CN115004339A - 热处理装置 - Google Patents

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Abstract

对半导体晶片照射光来进行加热处理的腔室和可燃性气体供给源通过可燃性气体供给管连通连接。在可燃性气体供给管安装有调整可燃性气体的供给流量的电气式流量控制器等。可燃性气体供给管中的包含可能成为着火源的电气式流量控制器等的部分被内侧框体包围。向内侧框体的内部的内侧空间供给作为不燃性气体的氮气。通过向内部空间供给不燃性气体，并且排出滞留在内部空间中的气体，内部空间中的氧浓度降低到小于***极限，从而能够防止可燃性气体的火灾和***。

Description

热处理装置
技术领域
本发明涉及通过对半导体晶片等薄板状精密电子基板(以下简称为“基板”)照射光来加热该基板的热处理装置。
背景技术
作为制造半导体元件的装置，对半导体晶片照射光来加热该该半导体晶片的热处理装置被广泛使用。例如，在专利文献1中，公开了一种热处理装置，该热处理装置对形成有高介电常数膜(high-k膜)的半导体晶片照射来自闪光灯的闪光，瞬间加热半导体晶片的表面，从而进行高介电常数膜的成膜后热处理。
在这样的热处理装置中，经常使用例如氢气(H2)或氨气(NH3)等可燃性气体进行热处理。在专利文献1所公开的热处理装置中，通过在氨气环境中进行半导体晶片的加热处理，进行高介电常数膜的氮化处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-045982号公报
发明内容
发明要解决的问题
在使用可燃性气体的情况下，强烈要求防止由可燃性气体引起的火灾或***的对策。所使用的可燃性气体的流量或压力的控制大多通过电气式的***来进行，该电气式的***成为着火源的可能性高，因此，典型的是要求使用本质安全防爆结构的屏蔽继电器的对策。但是，在本质安全防爆结构的屏蔽继电器中，除了能够控制的电流容量少之外，还存在结构大，并且成本也大的问题，能使用的范围受到限制。
本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供一种能够以简单的结构防止可燃性气体的火灾和***的热处理装置。
用于解决问题的手段
为了解决上述的问题，本发明的第一方式的热处理装置，通过对基板照射光来加热该基板，其中，具有：腔室，容纳基板；灯，向容纳在所述腔室内的所述基板照射光；第一气体供给管，从第一气体供给源向所述腔室供给可燃性气体；电气式的流量调整部，安装于所述第一气体供给管，调整所述可燃性气体的供给流量；第一框体，包围所述第一气体供给管中的至少包含所述流量调整部的部分；第二框体，进一步包围所述第一框体的周围；第二气体供给管，从第二气体供给源向所述第一框体的内部的第一空间供给不燃性气体；以及气体排出口，设置在所述第一框体上，将滞留在所述第一空间中的气体向形成在所述第一框体与所述第二框体之间的第二空间排放。
另外，第二方式是，在第一方式的热处理装置中，所述热处理装置还具有排气部，所述排气部将滞留在所述第二空间中的气体排出。
另外，第三方式是，在第二方式的热处理装置中，所述热处理装置还具有吸入口，所述吸入口设置于所述第二框体，将大气取入到所述第二空间。
另外，第四方式是，在第一至第三方式中的任一方式的热处理装置中，所述热处理装置还具有第一差压计，所述第一差压计测定所述第一空间的压力与所述第二空间的压力之间的差压。
另外，第五方式是，在第四方式的热处理装置中，所述热处理装置还具有第二差压计，所述第二差压计测定所述第二空间的压力与大气压之间的差压。
另外，第六方式是，在第五方式的热处理装置中，所述热处理装置还具有控制部，在所述第二空间的压力为所述第一空间的压力以上或者所述第二空间的压力为大气压以上时，所述控制部停止从所述第一气体供给源向所述腔室供给所述可燃性气体。
发明的效果
根据第一至第六方式的热处理装置，由于用第一框体包围第一气体供给管中的至少包含电气式的流量调整部的部分，向第一框体的内部的第一空间供给不燃性气体，并且将滞留在第一空间中的气体排放，因此，第一空间中的氧浓度降低，从而能够以简单的结构防止可燃性气体的火灾和***。另外，由于不燃性气体被排放到第二框体的内侧的第二空间，因此是安全的。
