应管构建输出级电路103将使得线性稳压器10的PSR特性优于以P沟道场效应管来构建输出级电路103。
在本申请的一些实施例中，第二场效应管M5的漏极接入第一电源Vdd1，放大器101由第二电源Vdd2驱动，并且第二电源Vdd2的电压高于第一电源Vdd1的电压。双电源的线性稳压器10使用Vdd1与Vdd2这两个电压分别对NMOS管M5和放大器101进行供电，其中Vdd2的电压高于Vdd1的电压。这样，D点的电压受限于Vdd2的电压，但能够高于Vdd1的电压。NMOS管M5的压降不会受限于阈值电压的限制，从而能够获得远高于典型NMOS线性稳压器的效率。此外，驱动级电路102中的电流源也可以由第二电源Vdd2驱动。
图3示出了与图1对应的线性稳压器的PSR特性电路模型。分析图1中技术方案在最差频率的PSR，其总PSR可以表示为式（4）的形式，其中，由电阻特性导致的PSRR具体可以参见式（2）。而由于驱动级电路102的加入，电容导致的PSRC将与前文不同，其电路模型如图3所示。相比传统的NMOS线性稳压器情况，E点并联的电阻Rbuf是一个较小的电阻，因此不可在中频的计算中忽略。此时，电容导致的PSR特性可表示为：
Figure DEST_PATH_IMAGE012
(6)
其中Rbuf表示驱动级电路102的输出电阻，即1/gm4。s用于表示计算点的频率。式（6）中的Rbuf很小，因此PSRC的极点具有很高的频率。通过调整Rbuf的大小，可以容易的将PSRC的极点放置在比输出级电路103的极点更高频的位置。这样，在PSRC到来前，整个线性稳压器10的PSR已经由输出级电路103的极点的PSR能力主导。如此，电路的PSR就不再与PSRC强相关。
综上，低输出电阻的驱动级电路102使得电容导致的PSR特性有所改善，从而令整体的PSR特性变好。而且，NMOS线性稳压器的PSR不再与调整管栅极对地电容Cint强相关，使得实现时所需要的Cint电容的尺寸减小，从而降低了线性稳压器实现的成本。
根据本申请的另一方面提供了一种线性稳压器。如图2所示，线性稳压器20中包括放大器201、驱动级电路202、反馈电路203和一个或多个输出级电路204。图中出于示意性目的仅示出了一个输出级电路204，但是本领域技术人员可以按照图示的输出级电路204扩展出多路输出级电路204。同样地，出于清晰示出本申请原理的考虑，图2中还示出了接入输出级电路204的负载电阻Rload2（以下称为第二负载电阻以示区分）和电容Cload，并且在包括多路输出级电路的情况下，每一路输出级电路都能连接相应的负载电阻和电容。
放大器201的第一输入端（图示为“+”极）连接基准电压Vref、第二输入端（图示为“-”极）连接到反馈电路203、输出端连接到驱动级电路202。在其他一些示例中，放大器201的第一输入端与第二输入端的输入信号也可以互换。基准电压Vref的作用在于限定输出级电路204向外提供的输出电压Vout，具体而言，可以通过图中所示的放大器201、驱动级电路202和反馈电路203所构成的环路实现输出电压Vout的反馈和调整。
驱动级电路202包括电流源和第一场效应管M4，第一场效应管M4的源极接入电流源、栅极接入放大器201的输出端、漏极接地。反馈电路203包括第二场效应管M7，第二场效应管M7的栅极接入第一场效应管M4的源极、源极连接到放大器201的第二输入端。反馈电路203还包括连接到第二场效应管M7的源极与***接地之间的负载电阻Rload1。输出级电路204包括第三场效应管M8，第三场效应管M8的栅极接入第一场效应管M4的源极、源极引出输出电压Vout。并联的负载电阻Rload2以及电容Cload连接在输出级电路204的第三场效应管M8的源极与***接地之间。
图2所示的线性稳压器20与图1所示的线性稳压器10的工作原理基本相同，区别仅在于线性稳压器20中以放大器201、驱动级电路202、反馈电路203形成的环路实现对电压Voutr的控制，而输出级电路204仅用于向外提供输出电压Vout。上文中关于线性稳压器10的工作原理一并引用于此，限于篇幅在此不再赘述。
在本申请的一些实施例中，第一场效应管M4为P沟道场效应管，并且第二场效应管M7、第三场效应管M8为N沟道场效应管。N沟道场效应管具有低输出阻抗的输出节点，减弱了噪声从电源到输出点的传递。因此，以N沟道场效应管构建反馈电路203、输出级电路204将使得线性稳压器20的PSR特性优于以P沟道场效应管来构建反馈电路、输出级电路。
在本申请的一些实施例中，第二场效应管M7与第三场效应管M8的尺寸之比等于第二负载电阻与负载电阻的阻值之比。例如，如图2所示，可以使用复制管设计实现线性稳压器20的功能。图中的第二场效应管M7是第三场效应管M8的复制管，负载电阻Rload1是第二负载电阻Rload2的复制负载。第二场效应管M7、Rload1在环路中，而第三场效应管M8不在环路中，仅与第二场效应管M7共用栅极电压。如果可以保证第二场效应管M7与第三场效应管M8的尺寸之比等于第二负载电阻Rload2与负载电阻Rload1之比，则可以认为Vout等于Voutr，从而对电压Voutr的控制也将实现对直流电压Vout的调整。需要满足的尺寸关系如下：
