CN114927584A - 一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器及其制备方法和应用 - Google Patents
一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器及其制备方法和应用 Download PDFInfo
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- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 148
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 131
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N cadmium tellanylidenezinc Chemical compound [Zn].[Cd].[Te] QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 claims description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 claims 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 31
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 27
- 230000004298 light response Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000707 layer-by-layer assembly Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
- H01L31/02966—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe including ternary compounds, e.g. HgCdTe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
- H01L31/1832—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising ternary compounds, e.g. Hg Cd Te
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器及其制备方法和应用，所述红外探测器自下而上依次包括衬底、金属反射层、钝化层、碲镉汞材料层；所述碲镉汞材料层上排布有至少1个金属纳米结构和至少1对电极；所述碲镉汞材料层的厚度为2100～4000nm。本发明等离激元增强的碲镉汞红外探测器的金属反射层、钝化层、碲镉汞材料层以及金属纳米结构构成法布里‑珀罗(F‑P)谐振腔，可使受激辐射的光波在其谐振腔体内维持来回振荡，提高光能密度和红外吸收范围，从而提高光电探测器的光吸收和光响应能力，具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及光电探测器技术领域，更具体地，涉及一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器及其制备方法和应用。
背景技术
随着人类对光电探测器不断增长的需求，尤其近几年来在人工智能、大数据、智慧城市等方面对红外的新探索和智能感知有着强烈的需求，大幅度降低红外光电探测器的尺寸、重量、功耗和价格，以及提高探测器的性能迫在眉捷。传统的碲镉汞红外探测器，由于苛刻的制冷条件，使得其尺寸、重量、功耗以及价格和性能一直受到极大的限制。因此，要满足上述需求，必须要寻找具有变革性特征的红外光电探测器。
等离激元学是微纳光子学的前沿研究领域之一。借由固体中关联电子的集体运动，等离激元可以将电磁场能量局域于远小于波长的区域内，从而达到近场增强的效果。由于金属-电介质界面上物质场与电磁场的强烈相互作用，在界面附近存在着丰富的光子态密度，这使得等离激元既可以极大地增强光发射的效率，又可以增强光探测效率。
将等离激元和红外光电探测器结合制备的等离激元增强的红外探测器能够解决传统碲镉汞红外探测器制冷条件苛刻的问题，例如名称为“一种等离激元增强的碲镉汞微腔红外探测器及制备方法”的专利公开了一种具有特定层次结构和厚度的红外探测器，虽然解决了制冷条件苛刻的问题，但是这种红外探测器的红外吸收范围窄，在2.5～4.5μm波长范围内具有较强吸收，最大吸收在3.5μm处，不能对2.5～4.5μm以外的波长范围进行检测。
因此，开发一种具有更宽红外吸收范围的等离激元增强的碲镉汞红外探测器具有重要的研究意义。
发明内容
本发明的首要目的是克服上述现有碲镉汞红外探测器红外吸收范围窄的问题，提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器。本发明的等离激元增强的碲镉汞红外探测器通过构建法布里-珀罗(F-P)谐振腔，并使受激辐射的光波在该谐振腔体内维持来回振荡，提高光电探测器的光能密度和红外吸收范围，进而增强了光电探测器的光吸收能力，为红外探测器的研发提供一种新方法。
本发明的另一目的是提供上述等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法。
