CN114937436A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置。其中，显示面板包括像素驱动电路；像素驱动电路包括发光模块、驱动晶体管和至少一个发光控制晶体管；驱动晶体管、发光控制晶体管和发光模块串联在第一电源信号端和第二电源信号端之间，且驱动晶体管和发光控制晶体管中的至少一个为第一双栅晶体管；第一双栅晶体管包括第一栅极、第二栅极和第一源极，第二栅极和第一源极电连接。本发明实施例提供的显示面板及显示装置，通过设置驱动晶体管和发光控制晶体管中的至少一个为第一双栅晶体管，以降低驱动晶体管和/或发光控制晶体管在导通时的跨压，进而在发光阶段，降低了驱动晶体管和/或发光控制晶体管的功耗，解决了现有显示面板功耗较大的问题。

Description

一种显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Mic-LED)是一种微小尺寸的LED(Light-Emitting Diode)，其包括Micro-LED和Mini-LED，芯片尺寸介于几十至几百微米之间。由于微型发光二极管尺寸小，则能够实现集成高密度的LED阵列，应用于背光或者显示。
微型发光二极管显示一般分为被动式驱动(PM)和主动式驱动(AM)两种。被动式驱动通过驱动芯片直接输入电流驱动微型发光二极管发光。而主动式驱动则通过在面板上设计驱动电路，使用行列扫描的方式驱动微型发光二极管发光。主动式驱动相比于被动式驱动来说，可以有更高的分区、驱动成本低、支持大尺寸、超薄化等优点。但现有技术在采用主动式驱动方式进行显示时，存在功耗较高的问题。
发明内容
本发明提供了一种显示面板及显示装置，以降低功耗。
根据本发明的一方面，提供了一种显示面板，包括像素驱动电路；
像素驱动电路包括发光模块、驱动晶体管和至少一个发光控制晶体管；
驱动晶体管、发光控制晶体管和发光模块串联在第一电源信号端和第二电源信号端之间；
驱动晶体管用于在发光阶段，驱动发光模块进行发光；
发光控制晶体管用于在发光阶段，将驱动晶体管产生的驱动电流提供至发光模块；
驱动晶体管和发光控制晶体管中的至少一个为第一双栅晶体管；
第一双栅晶体管包括第一栅极、第二栅极和第一源极，第二栅极和第一源极电连接。
根据本发明的另一方面，提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板及显示装置，像素驱动电路中的驱动晶体管、发光控制晶体管和发光模块串联在第一电源信号端和第二电源信号端之间，通过设置驱动晶体管和发光控制晶体管中的至少一个为第一双栅晶体管，且第一双栅晶体管的第二栅极和第一源极电连接，以降低驱动晶体管和/或发光控制晶体管在导通时的跨压，进而在发光阶段，降低了驱动晶体管和/或发光控制晶体管的功耗，解决了现有显示面板功耗较大的问题。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为图1沿A-A’方向的截面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种像素驱动电路的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种晶体管的Id-Vd曲线示意图；
图5为本发明实施例提供的一种单栅晶体管的Id-Vd曲线示意图；
图6为本发明实施例提供的一种第一双栅晶体管的Id-Vd曲线示意图；
图7为本发明实施例提供的一种单栅晶体管的工作状态示意图；
图8为本发明实施例提供的一种第一双栅晶体管的工作状态示意图；
图9为本发明实施例提供的一种显示面板的局部截面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部截面结构示意图；
图11为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种像素驱动电路的局部版图结构示意图；
图14为本发明实施例提供的另一种单栅晶体管的Id-Vd曲线示意图；
图15为本发明实施例提供的一种第一双栅晶体管的结构示意图；
图16为本发明实施例提供的一种第二双栅晶体管的结构示意图；
图17为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图；
图18为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的局部版图结构示意图；
图19为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图；
图20为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图；
图21为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图；
图22为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部截面结构示意图；
图23为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部截面结构示意图；
图24为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部截面结构示意图；
图25为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的局部版图结构示意图；
图26为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的局部版图结构示意图；
图27为图26沿B-B’方向的截面结构示意图；
图28为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图29为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部截面结构示意图；
图30为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2为图1沿A-A’方向的截面结构示意图，图3为本发明实施例提供的一种像素驱动电路的结构示意图，如图1-图3所示，本发明实施例提供的显示面板包括像素驱动电路10，像素驱动电路10包括发光模块11、驱动晶体管12和至少一个发光控制晶体管13，驱动晶体管12、发光控制晶体管13和发光模块11串联在第一电源信号端PVDD和第二电源信号端PVEE之间。驱动晶体管12用于在发光阶段，驱动发光模块11进行发光，发光控制晶体管13用于在发光阶段，将驱动晶体管12产生的驱动电流提供至发光模块11。驱动晶体管12和发光控制晶体管13中的至少一个为第一双栅晶体管16，第一双栅晶体管16包括第一栅极161、第二栅极162和第一源极163，第二栅极162和第一源极163电连接。
具体的，本发明实施例提供的显示面板用于发光或显示，其中，显示面板可以直接用于显示图案，功耗和成本均较低；或者，显示面板也可用作液晶显示面板中的背光模组，通过像素驱动电路10分区对发光模块11进行亮度调控，可使液晶显示面板的亮态画面具有较高的亮度，暗态画面亦可趋近于零亮度，有助于提高显示效果。
如图1-图3所示，显示面板包括阵列排布的多个像素驱动电路10，在像素驱动电路10中，发光模块11、驱动晶体管12和发光控制晶体管13串联于第一电源信号端PVDD和第二电源信号端PVEE之间，且第一电源信号端PVDD的电压大于第二电源信号端PVEE的电压。
其中，发光模块11用于在发光阶段发光，以实现显示面板的发光或显示功能。
驱动晶体管12可以根据其栅极的电位导通，其导通形成的驱动电流用于驱动发光模块11进行发光。
发光控制晶体管13用于控制驱动晶体管12与第一电源信号端PVDD之间的导通或断开，和/或，用于控制驱动晶体管12与第二电源信号端PVEE之间的导通或断开，图3中仅以发光控制晶体管13控制驱动晶体管12与第一电源信号端PVDD之间的导通或断开为例，但并不局限于此，在其他实施例中，发光控制晶体管13也可位于驱动晶体管12与第二电源信号端PVEE之间，以控制驱动晶体管12与第二电源信号端PVEE之间的导通或断开，本发明实施例对此不作限定。
如图3所示，在发光阶段，发光控制晶体管13导通，从第一电源信号端PVDD、发光控制晶体管13、驱动晶体管12、发光模块11到第二电源信号端PVEE形成电流通路，使得驱动晶体管12产生的驱动电流提供至发光模块11，驱动发光模块11进行发光。
