CN114830842B - 成形膜及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

目的是提供一种成形膜及用于制造成形膜的方法。根据实施例，一种用于制造成形膜的方法包括提供在其第一侧上具有导电图案的可成形膜。该方法还可以包括在可成形膜上印刷防变形元件，以及在成形温度成形可成形膜的至少一个区段。防变形元件在成形温度的弹性模量可以大于可成形膜在成形温度的弹性模量。提供了一种方法、成形膜及电子器件。

Description

成形膜及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种成形膜，并且更具体涉及一种用于制造成形膜的方法、成形膜及电子器件。
背景技术
模内电子器件可以实现结构电子器件，其中电子器件是结构本身的一部分。例如，印刷电路板(PCB)可以用包括导电走线和电子组件的膜代替，这些导电走线和电子组件之前将被放置在PCB上。然后可以将膜成形为所讨论的器件所需的形状。
发明内容
提供本概述来以简化的形式介绍概念的选择，这些概念将在下面的详细描述中进一步描述。该概述并非旨在标识要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制要求保护的主题的范围。
目的是提供一种成形膜和一种用于制造成形膜的方法。前述和其他目的通过独立权利要求的特征来实现。其他实现形式从从属权利要求、描述和附图中是显而易见的。
根据第一方面，一种用于制造成形膜的方法包括：提供可成形膜，在可成形膜的第一侧上具有导电图案；将防变形元件印刷在可成形膜上；以及在成形温度成形可成形膜的至少一个区段，其中，防变形元件在成形温度的弹性模量大于可成形膜在成形温度的弹性模量。该方法可以例如实现减少可成形膜在靠近防变形元件和/或被防变形元件覆盖的区域处的变形。
在第一方面的实现形式中，在成形温度成形可成形膜的所述至少一个区段包括：在成形温度热成形可成形膜的所述至少一个区段；和/或将结构注塑成型到可成形膜上。该方法可以例如实现可成形膜的区段的热成形和/或注塑成型，同时防变形元件可以防止/减少膜在关键区域处的变形。
在第一方面的其他实现形式中，当在成形温度对可成形膜的所述至少一个区段执行热成形时，成形温度在130-200℃的范围内。该方法可以例如实现膜的有效热成形。
在第一方面的其他实现形式中，成形温度大于可成形膜的玻璃化转变温度。该方法可以例如实现膜的有效热成形。
在第一方面的其他实现形式中，将防变形元件印刷在可成形膜上包括：将纳米粉末油墨印刷到可成形膜上并对纳米粉末进行烧结；或将可固化油墨印刷到可成形膜上并使可固化油墨固化。该方法可以例如实现以减小的厚度印刷防变形元件，不需要防变形元件与可成形膜之间的单独粘合剂。
在第一方面的其他实现形式中，纳米粉末包括从银、金、硅、钨、氧化钛、铜、铂、钯、铝、氧化铝、氧化铁、硅土、碳化硅、二氧化硅、氮化硼、氧化铋、氧化铋钴锌、镍、碳及其任意组合中选择的材料。该方法可以例如实现为各种应用印刷适当的防变形元件。
在第一方面的其他实现形式中，可固化油墨包括从紫外交联聚合物油墨、热交联聚合物油墨和热固性油墨中选择的材料。该方法可以例如实现防变形元件的有效固化。
在第一方面的其他实现形式中，防变形元件印刷在可成形膜的第二侧上，可成形膜的第二侧与可成形膜的第一侧相对。该方法可以例如实现使用导电材料印刷防变形元件。
在第一方面的其他实现形式中，可成形膜包括从聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物、三乙酸酯、环烯烃共聚物、聚氯乙烯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯及其任意组合中选择的材料。该方法可以例如实现膜的有效成形。
应当理解，上述第一方面的实现形式可以彼此结合使用。若干实现形式可以组合在一起形成其他实现形式。
根据第二方面，提供一种通过根据第一方面的方法获得的成形膜。
根据第三方面，一种电子器件包括根据第二方面的成形膜。
根据第四方面，一种电子器件包括：可成形膜，在可成形膜的第一侧上具有导电图案；以及印刷的防变形元件，在可成形膜上，其中，防变形元件在成形温度的弹性模量大于可成形膜在成形温度的弹性模量。利用这种配置，电子器件可以例如包括成形区段，而不会对导电图案形成负面影响。
