CN115074663B - 蒸镀装置 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 33
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 28
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract description 8
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 23
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 206010040954 Skin wrinkling Diseases 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
本申请提供一种蒸镀装置,蒸镀装置用于蒸镀基板,蒸镀装置包括支撑板、多个磁吸附单元和掩膜板;多个磁吸附单元设于支撑板的一侧,磁吸附单元包括永磁体和磁场调节元件,磁场调节元件用于调节磁吸附单元的磁场强度;掩膜板设于磁吸附单元背离支撑板的一侧,并与磁吸附单元间隔设置,其中,磁吸附单元用于将掩膜板吸附于基板。本申请提供的蒸镀装置,可以实现磁吸附单元对掩膜板的吸附力的局部调整,降低掩膜板出现褶皱的现象,提高掩膜板与基板贴合的紧密度,如此在使用掩膜板对基板进行蒸镀的过程中,有利于降低混色等蒸镀不良的风险。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板制造技术领域,特别是涉及一种蒸镀装置。
背景技术
在制作显示面板过程中,可利用蒸镀方式,通过掩膜板在基板上形成所需的图案。其中,掩膜板与基板需要进行对位。现阶段,使用磁吸附单元吸引固定掩膜板,使掩膜板与待蒸镀基板对位。具体地,可在基板一侧设置多个磁吸附单元,在待蒸镀基板的另一侧放置掩膜板。
然而,相关技术中,在通过掩膜板对待蒸镀基板进行蒸镀的过程中,掩膜板容易出现褶皱,无法在基板上摊平,从而在蒸镀的过程中,掩膜板无法与基板紧密贴合,易造成混色等蒸镀不良。
发明内容
本申请提供一种蒸镀装置,以改善掩膜板无法与基板紧密贴合的问题。
第一方面,本申请实施例提供一种蒸镀装置,用于蒸镀基板,所述蒸镀装置包括支撑板、多个磁吸附单元和掩膜板;多个磁吸附单元设于支撑板的一侧,磁吸附单元包括永磁体和磁场调节元件,磁场调节元件用于调整磁吸附单元的磁场强度;掩膜板,设于多个磁吸附单元背离支撑板的一侧,并与磁吸附单元间隔设置,其中,磁吸附单元用于将掩膜板吸附于基板。
在一些实施例中,磁场调节元件包括电磁铁,电磁铁环绕永磁体设置。
在一些实施例中,电磁铁包括铁芯和线圈,铁芯套设于永磁体外,线圈绕设于铁芯的外周侧。
在一些实施例中,电磁铁的最大磁场强度小于永磁体的最小破坏磁场强度。
在一些实施例中蒸镀装置还包括冷却板,冷却板设置于支撑板背离磁吸附单元的一侧并用于冷却电磁铁。
在一些实施例中,冷却板内具有第一流道,第一流道用于流通冷却介质。
在一些实施例中,支撑板内具有第二流道,第二流道用于流通冷却介质。
在一些实施例中,蒸镀装置还包括电源元件,电源元件与线圈连接并用于向线圈提供电能。
在一些实施例中,蒸镀装置还包括电流调节元件,电流调节元件电连接电源元件和线圈,以调节流经线圈的电流。
在一些实施例中,磁场调节元件包括铁元件和伸缩件,永磁体环绕铁元件设置,伸缩件用于调节永磁体和铁元件的交叠距离。
在一些实施例中,永磁体具有贯穿设置的第一通孔,铁元件的至少部分伸入第一通孔,伸缩件用于调节铁元件伸入第一通孔的距离。
在一些实施例中,支撑板包括第一支撑板和第二支撑板,永磁体连接于第一支撑板,第一支撑板具有沿第一通孔的轴向贯穿设置的第二通孔,铁元件连接于第二支撑板,并穿设于第二通孔;伸缩件连接第一支撑板和第二支撑板,以使第一支撑板和第二支撑板沿第一通孔的轴向相对移动。