需要说明的是，驱动晶体管12作为驱动管，驱动晶体管12的栅极电位会决定其导通电流的大小，从而可以通过控制驱动晶体管12的栅极电压来调节发光模块11的发光亮度，从而控制灰阶。发光控制晶体管13作为开关管，发光控制晶体管13根据其栅极电压实现导通和关断。如图3所示，发光控制晶体管13的栅极与发光控制信号端EMIT电连接，使得发光控制晶体管13可以在发光控制信号端EMIT的控制下导通或断开，示例性的，在数据信号电压写入阶段，发光控制晶体管13在发光控制信号端EMIT的控制下截止，驱动晶体管12导通，此时会向其栅极写入数据信号电压。在发光阶段，第一发光控制晶体管21响应于发光控制信号端EMIT提供的发光控制信号而导通，使得驱动晶体管12产生的驱动电流可以传输至发光模块11，驱动发光模块11进行发光。
可以理解的是，在发光阶段，发光模块11的电流通路上存在发光控制晶体管13和驱动晶体管12，发光控制晶体管13和驱动晶体管12具有导通电阻，从而在发光控制晶体管13和驱动晶体管12上会产生无效的功耗损失，增大显示面板的功耗。
继续参考图1-图3示，驱动晶体管12和发光控制晶体管13中的至少一个为第一双栅晶体管16，且第一双栅晶体管16的第二栅极162和第一源极163电连接。图4为本发明实施例提供的一种晶体管的Id-Vd曲线示意图，如图4所示，其横坐标为晶体管的源极和漏极之间的电压Vd，纵坐标为晶体管的源极和漏极之间的电流Id，图4中示出了单栅晶体管在其栅极和源极之间电压差Vg分别为-4V、-4.3V、-4.7V和-5V时的Id-Vd曲线，以及第一双栅晶体管16在其栅极和源极之间电压差Vg分别为-4V、-4.3V、-4.7V和-5V时的Id-Vd曲线，由上述曲线可以看出，第一双栅晶体管16进入饱和区时的跨压(即源极和漏极之间的电压Vd)小于单栅晶体管进入饱和区时的跨压，而晶体管的功耗等于其导通电流(即源极和漏极之间的电流Id)与跨压的乘积，因此，进入饱和区的跨压越小，则在相同的导通电流下，功耗越小，由此可知，在相同的导通电流下，第一双栅晶体管16在导通时的功耗小于单栅晶体管在导通时的功耗。
示例性的，图5为本发明实施例提供的一种单栅晶体管的Id-Vd曲线示意图，图6为本发明实施例提供的一种第一双栅晶体管的Id-Vd曲线示意图，图7为本发明实施例提供的一种单栅晶体管的工作状态示意图，图8为本发明实施例提供的一种第一双栅晶体管的工作状态示意图，其中，图5示出了单栅晶体管在其栅极和源极之间电压差Vg分别为-10V、-9V、-8V、-7V、-6V、-5V和-4V时的Id-Vd曲线，如图5所示，当导通电流为2mA时，单栅晶体管进入饱和区的Vd为4V。图6示出了第一双栅晶体管在其栅极和源极之间电压差Vg分别为-8V、-7V、-6V、-5V和-4V时的Id-Vd曲线，如图6所示，当导通电流为2mA时，第一双栅晶体管进入饱和区的Vd为2V。
示例性的，如图5和图7所示，以导通电流为2mA为例，单栅晶体管导通时，其源极电压为4.2V，栅极电压为-1.8V，漏极电压为0.2V，此时，栅极和源极之间的电压差为-6V，单栅晶体管的跨压为4V，其功耗为2mA*4V＝8mW。
如图6和图8所示，以导通电流为2mA为例，第一双栅晶体管导通时，其源极电压为2.6V，栅极电压为-2.5V，漏极电压为0.6V，此时，栅极和源极之间的电压差约为-5V，第一双栅晶体管的跨压为2V，其功耗为2mA*2V＝4mW。
由此可见，当导通电流为2mA时，第一双栅晶体管的跨压仅为2V，而单栅晶体管的跨压达到了4V，与单栅晶体管相比，第一双栅晶体管的功耗降低了50％。
因此，在本实施例中，通过设置驱动晶体管12和发光控制晶体管13中的至少一个为第二栅极162和第一源极163电连接的第一双栅晶体管16，与现有技术中采用单栅晶体管相比，在发光阶段，可以有效降低驱动晶体管12和/或发光控制晶体管13的功耗，从而达到降低显示面板功耗的效果。
需要注意的是，现有双栅晶体管的栅极和源极之间不进行连接，其两个栅极在各阶段都连接在同一电位下，而在本申请中，第一双栅晶体管16的第二栅极162和第一源极163之间电连接，在实际使用过程中，第二栅极162上的电位会随第一源极163上的电位一起变化，且第一源极163的电位一般为正，从而通过将第二栅极162和第一源极163进行连接，可以改善第一双栅晶体管16的亚阈值摆幅(SS)，使得第一双栅晶体管16具有亚阈值摆幅(SS)较好的优势，其中，亚阈值摆幅表示源漏电流变化十倍所需要栅电压的变化量。
需要说明的是，图2中仅以驱动晶体管12为第一双栅晶体管16为例，但并不局限于此，可以理解的是，只要将发光模块11的电流通路上的至少一个晶体管设置为第一双栅晶体管16，即可实现降低功耗的效果，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，像素驱动电路中的驱动晶体管、发光控制晶体管和发光模块串联在第一电源信号端和第二电源信号端之间，通过设置驱动晶体管和发光控制晶体管中的至少一个为第一双栅晶体管，且第一双栅晶体管的第二栅极和第一源极电连接，以降低驱动晶体管和/或发光控制晶体管在导通时的跨压，进而在发光阶段，降低了驱动晶体管和/或发光控制晶体管的功耗，解决了现有显示面板功耗较大的问题。
继续参考图2，可选的，本发明实施例提供的显示面板还包括衬底基板17，第一双栅晶体管16设置于衬底基板17一侧，第一双栅晶体管16还包括第一有源层164，沿垂直于衬底基板17的方向，第一栅极161与第一有源层164至少部分交叠，第二栅极162与第一有源层164至少部分交叠，第一栅极161位于第一有源层164远离衬底基板17的一侧，第二栅极162位于第一有源层164靠近衬底基板17的一侧；或者，第二栅极162位于第一有源层164远离衬底基板17的一侧，第一栅极161位于第一有源层164靠近衬底基板17的一侧。
具体的，可在衬底基板17一侧制备第一双栅晶体管16，其中，沿衬底基板17的厚度方向，第一双栅晶体管16的第一栅极161和第二栅极162均与第一有源层164交叠，以形成沟道，通过向第一栅极161施加不同的控制信号，即可控制第一双栅晶体管16导通或截止。
继续参考图2，可选的，第一栅极161位于第一有源层164远离衬底基板17的一侧，作为第一双栅晶体管16的顶栅；第二栅极162位于第一有源层164靠近衬底基板17的一侧，作为第一双栅晶体管16的底栅。其中，底栅与第一源极163电连接，顶栅作为第一双栅晶体管16的控制端。如此设置，使得第一双栅晶体管16为顶栅和底栅叠层设置的双栅晶体管，有利于减小第一双栅晶体管16的尺寸。
进一步地，如图2所示，第二栅极162和第一有源层164之间设置有缓冲层18，缓冲层18能够起到防震、缓冲和隔离的作用。第一有源层164和第一栅极161之间设置有栅极绝缘层19，通常情况下，缓冲层18的厚度大于第一栅极161。在本实施例中，通过设置第一栅极161(顶栅)作为第一双栅晶体管16的控制端，还可使第一栅极161与第一有源层164之间的距离较近，以提高第一栅极161上电压对第一有源层164的控制能力，达到所需的沟道电阻和迁移率。
需要说明的是，第一栅极161和第二栅极162的位置并不局限于上述实施例，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
示例性的，图9为本发明实施例提供的一种显示面板的局部截面结构示意图，如图9所示，第二栅极162位于第一有源层164远离衬底基板17的一侧，作为第一双栅晶体管16的顶栅；第一栅极161位于第一有源层164靠近衬底基板17的一侧，作为第一双栅晶体管16的底栅。其中，顶栅与第一源极163电连接，底栅作为第一双栅晶体管16的控制端。如此设置，使得第一双栅晶体管16为顶栅和底栅叠层设置的双栅晶体管，有利于减小第一双栅晶体管16的尺寸。同时，还可减小第一源极163和第二栅极162之间连接过孔的深度，降低打孔难度，容易实现。
需要说明的是，第一双栅晶体管16的具体结构并不局限于第一栅极161、第二栅极162、第一源极163和第一有源层164，如图2和图9所示，第一双栅晶体管16还可包括第一漏极165，以实现晶体管的功能，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的局部截面结构示意图，如图10所示，可选的，驱动晶体管12和发光控制晶体管13中的至少一个为第二双栅晶体管20，第二双栅晶体管20包括第三栅极201和第四栅极202，第三栅极201和第四栅极202电连接。
具体的，晶体管的导通电阻Ron满足以下公式：
