CN114846909A - 高频电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高频电路,具备:第一电介质层;电路层,设置在所述第一电介质层上,具备高频信号的传输路径和配置在所述传输路径的周围的接地图案;第二电介质层,设置为使所述电路层位于所述第二电介质层与所述第一电介质层之间;以及电磁波屏蔽件,在所述传输路径的周围,设置于所述第一电介质层及所述第二电介质层,所述电磁波屏蔽件具备:第一接地导电体,形成在形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第一电介质层的一个以上的第一孔的内表面;以及第二接地导电体,形成在形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第二电介质层的一个以上的第二孔的内表面,所述第一接地导电体及所述第二接地导电体分别与所述接地图案电连接。
Description
技术领域
本公开涉及高频电路。
本申请主张基于2020年05月13日的日本申请特愿2020-084546的优先权,引用所述日本申请中记载的全部记载内容。
背景技术
专利文献1公开了具备与电介质基板的表面接地端及背面接地端电连接的多个屏蔽过孔的结构。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平8-274513号公报
发明内容
本公开的一方面是高频电路。本公开的高频电路具备:第一电介质层;电路层,设置在所述第一电介质层上,具备高频信号的传输路径和配置在所述传输路径的周围的接地图案;第二电介质层,设置为使所述电路层位于所述第二电介质层与所述第一电介质层之间;以及电磁波屏蔽件,在所述传输路径的周围,设置于所述第一电介质层及所述第二电介质层,所述电磁波屏蔽件具备:第一接地导电体,形成于一个以上的第一孔的内表面,所述一个以上的第一孔形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第一电介质层;以及第二接地导电体,形成于一个以上的第二孔的内表面,所述一个以上的第二孔形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第二电介质层,所述第一接地导电体及所述第二接地导电体分别与所述接地图案电连接。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频电路的俯视图。
图2是图1的A-A截面图。
图3是第一导电体层、电路层及第二导电体层的分解立体图。
图4是示出实施方式所涉及的高频电路的制造工序的前半部分的图。
图5是示出实施方式所涉及的高频电路的制造工序的后半部分的图。
图6是用于发现镀敷缺损部的镀敷完成检查的说明图。
图7是比较例所涉及的高频电路的俯视图。
具体实施方式
[本公开要解决的技术问题]
屏蔽过孔通过在电介质基板上形成多个在电介质基板的厚度方向上贯通的俯视观察时为圆形的通孔,并在通孔内设置铜等导电体而形成。屏蔽过孔作为防止电介质基板中的电磁波的泄漏的电磁波屏蔽件使用。
图7示出了在具有信号传输路径101的高频电路100中,以包围信号传输路径101的方式形成有多个屏蔽过孔102的结构的例子。从高频的信号传输路径101辐射不必要的电磁波。电磁波对周边的电路而言成为噪声,使周边的电路的特性劣化。
当在信号传输路径101的周边设置有多个屏蔽过孔102时,多个屏蔽过孔102作为电磁波屏蔽件发挥功能。通过该电磁波屏蔽件,能够屏蔽从信号传输路径101泄漏的电磁波。