在一些实施例中,铁元件包括第一子段和第二子段,第一子段的至少部分伸入第二通孔内;伸缩件连接第一子段和第二子段,以使第一子段相对于第二子段沿第一通孔的轴向伸缩。
在一些实施例中,多个磁吸附单元沿第一方向和第二方向阵列排布,第一方向和第二方向相交。
在一些实施例中,第一方向和第二方向垂直。
在一些实施例中,多个磁吸附单元呈圆形阵列排布。
在一些实施例中,支撑板具有第一安装孔,永磁体与第一安装孔过盈配合。
在一些实施例中,支撑板具有第二安装孔,磁场调节元件与第二安装孔过盈配合。
本申请实施例提供的蒸镀装置,通过设置磁吸附单元包括永磁体和磁场调节元件,通过磁场调节元件调节磁吸附单元的磁场强度的大小或者方向,进而调节单个磁吸附单元对掩膜板的吸附力大小,以实现磁吸附单元对掩膜板的吸附力的局部调整,在使用掩膜板对基板进行蒸镀的过程中,有利于降低掩膜板出现褶皱的现象,提高掩膜板与基板贴合的紧密度,如此,在使用掩膜板对基板进行蒸镀的过程中,有利于降低混色等蒸镀不良的风险。
附图说明
下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中,相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
图1为本申请实施例提供的蒸镀装置和基板的一种剖视结构示意图;
图2为本申请实施例提供的蒸镀装置和基板的另一种剖视结构示意图;
图3为本申请实施例提供的蒸镀装置和基板的又一种剖视结构示意图;
图4为本申请实施例提供的蒸镀装置和基板的还一种剖视结构示意图;
图5为本申请实施例提供的蒸镀装置和基板的再一种剖视结构示意图。
附图标记说明:
1蒸镀装置;11、支撑板;11a、第二流道;111、第一支撑板;111a、第二通孔;112、第二支撑板;12、磁吸附单元;121、永磁体;121a、第一通孔;122、磁场调节元件;1221、电磁铁;1222、铁元件;1222a、第一子段;1222b、第二子段;1223、伸缩件;13、冷却板;13a、第一流道;14、掩膜板;
2、基板。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中,提出了许多具体细节,以便提供对本申请的全面理解。但是,对于本领域技术人员来说很明显的是,本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中,至少部分的公知结构和技术没有被示出,以便避免对本申请造成不必要的模糊;并且,为了清晰,可能夸大了部分结构的尺寸。此外,下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
此外,为了理解和易于描述,任意地示出图中所示的每个配置的尺寸和厚度,但是本申请构思不限于此。在图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板和区域等的厚度。在图中,为了更好理解和易于描述,放大了一些层和区域的厚度。
可以理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被描述为“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在该另一元件上,或者还可以存在中间元件。相比之下,当元件被描述为“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。此外,在整个说明书中,词语“在”目标元件“上”表示定位在目标元件上方或下方,并且不必须表示基于重力方向定位“在上侧处”。
此外,除非明确地作出相反描述,否则词语“包括”将被理解为隐含包括所陈述的元件,但是不排除任何其它元件。
在显示面板如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板等的制作过程中,需要通过蒸镀的方式,使用掩膜板在基板上形成所需的图案。在蒸镀装置中,需要对掩膜板和基板进行对位,以保证在基板上形成的图案以及图案位置的准确性。在实际操作中,可利用磁吸附单元吸引固定掩膜板,使掩膜板与基板贴合,以便于实现掩膜板和基板的对位。具体地,磁吸附单元和掩膜板分别位于基板的相对两侧,磁吸附单元将掩膜板吸附在基板上。