本发明的再一目的是提供上述等离激元增强的碲镉汞红外探测器的应用。
为实现上述技术目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，自下而上依次包括衬底、金属反射层、钝化层、碲镉汞材料层；所述碲镉汞材料层上排布有至少1个金属纳米结构和至少1对电极；所述碲镉汞材料层的厚度为2100～4000nm。
本发明的等离激元增强的碲镉汞红外探测器中，金属反射层、钝化层、碲镉汞材料层以及金属纳米结构形成法布里-珀罗(F-P)谐振腔，法布里-珀罗(F-P)谐振腔可使受激辐射的光波在其谐振腔体内维持来回振荡，进而提高光电探测器的光能密度和红外吸收范围，增强整个探测器的光吸收能力。
研究发现，法布里-珀罗(F-P)谐振腔中的碲镉汞材料层的厚度对等离激元增强的碲镉汞红外探测器的红外吸收范围大小有较大的影响。特定厚度的碲镉汞材料层能够进一步增强受激辐射的光波在谐振腔体内的来回振荡，提高光能密度和红外吸收范围；如果碲镉汞材料层的厚度低于2100nm，则无法使红外探测器的红外吸收范围拓宽到2500～8000nm；如果碲镉汞材料层的厚度过高，会导致红外探测器的暗电流过高，对信号电流造成干扰，进而降低红外探测器的红外吸收范围。
另外，本发明的等离激元增强的碲镉汞红外探测器无需在苛刻的制冷条件下工作，有利于拓宽碲镉汞红外探测器的应用范围。
本发明对衬底的材料种类没有特殊要求，一般地，本领域常规的衬底及厚度均可用于本发明中。
优选地，所述衬底为硅、碲锌镉、碲化镉、蓝宝石或锗中的一种或多种。
优选地，所述衬底的厚度为425～625μm。
本发明对金属反射层的材料种类和厚度没有特殊要求，选择本领域常规金属及厚度即可。
优选地，所述金属反射层为铝反射层、银反射层、金反射层或铂反射层中的一种或多种。
优选地，所述金属反射层的厚度为100～300nm。
本发明对钝化层的材料种类和厚度没有特殊要求，选择本领域常规绝缘材料及厚度均可与金属反射层、碲镉汞材料层以及金属纳米结构形成法布里-珀罗(F-P)谐振腔。
经过多次试验，发明人发现钝化层的材料种类和厚度几乎不会影响法布里-珀罗(F-P)谐振腔对光波的吸收，也几乎不会影响红外探测器红外吸收范围的变化。
优选地，所述钝化层为二氧化硅钝化层或氧化铝钝化层中的一种或两种。
优选地，所述钝化层的厚度为200～400nm。
本发明的碲镉汞材料层作为光吸收层，它的厚度影响了红外探测器的红外吸收范围，在特定厚度范围内，碲镉汞材料层厚度的提高，进一步增强了受激辐射的光波在谐振腔体内的来回振荡，从而进一步提高红外探测器的光能密度和红外吸收范围；而碲镉汞材料层厚度过低或过高，均达不到该效果。
优选地，所述碲镉汞材料层的厚度为2100～3100nm。
发明人在多次试验过程中发现，金属纳米结构的排布方式和阵列周期的改变几乎不会影响本发明等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收率和红外波长范围。但是金属纳米结构的形状会影响红外探测器的光吸收率和红外波长范围，当金属纳米结构为圆盘状时，红外探测器会有更高的光吸收率和红外波长范围。此外，本领域常用的金属纳米结构材料均可用于本发明中。
优选地，所述金属纳米结构为圆盘状、圆锥状、漏斗状、金字塔形、十字形、矩形、三角形或菱形中的一种或几种。
更优选地，所述金属纳米结构为圆盘状。
优选地，所述金属纳米结构的面积0.1～1.2μm2，厚度为10～50nm。
以圆盘状为例，金属纳米结构的半径为200～600nm。
优选地，所述金属纳米结构呈阵列排布。
更优选地，所述阵列形状为矩形、圆形、三角形或菱形中的一种。
优选地，所述金属纳米结构的数量为1～10000个。
以矩形为例，金属纳米结构的排列方式可为n×m(n为1～100的整数，m为1～100的整数)；该矩形阵列的阵列周期(相邻两个金属纳米结构几何中心之间的距离)为2000～10000nm。
优选地，所述金属纳米结构的材料为金纳米结构、银纳米结构、铂纳米结构或钯纳米结构中的一种或多种。
本发明对电极的材料种类没有特殊要求，一般地，本领域常规的电极材料均可用于本发明中。
优选地，所述电极数量为1～5对。
优选地，所述电极为铬电极、金电极、银电极或钛电极中的一种或多种。
优选地，所述电极的厚度为100～150nm。
本发明还提供上述等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法，具体包括如下步骤：
S1：在衬底上沉积金属反射层；
S2：在金属反射层表面沉积钝化层；
S3：在钝化层表面通过外延生长碲镉汞材料层；
S4：在碲镉汞材料层表面通过微纳加工法制作金属纳米结构和电极，即得等离激元增强的碲镉汞红外探测器。
本发明的制备方法是通过层层组装方式在衬底上依次组装金属反射层、钝化层、碲镉汞材料层、金属纳米结构和电极，各层次的组装方法均为本领域的常规方法。
优选地，所述S1中沉积的方法为热蒸发法、电子束蒸发法、离子束辅助沉积法或金属磁控溅射。
优选地，所述S2中沉积的方法为化学气相沉积法、分子束外延法或物理气相沉积法。
优选地，所述S3中外延生长的方法为金属有机化合物化学气相沉淀法或分子束外延法。
优选地，所述S4中对金属纳米结构使用的微纳加工法为电子束光刻法；对电极使用的微纳加工法为紫外光刻法、近场扫描法、激光直写法或电子束光刻法。
本发明的等离激元增强的碲镉汞红外探测器具有优异的光吸收能力，可用于制备光电器件。因此，上述等离激元增强的碲镉汞红外探测器在制备光电器件中的应用也应该在本发明的保护范围内。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提供的等离激元增强的碲镉汞红外探测器中，金属反射层、钝化层、碲镉汞材料层以及金属纳米结构构成法布里-珀罗(F-P)谐振腔，可使受激辐射的光波在其谐振腔体内维持来回振荡，进而提高光电探测器的光能密度和红外吸收范围，增强整个探测器的光吸收和光响应能力，在光电探测器及相关领域具有广泛的应用前景。