特别地，根据第六方式的热处理装置，在第二空间的压力为第一空间的压力以上或者第二空间的压力为大气压以上时，由于停止从第一气体供给源向腔室供给可燃性气体，因此，能够可靠地防止可燃性气体的火灾和***。
附图说明
图1是表示本发明的热处理装置的主要部分结构的图。
图2是表示防爆机构的结构的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是表示本发明的热处理装置1的主要部分结构的图。图1的热处理装置1是通过对作为基板的圆板形状的半导体晶片W进行闪光照射来加热该半导体晶片W的闪光灯退火装置。作为处理对象的半导体晶片W的尺寸没有特别限定，例如为
Figure BDA0003769577510000031
或
Figure BDA0003769577510000032
此外，在图1以及以后的各图中，为了容易理解，根据需要夸大或简略地描绘各部分的尺寸或数量。
热处理装置1具有：腔室10，其容纳半导体晶片W；闪光照射部60，其向腔室10内的半导体晶片W照射闪光；卤素照射部70，其向半导体晶片W照射卤素光；气体供给部20，其向腔室10内供给处理气体；排气部80，其从腔室10进行排气。另外，热处理装置1具有控制部90，该控制部90控制这些各部来执行闪光照射。
腔室10容纳作为处理对象的半导体晶片W，在腔室10内进行半导体晶片W的热处理。在腔室10的上部开口安装有上侧腔室窗11来将其封闭，并且在腔室10的下部开口安装有下侧腔室窗12来将其封闭。由腔室10的侧壁、上侧腔室窗11和下侧腔室窗12围成的空间被规定为热处理空间15。构成腔室10的顶部的上侧腔室窗11是由石英形成的板状构件，作为使从闪光照射部60射出的闪光向热处理空间15透过的石英窗而发挥作用。另外，构成腔室10的底部的下侧腔室窗12也是由石英形成的板状构件，作为使来自卤素照射部70的光向热处理空间15透过的石英窗而发挥作用。
在腔室10的侧壁上设置有用于进行半导体晶片W的搬入和搬出的搬送开口部14。搬送开口部14能够通过省略图示的闸阀进行开闭。当搬送开口部14开放时，能够通过未图示的搬送机械手相对于腔室10进行半导体晶片W的搬入和搬出。另外，当搬送开口部14被封闭时，热处理空间15成为与外部的通气被切断的密闭空间。
在腔室10的内部设置有用于保持半导体晶片W的基座18。基座18是由石英形成的圆板形状构件。基座18的直径略大于半导体晶片W的直径。通过基座18，半导体晶片W在腔室10内被保持为水平姿势(主面的法线方向与铅垂方向一致的姿势)。
闪光照射部60设置在腔室10的上方。闪光照射部60被构成为具有：光源，其由多个闪光灯FL构成；以及反射器62，其以覆盖该光源的上方的方式被设置。闪光照射部60经由石英的上侧腔室窗11从闪光灯FL向在腔室10内被基座18保持的半导体晶片W照射闪光。
多个闪光灯FL分别是具有长条的圆筒形状的棒状灯，以各自的长度方向沿着被基座18保持的半导体晶片W的主面(即沿着水平方向)相互平行的方式排列成平面状。因此，由闪光灯FL的排列形成的平面也是水平面。
闪光灯FL具有：圆筒形状的玻璃管(放电管)，其内部封入氙气，在其两端部配设有与电容器连接的阳极和阴极；以及触发电极，其附设在该玻璃管的外周面上。由于氙气在电气上是绝缘体，因此即使在电容器中蓄积了电荷，在通常的状态下玻璃管内也不会流过电。但是，在对触发电极施加高电压而破坏了绝缘的情况下，蓄积在电容器中的电在玻璃管内瞬间流动，通过此时的氙原子或分子的激发而放出光。在这样的闪光灯FL中，由于预先存储在电容器中的静电能量被变换为0.1毫秒至100毫秒这样的极短的光脉冲，因此与卤素灯HL这样的连续点灯的光源相比，具有能够照射极强光的特征。即，闪光灯FL是在不到1秒的极短的时间内瞬间发光的脉冲发光灯。此外，闪光灯FL的发光时间能够通过对闪光灯FL进行电力供给的灯电源的线圈常数来调整。
反射器62设置在多个闪光灯FL的上方，以覆盖这些闪光管FL的整体。反射器62的基本功能是将从多个闪光灯FL射出的闪光向热处理空间15侧反射。反射器62由铝合金板形成，其表面(面对闪光灯FL一侧的面)通过喷砂处理被实施了粗面化加工。
