CN114843311A - 显示设备 - Google Patents

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CN114843311A
CN114843311A CN202210110046.3A CN202210110046A CN114843311A CN 114843311 A CN114843311 A CN 114843311A CN 202210110046 A CN202210110046 A CN 202210110046A CN 114843311 A CN114843311 A CN 114843311A
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display device
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金世一
安洪均
高政佑
李尚玟
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种显示设备包括：基底；1‑1发光器件和1‑2发光器件，在所述基底上，并且各自包括第一发射层和第一电荷产生层；第二发光器件，与所述1‑1发光器件相邻，并且包括第二发射层和第二电荷产生层，所述第二发射层包括发射与由所述第一发射层发射的光的颜色不同的颜色的光的材料，所述第二电荷产生层与所述第一电荷产生层间隔开；以及像素限定层，包括暴露所述1‑1发光器件、所述1‑2发光器件和所述第二发光器件中的每一个的像素电极的中心部分的开口，其中，所述像素限定层的在所述1‑1发光器件和所述1‑2发光器件之间的上表面包括朝向所述基底凹陷的第一凹槽，其中，所述第一电荷产生层在所述第一凹槽处被切断。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年2月2日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0014973号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或多个实施例的方面涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备是可视地或图形上地显示数据的设备。显示设备通常包括被划分为显示区域和***区域的基底。在显示区域中，扫描线和数据线彼此绝缘，并且多个子像素被包括在显示区域中。此外，在显示区域中，可以提供与每个子像素相对应的薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的子像素电极。此外，在显示区域中，可以提供共同提供给多个子像素的对电极。在***区域中，可以提供被配置成将电信号发送到显示区域、扫描驱动器、数据驱动器、控制器和焊盘部分等的各种布线。
在显示设备之中，诸如有机发光显示设备的显示设备可以具有其中多层堆叠的结构以允许显示区域中的每个子像素发射光。
本背景技术部分中所公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此本背景技术部分中所讨论的信息不必构成现有技术。
发明内容
一个或多个实施例的方面涉及一种显示设备，并且例如，涉及一种用于减少子像素之间的漏电流的显示设备。
一个或多个实施例的方面包括一种用于减少子像素之间的漏电流的显示设备。然而，这样的技术问题是示例，并且根据本公开的实施例不限于此。
在以下的描述中将部分阐述附加特征，并且附加特征将部分地从描述中变得显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施例的实践获知。
根据一个或多个实施例，显示设备包括：基底；1-1发光器件和1-2发光器件，在所述基底上，并且各自包括第一发射层和第一电荷产生层；第二发光器件，与所述1-1发光器件相邻，并且包括第二发射层和第二电荷产生层，所述第二发射层包括发射与由所述第一发射层发射的光的颜色不同的颜色的光的材料，所述第二电荷产生层与所述第一电荷产生层间隔开；以及像素限定层，包括暴露所述1-1发光器件、所述1-2发光器件和所述第二发光器件中的每一个的像素电极的中心部分的开口，其中，所述像素限定层的在所述1-1发光器件和所述1-2发光器件之间的上表面包括朝向所述基底凹陷的第一凹槽，其中，所述第一电荷产生层在所述第一凹槽处被切断。
根据一些实施例，所述第一凹槽在平面图中可以具有封闭形状。
根据一些实施例，所述第一凹槽在截面图中可以具有倒锥形形状。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括第三发光器件，所述第三发光器件与所述1-1发光器件和所述第二发光器件相邻，并且被配置成发射与由所述1-1发光器件和所述第二发光器件发射的光的颜色不同的颜色的光，其中，所述1-1发光器件的中心部分和所述1-2发光器件的中心部分之间的距离可以大于所述第二发光器件的中心部分和所述第三发光器件的中心部分之间的距离。
根据一些实施例，所述1-1发光器件和所述1-2发光器件中的每一个的发射区域的面积可以大于所述第二发光器件的发射区域的面积。
根据一些实施例，所述1-1发光器件和所述1-2发光器件可以各自包括发射在大约450nm和大约500nm之间的波长的光的材料。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括布置在所述像素限定层上的对电极，其中，所述对电极的一部分可以围绕所述第一凹槽。
根据一些实施例，所述像素限定层的在所述第二发光器件和所述1-1发光器件之间的上表面可以包括朝向所述基底凹陷的第二凹槽。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括布置在所述像素限定层上的对电极，其中，所述对电极的一部分可以围绕所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每一个。
根据一些实施例，所述像素限定层的在所述第二发光器件和所述1-1发光器件之间的上表面可以是平坦的。
根据一些实施例，所述第一发射层可以包括彼此堆叠的第一子发射层和第二子发射层。
根据一些实施例，所述第一子发射层和所述第二子发射层可以包括发射相同颜色的光的材料。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括辅助层，所述辅助层围绕所述第一凹槽的至少一部分，其中，所述辅助层的至少一部分可以朝向所述第一凹槽的中心部分突出。