Figure BDA0003724899080000101
其中，VDS为源极和漏极之间的电压差，IDS为源极和漏极之间的电流，L为沟道长度，Cox为单位面积的栅极绝缘层的电容量，μn为晶体管的载流子迁移率，VGS为栅极和源极之间的电压差，VT为晶体管的阈值电压。
由以上公式可知，晶体管的载流子迁移率μn越高，则晶体管的导通电阻Ron越小。在本实施例中，第二双栅晶体管20具有第三栅极201和第四栅极202两个栅极，且第三栅极201和第四栅极202之间连接，与单栅晶体管相比，使得沟道开启更加容易，可等效为载流子迁移率μn更高，导通电阻Ron会降低，晶体管的功耗等于其导通电流的平方与导通电阻Ron的乘积，因此第二双栅晶体管20上消耗的功耗会降低；此外，载流子迁移率μn越高，其导通电流(即源极和漏极之间的电流IDS)也会越小，从而可以进一步降低功耗。
其中，表1示例性的给出了单栅晶体管和第二双栅晶体管的载流子迁移率μn的实测值，如表1所示，以宽长比W/L分别为3000/20和3000/5为例，在相同宽长比W/L和使用同样工艺制程的条件下，第二双栅晶体管的载流子迁移率μn比单栅晶体管提高了10％以上，从而可有效降低第二双栅晶体管的功耗。
表1单栅晶体管和第二双栅晶体管的载流子迁移率
W/L＝3000/20 W/L＝3000/5
单栅晶体管 89.2 78.0
第二双栅晶体管 100.9 88.1
由上所述，在本实施例中，通过设置驱动晶体管12和发光控制晶体管13中的至少一个为第三栅极201和第四栅极202电连接的第二双栅晶体管20，与现有技术中采用单栅晶体管相比，在发光阶段，可以有效降低驱动晶体管12和/或发光控制晶体管13的功耗，从而达到降低显示面板功耗的效果。
需要说明的是，图10中仅以发光控制晶体管13为第二双栅晶体管20为例，但并不局限于此，可以理解的是，只要将发光模块11的电流通路上的至少一个晶体管设置为第二双栅晶体管20，即可实现降低功耗的效果，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
需要说明的是，在一些实施例中，可以将发光控制晶体管13设置为第一双栅晶体管16，从而降低发光控制晶体管13进入饱和区时的跨压，由于晶体管的功耗等于其导通电流与跨压的乘积，因此，进入饱和区的跨压越小，则在相同的导通电流下，功耗越小，由此可知，在相同的导通电流下，发光控制晶体管13采用第一双栅晶体管16也可以降低其在导通时的功耗。
但第一双栅晶体管16的迁移率相比于单栅晶体管的提升并不明显。而发光控制晶体管13作为开关管，主要工作于线性区，发光控制晶体管13工作在线性区中可等效为一个电阻，可以理解的是，电阻阻值越低，分压越小，则所消耗的功耗越小，因此，发光控制晶体管13采用第二双栅晶体管20，以提高迁移率，更有助于降低发光控制晶体管13在导通时的电阻，从而更有利于降低发光控制晶体管13在导通时的功耗。
继续参考图10，可选的，本发明实施例提供的显示面板还包括衬底基板17，第二双栅晶体管20设置于衬底基板17一侧，第二双栅晶体管20还包括第二有源层203，沿垂直于衬底基板17的方向，第三栅极201与第二有源层203至少部分交叠，第四栅极20与第二有源层203至少部分交叠，第三栅极201位于第二有源层203远离衬底基板17的一侧，第四栅极20位于第二有源层203靠近衬底基板17的一侧。
具体的，可在衬底基板17一侧制备第二双栅晶体管20，其中，沿衬底基板17的厚度方向，第二双栅晶体管20的第三栅极201和第四栅极202均与第二有源层203交叠，以形成沟道，通过向第三栅极201和/或第四栅极202施加不同的控制信号，即可控制第二双栅晶体管20导通或截止。
继续参考图2，可选的，第三栅极201位于第二有源层203远离衬底基板17的一侧，作为第二双栅晶体管20的顶栅；第四栅极20位于第二有源层203靠近衬底基板17的一侧，作为第二双栅晶体管20的底栅。其中，第三栅极201与第四栅极20电连接，以提高载流子迁移率μn，降低功耗。
其中，如图2所示，沿衬底基板17的厚度方向，可以在第三栅极201延伸至第二有源层203之外的部分向下打孔，实现第三栅极201与第四栅极20之间的电连接，但并不局限于此。
此外，第三栅极201与第四栅极20的具***置并不局限于上述实施例，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
同时，第二双栅晶体管20的具体结构并不局限于第三栅极201、第四栅极202和第二有源层203，例如，如图10所示，第二双栅晶体管20还包括第二源极204和第二漏极205，以实现晶体管的功能，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
可选的，至少一个发光控制晶体管13为第二双栅晶体管20。
其中，发光控制晶体管13作为开关晶体管工作于截止区和饱和区，在发光阶段，发光控制晶体管13导通，以将驱动晶体管12产生的驱动电流提供至发光模块11，从而驱动发光模块11发光；而在非发光阶段，发光控制晶体管13截止，以避免发光模块11在非发光阶段偷亮而影响显示效果。
在本实施例中，通过设置至少一个发光控制晶体管13为第二双栅晶体管20，在提高发光控制晶体管13的载流子迁移率μn，降低导通电阻Ron，进而降低发光控制晶体管13的功耗的同时，还可使发光控制晶体管13的亚阈值摆幅(SS)较小，其中，亚阈值摆幅表示源漏电流变化十倍所需要栅电压的变化量，亚阈值摆幅越小，沟道开启越容易，晶体管越灵敏，从而可以提高发光控制晶体管13的开启速度，增强发光控制晶体管13的响应能力。
同时，发光控制晶体管13的亚阈值摆幅(SS)较小，可降低发光控制晶体管13在截止时的电流，从而增大发光控制晶体管13的开关比，降低发光控制晶体管13在截止时所损耗的功耗。其中，开关比是指在导通状态下的电流与截止状态下的电流之间的比值。
图11为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的结构示意图，如图11所示，可选的，至少一个发光控制晶体管13包括第一发光控制晶体管21和第二发光控制晶体管22，第一发光控制晶体管21的栅极G1和第一发光控制信号端EMIT1电连接，第一发光控制晶体管21的第一极D1与第一电源信号端PVDD电连接，第一发光控制晶体管21的第二极S1与驱动晶体管12的第一极D3电连接。第二发光控制晶体管22的栅极G6和第二发光控制信号端EMIT2电连接，第二发光控制晶体管22的第一极D6与驱动晶体管12的第二极S3电连接，第二发光控制晶体管22的第二极S6与发光模块11电连接，第一发光控制晶体管21和/或第二发光控制晶体管22为第二双栅晶体管20。
具体的，如图11所示，第一发光控制晶体管21用于在第一发光控制信号端EMIT1的控制下控制驱动晶体管12与第一电源信号端PVDD之间的导通或断开，第二发光控制晶体管22用于在第二发光控制信号端EMIT2的控制下控制驱动晶体管12与第二电源信号端PVEE之间的导通或断开。示例性的，在发光阶段，第一发光控制晶体管21响应于第一发光控制信号端EMIT1提供的发光控制信号而导通，第二发光控制晶体管22响应于第二发光控制信号端EMIT2提供的发光控制信号而导通，以从第一电源信号端PVDD、第一发光控制晶体管21、驱动晶体管12、第二发光控制晶体管22、发光模块11到第二电源信号端PVEE形成电流通路，使得驱动晶体管12产生的驱动电流提供至发光模块11，驱动发光模块11进行发光。
其中，通过在驱动晶体管12与第一电源信号端PVDD之间设置第一发光控制晶体管21，在驱动晶体管12与第二电源信号端PVEE之间设置第二发光控制晶体管22，从而在非发光阶段，使得驱动晶体管12的阳极与阴极均与电源信号端断开，从而可避免发光模块11在非发光阶段偷亮而影响显示效果。
需要说明的是，第一发光控制晶体管21的栅极G1是指其控制端，例如，当第一发光控制晶体管21采用第二双栅晶体管20时，第二双栅晶体管20的第三栅极201和第四栅极202作为第一发光控制晶体管21的栅极G1；而当第一发光控制晶体管21采用第一双栅晶体管16时，若其第二栅极162与第一源极163电连接，则其第一栅极161作为第一发光控制晶体管21的栅极G1(控制端)，但并不局限于此。
同理，第二发光控制晶体管22的栅极G6也指其控制端，例如，当第二发光控制晶体管22采用第二双栅晶体管20时，第二双栅晶体管20的第三栅极201和第四栅极202作为第二发光控制晶体管22的栅极G6；而当第一发光控制晶体管21采用第一双栅晶体管16时，若其第二栅极162与第一源极163电连接，则其第一栅极161作为第二发光控制晶体管22的栅极G6(控制端)，但并不局限于此。