卤素照射部70设置在腔室10的下方。卤素照射部70内置多根卤素灯HL。卤素照射部70通过多个卤素灯HL从腔室10的下方经由下侧腔室窗12向热处理空间15进行光照射来加热半导体晶片W。
多个卤素灯HL是分别具有长条的圆筒形状的棒状灯，以各自的长度方向沿着被基座18保持的半导体晶片W的主面相互平行的方式排列成平面状。因此，由卤素灯HL的排列而形成的平面也是水平面。此外，也可以将多个卤素灯HL排列成上下两段的格子状。
各卤素灯HL都是灯丝方式的光源，其通过向配设在玻璃管内部的灯丝通电而使灯丝白炽化并发光。在玻璃管的内部，封入有在氮气或氩气等非活性气体中导入了微量的卤元素(碘、溴等)的气体。通过导入卤元素，能够在抑制灯丝的折损，并且能够将灯丝的温度设定为高温。因此，卤素灯HL与通常的白炽灯泡相比，具有使用期限长且能够连续照射强光的特性。即，卤素灯HL是至少连续发光1秒以上的连续点亮灯。
排气部80具有排气装置81以及排气阀82，通过打开排气阀82来排出腔室10内的环境气体。作为排气装置81，能够使用真空泵或设置有热处理装置1的工场的排气设备。当采用真空泵作为排气装置81，不从气体供给部20进行任何气体供给而对作为密闭空间的热处理空间15的环境气体进行排气时，能够将腔室10内减压至真空环境。另外，即使在不使用真空泵作为排气装置81的情况下，通过不从气体供给部20进行气体供给而进行排气，也能够将腔室10内减压至比大气压低的气压。
气体供给部20具有可燃性气体供给源(第一气体供给源)21、不燃性气体供给源(第二气体供给源)22以及防爆机构30。图2是表示防爆机构30的结构的图。防爆机构30包括内侧框体(第一框体)41以及外侧框体(第二框体)46。
可燃性气体供给源21和腔室10通过可燃性气体供给管(第一气体供给管)31连通连接。即，可燃性气体供给管31的顶端与腔室10连接，并且其基端与可燃性气体供给源21连接。从可燃性气体供给源21送出的可燃性气体通过可燃性气体供给管31供给到腔室10。作为从可燃性气体供给源21供给的可燃性气体，例如使用氨气(NH3)、氢气(H2)等(本实施方式中为氨气)。
在可燃性气体供给管31的路径途中，按照距腔室10由近及远的顺序，安装有电气式流量计33、空气阀34、电气式流量控制器35、电气式压力传感器36、止回阀37、手动阀38。电气式流量计33测定在可燃性气体供给管31中流动的可燃性气体的流量。空气阀34在控制部90的控制下对可燃性气体供给管31的流路进行开闭。电气式流量控制器35根据来自控制部90的指示对可燃性气体供给管31中流动的可燃性气体的流量进行控制。即，电气式流量控制器35是对可燃性气体的供给流量进行调整的流量调整部。电气式压力传感器36对可燃性气体供给管31内的压力进行测定。止回阀37是防止可燃性气体供给管31内的可燃性气体逆流的阀。手动阀38是通过手动开关的阀。在安装有这些多个构件的可燃性气体供给管31的部位，通过接头组装各构件。另外，在这些构件中，电气式流量计33、电气式流量控制器35以及电气式压力传感器36是通过电进行工作的构件，由于电路的短路等而产生火花，从而可能成为着火源。
内侧框体41被设置成包围可燃性气体供给管31中的至少包括通过电力进行工作的电气式流量计33、电气式流量控制器35以及电气式压力传感器36的部分。如图2所示，在本实施方式中，电气式流量计33、电气式流量控制器35、电气式压力传感器36以及空气阀34配置在内侧框体41内。此外，可燃性气体供给管31以贯通内侧框体41的方式设置。
内侧框体41的周围进一步被外侧框体46包围。止回阀37和手动阀38配置在内侧框体41和外侧框体46之间。
另外，不燃性气体供给源22和内侧框体41通过不燃性气体供给管(第二气体供给管)32连通连接。在不燃性气体供给管32的路径途中安装有阀39。不燃性气体供给管32中的阀39的设置位置能够是适当的位置。阀39在控制部90的控制下开闭不燃性气体供给管32的流路。当阀39打开时，不燃性气体通过不燃性气体供给管32从不燃性气体供给源22供给到内侧框体41的内部的内侧空间(第一空间)43。作为从不燃性气体供给源22供给的不燃性气体，例如使用氮气(N2)、氩气(Ar)等(在本实施方式中为氮气)。