根据一些实施例，所述辅助层可以包括氮氧化硅、氧化硅和氮化硅中的至少一种。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括与所述第一电荷产生层重叠并且在所述第一凹槽处被切断的第一功能层以及与所述第二电荷产生层重叠并且与所述第一功能层间隔开的第二功能层。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底；1-1发光器件和1-2发光器件，在所述基底上，并且各自包括第一发射层和第一功能层；第二发光器件，与所述1-1发光器件相邻，并且包括第二发射层和第二功能层，所述第二发射层包括发射与由所述第一发射层发射的光的颜色不同的颜色的光的材料，所述第二功能层与所述第一功能层间隔开；以及像素限定层，包括暴露所述1-1发光器件、所述1-2发光器件和所述第二发光器件中的每一个的像素电极的中心部分的开口，其中，所述像素限定层的在所述1-1发光器件和所述1-2发光器件之间的上表面包括朝向所述基底凹陷的第一凹槽，其中，所述第一功能层在所述第一凹槽处被切断。
根据一些实施例，所述第一凹槽在截面图中可以具有倒锥形形状。
根据一些实施例，所述像素限定层的在所述第二发光器件和所述1-1发光器件之间的上表面可以包括朝向所述基底凹陷的第二凹槽。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括与所述第一功能层重叠并且在所述第一凹槽处被切断的第一电荷产生层以及与所述第二功能层重叠并且与所述第一电荷产生层间隔开的第二电荷产生层。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括辅助层，所述辅助层围绕所述第一凹槽的至少一部分，其中，所述辅助层的至少一部分可以朝向所述第一凹槽的中心部分突出。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本公开的特定的实施例的以上和其他方面、特征以及特性将变得更显而易见，附图中：
图1是根据一些实施例的显示设备的示意性平面图；
图2是图1的区A的放大平面图；
图3是沿图2的线III-III’截取的显示设备的截面图；
图4A至图4C是根据一些实施例的可以用作图3的第一发光器件的第一有机发光二极管的示意性截面图；
图5是沿图2的线V-V’截取的显示设备的截面图；
图6是根据一些实施例的图5的第二有机发光二极管的示意性截面图；
图7是根据一些实施例的显示设备的示意性平面图；
图8是沿图7的线VIII-VIII’截取的显示设备的截面图；
图9是根据一些实施例的显示设备的示意性平面图；并且
图10是沿图9的线X-X’截取的显示设备的截面图。
具体实施方式
现在将更详细地参考附图中示出的一些实施例的方面，其中，相同的附图标记始终指代相同的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，仅通过参照附图描述下面的实施例以解释本描述的方面。如本文中所用，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何组合和全部组合。在整个本公开中，表述“a、b和C中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、全部的a、b和c或者它们的变形。
由于本描述允许各种变化和多种实施例，所以将在附图中示出特定的实施例，并且在书面描述中描述。一个或多个实施例的效果和特征以及实现它们的方法将在结合附图的一个或多个实施例的以下详细描述中变得显而易见。然而，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。
下面将参考附图更详细地描述一个或多个实施例。无论图号如何，相同或彼此相对应的那些元件都被给予相同的附图标记，并且省略那些元件的冗余的描述。
虽然诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种元件，但是这样的元件不必限于以上术语。以上术语用作将一个元件与另一元件区分开。
除非上下文另外清楚地表示，否则本文中所用的单数形式“一”、“一个(种)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
将理解的是，本文中所用的术语“包括”、“包含”和“具有”说明存在所陈述的特征或元件，但是不排除添加一个或多个其他特征或元件。
还将理解的是，当层、区或元件被称为“在”另一层、另一区或另一元件“上”时，它可以直接或间接在该另一层、该另一区或该另一元件上。即，例如，可以存在居间层、居间区或居间元件。
为了便于解释，可以夸大或减小图中元件的尺寸。换句话说，因为为了便于解释而任意地示出图中元件的尺寸和厚度，所以以下的实施例不限于此。
当可以不同地实现实施例时，可以以与所描述的顺序不同的顺序执行特定的工艺。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
如本文中所用，表述“A和/或B”是指A、B或者A和B。此外，表述“A和B中的至少一个”是指A、B或者A和B。
还将理解的是，当层、区或元件被称为彼此连接时，它们可以彼此直接连接，或者通过在它们之间的居间层、居间区或居间元件彼此间接连接。例如，当层、区或元件被称为彼此电连接时，它们可以彼此直接电连接，或者通过在它们之间的居间层、居间区或居间元件彼此间接电连接。
x轴方向、y轴方向和z轴方向不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴方向、y轴方向和z轴方向可以彼此垂直，或者可以代表彼此不垂直的不同方向。
图1是根据一些实施例的显示设备1的示意性平面图。
如图1中所示，显示设备1包括可以显示图像的显示区域DA和布置在显示区域DA周围(例如，布置在显示区域DA的***外部)的***区域PA。显示设备1可以通过使用从显示区域DA发射的光将图像显示到外部。因为显示设备1包括基底100，所以可以说基底100具有显示区域DA和***区域PA。
基底100可以包括诸如玻璃、金属或塑料的各种材料。根据一些实施例，基底100可以包括柔性材料。在这方面，柔性材料是指可以被弯折、弯曲、折叠和/或卷曲(例如，相对容易地被弯折、弯曲、折叠和/或卷曲或在不损坏显示设备1的基底和相对应的组件的情况下被弯折、弯曲、折叠和/或卷曲)的基底。包括柔性材料的基底100可以包括例如超薄玻璃、金属或塑料，或者任何其他合适的柔性基底材料。
包括各种发光器件(诸如，有机发光二极管)的多个子像素PX可以布置在基底100的显示区域DA中。多个子像素PX可以通过发射光来显示图像。子像素PX可以各自发射红光、绿光或蓝光。可以通过驱动子像素PX的渲染来实现一个像素P。例如，像素P可以包括红色子像素PX、绿色子像素PX和蓝色子像素PX。