在第四方面的实现形式中，成形温度大于可成形膜的玻璃化转变温度。利用这种配置，电子器件可以例如在成形温度形成。
在第四方面的其他实现形式中，防变形元件包括从银、金、硅、钨、氧化钛、铜、铂、钯、铝、氧化铝、氧化铁、硅土、碳化硅、二氧化硅、氮化硼、氧化铋、氧化铋钴锌、镍、碳及其任意组合中选择的材料。利用这种配置，防变形元件可以例如用于各种应用。
在第四方面的其他实现形式中，可成形膜包括从聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物、三乙酸酯、环烯烃共聚物、聚氯乙烯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯及其任意组合中选择的材料。利用这种配置，可成形膜可以例如与各种制造方法兼容。
在第四方面的其他实现形式中，防变形元件在垂直于可成形膜的方向上的厚度小于50微米。利用这种配置，防变形元件可以例如由于印刷而具有减小的厚度。
在第四方面的其他实现形式中，防变形元件定位在可成形膜的第二侧上，可成形膜的第二侧与可成形膜的第一侧相对。利用这种配置，防变形元件可以例如包括导电材料而不影响导电图案。
在第四方面的其他实现形式中，防变形元件被定位成至少部分地与导电图案重叠。利用这种配置，防变形元件可以例如减少导电图案的变形。
在第四方面的其他实现形式中，导电图案与防变形元件之间的距离小于10毫米。利用这种配置，防变形元件可以例如减少导电图案的变形。
在第四方面的其他实现形式中，导电图案包括至少一组导电走线。利用这种配置，导电图案例如可以承载用于各种电子组件的信号。
在第四方面的其他实现形式中，可成形膜还包括电子组件、光学组件和/或光电组件，其附接到可成形膜的第一侧上并电耦接到导电图案。利用这种配置，防变形元件可以例如防止组件在制造过程中分离。
在第四方面的其他实现形式中，防变形元件定位成至少部分地与电子组件、光学组件和/或光电组件重叠。利用这种配置，防变形元件可以例如有效地防止组件在制造过程中分离。
在第四方面的其他实现形式中，可成形膜是透明的。利用这种配置，可成形膜可以例如适用于光学和/或光子应用。
应当理解，上述第四方面的实现形式可以彼此结合使用。若干实现形式可以组合在一起形成其他实现形式。
许多随之产生的特征将更容易理解，因为它们通过参考结合附图考虑的以下详细描述而变得更好理解。
附图说明
在下文中，参考所附图和附图更详细地描述示例实施例，其中：
图1示出了根据实施例的用于制造成形膜的方法的流程图；
图2示出了根据实施例的可成形膜的示意图；
图3示出了根据实施例的包括成组的导电走线图案的导电件的示意图；
图4示出了根据实施例的可成形膜的横截面图；
图5示出了根据另一个实施例的可成形膜的横截面图；
图6示出了根据实施例的可成形膜上的触敏区域的示意图；
图7示出了根据实施例的成形膜的示意图；以及
图8示出了根据实施例的可成形膜上的组件的示意图。
在下文中，相同的附图标记用于表示附图中的相同部件。
具体实施方式
在以下描述中，参考了附图，这些附图形成了本公开的一部分，并且在附图中通过图示的方式示出了可以放置本公开的特定方面。可以理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他方面，并且可以进行结构或逻辑改变。因此，以下详细描述不应被视为限制意义，因为本公开的范围由所附权利要求限定。
例如，应当理解，与所描述的方法相关的公开内容也可以适用于被配置为执行该方法的对应装置或***，反之亦然。例如，如果描述了特定的方法步骤，则对应的装置可以包括用于执行所描述的方法步骤的单元，即使该单元没有在图中明确地描述或示出。另一方面，例如，如果特定装置是基于功能单元来描述的，则对应的方法可以包括执行所描述的功能的步骤，即使该步骤没有在图中明确地描述或示出。此外，应当理解，除非另外特别指出，否则本文描述的各个示例方面的特征可以彼此组合，。
图1示出了用于制造成形膜的方法100的流程图。
根据实施例，方法100包括提供101可成形膜，该可成形膜在可成形膜的第一侧上具有导电图案。
可成形膜也可以被称为可成形层。除非另有说明，否则本说明书中的表述“膜”和“层”应理解为是指其横向尺寸显著大于其厚度的结构。从这个意义上说，膜可以被认为是“薄”结构。可成形膜可以指可以使用例如压力和/或温度来操纵其形状的膜。
