CN114864434A - 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质 Download PDF

Info

Publication number
CN114864434A
CN114864434A CN202210093060.7A CN202210093060A CN114864434A CN 114864434 A CN114864434 A CN 114864434A CN 202210093060 A CN202210093060 A CN 202210093060A CN 114864434 A CN114864434 A CN 114864434A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
detection
liquid
unit
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210093060.7A
Other languages
English (en)
Inventor
饭野正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN114864434A publication Critical patent/CN114864434A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/004Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area comprising sensors for monitoring the delivery, e.g. by displaying the sensed value or generating an alarm
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1007Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to condition of liquid or other fluent material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/027Coating heads with several outlets, e.g. aligned transversally to the moving direction of a web to be coated
    • B05C5/0275Coating heads with several outlets, e.g. aligned transversally to the moving direction of a web to be coated flow controlled, e.g. by a valve
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质,能够检测喷嘴的异常。基板处理装置具备:供给部,其包括喷嘴;液体接受部,其包括用于接受从喷嘴伪喷出的处理液的开口;驱动部,其构成为对支承喷嘴的喷嘴臂进行驱动;检测部,其配置于液体接受部;以及控制部。检测部构成为检测从喷嘴伪喷出的处理液是否通过了液体接受部的内周面附近的检测空间。控制部构成为执行以下处理:第一处理,控制驱动部,以使喷嘴臂位于在开口的内侧预先设定的原点位置;以及第二处理,当在喷嘴臂位于原点位置的状态下由检测部检测出从喷嘴伪喷出的处理液通过了检测空间的情况下,判断为喷嘴处于异常状态。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质。
背景技术
专利文献1公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括:吸引式旋转吸盘,其构成为对基板进行旋转保持;喷嘴,其构成为向保持于旋转吸盘的基板的表面供给处理液;以及移动机构,其构成为使喷嘴在基板的上方移动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开11-005056号公报
发明内容
发明要解决的问题
有时由于在维护装置时作业人员意外接触喷嘴、或伴随着喷嘴的移动喷嘴偶然接触了装置的其它要素,喷嘴产生异常(例如喷嘴变形、喷嘴的姿势改变等)。此时,存在从喷嘴喷出的处理液相对于基板的着液位置偏移从而执行与设定不同的基板处理的情况。
因此,在本公开中说明一种能够检测喷嘴的异常的基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质。
用于解决问题的方案
基板处理装置的一例具备:保持部,其构成为保持基板;供给部,其包括喷嘴,该喷嘴构成为向保持于保持部的基板的表面供给处理液;液体接受部,其包括开口,该开口以接受从喷嘴伪喷出的处理液的方式朝向上方开放;驱动部,其构成为通过对支承喷嘴的喷嘴臂进行驱动,来使喷嘴在保持于保持部的基板的上方与液体接受部之间移动;检测部,其配置于液体接受部;控制部。其中,检测部构成为检测从喷嘴伪喷出的处理液是否通过了液体接受部的内周面附近的检测空间。控制部构成为执行以下处理:第一处理,控制驱动部,以使喷嘴臂位于在开口的内侧预先设定的原点位置;以及第二处理,当在喷嘴臂位于原点位置的状态下由检测部检测出从喷嘴伪喷出的处理液通过了检测空间的情况下,判断为所述喷嘴处于异常状态。
发明的效果
根据本公开所涉及的基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质,能够检测喷嘴的异常。
附图说明
图1是示意性地示出基板处理装置的一例的图。
图2是示意性地示出处理单元的一例的俯视图。
图3是示意性地示出液体接受部的一例的立体图。
图4的(a)是图3的IVA-IVA线截面图,图4的(b)是图3的IVB-IVB线截面图。
图5是示出基板处理装置的主要部分的一例的框图。
图6是示出控制器的硬件结构的一例的概要图。
图7是示出初始测量处理的过程的一例的流程图。
图8是用于说明初始测量处理的过程的一例的图。
