CN114823331A - 一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备及其工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备及其工艺,包括安装台、控制箱和移动台,所述安装台的顶部安装有控制箱,所述安装台的顶部安装有安装箱,且安装箱位于控制箱的一侧,所述安装箱的内部安装有退火箱,所述退火箱的底部内壁上对称开设有滑槽,所述退火箱的底部内壁上通过滑槽安装有移动台,所述移动台的顶部安装有第一安装板,所述第一安装板的顶部开设有固定槽,所述固定槽的内壁上安装有转动轴,所述转动轴的顶部安装有支撑板,所述退火箱的内壁上安装有通气盒。本发明中将需要进行退火的三极管一端放在固定槽中,一端靠在支撑板上并通过限位板进行限位,从而使该三极管在进行移动时更加稳定。
Description
技术领域
本发明涉及三极管器件制造技术领域,具体为一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备及其工艺。
背景技术
放大倍数与贮存时间作为三极管最重要的参数之一,放大倍数应尽可能的高,以便用最少的基极电流得到最大的工作电流,同时给出尽可能低的饱和电压,这一就同时在输出和驱动电路中降损耗,但是考虑到开关速度和电流容限就必须对放大倍数做出限制,所以在日常生产过程中必须对放大倍数进行严格的控制。
现有氮氢退火设备及其工艺的缺陷是:
1、专利文件CN215725065U公开了一种箱式退火炉,“包括箱式退火炉本体,在箱式退火炉本体上设有底座,底座的上方一侧设有温控箱体,温控箱体的内壁等间距设有温控管,温控箱体的一端端口设有箱门,箱门的与温控箱体衔接的一侧表面设有衔接板,衔接板下方与温控箱体顶部之间设有液压驱动油缸,底座的上方另一侧对称设有移动滑轨,移动滑轨上方设有载物槽,载物槽底部的防脱头内设有螺纹杆,螺纹杆的一端端头设有液压驱动电机,液压驱动电机驱动载物槽的进出,该箱式退火炉可以适用于不同零部件的退火加工,实现自动上料,自动退料,退火处理效果好。”但是该退火炉在零件进行加工时,没有安装限位装置,会导致零件出现移动,从而会影响零件的加工。
2、专利文件CN205740735U公开了一种高均匀度箱式退火炉,“属于光学材料热处理技术领域。它主要是解决现有退火技术中的退火均匀性差的问题。它的主要特征是:所述箱式退火炉是水平截面为正方形的立方体型箱式退火炉;箱式退火炉炉膛沿四周各壁设有发热元件,发热元件外设有导热板;箱式退火炉炉膛中部设置有立体加热柱,加热柱固定在穿越顶部的旋转轴上,旋转轴与炉外的传动装置连接。大大提高退火炉的温场均匀性,升温和降温时制品能快速与温场保持一致的温度,制品的中心和表面温度也更趋于一致。使用本实用新型退火的制品,不仅个体均匀性好,整炉制品都具有高度一致性,适合用于高端光学设备的制品退火。”但是该退火炉不可以加入氮氢气体,从而会影响零件的退火效果。
3、专利文件CN210367787U公开了一种箱式退火炉,“包括具有炉膛的内壳、设置在炉膛内的料架、以及导流***,导流***包括设置在炉膛顶部并沿竖直方向延伸的吸风导流盘、位于吸风导流管上方的离心风机、套设在离心风机周侧外部的导流***,导流***包括为水平设置的上盖板和下盖板,上盖板和下盖板之间设置有若干相对离心风机呈涡流状的导流隔板,上盖板、下盖板、导流隔板围成为多个水平导流通道,导流***还包括设置在炉膛周侧的竖直导流通道,竖直导流通道中设置有加热装置,炉膛的内壁还设置有若干沿水平方向延伸的喷射管。该箱式退火炉能够保证气流按均匀的流量和流速进入炉膛内,炉内温度较为均匀,提高传热效率,减少退火处理的时间。”但是该退火炉,不可以适应多种退火零件,适用范围较低。
4、专利文件CN212725240U公开了一种温控箱式退火炉,“包括退火炉本体、电压表和散热扇,所述退火炉本体的下侧固定有第一橡胶垫,且第一橡胶垫的外侧设置有脚垫,所述退火炉本体的外侧安装有第二橡胶垫,且退火炉本体的前方左侧转动连接有炉门,所述电压表安装在退火炉本体上,所述退火炉本体的后侧焊接有固定板,且固定板的后侧一体化设置有固定杆,所述散热扇固定在固定板上,所述安装框的内部紧密贴合有安装块,所述连接圈的外侧焊接有散热框。该温控箱式退火炉,方便搬运和移动,能够有效保护抬升点,避免对退火炉造成伤害,且能够有效避免散热机构上落灰,便于安装和拆卸,方便清理,能够保证散热效果。”但是该退火炉没有安装快速排气管,加工完成后,内部的空气不可以快速排出。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备及其工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,包括安装台、控制箱和移动台,所述安装台的顶部安装有控制箱,所述安装台的顶部安装有安装箱,且安装箱位于控制箱的一侧,所述安装箱的内部安装有退火箱,所述退火箱的底部内壁上对称开设有滑槽,所述退火箱的底部内壁上通过滑槽安装有移动台;
所述移动台的顶部安装有第一安装板,所述第一安装板的顶部开设有固定槽,所述固定槽的内壁上安装有转动轴,所述转动轴的顶部安装有支撑板;