图12为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图，如图12所示，可选的，第一发光控制信号端EMIT1与第二发光控制信号端EMIT2为同一控制信号端。
其中，如图12所示，通过将第一发光控制信号端EMIT1与第二发光控制信号端EMIT2设置为同一控制信号端，即可第一发光控制信号端EMIT1复用为第二发光控制信号端EMIT2，如此设置，可减少像素驱动电路10中所设置的控制信号端的数量，从而简化像素驱动电路10的结构，同时能够减少提供至像素驱动电路10的控制信号的数量，有利于简化显示面板中用于向像素驱动电路10提供控制信号的扫描驱动电路的结构，降低显示面板的成本，有利于提高显示面板的屏占比。
图13为本发明实施例提供的一种像素驱动电路的版图结构示意图，如图13所示，可选的，发光控制晶体管13与驱动晶体管12相邻设置。
具体的，在发光阶段，发光控制晶体管13导通，第一电源信号端PVDD提供的第一电源信号经发光控制晶体管13和驱动晶体管12传输至发光模块11，以使驱动晶体管12产生的驱动电流提供至发光模块11，驱动发光模块11进行发光。其中，通过设置发光控制晶体管13和驱动晶体管12相邻设置，可以缩短发光控制晶体管13和驱动晶体管12之间的距离，从而减小第一电源信号在发光控制晶体管13和驱动晶体管12之间传输时的损耗，有助于降低功耗。
示例性的，如图13所示，以发光控制晶体管13包括第一发光控制晶体管21和第二发光控制晶体管22为例，驱动晶体管12分别与第一发光控制晶体管21和第二发光控制晶体管22相邻设置，以使第一电源信号端PVDD提供的第一电源信号依次经第一发光控制晶体管21、驱动晶体管12和第二发光控制晶体管22的传输路径较短，从而减小第一电源信号在第一发光控制晶体管21、驱动晶体管12和第二发光控制晶体管22之间传输时的损耗，有助于降低功耗。
继续参考图2和图9，可选的，驱动晶体管12为第一双栅晶体管16。
具体的，如图2、图4和图9所示，在本实施例中，通过设置驱动晶体管12为第一双栅晶体管16，降低其进入饱和区时的跨压，进而降低功耗的同时，还有助于使驱动晶体管12的亚阈值摆幅(SS)较大，其中，驱动晶体管12根据其栅极电压控制驱动电流的大小，驱动电流的大小用于调节发光模块11的发光亮度，从而控制灰阶。因此，对于驱动晶体管12，需要通过栅极的电压精确的控制每个灰阶的驱动电流的大小，其亚阈值摆幅(SS)较大，可以更好的定义灰阶，有助于驱动晶体管12更加精确的调节显示的亮度灰阶。
可选的，第一双栅晶体管16的沟道长度为L1，第一双栅晶体管16的沟道宽度为W1，其中，3μm≤L1≤30μm，10μm≤W1≤30000μm。
具体的，图14为本发明实施例提供的另一种单栅晶体管的Id-Vd曲线示意图，如图14所示，其横坐标为单栅晶体管的源极和漏极之间的电压Vd，纵坐标为单栅晶体管的源极和漏极之间的电流Id，图14中示出了宽长比为3000/20的单栅晶体管在其栅极和源极之间电压差Vg分别为-4V、-4.3V和-4.7V时的Id-Vd曲线，以及宽长比为3000/5的单栅晶体管在其栅极和源极之间电压差Vg分别为-3.1V、-3.3V和-3.6V时的Id-Vd曲线，由上述曲线可以看出，晶体管的沟道宽长比越大，其进入饱和区时的跨压(即源极和漏极之间的电压Vd)越小，而晶体管的功耗等于其导通电流(即源极和漏极之间的电流Id)与跨压的乘积，因此，进入饱和区的跨压越小，则在相同的导通电流下，功耗越小。
在本实施例中，通过合理设置第一双栅晶体管16的沟道长度L1和沟道宽度W1，可使第一双栅晶体管16的沟道宽长比较大，从而进一步降低第一双栅晶体管16的功耗。
同时，如图14所示，单栅晶体管在沟道宽长比(如3000/5)较大时，会发生kink现象，其中，Kink也就是翘曲效应(Kink effect)，是指场效应晶体管的漏极电流与漏极电压的非饱和特性，如图14所示，Kink现象也即在饱和区的Id-Vd曲线发生翘曲(不平缓)，在其应用于驱动晶体管12时，其栅极电压的较小波动，便会引起驱动电流的剧烈变化，从而引起发光模块11亮度的大幅度变化，进而影响显示效果。继续参考图4，图4中示出了宽长比为3000/5的第一双栅晶体管16在其栅极和源极之间电压差Vg分别为-4V、-4.3V、-4.7V和-5V时的Id-Vd曲线，由上述曲线可以看出，在第一双栅晶体管16的宽长比(如3000/5)较大时，其可以改善较大沟道宽长比时的kink问题，满足饱和区平缓的要求，从而在降低功耗的同时，提高饱和区的稳定性。
可选的，第一双栅晶体管16的沟道宽长比为D1，其中，10/30≤D1≤30000/3。
其中，如上所述，通过合理设置第一双栅晶体管16的沟道宽长比，可以在降低第一双栅晶体管16的功耗的同时，使得第一双栅晶体管16的尺寸不会过大，从而有利于提高显示面板的像素密度(Pixels Per Inch，PPI)。同时，第一双栅晶体管16的结构可改善较大沟道宽长比时的kink问题，满足饱和区平坦的要求，从而在降低功耗的同时，提高饱和区的稳定性。
图15为本发明实施例提供的一种第一双栅晶体管的结构示意图，如图15所示，可选的，第一双栅晶体管16包括多个第一子双栅晶体管25，多个第一子双栅晶体管25并联。
具体的，第一双栅晶体管16由多个第一子双栅晶体管25并联组成，多个第一子双栅晶体管25的结构可以相同，也可以不同。示例性的，如图15所示，以多个第一子双栅晶体管25的结构相同为例，多个第一子双栅晶体管25的源极之间电连接，形成第一双栅晶体管16的第一源极163；多个第一子双栅晶体管25的漏极之间电连接，形成第一双栅晶体管16的第一漏极165；多个第一子双栅晶体管25的有源层之间电连接，形成第一双栅晶体管16的第一有源层164；多个第一子双栅晶体管25的顶栅之间电连接，形成第一双栅晶体管16的第一栅极161；多个第一子双栅晶体管25的底栅之间电连接，形成第一双栅晶体管16的第二栅极162。
其中，通过设置较小管型的第一子双栅晶体管25并联形成第一双栅晶体管16，可以降低制备工艺带来的影响，减小不同第一双栅晶体管16之间的差异，提升第一双栅晶体管16的均一性，从而提高显示面板的显示均一性。
需要说明的是，每个第一双栅晶体管16中的第一子双栅晶体管25的数量可根据实际需求进行设置，本领域技术人员可根据实际需求进行设置，例如，以第一双栅晶体管16的沟道宽长比为3000/20为例，可以由10个沟道宽长比为300/20的第一子双栅晶体管25并联组成，也可以由20个沟道宽长比为150/20的第一子双栅晶体管25并联组成，本发明实施例对此不作限定。
可选的，第二双栅晶体管20的沟道长度为L2，第二双栅晶体管20的沟道宽度为W2，其中，3μm≤L2≤30μm，10μm≤W2≤30000μm。
其中，如上所述，通过合理设置第二双栅晶体管20的沟道长度L2和沟道宽度W2，可使第二双栅晶体管20的沟道宽长比较大，从而进一步降低第二双栅晶体管20的功耗。
可选的，第二双栅晶体管20的沟道宽长比为D2，其中，10/30≤D2≤30000/3。
其中，通过合理设置第二双栅晶体管20的沟道宽长比，可以在降低第二双栅晶体管20的功耗的同时，使得第二双栅晶体管20的尺寸不会过大，从而有利于提高显示面板的像素密度。
图16为本发明实施例提供的一种第二双栅晶体管的结构示意图，如图16所示，可选的，第二双栅晶体管20包括多个第二子双栅晶体管26，多个第二子双栅晶体管26并联。
具体的，第二双栅晶体管20由多个第二子双栅晶体管26并联组成，多个第二子双栅晶体管26的结构可以相同，也可以不同。示例性的，如图16所示，以多个第二子双栅晶体管26的结构相同为例，多个第二子双栅晶体管26的源极之间电连接，形成第二双栅晶体管20的第二源极204；多个第二子双栅晶体管26的漏极之间电连接，形成第二双栅晶体管20的第二漏极205；多个第二子双栅晶体管26的有源层之间电连接，形成第二双栅晶体管20的第二有源层203；多个第二子双栅晶体管26的顶栅之间电连接，形成第二双栅晶体管20的第三栅极201；多个第二子双栅晶体管26的底栅之间电连接，形成第二双栅晶体管20的第四栅极202。
其中，通过设置较小管型的第二子双栅晶体管26并联形成第二双栅晶体管20，可以降低制备工艺带来的影响，减小不同第二双栅晶体管20之间的差异，提升第二双栅晶体管20的均一性，从而提高显示面板的显示均一性。