为了形成屏蔽过孔102,需要在高频电路100中形成孔。当孔贯通高频电路100时,存在屏蔽过孔102的范围的强度降低。其结果,当增大孔的面积时,由屏蔽过孔102包围的区域、即存在信号传输路径101的区域与屏蔽过孔102外侧的区域有可能变得容易分离。
因此,期望防止电磁波的泄漏,并且抑制由孔的形成引起的电路的强度降低。
[本公开的效果]
根据本公开,能够防止电磁波的泄漏,并且抑制由孔的形成引起的电路的强度降低。
[1.本公开的实施方式的说明]
(1)实施方式所涉及的高频电路具备:第一电介质层;电路层,设置在所述第一电介质层上,具备高频信号的传输路径和配置在所述传输路径的周围的接地图案;第二电介质层,设置为使所述电路层位于所述第二电介质层与所述第一电介质层之间;以及电磁波屏蔽件,在所述传输路径的周围,设置于所述第一电介质层及所述第二电介质层。通过高频电路具备电磁波屏蔽件,能够防止在存在于传输路径的两侧的第一电介质层及第二电介质层中传播的电磁波的泄漏。所述电磁波屏蔽件具备:第一接地导电体,形成于一个以上的第一孔的内表面,所述一个以上的第一孔形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第一电介质层;以及第二接地导电体,形成于一个以上的第二孔的内表面,所述一个以上的第二孔形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第二电介质层,所述第一接地导电体及所述第二接地导电体分别与所述接地图案电连接。通过贯通第一电介质层及第二电介质层的第一孔及第二孔不贯通位于传输路径的周围的接地图案,能够抑制高频电路的强度降低。因此,根据实施方式所涉及的电磁波屏蔽件,能够防止电磁波的泄漏,并且抑制由孔的形成引起的高频电路的强度降低。
(2)所述一个以上的第一孔能够包括沿包围所述传输路径的方向的长度尺寸大于宽度尺寸的一个以上的第一长孔。由于长孔的面积容易变大,因此容易导致高频电路的强度降低。但是,由于第一孔不贯通接地图案,因此能够有效地抑制高频电路的强度降低。
(3)所述一个以上的第二孔能够包括沿包围所述传输路径的方向的长度尺寸大于宽度尺寸的一个以上的第二长孔。由于长孔的面积容易变大,所以容易导致高频电路的强度降低。但是,由于第二孔不贯通接地图案,因此能够有效地抑制高频电路的强度降低。
(4)可以是,所述一个以上的第一孔能够包括沿包围所述传输路径的方向的长度尺寸大于宽度尺寸的一个以上的第一长孔,所述一个以上的第二孔包括沿包围所述传输路径的方向的长度尺寸大于宽度尺寸的一个以上的第二长孔。所述第一长孔及第二长孔能够分别具备:第一孔部,在所述传输路径的宽度方向一侧沿所述传输路径的长度方向延伸;第二孔部,在所述传输路径的宽度方向另一侧沿所述传输路径的长度方向延伸;以及第三孔部,将所述第一孔部与所述第二孔部连接。在这种情况下,能够以更少数量的长孔包围传输路径。
(5)所述第一孔及所述第二孔能够分别具有越远离所述电路层则开口越大的形状。在这种情况下,能够得到对于形成在第一孔内部及第二孔内部的接地导电体的完成检查而言优选的形状。即,在完成检查时,能够分别从高频电路的正反面观察上述孔内部。
(6)优选还具备:第一导电体层,设置为使所述第一电介质层位于所述第一导电体层与所述电路层之间;以及第二导电体层,设置为使所述第二电介质层位于所述第二导电体层与所述电路层之间,所述第一孔形成为贯通所述第一导电体层,所述第二孔形成为贯通所述第二导电体层。在这种情况下,能够通过第一导电体层防止从传输路径辐射的电磁波通过第一电介质层向电路厚度方向辐射。另外,能够通过第二导电体层防止从传输路径辐射的电磁波通过第二电介质层向电路厚度方向辐射。