图9是示出异常状态的检测处理的过程的一例的流程图。
图10是用于说明异常状态的检测处理的过程的一例的图。
图11是用于说明从喷嘴倾斜地喷出的处理液的角度的计算方法的图。
图12是示出检测部的其它例的图。
具体实施方式
在以下的说明中,对相同要素或具有相同功能的要素使用相同的附图标记,并省略重复的说明。此外,在本说明书中,在提到图的上、下、右、左时,以图中的附图标记的朝向为基准。
[基板处理装置]
首先,参照图1~图5来说明基板处理装置1的结构。基板处理装置1例如构成为通过向基板W供给处理液L来处理基板W。处理液L例如可以是用于清洗基板W的表面的清洗液,也可以是用于冲洗残留在基板W的表面的液体、溶解成分、残渣等的冲洗液,也可以是用于在基板W的表面进行成膜的涂布液,还可以是用于对抗蚀膜进行显影处理的显影液。即,基板处理装置1既可以是基板清洗装置,也可以是涂布显影装置。
清洗液例如既可以包括碱性或酸性的药液,也可以包括有机溶剂。碱性的药液例如可以包括SC-1液(氨、过氧化氢以及纯水的混合液)等。酸性的药液例如可以包括SC-2液(盐酸、过氧化氢以及纯水的混合液)、SPM(硫酸和过氧化氢的混合液)、HF/HNO3液(氢氟酸和硝酸的混合液)等。有机溶剂例如也可以包括IPA(异丙醇)。冲洗液例如也可以包括纯水(DIW:deionized water:去离子水)、臭氧水、碳酸水(CO2水)、氨水等。此外,在上述的例子中,例如SC-1液、SC-2液、SPM、碳酸水等显导电性。另一方面,IPA、纯水等不显导电性。
基板W既可以呈圆板状,也可以呈多边形等除圆形以外的其它板状。基板W也可以具有将一部分切除所得到的切口部。切口部例如既可以是槽口(notch)(U字形、V字形等的槽),也可以是以直线状地延伸的直线部(所谓的定向平面)。基板W例如也可以是半导体基板(硅晶圆)、玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display:平板显示器)基板以及其它各种基板。基板W的直径例如可以是200mm~450mm左右。
如图1所例示的那样,基板处理装置1具备处理单元2和控制器Ctr(控制部)。处理单元2包括保持部10、供给部20、驱动部30、液体接受部40以及多个检测部50。
保持部10包括旋转驱动部11、轴12以及吸附部13。旋转驱动部11构成为:基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,来使轴12旋转。旋转驱动部11例如可以是电动马达等动力源。吸附部13设置于轴12的前端部。吸附部13构成为:基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,来吸附保持基板W的背面的一部分或全部。即,保持部10可以构成为:将基板W以基板W的姿势为大致水平的状态保持,并且使基板W绕与基板W的表面垂直的中心轴(旋转轴)旋转。
供给部20构成为向保持于保持部10的基板W的表面供给处理液L。供给部20包括液体源21、泵22、阀23、喷嘴24以及配管25。液体源21构成为贮存处理液L。泵22构成为:基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,来将从液体源21吸引的处理液L经由配管25和阀23向喷嘴24送出。
阀23构成为:基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,来在允许配管25中流通流体的开启状态与阻止配管25中流通流体的闭合状态之间变换。喷嘴24的喷出口朝向下方开放。喷嘴24构成为:向基板W的表面喷出通过泵22被送出的处理液L、或者向液体接受部40伪喷出通过泵22送出的处理液L。在配管25中从上游侧依次连接有液体源21、泵22、阀23以及喷嘴24。
驱动部30构成为使喷嘴24在保持于保持部10的基板W的上方与液体接受部40之间移动。如图1和图2所例示的那样,驱动部30包括旋转驱动部31、回旋轴32、喷嘴臂33、编码器34以及位置传感器35。
旋转驱动部31构成为:基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,来使回旋轴32旋转。旋转驱动部31例如可以是电动马达等动力源。回旋轴32是在上下方向上延伸的柱状构件(例如圆柱状构件),其构成为绕沿铅垂方向延伸的旋转轴旋转。
喷嘴臂33构成为支承喷嘴24。喷嘴臂33的基端部与回旋轴32的外周面连接。喷嘴臂33的前端部支承喷嘴24。喷嘴臂33沿回旋轴32的径向水平地延伸。如图2所例示的那样,旋转驱动部31使回旋轴32旋转,由此使位于喷嘴臂33的前端部的喷嘴24在保持于保持部10的基板W的大致中心部的上方与液体接受部40的开口41(后述)的上方之间圆弧状地回旋移动。此外,如图2所例示的那样,有时将喷嘴24在液体接受部40的上方回旋移动时的喷嘴24的回旋方向称为“X方向”,将喷嘴臂33的长度方向称为“Y方向”。
编码器34构成为检测旋转驱动部31的旋转位置(旋转角度)。编码器34构成为向控制器Ctr输出检测出的旋转位置。位置传感器35构成为检测回旋轴32的原点位置(基准位置)。位置传感器35例如可以包括检测片35a和光电传感器35b。检测片35a可以构成为:与回旋轴32的外周面连接,与回旋轴32一起旋转。光电传感器35b可以是包括受光部以及向该受光部照射光的投光部的投受光器。在检测片35a旋转时,当检测片35a位于受光部与投光部之间时,受光部接收不到来自投光部的光,检测到检测片35a的存在。光电传感器35b检测到检测片35a的存在时的旋转驱动部31的旋转位置可以被设定为回旋轴32的原点位置。此外,也可以是,在回旋轴32处于原点位置时,喷嘴24位于液体接受部40的开口41的上方。
液体接受部40作为承接从喷嘴24伪喷出的处理液L的集液容器发挥功能。如图3和图4所例示的那样,液体接受部40是上方开放的有底筒体,该液体接受部40包括用于接收从喷嘴24伪喷出的处理液L的开口41。在液体接受部40的底壁设置有未图示的排液管,从排液管排出被喷出到液体接受部40内的处理液L。液体接受部40可以配置于将保持于保持部10的基板W的周围包围的杯(未图示)的外侧(在上下方向上不与杯重合的位置)。