相关技术中,磁吸附单元通常包括多个阵列排布的多个磁吸附单元,磁吸附单元一旦制作完成,每个磁吸附单元的磁场强度是固定的,则每个磁吸附单元对掩膜板的吸附力的大小是固定、不可调的。因此,每一个磁吸附单元对掩膜板的吸附力大小不能做局部调整。而由于掩膜板上不同区域设置,其形成的图案不同,则受到的磁吸附单元的磁力的大小不均匀,分布的也不均匀,如此,易造成掩膜板上局部位置由于局部受力过大或者较小而出现褶皱,进而造成掩模板无法与基板紧密贴合,在对基板进行蒸镀的过程中,造成混色等蒸镀不良的现象。
有鉴于此,本申请实施例提供一种蒸镀装置,以下将结合附图对蒸镀装置的各实施例进行说明。
本申请实施例提供的蒸镀装置可以用于制作显示面板,该显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板。
图1示出了根据本申请实施例提供的一种蒸镀装置1与基板2在安装状态下的结构示意图。
如图1所示,蒸镀装置1用于蒸镀基板2,蒸镀装置1包括支撑板11、多个磁吸附单元12和掩膜板14,多个磁吸附单元12设于支撑板11的一侧,磁吸附单元12包括永磁体121和磁场调节元件122,磁场调节元件122用于调整永磁体121的磁场强度。掩膜板14设于磁吸附单元12背离支撑板11的一侧,并与磁吸附单元12间隔设置,其中,磁吸附单元12用于将掩膜板14吸附于基板2。
可选地,支撑板11的材料可以是具有一定结构强度的绝缘材料,在不影响磁吸附单元12的磁场强度的前提下,能够支撑多个磁吸附单元12,并不容易产生变形。示例性地,支撑板11的材料可以包括PI等绝缘材料。
具体地,可以将磁吸附单元12和掩膜板14分别设置于基板2相对的两个表面,并设置掩膜板14与基板2的待蒸镀的表面贴合,通过磁吸附单元12对掩膜板14的磁吸附作用,以实现掩膜板14贴合于基板2上,便于后续对基板2进行蒸镀。
可选地,磁场调节元件122可以是通过增强或者减弱永磁体121产生的磁场强度的方式调整磁吸附单元12的整体磁场强度。示例性地,磁场调节元件122可以是电磁铁,通过改变线圈内的电流的方向,改变电磁铁对永磁体121周围的磁场的强度的增强或者减弱。
可选地,磁场调节元件122可以是通过直接改变永磁体121产生的磁场强度的方式,调整磁吸附单元12的整体磁场强度。示例性地,磁场调节元件122可以是铁元件,通过改变铁元件与永磁体121的相对位置,以改变永磁体121的磁场强度。
如此,可以根据需要调整磁场调节元件122的位置,或者调整磁场调节元件122的电流大小或者方向等,调整对应的磁吸附单元12的磁场强度,进而调整磁吸附单元12对掩膜板14的局部吸附力的大小。
可选地,多个磁吸附单元12的分布可以呈阵列分布,或者,多个磁吸附单元12根据掩膜板14的形状和图案呈对应形状的分布方式。这里不做限制,可以根据实际情况进行选取。
本申请实施例提供的蒸镀装置1,通过设置磁吸附单元12包括永磁体121和磁场调节元件122,通过磁场调节元件122调节磁吸附单元12的磁场强度的大小或者方向,进而调节单个磁吸附单元12对掩膜板14的吸附力大小,以实现磁吸附单元12对掩膜板14的吸附力的局部调整,在使用掩膜板14对基板2进行蒸镀的过程中,有利于降低掩膜板14出现褶皱的现象,提高掩膜板14与基板2贴合的紧密度,如此,在使用掩膜板14对基板2进行蒸镀的过程中,有利于降低混色等蒸镀不良的风险。
如图2示出了本申请实施例提供的另一种蒸镀装置1与基板2在安装状态下的剖视结构示意图。
可选地,如图2所示,磁场调节元件122可以包括电磁铁1221,电磁铁1221与永磁体121的相对位置可以以任何能够改变永磁体121周围的磁场强度的方式设置,示例性地,可以设置电磁铁1221围设在永磁体121的整个外周侧或者部分外周侧,或者,可以设置永磁体121围设在电磁铁1221的整个外周侧或者部分外周侧,本申请对此不作限制,可以根据实际需求进行选取。