如图1中所示，多个子像素PX可以以条形排列(例如，列或行)布置。然而，根据本公开的实施例不限于此。多个子像素PX可以以诸如
Figure BDA0003494820050000061
排列或马赛克(mosaic)排列的各种形式布置以实现图像。
当在平面图中观察显示区域DA时，显示区域DA可以具有如图1中所示的矩形形状。根据一些实施例，显示区域DA可以具有诸如三角形、五边形或六边形的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状等。
基底100的***区域PA是布置在显示区域DA周围(例如，布置在显示区域DA的覆盖区域外部)的区域，并且可以是不显示图像的区域。***区域PA可以整体或部分围绕显示区域DA。被配置成发送将施加于显示区域DA以及焊盘部分PAD的电信号的各种布线可以位于***区域PA中，印刷电路板或驱动器集成电路(IC)芯片附接到焊盘部分PAD。
图2是图1的区A的放大平面图。图2示出根据一些实施例的第一像素P1和第二像素P2的排列。
在关于图2所描述的实施例中，第一像素P1可以包括1-1子像素PX1-1、第二子像素PX2和第三子像素PX3，并且第二像素P2可以包括1-2子像素PX1-2、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一像素P1和第二像素P2可以在列方向(y轴方向)上彼此相邻。第一像素P1和第二像素P2可以在列方向(y轴方向)上交替布置。
下文中，将参考图2描述每个子像素的排列。在关于图2所描述的实施例中，1-1子像素PX1-1、1-2子像素PX1-2、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以以矩阵形状布置。在关于图2所描述的实施例中，行方向可以是x轴方向，并且列方向可以是y轴方向。一个像素可以布置在一行和一列彼此交叉的位置处。
多个像素的第n列可以包括交替布置的第二子像素PX2和第三子像素PX3。与第n列相邻的第(n+1)列可以包括交替布置的1-1子像素PX1-1和1-2子像素PX1-2。与第(n+1)列相邻的第(n+2)列可以包括交替布置的第二子像素PX2和第三子像素PX3。包括在第(n+2)列中的子像素的排列可以与包括在第n列中的子像素的排列相同。与第(n+2)列相邻的第(n+3)列可以包括交替布置的1-1子像素PX1-1和1-2子像素PX1-2。包括在第(n+3)列中的子像素的排列可以与包括在第(n+1)列中的子像素的排列相同。因此，根据一些实施例，列可以包括一起分组在一列中的第二子像素PX2和第三子像素PX3的交替排列，随后是一起分组在下一列中的1-1子像素PX1-1和1-2子像素PX1-2，具有以两列为一组进行重复的图案，以便第二子像素PX2和第三子像素PX3可以每隔一列定位，并且1-1子像素PX1-1和1-2子像素PX1-2可以每隔一列位于第二子像素PX2和第三子像素PX3的列之间或者每隔一列与第二子像素PX2和第三子像素PX3的列相邻定位。
多个像素的第m行可以包括交替布置的第二子像素PX2和1-1子像素PX1-1。与第m行相邻的第(m+1)行可以包括交替布置的第三子像素PX3和1-1子像素PX1-1。与第(m+1)行相邻的第(m+2)行可以包括交替布置的第二子像素PX2和1-2子像素PX1-2。与第(m+2)行相邻的第(m+3)行可以包括交替布置的第三子像素PX3和1-2子像素PX1-2。
即，1-1子像素PX1-1可以整体地布置在第(n+1)列和第m行彼此相交的位置处以及第(n+1)列和第(m+1)行彼此相交的位置处。1-2子像素PX1-2可以整体地布置在第(n+1)列和第(m+2)行彼此相交的位置处以及第(n+1)列和第(m+3)行彼此相交的位置处。
第二子像素PX2可以布置在第n列和第m行彼此相交的位置处，并且第三子像素PX3可以布置在第n列和第(m+1)行彼此相交的位置处。第二子像素PX2可以布置在第n列和第(m+2)行彼此相交的位置处，并且第三子像素PX3可以布置在第n列和第(m+3)行彼此相交的位置处。在这方面，n和m可以是大于0的整数。
因此，如上所述，并且如图2中所示，根据一些实施例，第二子像素PX2和第三子像素PX3可以位于交替的行中，并且1-1子像素PX1-1和1-2子像素PX1-2可以跨越两行，并且沿列方向以两行为一组进行交替。
由于以上的排列，所以1-1子像素PX1-1的发射区域和1-2子像素PX1-2的发射区域中的每一个的面积可以大于第二子像素PX2的发射区域的面积或第三子像素PX3的发射区域的面积。例如，1-1子像素PX1-1的发射区域和1-2子像素PX1-2的发射区域各自可以是第二子像素PX2的发射区域或第三子像素PX3的发射区域的至少(或大约)两倍。因此，1-1子像素PX1-1的中心部分和1-2子像素PX1-2的中心部分之间的距离D1可以大于第二子像素PX2的中心部分和第三子像素PX3的中心部分之间的距离D2。由于以上的配置，所以可以改善1-1子像素PX1-1和1-2子像素PX1-2的发射寿命。
图2示出以条形排列布置的子像素PX。然而，根据本公开的实施例不限于此。多个子像素PX可以以诸如
Figure BDA0003494820050000081
排列或马赛克排列的多种形式布置。
彼此相邻的1-1子像素PX1-1和1-2子像素PX1-2可以包括相同的第一中间层120。与1-1子像素PX1-1或1-2子像素PX1-2相邻的第二子像素PX2可以包括与第一中间层120间隔开的第二中间层130。第三子像素PX3可以与1-1子像素PX1-1和第二子像素PX2相邻。可选地，第三子像素PX3可以与1-2子像素PX1-2和第二子像素PX2相邻。第三子像素PX3可以包括与第一中间层120和第二中间层130间隔开的第三中间层140。
第二子像素PX2可以发射与由1-1子像素PX1-1发射的光的颜色不同的颜色的光。例如，1-1子像素PX1-1可以发射蓝光，并且第二子像素PX2可以发射红光。第三子像素PX3可以发射与由1-1子像素PX1-1和第二子像素PX2发射的光的颜色不同的颜色的光。例如，1-1子像素PX1-1可以发射蓝光，第二子像素PX2可以发射红光，并且第三子像素PX3可以发射绿光。
