CN114883395B - 一种具有部分p型漂移区的igbt - Google Patents
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Abstract
本发明属于功率半导体技术领域,特别涉及一种具有部分P型漂移区的IGBT。本发明将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区(4)和P型漂移区(5)通过上下堆叠的形式,形成具有部分P型的漂移区,从而使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构,此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极:P+集电极,基极:N型场截止层,集电极:P型漂移区和一个NPN晶体管(发射极:N型载流子存储层,基极:P型漂移区,集电极:N型漂移区构成,从而实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。
Description
技术领域
本发明属于功率半导体技术领域,特别涉及一种具有部分P型漂移区的IGBT(Insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)结构。
背景技术
IGBT是一种重要的功率器件,被广泛使用。其追求更优的导通压降与关断损耗的折衷关系。传统优化IGBT导通压降与关断损耗的方法主要改变栅极、阴极结构来增强阴极侧载流子存储、改变阳极结构来减少阳极侧载流子积累,以及改变耐压层结构来加速漂移区内载流子的抽取。对耐压层的改变主要是在漂移区内引入交替的PN条形成超结结构来实现。但是超结结构对N/P条电荷要求高,设计制造难度高。
发明内容
本发明的目的,就是为了优化IGBT的导通压降与关断损耗,提出一种具有部分P型漂移区的IGBT。
本发明的技术方案:一种具有具有部分P型漂移区的IGBT,其元胞包括集电极结构、耐压层结构、发射极结构和栅极结构,其中耐压层结构位于集电极结构之上,发射极结构和栅极结构位于耐压层结构之上:
所述集电极结构包括集电极金属1、P+集电极区2和N型场截止层3;所述集电极金属1的下表面引出端为器件的集电极C;所述P+集电极区2位于集电极金属1的上表面;所述N型场截止层3位于P+集电极区2的上表面;
所述发射极结构包括P型阱区7、N型发射极区9、P型体接触区8以及发射极金属10;所述P型阱区7位于耐压层结构上表面;所述N型发射极区9和P型体接触区8位于P型阱区7上表面;所述发射极金属10的下表面同时与N型发射极区9和P型体接触区8的上表面接触,其上表面的引出端为器件的发射极E;
所述栅极结构为沟槽栅结构,包括绝缘介质12和导电材料11;所述导电材料11位于绝缘介质12内,引出端为器件的栅极G;所述绝缘介质12从器件表面垂直穿过P型阱区7与耐压层结构接触,绝缘介质12的侧面与P型阱区7和N型发射极区9接触;
所述耐压层结构包括N型漂移区4和P型漂移区5,两者呈现上下堆叠的形式;所述N型漂移区4的下表面与N型场截止层3的上表面接触,上表面与P型漂移区5的下表面接触;所述P型漂移区5的上表面同时与绝缘介质12以及的P型阱区7的下表面接触。
本发明的有益效果为,本发明的一种具有部分P型漂移区的IGBT实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。
附图说明
图1是本发明的IGBT结构;
图2是本发明的IGBT关断时的等效电路;
图3是本发明的IGBT关断时的等效电路与结构对应图;
图4是本发明的IGBT导通时的等效电路;
图5是本发明的IGBT导通时的等效电路与结构对应图;
图6是常规IGBT结构;
图7是常规IGBT等效电路;
图8是常规IGBT等效电路与结构对应图;
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的描述