在一些实施例中,磁场调节元件122包括电磁铁1221,电磁铁1221环绕永磁体121设置。
如此设置,可以通过改变电磁铁1221的磁场强度的方向,以实现电磁铁1221产生的磁场对永磁体121的磁场强度的增强或者减弱。并可以通过调整电磁铁1221的电流的大小,以调整对永磁体121的磁场强度增强或者减弱的大小。且设置电磁铁1221环绕永磁体121设置,则使得电磁铁1221对磁吸附单元12的磁场强度的改变更加明显,有利于提高磁吸附单元12的磁场强度变化的灵敏度。
在一些实施例中,电磁铁1221包括铁芯和线圈,铁芯套设于永磁体121外,线圈绕设于铁芯的外周侧。
具体地,可以通过改变线圈内的电流的方向,改变电磁铁1221产生的磁场的方向,进而改变电磁铁1221对永磁体121周围的磁场强度的增强或者减弱。另外,还可以通过调整线圈内电流的大小,改变电磁铁1221产生的磁场强度的大小,以调整电磁铁1221对磁吸附单元12产生的磁场的增强或者减弱的大小。
在一些实施例中,电磁铁1221的最大磁场强度小于永磁体121的最小破坏磁场强度。
具体地,电磁铁1221存在磁场饱和度,也就是说,当线圈内电流增加到一定数值后,即使继续增大线圈的电流,电磁铁1221产生的磁场强度也不会增加。因此,电磁体1221能够产生的最大磁场强度对应电磁铁1221的磁场饱和度。而永磁体121存在矫顽力,也就是说给永磁体121施加反向的磁场,当反向磁场强度大于一定数值后,永磁体121会被破坏,永磁体121的最小破坏磁场强度对应永磁体121的矫顽力。因此,设置电磁铁1221的最大磁场强度小于永磁体121的最小破坏磁场强度,在电磁铁1221产生的磁场强度与永磁体121的磁场强度相反的工作状况下,可以降低电磁铁1221因磁场强度过大而损坏永磁体121的风险。
可以理解的是,在电磁铁1221工作的过程中,由于线圈内通有电流,则电磁铁1221在工作的过程中,不可避免地会产生一定的热量。电磁铁1221产生的热量可以通过自然散热的方式散发的环境中去,也可以通过设置冷却单元,以降低磁吸附单元12的温度。
在一些实施例中,如图2所示,蒸镀装置1还包括冷却板13,冷却板13设置于支撑板11背离磁吸附单元12的一侧并用于冷却电磁铁1221。
可选地,可以通过对冷却板13降温的方式,来冷却电磁铁1221。也可以在冷却板13内设置流道,向流道内循环通入冷却介质,通过冷却介质带走电磁铁1221传导过来的热量。
可以理解的是,在磁吸附单元12工作的过程中,通过设置冷却板13,可以及时带走电磁铁1221工作过程产生的热量,有利于维持磁吸附单元12工作的稳定性。
在一些实施例中,冷却板13内具有第一流道13a,第一流道13a用于流通冷却介质。
具体地,冷却介质在第一流道13a内流动的过程中带走冷却板13内的热量,可以在冷却板13外对冷却介质进行降温处理,以实现冷却介质的循环流动,或者,冷却介质在带走冷却板13内的热量后,即不再使用。
可以理解的是,设置冷却板13内具有第一流道13a,以使冷却介质在第一流道13a内流通,通过冷却介质带走冷却板13的热量,可以高效地实现对磁吸附单元12的降温。
如图3示出了本申请实施例提供的又一种蒸镀装置1和基板2安装状态下的剖视结构示意图。
如图3所示,在一些实施例中,支撑板11内具有第二流道11a,第二流道11a用于流通冷却介质。
在支撑板11内具有第二流道11a的实施例中,可以同时设置有冷却板13,也可以不必设置冷却板13。
设置支撑板11内具有第二流道11a,仍然能够实现对磁吸附单元12降温,以保证其正常工作,同时降低由于磁吸附单元12温度过高而影响蒸镀效果的风险。
由于电磁铁1221在工作的过程中,需要电源组件,以在线圈内产生电流。可选地,可以将为电磁铁1221工作提供电源的相关装置设置在蒸镀装置1的外部,在需要使用时,使其与电磁铁1221电连接。或者将相关电源装置集成在蒸镀装置1中。
在一些实施例中,蒸镀装置1还包括电源元件,电源元件与线圈连接并用于向线圈提供电能。
可以理解的是,将电源组件集成在蒸镀装置1中,更加便于磁吸附单元12的使用,也更加便于调整电磁铁1221中线圈的电流的大小和方向。