(7)优选所述第一导电体层与所述第一接地导电体电连接,所述第二导电体层与所述第二接地导电体电连接。在这种情况下,容易使第一导电体层及第二导电体层为接地电位。
(8)优选还具备覆盖膜,粘贴在所述第一导电体层及所述第二导电体层中的至少一方的表面上。在这种情况下,即使第一孔及第二孔是长孔,也能够通过覆盖膜确保形成有这些长孔的高频电路的强度。
[2.本公开的实施方式的详细情况]
以下,在附图中同一符号表示同一名称物。
图1至图6示出了实施方式所涉及的高频电路10。实施方式所涉及的高频电路10构成为用于高频信号传输的柔性印刷电路(FPC)。FPC具有在薄且柔软的绝缘体基膜上粘贴有铜箔等导体的结构。需要说明的是,高频电路10并不限于FPC,也可以是形成在刚性基板上的电路。
如图2所示,实施方式所涉及的高频电路10具备第一电介质层11、电路层21、第二电介质层12及电磁波屏蔽件50。该高频电路10还具备第一导电体层31和第二导电体层32。实施方式所涉及的高频电路10具有多层结构,所述多层结构具有三层导电体层。需要说明的是,导电体层的数量并不特别限定,也可以是二层、四层、五层或其以上。在图2中,三层导电体层中的配置在中间的导电体层是具有高频的传输路径21A的电路层21。在作为电路层21的厚度方向的一侧的图2的下侧,配置有作为三层导电体层中的一层的第一导电体层31。在作为电路层21的厚度方向的另一侧的图2的上侧,配置有作为三层导电体层中的剩余的一层的第二导电体层32。
如图3所示,电路层21具有传输路径21A和位于传输路径21A的周围的接地图案21B。传输路径21A与接地图案21B之间通过蚀刻被去除,传输路径21A与接地图案21B绝缘。需要说明的是,在图3中,传输路径21A形成为直线状,但也可以弯曲形成。
如图2所示,在电路层21与第一导电体层31之间设置有第一电介质层11。即,电路层21设置在第一电介质层11上。换言之,电路层21隔着第一电介质层11设置在第一导电体层31上方。需要说明的是,电路层21与第一电介质层11经由接合剂60接合。如图3所示,除了成为后述的电磁波屏蔽件50的第一蚀刻加工部31C以外,第一导电体层31大致整个面由接地图案31B构成。即,第一导电体层31是接地层。
接合剂60优选为柔软性和耐热性优异的接合剂。接合剂60例如是改性聚苯醚类、苯乙烯树脂类、环氧树脂类、缩丁醛树脂类及丙烯酸树脂类等各种树脂类的接合剂。
接合剂60的主要成分优选为热固化性树脂。作为接合剂60的主要成分的热固化性树脂的固化温度的下限优选为120℃,更优选为150℃。作为接合剂60的主要成分的热固化性树脂的固化温度的上限优选为250℃,更优选为230℃,进一步优选为200℃。当作为接合剂60的主要成分的热固化性树脂的固化温度大于上述下限时,接合剂60的操作容易。当作为接合剂60的主要成分的热固化性树脂的固化温度小于上述上限时,在使接合剂60固化时,能够抑制通过接合剂60接合的层的热变形。通过抑制上述热变形,能够抑制高频电路10的尺寸精度的降低。
接合剂60的相对介电常数的下限越小越优选,但为了满足绝缘性、机械强度等其他条件,现实中1.5被认为是极限。接合剂60的相对介电常数的上限例如为3,优选为2.8,更优选为2.6。另外,当接合剂60的相对介电常数小于上述上限时,在通过高频电路10传输高频信号的情况下能够抑制介电损耗。
如图2所示,在电路层21与第二导电体层32之间设置有第二电介质层12。即,第二电介质层12设置为使电路层21位于第二电介质层12与第一电介质层11之间。如图3所示,除了高频信号的传输路径32A和成为电磁波屏蔽件50的第二蚀刻加工部32C以外,第二导电体层32大致整个面由接地图案32B构成。即,第二导电体层32是接地层。