多个检测部50配置于液体接受部40。如图3和图4所例示的那样,检测部50包括测量器52以及一对端子51。一对端子51由导电性的材料构成。一对端子51例如既可以由针对处理液L具有耐腐蚀性的金属材料构成,也可以由含有导电性材料的树脂材料构成。在这些情况下,能够抑制伴随端子51的腐蚀而产生微粒。含有导电性材料的树脂材料例如可以是含有碳材料的氟树脂(PTFE、PFA等)、含有碳材料的PEEK树脂等。
一对端子51以前端部从液体接受部40的内周面突出且互相分离的状态设置于液体接受部40。也可以是,在端子51的基端部的外周面设有螺纹牙,通过使该螺纹牙与液体接受部40的周壁螺合,来使端子51安装于液体接受部40。在该情况下,能够调节端子51的前端部的位置。此外,也可以在螺纹牙与液体接受部40之间设置用于防止液体泄漏的密封构件。
一对端子51的基端部经由导线等而与测量器52电连接。测量器52例如可以是电阻计(测试器)。如图4中所例示的那样,在处理液L为导电性的液体的情况下,当从喷嘴24伪喷出的处理液L的液柱与一对端子51接触时,构成闭合电路,在测量器52中检测出电流。因此,检测部50构成为检测处理液L是否与一对端子51的前端部进行了接触。即,能够通过前端部位于液体接受部40的内周面附近的一对端子51来检测处理液L是否通过了液体接受部40的内周面附近的检测空间。
如图3和图4的(a)所例示的那样,在液体接受部40的上部配置有两个检测部50。这两个检测部50(以下有时称为“检测部50A”。)相对于液体接受部40的中心彼此相向,并且沿X方向(喷嘴24的回旋方向)排列。两个检测部50A的端子51可以在液体接受部40的内周面位于大致相同的高度位置。能够通过这两个检测部50A来检测喷嘴24的回旋方向上的伪喷出位置的偏移。
如图3和图4的(b)所例示的那样,在液体接受部40的下部配置有四个检测部50。其中的两个检测部50(以下有时称为“检测部50B”。)相对于液体接受部40的中心彼此相向,并且沿X方向(喷嘴24的回旋方向)排列。能够通过这两个检测部50B来检测喷嘴24的回旋方向上的伪喷出位置的偏移。另一方面,其余的两个检测部50(以下有时称为“检测部50C”。)相对于液体接受部40的中心彼此相向,并且沿Y方向(喷嘴臂33的长度方向)排列。能够通过这两个检测部50C来检测喷嘴臂33的长度方向上的伪喷出位置的偏移。这四个检测部50B、50C的端子51可以在液体接受部40的内周面位于大致相同的高度位置。
[控制器的详情]
如图5所示,控制器Ctr具有作为功能模块的读取部M1、存储部M2、处理部M3以及指示部M4。这些功能模块只不过是为了方便起见而将控制器Ctr的功能划分为多个模块,并不一定意味着将构成控制器Ctr的硬件分为这样的模块。各功能模块不限于通过执行程序来实现,也可以通过专用的电路(例如逻辑电路)来实现,或者通过将这些电路进行集成所得到的集成电路(ASIC:Application Specific Integrated Circuit:专用集成电路)来实现。
读取部M1构成为从计算机可读记录介质RM读取程序。记录介质RM记录有用于使包括处理单元2的基板处理装置1的各部进行动作的程序。记录介质RM例如可以是半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、光磁记录盘。此外,下面,基板处理装置1的各部能够包括保持部10、供给部20、驱动部30以及检测部50。
存储部M2构成为存储各种数据。存储部M2例如可以存储读取部M1中的从记录介质RM读出的程序、由操作者经由外部输入装置(未图示)输入的设定数据等。存储部M2也可以存储来自驱动部30的编码器34的与旋转位置有关的数据、来自驱动部30的位置传感器35的与原点位置有关的数据、来自检测部50的处理液L的检测数据等。存储部M2也可以存储用于处理基板W的处理条件等。
处理部M3构成为处理各种数据。处理部M3例如可以基于存储部M2中存储的各种数据来生成用于使基板处理装置1的各部进行动作的信号。
指示部M4构成为向基板处理装置1的各部发送在处理部M3中生成的动作信号。
控制器Ctr的硬件例如可以由一个或多个控制用计算机构成。如图6所示,控制器Ctr可以包括作为硬件结构的电路C1。电路C1可以由电路要素(circuitry)构成。电路C1例如也可以包括处理器C2、存储器C3、存储装置C4、驱动器C5以及输入输出端口C6。
处理器C2也可以构成为:与存储器C3和存储装置C4中的至少一方协作地执行程序,执行经由输入输出端口C6进行的信号的输入和输出,由此实现上述的各功能模块。存储器C3和存储装置C4也可以作为存储部M2发挥功能。驱动器C5也可以是构成为分别驱动基板处理装置1的各部的电路。输入输出端口C6也可以构成为在驱动器C5与基板处理装置1的各部之间进行信号的输入和输出。
基板处理装置1既可以具备一个控制器Ctr,也可以具备由多个控制器Ctr构成的控制器组(控制部)。在基板处理装置1具备控制器组的情况下,上述的功能模块既可以分别通过一个控制器Ctr来实现,也可以分别通过两个以上的控制器Ctr的组合来实现。在控制器Ctr由多个计算机(电路C1)构成的情况下,上述的功能模块既可以分别通过一个计算机(电路C1)来实现,也可以分别通过两个以上的计算机(电路C1)的组合来实现。控制器Ctr也可以具有多个处理器C2。在该情况下,上述的功能模块既可以分别通过一个处理器C2来实现,也可以分别通过两个以上的处理器C2的组合来实现。
[初始测量处理]
接下来,参照图7和图8来说明初始测量处理。此时,设为喷嘴24处于被作业人员适当地安装到喷嘴臂33的初始状态。即,设为喷嘴24未产生异常。
首先,控制器Ctr指示驱动部30来使回旋轴32位于原点位置(参照图7的步骤S11)。此时,如图8的(a)所例示的那样,喷嘴24位于液体接受部40的开口41的上方。接着,控制器Ctr指示供给部20来从喷嘴24伪喷出处理液L(参照图7的步骤S12)。
在该状态下,控制器Ctr指示驱动部30来使喷嘴臂33回旋,直到正从喷嘴24伪喷出的处理液L的液柱被一个检测部50A检测到为止(参照图7的步骤S13和图8的(b)的箭头Ar1)。控制器Ctr基于从编码器34接收到的数据,来计算从原点位置起至处理液L的液柱被一个检测部50A检测到的检测位置为止的距离a(参照图7的步骤S13)。也可以是,控制器Ctr针对另一个检测部50A也同样地通过使喷嘴臂33回旋(参照图8的(b)的箭头Ar2)来计算从原点位置起至处理液L的液柱被另一个检测部50A检测到的检测位置为止的距离b。此外,也可以是,计算从原点位置起至处理液L被检测部50B检测到的检测位置为止的距离,以取代处理液L被检测部50A检测到的检测位置。