方法100还可以包括将防变形元件印刷102到可成形膜上。
防变形元件也可以被称为变形减少元件或类似元件。防变形元件可能不会防止膜的全部变形，而是防变形元件可以减少膜在靠近防变形元件的区域处的变形。变形量可以减少到例如对于特定应用来说可接受的水平。
方法100还可包括在成形温度成形103可成形膜的至少一个区段。
在本文中，成形可以指使用例如温度和/或压力和/或通过将附加结构附接到可成形膜来改变可成形膜的形状。例如，成形可包括可成形膜的热成形和/或将结构注塑成型到可成形膜上。
防变形元件在成形温度的弹性模量可以大于可成形膜在成形温度的弹性模量。
由于防变形元件和可成形膜可以被视为基本平面的结构，因此弹性模量可指该平面中的弹性模量。例如，成形温度下防变形元件在防变形元件的平面中的弹性模量可以大于成形温度下可成形膜在可成形膜的平面中的弹性模量。
在本文中，弹性模量可以指例如所讨论的材料的杨氏模量、剪切模量和/或体积模量。
例如，防变形元件在成形温度的杨氏模量可以大于100兆帕(MPa)、大于200MPa、大于500MPa或大于1吉帕(GPa)。
例如，防变形元件在成形温度的弹性模量与可成形膜在成形温度的弹性模量的比率可以大于5、大于10、大于50、大于102、大于103或大于104。可以根据例如标准ISO 527或标准JIS K 7161测量弹性模量。
由于防变形元件的弹性模量较大，因此可以在靠近防变形元件的区域中减少和/或防止可变形膜的变形(例如，拉伸和/或鼓起)。因此，防变形元件可以帮助在关键的未成形区域处(例如在传感器或加热器尾部的位置处)保持可成形膜的材料尺寸。
防变形元件在成形温度的拉伸强度可以大于可成形膜在成形温度的拉伸强度。
根据实施例，在成形温度成形103可成形膜的至少一个区段包括：在成形温度热成形可成形膜的至少一个区段；和/或将结构注塑成型到可成形膜。
根据实施例，当在成形温度对可成形膜的至少一个区段执行热成形时，成形温度在130-200℃的范围内。替代地或附加地，成形温度可以在该范围的任何子范围内，例如，130-180℃、150-200℃或130-170℃。
根据实施例，成形温度大于可成形膜的玻璃化转变温度。
玻璃化转变温度可以指无定形材料或半结晶材料内的无定形区域随着温度升高而从硬态转变成更粘稠或橡胶态的温度。材料的玻璃化转变温度表征发生这种玻璃化转变的温度范围。玻璃化转变温度通常低于材料晶态的熔化温度。玻璃化转变温度可以被限定为材料的动态粘度达到1012帕斯卡-秒(Pas)时的温度。
例如，可成形膜的玻璃化转变温度可以在50-130℃的范围内或在该范围的任何子范围内，例如，50-100℃、60-120℃或50-90℃。
例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯的玻璃化转变温度可以被限定为70℃，聚(氯乙烯)的玻璃化转变温度可以被限定为80℃。
根据实施例，将防变形元件印刷到可成形膜上包括：将纳米粉末油墨印刷到可成形膜上并烧结纳米粉末；或者，将可固化油墨印刷到可成形膜上并固化可固化油墨。
纳米粉末可以指人工来源的固体粉末状物质，其包括纳米物体、聚集体和/或纳米物体的附聚物(agglomerate)或其组合。替代地或附加地，纳米粉末可以指粉末，其所有颗粒均小于100纳米。纳米粉末油墨可以指包括纳米粉末的液体。
可以使用例如放电等离子体烧结、电烧结锻造、无压烧结、微波烧结、液相烧结、固相烧结、激光烧结、选择性激光烧结、光子烧结、脉冲热处理(PTP)、强脉冲光(IPL)烧结、电子束熔化/烧结和/或反应性烧结来执行纳米粉末的烧结。所使用的烧结的类型可以基于纳米粉末的材料而改变。
可以在烧结温度执行烧结。烧结温度可以在60-160℃范围内，或在该范围的任何子范围内，例如，60-140℃、70-130℃或100-130℃。
纳米粉末可以包括选自以下项的材料：银、金、硅、钨、氧化钛、铜、铂、钯、铝、氧化铝、氧化铁、硅土、碳化硅、二氧化硅、氮化硼、氧化铋、氧化铋钴锌、镍、碳及其任意组合。
可固化油墨可指例如热固性油墨或紫外线(UV)可固化油墨。固化可固化油墨可包括使用UV辐射固化UV可固化油墨。
根据实施例，可固化油墨包括选自以下项的材料：紫外交联聚合物油墨、热交联聚合物油墨和热固性油墨。
根据实施例，可成形膜是不导电的。这可以提供导电图案的绝缘。