如图2所示,在电路层21的上下两侧、即图2的Z方向两侧,设置有作为接地层发挥功能的第一导电体层31及第二导电体层32。因此,从传输路径21A辐射的电磁波中,向高频电路10的厚度方向两侧、即图2的Z方向两侧辐射的电磁波被第一导电体层31及第二导电体层32屏蔽。
在从传输路径21A辐射的电磁波中,存在向与图2的XY平面平行的方向辐射的电磁波。向与XY平面平行的方向辐射的电磁波无法被第一导电体层31及第二导电体层32屏蔽,有可能通过第一电介质层11及第二电介质层12向高频电路10外泄漏。因此,实施方式的高频电路10具备用于屏蔽向与XY平面平行的方向辐射的电磁波的电磁波屏蔽件50。需要说明的是,XY平面是与高频电路10的厚度方向垂直的平面。Z方向是高频电路10的厚度方向,相当于上述导电体层的多层结构的层叠方向。
在实施方式所涉及的高频电路10中,向Z方向辐射的电磁波被第一导电体层31及第二导电体层32屏蔽。向与XY平面平行的方向辐射的电磁波被电磁波屏蔽件50屏蔽。因此,能够有效地防止从传输路径21A辐射的电磁波向高频电路10外泄露。其结果,能够抑制泄漏电磁波对周边的其他电路的影响。
电磁波屏蔽件50构成为在传输路径21A的周围作为屏蔽通过第一电介质层11及第二电介质层12的电磁波的屏蔽壁发挥功能。如图1所示,电磁波屏蔽件50形成为在俯视观察时包围传输路径21A。
如图2所示,电磁波屏蔽件50在贯通第一电介质层11、第二电介质层12的孔的内表面具备接地导电体而构成。由于接地导电体以包围传输路径21A的方式存在,因此能够屏蔽通过第一电介质层11、第二电介质层12的电磁波。这里的接地导电体是后述的导电体53、54。需要说明的是,在图1的下侧,传输路径21A没有被电磁波屏蔽件50包围。这仅仅是因为,在作图时,伴随着在图1的下侧省略了传输路径21A的记载而省略了电磁波屏蔽件50的记载。因此,实际上,电磁波屏蔽件50能够完全包围传输路径21A。
如图7所示,现有的屏蔽过孔102通常在俯视观察时为圆形。因此,为了屏蔽泄漏电磁波,需要以包围信号传输路径101的方式密集地排列多个屏蔽过孔102。与此相对,在图1所示的实施方式中,通过使电磁波屏蔽件50为沿包围传输路径21A的方向细长的形状而不是圆形,能够通过数量少的电磁波屏蔽件50有效地屏蔽泄漏电磁波。
图4及图5示出了实施方式所涉及的高频电路10的制造方法。在图4所示的步骤S11中,作为基板的一例,准备两面带铜的氟树脂基板。两面带铜的氟树脂基板具备构成第二电介质层12的氟树脂基板、构成电路层21的铜及构成第二导电体层32的铜。需要说明的是,基板的材料并不限于氟树脂。
在步骤S12中,在传输路径21A及传输路径32A的位置形成贯通电路层21、第二电介质层12及第二导电体层32的通孔41。
在步骤S13中,通孔41的内部通过镀敷加工被导电体填埋。由此,形成将传输路径21A与传输路径32A电连接的过孔40。传输路径32A例如作为用于传输路径21A的外部连接端子发挥功能。需要说明的是,通孔41的内部表面也可以通过镀敷加工被覆盖,剩余的空间被合成树脂填埋。
在步骤S14中,对两面带铜的氟树脂基板的电路层21及第二导电体层32实施蚀刻加工,形成电路层21的传输路径21A和第二导电体层32的传输路径32A。
在步骤S15中,在电路层21侧贴合单面氟树脂基板。单面氟树脂基板具备构成第一电介质层11的氟树脂基板和构成第一导电体层31的铜。在步骤S15中,第一电介质层11与电路层21以相面对的方式通过接合剂60贴合。接合剂60例如是粘接片。粘接片用于基板的层间的接合。粘接片具备绝缘性和接合性。