如图1所示,为本发明的一种具有部分P型漂移区的IGBT结构,其导通和关断时的等效电路分别如图2和图4所示。图3和图5分别是图2和图4中的等效电路在器件结构中的映射。图6和图7分别为常规IGBT结构和等效电路图。可以看出,本发明器件在导通和关断时的等效电路是不相同的,这和栅极沟道是否开启存在关系。开启时,NP叠型漂移区使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构。此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极:P+集电极2,基极:N型场截止层3,集电极:P型漂移区5)和一个NPN晶体管(发射极:N型载流子存储层,基极:P型漂移区5,集电极:N型漂移区4)构成。
本发明器件工作原理如下:
耐压时:器件栅极关断,发射极接地和集电极接正电位。此时器件等效电路如图2所示,器件耐压由PNP晶体管(发射极:P+集电极2,基极:N型场截止层3/N型漂移区4,集电极:P型漂移区5/P型阱区7/P+短路区8)承担。耐压时电场峰值在N型漂移区4/P型漂移区5这个结上,电场峰值远离栅极区,这有利于提高器件的耐压。
正向导通时:器件栅极开启,发射极接地和集电极接正电位。栅极电压在P型漂移区5以及P型阱区7靠近栅极区的表面形成电子反型层,从而形成电子沟道。此电子反型层与P型漂移区5和N型漂移区4形成了一个寄生的NPN晶体管。随着阳极电压的增加,P+阳极2注入P型漂移区5的空穴逐渐使NPN晶体管(发射极:电子反型层,基极:P型漂移区5,集电极:N型漂移区4/N型电场截止层3)开启,开启后的NPN晶体管注入到电子到N型漂移区4中,使PNP晶体管(发射极:P+集电极2,基极:N型场截止层3,集电极:P型漂移区5)开启。最终肖克来二极管进入PNPN晶闸管导通模式。N型漂移区4以及P型漂移区5都存在电导调制效应,器件导通压降低。
关断时:器件栅极关断,发射极接地和集电极接正电位。此时栅极沟道从开启到关断,电子反型层消失,寄生的NPN晶体管(发射极:电子反型层,基极:P型漂移区5,集电极:N型漂移区4/N型电场截止层3)的发射极消失,肖克来二极管逐渐从PNPN晶闸管导通模式退出,进入PNP晶体管(发射极:P+集电极2,基极:N型场截止层3,集电极:P型漂移区5)耐压状态。由于耐压的N型漂移区4和P型漂移区5这个结位于漂移区内部,器件要耐压的话,电场需在此处建立。由于漂移区内有大量空穴载流子,需要将此PN结附近的浓度降低才能使电场在此PN结建立,因此的话,位于P型漂移区内的空穴在PN结处电场建立前已通过发射极排出,而位于N型漂移区的空穴也降低了。从而在电场建立的时候,P型漂移区内以及N型漂移区内的载流子已急剧降低,并且耗尽区是往两个方向进行耗尽,因此的话,器件内电场建立速度更快,电压上升时间降低,从而器件关断损耗将降低。
Claims (1)
1.一种具有部分P型漂移区的IGBT,其元胞包括集电极结构、耐压层结构、发射极结构和栅极结构,其中耐压层结构位于集电极结构之上,发射极结构和栅极结构位于耐压层结构之上;
所述集电极结构包括集电极金属(1)、P+集电极区(2)和N型场截止层(3);所述集电极金属(1)的下表面引出端为器件的集电极(C);所述P+集电极区(2)位于集电极金属(1)的上表面;所述N型场截止层(3)位于P+集电极区(2)的上表面;
所述发射极结构包括P型阱区(7)、N型发射极区(9)、P型体接触区(8)以及发射极金属(10);所述P型阱区(7)位于耐压层结构上表面;所述N型发射极区(9)和P型体接触区(8)位于P型阱区(7)上表面;所述发射极金属(10)的下表面同时与N型发射极区(9)和P型体接触区(8)的上表面接触,其上表面的引出端为器件的发射极(E);
所述栅极结构为沟槽栅结构,包括绝缘介质(12)和导电材料(11);所述导电材料(11)位于绝缘介质(12)内,引出端为器件的栅极(G);所述绝缘介质(12)从器件表面垂直穿过P型阱区(7)与耐压层结构接触,绝缘介质(12)的侧面与P型阱区(7)和N型发射极区(9)接触;
其特征在于,所述耐压层结构包括N型漂移区(4)和P型漂移区(5),两者呈现上下堆叠的形式;所述N型漂移区(4)的下表面与N型场截止层(3)的上表面接触,上表面与P型漂移区(5)的下表面接触;所述P型漂移区(5)的上表面同时与绝缘介质(12)以及P型阱区(7)的下表面接触。
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