根据实施例，可成形膜包括选自以下项的材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物、三乙酸酯、环烯烃共聚物、聚氯乙烯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯及其任意组合。
根据实施例，可成形膜是透明的。除非另有说明，否则本说明书中的表述“透明”应理解为是指可成形膜或其各部分和材料在所讨论的相关波长范围内的光学透明度。透明材料或结构可以指的是这样材料或结构，即，该材料或结构允许处于这种相关波长的光或通常是电磁辐射传播通过。相关波长范围可以取决于要使用透明可成形膜的应用。在一个实施例中，相关波长范围是约390至约700纳米的可见波长范围。在一个实施例中，相关波长范围是850至1550纳米。
此外，可成形膜或其各部分的透明度主要是指可成形膜或其各部分的厚度方向上的透明度，因此为了“透明”，入射到可成形膜或其部分上的光能的足够部分应在厚度方向上传播通过可成形膜或其部分。这部分可以取决于要使用基膜的应用。在一个实施例中，可成形膜或其各部分的透射率为在存在透明导体材料的位置处垂直入射在层压膜上的光的能量的20-99.99％。在一个实施例中，所述透射率为20％或更高，或30％或更高，或40％或更高，或50％或更高，或60％或更高，或70％或更高，或80％或更高，90％或更高。可以根据标准JIS-K7361、ASTM D1003测量透射率。
根据实施例，导电图案包括导电的高纵横比分子结构(HARM-结构)网。
导电的“HARM结构”可以指导电的“纳米结构”，即，具有纳米级(例如，小于或等于约100纳米)的一个或更多个特征尺寸的结构。“高纵横比”可以指导电结构在两个垂直方向上的尺寸在显著不同的数量级上。例如，纳米结构的长度可以比其厚度和/或宽度大数十或数百倍。在HARM结构网中，大量的所述纳米结构彼此互连以形成电互连分子网。如在宏观尺度上考虑的，HARMS网形成固体的整体材料，其中单个分子结构是无取向或无定向的(即，基本上随机定向)，或定向的。可以以具有合理的电阻率的薄透明层的形式产生各种类型的HARMS网。
在一个实施例中，导电HARM结构包括金属纳米线，例如银纳米线或铜纳米线。
在一个实施例中，导电HARM结构网包括碳纳米结构。在一个实施例中，碳纳米结构包括碳纳米管、碳纳米芽、碳纳米带、碳纳米纤维或它们的任意组合。在一个实施例中，碳纳米结构包括碳纳米芽，即碳纳米芽分子。碳纳米芽或碳纳米芽分子具有共价结合到管状碳分子的侧面的富勒烯或类富勒烯分子。从电学、光学(透明度)和机械(鲁棒性与柔韧性和/或可变形性相结合)的观点来看，碳纳米结构，尤其是碳纳米芽，可以都具有优势。
根据实施例，导电图案包括至少一组导电走线。导电走线可用于各种分层电子器件。
图2示出了根据实施例的可成形膜200的示意图。
根据实施例，电子器件210包括可成形膜200和在可成形膜200上的印刷的防变形元件204，可成形膜200在可成形膜200的第一侧上具有导电图案201。
电子器件210也被称为模内电子器件。
印刷的防变形元件204也可以被称为防变形元件、变形减少元件或类似物。印刷的防变形元件204可以至少部分地与可成形膜200接触和/或印刷的防变形元件204可以至少部分地与导电图案201接触。印刷的防变形元件204可以由于印刷而粘附到可成形膜。
由于防变形元件204是印刷的，因此防变形元件204与可成形膜200之间可以不需要附加的粘合剂。此外，与其他方法相比，可以减小防变形元件204的厚度。
可成形膜200也可以被称为成形膜。这可以表示可成形膜的至少一个区段已经成形。然而，即使可成形膜的某个区段已经成形，可成形/成形膜200的某个其他区段也可能在稍后的时间点成形。
防变形元件204在成形温度的弹性模量可以大于可成形膜200在成形温度的弹性模量。
成形温度可以大于电子器件210的操作温度。操作温度可以指电子器件210通常在其操作和/或已经被设计成在其操作的温度。例如，操作温度可以是在-50-50℃范围内。
防变形元件204可以被配置为防止/减少可成形膜200在防变形元件204的位置和/或靠近该位置处的变形。
根据实施例，导电图案201包括至少一组导电走线202。例如，在图2的实施例中，导电图案201包括两根走线202。图2的实施例仅是示例性的，成组的导电走线202可以包括任意数量的导电走线202。