需要说明的是，每个第二双栅晶体管20中的第二子双栅晶体管26的数量可根据实际需求进行设置，本领域技术人员可根据实际需求进行设置，例如，以第二双栅晶体管20的沟道宽长比为3000/20为例，可以由10个沟道宽长比为300/20的第二子双栅晶体管26并联组成，也可以由20个沟道宽长比为150/20的第二子双栅晶体管26并联组成，本发明实施例对此不作限定。
可选的，发光模块11包括发光二极管。
其中，发光二极管可以为微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Mic-LED)，示例性的，微型发光二极管可采用Micro-LED和Mini-LED，Micro-LED是指晶粒尺寸在100微米以下的LED芯片，能够实现0.05毫米或更小尺寸像素颗粒的显示屏，Micro-LED的耗电量很低，并具有较佳的材料稳定性而且无影像残留。Mini-LED是指晶粒尺寸约在100微米至1000微米之间的LED芯片，采用Mini-LED时，良率高，具有异形切割特性，搭配软性基板亦可形成高曲面的背光形式，拥有更好的演色性。
在其他实施例中，发光二极管也可以采用有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode，OLED)，其具有构造简单、高响应、高对比度、易形成柔性和视角宽等优点，但并不局限于此，本领域技术人员人员可根据实际需求进行设置。
图17为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图，图18为本发明实施例提供的另一种像素驱动电路的局部版图结构示意图，如图17和图18所示，可选的，发光模块11包括至少两个发光二极管111，至少两个发光二极管111串联连接或并联连接。
示例性的，如图17和图18所示，通过设置至少两个发光二极管111串联连接，可以降低发光模块11的电流，从而降低发光模块11的功耗，但并不局限于此。
继续参考图18，以发光模块11包括两个发光二极管111为例，发光二极管111的阳极与阴极的连接线沿第一方向X延伸，两个发光二极管111沿第二方向Y排列，如此设置，可使两个发光二极管111的阳极均位于阴极的同一方向(图中阳极均在左侧，阴极均在右侧)，从而在对发光二极管111进行打件时，无需对部分发光二极管111进行翻转，可节省工艺流程，便于批量生产。
同时，两个发光二极管111之间的连接线可呈S形设置，与两个发光二极管111沿第一方向X直线排列相比，可降低发光模块11的尺寸，有助于提高像素密度。
图19为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图，如图19所示，还可设置至少两个发光二极管111并联连接，以降低发光模块11的跨压，从而降低发光模块11的功耗。
图20为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图，如图20所示，还可设置至少两个发光二极管111采用串并联的方式连接，以同时降低发光模块11的电流和跨压，从而降低发光模块11的功耗，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
需要说明的是，每个发光模块11中的发光二极管111数量和连接方式可根据实际需求进行设置，例如，每个发光模块11中发光二极管111的数量可以为1个、2个、3个或4个，连接方式可以为串联、并联或串并联，本发明实施例对此不作限定。
图21为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的结构示意图，如图13、图18和图21所示，可选的，像素驱动电路10还包括：
第一复位晶体管27，第一复位晶体管27的栅极G5与第一扫描信号端SCAN1电连接，第一复位晶体管27的第一极D5与参考信号端VREF电连接，第一复位晶体管27的第二极S5与驱动晶体管12的栅极G3连接于第一节点N1。
数据写入晶体管28，数据写入晶体管28的栅极G2与第二扫描信号端SCAN2电连接，数据写入晶体管28的第一极D2与数据信号端VDATA电连接，数据写入晶体管28的第二极S2与驱动晶体管12的第一极D3电连接。
附加晶体管29，附加晶体管29的栅极G4与第二扫描信号端SCAN2电连接，附加晶体管29的第一极D4与驱动晶体管12的第二极S3电连接，附加晶体管29的第二极S4与第一节点N1电连接。
第一电容CST，第一电容CST的一端与第一电源信号端PVDD电连接，第一电容CST的另一端与第一节点N1电连接。
发光复位晶体管30，发光复位晶体管30的栅极G7与第二扫描信号端SCAN2连接，发光复位晶体管30的第一极D7与参考信号端VREF电连接，发光复位晶体管30的第二极S7与发光模块11电连接。
具体的，图13、图18和图21中所示的像素驱动电路10的驱动过程例如为：
在初始化阶段，第一扫描信号端SCAN1上的第一扫描信号使得第一复位晶体管27导通，参考信号端VREF上的参考电压通过第一复位晶体管27施加到第一电容CST的一端，也即第一节点N1的电位为参考电压，以对第一节点N1进行复位，此时，驱动晶体管12的栅极G3的电位也为参考电压。
在数据信号电压写入阶段，第二扫描信号端SCAN2上的第二扫描信号使得数据写入晶体管28和附加晶体管29导通，此时，驱动晶体管12的栅极G3的电位为参考电压，驱动晶体管12也导通，数据信号端VDATA上的数据信号电压经过数据写入晶体管28、驱动晶体管12和附加晶体管29施加到第一节点N1，从而向第一电容CST中写入数据信号电压。
同时，在数据信号电压写入阶段，第二扫描信号端SCAN2上的第二扫描信号使得发光复位晶体管30也导通，发光复位晶体管30将参考信号端VREF上的参考电压写入发光模块11的阳极，对发光模块11的阳极电位进行复位，可以降低前一帧发光模块11的阳极电压对后一帧发光模块11的阳极电压的影响，进一步提高显示均一性。
在发光阶段，第一发光控制信号端EMIT1/第二发光控制信号端EMIT2上的发光控制信号使得第一发光控制晶体管21和第二发光控制晶体管22导通，从而通过驱动晶体管12驱动发光模块11发光，实现显示面板的发光及显示功能。
需要说明的是，驱动晶体管12的栅极G3是指其控制端，例如，当驱动晶体管12采用第二双栅晶体管20时，第二双栅晶体管20的第三栅极201和第四栅极202作为驱动晶体管12的栅极G3；而当第一发光控制晶体管21采用第一双栅晶体管16时，若其第二栅极162与第一源极163电连接，则其第一栅极161作为驱动晶体管12的栅极G3(控制端)，但并不局限于此。
此外，在上述实施方式中，各晶体管均可以为P型晶体管；也可以均为N型晶体管；或者，部分晶体管为P型晶体管，部分晶体管为N型晶体管；在其他实施例中，晶体管还可采用CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)晶体管，本发明实施例对此不作限定。
图22为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部截面结构示意图，如图21和图22所示，可选的，第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30中的至少一者为第三双栅晶体管31，第三双栅晶体管31包括第五栅极311和第六栅极312，第五栅极311和第六栅极312电连接。
在本实施例中，通过设置第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30中的至少一者为第三双栅晶体管31，与现有第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30均采用单栅晶体管相比，可以降低第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30中至少一者在截止时的漏电流，从而可以进一步降低功耗。
进一步地，通过设置第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30中的至少一者为第三双栅晶体管31，还有助于降低第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30中至少一者的亚阈值摆幅(SS)，使得沟道开启更加容易，从而可以提高上述晶体管的开启速度，增强像素驱动电路10的响应能力。同时，亚阈值摆幅(SS)较小，还可降低晶体管截止时的电流，从而增大的开关比，降低在截止时所损耗的功耗。