Figure DEST_PATH_IMAGE014
（7）
其中，W/L分别表示第二场效应管M7、第三场效应管M8的沟道尺寸的宽长比。如此，线性稳压器20在输出电压Vout点的PSR特性与线性稳压器10在输出电压Vout点的PSR特性将保持一致。
在本申请的一些实施例中，第二场效应管M7的漏极和第三场效应管M8的漏极接入第一电源Vdd1，放大器201由第二电源Vdd2驱动。双电源的线性稳压器20使用Vdd1与Vdd2这两个电压分别对NMOS管M7、M8和放大器201进行供电，其中Vdd2的电压高于Vdd1的电压。这样，D点的电压受限于Vdd2的电压，但能够高于Vdd1的电压。NMOS管M7、M8的压降不会受限于阈值电压的限制，从而能够获得远高于典型NMOS线性稳压器的效率。此外，驱动级电路202中的电流源也可以由第二电源Vdd2驱动。
本申请的另一方面还提供一种集成电路器件，所述器件包括如上文所述的任意一种线性稳压器。
综合以上，本申请的一些实施例以NMOS管构建线性稳压器，能够具有更好的PSR；一些实施例中以双电源域分别为MOS管和放大器供电，能够提高线性稳压器的效率。此外，一些实施例中通过低电阻输出驱动级将调整管栅极变为低阻节点，能够改善PSR，并节约面积，降低成本。
以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此。本领域的技术人员可以根据本申请所披露的技术范围想到其他可行的变化或替换，此等变化或替换皆涵盖于本申请的保护范围之中。在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征还可以相互组合。本申请的保护范围以权利要求的记载为准。

Claims (8)

1.一种线性稳压器，其特征在于，所述线性稳压器包括放大器、驱动级电路和输出级电路，其中：
所述放大器的第一输入端连接基准电压、第二输入端连接到所述输出级电路提供的输出电压、输出端连接到所述驱动级电路；
所述驱动级电路包括：
电流源；和
第一场效应管，其源极接入所述电流源、栅极接入所述放大器的输出端、漏极接地；
所述输出级电路包括：
第二场效应管，其栅极接入所述第一场效应管的源极、源极引出所述输出电压；其中，
所述第二场效应管的漏极接入第一电源，所述放大器由第二电源驱动，并且所述第二电源的电压高于所述第一电源的电压；以及所述电流源由所述第二电源驱动。
2.根据权利要求1所述的线性稳压器，其中，所述第一场效应管为P沟道场效应管，并且所述第二场效应管为N沟道场效应管。
3.一种线性稳压器，其特征在于，所述线性稳压器包括放大器、驱动级电路、反馈电路和一个或多个输出级电路，其中：
所述放大器的第一输入端连接基准电压、第二输入端连接到所述反馈电路、输出端连接到所述驱动级电路；
所述驱动级电路包括：
电流源；和
第一场效应管，其源极接入所述电流源、栅极接入所述放大器的输出端、漏极接地；
所述反馈电路包括：
第二场效应管，其栅极接入所述第一场效应管的源极、源极连接到所述第二输入端；和
负载电阻，其连接到所述第二场效应管的源极与***接地之间；
所述输出级电路包括：
第三场效应管，其栅极接入所述第一场效应管的源极、源极引出输出电压。
4.根据权利要求3所述的线性稳压器，其中，所述第一场效应管为P沟道场效应管，并且所述第二场效应管、所述第三场效应管为N沟道场效应管。
5.根据权利要求4所述的线性稳压器，其中，所述输出级电路以所述输出电压向第二负载电阻供电，所述负载电阻的阻值可配置成使得所述第二场效应管与所述第三场效应管的尺寸之比等于所述第二负载电阻与所述负载电阻的阻值之比。
6.根据权利要求4所述的线性稳压器，其中，所述第二场效应管的漏极和所述第三场效应管的漏极接入第一电源，所述放大器由第二电源驱动，并且所述第二电源的电压高于所述第一电源的电压。
7.根据权利要求6所述的线性稳压器，其中，所述电流源由所述第二电源驱动。
8.一种集成电路器件，其特征在于，所述器件包括如权利要求1-7中任一项所述的线性稳压器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2264573B (en) * 1992-02-05 1996-08-21 Nec Corp Reference voltage generating circuit
GB9320991D0 (en) * 1993-10-12 1993-12-01 Philips Electronics Uk Ltd A circuit for providing a current source