[异常检测方法]
接下来,参照图9和图10来说明喷嘴的异常状态的检测方法(基板处理方法)。此时,如图10所例示的那样,设为喷嘴24产生了如喷嘴24的位置及姿势发生改变这样的异常,从喷嘴24伪喷出的处理液L相对于铅垂方向倾斜。
首先,控制器Ctr指示驱动部30来使回旋轴32位于原点位置(参照图9的步骤S21)。如上所述,由于喷嘴24处于异常状态,因此即使回旋轴32位于原点位置,来自喷嘴24的处理液L的伪喷出位置(参照图10的(a))也与喷嘴24为初始状态时的伪喷出位置(参照图8的(a))不同。接着,控制器Ctr指示供给部20来从喷嘴24伪喷出处理液L(参照图9的步骤S22)。
在该状态下,控制器Ctr判断检测部50C是否检测到处理液L(参照图9的步骤S23)。在检测部50C检测到处理液L的情况下(参照图9的步骤S23中为“是”的情况),伪喷出位置在喷嘴臂33的长度方向上偏移。即,控制器Ctr判断为喷嘴24处于异常状态。一般来说,喷嘴臂33不是能够在其长度方向上进行进退移动的结构,无法校正伪喷出位置在Y方向上的偏移。因而,在该情况下,进行喷嘴24的更换等由作业人员进行的维护(参照图9的步骤S24),异常状态的检测处理结束。
另一方面,在检测部50C未检测到处理液L的情况下(参照图9的步骤S23中为“否”的情况),控制器Ctr指示驱动部30来使喷嘴臂33回旋,直到从喷嘴24伪喷出的处理液L的液柱被一个检测部50A检测到为止(参照图9的步骤S25和图10的(b)的箭头Ar3)。控制器Ctr基于从编码器34接收到的数据,来计算从原点位置起至处理液L的液柱被一个检测部50A检测到的检测位置为止的距离a’(参照图9的步骤S26)。也可以是,控制器Ctr针对另一个检测部50A也同样地通过使喷嘴臂33回旋(参照图10的(b)的箭头Ar4)来计算从原点位置起至处理液L的液柱被另一个检测部50A检测到的检测位置为止的距离b’。
接着,控制器Ctr计算在步骤S13中计算出的距离a与在步骤S26中计算出的距离a’的差值δ(参照图9的步骤S27)。差值δ越接近0,意味着相对于喷嘴24的初始状态时的伪喷出位置的偏离越小。因此,控制器Ctr判断差值δ是否超过规定的允许范围(例如,差值δ是否处于±3mm的范围外)(参照图9的步骤S28)。在判断为差值δ超过规定的允许范围的情况下(参照图9的步骤S28中为“是”的情况),存在后述的校正变得困难的倾向。因而,在该情况下,进行喷嘴24的更换等由作业人员进行的维护(参照图9的步骤S24),异常状态的检测处理结束。
另一方面,在判断为差值δ处于规定的允许范围内的情况下(参照图9的步骤S28中为“否”的情况),控制器Ctr基于差值δ来校正原点位置(参照图9的步骤S29)。具体地说,控制器Ctr将相对于原点位置偏移了差值δ的大小的位置视为新的原点位置,来进行后续的处理(例如向基板W供给处理液L的供给处理)。通过以上步骤,异常状态的检测处理结束。
[作用]
根据以上的例子,在尽管喷嘴臂33位于原点位置但检测部50C检测到从喷嘴24伪喷出的处理液L的情况下,控制器Ctr能够检测喷嘴24的异常。
根据以上的例子,检测部50由测量器52以及一对端子51构成。因此,能够使用简易结构的检测部50来高精度地检测喷嘴24的异常。
根据以上的例子,在液体接受部40设置有在液体接受部40的内周面位于大致相同的高度位置的一对检测部50A、一对检测部50B以及一对检测部50C。因此,能够检测沿着水平的多个方向(X方向和Y方向)上的伪喷出位置的偏移。因而,能够更高精度地检测喷嘴24的异常。
根据以上的例子,能够通过将差值δ与规定的允许范围进行比较来将伪喷出位置的偏移程度较大的状态识别为异常状态。因此,能够更高精度地检测喷嘴24的异常。
根据以上的例子,在伪喷出位置没有过大地偏移的情况下,使用差值δ来校正原点位置,因此无需停止基板处理装置1来进行维护,能够持续进行基板处理。因此,能够提高基板处理的生产率。
[变形例]
应当认为本说明书中的公开在所有方面均为例示,而非限制性的。在不脱离专利权利要求书及其主旨的范围内可以对以上的例子进行各种省略、置换、变更等。
(1)不仅在从喷嘴24伪喷出的处理液L沿着铅垂方向的情况下能够应用本公开的技术,在该处理液L相对于铅垂方向倾斜的情况下也能够应用本公开的技术。例如,如图3所例示的那样,能够通过使用在上下方向上排列配置的检测部50A、50B,来检测从喷嘴24伪喷出的处理液L是否相对于铅垂方向倾斜。具体地说,在检测部50A、50B中的一方检测到处理液L但另一方未检测到该处理液L的情况下,能够判断为从喷嘴24伪喷出的处理液L相对于铅垂方向倾斜。或者,能够通过使检测部50A、50B的端子51的突出量不同,来判断从喷嘴24伪喷出的处理液L是否为规定的角度。
(2)如图11所示,也可以是,使用上下错开且从上方观察时相向的一对检测部50A、50B,来计算从喷嘴24伪喷出的处理液L相对于铅垂方向倾斜的情况下的角度θ。具体地说,将参数A、B、Y分别定义为:
A:在异常时从原点位置起至由检测部50A检测到处理液L为止的喷嘴臂33的移动距离
B:在异常时从原点位置起至由检测部50B检测到处理液L为止的喷嘴臂33的移动距离
Y:检测部50A、50B间的分离距离
此时,角度θ由下面的式子来规定。
【数1】
Figure BDA0003489945560000111
控制器Ctr也可以使用计算出的角度θ,以考虑到从喷嘴24伪喷出的处理液L的倾斜度的方式来校正喷嘴24的位置。
(3)在上述的例子中构成为喷嘴24以回旋轴32为中心轴进行回旋移动,但也可以是,喷嘴24构成为能够在沿着水平的任意方向上移动。
(4)测量器52例如也可以是静电电容计。在该情况下,当处理液L与一对端子51接触时,预先储存在电容器中的电荷减少。因此,能够根据是否检测到伴随电荷的减少产生的电位变化,来检测处理液L是否通过了液体接受部40的内周面附近的检测空间。
