CN114823772A - 显示基板、封装基板和显示装置 - Google Patents

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CN114823772A CN202210461810.1A CN202210461810A CN114823772A CN 114823772 A CN114823772 A CN 114823772A CN 202210461810 A CN202210461810 A CN 202210461810A CN 114823772 A CN114823772 A CN 114823772A
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Abstract

公开一种显示基板、封装基板和显示装置,涉及显示技术领域。该显示基板包括:驱动背板,以及位于驱动背板一侧的发光器件层。其中,发光器件层包括:多个发光单元;多个透明电极,位于多个发光单元远离驱动背板的表面,且与多个发光单元电连接;第一键合图案,至少位于多个透明电极之间;第一键合图案与至少一个透明电极电连接。本公开提供的显示基板,通过第一键合图案与多个透明电极连接,实现多个发光单元的电连接,与相关技术中,多个发光单元之间通过透明材料实现电连接相比,降低了电阻,达到降低压降,提升发光单元的发光效率,降低功耗,提高显示基板的显示性能等目的。

Description

显示基板、封装基板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、封装基板和显示装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)是一种能够将电能转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管的发光原理是电子和空穴复合发光。
发光二极管具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配及可靠性高等优点,目前常作为光源被广泛应用。随着LED技术的成熟,直接使用LED作为亚像素的LED显示装置或Micro-LED(微型LED)显示装置逐渐发展起来。
但是,现有的LED显示装置的功耗较高。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示基板、封装基板和显示装置,用于降低LED显示装置的功耗。
为了实现上述目的,本公开提供如下技术方案:
一方面,本公开的一些实施例提供了一种显示基板。该显示基板包括:驱动背板,以及位于所述驱动背板一侧的发光器件层。其中,所述发光器件层包括:多个发光单元;多个透明电极,位于所述多个发光单元远离所述驱动背板的表面,且与所述多个发光单元电连接;第一键合图案,至少位于所述多个透明电极之间;所述第一键合图案与至少一个透明电极电连接。
在一些实施例中,所述第一键合图案还位于所述多个透明电极的周围。
在一些实施例中,所述第一键合图案包括多个网孔,一个网孔内设置有至少一个所述透明电极,且位于该网孔内的所述透明电极与所述网孔的孔壁电连接。
在一些实施例中,所述第一键合图案包括叠置的第一图案层和第二图案层,所述第二图案层位于所述第一图案层远离所述驱动背板的一侧。
在一些实施例中,所述第一图案层的材料包括第一金属材料,所述第二图案层的材料包括第二金属材料;所述第一金属材料的熔点高于所述第二金属材料的熔点。
在一些实施例中,所述第二图案层的尺寸大于所述第一图案层的尺寸。
在一些实施例中,所述发光单元包括:至少两个叠置的垂直型发光二极管;以及,位于两个所述垂直型发光二极管之间的连接层;其中,所述垂直型发光二极管包括:N型半导体层、量子阱层以及P型半导体层;相邻的两个叠置的垂直型发光二极管中,一个垂直型发光二极管的N型半导体层和另一个垂直型发光二极管的P型半导体层通过所述连接层电连接。
在一些实施例中,该显示基板还包括:反射电极层,位于所述垂直型发光二极管和所述驱动背板之间。
在一些实施例中,该显示基板还包括:绝缘结构,位于所述多个发光单元之间,且位于所述第一键合图案和所述驱动背板之间。