DE60314415T2 (de) * 2003-08-29 2008-02-21 Texas Instruments Inc., Dallas Phasenregelschleife mit einer Ladungspumpe und Störunterdrückungsverbesserung der Stromversorgung
EP1801975A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-27 STMicroelectronics S.r.l. Output buffer
CN100492244C (zh) * 2007-03-21 2009-05-27 北京中星微电子有限公司 一种低压差的电压调节器
CN101183270B (zh) * 2007-11-21 2010-06-02 北京中星微电子有限公司 一种低压差稳压器
CN102096434B (zh) * 2010-12-23 2012-11-28 东南大学 一种基于大摆率误差放大器的高精度高速ldo电路
US9594387B2 (en) * 2011-09-19 2017-03-14 Texas Instruments Incorporated Voltage regulator stabilization for operation with a wide range of output capacitances
US8760131B2 (en) * 2012-01-06 2014-06-24 Micrel, Inc. High bandwidth PSRR power supply regulator
CN102681582A (zh) * 2012-05-29 2012-09-19 昆山锐芯微电子有限公司 低压差线性稳压电路
TWI466587B (zh) * 2012-12-21 2014-12-21 Upi Semiconductor Corp 發光二極體驅動電路及其運作方法
CN103076835A (zh) * 2013-01-28 2013-05-01 上海宏力半导体制造有限公司 低压差线性稳压器及其调整电路
EP2887173A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-24 Dialog Semiconductor GmbH Method and apparatus for DC-DC converter with boost/low dropout (LDO) mode control
CN104793672B (zh) * 2014-01-16 2016-11-23 北京大学 一种高电源抑制比的低压差线性稳压器
CN203950232U (zh) * 2014-07-14 2014-11-19 衢州市沃思电子技术有限公司 低压差线性稳压源
CN105138064A (zh) * 2015-08-04 2015-12-09 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 一种高带宽高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器电路
CN106155159B (zh) * 2016-08-19 2018-03-23 重庆西南集成电路设计有限责任公司 复用电路和误差放大器以及多路输出低压差线性稳压器
US10416695B1 (en) * 2018-06-19 2019-09-17 Synaptics Incorporated Linear regulator with first and second feedback voltages
CN109062309B (zh) * 2018-10-26 2019-08-02 清华大学 一种低压差线性电压调节器
US11036247B1 (en) * 2019-11-28 2021-06-15 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Voltage regulator circuit with high power supply rejection ratio
WO2022082656A1 (zh) * 2020-10-22 2022-04-28 深圳市汇顶科技股份有限公司 低压差线性稳压器和供电电路
CN113672019B (zh) * 2021-08-18 2022-12-06 成都华微电子科技股份有限公司 动态偏置高psrr低压差线性稳压器

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