在步骤S15之后的步骤S21中,如图5所示,通过蚀刻去除第一导电体层31及第二导电体层32中的形成电磁波屏蔽件50的部位。以下,将第一导电体层31中形成电磁波屏蔽件50的部位、即通过蚀刻去除的部分称为第一蚀刻加工部31C。将第二导电体层32中形成电磁波屏蔽件50的部位、即通过蚀刻去除的部分称为第二蚀刻加工部32C。
如图3所示,第一蚀刻加工部31C及第二蚀刻加工部32C以包围传输路径21A的周围的方式形成。在第一蚀刻加工部31C中,第一电介质层11露出。在第二蚀刻加工部32C中,第二电介质层12露出。
在步骤S22中,通过激光加工,在第一电介质层11、第二电介质层12上形成电磁波屏蔽件50用的第一孔51、第二孔52。激光加工分别从基板两面侧进行。即,第一电介质层11中的第一孔51通过向利用第一蚀刻加工部31C露出的第一电介质层11照射激光而形成。换言之,第一孔51形成为贯通第一导电体层31。向第一电介质层11照射的激光沿包围传输路径21A的周围的第一蚀刻加工部31C扫描。其结果,在第一电介质层11中形成包围传输路径21A的周围的第一孔51。该第一孔51在俯视观察时是包围传输路径21A的细长的长孔。因此,在本实施方式中,通过单一的第一孔51,能够在第一电介质层11侧包围传输路径21A的周围。
由于激光加工能够通过激光扫描容易地形成细长的孔,因此对实施方式所涉及的第一孔51的形成是优选的。需要说明的是,形成在第一电介质层11上的第一孔51不必是单一的,也可以分成多个。
第一孔51形成为不贯通电路层21的接地图案21B,而贯通第一电介质层11及接合剂60的层。另外,通过激光加工形成的第一孔51越接近作为激光照射侧的第一蚀刻加工部31C则开口越大,越接近电路层21则开口越小。即,第一孔51在第一孔51的深度方向上,成为朝向作为电路层21侧的里侧前端变细的形状、即锥形形状。换言之,第一孔51越远离电路层21则开口越大。由于激光从第一蚀刻加工部31C侧照射,因此在靠近第一蚀刻加工部31C侧的第一电介质层11中激光的能量被吸收。到达远离第一蚀刻加工部31C的一侧的能量变小。通过利用这一点,能够形成具有锥形形状的第一孔51。用于激光加工的激光输出被调整为适当的大小,以不贯通接地图案21B而形成锥形形状。
第二电介质层12中的第二孔52通过向利用第二蚀刻加工部32C露出的第二电介质层12照射激光而形成。换言之,第二孔52形成为贯通第二导电体层32。向第二电介质层12照射的激光沿包围传输路径21A的周围的第二蚀刻加工部32C扫描。其结果,在第二电介质层12中形成包围传输路径21A的周围的第二孔52。该第二孔52在俯视观察时是包围传输路径21A的细长的长孔。因此,在本实施方式中,通过单个的第二孔52,能够在第二电介质层12侧包围传输路径21A的周围。
由于激光加工能够通过激光扫描容易地形成细长的孔,因此对实施方式所涉及的第二孔52的形成是优选的。需要说明的是,形成在第二电介质层12上的第二孔52不必是单一的,也可以分成多个。
如图1所示,第二孔52具备:第一孔部52A,在传输路径21A的宽度方向一侧沿传输路径21A的长度方向延伸;以及第二孔部52B,在传输路径21A的宽度方向另一侧沿传输路径21A的长度方向延伸。第一孔部52A和第二孔部52B设置在夹着传输路径21A的位置。另外,第二孔52具备第三孔部52C,将第一孔部52A与第二孔部52B连接。第三孔部52C在第一孔部52A和第二孔部52B的长度方向一端侧将第一孔部52A与第二孔部52B连接,作为整体构成单一的第二孔52。需要说明的是,也可以在第一孔部52A和第二孔部52B的长度方向另一端侧存在将第一孔部52A与第二孔部52B连接的孔部。传输路径21A的宽度方向是图1的X方向。上述宽度方向一侧在图1中为左侧。上述宽度方向另一侧在图1中为右侧。传输路径21A的长度方向是图1的Y方向。图1示例了第三孔部52C的平面形状为弯曲状的情况,但也可以是直线形状。