再一方面,本公开实施例提供一种封装基板。该封装基板包括:基底;电极连接层,位于所述基底的一侧;以及,第二键合图案,位于所述电极连接层远离所述基底的一侧,且暴露出至少部分所述电极连接层。
在一些实施例中,所述第二键合图案包括第三图案层和第四图案层,所述第三图案层位于所述第四图案层远离所述基底的一侧。
在一些实施例中,所述第三图案层的材料包括第三金属材料,所述第四图案层的材料包括第四金属材料;所述第四金属材料的熔点高于所述第三金属材料的熔点。
在一些实施例中,所述第三图案层的尺寸大于所述第四图案层的尺寸。
在一些实施例中,该封装基板还包括:多个透镜,位于所述基底和所述电极连接层之间;其中,所述第二键合图案,至少位于所述多个透镜之间。
在一些实施例中,所述基底包括:衬底;彩色滤光层,位于所述衬底的一侧;以及,封装层,位于所述彩色滤光层远离所述衬底的一侧;其中,所述封装层相对于所述彩色滤光层更靠近所述电极连接层。
在一些实施例中,所述彩色滤光层包括:多个彩色滤光部,以及位于相邻的彩色滤光部之间的遮光图案;所述第二键合图案在所述衬底上的正投影和所述遮光图案在所述衬底上的正投影至少部分地交叠。
在一些实施例中,所述彩色滤光部包括:层叠设置的彩膜层和量子点层;其中,所述彩膜层相对于所述量子点层,更靠近所述衬底。
另一方面,本公开实施例提供一种显示装置,包括:如上述实施例中任一项所述的显示基板,以及,如上述实施例中任一项所述的封装基板。其中,所述显示基板中的第一键合图案与所述封装基板中的第二键合图案键合,以使所述显示基板中的多个透明电极与所述封装基板中的电极连接层相接触。
本公开提供的显示基板、封装基板和显示装置具有如下有益效果:
本公开提供的显示基板,通过第一键合图案与多个透明电极的连接,最终实现多个发光单元的电连接;与相关技术中,多个发光单元之间通过整层的透明材料实现电连接相比,降低了电阻,达到降低压降,提升发光单元的发光效率,降低功耗,提高显示基板的显示性能等目的。
本公开提供的封装基板,通过设置多个透镜,可以改变入射至封装基板的光线的传播方向,使更多的光线向彩色滤光部汇聚,增加了入射至量子点层的光线,从而提高量子点材料的激发效率。
本公开提供的显示装置所能实现的有益效果,与上述技术方案提供的显示基板和封装基板所能达到的有益效果相同,在此不做赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据本公开的一些实施例的一种显示基板的结构图;
图2为根据本公开的一些实施例的一种像素电路的结构图;
图3为根据本公开的一些实施例的一种显示基板的俯视图;
图4A~图4E为根据本公开的一些实施例的叠置的垂直型发光二极管的制备方法中各步骤对应的结构图;
图5A为根据本公开的一些实施例的一种封装基板的结构图;
图5B为根据本公开的一些实施例的又一种封装基板的结构图;
图6为根据本公开的一些实施例的又一种显示装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
“A和/或B”,包括以下三种组合:仅A,仅B,及A和B的组合。
如本文中所使用,根据上下文,术语“如果”任选地被解释为意思是“当……时”或“在……时”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地,根据上下文,短语“如果确定……”或“如果检测到[所陈述的条件或事件]”任选地被解释为是指“在确定……时”或“响应于确定……”或“在检测到[所陈述的条件或事件]时”或“响应于检测到[所陈述的条件或事件]”。
本文中“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言,其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外,“基于”的使用意味着开放和包容性,因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。因此,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此,示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状,而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如,示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状,并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