需要说明的是，图22中仅以第一复位晶体管27为第三双栅晶体管31为例，在其他实施例中，还可设置附加晶体管29为第三双栅晶体管31，其中，第一复位晶体管27和附加晶体管29采用第三双栅晶体管31，在减小漏电流的同时，可以提高像素驱动电路10的对驱动电流的控制精度，从而有利于提高对发光模块11的发光亮度的控制准确性，但并不局限于此，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
继续参考图22，可选的，本发明实施例提供的显示面板还包括衬底基板17，第三双栅晶体管31设置于衬底基板17一侧，第三双栅晶体管31还包括第三有源层313。沿垂直于衬底基板17的方向，第五栅极311与第三有源层313至少部分交叠，第六栅极312与第三有源层313至少部分交叠。第五栅极311位于第三有源层313远离衬底基板17的一侧，第六栅极位于第三有源层313靠近衬底基板17的一侧；或者，第五栅极311和第六栅极312均位于第三有源层313靠近衬底基板17的一侧；或者，第五栅极311和第六栅极312均位于第三有源层313远离衬底基板17的一侧。
具体的，可在衬底基板17一侧制备第三双栅晶体管31，其中，沿衬底基板17的厚度方向，第三双栅晶体管31的第五栅极311和第六栅极312均与第三有源层313交叠，以形成沟道，通过向第五栅极311和/或第六栅极312施加不同的控制信号，即可控制第三双栅晶体管31导通或截止。
继续参考图22，可选的，第五栅极311位于第三有源层313远离衬底基板17的一侧，作为第三双栅晶体管31的顶栅；第六栅极位于第三有源层313靠近衬底基板17的一侧，作为第三双栅晶体管31的底栅，但并不局限于此。
图23为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部截面结构示意图，如图23所示，示例性的，第五栅极311和第六栅极312可以均位于第三有源层313靠近衬底基板17的一侧。
图24为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部截面结构示意图，如图24所示，示例性的，第五栅极311和第六栅极312还可均位于第三有源层313远离衬底基板17的一侧，本领域技术人员可根据实际需求进行设置，可以理解的是，只要满足第三双栅晶体管31为双栅结构的晶体管，即可达到减小漏电流，降低功耗的作用。
继续参考图13和图18，可选的，驱动晶体管12和发光控制晶体管13沿第一方向X排布，沿第二方向Y，第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30位于驱动晶体管12和发光控制晶体管13的同一侧。其中，第一方向X和第二方向Y均平行于显示面板所在平面，且第一方向X与第二方向Y相交。
具体的，如图13和图18所示，通过将驱动晶体管12和发光控制晶体管13沿第一方向X排列，使得驱动晶体管12和发光控制晶体管13布局在一起，以使发光阶段驱动电流流过的区域较为集中，且驱动电流的传输路径较短，有助于减小驱动电流在传输时的损耗，从而降低功耗。
继续参考图13和图18，沿第二方向Y，将第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30设置于驱动晶体管12和发光控制晶体管13的同一侧，可以使得像素驱动电路10的布局占用空间较小，有利于提高显示面板的像素密度，同时，采用该布局方式，还可以保证第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30之间的耦合最小，从而保证像素驱动电路10的性能。
继续参考图13和图18，可选的，沿显示面板的厚度方向，驱动晶体管12和发光控制晶体管13中任一晶体管的投影面积大于第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30中任一晶体管的投影面积。
具体的，如图13和图18所示，通过设置驱动晶体管12的尺寸较大，有利于提高驱动晶体管12的宽长比，从而有助于提高驱动晶体管12所产生的驱动电流，保证发光模块11的发光亮度。
同时，通过设置发光控制晶体管13的尺寸较大，有利于提高发光控制晶体管13的宽长比，从而有助于降低功耗。
需要说明的是，驱动晶体管12、发光控制晶体管13、第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30的具体尺寸可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不作限定。
继续参考图13和图18，可选的，驱动晶体管12和发光控制晶体管13中任一晶体管的沟道宽长比大于第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30中任一晶体管的沟道宽长比。
具体的，如图13和图18所示，通过设置驱动晶体管12的沟道宽长比较大，有助于提高驱动晶体管12所产生的驱动电流，保证发光模块11的发光亮度。
同时，通过设置发光控制晶体管13的沟道宽长比较大，有助于降低功耗。
需要说明的是，驱动晶体管12、发光控制晶体管13、第一复位晶体管27、数据写入晶体管28、附加晶体管29和发光复位晶体管30的沟道宽长比的具体数值可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不作限定。
图25为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的局部版图结构示意图，如图10和图25所示，可选的，沿显示面板的厚度方向，第三栅极201和第四栅极202至少部分交叠。
其中，如图10和图25所示，沿显示面板的厚度方向，通过设置第三栅极201和第四栅极202，使得第三栅极201和第四栅极202之间可直接打孔连接，结构简单，容易实现。
示例性的，如图10和图25所示，第三栅极201和第四栅极202之间通过第一过孔32实现电连接，但并不局限于此。
图26为本发明实施例提供的又一种像素驱动电路的局部版图结构示意图，图27为图26沿B-B’方向的截面结构示意图，如图26和图27所示，可选的，第一栅极161位于第一有源层164远离衬底基板17的一侧，第二栅极162位于第一有源层164靠近衬底基板17的一侧。显示面板还包括导电连接层33，沿垂直于衬底基板17的方向，第二栅极162与导电连接层33至少部分交叠，第一源极163与导电连接层33至少部分交叠，第二栅极162和第一源极163分别与导电连接层33电连接。
具体的，如图26和图27所示，第二栅极162位于第一有源层164靠近衬底基板17的一侧，其与第一源极163的距离较远，在本实施例中，通过在第二栅极162和第一源极163之间设置导电连接层33，并设置第二栅极162与导电连接层33至少部分交叠，可将第二栅极162与导电连接层33之间打孔连接，同时，设置第一源极163与导电连接层33至少部分交叠，可将第一源极163与导电连接层33之间打孔连接，进而实现第二栅极162和第一源极163之间的电连接，其中，第二栅极162和第一源极163之间通过导电连接层33电连接，可以避免深打孔，从而降低工艺难度，同时，还可以避免打孔深度过大而造成的接触不良的问题，保证电连接的稳定性。
需要说明的是，第二栅极162和第一源极163之间通过导电连接层33电连接，使得第二栅极162和第一源极163沿衬底基板17的厚度方向可以不交叠，即沿垂直于衬底基板17的方向，第二栅极162的垂直投影和第一源极163的垂直投影之间存在间隙，从而可提高显示面板各个膜层布局的灵活性，有助于降低各个膜层之间的信号耦合，提高像素驱动电路10的性能。
示例性的，如图26和图27所示，第一源极163与导电连接层33之间通过第二过孔34实现电连接，第二栅极162和第一源极163之间通过第三过孔35实现电连接，从而实现第二栅极162和第一源极163之间的电连接，但并不局限于此。
继续参考图26，可选的，导电连接层33与第一栅极161同层设置。
具体的，如图26所示，导电连接层33可与第一栅极161同层设置，可减少一层金属层的设置，从而达到了降低了生产成本、减小显示面板厚度的目的。同时，导电连接层33可采用与第一栅极161相同的材料，以使导电连接层33可与第一栅极161在同一制程中制备，从而缩短制程时间。
在其他实施例中，导电连接层33的膜层位置也可根据实际需求进行设置，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
图28为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图18和图28所示，可选的，本发明实施例提供的显示面板还包括沿第一方向X交替排布的第一电源信号线36和第二电源信号线37，第一电源信号线36与第一电源信号端PVDD电连接，第二电源信号线37与第二电源信号端PVEE电连接。沿第一方向X，像素驱动电路10位于第一电源信号线PVDD和第二电源信号线PVEE之间。
示例性的，如图18和图28所示，第一电源信号线36和第二电源信号线3沿第一方向X排列，沿第二方向Y延伸，其中，第一方向X与第二方向Y相交。
可以理解的是，在发光阶段，第一电源信号端PVDD提供的第一电源信号经像素驱动电路10中的发光控制晶体管13、驱动晶体管12、发光模块11到达第二电源信号端PVEE，从而形成电流通路，使得驱动晶体管12产生的驱动电流提供至发光模块11，驱动发光模块11进行发光。因此，在本实施例中，沿第一方向X，通过将像素驱动电路10设置于第一电源信号线PVDD和第二电源信号线PVEE之间，有助于使第一电源信号端PVDD提供的第一电源信号经像素驱动电路10到达第二电源信号端PVEE的路径较短，从而有利于降低功耗。
图29为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部截面结构示意图，如图18和图29所示，可选的，第一电源信号线36包括相互连接的第一子信号线361和第二子信号线362，第一子信号线361和第二子信号线362异层设置；和/或，第二电源信号线37包括相互连接的第三子信号线371和第四子信号线372，第三子信号线371和第四子信号线372异层设置。
具体的，如图18和图29所示，通过设置第一子信号线361和第二子信号线362并联形成第一电源信号线36，可以降低第一电源信号线36上的电阻，从而减小第一电源信号在第一电源信号线36上的线损，有助于提升显示均一性。
进一步地，如图18和图29所示，通过设置第一子信号线361和第二子信号线362异层设置，沿显示面板的厚度方向，第一子信号线361和第二子信号线362可以交叠，与第一子信号线361和第二子信号线362同层设置相比，可使第一子信号线361和第二子信号线362在显示面板所在平面上总的投影面积降低，从而有助于提高显示面板的透过率，当显示面板中设置有屏下指纹识别模块等光传感器件时，有助于提高光传感器件的使用性能。
继续参考图18和图29，可选的，还可通过设置第三子信号线371和第四子信号线372并联形成第二电源信号线37，以降低第二电源信号线37上的电阻，从而减小第二电源信号在第二电源信号线37上的线损，有助于提升显示均一性。
进一步地，如图18和图29所示，通过设置第三子信号线371和第四子信号线372异层设置，沿显示面板的厚度方向，第三子信号线371和第四子信号线372可以交叠，从而降低第二电源信号线37的占用面积，有助于提高显示面板的PPI。
继续参考图18和图29，第二子信号线362和第四子信号线372可与第一源极163和第一漏极165同层设置，可减少一层金属层的设置，从而达到了降低了生产成本、减小显示面板厚度的目的。同时，第二子信号线362和第四子信号线372可采用与第一源极163和第一漏极165相同的材料，以使第二子信号线362和第四子信号线372可与第一源极163和第一漏极165在同一制程中制备，从而缩短制程时间。
此外，通常第一源极163和第一漏极165所在膜层金属层由Ti/Al/Ti金属叠层形成，其中Al具有较小的电阻，将第二子信号线362和第四子信号线372设置于第一源极163和第一漏极165所在膜层可以进一步降低信号在第一电源信号线36和第二电源信号线37上的电压压降，进而减小信号在第一电源信号线36和第二电源信号线37上的线损，有助于提升显示均一性。
进一步地，如图18和图29所示，第一子信号线361和第三子信号线371可设置于第一源极163和第一漏极165远离衬底基板17的一侧，第一子信号线361和第三子信号线371可采用Ti/Al/Ti金属叠层形成，从而降低第一子信号线361和第三子信号线371的电阻，进而降低信号在第一电源信号线36和第二电源信号线37上的电压压降，减小信号在第一电源信号线36和第二电源信号线37上的线损，提升显示均一性。
需要说明的是，第一子信号线361、第二子信号线362、第三子信号线371和第四子信号线372的具体膜层并不局限于上述实施例，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
此外，本发明实施例提供的显示面板并不局限于上述结构，还可包括其他结构，本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
例如，如图2、图9、图10、图22-图24、图27和图29所示，栅极绝缘层19远离衬底基板17的一侧还可设置层间绝缘层38和平坦化层39，以将各个金属层进行隔离，本发明实施例对此不作限定。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图30为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图30所示，该显示装置40包括本发明任意实施例所述的显示面板41，因此，本发明实施例提供的显示装置40具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置40可以为图30所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (29)

1.一种显示面板，其特征在于，包括像素驱动电路；
所述像素驱动电路包括发光模块、驱动晶体管和至少一个发光控制晶体管；
所述驱动晶体管、所述发光控制晶体管和所述发光模块串联在第一电源信号端和第二电源信号端之间；
所述驱动晶体管用于在发光阶段，驱动所述发光模块进行发光；
所述发光控制晶体管用于在所述发光阶段，将所述驱动晶体管产生的驱动电流提供至所述发光模块；
所述驱动晶体管和所述发光控制晶体管中的至少一个为第一双栅晶体管；
所述第一双栅晶体管包括第一栅极、第二栅极和第一源极，所述第二栅极和所述第一源极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
还包括衬底基板，所述第一双栅晶体管设置于所述衬底基板一侧；
所述第一双栅晶体管还包括第一有源层；
沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第一栅极与所述第一有源层至少部分交叠，所述第二栅极与所述第一有源层至少部分交叠；
所述第一栅极位于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极位于所述第一有源层靠近所述衬底基板的一侧；或者，所述第二栅极位于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第一栅极位于所述第一有源层靠近所述衬底基板的一侧。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述驱动晶体管和所述发光控制晶体管中的至少一个为第二双栅晶体管；
所述第二双栅晶体管包括第三栅极和第四栅极，所述第三栅极和所述第四栅极电连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
还包括衬底基板，所述第二双栅晶体管设置于所述衬底基板一侧；
所述第二双栅晶体管还包括第二有源层；
沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第三栅极与所述第二有源层至少部分交叠，所述第四栅极与所述第二有源层至少部分交叠；
所述第三栅极位于所述第二有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第四栅极位于所述第二有源层靠近所述衬底基板的一侧。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
至少一个所述发光控制晶体管为所述第二双栅晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
至少一个所述发光控制晶体管包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管；