可以在1-1子像素PX1-1和1-2子像素PX1-2之间布置朝向基底100凹陷的第一凹槽H1。第一中间层120可以在第一凹槽H1周围(或在第一凹槽H1处)被切断。当在z轴方向上观察时，第一凹槽H1在平面图中可以具有封闭形状。例如，当在z轴方向上观察时，第一凹槽H1可以具有矩形形状。在关于图2所描述的实施例中，第一凹槽H1具有在x轴方向上延伸的矩形形状。在这方面，第一凹槽H1的长侧的长度D3可以大于第一中间层120在x轴方向上的长度D4。即，第一凹槽H1的一端比第一中间层120的+x方向边界(即，在x轴方向上的右边界)在+x方向(即，x轴方向)上延伸得远，并且第一凹槽H1的另一端比第一中间层120的-x方向边界(即，在与x轴方向相反的方向上的左边界)在-x方向(即，与x轴方向相反的方向)上延伸得远。由于如上所述地布置第一凹槽H1，所以第一中间层120可以被切断。
可以在像素限定层119(参照图3)的上表面中提供第一凹槽H1。可以在像素限定层119(参照图3)上布置覆盖所有的1-1子像素PX1-1、1-2子像素PX1-2、第二子像素PX2和第三子像素PX3的对电极123。对电极123可以覆盖整个显示区域DA(参照图1)。然而，对电极123的部分区域可以被第一凹槽H1切断。换句话说，对电极123可以覆盖整个显示区域DA，但是可以包括围绕第一凹槽H1的部分。
图3是沿图2的线III-III’截取的显示设备1的截面图，并且图4A至图4C是根据一些实施例的可以用作图3的第一发光器件的第一有机发光二极管的示意性截面图。具体地，图4A至图4C可以是根据实施例的包括在第一有机发光二极管(例如，1-1有机发光二极管OLED1-1或1-2有机发光二极管OLED1-2)中的像素电极121、第一中间层120和对电极123的截面图。第一发光器件可以包括1-1发光器件和1-2发光器件，其中，1-1发光器件可以称为1-1有机发光二极管OLED1-1，并且1-2发光器件可以称为1-2有机发光二极管OLED1-2。
如图3中所示，显示设备1(参照图1)可以具有其中堆叠(或在竖直方向或z轴方向上形成/沉积)基底100、缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115、平坦化层117、像素限定层119、第一中间层120和对电极123的结构。
基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。当显示设备1(参照图1)的至少一部分被弯折或显示设备1是柔性的时，基底100需要是柔性的或可弯折的。在这种情况下，基底100可以包括例如聚合物树脂，诸如，聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸酯纤维素。基底100可以被各种修改以例如具有多层结构，该多层结构包括：两层，每一层包括上述的聚合物树脂；以及阻挡层，在该两层之间包括无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)。此外，在基底100不被弯折的情况下，基底100可以包括玻璃等。
缓冲层111可以布置在基底100上以减少或防止异物、湿气或外部空气从基底100下面渗透，并且在基底100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且具有无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。用于防止外部空气的渗透的阻挡层还可以在基底100和缓冲层111之间。缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNX)。
薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。薄膜晶体管TFT可以连接到有机发光二极管(OLED)以驱动有机发光二极管(OLED)。
半导体层Act可以布置在缓冲层111上并且可以包括多晶硅。根据一些实施例，半导体层Act可以包括非晶硅。根据一些实施例，半导体层Act可以包括选自包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)的组中的至少一种材料的氧化物。半导体层Act可以包括沟道区以及被掺杂有杂质的源极区和漏极区。
第一栅极绝缘层112可以覆盖半导体层Act。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，诸如ZnO或ZnO2)。第一栅极绝缘层112可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
栅极电极GE可以布置在第一栅极绝缘层112上以与半导体层Act重叠。栅极电极GE可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，栅极电极GE可以具有包括钼(Mo)层和铝(Al)层的多层结构。
第二栅极绝缘层113可以覆盖栅极电极GE。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，诸如ZnO或ZnO2)。第二栅极绝缘层113可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
存储电容器Cst的上电极CE2可以布置在第二栅极绝缘层113上。存储电容器Cst的上电极CE2可以与栅极电极GE重叠。在这方面，栅极电极GE可以是存储电容器Cst的下电极CE1。上电极CE2和下电极CE1可以构成存储电容器Cst。上电极CE2可以包括诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)的材料，并且可以具有上述材料的单层结构或多层结构。
层间绝缘层115可以覆盖上电极CE2。层间绝缘层115可以包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，诸如ZnO或ZnO2)。层间绝缘层115可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
薄膜晶体管TFT的源极电极SE和漏极电极DE可以布置在层间绝缘层115上，并且穿过层间绝缘层115、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112以分别连接到半导体层Act的源极区和漏极区。源极电极SE和漏极电极DE可以包括包含例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的任何合适的导电材料，并且可以具有包括上述导电材料的多层结构或单层结构。例如，源极电极SE和漏极电极DE可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以布置在层间绝缘层115上以覆盖源极电极SE和漏极电极DE。平坦化层117可以包括有机材料或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。平坦化层117可以包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b。因此，诸如布线的导电图案可以形成在第一平坦化层117a和第二平坦化层117b之间，这可以有利于高集成度。连接电极CM可以布置在第一平坦化层117a上。