此外，法布里-珀罗(F-P)谐振腔中的碲镉汞材料层的厚度对等离激元增强的碲镉汞红外探测器的红外吸收范围大小有较大的影响。特定厚度的碲镉汞材料层能够进一步增强受激辐射的光波在谐振腔体内的来回振荡，提高光能密度和红外吸收范围；如果碲镉汞材料层的厚度低于2100nm，则无法使红外探测器的红外吸收范围拓宽到2500～8000nm；如果碲镉汞材料层的厚度过高，会导致红外探测器的暗电流过高，对信号电流造成干扰，进而降低红外探测器的红外吸收范围。
附图说明
图1为实施例1的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的结构示意图。
图2为实施例1的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备流程图。
图3为实施例1的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的金纳米结构示意图。
图4为实施例1的等离激元增强的碲镉汞红外探测器和对比例1的碲镉汞红外探测器的光吸收图。
图5为实施例1～3的等离激元增强的碲镉汞红外探测器和对比例2～3的碲镉汞红外探测器的光吸收图，其中，图A和B分别为对比例2和3的碲镉汞红外探测器的光吸收图，图C、D和E分别为实施例2、1和3的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图。
图6为不同条件下等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图，其中，图A为实施例1和实施例4～7的不同金圆盘阵列周期的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图，图B为实施例1和实施例8～11的不同金圆盘半径的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图，图C为实施例1和实施例12～15的不同金圆盘厚度的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图，图D为实施例1和实施例16～17的不同钝化层厚度的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图。
具体实施方式
下面结合实施例进一步阐述本发明。这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。下例实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照本领域常规条件或按照制造厂商建议的条件；所使用的原料、试剂等，如无特殊说明，均为可从常规市场等商业途径得到的原料和试剂。本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。
实施例1
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，如图1所示，自下而上依次包括衬底1、金属反射层2、钝化层3、碲镉汞材料层4；碲镉汞材料层4上排布有金属纳米结构5和电极6；金属纳米结构5为圆盘状；其中衬底1为硅衬底，厚度为500μm；金属反射层2为金反射层，厚度为200nm；钝化层3为二氧化硅钝化层，厚度为300nm，折射率n3＝2.68；碲镉汞材料层4的厚度为2700nm，折射率n4＝3.43，入射光的波长范围为2500～8000nm；金属纳米结构5为金纳米结构(金圆盘)，呈矩形阵列排布，矩形阵列的排列方式为6×6，阵列周期为8000nm(8μm，如图3所示)，半径为400nm，厚度为30nm；电极6为外置对称电极，厚度为110nm，含有铬和金。
等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法，如图2所示，具体包括如下步骤：
S1：在硅衬底1上沉积金反射层2；
具体地，在500μm厚的硅衬底1上通过电子束蒸发的方式沉积200nm厚的金反射层2；
S2：在金反射层2表面沉积二氧化硅钝化层3；
具体地，在金反射层2表面通过化学气相沉积法生长二氧化硅钝化层3，其中二氧化硅钝化层的厚度为300nm；
S3：在二氧化硅钝化层3表面外延生长碲镉汞材料层4；
具体地，在二氧化硅钝化层3表面通过分子束外延法生长厚度为2700nm的碲镉汞材料层4；
S4：(1)在碲镉汞材料层4表面通过微纳加工法制作金纳米结构5；
具体地，在碲镉汞材料层4表面旋涂PMMA，电子束曝光，使金纳米结构5图案转移到PMMA上，ZX238显影液显影，图案进一步转移到碲镉汞材料层表面；金属磁控溅射沉积厚度为30nm，半径为400nm的金纳米结构5，丙酮清洗去除剩余的PMMA，并用去离子水冲洗，在碲镉汞材料层表面获得设计的金纳米结构，金纳米结构如图3所示；
(2)通过微纳加工法在碲镉汞材料层上制作电极6，即得等离激元增强的碲镉汞红外探测器；
具体地，在碲镉汞材料层4表面旋涂AZ1500光刻胶，通过激光直写将电极图案转移至光刻胶上，通过显影液显影后，热蒸镀沉积10nm的铬层和100nm的金层，使用丙酮清洗去除表面剩余光刻胶，并用去离子水清洗。
实施例2
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，碲镉汞材料层厚度为2100nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例3