(5)也可以使用图12的(a)所例示的检测部50。该检测部50也可以包括:位移构件53,其穿过设置于液体接受部40的周壁的贯通孔40a;弹性膜材54,其以将位移构件53与贯通孔40a之间密封的方式设置;以及机械式开关55。当从喷嘴24伪喷出的处理液L与位移构件53的前端部接触时,位移构件53被向下方按下,因此,使机械式开关55在接通与断开之间切换。由此,检测部50能够检测从喷嘴24伪喷出的处理液L是否通过了检测空间。也可以是,该检测部50具备负荷传感器56以取代机械式开关55,或者除了机械式开关55之外还包括负荷传感器56。当从喷嘴24伪喷出的处理液L与位移构件53的前端部接触时,位移构件53被向下方按下,因此,将位移构件53与负荷传感器56连接的弹性构件(弹簧构件)56a被拉伸。因此,对负荷传感器56作用负荷。由此,检测部50能够根据负荷传感器56探测到的负荷的变化,来检测从喷嘴24伪喷出的处理液L是否通过了检测空间。
(6)也可以使用图12的(b)所例示的检测部50。该检测部50包括投光器57和受光器58。在来自投光器57的光被处理液L遮挡而无法被受光器58检测到的情况下,检测部50能够检测从喷嘴24伪喷出的处理液L是否通过了检测空间。
(7)在上述的例子中,通过使喷嘴臂33回旋,喷嘴24相对于检测部50进行了移动,但是,既可以使液体接受部40本身水平移动,也可以使检测部50水平移动。在这些情况下,也能够根据液体接受部40或检测部50的移动量的变化,来高精度地检测伪喷出位置的偏移程度。
(8)控制器Ctr也可以将差值δ与计算出差值δ的日期时间相关联地存储为时间序列数据。控制器Ctr也可以基于该时间序列数据来估计喷嘴24的异常状态的种类。具体地说,在如差值δ随时间的经过向一个方向变大这样的时间序列数据的情况下,例如估计为伪喷出位置由于喷嘴24、喷嘴臂33等的劣化、喷嘴24的变形等原因而逐渐偏移。在如差值δ由于时间的经过而增减(振动)这样的情况下,例如估计为喷嘴24、喷嘴臂33等由于螺钉的松动等原因而振动。当能够估计出这些异常状态的种类时,能够预测维护的策略。因此,能够缩短维护基板处理装置1所需的时间。因而,能够提高基板处理的生产率。
(9)也可以定期地执行喷嘴24的异常检测的处理(图9中的至少步骤S21、S22、S24~S29)。此时,步骤S24也可以包括在定期的处理中。定期例如既可以是指每处理几张~几十张基板W,也可以是每隔规定的时间间隔。在该情况下,能够持续监视喷嘴24是否产生了异常状态。因此,不会大幅地损害基板处理的生产率,能够及早发现喷嘴24的异常状态。
(10)控制器Ctr在判断为喷嘴24处于异常状态的情况下,也可以通知警报。因此,例如也可以是,基板处理装置1还具备通知器,该通知器用于通过声音、画面上的文字显示、光等进行通知。在该情况下,作业人员能够及早掌握喷嘴24产生了异常状态的情况。
[其它例]
例1.基板处理装置的一例具备:保持部,其构成为保持基板;供给部,其包括喷嘴,该喷嘴构成为向保持于保持部的基板的表面供给处理液;液体接受部,其包括开口,该开口以接受从喷嘴伪喷出的处理液的方式朝向上方开放;驱动部,其构成为通过对支承喷嘴的喷嘴臂进行驱动,来使喷嘴在保持于保持部的基板的上方与液体接受部之间移动;检测部,其配置于液体接受部;以及控制部。其中,检测部构成为检测从喷嘴伪喷出的处理液是否通过了液体接受部的内周面附近的检测空间。控制部构成为执行以下处理:第一处理,控制驱动部,以使喷嘴臂位于在开口的内侧预先设定的原点位置;以及第二处理,当在喷嘴臂位于原点位置的状态下由检测部检测出从喷嘴伪喷出的处理液通过了检测空间的情况下,判断为喷嘴处于异常状态。通常,在喷嘴被适当地安装于喷嘴臂的初始状态下,由作业人员以使在喷嘴臂位于原点位置时从喷嘴伪喷出的处理液通过液体接受部的开口中的比检测空间更靠内侧的内侧空间的方式调节原点位置。因此,在尽管喷嘴臂位于原点位置但检测部检测到从喷嘴伪喷出的处理液通过了检测空间的情况下,来自喷嘴的处理液的伪喷出位置发生了偏移。即,喷嘴的喷出口朝向与初始状态不同的方向、或者喷嘴的喷出口位于相对于初始状态偏移的位置。因而,通过控制部基于来自检测部的检测信号判断喷嘴的状态,能够检测喷嘴的异常。
例2.在例1的装置中,也可以是,检测部包括:一对端子,该一对端子以从液体接受部的内周面突出且互相分离的方式设置于液体接受部;以及测量器,其构成为测量一对端子之间的电流或电压,该检测部构成为:基于从喷嘴伪喷出的处理液将一对端子电连接时的测量器中的值的变化,来检测从喷嘴伪喷出的处理液是否通过了检测空间。在该情况下,能够使用简易结构的检测部来检测喷嘴的异常。
例3.在例1的装置中,也可以是,检测部包括:位移构件,其以从液体接受部的内周面突出且能够在上下方向位移的方式设置于液体接受部;以及位移检测器,其构成为检测位移构件的位移,该检测部构成为:基于从喷嘴伪喷出的处理液与位移构件接触时的位移检测器中的检测结果,来检测从喷嘴伪喷出的处理液是否通过了检测空间。在该情况下,得到与例2的装置同样的作用效果。
例4.在例1的装置中,也可以是,检测部包括:投光器,其构成为向液体接受部内照射光;以及受光器,其配置于与投光器相向且能够接收来自投光器的光的位置,该检测部构成为:基于受光器是否接收到来自投光器的光,来检测从喷嘴伪喷出的处理液是否通过了检测空间。在该情况下,得到与例2的装置同样的作用效果。
例5.例1~例4中的任一例的装置还可以具备以在液体接受部的内周面位于与检测部大致相同的高度位置的方式配置于液体接受部的另一检测部。在该情况下,能够使用多个检测部来检测沿着水平的多个方向上的伪喷出位置的偏移。因此,能够更高精度地检测喷嘴的异常。
例6.例1~例5中的任一例装置,还可以具备构成为使液体接受部的水平位置或者所述检测部从液体接受部的内周面突出的突出量变化的另一驱动部。在该情况下,使液体接受部水平移动、或者使检测部突出量变化,直至检测部检测到伪喷出的处理液为止,由此能够检测伪喷出位置的偏移。因此,能够根据液体接受部的移动量或检测部的突出量的变化,来高精度地检测伪喷出位置的偏移程度。
例7.在例1~例6中的任一例的装置中,也可以是,控制部构成为还执行以下处理:第三处理,一边控制供给部以使喷嘴喷出处理液,一边控制驱动部以使喷嘴臂从原点位置移动到检测位置,检测位置是检测部对从喷嘴喷出的处理液通过了检测空间的情况进行检测的位置;第四处理,计算喷嘴臂从原点位置移动到检测位置的移动距离;第五处理,计算喷嘴为初始状态时的从原点位置到检测位置的距离与移动距离的差值;以及第六处理,在差值超过规定的允许范围的情况下,判断为喷嘴处于异常状态。在该情况下,通过将差值与允许范围进行比较,能够将伪喷出位置的偏移程度较大的状态识别为异常状态。因此,能够更高精度地检测喷嘴的异常。
