CN114816099A - 电子装置 - Google Patents
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- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 164
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
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Abstract
一种电子装置包含柔性基板。柔性基板包含触控区及周边区。触控区包含多个第一电极、多个绝缘层、多个第二电极及多条金属线。多个第一电极包含第一纳米银导电层及第一导电薄层。第一导电薄层位于第一纳米银导电层之上。多个绝缘层位于多个第一电极之上。多个第二电极位于多个绝缘层之上，并包含第二纳米银导电层及第二导电薄层。第二导电薄层位于第二纳米银导电层之上。多个绝缘层用以隔绝多个第一电极及多个第二电极。多个第一电极及多个第二电极至少其中一者于周边区与多个金属线耦接。本案提供一种电子装置，借以改善挠性面板的感测器结构厚度及电阻值太高的问题。
Description
技术领域
本案涉及一种电子装置。详细而言，本案涉及一种触控技术领域的电子装置。
背景技术
现有触控技术朝超薄挠性面板发展，多数可挠性面板的感测器结构厚度太厚以致于影响显示画面，再者，由于多数可挠性面板的感测器的电阻值太高，面板无法满足现有触控笔的感应侦测。根据CN106919278A先前技术可知，降低架桥的厚度、提高面板制程的良率及维持适当的电阻值等问题为当前超薄挠性面板所待解决的课题。
因此，上述技术尚存诸多缺陷，而有待本领域从业人员研发出其余适合的挠性面板结构。
发明内容
本案的一面向涉及一种电子装置。电子装置包含柔性基板。柔性基板包含触控区及周边区。触控区包含多个第一电极、多个绝缘层、多个第二电极及多个金属线。多个第一电极包含第一纳米银导电层及第一导电薄层。第一导电薄层位于第一纳米银导电层之上。多个绝缘层位于多个第一电极之上。多个第二电极位于多个绝缘层之上，并包含第二纳米银导电层及第二导电薄层。第二导电薄层位于第二纳米银导电层之上。多个绝缘层用以隔绝多个第一电极及多个第二电极。多个第一电极及多个第二电极至少其中一者于周边区与多个金属线耦接。
在一些实施例中，多个金属线包含铜。多个金属线的电阻值介于0.001Ω至1Ω。
在一些实施例中，第一导电薄层及第二导电薄层均包含银。第一导电薄层及该第二导电薄层的厚度均介于1nm至50nm。
在一些实施例中，第一导电薄层及该第二导电薄层的厚度介于3nm至25nm。
在一些实施例中，第一导电薄层及该第二导电薄层的厚度介于3nm至15nm。
在一些实施例中，第一导电薄层及第一纳米银导电层的复合电阻值介于0.001Ω至50Ω。
在一些实施例中，第二导电薄层及第二纳米银导电层的复合电阻值介于0.001Ω至50Ω。
在一些实施例中，触控区还包含光阻混合覆盖层。光阻混合覆盖层覆盖于第二纳米银导电层之上。
在一些实施例中，光阻混合覆盖层的厚度介于0.001μm至3μm。
在一些实施例中，柔性基板包含聚酰亚胺及环烯烃聚合物。
在一些实施例中，触控区还包含缓冲层。缓冲层位于柔性基板及第一纳米银导电层之间。
在一些实施例中，缓冲层的厚度介于0.001μm至3μm。
本案的另一面向涉及一种电子装置。电子装置包含柔性基板。柔性基板包含触控区及周边区。触控区包含多个第一电极、多个绝缘层、多个第二电极及至少一导电薄层。多个第一电极包含第一纳米银导电层。多个绝缘层位于多个第一电极之上。多个第二电极位于多个绝缘层之上。多个第二电极包含第二纳米银导电层。至少一导电薄层位于第一纳米银导电层或第二纳米银导电层之上。多个绝缘层用以隔绝多个第一电极及多个第二电极。
综上所述，本案提供一种电子装置，借以改善挠性面板的感测器结构厚度及电阻值太高的问题。
以上所述仅是用以阐述本案所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本案的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
附图说明
参照后续段落中的实施方式以及下列附图，当可更佳地理解本案的内容：
图1为根据本案一些实施例绘示的电子装置的部分结构图俯视示意图；
图2A为根据本案一些实施例绘示的电子装置的部分结构剖面示意图；
图2B为根据本案一些实施例绘示的电子装置的部分结构剖面示意图；
图2C为根据本案一些实施例绘示的电子装置的部分结构剖面示意图；图3为根据本案一些实施例绘示的部分结构剖面放大示意图；以及图4为根据本案一些实施例绘示的金属线示意图。
【符号说明】
100：电子装置
M1：多个第一电极
M2：多个第二电极
110：金属线
120：第一纳米银导电层
121：第一导电薄层
130：绝缘层
140：第二纳米银导电层
141：第二导电薄层
150：柔性基板
160：缓冲层
170：光阻混合覆盖层
180：钝化层
190：阻水阻气层
191：第一阻水阻气层
192：第二阻水阻气层
AA’：剖面线
D：触控区
P：周边区
L：边界线
Z：剖面放大图
410：金属线
420：金属线
具体实施方式