可成形膜200还可以包括待成形的至少一个区段203。例如，可以使用热成形和/或注塑成型来成形至少一个区段203。至少一个区段203的形状可以变化，因此本文描述的实施例仅是示例性的。当成形已经完成时，至少一个区段203也可以被称为至少一个成形区段。
随着至少一个区段203的成形，该区段203之外的区域也可以变形。由于变形，导电图案201的导电走线202之间的距离可能在靠近成形区段203的区域中改变。例如，当连接器要附接到导电走线202时，这可能是有问题的，因为连接器的引脚可能不与导电走线202对齐。
可成形膜200可以包括印刷的防变形元件204。防变形元件204可以防止或减小可变形薄膜200在靠近防变形元件204的区域中的变形。因此，在可成形膜200靠近防变形元件204的区域中，导电图案201的导电走线202之间的距离可以不发生显著的变化。
根据实施例，防变形元件204在垂直于可成形膜的方向上的厚度小于50微米(μm)。替代地或附加地，防变形元件204的厚度可以小于20μm、小于10μm、小于5μm、小于1μm和/或小于0.5μm。
尽管在一些实施例中，防变形元件204可以与导电图案201重叠，但通常情况并非如此。防变形元件204可以靠近导电图案201定位。
根据实施例，导电图案201与防变形元件204之间的距离小于10毫米(mm)。替代地或附加地，该距离可以小于5mm、小于2mm、小于1mm、小于500μm、小于100μm和/或小于10μm。
根据实施例，防变形元件204被定位成至少部分地与导电图案201重叠。在本文中，“重叠”可以是指导电图案在可成形膜200的平面上的投影与导电图案201在可成形膜200的平面上的投影重叠，即，这些投影在平面中至少具有某个共同的区段。因此，即使防变形元件204和导电图案定位在可成形膜200的相对侧上，防变形元件204也可以与导电图案201重叠。
电子器件210和/或可成形膜200可以体现在例如触摸传感器、车辆中的用户界面、加热器元件、太阳能电池板、传感器、化学传感器、医疗设备、显示器和/或照明设备中。
图3示出了根据实施例的导电图案201的示意图。
导电图案201可以包括至少一组301的导电走线202。成组的导电走线可以包括多个导电走线202。导电走线202可以基本上平行。
随着可成形膜200成形，导电走线202之间的间距可以改变。例如，当连接器要附接到该组301的导电走线202时，这可能是有问题的，因为连接器的引脚可能不与导电走线202对齐。当走线202的数量较大和/或走线202之间的间距较小时，该问题可能会变得更加严重。
防变形元件204可以通过减少可成形膜200在靠近防变形元件204的区域中的变形来保持导电走线202之间的间距基本恒定。
图4示出了根据实施例的可成形膜200的横截面图。可成形膜200可以包括第一侧401和第二侧402。第二侧402可以与第一侧401相对。
导电图案201可以被定位在可成形膜200的第一侧401上。
根据实施例，防变形元件204被定位在可成形膜200的第二侧402上，该第二侧402与可成形膜200的第一侧401相对。例如，防变形元件204可以被印刷到可成形膜200的第二侧402上。
图5示出了根据另一个实施例的可成形膜200的横截面图。
在一些实施例中，导电图案201和防变形元件204可以被定位在可成形膜200的第一侧401上。例如，防变形元件204可以被印刷到可成形膜200的第一侧401上。
导电图案201和防变形元件204可以被定位在可成形膜200的同一侧上。情况可以是例如，如果防变形元件204不导电，则其不影响由导电图案201的走线202承载的信号。替代地或附加地，附加的非导电层/涂层可以被定位在导电图案201与防变形元件204之间。
图4和图5的实施例中呈现的横截面几何形状和/或尺寸仅是示例性的，因此可以不反映所呈现的各部件的实际几何形状和/或尺寸。
图6示出了根据实施例的可成形膜200上的触敏区域601的示意图。图6的实施例中的导电图案包括两组301的导电走线202。导电走线202可以承载来自触敏区域601的信号。例如，触敏区域601可以包括电容式触摸界面。导电走线202可以电耦接到连接器602。使用连接器602，来自导电走线202的信号可以被馈送到其他装置和/或组件中。
待成形的至少一个区段203可以包括触敏区域601。这样，触敏区域601可以被成形为用于不同的用户界面应用的各种形状。