所述退火箱的内壁上安装有通气盒,所述退火箱的正面安装有密封门,所述安装箱的内部安装有固定箱。
优选的,所述安装台的底部对称安装有支撑腿。
优选的,所述控制箱的一侧安装有散热窗,控制箱的正面安装有控制面板。
优选的,所述安装箱的顶部安装有警示灯,安装箱的顶部贯穿安装有排气管,排气管的外侧贯穿安装有第一电磁阀,排气管的顶端安装有出气口。
优选的,所述退火箱的正面对称安装有安装件,且安装件的外侧通过活动件与密封门的外侧相连接,退火箱的两侧内壁上开设有安装槽,安装槽的内部安装有多个加热棒,退火箱的正面安装有连接件。
优选的,所述移动台的底部对称安装有滑块,且滑块与滑槽的内侧相嵌合,移动台的正面安装有移出把手。
优选的,所述支撑板的正面对称安装限位板,第一安装板的顶部安装有连接杆,连接杆的顶端安装有第二安装板。
优选的,所述通气盒的两侧贯穿安装有连接口,通气盒的内侧贯穿安装有安装壳,安装壳的正面贯穿安装有若干个出气头。
优选的,所述密封门的一侧安装有密封块,且密封块与退火箱的进料口内侧相嵌合,密封门的正面安装有固定板,固定板的一侧通过螺纹贯穿安装有螺纹杆,且螺纹杆的一端与连接件的正面螺纹口相嵌合螺纹杆的一端安装有转动盘。
优选的,所述固定箱的正面通过螺栓安装有拆卸门,固定箱的底部内壁上通过螺栓安装有氮气传输机构,氮气传输机构的输出端安装有氮气传输管,氮气传输管的外侧安装有第二电磁阀,氮气传输管的一端与连接口的一端相连接,固定箱的底部内壁上安装有氢气传输机构,且氢气传输机构位于氮气传输机构的一侧,氢气传输机构的输出端安装有氢气传输管,且氢气传输管的一端与另一连接口的一端相连接,氢气传输管的外侧贯穿安装有第三电磁阀。
优选的,该氮氢退火设备工艺如下:
S1、工作人员首先将该退火设备进行检查,检查是否出现影响使用的位置,通过旋转转动盘使螺纹杆进行转动,螺纹杆在进行转动时,螺纹杆的一端会离开连接件,向外用力将密封门打开;
S2、打开密封门之后,通过移出把手使移动台进行移动,从而带动顶部的第一安装板移出,第一安装板和第二安装板的顶部都开设有固定槽,固定槽的内部通过转动轴安装有支撑板,支撑板的正面对称安装有限位板,支撑板在转动轴的带动下可以进行转动,当支撑板需要进行使用时,通过转动与固定槽成九十度夹角,然后将需要进行退火的三极管一端放在固定槽中,一端靠在支撑板上并通过限位板进行限位,从而使该三极管在进行移动时更加稳定,同时在不需要进行使用时,可以将支撑板转动到固定槽中收起,使其他需要进行退火的零件也可以进行使用,放置完成之后,将其推进退火箱中,并通过密封门将退火箱关闭;
S3、通过控制面板对该退火设备进行控制,使该退火设备开始运行,安装箱顶部的警示灯会亮起,表示该退火设备正在运行,安装槽的中的加热棒会进行通电,加热棒在通电之后可以将电能转化为热能,对退火箱的内部进行加热,并通过控制面板来控制退火的时间和温度;
S4、在开始加热之间,工作人员利用控制面板将第二电磁阀打开,使氮气传输机构会将氮气进行传输,使氮气会通过氮气传输管进入到通气盒中,通气盒与安装壳相互连接,使氮气能够进入到安装壳中,安装壳的正面安装有多个出气头,氮气会从出气头中排到退火箱中,从而使退火箱中的空气被排出,使三极管可以更好的进行加工,然后将第三电磁阀打开,使氢气传输机构将氢气通过氢气传输管进入到通气盒中,最后从出气头喷出,氢气的渗透能力强,可以提高传热效率,通过从多个出气头中喷出,可以快速均匀的与三极管相接触,从而可以提高效率;
S5、三极管加热完成后,将第一电磁阀打开,将内部多余的气体放出,等到退火箱的内部冷却完成之后,将密封门打开,通过移出把手将其拉出进行出料。
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
1、本发明通过在移动台的顶部安装有第一安装板,第一安装板的顶部开设有固定槽,固定槽的内部通过转动轴安装有支撑板,支撑板的正面对称安装有限位板,支撑板在转动轴的带动下可以进行转动,当支撑板需要进行使用时,通过转动与固定槽成九十度夹角,然后将需要进行退火的三极管一端放在固定槽中,一端靠在支撑板上并通过限位板进行限位,从而使该三极管在进行移动时更加稳定。
2、本发明通过在固定箱的内部的安装有氮气传输机构和氢气传输机构,氮气传输机构用来将氮气进行传输,氢气传输机构用来将氢气斤进行传输,通过将氮气和氢气传输到退火箱中,可以使退火箱内部的三极管更好的进行加工,可以提高传入效率,使退火箱中的空气排出。
3、本发明中支撑板使通过转动轴活动安装在固定槽的内部,同时在不需要进行使用时,可以将支撑板转动到固定槽中收起,使其他需要进行退火的零件也可以进行使用,使该退火装置可以适用更多的零件加工,同时连接杆可以进行拆卸,使第二安装板可以取下,为其他零件的加工提供空间。
4、本发明通过在安装箱顶部贯穿安装有排气管,排气管的外侧安装有第一电磁阀,通过第一电磁阀可以将排气管打开,排气管的底端贯穿退火箱的顶部内壁,从而使退火箱的气体和热量能够快速排出。
附图说明
图1为本发明的立体结构示意图;
图2为本发明的控制箱结构示意图;
图3为本发明的排气管结构示意图;
图4为本发明的第一安装板内部结构示意图;
图5为本发明的A处结构示意图;
图6为本发明的通气盒结构示意图;
图7为本发明的密封门结构示意图;
图8为本发明的固定箱结构示意图。
图中:1、安装台;101、支撑腿;2、控制箱;201、散热窗;202、控制面板;3、安装箱;301、警示灯;302、排气管;303、第一电磁阀;304、出气口;4、退火箱;401、安装件;402、安装槽;403、加热棒;404、滑槽;405、连接件;5、移动台;501、滑块;502、移出把手;6、第一安装板;601、固定槽;602、转动轴;603、支撑板;604、限位板;605、连接杆;606、第二安装板;7、通气盒;701、连接口;702、安装壳;703、出气头;8、密封门;801、密封块;802、固定板;803、螺纹杆;804、转动盘;9、固定箱;901、拆卸门;902、氮气传输机构;903、氮气传输管;904、第二电磁阀;905、氢气传输机构;906、氢气传输管;907、第三电磁阀。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置有”、“连接”等,应做广义理解,例如“连接”,可以是固定连接或活动连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图1—4,本发明提供的一种实施例:一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备;
包括安装台1、控制箱2、安装箱3、退火箱4和移动台5,安装台1的顶部安装有控制箱2,安装台1的底部对称安装有支撑腿101,控制箱2的一侧安装有散热窗201,控制箱2的正面安装有控制面板202,安装台1的顶部安装有安装箱3,且安装箱3位于控制箱2的一侧,安装箱3的顶部安装有警示灯301,安装箱3的顶部贯穿安装有排气管302,排气管302的外侧贯穿安装有第一电磁阀303,排气管302的顶端安装有出气口304,安装台1为顶部的安装箱3和控制箱2提供安装位置,使其能够进行安装,支撑腿101起到支撑的作用,用来提高该设备的高度,控制箱2为控制元件提供安装位置,使其能够进行安装,散热窗201起到散热的作用,使控制箱2之后能够的热量能够散发,控制面板202用来对该设备进行控制,方便工作人员进行操作,安装箱3为退火箱4和固定箱9提供安装位置,使其能够进行安装,使该退火设备开始运行,安装箱3顶部的警示灯301会亮起,表示该退火设备正在运行,排气管302为退火箱4中的热量和气体排出提供空间,第一电磁阀303起到控制排气管302开关的作用,出气口304使气体能够排出,安装箱3的内部安装有退火箱4,退火箱4的底部内壁上对称开设有滑槽404,退火箱4的正面对称安装有安装件401,且安装件401的外侧通过活动件与密封门8的外侧相连接,退火箱4的两侧内壁上开设有安装槽402,安装槽402的内部安装有多个加热棒403,退火箱4的正面安装有连接件405,退火箱4的底部内壁上通过滑槽404安装有移动台5,移动台5的底部对称安装有滑块501,且滑块501与滑槽404的内侧相嵌合,移动台5的正面安装有移出把手502,退火箱4为三极管的退火提供空间,同时也为退火结构提供安装位置,安装件401为密封门8的活动安装提供位置,安装槽402为加热棒403的安装提供空间,加热棒403在通电之后可以将电能转化为动能,从而使退火箱4的内部温度升高,对三极管进行退火处理,滑槽404为滑块501的滑动提供空间,同时也具有导向的作用,连接件405为螺纹杆803的固定提供位置,移动台5为第一安装板6提供安装位置,使其能够进行安装,滑块501通过与滑槽404的内部相嵌合,使移动台5移动的更加稳定,移出把手502为移动台5的移出提供位置,方便工作人员将其拉出或推进。
请参阅图4和图5,本发明提供的一种实施例:一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备;
包括第一安装板6,移动台5的顶部安装有第一安装板6,第一安装板6的顶部开设有固定槽601,固定槽601的内壁上安装有转动轴602,转动轴602的顶部安装有支撑板603,支撑板603的正面对称安装限位板604,第一安装板6的顶部安装有连接杆605,连接杆605的顶端安装有第二安装板606,第一安装板6为固定槽601的开设位置,固定槽601用来放置三极管,支撑板603在转动轴602的带动下可以进行转动,当支撑板603需要进行使用时,通过转动与固定槽601呈九十度夹角,然后将需要进行退火的三极管一端放在固定槽601中,一端靠在支撑板603上并通过限位板604进行限位,从而使该三极管在进行移动时更加稳定,同时在不需要进行使用时,可以将支撑板603转动到固定槽601中收起,使其他需要进行退火的零件也可以进行使用,第二安装板606的顶部也安装三极管的支撑装置,也可以对三极管进行支撑。
请参阅图6—8,本发明提供的一种实施例:一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备;
包括通气盒7、密封门8和固定箱9,退火箱4的内壁上安装有通气盒7,通气盒7的两侧贯穿安装有连接口701,通气盒7的内侧贯穿安装有安装壳702,安装壳702的正面贯穿安装有若干个出气头703,退火箱4的正面安装有密封门8,密封门8的一侧安装有密封块801,且密封块801与退火箱4的进料口内侧相嵌合,密封门8的正面安装有固定板802,固定板802的一侧通过螺纹贯穿安装有螺纹杆803,且螺纹杆803的一端与连接件405的正面螺纹口相嵌合螺纹杆803的一端安装有转动盘804,通气盒7与安装壳702相互连接,使氮气能够进入到安装壳702中,安装壳702的正面安装有多个出气头703,氮气会从出气头703中排到退火箱4中,从而使退火箱4中的空气被排出,密封门8用来将退火箱4进行封闭,使空气不会进入到退火箱4中,密封块801起到密封的作用,固定板802为螺纹杆803的安装提供位置,通过旋转转动盘804使螺纹杆803进行转动,螺纹杆803在进行转动时,螺纹杆803的一端会离开连接件405,转动盘804为工作人员转动螺纹杆803提供位置,使工作人员在进行转动时更加方便,安装箱3的内部安装有固定箱9,固定箱9的正面通过螺栓安装有拆卸门901,固定箱9的底部内壁上通过螺栓安装有氮气传输机构902,氮气传输机构902的输出端安装有氮气传输管903,氮气传输管903的外侧安装有第二电磁阀904,氮气传输管903的一端与连接口701的一端相连接,固定箱9的底部内壁上安装有氢气传输机构905,且氢气传输机构905位于氮气传输机构902的一侧,氢气传输机构905的输出端安装有氢气传输管906,且氢气传输管906的一端与另一连接口701的一端相连接,氢气传输管906的外侧贯穿安装有第三电磁阀907,固定箱9为氮气传输机构902和氢气传输机构905提供安装位置,使其能够进行安装,通过将第二电磁阀904打开,氮气传输机构902会将氮气进行传输,氮气会进入到氮气传输管903中,氮气传输管903为氮气的传输提供空间,使氮气能够进入到通气盒7中,拆卸门901可以进行拆卸,方便工作人员对内部的设备进行维修,氢气传输机构905可以使氢气进行传输,第三电磁阀907可以将氢气传输管906打开,氢气可以进行传输,氢气传输管906为氢气的传输提供空间,使氢气能够进入到通气盒7中。
该氮氢退火设备工艺如下:
S1、工作人员首先将该退火设备进行检查,检查是否出现影响使用的位置,通过旋转转动盘804使螺纹杆803进行转动,螺纹杆803在进行转动时,螺纹杆803的一端会离开连接件405,向外用力将密封门8打开;
S2、打开密封门8之后,通过移出把手502使移动台5进行移动,从而带动顶部的第一安装板6移出,第一安装板6和第二安装板606的顶部都开设有固定槽601,固定槽601的内部通过转动轴602安装有支撑板603,支撑板603的正面对称安装有限位板604,支撑板603在转动轴602的带动下可以进行转动,当支撑板603需要进行使用时,通过转动与固定槽601呈九十度夹角,然后将需要进行退火的三极管一端放在固定槽601中,一端靠在支撑板603上并通过限位板604进行限位,从而使该三极管在进行移动时更加稳定,同时在不需要进行使用时,可以将支撑板603转动到固定槽601中收起,使其他需要进行退火的零件也可以进行使用,放置完成之后,将其推进退火箱4中,并通过密封门8将退火箱4关闭;
S3、通过控制面板202对该退火设备进行控制,使该退火设备开始运行,安装箱3顶部的警示灯301会亮起,表示该退火设备正在运行,安装槽402的中的加热棒403会进行通电,加热棒403在通电之后可以将电能转化为热能,对退火箱4的内部进行加热,并通过控制面板202来控制退火的时间和温度;
S4、在开始加热之间,工作人员利用控制面板202将第二电磁阀904打开,使氮气传输机构902会将氮气进行传输,使氮气会通过氮气传输管903进入到通气盒7中,通气盒7与安装壳702相互连接,使氮气能够进入到安装壳702中,安装壳702的正面安装有多个出气头703,氮气会从出气头703中排到退火箱4中,从而使退火箱4中的空气被排出,使三极管可以更好的进行加工,然后将第三电磁阀907打开,使氢气传输机构905将氢气通过氢气传输管906进入到通气盒7中,最后从出气头703喷出,氢气的渗透能力强,可以提高传热效率,通过从多个出气头703中喷出,可以快速均匀的与三极管相接触,从而可以提高效率;
S5、三极管加热完成后,将第一电磁阀303打开,将内部多余的气体放出,等到退火箱4的内部冷却完成之后,将密封门8打开,通过移出把手502将其拉出进行出料。
工作原理:在使用用于三极管器件制造的氮氢退火设备前,应先检查该用于三极管器件制造的氮氢退火设备是否存在影响使用的问题,首先将用于三极管器件制造的氮氢退火设备放置到需要进行使用的位置,通过将转动盘804进行转动,使密封门8打开,将移动台5移出,将需要进行加工的三极管放置在固定槽601中,通过支撑板603对其进行支撑,限位板604会对其进行限位,使三极管更加稳定,而且使三极管有更多的面积进行受热加工,通过控制面板202对该退火设备进行控制,使该退火设备开始运行,安装箱3顶部的警示灯301会亮起,表示该退火设备正在运行,安装槽402的中的加热棒403会进行通电,加热棒403在通电之后可以将电能转化为热能,对退火箱4的内部进行加热,并通过控制面板202来控制退火的时间和温度。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (11)
1.一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,包括安装台(1)、控制箱(2)和移动台(5),其特征在于:所述安装台(1)的顶部安装有控制箱(2),所述安装台(1)的顶部安装有安装箱(3),且安装箱(3)位于控制箱(2)的一侧,所述安装箱(3)的内部安装有退火箱(4),所述退火箱(4)的底部内壁上对称开设有滑槽(404),所述退火箱(4)的底部内壁上通过滑槽(404)安装有移动台(5);
所述移动台(5)的顶部安装有第一安装板(6),所述第一安装板(6)的顶部开设有固定槽(601),所述固定槽(601)的内壁上安装有转动轴(602),所述转动轴(602)的顶部安装有支撑板(603);
所述退火箱(4)的内壁上安装有通气盒(7),所述退火箱(4)的正面安装有密封门(8),所述安装箱(3)的内部安装有固定箱(9)。
2.根据权利要求1所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,其特征在于:所述安装台(1)的底部对称安装有支撑腿(101)。
3.根据权利要求1所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,其特征在于:所述控制箱(2)的一侧安装有散热窗(201),控制箱(2)的正面安装有控制面板(202)。
4.根据权利要求1所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,其特征在于:所述安装箱(3)的顶部安装有警示灯(301),安装箱(3)的顶部贯穿安装有排气管(302),排气管(302)的外侧贯穿安装有第一电磁阀(303),排气管(302)的顶端安装有出气口(304)。
5.根据权利要求1所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,其特征在于:所述退火箱(4)的正面对称安装有安装件(401),且安装件(401)的外侧通过活动件与密封门(8)的外侧相连接,退火箱(4)的两侧内壁上开设有安装槽(402),安装槽(402)的内部安装有多个加热棒(403),退火箱(4)的正面安装有连接件(405)。
6.根据权利要求1所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,其特征在于:所述移动台(5)的底部对称安装有滑块(501),且滑块(501)与滑槽(404)的内侧相嵌合,移动台(5)的正面安装有移出把手(502)。
7.根据权利要求1所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,其特征在于:所述支撑板(603)的正面对称安装限位板(604),第一安装板(6)的顶部安装有连接杆(605),连接杆(605)的顶端安装有第二安装板(606)。
8.根据权利要求1所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,其特征在于:所述通气盒(7)的两侧贯穿安装有连接口(701),通气盒(7)的内侧贯穿安装有安装壳(702),安装壳(702)的正面贯穿安装有若干个出气头(703)。
9.根据权利要求1所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,其特征在于:所述密封门(8)的一侧安装有密封块(801),且密封块(801)与退火箱(4)的进料口内侧相嵌合,密封门(8)的正面安装有固定板(802),固定板(802)的一侧通过螺纹贯穿安装有螺纹杆(803),且螺纹杆(803)的一端与连接件(405)的正面螺纹口相嵌合螺纹杆(803)的一端安装有转动盘(804)。
10.根据权利要求1所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备,其特征在于:所述固定箱(9)的正面通过螺栓安装有拆卸门(901),固定箱(9)的底部内壁上通过螺栓安装有氮气传输机构(902),氮气传输机构(902)的输出端安装有氮气传输管(903),氮气传输管(903)的外侧安装有第二电磁阀(904),氮气传输管(903)的一端与连接口(701)的一端相连接,固定箱(9)的底部内壁上安装有氢气传输机构(905),且氢气传输机构(905)位于氮气传输机构(902)的一侧,氢气传输机构(905)的输出端安装有氢气传输管(906),且氢气传输管(906)的一端与另一连接口(701)的一端相连接,氢气传输管(906)的外侧贯穿安装有第三电磁阀(907)。
11.根据权利要求1-10任意一项所述的一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备的工艺,其特征在于,该氮氢退火设备工艺如下:
S1、工作人员首先将该退火设备进行检查,检查是否出现影响使用的位置,通过旋转转动盘(804)使螺纹杆(803)进行转动,螺纹杆(803)在进行转动时,螺纹杆(803)的一端会离开连接件(405),向外用力将密封门(8)打开;
S2、打开密封门(8)之后,通过移出把手(502)使移动台(5)进行移动,从而带动顶部的第一安装板(6)移出,第一安装板(6)和第二安装板(606)的顶部都开设有固定槽(601),固定槽(601)的内部通过转动轴(602)安装有支撑板(603),支撑板(603)的正面对称安装有限位板(604),支撑板(603)在转动轴(602)的带动下可以进行转动,当支撑板(603)需要进行使用时,通过转动与固定槽(601)呈九十度夹角,然后将需要进行退火的三极管一端放在固定槽(601)中,一端靠在支撑板(603)上并通过限位板(604)进行限位,从而使该三极管在进行移动时更加稳定,同时在不需要进行使用时,可以将支撑板(603)转动到固定槽(601)中收起,使其他需要进行退火的零件也可以进行使用,放置完成之后,将其推进退火箱(4)中,并通过密封门(8)将退火箱(4)关闭;
S3、通过控制面板(202)对该退火设备进行控制,使该退火设备开始运行,安装箱(3)顶部的警示灯(301)会亮起,表示该退火设备正在运行,安装槽(402)的中的加热棒(403)会进行通电,加热棒(403)在通电之后可以将电能转化为热能,对退火箱(4)的内部进行加热,并通过控制面板(202)来控制退火的时间和温度;
S4、在开始加热之间,工作人员利用控制面板(202)将第二电磁阀(904)打开,使氮气传输机构(902)会将氮气进行传输,使氮气会通过氮气传输管(903)进入到通气盒(7)中,通气盒(7)与安装壳(702)相互连接,使氮气能够进入到安装壳(702)中,安装壳(702)的正面安装有多个出气头(703),氮气会从出气头(703)中排到退火箱(4)中,从而使退火箱(4)中的空气被排出,使三极管可以更好的进行加工,然后将第三电磁阀(907)打开,使氢气传输机构(905)将氢气通过氢气传输管(906)进入到通气盒(7)中,最后从出气头(703)喷出,氢气的渗透能力强,可以提高传热效率,通过从多个出气头(703)中喷出,可以快速均匀的与三极管相接触,从而可以提高效率;
S5、三极管加热完成后,将第一电磁阀(303)打开,将内部多余的气体放出,等到退火箱(4)的内部冷却完成之后,将密封门(8)打开,通过移出把手(502)将其拉出进行出料。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115325834A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-11-11 | 海安天一智控设备有限公司 | 一种连续退火炉明火段无氧化加热装置 |
Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0602995A2 (en) * | 1992-12-17 | 1994-06-22 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Process and apparatus for manufacturing MOS device |
CN2369189Y (zh) * | 1999-02-04 | 2000-03-15 | 王黎明 | 燃气井式气体渗碳炉 |
JP2002075901A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Tokyo Electron Ltd | アニール装置、メッキ処理システム、および半導体デバイスの製造方法 |
JP2003100763A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 石英製プロセスチューブを有する熱処理炉 |
JP2004018215A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Tokyo Electron Ltd | フラット・パネル・ディスプレイ用熱処理装置及び熱処理方法 |
JP2006165304A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 水蒸気アニール装置とこの装置における水蒸気導入方法 |
JP2010098283A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2011146704A (ja) * | 2011-01-08 | 2011-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 |
JP2014060305A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びこのリークチェック方法 |
WO2015037748A1 (ko) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | 주식회사 테라세미콘 | 열처리 장치 및 이를 구비한 열처리 시스템 |
US20160273836A1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-09-22 | Tokyo Electron Limited | Clamp apparatus, substrate carry-in/out apparatus using the same, and substrate processing apparatus |
US20170011922A1 (en) * | 2015-07-06 | 2017-01-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Apparatus and method for light-irradiation heat treatment |
JP2017092099A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
CN108383365A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-08-10 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种石英玻璃的退火方法 |
CN110259947A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-09-20 | 临安泰华机械设备有限公司 | 一种热处理退火炉的密封结构 |
CN210151172U (zh) * | 2019-07-08 | 2020-03-17 | 浙江昊昌特材科技有限公司 | 一种蓄热式环保型不锈钢管退火炉 |
US20200286757A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-10 | Dsgi Technologies, Inc. | Apparatus for annealing semiconductor integrated circuit wafers |
CN112614793A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-06 | 杭州黄俊环保科技有限公司 | 一种退火炉双燃料在线快速切换装置 |
CN213866385U (zh) * | 2020-11-05 | 2021-08-03 | 新余雄达机械有限公司 | 一种可控气氛箱式气体渗碳炉 |
CN214032758U (zh) * | 2020-12-18 | 2021-08-24 | 靖江嘉仕德炉业有限公司 | 一种带有安全监测模块的全氢罩式退火炉 |
CN113451182A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-09-28 | 江苏晟驰微电子有限公司 | 一种芯片生产用扩散炉温控恒温*** |
CN215725065U (zh) * | 2021-09-17 | 2022-02-01 | 咸阳永安金属制品有限公司 | 一种箱式退火炉 |
-
2022
- 2022-04-22 CN CN202210428801.2A patent/CN114823331B/zh active Active
Patent Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0602995A2 (en) * | 1992-12-17 | 1994-06-22 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Process and apparatus for manufacturing MOS device |
CN2369189Y (zh) * | 1999-02-04 | 2000-03-15 | 王黎明 | 燃气井式气体渗碳炉 |
JP2002075901A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Tokyo Electron Ltd | アニール装置、メッキ処理システム、および半導体デバイスの製造方法 |
JP2003100763A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 石英製プロセスチューブを有する熱処理炉 |
JP2004018215A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Tokyo Electron Ltd | フラット・パネル・ディスプレイ用熱処理装置及び熱処理方法 |
JP2006165304A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 水蒸気アニール装置とこの装置における水蒸気導入方法 |
JP2010098283A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2011146704A (ja) * | 2011-01-08 | 2011-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 |
JP2014060305A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びこのリークチェック方法 |
WO2015037748A1 (ko) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | 주식회사 테라세미콘 | 열처리 장치 및 이를 구비한 열처리 시스템 |
US20160273836A1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-09-22 | Tokyo Electron Limited | Clamp apparatus, substrate carry-in/out apparatus using the same, and substrate processing apparatus |
US20170011922A1 (en) * | 2015-07-06 | 2017-01-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Apparatus and method for light-irradiation heat treatment |
JP2017092099A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
CN108383365A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-08-10 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种石英玻璃的退火方法 |
US20200286757A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-10 | Dsgi Technologies, Inc. | Apparatus for annealing semiconductor integrated circuit wafers |
CN110259947A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-09-20 | 临安泰华机械设备有限公司 | 一种热处理退火炉的密封结构 |
CN210151172U (zh) * | 2019-07-08 | 2020-03-17 | 浙江昊昌特材科技有限公司 | 一种蓄热式环保型不锈钢管退火炉 |
CN213866385U (zh) * | 2020-11-05 | 2021-08-03 | 新余雄达机械有限公司 | 一种可控气氛箱式气体渗碳炉 |
CN112614793A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-06 | 杭州黄俊环保科技有限公司 | 一种退火炉双燃料在线快速切换装置 |
CN214032758U (zh) * | 2020-12-18 | 2021-08-24 | 靖江嘉仕德炉业有限公司 | 一种带有安全监测模块的全氢罩式退火炉 |
CN113451182A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-09-28 | 江苏晟驰微电子有限公司 | 一种芯片生产用扩散炉温控恒温*** |
CN215725065U (zh) * | 2021-09-17 | 2022-02-01 | 咸阳永安金属制品有限公司 | 一种箱式退火炉 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
杜飞等: "辊底式连续光亮退火炉密封性分析", 《工业炉》 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115325834A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-11-11 | 海安天一智控设备有限公司 | 一种连续退火炉明火段无氧化加热装置 |
CN115325834B (zh) * | 2022-08-17 | 2023-11-21 | 海安天一智控设备有限公司 | 一种连续退火炉明火段无氧化加热装置 |
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CN114823331B (zh) | 2023-03-03 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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