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，碲镉汞材料层厚度为3100nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例4
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)阵列周期为2000nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例5
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)阵列周期为4000nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例6
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)阵列周期为6000nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例7
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)阵列周期为10000nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例8
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)半径为200nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例9
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)半径为300nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例10
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)半径为500nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例11
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)半径为600nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例12
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)厚度为10nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例13
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)厚度为20nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例14
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)厚度为40nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例15
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，金纳米结构(金圆盘)厚度为50nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例16
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，钝化层厚度为200nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
实施例17
本实施例提供一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其中，钝化层厚度为400nm，其余与实施例1一致。
本实施例等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1一致。
对比例1
本对比例提供一种碲镉汞红外探测器，自下而上依次包括衬底，碲镉汞材料层以及电极。其中衬底为硅衬底，厚度为500μm，碲镉汞材料层的厚度为2700nm，入射光为2500～8000nm，电极为外置对称电极，厚度为110nm，含有铬和金。
上述碲镉汞红外探测器的制备方法，具体包括如下步骤：
第一步：在硅衬底上通过外延生长碲镉汞材料层；
第二步：在碲镉汞材料层表面通过微纳加工法制作电极，即得碲镉汞红外探测器；
具体地，在碲镉汞材料层表面旋涂AZ1500光刻胶，通过激光直写将电极图案转移至光刻胶上，通过显影液显影后，热蒸镀沉积10nm的铬层和100nm的金层，使用丙酮清洗去除表面剩余光刻胶，并用去离子水清洗。
对比例2
本对比例提供一种碲镉汞红外探测器，其中，碲镉汞材料层的厚度为100nm，其余与实施例1一致。
本对比例碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法一致。
对比例3
本对比例提供一种碲镉汞红外探测器，其中，碲镉汞材料层的厚度为1100nm，其余与实施例1一致。
本对比例碲镉汞红外探测器的制备方法与实施例1等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法一致。
性能测试