在内侧框体41上设置有气体排出口44。气体排出口44将形成在内侧框体41与外侧框体46之间的排气空间(第二空间)48与内侧框体41内部的内侧空间43连通。当从不燃性气体供给源22向内侧空间43供给不燃性气体而使内侧空间43的压力升高时，气体排出口44将滞留在内侧空间43中的气体向排气空间48排放。
在外侧框体46上设置有排气口55。排气口55与排气装置56连通连接。另外，在排气口55上设置有排气风门57。排气风门57通过控制部90的控制被设定为适当的开度。通过一边将排气风门57设定为适当的开度一边使排气装置56工作，将排气空间48的环境气体从排气口55排出。通过排气风门57的开度来调整来自排气口55的排气流量。即，由排气口55、排气装置56以及排气风门57构成将滞留在排气空间48中的气体排出的排气部。此外，排气装置56也可以与腔室10的排气装置81相同。
在外侧框体46上设置有吸入口49。吸入口49是用于从比外侧框体46更靠外侧的大气环境向排气空间48取入大气的开口。
另外，在防爆机构30中，设置有微差压计(第一差压计)51以及微差压计(第二差压计)52。微差压计51测定内侧空间43的压力与排气空间48的压力之间的差压。另一方面，微差压计52测定排气空间48的压力与大气压之间的差压。微差压计51和微差压计52的测定结果被传递到控制部90。
控制部90对设置于热处理装置1的上述的各种操作机构进行控制。作为控制部90的硬件的结构与一般的计算机相同。即，控制部90被构成为具有：作为进行各种运算处理的电路的CPU、作为存储基本程序的只读存储器的ROM、作为存储各种信息的随机存取存储器的RAM、以及预先存储有控制用应用程序和数据等的磁盘等。通过控制部90的CPU执行规定的处理程序，进行热处理装置1中的处理。
接下来，对热处理装置1中的处理动作进行说明。首先，对热处理装置1中的半导体晶片W的处理进行简单说明，然后对供给可燃性气体时的防爆进行说明。
作为处理对象的半导体晶片W从搬送开口部14被搬入腔室10内并被基座18保持。在关闭搬送开口部14后，从气体供给部20向腔室10内供给作为可燃性气体的氨气，在热处理空间15中形成含有氨气的气体环境。
半导体晶片W被基座18保持，在热处理空间15中形成含有氨气的气体环境后，点亮卤素照射部70的卤素灯HL并开始半导体晶片W的预备加热(辅助加热)。从卤素灯HL射出的光透过由石英形成的下侧腔室窗12以及基座18而照射到半导体晶片W的下表面。通过接受来自卤素灯HL的光照射，半导体晶片W被预备加热而温度上升。在半导体晶片W的温度上升并达到规定的预备加热温度后，半导体晶片W的温度维持在该预备加热温度数秒左右。
在半导体晶片W的温度达到预备加热温度并经过了规定时间的时刻，闪光照射部60的闪光灯FL对被基座18保持的半导体晶片W的表面进行闪光照射。从闪光灯FL照射的闪光是将预先蓄积在电容器中的静电能量转换为极短的光脉冲而得到的强闪光。闪光的照射时间为0.1毫秒以上且100毫秒以下左右。通过对半导体晶片W照射这样的照射时间极短且强度强的闪光，半导体晶片W的表面温度瞬间上升到处理温度后，急速下降。通过在包含氨气的气体环境中将半导体晶片W的表面瞬间加热到处理温度，形成在半导体晶片W的表面的膜(例如，高介电常数膜)被氮化。
闪光加热处理结束后，经过规定时间后，卤素灯HL熄灭。由此，半导体晶片W的温度也从预备加热温度下降。另外，腔室10内的含有氨气的环境气体通过排气部80从腔室10排出。在半导体晶片W的温度降低到规定以下之后，从搬送开口部14搬出热处理后的半导体晶片W并结束加热处理。
在从气体供给部20向腔室10内提供作为可燃性气体的氨气时，打开手动阀38，并且在控制部90的控制下打开空气阀34。由此，从可燃性气体供给源21通过可燃性气体供给管31向腔室10供给氨气。通过可燃性气体供给管31供给到腔室10的氨气的供给流量由电气式流量控制器35调整。由电气式流量计33测定通过可燃性气体供给管31的氨气的流量，由电气式压力传感器36测定可燃性气体供给管31内的压力。