例8.在例7的装置中,也可以是,控制部构成为还执行第七处理,在第七处理中,在移动距离处于允许范围内的情况下,基于差值来校正原点位置。通过在伪喷出位置没有过大地偏离的情况下校正原点位置,无需停止装置来进行维护,能持续进行基板处理。因此,能够提高基板处理的生产率。
例9.在例8的装置中,也可以是,控制部构成为还执行以下处理:第八处理,将差值与计算出差值的日期时间相关联地存储为时间序列数据;以及第九处理,基于时间序列数据来估计喷嘴的异常状态的种类。在该情况下,能够根据估计出喷嘴的异常状态的种类来预测维护的策略。因此,能够缩短维护装置所需的时间。因而,能够提高基板处理的生产率。
例10.在例7~例9中的任一例的装置中,也可以是,控制部构成为定期地执行包括第一处理、第三处理以及第四处理的一系列处理。在该情况下,能够持续监视喷嘴是否产生了异常状态。因此,不会大幅地损害基板处理的生产率,能够及早发现喷嘴的异常状态。
例11.在例1~例10中的任一例的装置中,也可以是,控制部构成为还执行第十处理,在第十处理中,在判断出喷嘴处于异常状态的情况下,通知警报。在该情况下,作业人员能够及早掌握喷嘴产生了异常状态。
例12.例1~例11中的任一例的装置,还可以具备以在液体接受部的内周面位于与检测部不同的高度位置的方式配置于液体接受部的又一检测部。在该情况下,能够根据这两个检测部中的从喷嘴伪喷出的处理液的检测状态,来掌握该处理液是否相对于铅垂方向倾斜以及该倾斜的角度。
例13.在例12的装置中,也可以是,检测部和又一检测部在上下方向上排列配置,控制部构成为还执行第十一处理,在第十一处理中,在检测部和又一检测部中的一方检测出从喷嘴伪喷出的处理液通过了检测空间但另一方未检测出从喷嘴伪喷出的处理液通过了检测空间的情况下,判断为从喷嘴伪喷出的处理液相对于铅垂方向倾斜。
例14.基板处理方法的一例包括:第一工序,将支承喷嘴的喷嘴臂配置于在液体接受部的开口的内侧预先设定的规定的原点位置,喷嘴构成为向保持于保持部的基板的表面供给处理液,液体接受部的开口以接受从喷嘴伪喷出的处理液的方式朝向上方开放;以及第二工序,当在喷嘴臂位于原点位置的状态下由配置于液体接受部的检测部检测出从喷嘴伪喷出的处理液通过了液体接受部的内周面附近的检测空间的情况下,判断为喷嘴处于异常状态。在该情况下,得到与例1的装置同样的作用效果。
例15.例14的方法还可以包括:第三工序,一边从喷嘴喷出处理液,一边使喷嘴臂从原点位置移动到检测位置,检测位置是检测部对从喷嘴喷出的处理液通过了检测空间的情况进行检测的位置;第四工序,计算喷嘴臂从原点位置移动到检测位置的移动距离;第五工序,计算喷嘴为初始状态时的从原点位置到检测位置的距离与移动距离的差值;第六工序,在差值超过规定的允许范围的情况下,判断为喷嘴处于异常状态。在该情况下,得到与例7的装置同样的作用效果。
例16.例15的方法还可以包括第七工序,在第七工序中,在移动距离处于允许范围内的情况下,基于差值来校正原点位置。在该情况下,得到与例8的装置同样的作用效果。
例17.例16的方法还可以包括:第八工序,将差值与计算出差值的日期时间相关联地存储为时间序列数据;以及第九工序,基于时间序列数据来估计喷嘴的异常状态的种类。在该情况下,得到与例9的装置同样的作用效果。
例18.例15~例17中的任一例的方法,也可以是,定期地实施包括第一工序、第三工序以及第四工序的一系列工序。在该情况下,得到与例10的装置同样的作用效果。
例19.例14~例18中的任一例的方法,还可以包括第十工序,在第十工序中,在判断出喷嘴处于异常状态的情况下,通知警报。在该情况下,得到与例11的装置同样的作用效果。
例20.例14~例19中的任一例的方法,也可以是,还包括第十一工序,在第十一工序中,当在喷嘴臂位于原点位置的状态下由检测部和又一检测部中的一方检测出从喷嘴伪喷出的处理液通过了检测空间但另一方未检测出从喷嘴伪喷出的处理液通过了检测空间的情况下,判断为从喷嘴伪喷出的处理液相对于铅垂方向倾斜,又一检测部以在液体接受部的内周面位于与检测部不同的高度位置且与检测部在上下方向上排列的方式配置于液体接受部。在该情况下,得到与例13的装置同样的作用效果。
例21.计算机可读记录介质的一例可以记录有用于使基板处理装置执行例14~例20中的任一例的方法的程序。在该情况下,得到与例1的装置同样的作用效果。在本说明书中,计算机可读记录介质也可以包括非瞬态有形介质(non-transitory computerrecording medium:非瞬态计算机记录介质)(例如各种主存储装置或辅助存储装置)或者传播信号(transitory computer recording medium:瞬态计算机记录介质)(例如能够经由网络提供的数据信号)。
附图标记说明
1:基板处理装置;2:处理单元;10:保持部;20:供给部;24:喷嘴;30:驱动部;33:喷嘴臂;40:液体接受部;41:开口;50:检测部;51:端子;52:测量器;Ctr:控制器(控制部);L:处理液;RM:记录介质;W:基板。

Claims (21)

1.一种基板处理装置,具备:
保持部,其构成为保持基板;
供给部,其包括喷嘴,该喷嘴构成为向保持于所述保持部的所述基板的表面供给处理液;
液体接受部,其包括开口,该开口以接受从所述喷嘴伪喷出的所述处理液的方式朝向上方开放;
驱动部,其构成为通过对支承所述喷嘴的喷嘴臂进行驱动,来使所述喷嘴在保持于所述保持部的所述基板的上方与所述液体接受部之间移动;
检测部,其配置于所述液体接受部;以及
控制部,
其中,所述检测部构成为检测从所述喷嘴伪喷出的所述处理液是否通过了所述液体接受部的内周面附近的检测空间,
所述控制部构成为执行以下处理:
第一处理,控制所述驱动部,以使所述喷嘴臂位于在所述开口的内侧预先设定的原点位置;以及
第二处理,当在所述喷嘴臂位于所述原点位置的状态下由所述检测部检测出从所述喷嘴伪喷出的所述处理液通过了所述检测空间的情况下,判断为所述喷嘴处于异常状态。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述检测部包括:
一对端子,所述一对端子以从所述液体接受部的内周面突出且互相分离的方式设置于所述液体接受部;以及