对各实施例和各对比例制备的红外探测器进行光吸收能力测试，使用傅里叶变换红外光谱仪在2500～8000nm波长范围内对测试器件进行扫描。
图4为实施例1的等离激元增强的碲镉汞红外探测器和对比例1的碲镉汞红外探测器的光吸收图。如图4所示，与对比例1碲镉汞红外探测器相比，实施例1等离激元增强的碲镉汞红外探测器在4500nm波长处的光吸收率大约提高了三分之一，达到了90％；而在6400nm波长处的光吸收率则提高了一倍以上，此时具有最大的光吸收率与光响应度；由此可见，法布里-珀罗(F-P)谐振腔提高了光电探测器的光吸收和光响应能力。
图5为实施例1～3的等离激元增强的碲镉汞红外探测器和对比例2～3的碲镉汞红外探测器的光吸收图，其中，图A和B分别为对比例2和3的碲镉汞红外探测器的光吸收图，图C、D和E分别为实施例2、1和3的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图。从图5可知，在特定厚度范围内，增强碲镉汞材料层的厚度，能够提高红外探测器的红外吸收范围；当碲镉汞材料层厚度达到2100nm时，红外探测器的红外吸收范围可以拓宽到2500～8000nm，说明法布里-珀罗(F-P)谐振腔中的碲镉汞材料层的厚度对等离激元增强的碲镉汞红外探测器的红外吸收范围大小有较大的影响，这可能是因为增强碲镉汞材料层的厚度，能够进一步增强受激辐射的光波在谐振腔体内的来回振荡，进而进一步提高光能密度和红外吸收范围。
图6为不同条件下等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图，其中，图A为实施例1和实施例4～7的不同金圆盘阵列周期的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图，图B为实施例1和实施例8～11的不同金圆盘半径的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图，图C为实施例1和实施例12～15的不同金圆盘厚度的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图，图D为实施例1和实施例16～17的不同钝化层厚度的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的光吸收图。从图6可知，图A～D中的各曲线几乎重叠，说明金圆盘阵列周期、金圆盘半径、金圆盘厚度以及钝化层厚度几乎不影响红外探测器的吸收率和红外吸收范围。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其特征在于，自下而上依次包括衬底、金属反射层、钝化层、碲镉汞材料层；所述碲镉汞材料层上排布有至少1个金属纳米结构和至少1对电极；所述碲镉汞材料层的厚度为2100～4000nm。
2.根据权利要求1所述的等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其特征在于，所述衬底为硅、碲锌镉、碲化镉、蓝宝石或锗中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其特征在于，所述金属反射层为铝反射层、银反射层、金反射层或铂反射层中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅钝化层或氧化铝钝化层中的一种或两种。
5.根据权利要求1所述的等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其特征在于，所述碲镉汞材料层的厚度为2700～3100nm。
6.根据权利要求1所述的等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其特征在于，所述金属纳米结构为圆盘状、圆锥状、漏斗状、金字塔形、十字形、矩形、三角形或菱形中的一种或几种；所述金属纳米结构呈阵列排布；所述金属纳米结构的数量为1～10000个；所述金属纳米结构的材料为金纳米结构、银纳米结构、铂纳米结构或钯纳米结构中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的等离激元增强的碲镉汞红外探测器，其特征在于，所述电极数量为1～5对；所述电极为铬电极、金电极、银电极或钛电极中的一种或多种。
8.权利要求1～7任一所述的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在衬底上沉积金属反射层；
S2：在金属反射层表面沉积钝化层；
S3：在钝化层表面通过外延生长碲镉汞材料层；
S4：在碲镉汞材料层表面通过微纳加工法制作金属纳米结构和电极，即得等离激元增强的碲镉汞红外探测器。
9.根据权利要求8所述的等离激元增强的碲镉汞红外探测器的制备方法，其特征在于，所述S1中沉积的方法为热蒸发法、电子束蒸发法、离子束辅助沉积法或金属磁控溅射；所述S2中沉积的方法为化学气相沉积法、分子束外延法或物理气相沉积法；所述S3中外延生长的方法为金属有机化合物化学气相沉淀法或分子束外延法；所述S4中对金属纳米结构使用的微纳加工法为电子束光刻法；所述S4中对电极使用的微纳加工法为紫外光刻法、近场扫描法、激光直写法或电子束光刻法。
10.权利要求1～7任一所述的等离激元增强的碲镉汞红外探测器在制备光电器件中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN114927584A (zh) |
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