第二孔52具有沿包围传输路径21A的方向的长度尺寸L和相对于长度尺寸L的方向正交的方向的宽度尺寸W。第二孔52的长度尺寸L大于宽度尺寸W。长度尺寸L优选大于宽度尺寸W的5倍。长度尺寸L更优选大于宽度尺寸W的10倍,进一步优选大于宽度尺寸W的15倍,进一步优选大于宽度尺寸W的20倍。
在实施方式中,第一孔51在俯视观察时与第二孔52形状相同。第一孔51与第二孔52同样地,具备:第一孔部,在传输路径21A的宽度方向一侧沿传输路径21A的长度方向延伸;以及第二孔部,在传输路径21A的宽度方向另一侧沿传输路径21A的长度方向延伸。另外,第一孔51具备第三孔部,将第一孔部与第二孔部连接。与第二孔52同样地,由第一孔部、第二孔部和第三孔部构成单一的第一孔51。
第一孔51与第二孔52同样地,具有沿包围传输路径21A的方向的长度尺寸L和相对于长度尺寸L的方向正交的方向的宽度尺寸W。第一孔51的长度尺寸L大于宽度尺寸W。长度尺寸L优选大于宽度尺寸W的5倍。长度尺寸L更优选大于宽度尺寸W的10倍,进一步优选大于宽度尺寸W的15倍,进一步优选大于宽度尺寸W的15倍。
第二孔52形成为不贯通电路层21的接地图案21B而贯通第二电介质层12。另外,通过激光加工形成的第二孔52越接近作为激光照射侧的第二蚀刻加工部32C则开口越大,越接近电路层21则开口越小。即,第二孔52在第二孔52的深度方向上,成为朝向作为电路层21侧的里侧前端变细的形状、即锥形形状。换言之,第二孔52越远离电路层21则开口越大。
第一孔51及第二孔52在高频电路10的俯视观察时设置在相同的位置。因此,假设在第一孔51及第二孔52形成为贯通接地图案21B的情况下,第一孔51及第二孔52连通,成为单一的孔。在这种情况下,在高频电路10中,由第一孔51及第二孔52包围的范围内的部分、即存在传输路径21A的部分与由第一孔51及第二孔52包围的范围外的部分分离。需要说明的是,在以下的说明中,有时将第一孔51、第二孔52统一表示为孔51、52。
在实施方式中,第一电介质层11侧的第一孔51和第二电介质层12侧的第二孔52由接地图案21B划分。因此,两孔51、52不连通。即,在实施方式的高频电路10中,孔51、52贯通第一电介质层11、第二电介质层12,并且在高频电路10的厚度方向、即Z方向上存在局部连接的部分,未形成完全贯通的孔。因此,即使形成包围传输路径21A的孔51、52,也可以防止存在传输路径21A的部分分离。
需要说明的是,在实施方式中,第一孔51及第二孔52在高频电路10的俯视观察时设置在相同的位置,但第一孔51及第二孔52也可以在高频电路10的俯视观察时设置在不同的位置。例如,第二孔52也可以形成为在包围传输路径21A的第一孔51的内周侧或外周侧包围传输路径21A。在这种情况下,在形成有第一孔51的部分存在电路层21的接地图案21B及第二电介质层12。在形成有第二孔52的部分存在电路层21的接地图案21B及第一电介质层11。其结果,在形成有第一孔51或第二孔52的部分,能够防止高频电路10的厚度局部变小。另外,在这种情况下,第一孔51的平面形状与第二孔52的平面形状可以相同也可以不同。第一孔51的长度尺寸L与第二孔52的长度尺寸L可以相同也可以不同。第一孔51的宽度尺寸W与第二孔52的宽度尺寸W可以相同也可以不同。