如图1所示,本公开的一些实施例提供了一种显示基板100。该显示基板100包括驱动背板1和发光器件层2。
在一些示例中,驱动背板1包括驱动电路11,驱动电路11至少包含一个开关晶体管、一个存储电容和一个驱动晶体管。该驱动电路11可以生成驱动信号。发光器件层2中的发光单元在驱动电路11所生成的驱动信号的驱动作用下发出光,多个发光单元发出的光相互配合,从而使得显示基板100实现显示功能。
驱动电路11的结构包括多种,可以根据实际需要选择设置。例如,驱动电路11的结构可以包括“2T1C”或“8T2C”等结构。此处,“T”表示为晶体管,位于“T”前面的数字表示为晶体管的数量,“C”表示为存储电容器,位于“C”前面的数字表示为存储电容器的数量。
示例性的,如图2所示,图2为驱动电路11的等效电路图。
例如,驱动电路11包括:驱动晶体管DTFT,开关晶体管T1和一个存储电容Cst。
驱动晶体管DTFT的控制极与开关晶体管T1耦接;驱动晶体管DTFT的第一极与发光单元的第一电极耦接;驱动晶体管DTFT的第二极与电源信号端VDD耦接。其中,发光单元的具体类型可以为多种。示例性的,发光单元包括:蓝绿光发光单元或红黄光发光单元。
存储电容Cst的第一端与驱动晶体管DTFT的控制端耦接,存储电容Cst的第二端与电源信号端VDD耦接。
开关晶体管T1的控制极与扫描信号端Gate耦接;开关晶体管T1的第一极与驱动晶体管DTFT的控制端耦接;开关晶体管T1的第二极与数据信号端Data耦接。
在扫描信号Gate所传输的扫描信号的电平为有效电平的情况下,开关晶体管T1在该扫描信号的控制下导通,将数据信号端Data所传输的数据信号传输至驱动晶体管DTFT的控制端。此处,驱动晶体管DTFT可以在数据信号的控制下导通。电源信号端VDD的电压信号,经过驱动晶体管DTFT,传输至发光单元的第一电极。
开关晶体管T1没有像素电流通过,驱动晶体管DTFT有像素电流通过。
其中,驱动晶体管DTFT的尺寸大小主要与其迁移率,以及流过的像素电流大小有关。随着像素电流增大,所述驱动晶体管DTFT的尺寸越大,驱动电路尺寸也越大。
在一些示例中,请继续参阅图1,发光器件层2位于驱动背板1的一侧。
发光器件层2包括:多个发光单元21、多个透明电极22以及,第一键合图案23。
其中,多个透明电极22位于多个发光单元21远离驱动背板1的表面,且与多个发光单元22电连接。
“透明”是指光线可以穿过透明的结构。示例的,本公开中的透明结构的透过率可以达到80%或80%以上。
示例性的,多个透明电极22的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌中的至少一者。
第一键合图案23,至少位于多个透明电极22之间;第一键合图案23与至少一个透明电极22电连接。
第一键合图案23使用的材料可以根据实际需要选择,本公开对此不做限制。
例如,第一键合图案23可以采用镍(Ni)和锡(Sn)作为制备材料,也可以采用银(Ag)和锡(Sn)作为制备材料,还可以采用金(Au)和锡(Sn)作为制备材料,还可以采用金(Au)的叠层作为制备材料,还可以采用共晶合金作为制备材料。
需要说明的是,透明电极的材料通常为氧化铟锡或氧化铟锌,而氧化铟锡或氧化铟锌的电阻较大。
本公开一些实施例提供的显示基板100,包括驱动背板1和发光器件层2;发光器件层2包括多个发光单元21、多个透明电极22以及,第一键合图案23。其中,多个透明电极22位于多个发光单元21远离驱动背板1的表面,第一键合图案23,至少位于多个透明电极22之间;第一键合图案23与至少一个透明电极22电连接。本实施例中,通过第一键合图案23与多个透明电极22的连接,最终实现多个发光单元21的电连接;与相关技术中,多个发光单元21之间通过整层的透明材料实现电连接相比,降低了电阻,达到降低压降,提升发光单元的发光效率,降低功耗,提高显示基板的显示性能等目的。