平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的一般商用聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物或乙烯醇基聚合物等。平坦化层117可以包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx，诸如ZnO或ZnO2)。在形成平坦化层117之后，可以在平坦化层117的上表面执行化学机械抛光以提供平坦的上表面。
多个有机发光二极管(例如，1-1有机发光二极管OLED1-1和1-2有机发光二极管OLED1-2)可以布置在第二平坦化层117b上。多个有机发光二极管(例如，1-1有机发光二极管OLED1-1和1-2有机发光二极管OLED1-2)中的每一个的像素电极121可以布置在第二平坦化层117b上，并且通过连接电极CM电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极121可以包括导电氧化物，诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。像素电极121可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射膜。例如，像素电极121可以具有在上述反射膜上/在上述反射膜下具有膜的结构，该膜包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。例如，像素电极121可以具有其中堆叠ITO/Ag/ITO的结构。
平坦化层117上的像素限定层119可以覆盖像素电极121的边缘，并且可以包括暴露像素电极121的中心部分的开口OP。有机发光二极管(OLED)(即，图1中示出的子像素PX)的发射区域的尺寸和形状可以由开口OP限定。像素限定层119可以通过增加像素电极121的边缘和布置在像素电极121上的对电极123之间的距离来防止在像素电极121的边缘处产生电弧等。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过诸如旋涂的方法形成像素限定层119。
第一中间层120可以布置在像素限定层119和像素电极121上。第一中间层120可以包括用于发射光的第一发射层124、用于帮助第一发射层124的光发射的第一功能层126以及第一电荷产生层125。
如图3和图4A中所示，根据一些实施例的有机发光二极管的第一中间层120可以包括第一发射层124、第一电荷产生层125和第一功能层126。
第一发射层124可以包括堆叠成彼此间隔开的第一子发射层EML1和第二子发射层EML2。第一发射层124可以是其中空穴和电子结合以发射光的层。第一子发射层EML1和第二子发射层EML2可以包括发射相同颜色的光的材料。例如，第一子发射层EML1和第二子发射层EML2可以包括发射在大约450nm和大约500nm之间的波长的光的材料。即，第一子发射层EML1和第二子发射层EML2可以包括发射蓝光的材料。因此，1-1有机发光二极管OLED1-1或1-2有机发光二极管OLED1-2可以包括发射在大约450nm和大约500nm之间的波长的光的材料。
第一电荷产生层125可以降低费米(Fermi)势垒以帮助电子和空穴的移动。第一电荷产生层125可以包括包含N型电荷产生层和P型电荷产生层的多个层，N型电荷产生层包括N型掺杂材料和N型主体材料，P型电荷产生层包括P型掺杂材料和P型主体材料。
第一功能层126可以与第一电荷产生层125重叠。第一功能层126可以包括第一子功能层1261和第二子功能层1262。第一子功能层1261可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL。在第一子功能层1261中，空穴注入层HIL可以是将从像素电极121转移的空穴注入到其中的层，空穴传输层HTL可以将从空穴注入层HIL转移的空穴转移到第一子发射层EML1，电子注入层EIL可以是将从第一电荷产生层125转移的电子注入到其中的层，并且，电子传输层ETL可以将从电子注入层EIL转移的电子转移到第一子发射层EML1。即，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第一子发射层EML1、电子传输层ETL和电子注入层EIL可以顺序地堆叠以发射光。
第二子功能层1262也可以与第一子功能层1261具有相同的堆叠结构。即，第二子功能层1262也可以具有空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL的堆叠结构。在第二子功能层1262中，空穴注入层HIL可以是将从第一电荷产生层125转移的空穴注入到其中的层，空穴传输层HTL可以将从空穴注入层HIL转移的空穴转移到第二子发射层EML2，电子注入层EIL可以是将从对电极123转移的电子注入到其中的层，并且，电子传输层ETL可以将从电子注入层EIL转移的电子转移到第二子发射层EML2。因此，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第二子发射层EML2、电子传输层ETL和电子注入层EIL可以顺序地堆叠以发射光。
虽然图4A示出各自包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL的第一子功能层1261和第二子功能层1262，但是第一子功能层1261和第二子功能层1262可以不包括电子注入层EIL。
下文中，将参考图4A更详细地描述每一层的堆叠结构。第一中间层120可以布置在像素电极121和对电极123之间。空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第一子发射层EML1、电子传输层ETL、电子注入层EIL、第一电荷产生层125(仅包括第一子电荷产生层CGL1)、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第二子发射层EML2、电子传输层ETL、电子注入层EIL和对电极123可以顺序地堆叠在像素电极121上。
参照图4B，根据一些实施例的有机发光二极管的堆叠结构如下。根据一些实施例的有机发光二极管的第一发射层124可以包括堆叠成彼此间隔开的第一子发射层EML1、第二子发射层EML2和第三子发射层EML3。第一子发射层EML1、第二子发射层EML2和第三子发射层EML3可以包括发射相同颜色的光的材料。例如，第一子发射层EML1、第二子发射层EML2和第三子发射层EML3可以包括发射在大约450nm和大约500nm之间的波长的光的材料。即，第一子发射层EML1、第二子发射层EML2和第三子发射层EML3可以包括发射蓝光的材料。
第一电荷产生层125可以包括第一子电荷产生层CGL1和第二子电荷产生层CGL2。第一子电荷产生层CGL1和第二子电荷产生层CGL2可以各自包括包含N型电荷产生层和P型电荷产生层的多个层，N型电荷产生层包括N型掺杂材料和N型主体材料，P型电荷产生层包括P型掺杂材料和P型主体材料。
第一功能层126可以包括第一子功能层1261、第二子功能层1262和第三子功能层1263。第三子功能层1263也可以具有与上述的第一子功能层1261的堆叠结构相同的堆叠结构。即，第三子功能层1263也可以具有空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL的堆叠结构。因此，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第三子发射层EML3、电子传输层ETL和电子注入层EIL可以顺序地堆叠以发射光。虽然图4B示出各自包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL的第一子功能层1261、第二子功能层1262和第三子功能层1263，但是第一子功能层1261、第二子功能层1262和第三子功能层1263可以不包括电子注入层EIL。
虽然图4A示出其中有机发光二极管的两个子发射层堆叠的结构，但是根据本公开的实施例不限于此。可以进行各种修改，例如，可以如图4B中所示堆叠三个或更多个子发射层，或者可以如图4C中所示仅包括一个子发射层。
参照图4B，第一中间层120可以布置在像素电极121和对电极123之间。空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第一子发射层EML1、电子传输层ETL、电子注入层EIL、第一子电荷产生层CGL1、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第二子发射层EML2、电子传输层ETL、电子注入层EIL、第二子电荷产生层CGL2、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第三子发射层EML3、电子传输层ETL、电子注入层EIL和对电极123可以顺序地堆叠在像素电极121上。
参照图4C，根据一些实施例的有机发光二极管的堆叠结构如下。第一中间层120可以布置在像素电极121和对电极123之间。第一中间层120可以包括第一功能层126和仅包括第一子发射层EML1的第一发射层124。具体地，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、第一发射层124、电子传输层ETL、电子注入层EIL和对电极123可以顺序地堆叠在像素电极121上。在关于图4C所示的实施例中，可以不堆叠电荷产生层。
对电极123可以布置在第一中间层120上。对电极123可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极123可以包括(半)透明层，所述(半)透明层包含诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的材料。可选地，对电极123还可以在包含上述材料的(半)透明层上包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
从像素电极121到对电极123的层可以构成有机发光二极管。用于保护对电极123以及增加光提取效率的上层可以形成在对电极123上。
如图3中所示，可以在1-1子像素PX1-1和1-2子像素PX1-2之间布置第一凹槽H1。第一凹槽H1可以从像素限定层119的上表面在朝向基底100的方向上凹陷。第一凹槽H1在截面图中可以具有倒锥形形状。换句话说，第一凹槽H1可以具有底切形状。由于提供这样形状的第一凹槽H1，所以第一中间层120可以在第一凹槽H1周围(或在第一凹槽H1处)被切断。
即，如图3中所示，第一电荷产生层125和第一功能层126可以在第一凹槽H1周围(或在第一凹槽H1处)被切断。如在图4A和图4B的实施例中，当堆叠多个发射层时，第一电荷产生层125可以布置在两个相邻的第一发射层124之间。在这种情况下，由于电荷产生层而可能发生漏电流，并且因此，相邻的有机发光二极管可能发射光。例如，当施加公共电压和驱动电压以允许1-1有机发光二极管OLED1-1(参照图3)发射光时，电流通过第一电荷产生层125流到1-2有机发光二极管OLED1-2(参照图3)，并且因此，1-2有机发光二极管OLED1-2可以发射微光。根据一些实施例，第一中间层120可以通过形成第一凹槽H1而被切断，并且因此，可以减少这样的漏电流。
根据一些实施例，如关于图4C所示，有机发光二极管可以不包括第一电荷产生层125(参照图3)。然而，通过第一功能层126流出漏电流的问题可能依然发生。因此，根据关于图4C所示的实施例的第一中间层120也可以被第一凹槽H1(参照图3)切断以减少漏电流。
图5是沿图2的线V-V’截取的显示设备1(参照图1)的截面图。图6是根据一些实施例的图5的第二有机发光二极管OLED2的示意性截面图。例如，图6可以是包括在第二有机发光二极管OLED2中的像素电极121、第二中间层130和对电极123的截面图。与图3中的附图标记相同的附图标记指代相同的元件，并且因此，省略附图标记的冗余的描述。
如图5和图6中所示，根据一些实施例的第二有机发光二极管(也称为第二发光器件)OLED2的第二中间层130可以包括第二发射层134、第二电荷产生层135和第二功能层136。第二发射层134可以包括堆叠成彼此间隔开的第一子发射层EML1和第二子发射层EML2。第一子发射层EML1和第二子发射层EML2可以包括发射相同颜色的光的材料。例如，第一子发射层EML1和第二子发射层EML2可以包括发射在大约610nm和大约760nm之间的波长的光的材料。即，第一子发射层EML1和第二子发射层EML2可以包括发射红光的材料。因为第二有机发光二极管OLED2包括第二发射层134，所以可以说第二有机发光二极管OLED2包括发射在大约610nm和大约760nm之间的波长的光的材料。