在一些实施例中,蒸镀装置1还包括电流调节元件,电流调节元件电连接电源元件和线圈,以调节流经线圈的电流。
可选地,电流调节元件可以是一个可变电阻,通过调整其阻值的大小,调整流经线圈的电流。或者电流调节元件是变压器,通过调整电源元件的电压值的大小,调整流经线圈的电流的大小。
如图4示出了本申请实施例提供的又一种蒸镀装置1和基板2的剖视结构示意图。
如图4所示,在一些实施例中,磁场调节元件122包括铁元件1222和伸缩件1223,永磁体121环绕铁元件1222设置,伸缩件1223用于调节永磁体121和铁元件1222的交叠距离。
可选地,铁元件1222可以是圆柱形铁棒、棱柱形铁棒、中空柱形铁棒等。只要能够改变永磁体121的磁场强度即可。
可选地,伸缩件1223可以通过使铁元件1222座伸缩运动,以改变铁元件1222与永磁体121的交叠距离,或者,伸缩件1223通过改变铁元件1222与永磁体121的相对距离,来改变铁元件1222与永磁体121的交叠距离,具体可以根据需要进行选取。
具体地,铁元件1222与永磁体121的交叠距离改变,则对应的永磁体121产生的磁场的强度也发生改变,根据永磁体121所需要的磁场强度的大小,改变铁元件1222与永磁体121的交叠距离,进而实现磁吸附单元12对掩膜板14的局部的磁力的调整。如此设置,在对基板2进行蒸镀的过程中,依然有利于降低掩膜板14出现褶皱的风险。
在一些实施例中,永磁体121具有贯穿设置的第一通孔121a,铁元件1222的至少部分伸入第一通孔121a,伸缩件1223用于调节铁元件1222伸入第一通孔121a的距离。
如此设置,依然能够实现铁元件1222改变永磁体121产生的磁场强度的目的。
可选地,伸缩件1223可以与支撑板11连接,也可以与铁元件1222连接,可以根据实际情况进行设置。
如图5示出了本申请实施例提供的再一种蒸镀装置1和基板2在安装状态下的剖视结构示意图。
如图5所示,在一些实施例中,支撑板11包括第一支撑板111和第二支撑板112,永磁体121连接于第一支撑板111,第一支撑板111具有沿第一通孔121a的轴向贯穿设置的第二通孔111a,铁元件1222连接于第二支撑板112,并穿设于第二通孔111a。伸缩件1223连接第一支撑板111和第二支撑板112,以使第一支撑板111和第二支撑板112沿第一通孔121a的轴向相对移动。
可选地,可以设置每一个磁吸附单元12对应一个第二支撑板112,多个第二支撑板112间隔设置,并设置每一个第二支撑板112对应一个伸缩件1223,通过调整伸缩件1223的伸缩调整对应的第一支撑板111相对第二支撑板112的距离,进而调整铁元件1222伸入永磁体121内的距离,进而改变永磁体121的磁场强度。
如此设置,依然能够实现改变永磁体121的磁场强度的目的,进而改变磁吸附单元12对掩膜板14的吸附力大小。
在一些实施例中,铁元件1222包括第一子段1222a和第二子段1222b,第一子段1222a的至少部分伸入第二通孔111a内。伸缩件1223连接第一子段1222a和第二子段1222b,以使第一子段1222a相对于第二子段1222b沿第一通孔121a的轴向伸缩。
具体地,通过伸缩件1223调整第一子段1222a相对于第二子段1222b的位置,以调整铁元件1222的整体长度,即调整铁元件1222伸入永磁体121的第一通孔121a的距离,进而调整永磁体121产生的磁场强度大小。
可以理解的是,蒸镀装置1可以包括多个磁吸附单元12,多个磁吸附单元12间隔设置,分别对掩膜板14的不同位置进行吸附。可选地,多个磁吸附单元12的可以呈阵列排布,也可以呈不规则的形状排布,以调整对掩膜板14的吸附力的大小和位置。
在一些实施例中,多个磁吸附单元12沿第一方向和第二方向阵列排布,第一方向和第二方向相交。
可选地,第一方向和第二方向可以呈锐角、直角或者钝角,这里不做限制,可以根据实际需要进行选取。
如此设置,有利于提高多个磁吸附单元12对掩膜板14吸附力分布的均匀性,进一步有利于降低掩膜板14在基板2上产生褶皱的风险。