测量器,其构成为测量所述一对端子之间的电流或电压,
所述检测部构成为:基于从所述喷嘴伪喷出的所述处理液将所述一对端子电连接时的所述测量器中的值的变化,来检测从所述喷嘴伪喷出的所述处理液是否通过了所述检测空间。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述检测部包括:
位移构件,其以从所述液体接受部的内周面突出且能够在上下方向位移的方式设置于所述液体接受部;以及
位移检测器,其构成为检测所述位移构件的位移,
所述检测部构成为:基于从所述喷嘴伪喷出的所述处理液与所述位移构件接触时的所述位移检测器中的检测结果,来检测从所述喷嘴伪喷出的所述处理液是否通过了所述检测空间。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述检测部包括:
投光器,其构成为向所述液体接受部内照射光;以及
受光器,其配置于与所述投光器相向且能够接收来自所述投光器的光的位置,
所述检测部构成为:基于所述受光器是否接收到来自所述投光器的光,来检测从所述喷嘴伪喷出的所述处理液是否通过了所述检测空间。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备以在所述液体接受部的内周面位于与所述检测部大致相同的高度位置的方式配置于所述液体接受部的另一检测部。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备构成为使所述液体接受部的水平位置或者所述检测部从所述液体接受部的内周面突出的突出量变化的另一驱动部。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部构成为还执行以下处理:
第三处理,一边控制所述供给部以使所述喷嘴喷出所述处理液,一边控制所述驱动部以使所述喷嘴臂从所述原点位置移动到检测位置,所述检测位置是所述检测部对从所述喷嘴喷出的所述处理液通过了所述检测空间的情况进行检测的位置;
第四处理,计算所述喷嘴臂从所述原点位置移动到所述检测位置的移动距离;
第五处理,计算所述喷嘴为初始状态时的从所述原点位置到所述检测位置的距离与所述移动距离的差值;以及
第六处理,在所述差值超过规定的允许范围的情况下,判断为所述喷嘴处于异常状态。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部构成为还执行第七处理,在所述第七处理中,在所述移动距离处于所述允许范围内的情况下,基于所述差值来校正所述原点位置。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部构成为还执行以下处理:
第八处理,将所述差值与计算出所述差值的日期时间相关联地存储为时间序列数据;以及
第九处理,基于所述时间序列数据来估计所述喷嘴的异常状态的种类。
10.根据权利要求7~9中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部构成为定期地执行包括所述第一处理、所述第三处理以及所述第四处理的一系列处理。
11.根据权利要求1~10中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部构成为还执行第十处理,在所述第十处理中,在判断出所述喷嘴处于异常状态的情况下,通知警报。
12.根据权利要求1~11中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备以在所述液体接受部的内周面位于与所述检测部不同的高度位置的方式配置于所述液体接受部的又一检测部。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,
所述检测部和所述又一检测部在上下方向上排列配置,
所述控制部构成为还执行第十一处理,在所述第十一处理中,在所述检测部和所述又一检测部中的一方检测出从所述喷嘴伪喷出的所述处理液通过了所述检测空间但另一方未检测出所述处理液通过了所述检测空间的情况下,判断为从所述喷嘴伪喷出的所述处理液相对于铅垂方向倾斜。
14.一种基板处理方法,包括以下工序:
第一工序,将支承喷嘴的喷嘴臂配置于在液体接受部的开口的内侧预先设定的规定的原点位置,所述喷嘴构成为向保持于保持部的基板的表面供给处理液,所述液体接受部的开口以接受从所述喷嘴伪喷出的所述处理液的方式朝向上方开放;以及
第二工序,当在所述喷嘴臂位于所述原点位置的状态下由配置于所述液体接受部的检测部检测出从所述喷嘴伪喷出的所述处理液通过了所述液体接受部的内周面附近的检测空间的情况下,判断为所述喷嘴处于异常状态。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法,其特征在于,还包括:
第三工序,一边从所述喷嘴喷出所述处理液,一边使所述喷嘴臂从所述原点位置移动到检测位置,所述检测位置是所述检测部对从所述喷嘴喷出的所述处理液通过了所述检测空间的情况进行检测的位置;
第四工序,计算所述喷嘴臂从所述原点位置移动到所述检测位置的移动距离;
第五工序,计算所述喷嘴为初始状态时的从所述原点位置到所述检测位置的距离与所述移动距离的差值;以及
第六工序,在所述差值超过规定的允许范围的情况下,判断为所述喷嘴处于异常状态。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括第七工序,在所述第七工序中,在所述移动距离处于所述允许范围内的情况下,基于所述差值来校正所述原点位置。
17.根据权利要求16所述的基板处理方法,其特征在于,还包括:
第八工序,将所述差值与计算出所述差值的日期时间相关联地存储为时间序列数据;以及
第九工序,基于所述时间序列数据来估计所述喷嘴的异常状态的种类。
18.根据权利要求15~17中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
定期地实施包括所述第一工序、所述第三工序以及所述第四工序的一系列工序。
19.根据权利要求14~18中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括第十工序,在所述第十工序中,在判断出所述喷嘴处于异常状态的情况下,通知警报。