但是，为了使氨气等可燃性气体达到火灾或者***需要以下三个要素，即，作为燃烧物的可燃性气体自身的存在、着火源以及作为助燃性气体的氧气等的存在。在安装有电气式流量控制器35等的部位还存在配管的接头，可燃性气体有可能从该接头漏出。另外，通过电力进行工作的电气式流量控制器35等也可以成为着火源。因此，特别是当电气式流量计33、电气式流量控制器35以及电气式压力传感器36暴露在含有氧气的大气环境中时，火灾或者***所需的三个要素齐全，有可能会发生火灾或者***。
因此，在本实施方式中，以如下方式，防止火灾和***的发生。首先，可燃性气体供给管31中的包括可能成为着火源的电气式流量计33、电气式流量控制器35以及电气式压力传感器36的部分被内侧框体41包围。并且，作为不燃性气体的氮气从不燃性气体供给源22经由不燃性气体供给管32供给到内侧框体41的内部的内侧空间43。随着不燃性气体被供给到内部空间43，滞留在内部空间43中的气体从气体排出口44排出到排气空间48。由此，内部空间43的环境气体被置换为不燃性气体，内部空间43中的氧浓度降低。
另外，通过微差压计51测定内侧空间43的压力与排气空间48的压力之间的差压。在向内部空间43供给不燃性气体并且内部空间43内的气体从气体排出口44排出的状况下，如果内侧空间43的压力比排气空间48的压力高，即内部空间43相对于排气空间48为正压，则能够视为内侧空间43内的氧浓度降低至3％以下。如果内侧空间43内的氧浓度为3％以下，则即使万一在内侧空间43内发生可燃性气体的漏出，由于火灾或者***所需的三个要素中的助燃性气体不足，因此也能够防止可燃性气体的火灾和***。
供给到内部空间43的作为不燃性气体的氮气从气体排出口44排出。当从气体排出口44直接向大气环境中排放氮气时，在热处理装置1的操作者的操作空间中形成高浓度的氮气环境区域(即成为缺氧的区域)，因此是危险的。因此，在本实施方式中，内侧框体41的周围进一步被外侧框体46包围，从而在内内侧框体41和外侧框体46之间形成排气空间48。从气体排出口44排出的氮气被排放到排气空间48。然后，流入排气空间48的氮气通过排气装置56从排气口55排出。此外，由于在排气空间48中不存在可能成为着火源的要素，因此不用担心排气空间48中的火灾或者***。
另外，通过微差压计52测定排气空间48的压力与大气压之间的差压。如果大气压比排气空间48的压力高，即大气环境相对于排气空间48为正压，则能够防止排气空间48内的氮气从吸入口49逆流到大气环境中。其结果，不会在热处理装置1的操作者的操作空间中形成高浓度的氮气环境区域，确保了安全。
微差压计51以及微差压计52的测定结果由控制部90监视。根据微差压计51的测定结果，检测到排气空间48的压力为内侧空间43的压力以上的情况下，控制部90关闭空气阀34，停止从可燃性气体供给源21向腔室10供给可燃性气体。这是因为，在排气空间48的压力为内侧空间43的压力以上的情况下，有可能内侧空间43内的氧浓度变高到超过***极限，不能完全否定可燃性气体的火灾或者***的可能性。
另外，基于微差压计52的测定结果，检测到排气空间48的压力为大气压以上的情况下，控制部90关闭空气阀34，停止从可燃性气体供给源21向腔室10供给可燃性气体。此时，控制部90也关闭阀39，停止向内侧空间43供给氮气。这是因为，在排气空间48的压力为大气压以上的情况下，排气空间48内的氮气有可能从吸入口49逆流到大气环境中，有可能在热处理装置1的操作者的操作空间中形成高浓度的氮气环境区域。
在本实施方式中，由内侧框体41包围可燃性气体供给管31中的包括可能成为着火源的电气式流量计33、电气式流量控制器35以及电气式压力传感器36的部分。并且，向内侧框体41的内部的内侧空间43供给作为不燃性气体的氮气。通过向内部空间43供给不燃性气体，并且将滞留在内部空间43的气体从气体排出口44排出，内部空间43中的氧浓度降低到小于***极限。其结果，即使可燃性气体从可燃性气体供给管31的接头等漏出，也能够防止可燃性气体的火灾和***。即，通过向框体供给不燃性气体这样的简单结构，能够防止可燃性气体的火灾和***。
另外，内侧框体41的周围进一步被外侧框体46包围，使得从内部空间43排放到排气空间48中的不燃性气体从排气口55排出。由此，不燃性气体不会被排放到大气环境中，从而能够确保热处理装置1的操作者的操作空间的安全。