由于膜的成形也可能使成形的至少一个区段203之外的区域变形，因此导电走线202之间的间距可能改变。由于该原因，连接器602的引脚可能不与导电走线202对齐。这可能需要使导电走线202更远离成形的至少一个区段203延伸并且将连接器602放置得更远离成形区段203。
防变形元件402可以靠近成形区段203放置。由于防变形元件402减少了成形区段203外部的膜的变形，因此导电走线202的间距没有显著地被成形所改变。因此，连接器402可以更靠近成形区段203放置，可以减少导电走线202的总占用面积(foot print)。
图7示出了根据实施例的成形膜200的透视图。图7的实施例中所示的成形区段203已成形为大致半球形。例如，半球形可以包括与图6的实施例中呈现的类似的触敏界面601。防变形元件204可以靠近成形区段203放置。
图8示出了根据实施例的可成形膜200上的组件801的示意图。
根据实施例，可成形膜200还包括电子组件(例如，集成电路)、光学组件(例如，光导)、柔性电缆、柔性印刷电路板和/或光电组件(例如，LED)，这些组件附接到可成形膜的第一侧上并电耦接到导电图案201。
组件801可以包括例如电子组件、光学组件和/或光电组件。组件801可以电耦接到导电图案201。导电图案201的导电走线202可以为组件801提供驱动信号。
根据实施例，防变形元件被定位成至少部分地与电子组件、光学组件和/或光电组件重叠。
组件801可能在成形期间由于可成形膜200的变形而与可成形膜200分离。防变形元件204可以靠近组件801被印刷/定位以防止可成形膜200在组件801的位置处变形。防变形元件204甚至可以与组件801重叠，如图8的实施例所示的。
尽管在本文的实施例中仅公开了可成形膜200的一些组件和特征，但是可成形膜200可以包括任何数量的组件和其他特征。例如，可成形膜200可包括多个区段203，这些区段可以被成形。可成形膜200还可以包括多个组件801和多个组301的导电走线202，它们可以根据应用以各种方式互连。
根据实施例，电子器件210还包括第二导电图案，该第二导电图案附接到第二可成形膜的面向第一可成形膜的表面，其中，附接到第一可成形膜的面向第二可成形膜的表面的导电图案为第一导电图案。该实施例提供了具有彼此面对并附接到相对的可成形膜的至少两个导电图案的器件。
根据替代实施例，第二导电图案可以附接到第一可成形膜的相对侧或第二可成形膜的相对侧。
根据实施例，第一导电图案和第二导电图案被对齐以在平行的第一可成形膜和第二可成形膜的平面中分离。在该实施例中，导电图案被分开，使得它们可以彼此绝缘。例如，在诸如触摸传感器的应用中，电极可以在不同的平面中并且不重叠。
在不失去所寻求的效果的情况下，本文给出的任何范围或器件值都可以被扩展或改变。此外，除非明确禁止，否则任何实施例都可以与另一个实施例组合。
尽管已经以特定于结构特征和/或动作的语言描述了该主题，但是应当理解，在所附权利要求中限定的主题不一定限于上述具体特征或动作。相反，上述具体特征和动作被公开为实现权利要求的示例，并且其他等效特征和动作旨在落入权利要求的范围内。
应当理解，上述益处和优点可以涉及一个实施例或可以涉及若干实施例。实施例不限于解决任何或所有所述问题的实施例或具有任何或所有所述益处和优点的实施例。将进一步理解的是，对“一”项目的引用可以指这些项目中的一个或更多个。
本文所述的方法的步骤可以以任何合适的顺序被执行，或者在合适的情况下被同时执行。另外，在不脱离本文描述的主题的精神和范围的情况下，可以从任何方法中删除各个方框。在不失去所寻求的效果的情况下，上述任何实施例的各方面可以与所描述的任何其他实施例的各方面结合以形成其他实施例。
在本文中，术语“包括”用于表示包括所标识的方法、方框或元素，但是这样的方框或元素不包括排他性列表，因此方法或装置可以包含附加的方框或元素。
应当理解，以上描述仅通过示例的方式给出，并且本领域技术人员可以进行各种修改。上述说明书、示例和数据提供了对示例性实施例的结构和用途的完整描述。尽管上面已经以一定程度的特定性或参考一个或多个单独的实施例描述了各种实施例，但是在不脱离本说明书的精神或范围的情况下，本领域技术人员可以对所公开的实施例进行多种改变。

Claims (19)

1.一种用于制造成形膜的方法，包括：
提供可成形膜，在可成形膜的第一侧上具有导电图案；