如第一电荷产生层125所包括的，第二电荷产生层135也可以包括包含N型电荷产生层和P型电荷产生层的多个层，N型电荷产生层包括N型掺杂材料和N型主体材料，P型电荷产生层包括P型掺杂材料和P型主体材料。
如第一功能层126所包括的，第二功能层136也可以包括第一子功能层1361和第二子功能层1362。
包括在第二中间层130中的发射层、功能层和电荷产生层的堆叠顺序可以与包括在第一中间层120中的发射层、功能层和电荷产生层的堆叠顺序相同。然而，包括在第二中间层130中的发射层可以是包括发射与由第一发射层124发射的光的颜色不同的颜色的光的材料并且与第一发射层124间隔开的第二发射层134。此外，包括在第二中间层130中的电荷产生层可以是与第一电荷产生层125间隔开的第二电荷产生层135。此外，包括在第二中间层130中的功能层可以是与第二电荷产生层135重叠并且与第一功能层126间隔开的第二功能层136。在图6中，根据一些实施例的有机发光二极管被示出为包括堆叠成彼此间隔开的第一子发射层EML1和第二子发射层EML2并且包括单层的第二电荷产生层135，该单层的第二电荷产生层135仅包括一个子电荷产生层CGL。然而，根据本公开的实施例不限于此。如图4B和图4C中所示的第一中间层120所具有的，第二中间层130也可以具有含有三层的发射层或单层的发射层的结构。
包括第二发射层134、第二电荷产生层135和第二功能层136的第二中间层130可以与第一中间层120间隔开。因此，在第二有机发光二极管OLED2和1-1有机发光二极管OLED1-1之间可以不发生由于漏电流而导致相邻的有机发光二极管发射光的问题。因此，像素限定层119的在第二有机发光二极管OLED2和1-1有机发光二极管OLED1-1之间的部分中可以不形成凹槽，并且像素限定层119的在第二有机发光二极管OLED2和1-1有机发光二极管OLED1-1之间的上表面可以是平坦的。
根据一些实施例的第三有机发光二极管可以是包括第三子像素PX3(参照图2)的发射区域的有机发光二极管。第三有机发光二极管也称为第三发光器件，该第三发光器件与1-1发光器件和第二发光器件相邻，并且1-1发光器件的中心部分和1-2发光器件的中心部分之间的距离大于第二发光器件的中心部分和第三发光器件的中心部分之间的距离。第三有机发光二极管可以包括第三中间层140(参照图2)。第三中间层140包括与第一发射层124和第二发射层134发射不同光的发射层。例如，包括在第三中间层140中的发射层可以包括发射在大约500nm和大约570nm之间的波长的光的材料。即，包括在第三中间层140中的发射层可以包括发射绿光的材料。包括在第三中间层140中的发射层、功能层和电荷产生层的堆叠顺序可以与包括在第一中间层120或第二中间层130中的发射层、功能层和电荷产生层的堆叠顺序相同，并且因此，下面省略堆叠顺序的详细的描述。
第三中间层140(参照图2)可以与第一中间层120和第二中间层130间隔开。因此，在第三有机发光二极管和第二有机发光二极管OLED2之间或在第三有机发光二极管和1-1有机发光二极管OLED1-1之间可以不发生由于漏电流而导致相邻的有机发光二极管发射光的问题。因此，像素限定层119的在第三有机发光二极管和第二有机发光二极管OLED2之间的部分中或像素限定层119的在第三有机发光二极管和1-1有机发光二极管OLED1-1之间的部分中可以不形成凹槽，并且像素限定层119的在第三有机发光二极管和第二有机发光二极管OLED2之间的上表面或像素限定层119的在第三有机发光二极管和1-1有机发光二极管OLED1-1之间的上表面可以是平坦的。
图7是根据一些实施例的显示设备的示意性平面图。图8是沿图7的线VIII-VIII’截取的显示设备的截面图。
如图7和图8中所示，可以在像素限定层119的在1-1子像素PX1-1和第二子像素PX2之间的上表面中布置朝向基底100凹陷的第二凹槽H2。如上所述，因为第一中间层120和第二中间层130彼此间隔开，所以不发生由于由电荷产生层或功能层引起的漏电流而导致相邻的子像素发射光的问题。然而，第一中间层120和第二中间层130的端部可能由于工艺问题而彼此重叠。在这种情况下，第一中间层120的第一电荷产生层125和第二中间层130的第二电荷产生层135可能彼此电连接而引起漏电流。为了防止这种情况，可以在1-1子像素PX1-1和第二子像素PX2之间形成第二凹槽H2。第二凹槽H2的截面形状可以与第一凹槽H1的截面形状相同。即，第二凹槽H2在截面图中可以具有倒锥形形状或可以具有底切形状。
出于相同的原因，可以在1-1子像素PX1-1和第三子像素PX3之间布置第三凹槽H3。此外，可以在第三子像素PX3和第二子像素PX2之间布置第四凹槽H4。同样地，可以在1-2子像素PX1-2和第二子像素PX2之间布置第二凹槽H2，并且也可以在子像素PX1-2和第三子像素PX3之间布置第三凹槽H3。
如上所述，像素限定层119可以包括暴露1-1子像素PX1-1、1-2子像素PX1-2、第二子像素PX2和第三子像素PX3中的每一个的像素电极121的中心部分的开口。可以在像素限定层119上布置覆盖1-1子像素PX1-1、1-2子像素PX1-2、第二子像素PX2和第三子像素PX3的对电极123。对电极123的部分区域可以被第一凹槽H1至第四凹槽H4切断。即，对电极123可以覆盖整个显示区域DA(参照图1)并且可以包括围绕第一凹槽H1至第四凹槽H4中的每一个的部分。
在图8的截面图中，对电极123似乎被切断了。然而，参照图7的平面图，对电极123在第一凹槽H1至第四凹槽H4中被切断了，但是对电极123在没有布置第一凹槽H1至第四凹槽H4的部分处是连接的，并且因此，子像素PX可以接收来自相同对电极123的公共电压。
图9是根据一些实施例的显示设备的示意性平面图。图10是沿图9的线X-X’截取的显示设备的截面图。
如图9和图10中所示，当在z轴方向上观察时，辅助层200可以布置在像素限定层119上以围绕第一凹槽H1的至少一部分。辅助层200的至少一部分可以朝向第一凹槽H1的中心部分突出。辅助层200可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。辅助层200与像素限定层119在选择性方面具有差异，并且因此，在蚀刻期间被蚀刻的程度可以是不同的。由于在选择性方面的差异，所以辅助层200的一部分可以朝向第一凹槽H1的中心部分突出。由于辅助层200的一部分朝向第一凹槽H1的中心部分突出，所以可以容易形成底切形状。因此，可以有助于切断如图4A或图4B中所示的包括第一功能层126和第一电荷产生层125的第一中间层120。
如上所述，根据一个或多个实施例，可以实现用于减少子像素之间的漏电流的显示设备。然而，根据本公开的实施例不被这种效果限制。
应理解的是，本文中所描述的实施例应仅在描述性的意义上被考虑而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似的特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求所限定的精神和范围以及它们的等同物的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种变化。

Claims (20)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底；
1-1发光器件和1-2发光器件，在所述基底上，并且各自包括第一发射层和第一电荷产生层；
第二发光器件，与所述1-1发光器件相邻，并且包括第二发射层和第二电荷产生层，所述第二发射层包括发射与由所述第一发射层发射的光的颜色不同的颜色的光的材料，所述第二电荷产生层与所述第一电荷产生层间隔开；以及
像素限定层，包括暴露所述1-1发光器件、所述1-2发光器件和所述第二发光器件中的每一个的像素电极的中心部分的开口，
其中，所述像素限定层的在所述1-1发光器件和所述1-2发光器件之间的上表面包括朝向所述基底凹陷的第一凹槽，
其中，所述第一电荷产生层在所述第一凹槽处被切断。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一凹槽在平面图中具有封闭形状。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一凹槽在截面图中具有倒锥形形状。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括第三发光器件，所述第三发光器件与所述1-1发光器件和所述第二发光器件相邻，并且被配置成发射与由所述1-1发光器件和所述第二发光器件发射的光的颜色不同的颜色的光，
其中，所述1-1发光器件的中心部分和所述1-2发光器件的中心部分之间的距离大于所述第二发光器件的中心部分和所述第三发光器件的中心部分之间的距离。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述1-1发光器件和所述1-2发光器件中的每一个的发射区域的面积大于所述第二发光器件的发射区域的面积。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述1-1发光器件和所述1-2发光器件各自包括发射在450nm和500nm之间的波长的光的材料。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括布置在所述像素限定层上的对电极，
其中，所述对电极的一部分围绕所述第一凹槽。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素限定层的在所述第二发光器件和所述1-1发光器件之间的上表面包括朝向所述基底凹陷的第二凹槽。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括布置在所述像素限定层上的对电极，
其中，所述对电极的一部分围绕所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每一个。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素限定层的在所述第二发光器件和所述1-1发光器件之间的上表面是平坦的。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一发射层包括彼此堆叠的第一子发射层和第二子发射层。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一子发射层和所述第二子发射层包括发射相同颜色的光的材料。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括辅助层，所述辅助层围绕所述第一凹槽的至少一部分，其中，所述辅助层的至少一部分朝向所述第一凹槽的中心部分突出。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述辅助层包括氮氧化硅、氧化硅和氮化硅中的至少一种。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括与所述第一电荷产生层重叠并且在所述第一凹槽处被切断的第一功能层以及与所述第二电荷产生层重叠并且与所述第一功能层间隔开的第二功能层。
16.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底；
1-1发光器件和1-2发光器件，在所述基底上，并且各自包括第一发射层和第一功能层；
第二发光器件，与所述1-1发光器件相邻，并且包括第二发射层和第二功能层，所述第二发射层包括发射与由所述第一发射层发射的光的颜色不同的颜色的光的材料，所述第二功能层与所述第一功能层间隔开；以及
像素限定层，包括暴露所述1-1发光器件、所述1-2发光器件和所述第二发光器件中的每一个的像素电极的中心部分的开口，
其中，所述像素限定层的在所述1-1发光器件和所述1-2发光器件之间的上表面包括朝向所述基底凹陷的第一凹槽，
其中，所述第一功能层在所述第一凹槽处被切断。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述第一凹槽在截面图中具有倒锥形形状。
18.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述像素限定层的在所述第二发光器件和所述1-1发光器件之间的上表面包括朝向所述基底凹陷的第二凹槽。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括与所述第一功能层重叠并且在所述第一凹槽处被切断的第一电荷产生层以及与所述第二功能层重叠并且与所述第一电荷产生层间隔开的第二电荷产生层。
20.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括辅助层，所述辅助层围绕所述第一凹槽的至少一部分，其中，所述辅助层的至少一部分朝向所述第一凹槽的中心部分突出。
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