在一些示例中,请参阅图3,第一键合图案23还位于多个透明电极22的周围。第一键合图案23除位于多个透明电极22之间外,还位于多个透明电极22的周围,由此,不仅实现了多个透明电极22的电连接,而且,在实现多个发光单元21共阴极的基础上,与相关技术中,多个发光单元21之间通过整层的透明材料实现电连接相比,降低了电阻,达到降低压降,提升发光单元的发光效率,降低功耗,提高显示基板的显示性能等目的。
在一些示例中,请继续参阅图3,第一键合图案23包括多个网孔230,一个网孔230内设置有至少一个透明电极22,且位于该网孔230内的透明电极22与网孔230的孔壁电连接。也就是说,第一键合图案23具有暴露出多个透明电极22的网孔230,位于该网孔230内的透明电极22与网孔230的孔壁电连接,由此实现了多个发光单元21共阴极。
在一些实施例中,第一键合图案23包括叠置的第一图案层231和第二图案层232,第二图案层232位于第一图案层231远离驱动背板1的一侧。
在一些示例中,第一图案层的材料231包括第一金属材料,第二图案层232的材料包括第二金属材料;第一金属材料的熔点高于第二金属材料的熔点。
示例性,第一金属材料为金(Au),第二金属材料为铟(In);或者,第一金属材料为银(Ag),第二金属材料为铟(In);或者,第一金属材料为铅(Pb),第二金属材料为铟(In);或者,第一金属材料为铜(Cu),第二金属材料为锡(Sn);或者,第一金属材料为金(Au),第二金属材料为铜(Cu),本公开对此不做限制。
在一些示例中,请继续参阅图3,第二图案层232的尺寸大于第一图案层231的尺寸。
需要说明的是,上述“第二图案层232的尺寸大于第一图案层231的尺寸”是指:第二图案层232在驱动背板1上的正投影的面积大于,第一图案层231在驱动背板1上的正投影的面积。
在一些实施例中,请继续参阅图1,发光单元21包括:至少两个叠置的垂直型发光二极管210;以及,位于两个所述垂直型发光二极管210之间的连接层220。
在一些示例中,如图1所示,垂直型发光二极管210包括:N型半导体层211、量子阱层212以及P型半导体层213。
在一些示例中,N型半导体层211包括N型掺杂层,例如N-GaN;P型半导体层213包括P型掺杂层,例如P-GaN。
在一些示例中,相邻的两个叠置的垂直型发光二极管210中,一个垂直型发光二极管210的N型半导体层和另一个垂直型发光二极管的P型半导体层通过连接层220电连接。
本领域技术人员可以理解的是,传统的GaN基LED正装结构,是利用干法刻蚀将N型P型电极制作在芯片表面的同一侧,电流从沿水平方向流过LED的发光区,由于电子横向注入是从一个电极出发到另一个电极,导致途中电流密度分布不均匀,产生电流拥堵效应同时也造成了发光不均匀,且热分布也不均匀,容易造成器件快速老化失效,从而限制了单颗LED芯片的尺寸以及器件的发光。
相比于传统的GaN基LED正装结构,本公开的一些实施例中,将垂直型发光二极管将LED的两个电极放在LED薄膜的两侧,电流垂直于薄膜表面流过器件,可以大幅度提升单芯片工作电流密度,更利于电流的扩展,电子和空穴的复合,可以得到更均匀的光型,而且垂直型发光二极管还具有散热好,发光强度高,耗电量小、寿命长等优点。
本实施例中,不仅可以利用垂直型发光二极管210发光强度高的优点,降低显示基板100的功耗,而且,通过使至少两个垂直型发光二极管210叠置,也即,两个垂直型发光二极管210串联连接,提高了发光单元21的跨压,进一步提升了发光效率。
在一些示例中,请参阅图4A~图4E,为叠置的垂直型发光二极管的制备方法中各步骤对应的结构图。
叠置的垂直型发光二极管210的制作方法包括:
在生长衬底01上依次形成N型外延层、量子阱外延层、P型外延层,得到外延片结构,如图4A所示。
其中,生长衬底01可以为硅基底或蓝宝石基底或碳化硅基底等。
在形成成N型外延层、量子阱外延层、P型外延层后,对N型外延层、量子阱外延层、P型外延层图案化,形成多个垂直型发光二极管,如图4B所示。该垂直型发光二极管包括:N型半导体层211、量子阱层212以及P型半导体层213,其中,N型半导体层211位于N型外延层,量子阱层212位于量子阱外延层,P型半导体层213位于P型外延层。
将图案化的外延片结构键合到支撑衬底02表面,如图4C所示。
支撑衬底02可以为硅基底或蓝宝石基底或碳化硅基底,也可以为金属铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)或者它们的合金等。
去除生长衬底01,如图4D所示。
在上述形成的垂直型发光二极管的N型半导体层211远离量子阱层212的表面形成连接层220,并与另一个垂直型发光二极管键合,形成叠置的垂直型发光二极管,如图4E所示。
另一个垂直型发光二极管形成在生长衬底01上,且包括:依次远离生长衬底01的N型半导体层211、量子阱层212以及P型半导体层213。由此,在上述步骤中,可以实现使一个垂直型发光二极管的N型半导体层和另一个垂直型发光二极管的P型半导体层通过连接层220电连接。
需要说明的是,在形成叠置的垂直型发光二极管后,可以先去除生长衬底01或者支撑衬底02;然后将叠置的垂直型发光二极管键合到驱动背板上,然后再去除支撑衬底02或者生长衬底01。通过将多个包含至少两个叠置的垂直型发光二极管210的发光单元21直接键合到驱动背板,与相关技术中,将单个LED芯片一个个贴合在驱动背板上相比,简化了工艺,节省了制造成本。
在一些实施例中,请继续参阅图1,该显示基板100还包括:反射电极层3。反射电极层3位于垂直型发光二极管22与驱动背板1之间。
其中,反射电极层3使用的材料可以根据实际需要选择,本公开对此不做限制。
在一些示例中,反射电极层3的材料为铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、银(Ag)等。
在一些示例中,反射电极层3为Ni Ag交替叠层结构。
本领域技术人员可以理解的是,反射电极层3还可以采用其它具有较高反射率的金属。
本实施例中,通过在垂直型发光二极管22与驱动背板1之间设置反射电极层3,可以使得照射到反射电极层3的光线经过反射电极层3反射后出射,提高了光线利用率。
在一些实施例中,请继续参阅图1,该显示基板100还包括:绝缘结构4,位于多个发光单元21之间,且位于第一键合图案23和驱动背板1之间。通过绝缘结构4将多个发光单元21隔开,可以防止多个发光单元21之间产生电性串扰。
本公开的实施例还提供了一种封装基板200,如图5A和图5B所示。该封装基板200包括:基底10、电极连接层20以及第二键合图案30。
电极连接层20位于基底10的一侧。
示例性的,电极连接层20为透明结构。例如,电极连接层20的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌中的至少一者。
第二键合图案30位于电极连接层20远离基底10的一侧,且暴露出至少部分电极连接层20。
第二键合图案30使用的材料可以根据实际需要选择,本公开对此不做限制。
例如,第二键合图案30可以采用镍(Ni)和锡(Sn)作为制备材料,也可以采用银(Ag)和锡(Sn)作为制备材料,还可以采用金(Au)和锡(Sn)作为制备材料,还可以采用金(Au)的叠层作为制备材料,还可以采用共晶合金作为制备材料。
在一些实施例中,请继续参阅图5A和图5B,第二键合图案30包括第三图案层301和第四图案层302,第三图案层301位于第四图案层302远离基底10的一侧。
在一些示例中,第三图案层301的材料包括第三金属材料,第四图案层302的材料包括第四金属材料;第四金属材料的熔点高于第三金属材料的熔点。
示例性,第四金属材料为金(Au),第三金属材料为铟(In);或者,第四金属材料为银(Ag),第三金属材料为铟(In);或者,第四金属材料为铅(Pb),第三金属材料为铟(In);或者,第四金属材料为铜(Cu),第三金属材料为锡(Sn);或者,第四金属材料为金(Au),第三金属材料为铜(Cu),本公开对此不做限制。
在一些示例中,请继续参阅图5A和图5B,第三图案层301的尺寸大于第四图案层302的尺寸。
需要说明的是,上述“第三图案层301的尺寸大于第四图案层302的尺寸”是指:第三图案层301在驱动背板1上的正投影的面积大于,第四图案层302在驱动背板1上的正投影的面积。
在一些实施例中,请继续参阅图5A和图5B,该封装基板200还包括:多个透镜40。
示例性的,多个透镜40位于基底10和电极连接层20之间,第二键合图案30位于多个透镜40之间。
多个透镜40可用于改变入射至封装基板200的光线的传播方向。
在一些示例中,至少一个透镜40在基底10上的正投影的形状为圆形、正方形、菱形中的一种。当然,至少一个透镜40在基底10上的正投影的形状还可以为其它不规则的形状。
例如,如图5A所示,至少一个透镜40为凸透镜,透镜40远离基底10的表面为平面,透镜40远离基底10的表面为凸面。由此,使得透镜40具有汇聚光线的功能,可以改变入射至封装基板200的光线的传播方向。
例如,如图5B所示,至少一个透镜40为梯形结构。
在一些实施例中,请继续参阅图5A和图5B,基底10包括:衬底110、彩色滤光层120以及封装层130。
彩色滤光层120位于衬底110的一侧;封装层130位于彩色滤光层120远离位于衬底110的一侧;封装层130相对于彩色滤光层120更靠近电极连接层20。
在一些示例中,封装层130为SiNx、SiOx、光刻胶、或其他有机材料。
在一些示例中,请继续参阅图5A和图5B,彩色滤光层120包括多个彩色滤光部121,以及位于相邻的彩色滤光部121之间的遮光图案122。
在一些示例中,多个彩色滤光部121包括:红色滤光部123、蓝色滤光部124和绿色滤光部125。
其中,红色滤光部123、蓝色滤光部124和绿色滤光部125分别设置在不同的像素内。在相邻的彩色滤光部121之间设置遮光图案122,用于将红色滤光部123、蓝色滤光部124和绿色滤光部125间隔开,可以避免红色滤光部123、蓝色滤光部124和绿色滤光部125出射的光混色。
在一些示例中,遮光图案122为无机材料;在又一些示例中,遮光图案122为有机材料;在另一些示例中,遮光材料为金属铬或有机树脂。本公开实施例对此不做限制。
在一些示例中,请继续参阅图5A和图5B,第二键合图案30在衬底110上的正投影和遮光图案122在所述衬底110上的正投影至少部分地交叠。
需要说明的是,上述“第二键合图案30在衬底110上的正投影和遮光图案122在所述衬底110上的正投影至少部分地交叠”包括:第二键合图案30在衬底110上的正投影和遮光图案122在所述衬底110上的正投影部分交叠或者全部交叠两种情况。
在一些示例中,请继续参阅图5A和图5B,至少一个透镜40在衬底110上的正投影与彩色滤光部121在衬底110上的正投影至少部分交叠。由此,可以增加入射至彩色滤光部121的光线,从而提高光线利用率。
在一些实施例中,请继续参阅图5A和图5B,彩色滤光部121包括:层叠设置的彩膜层1211和量子点层1212。
其中,彩膜层1211相对于量子点层1212,更靠近衬底110。
在一些示例中,彩膜层1211包括利用有机光敏材料制造的彩色抗蚀剂,所述彩色抗蚀剂可以让特定波长范围的光通过而阻隔其他波长范围的光。
在一些示例中,量子点层1212包括量子点(Quantumdots,简称QDs),量子点在光源的激发下发光,且从量子点层1212出射的光为白光。
在入射至封装基板200的光为蓝色光时,量子点层可以包括红色量子点材料和绿色量子点材料,那么在蓝色光的激发下红色量子点材料发射红色光,绿色量子点材料发射绿色光,由此经过量子点层之后可以产生红色光、绿色光以及蓝色光的混色光。
本实施例中,彩色滤光部121包括:层叠设置的彩膜层1211和量子点层1212,入射至彩色滤光部121的光激发量子点层1212发光,在入射光的能量相同的情况下,提高了通过彩色滤光部121出射的光的亮度。
在彩色滤光部121包括:层叠设置的彩膜层1211和量子点层1212时,封装层130可对量子点层1212起到封装保护的作用,可以防止量子点层1212与外界环境接触,因而避免了外界环境中的水氧等影响量子点层1212中量子点的发光性能;多个透镜40可以改变入射至封装基板200的光线的传播方向,使更多的光线向彩色滤光部121汇聚,增加了入射至量子点层1212的光线,从而提高量子点材料的激发效率。
本公开的实施例还提供了一种显示装置1000,如图6所示。该显示装置1000包括:如上述的显示基板100以及,如上述的封装基板200。
在一些示例中,显示基板100中的第一键合图案23与封装基板200中的第二键合图案30键合,以使显示基板100中的多个透明电极22与封装基板200中的电极连接层20相接触。
在第一键合图案23包括叠置的第一图案层231和第二图案层232,第二键合图案30包括第三图案层301和第四图案层302时,第一图案层231包含的第一金属材料和第四图案层302包含的第四金属材料可以相同也可以不同;第二图案层232包含的第二金属材料和第三图案层301包含的第三金属材料可以相同也可以不同。本公开的实施例对此不做限制。
在一些示例中,第一图案层231包含的第一金属材料和第四图案层302包含的第四金属材料相同,第二图案层232包含的第二金属材料和第三图案层301包含的第三金属材料相同。例如,第一金属材料和第四金属材料为金(Au),第二金属材料和第三金属材料为铟(In);或者,第一金属材料和第四金属材料为银(Ag),第二金属材料和第三金属材料为铟(In);或者,第一金属材料和第四金属材料为铅(Pb),第二金属材料和第三金属材料为铟(In);或者,第一金属材料和第四金属材料为铜(Cu),第二金属材料和第三金属材料为锡(Sn);或者,第一金属材料和第四金属材料为金(Au),第二金属材料和第三金属材料为铜(Cu)。
第一键合图案23与第二键合图案30可以采用共晶键合或者热压键合的方式实现键合。
本领域技术人员可以理解的是,共晶键合是一种基于金属材料的键合工艺,利用某些共晶合金相对单一合金组分熔融温度较低的特点,将其作为中间介质层。在较低的温度下,具有相似晶格的两种金属被加热到共晶温度以上时,界面处的原子会相互扩散形成共晶合金层。热压键合中没有液态金属的参与,即在键合界面发生固态扩散,是一种没有中间产物的金属键合。在热压键合种,两晶圆表面金属分子的扩散速率与金属种类、温度、压力和表面粗糙度关系紧密,加热和加压都有助于提升扩散速率,作用均匀的压力能提高键合良率。
示例性的,请继续参阅图6,第一键合图案23与第二键合图案30键合时,第二图案层232与第三图案层301在较低的温度下,相互扩散形成共晶合金层240,由此实现了显示基板100与封装基板200的机械连接;在此基础上,第二图案层232的尺寸大于第一图案层231的尺寸,第三图案层301的尺寸大于第四图案层302的尺寸,第二图案层232与第三图案层301在相互扩散形成共晶合金层240时,可以进一步保证多个透明电极22通过共晶合金层240实现更好的电性连接,避免多个透明电极22之间出现连接不良的问题。
本实施例中,在通过第一键合图案23与第二键合图案30键合,从而实现了显示基板100与封装基板200的机械连接的同时,使显示基板100中的多个透明电极22与封装基板200中的电极连接层20相接触。
在一些示例中,该显示装置还包括1000还包括连接线和阴极环,电极连接层20通过连接线和阴极环电连接,从而从驱动背板引入信号和电源。
在一些示例中,请继续参阅图6,多个发光单元21在衬底110上的正投影和多个彩色滤光部121在所述衬底110上的正投影至少部分地交叠。
发光单元21发出的光线经过透镜40时,在透镜40的作用下,光线的传播方向发生改变,使得更多的光线向彩色滤光部121汇聚,增加了入射至量子点层1212的光线,从而提高量子点材料的激发效率。
可以理解的是,显示装置1000包括如上述的显示基板100以及,如上述的封装基板200,因此具有上述的全部有益效果,在此不再赘述。
在一些示例中,显示装置1000可以是显示不论运动(例如,视频)还是固定(例如,静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说,预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联,所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如,里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如,车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如,对于一件珠宝的图像的显示器)等。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种显示基板,其特征在于,包括:驱动背板,以及位于所述驱动背板一侧的发光器件层;
所述发光器件层包括:
多个发光单元;
多个透明电极,位于所述多个发光单元远离所述驱动背板的表面,且与所述多个发光单元电连接;
第一键合图案,至少位于所述多个透明电极之间;所述第一键合图案与至少一个透明电极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述第一键合图案还位于所述多个透明电极的周围。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,
所述第一键合图案包括多个网孔,一个网孔内设置有至少一个所述透明电极,且位于该网孔内的所述透明电极与所述网孔的孔壁电连接。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述第一键合图案包括叠置的第一图案层和第二图案层,所述第二图案层位于所述第一图案层远离所述驱动背板的一侧。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一图案层的材料包括第一金属材料,所述第二图案层的材料包括第二金属材料;
所述第一金属材料的熔点高于所述第二金属材料的熔点。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,
所述第二图案层的尺寸大于所述第一图案层的尺寸。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述发光单元包括:
至少两个叠置的垂直型发光二极管;以及,
位于两个所述垂直型发光二极管之间的连接层;
其中,所述垂直型发光二极管包括:N型半导体层、量子阱层以及P型半导体层;相邻的两个叠置的垂直型发光二极管中,一个垂直型发光二极管的N型半导体层和另一个垂直型发光二极管的P型半导体层通过所述连接层电连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,还包括:
反射电极层,位于所述垂直型发光二极管和所述驱动背板之间。
9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,还包括:
绝缘结构,位于所述多个发光单元之间,且位于所述第一键合图案和所述驱动背板之间。
10.一种封装基板,其特征在于,包括:
基底;
电极连接层,位于所述基底的一侧;以及,
第二键合图案,位于所述电极连接层远离所述基底的一侧,且暴露出至少部分所述电极连接层。
11.根据权利要求10所述的封装基板,其特征在于,
所述第二键合图案包括第三图案层和第四图案层,所述第三图案层位于所述第四图案层远离所述基底的一侧。
12.根据权利要求11所述的封装基板,其特征在于,
所述第三图案层的材料包括第三金属材料,所述第四图案层的材料包括第四金属材料;
所述第四金属材料的熔点高于所述第三金属材料的熔点。
13.根据权利要求11所述的封装基板,其特征在于,
所述第三图案层的尺寸大于所述所述第四图案层的尺寸。
14.根据权利要求10所述的封装基板,其特征在于,还包括:
多个透镜,位于所述基底和所述电极连接层之间;
其中,所述第二键合图案,至少位于所述多个透镜之间。
15.根据权利要求10~14中任一项所述的封装基板,其特征在于,所述基底包括:
衬底;
彩色滤光层,位于所述衬底的一侧;以及,
封装层,位于所述彩色滤光层远离所述衬底的一侧;
其中,所述封装层相对于所述彩色滤光层更靠近所述电极连接层。
16.根据权利要求15所述的封装基板,其特征在于,
所述彩色滤光层包括:多个彩色滤光部,以及位于相邻的彩色滤光部之间的遮光图案;
所述第二键合图案在所述衬底上的正投影和所述遮光图案在所述衬底上的正投影至少部分地交叠。
17.根据权利要求16所述的封装基板,其特征在于,
所述彩色滤光部包括:层叠设置的彩膜层和量子点层;
其中,所述彩膜层相对于所述量子点层,更靠近所述衬底。
18.一种显示装置,其特征在于,包括:
如上述权利要求1~9中任一项所述的显示基板;以及,
如上述权利要求10~17中任一项所述的封装基板;
其中,所述显示基板中的第一键合图案与所述封装基板中的第二键合图案键合,以使所述显示基板中的多个透明电极与所述封装基板中的电极连接层相接触。
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