通过将纳米粉末油墨印刷到可成形膜上并对纳米粉末进行烧结来将防变形元件印刷在可成形膜上，其中，防变形元件印刷在可成形膜的与可成形膜的第一侧相对的第二侧上；以及
在成形温度成形可成形膜的至少一个区段，
其中，防变形元件在成形温度的弹性模量大于可成形膜在成形温度的弹性模量。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在成形温度成形可成形膜的所述至少一个区段包括：
在成形温度热成形可成形膜的所述至少一个区段；和/或
将结构注塑成型到可成形膜上。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，当在成形温度对可成形膜的所述至少一个区段执行热成形时，成形温度在130-200℃的范围内。
4.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，成形温度大于可成形膜的玻璃化转变温度。
5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，纳米粉末包括从银、金、硅、钨、氧化钛、铜、铂、钯、铝、氧化铝、氧化铁、硅土、碳化硅、二氧化硅、氮化硼、氧化铋、氧化铋钴锌、镍、碳及其任意组合中选择的材料。
6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，可成形膜包括从聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物、三乙酸酯、环烯烃共聚物、聚氯乙烯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯及其任意组合中选择的材料。
7.一种成形膜，通过根据任一前述权利要求所述的方法获得。
8.一种电子器件，包括根据权利要求7所述的成形膜。
9.一种电子器件，包括：
可成形膜，在可成形膜的第一侧上具有导电图案；以及
在可成形膜上的印刷的防变形元件，通过将纳米粉末油墨印刷到可成形膜上并对纳米粉末进行烧结而制造，其中，防变形元件定位在可成形膜的与可成形膜的第一侧相对的第二侧上，
其中，防变形元件在成形温度的弹性模量大于可成形膜在成形温度的弹性模量。
10.根据权利要求9所述的电子器件，其中，成形温度大于可成形膜的玻璃化转变温度。
11.根据权利要求9或10所述的电子器件，其中，防变形元件包括从银、金、硅、钨、氧化钛、铜、铂、钯、铝、氧化铝、氧化铁、硅土、碳化硅、二氧化硅、氮化硼、氧化铋、氧化铋钴锌、镍、碳及其任意组合中选择的材料。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的电子器件，其中，可成形膜包括从聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物、三乙酸酯、环烯烃共聚物、聚氯乙烯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯及其任意组合中选择的材料。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的电子器件，其中，防变形元件在垂直于可成形膜的方向上的厚度小于50微米。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的电子器件，其中，防变形元件被定位成至少部分地与导电图案重叠。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的电子器件，其中，导电图案与防变形元件之间的距离小于10毫米。
16.根据权利要求9至15中任一项所述的电子器件，其中，导电图案包括至少一组导电走线。
17.根据权利要求9至16中任一项所述的电子器件，其中，可成形膜还包括附接到可成形膜的第一侧上并电耦接到导电图案的电子组件、光学组件、柔性电缆、柔性印刷电路板和/或光电组件。
18.根据权利要求9至17中任一项所述的电子器件，其中，防变形元件被定位成至少部分地与电子组件、光学组件、柔性电缆、柔性印刷电路板和/或光电组件重叠。
19.根据权利要求9至18中任一项所述的电子器件，其中，可成形膜是透明的。
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