在一些实施例中,第一方向和第二方向垂直。如此,有利于进一步提高蒸镀装置1中磁吸附单元12分布的均匀性,进而提高多个磁吸附单元12对掩膜板14吸附作用的均匀性。
在一些实施例中,多个磁吸附单元12呈圆形阵列排布。如此设置,可以根据掩膜板14的形状,具体设置磁吸附单元12的间距和排布密度,依然能够有利于提高蒸镀装置1中磁吸附单元12分布的均匀性,进而提高多个磁吸附单元12对掩膜板14吸附作用的均匀性。
可选地,永磁体121和磁场调节元件122与支撑板11可以通过螺纹连接、卡接或者铆接等方式连接,可以根据实际情况具体设置,这里不做限制。
在一些实施例中,支撑板11具有第一安装孔,永磁体121与第一安装孔过盈配合。即通过过盈配合的方式实现支撑板11与永磁体121的连接,且永磁体121不会相对于支撑板11产生晃动。因此,通过过盈配合的方式实现支撑板11与永磁体121的连接,结构简单,连接可靠。
在支撑板11包括第一支撑板111和第二支撑板112的实施例中,由于永磁体121与第一支撑板111连接,第一安装孔设置于第一支撑板111,永磁体121与第一安装孔通过过盈配合的方式连接。
在一些实施例中,支撑板11具有第二安装孔,磁场调节元件122与第二安装孔过盈配合。
同永磁体121与第一安装孔的过盈配合,设置第二安装孔与磁场调节元件122过盈配合,结构简单,连接可靠。
在磁场调节元件122包括电磁铁1221的实施例中,铁芯与第二安装孔过盈配合,在磁场调节元件122包括铁元件1222的实施例中,铁元件1222与第二安装孔过盈配合。
可以理解的是,在支撑板11包括第一支撑板111和第二支撑板112的实施例中,由于铁元件1222与第二支撑板112连接,第二安装孔形成于第二支撑板112。
虽然已经参考优选实施例对本申请进行了描述,但在不脱离本申请的范围的情况下,可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是,只要不存在结构冲突,各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例,而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (10)
1.一种蒸镀装置,用于蒸镀基板,其特征在于,所述蒸镀装置包括:
支撑板;
多个磁吸附单元,设于所述支撑板的一侧,所述磁吸附单元包括永磁体和磁场调节元件,所述磁场调节元件用于调整所述磁吸附单元的磁场强度;
掩膜板,设于多个所述磁吸附单元背离所述支撑板的一侧,并与所述磁吸附单元间隔设置,
其中,所述磁吸附单元用于将所述掩膜板吸附于所述基板;
所述磁场调节元件包括铁元件和伸缩件,所述永磁体环绕所述铁元件设置,所述伸缩件用于调节所述永磁体和所述铁元件的交叠距离;
所述永磁体具有贯穿设置的第一通孔,所述铁元件的至少部分伸入所述第一通孔,所述伸缩件用于调节所述铁元件伸入所述第一通孔的距离;
所述支撑板包括第一支撑板和第二支撑板,每个所述磁吸附单元对应一个所述第二支撑板,多个所述第二支撑板间隔设置;所述永磁体连接于所述第一支撑板,所述第一支撑板具有沿所述第一通孔的轴向贯穿设置的第二通孔,所述铁元件连接于所述第二支撑板,并穿设于所述第二通孔;
所述伸缩件连接所述第一支撑板和所述第二支撑板,以使所述第一支撑板和所述第二支撑板沿所述第一通孔的轴向相对移动。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,多个所述磁吸附单元沿第一方向和第二方向阵列排布,所述第一方向和所述第二方向相交。
3.根据权利要求2所述的蒸镀装置,其特征在于,所述第一方向和所述第二方向垂直。
4.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,多个所述磁吸附单元呈圆形阵列排布。
5.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述第一支撑板具有第一安装孔,所述永磁体与所述第一安装孔过盈配合;和/或