在用于形成孔51、52的激光加工中,优选使用适于氟树脂等合成树脂等电介质的开孔加工但不适于作为导电体的金属、即反射率高的材料的开孔加工的激光。这种激光例如是二氧化碳(CO2)激光。二氧化碳激光即使照射到铜等反射率高的材料上,激光也会反射,难以实施加工。因此,当使用二氧化碳激光时,容易形成贯通第一电介质层11的第一孔51或贯通第二电介质层12的第二孔52,并且避免由铜构成的接地图案21B的贯通。
在实施方式中,在由不适于利用二氧化碳激光的激光加工的铜构成的第一导电体层31及第二导电体层32上,在激光加工之前形成有第一蚀刻加工部31C及第二蚀刻加工部32C。因此,能够进行第一电介质层11及第二电介质层12的激光加工。
需要说明的是,假设在孔51、52的形成中使用也适于金属的加工的激光的情况下,期望适当地调整激光输出或激光输出时间,以不贯通接地图案21B。
在步骤S23中,通过镀敷加工,在孔51、52及第一蚀刻加工部31C、第二蚀刻加工部32C的内表面形成导电体53、54。图2示出了导电体53与第一孔51的内表面整体相接地设置,导电体53具备具有与第一孔51的内周形状对应的外周形状的筒状部分的情况。同样地,导电体54也与第二孔52的内表面整体相接地设置,导电体54具备具有与第二孔52的内周形状对应的外周形状的筒状部分。导电体53、54可以仅形成在孔51、52及第一蚀刻加工部31C、第二蚀刻加工部32C的内表面的表面,也可以形成为完全填充孔51、52及第一蚀刻加工部31C、第二蚀刻加工部32C的内侧。导电体53、54的内侧可以由合成树脂等电介质填埋,也可以由导电膏等导电体填埋。
导电体53将电路层21的接地图案21B与第一导电体层31的接地图案31B电连接。因此,导电体53与接地图案21B、31B成为相同电位,因此成为构成第一接地导电体的接地导电体。作为接地导电体的导电体53设置在包围传输路径21A的周围的第一孔51内,因此作为包围传输路径21A的周围的电磁波屏蔽件50发挥功能。通过作为接地导电体的导电体53,能够屏蔽通过第一电介质层11辐射的电磁波。
导电体54将电路层21的接地图案21B与第二导电体层32的接地图案32B电连接。因此,导电体54与接地图案21B、32B成为相同电位,因此成为构成第二接地导电体的接地导电体。作为接地导电体的导电体54设置在包围传输路径21A的周围的第二孔52内,因此作为包围传输路径21A的周围的电磁波屏蔽件50发挥功能。通过作为接地导电体的导电体54,能够屏蔽通过第二电介质层12辐射的电磁波。
如上所述,形成导电体53、54的孔51、52为锥形形状。因此,容易发现在形成导电体53、54的镀敷工序时产生的镀敷不良。导电体53、54需要形成为与接地图案21B相接。但是,有时镀敷液无法充分地进入微细的孔51、52内部,在孔51、52的里侧产生作为导电体53、54的缺损部的镀敷缺损部90(参照图6)。
在镀敷完成检查中,期望使用显微镜等观察孔51、52,确认有无镀敷缺损部90的产生。假设当孔51、52不是锥形形状而是直的形状时,即使在孔51、52的里侧存在镀敷缺损部90,里侧的镀敷缺损部90也会被孔51、52的近前侧的导电体53、54隐藏,难以发现镀敷缺损部90。与此相对,如图6所示,在孔51、52为锥形形状的情况下,通过从孔51、52的近前侧观察,只要在孔51、52的里侧存在镀敷缺损部90,就能够发现该镀敷缺损部90。
在步骤S24中,在第一导电体层31及第二导电体层32各自的表面上,经由接合剂81、82粘贴覆盖膜71、72。覆盖膜71、72例如为聚酰亚胺制成的,保护第一导电体层31及第二导电体层32。通过粘贴覆盖膜71、72,能够确保形成有孔51、52的高频电路10的强度。
需要说明的是,应该认为本次公开的实施方式在所有方面都是示例而不是限制性的。本发明的范围不是由上述含义表示,而是由权利要求书表示,意图包括与权利要求书等同的含义及范围内的所有变更。