20.根据权利要求14~19中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括第十一工序,在所述第十一工序中,当在所述喷嘴臂位于所述原点位置的状态下由所述检测部和又一检测部中的一方检测出从所述喷嘴伪喷出的所述处理液通过了所述检测空间但另一方未检测出从所述喷嘴伪喷出的所述处理液通过了所述检测空间的情况下,判断为从所述喷嘴伪喷出的所述处理液相对于铅垂方向倾斜,
所述又一检测部以在所述液体接受部的内周面位于与所述检测部不同的高度位置且与所述检测部在上下方向上排列的方式配置于所述液体接受部。
21.一种计算机可读记录介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,
该计算机程序被处理器执行时实现根据权利要求14~20中的任一项所述的基板处理方法。
CN202210093060.7A 2021-02-03 2022-01-26 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质 Pending CN114864434A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021015737A JP2022118910A (ja) 2021-02-03 2021-02-03 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2021-015737 2021-02-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114864434A true CN114864434A (zh) 2022-08-05

Family

ID=82627120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210093060.7A Pending CN114864434A (zh) 2021-02-03 2022-01-26 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2022118910A (zh)
KR (1) KR20220112185A (zh)
CN (1) CN114864434A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH115056A (ja) 1997-06-16 1999-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022118910A (ja) 2022-08-16
KR20220112185A (ko) 2022-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4928343B2 (ja) 基板処理装置
US8393227B2 (en) Substrate processing method, storage medium storing program for executing the same, substrate processing apparatus, and fault detection method for differential pressure flowmeter
JP6794730B2 (ja) 処理液供給装置及び処理液供給装置の運用方法並びに記憶媒体
US10821483B2 (en) Substrate treatment apparatus
KR101931969B1 (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 측정을 위한 온도센서 설치 위치 조정장치 및 그 방법
US10668494B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2015152475A (ja) 変位検出装置、基板処理装置、変位検出方法および基板処理方法
KR102606005B1 (ko) 처리 장치, 처리 방법 및 기억 매체
KR102570215B1 (ko) 처리 장치, 처리 방법 및 기억 매체
US10549302B2 (en) Operating method of processing liquid supply apparatus and recording medium
JP4055839B2 (ja) 液面検出装置及び方法
JP2018129432A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN114864434A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质
JP5031525B2 (ja) 基板処理装置
JP2008098426A (ja) 基板処理装置
JP6727377B2 (ja) 処理装置、処理方法および記憶媒体
US11227778B2 (en) Wafer cleaning apparatus and operation method of the same
US20120180557A1 (en) Surface processing apparatus
CN112967955B (zh) 检测半导体设备的静电释放针脚失效的方法及半导体设备
JP2018133437A (ja) 基板処理装置
JP2011204948A (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
KR20220022098A (ko) 기판 처리 장치
KR20240042509A (ko) 분석적 결정을 위해 유체 세그먼트의 유동 특성을 결정하는 시스템 및 방법
KR20240098364A (ko) 편심 보정 유닛의 성능 모니터링 방법 및 이를 수행하는 기판 처리 장치
JP2005150555A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination