CN114851409A - 一种改善圆片成膜均匀性的加热方法 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 63
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 61
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
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- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本发明公开了一种改善圆片成膜均匀性的加热方法，S1、将硅片放置于设备内部的托盘上，硅片边缘与托盘接触，硅片中心不接触；S2、再托盘的下方一定距离铺设石英板，石英板上方再铺设一层由若干小块石英板组成的热场改善层，小块石英板铺设时，铺设于对应硅片边缘位置下方，硅片中心区域下方不设有小块石英板，小块石英板制造了一个下凹的热场；S3、石英板下方再铺设加热丝，通过设定加热温度，加热硅片。通过人工干预热场分布，降低圆片中心及边缘的温度差，为均匀成膜提供了良好的温度条件，使出片均匀性大大提高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体为一种改善圆片成膜均匀性的加热方法。
背景技术
由于半导体12寸晶圆制造线宽逐渐减小，对于硅片生长膜层的要求逐渐提高，包括厚度以及均匀性的控制。均匀性的控制主要在于设备参与反应气流的稳定分布以及热场的均匀分布。而硅片制造中加工设备对硅片的加热一般是通过间接加热进行，因为硅片下方会有托盘，通常硅片边缘与托盘接触，硅片中心与托盘不接触，硅片边缘与中心的受热不均匀，硅片表面成膜的整体均匀性较差。因此需要一种改善圆片成膜均匀性的加热方法。
发明内容
本发明提供了一种改善圆片成膜均匀性的加热方法。
一种改善圆片成膜均匀性的加热方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将硅片放置于设备内部的托盘上，硅片边缘与托盘接触，硅片中心不接触；
S2、再托盘的下方一定距离铺设石英板，石英板上方再铺设一层由若干小块石英板组成的热场改善层，小块石英板铺设时，铺设于对应硅片边缘位置下方，硅片中心区域下方不设有小块石英板，小块石英板制造了一个下凹的热场；
S3、石英板下方再铺设加热丝，通过设定加热温度，加热硅片。
优选的，小块石英板的长度为10mm，宽度为10mm。
优选的，加热丝加热石英板，石英板将热量传递给小块石英板，小块石英板再将热量传递给托盘，继而托盘加热硅片。
优选的，小块石英板与托盘形成间隙，通过间隙进行热传导。
优选的，所述加热方法用于12寸硅片。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过人工干预热场分布，降低圆片中心及边缘的温度差，为均匀成膜提供了良好的温度条件，使出片均匀性大大提高。
附图说明
图1为加热结构示意图。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参阅图1，加热结构，包括石英板4、安装于石英板4下方的加热丝5，石英板4的上方再加设多个小块石英板3，小块石英板3的上方设有托盘2，托盘2上设有硅片1。小块石英板3对应位于硅片边缘位置下方，硅片中心区域下方不设有小块石英板3，小块石英板3与托盘2形成间隙，通过间隙进行热传导。小块石英板3的长度为10mm，宽度为10mm，厚度根据情况调整。
一种改善圆片成膜均匀性的加热方法，包括以下步骤：
S1、将硅片放置于设备内部的托盘上，硅片边缘与托盘接触，硅片中心不接触；
S2、再托盘的下方一定距离铺设石英板，石英板上方再铺设一层由若干小块石英板组成的热场改善层，小块石英板铺设时，铺设于对应硅片边缘位置下方，硅片中心区域下方不设有小块石英板，小块石英板制造了一个下凹的热场，小块石英板与托盘形成间隙；
S3、石英板下方再铺设加热丝，通过设定加热温度，使得加热丝加热石英板，石英板将热量传递给小块石英板，小块石英板再将热量传递给托盘，继而托盘加热硅片；
小块石英板制造了一个下凹的热场，使得硅片边缘与中心受热更均匀，成膜厚度更一致，片内成膜的均匀性大大提高。
为了验证试验效果，通过12寸抛光片的氧化硅沉积实验说明：
1、准备双面抛光的硅片；
2、设备内托盘下方加设小石英板，位置按要求铺设；
3、设备成膜；
4、测试圆片表面膜层厚度均匀性，对比改进前的成膜表现；
5、确认改进后的成膜均匀性优于未改进时。
本发明一种改善圆片成膜均匀性的加热方法，对比之前的方法，通过人工干预热场分布，降低圆片中心及边缘的温度差，为均匀成膜提供了良好的温度条件，使出片均匀性大大提高。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种改善圆片成膜均匀性的加热方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将硅片放置于设备内部的托盘上，硅片边缘与托盘接触，硅片中心不接触；
S2、再托盘的下方一定距离铺设石英板，石英板上方再铺设一层由若干小块石英板组成的热场改善层，小块石英板铺设时，铺设于对应硅片边缘位置下方，硅片中心区域下方不设有小块石英板，小块石英板制造了一个下凹的热场；
S3、石英板下方再铺设加热丝，通过设定加热温度，加热硅片。
2.根据权利要求1所述的改善圆片成膜均匀性的加热方法，其特征在于：小块石英板的长度为10mm，宽度为10mm。
3.根据权利要求1所述的改善圆片成膜均匀性的加热方法，其特征在于：加热丝加热石英板，石英板将热量传递给小块石英板，小块石英板再将热量传递给托盘，继而托盘加热硅片。
4.根据权利要求1所述的改善圆片成膜均匀性的加热方法，其特征在于：小块石英板与托盘形成间隙，通过间隙进行热传导。
5.根据权利要求1所述的改善圆片成膜均匀性的加热方法，其特征在于：所述加热方法用于12寸硅片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210390072.6A CN114851409A (zh) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 一种改善圆片成膜均匀性的加热方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210390072.6A CN114851409A (zh) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 一种改善圆片成膜均匀性的加热方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114851409A true CN114851409A (zh) | 2022-08-05 |
Family
ID=82630632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210390072.6A Pending CN114851409A (zh) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 一种改善圆片成膜均匀性的加热方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114851409A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2022
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