附图标记说明
10:高频电路
11:第一电介质层
12:第二电介质层
21:电路层
21A:传输路径
21B:接地图案
31:第一导电体层
31B:接地图案
31C:第一蚀刻加工部
32:第二导电体层
32A:传输路径
32B:接地图案
32C:第二蚀刻加工部
40:过孔
41:通孔
50:电磁波屏蔽件
51:第一孔
52:第二孔
52A:第一孔部
52B:第二孔部
52C:第三孔部
53:导电体、第一接地导电体
54:导电体、第二接地导电体
60:接合剂
71:覆盖膜
72:覆盖膜
81:接合剂
82:接合剂
90:镀敷缺损部
100:高频电路
101:信号传输路径
102:屏蔽过孔
L:长度尺寸
W:宽度尺寸。
Claims (8)
1.一种高频电路,具备:
第一电介质层;
电路层,设置在所述第一电介质层上,具备高频信号的传输路径和配置在所述传输路径的周围的接地图案;
第二电介质层,设置为使所述电路层位于所述第二电介质层与所述第一电介质层之间;以及
电磁波屏蔽件,在所述传输路径的周围,设置于所述第一电介质层及所述第二电介质层,
所述电磁波屏蔽件具备:
第一接地导电体,形成于一个以上的第一孔的内表面,所述一个以上的第一孔形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第一电介质层;以及
第二接地导电体,形成于一个以上的第二孔的内表面,所述一个以上的第二孔形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第二电介质层,
所述第一接地导电体及所述第二接地导电体分别与所述接地图案电连接。
2.根据权利要求1所述的高频电路,其中,
所述一个以上的第一孔包括沿包围所述传输路径的方向的长度尺寸大于宽度尺寸的一个以上的第一长孔。
3.根据权利要求1或2所述的高频电路,其中,
所述一个以上的第二孔包括沿包围所述传输路径的方向的长度尺寸大于宽度尺寸的一个以上的第二长孔。
4.根据权利要求1所述的高频电路,其中,
所述一个以上的第一孔包括沿包围所述传输路径的方向的长度尺寸大于宽度尺寸的一个以上的第一长孔,
所述一个以上的第二孔包括沿包围所述传输路径的方向的长度尺寸大于宽度尺寸的一个以上的第二长孔,
所述第一长孔及第二长孔分别具备:
第一孔部,在所述传输路径的宽度方向一侧沿所述传输路径的长度方向延伸;
第二孔部,在所述传输路径的宽度方向另一侧沿所述传输路径的长度方向延伸;以及
第三孔部,将所述第一孔部与所述第二孔部连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的高频电路,其中,
所述第一孔及所述第二孔分别具有越远离所述电路层开口越大的形状。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的高频电路,还具备:
第一导电体层,设置为使所述第一电介质层位于所述第一导电体层与所述电路层之间;以及
第二导电体层,设置为使所述第二电介质层位于所述第二导电体层与所述电路层之间,
所述第一孔形成为贯通所述第一导电体层,
所述第二孔形成为贯通所述第二导电体层。
7.根据权利要求6所述的高频电路,其中,
所述第一导电体层与所述第一接地导电体电连接,
所述第二导电体层与所述第二接地导电体电连接。
8.根据权利要求6或7所述的高频电路,还具备:
覆盖膜,粘贴在所述第一导电体层及所述第二导电体层中的至少一方的表面上。
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