所述第二支撑板具有第二安装孔,所述铁元件与所述第二安装孔过盈配合。
6.一种蒸镀装置,用于蒸镀基板,其特征在于,所述蒸镀装置包括:
支撑板;
多个磁吸附单元,设于所述支撑板的一侧,所述磁吸附单元包括永磁体和磁场调节元件,所述磁场调节元件用于调整所述磁吸附单元的磁场强度;
掩膜板,设于多个所述磁吸附单元背离所述支撑板的一侧,并与所述磁吸附单元间隔设置,
其中,所述磁吸附单元用于将所述掩膜板吸附于所述基板;
所述磁场调节元件包括铁元件和伸缩件,所述永磁体环绕所述铁元件设置,所述伸缩件用于调节所述永磁体和所述铁元件的交叠距离;
所述永磁体具有贯穿设置的第一通孔,所述铁元件的至少部分伸入所述第一通孔,所述伸缩件用于调节所述铁元件伸入所述第一通孔的距离;
所述支撑板包括第一支撑板和第二支撑板,所述永磁体连接于所述第一支撑板,所述第一支撑板具有沿所述第一通孔的轴向贯穿设置的第二通孔,所述铁元件连接于所述第二支撑板,并穿设于所述第二通孔;
所述铁元件包括第一子段和第二子段,所述第一子段的至少部分伸入所述第一通孔内;
所述伸缩件连接所述第一子段和所述第二子段,以使所述第一子段相对于所述第二子段沿所述第一通孔的轴向伸缩。
7.根据权利要求6所述的蒸镀装置,其特征在于,多个所述磁吸附单元沿第一方向和第二方向阵列排布,所述第一方向和所述第二方向相交。
8.根据权利要求7所述的蒸镀装置,其特征在于,所述第一方向和所述第二方向垂直。
9.根据权利要求6所述的蒸镀装置,其特征在于,多个所述磁吸附单元呈圆形阵列排布。
10.根据权利要求6所述的蒸镀装置,其特征在于,所述第一支撑板具有第一安装孔,所述永磁体与所述第一安装孔过盈配合;和/或
所述第二支撑板具有第二安装孔,所述铁元件与所述第二安装孔过盈配合。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202210689644.0A CN115074663B (zh) | 2022-06-17 | 2022-06-17 | 蒸镀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210689644.0A CN115074663B (zh) | 2022-06-17 | 2022-06-17 | 蒸镀装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115074663A CN115074663A (zh) | 2022-09-20 |
CN115074663B true CN115074663B (zh) | 2024-02-27 |
Family
ID=83254462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210689644.0A Active CN115074663B (zh) | 2022-06-17 | 2022-06-17 | 蒸镀装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN115074663B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003187973A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-07-04 | Ans Inc | 電磁石を用いた有機電界発光素子製作用蒸着装置及びこれを用いた蒸着方法 |
CN205368488U (zh) * | 2016-02-29 | 2016-07-06 | 上海和辉光电有限公司 | 一种蒸镀装置 |
CN107815649A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀装置及蒸镀方法 |
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