所述第一发光控制晶体管的栅极和第一发光控制信号端电连接，所述第一发光控制晶体管的第一极与所述第一电源信号端电连接，所述第一发光控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；
所述第二发光控制晶体管的栅极和第二发光控制信号端电连接，所述第二发光控制晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第二发光控制晶体管的第二极与所述发光模块电连接；
所述第一发光控制晶体管和/或所述第二发光控制晶体管为所述第二双栅晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第一发光控制信号端与所述第二发光控制信号端为同一控制信号端。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述发光控制晶体管与所述驱动晶体管相邻设置。
9.根据权利要求1-7任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述驱动晶体管为所述第一双栅晶体管。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一双栅晶体管的沟道长度为L1，所述第一双栅晶体管的沟道宽度为W1，其中，3μm≤L1≤30μm，10μm≤W1≤30000μm。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一双栅晶体管的沟道宽长比为D1，其中，10/30≤D1≤30000/3。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一双栅晶体管包括多个第一子双栅晶体管，多个所述第一子双栅晶体管并联。
13.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第二双栅晶体管的沟道长度为L2，所述第二双栅晶体管的沟道宽度为W2，其中，3μm≤L2≤30μm，10μm≤W2≤30000μm。
14.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第二双栅晶体管的沟道宽长比为D2，其中，10/30≤D2≤30000/3。
15.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第二双栅晶体管包括多个第二子双栅晶体管，多个所述第二子双栅晶体管并联。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光模块包括发光二极管。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
发光模块包括至少两个所述发光二极管，至少两个所述发光二极管串联连接或并联连接。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：
第一复位晶体管，所述第一复位晶体管的栅极与第一扫描信号端电连接，所述第一复位晶体管的第一极与参考信号端电连接，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点；
数据写入晶体管，所述数据写入晶体管的栅极与第二扫描信号端电连接，所述数据写入晶体管的第一极与数据信号端电连接，所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；
附加晶体管，所述附加晶体管的栅极与所述第二扫描信号端电连接，所述附加晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述附加晶体管的第二极与所述第一节点电连接；
第一电容，所述第一电容的一端与第一电源信号端电连接，所述第一电容的另一端与所述第一节点电连接；
发光复位晶体管，所述发光复位晶体管的栅极与所述第二扫描信号端连接，所述发光复位晶体管的第一极与所述参考信号端电连接，所述发光复位晶体管的第二极与所述发光模块电连接。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，
所述第一复位晶体管、所述数据写入晶体管、所述附加晶体管和所述发光复位晶体管中的至少一者为第三双栅晶体管；
所述第三双栅晶体管包括第五栅极和第六栅极，所述第五栅极和所述第六栅极电连接。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括衬底基板，所述第三双栅晶体管设置于所述衬底基板一侧；
所述第三双栅晶体管还包括第三有源层；
沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第五栅极与所述第三有源层至少部分交叠，所述第六栅极与所述第三有源层至少部分交叠；
所述第五栅极位于所述第三有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第六栅极位于所述第三有源层靠近所述衬底基板的一侧；
或者，所述第五栅极和所述第六栅极均位于所述第三有源层靠近所述衬底基板的一侧；
或者，所述第五栅极和所述第六栅极均位于所述第三有源层远离所述衬底基板的一侧。
21.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，
所述驱动晶体管和所述发光控制晶体管沿第一方向排布；
沿第二方向，所述第一复位晶体管、所述数据写入晶体管、所述附加晶体管和所述发光复位晶体管位于所述驱动晶体管和所述发光控制晶体管的同一侧；
其中，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述显示面板所在平面，且所述第一方向与所述第二方向相交。
22.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，
沿所述显示面板的厚度方向，所述驱动晶体管和所述发光控制晶体管中任一晶体管的投影面积大于所述第一复位晶体管、所述数据写入晶体管、所述附加晶体管和所述发光复位晶体管中任一晶体管的投影面积。
23.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，
所述驱动晶体管和所述发光控制晶体管中任一晶体管的沟道宽长比大于所述第一复位晶体管、所述数据写入晶体管、所述附加晶体管和所述发光复位晶体管中任一晶体管的沟道宽长比。
24.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
沿所述显示面板的厚度方向，所述第三栅极和所述第四栅极至少部分交叠。
25.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一栅极位于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极位于所述第一有源层靠近所述衬底基板的一侧；
所述显示面板还包括导电连接层；
沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第二栅极与所述导电连接层至少部分交叠，所述第一源极与所述导电连接层至少部分交叠；
所述第二栅极和所述第一源极分别与所述导电连接层电连接。
26.根据权利要求25所述的显示面板，其特征在于，
所述导电连接层与所述第一栅极同层设置。
27.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括沿第一方向交替排布的第一电源信号线和第二电源信号线；
所述第一电源信号线与所述第一电源信号端电连接，所述第二电源信号线与所述第二电源信号端电连接；
沿所述第一方向，所述像素驱动电路位于所述第一电源信号线和所述第二电源信号线之间。
28.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电源信号线包括相互连接的第一子信号线和第二子信号线，所述第一子信号线和所述第二子信号线异层设置；
和/或，
所述第二电源信号线包括相互连接的第三子信号线和第四子信号线，所述第三子信号线和所述第四子信号线异层设置。
29.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-28任一项所述的显示面板。
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