而且，通过微差压计51测定内侧空间43的压力与排气空间48的压力之间的差压，并且通过微差压计52测定排气空间48的压力与大气压之间的差压。微差压计51以及微差压计52的测定结果由控制部90监视，当排气空间48的压力为内侧空间43的压力以上、或者排气空间48的压力为大气压以上时，停止从可燃性气体供给源21向腔室10供给可燃性气体。由此，能够可靠地防止可燃性气体的火灾和***。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明在不脱离其主旨的范围内能够进行上述以外的各种变更。例如，在上述的实施方式中，电气式流量计33、电气式流量控制器35以及电气式压力传感器36是可能成为着火源的构件，但并不限定于此，其他可能成为着火源的构件也可以设置于可燃性气体供给管31。在这种情况下，可能成为着火源的全部构件都被内侧框体41包围。
另外，在上述的实施方式中，使用灯丝方式的卤素灯HL作为连续发光1秒以上的连续点亮灯，来进行半导体晶片W的预备加热，但并不限定于此，也可以代替卤素灯HL而使用放电型的弧光灯(例如，氙弧光灯)作为连续点亮灯来进行预备加热。
另外，作为热处理装置1的处理对象的基板不限于半导体晶片，也可以是用于液晶显示装置等平板显示器的玻璃基板或太阳能电池用的基板。
另外，在上述的实施方式中，在腔室10内对半导体晶片W照射闪光来进行加热处理，但并不限定于此，也可以仅从卤素灯HL对容纳在腔室10内的半导体晶片W照射光来进行加热处理。此外，在腔室10内对半导体晶片W进行的处理并不限定于通过光照射进行的热处理，只要是使用可燃性气体的基板处理即可。
工业实用性
本发明所涉及的技术适用于使用氨气等可燃性气体对基板进行规定的处理的基板处理技术。
附图标记的说明：
1：热处理装置
10：腔室
20：气体供给部
21：可燃性气体供给源
22：不燃性气体供给源
30：防爆结构
31：可燃性气体供给管
32：不燃性气体供给管
33：电气式流量计
35：电气式流量控制器
36：电气式压力传感器
41：内侧框体
43：内侧空间
46：外侧框体
48：排气空间
49：吸入口
51、52：微差压计
55：排气口
56：排气装置
57：排气风门
60：闪光照射部
70：卤素照射部
90：控制部
FL：闪光灯
HL：卤素灯

Claims (6)

1.一种热处理装置，通过对基板照射光来加热该基板，其中，
具有：
腔室，容纳基板；
灯，向容纳在所述腔室内的所述基板照射光；
第一气体供给管，从第一气体供给源向所述腔室供给可燃性气体；
电气式的流量调整部，安装于所述第一气体供给管，调整所述可燃性气体的供给流量；
第一框体，包围所述第一气体供给管中的至少包含所述流量调整部的部分；
第二框体，进一步包围所述第一框体的周围；
第二气体供给管，从第二气体供给源向所述第一框体的内部的第一空间供给不燃性气体；以及
气体排出口，设置在所述第一框体上，将滞留在所述第一空间中的气体向形成在所述第一框体与所述第二框体之间的第二空间排放。
2.根据权利要求1所述的热处理装置，其中，
所述热处理装置还具有排气部，所述排气部将滞留在所述第二空间中的气体排出。
3.根据权利要求2所述的热处理装置，其中，
所述热处理装置还具有吸入口，所述吸入口设置于所述第二框体，将大气取入到所述第二空间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的热处理装置，其中，
所述热处理装置还具有第一差压计，所述第一差压计测定所述第一空间的压力与所述第二空间的压力之间的差压。
5.根据权利要求4所述的热处理装置，其中，
所述热处理装置还具有第二差压计，所述第二差压计测定所述第二空间的压力与大气压之间的差压。
6.根据权利要求5所述的热处理装置，其中，
所述热处理装置还具有控制部，在所述第二空间的压力为所述第一空间的压力以上或者所述第二空间的压力为大气压以上时，所述控制部停止从所述第一气体供给源向所述腔室供给所述可燃性气体。
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