以下将以附图及详细叙述清楚说明本案的精神，任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本案的实施例后，当可由本案所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本案的精神与范围。
本文的用语只为描述特定实施例，而无意为本案的限制。单数形式如“一”、“这”、“此”、“本”以及“该”，如本文所用，同样也包含复数形式。
关于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等，均为开放性的用语，即意指包含但不限于。
关于本文中所使用的用词(terms)，除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在本案的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本案的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本案的描述上额外的引导。
图1为根据本案一些实施例绘示的电子装置的部分结构图俯视示意图。在一些实施例中，如图1所示，电子装置100可为面板及显示装置。
电子装置100包含柔性基板。柔性基板包含触控区及周边区。触控区包含多个第一电极M1、多个绝缘层及多个第二电极M2。须说明的是，多绝缘层位于多个第一电极M1及多个第二电极M2的交叉点。
图2A为根据本案一些实施例绘示的电子装置的部分结构剖面图。请同时参阅图1及图2A，图2A为图1的电子装置100的AA’线剖面图。
在一些实施例中，请参阅图2A，电子装置100包含柔性基板150、第一纳米银导电层120、绝缘层130、第二纳米银导电层140、金属线110、光阻混合覆盖层170、钝化层180及阻水阻气层190。
在一些实施例中，请参阅图2A，第一纳米银导电层120位于柔性基板150之上，并且柔性基板150的材料为聚酰亚胺及环烯烃聚合物，因此，柔性基板150具有良好的可挠性及于光学上有高穿透率。在一实施例中，柔性基板150的厚度介于0.001μm至50μm。在另一实施例中，柔性基板150的厚度介于2μm至25μm。在又一实施例中，柔性基板150的厚度介于3μm至10μm。
在一些实施例中，电子装置100还包含缓冲层160。缓冲层160位于柔性基板150及第一纳米银导电层120之间。在一实施例中，缓冲层160的厚度介于0.001μm至3μm。在另一实施例中，缓冲层160的厚度介于0.01μm至1.5μm。在又一实施例中，缓冲层160的厚度介于0.02μm至1μm。须说明的是，于制程中根据柔性基板150对溶剂的抗酸碱能力及实际需求将缓冲层160设计于电子装置100。
在一些实施例中，请参阅图1及图2A，多个第一电极M1包含第一纳米银导电层120及第一导电薄层121。第一导电薄层121位于第一纳米银导电层120上。须说明的是，第一导电薄层包含银，并溅镀于第一纳米银导电层120的表面上。在一些实施例中，第一纳米银导电层120的物质性质接近于液体，第一导电薄层121可溶于第一纳米银导电层120中。在一些实施例中，第一导电薄层121的厚度介于1nm至50nm。又一些实施例中，第一导电薄层121的厚度介于3nm至25nm。另一些实施例中，第一导电薄层121的厚度介于3nm至15nm。须说明的是，第一导电薄层121可降低电阻值，超过此厚度范围将影响光学的穿透率。在一些实施例中，第一纳米银导电层120小于等于100nm。
在一些实施例中，第一纳米银导电层120加上第一导电薄层121的复合电阻值介于0.001Ω至50Ω。在另一些实施例中，第一纳米银导电层120加上第一导电薄层121的复合电阻值介于3Ω至30Ω。在又一些实施例中，第一纳米银导电层120加上第一导电薄层121的复合电阻值介于5Ω至20Ω。
在一些实施例中，请参阅图1及图2A，多个第二电极M2包含第二纳米银导电层140及第二导电薄层141。第二导电薄层141位于第二纳米银导电层140上。须说明的是，第二导电薄层包含银，并溅镀于第二纳米银导电层140的表面上。在一些实施例中，第二纳米银导电层140的物质性质接近于液体，第二导电薄层141可溶于第二纳米银导电层140中。在一些实施例中，第二导电薄层141的厚度介于1nm至50nm。又一些实施例中，第二导电薄层141的厚度介于3nm至25nm。另一些实施例中，第二导电薄层141的厚度介于3nm至15nm。须说明的是，第二导电薄层141可降低电阻值，超过此厚度范围将影响光学的穿透率。在一些实施例中，第二纳米银导电层140小于等于100nm。
在一些实施例中，第二纳米银导电层140加上第二导电薄层141的复合电阻值介于0.001Ω至50Ω。在另一些实施例中，第二纳米银导电层140加上第二导电薄层141的复合电阻值介于3Ω至30Ω。在又一些实施例中，第二纳米银导电层140加上第二导电薄层141的复合电阻值介于5Ω至20Ω。
在一些实施例中，请参阅图2A，第一纳米银导电层120及第二纳米银导电层140可进行弯折并于光学上有高穿透率。因此，第一纳米银导电层120跨接线的尺寸大小不需太大，不会有肉眼可视跨接线的问题。
在一些实施例中，须说明的是，第一纳米银导电层120用作跨接线，而第二纳米银导电层140及金属线110于制程时同时于周边区P及触控区D做出整个电路线路及图面(pattern)，且第二纳米银导电层140及金属线110于实作上采用同一光罩，因此，可以减少一道黄光制程。须说明的是，金属线110仅位于周边区P，并于边界线L与第一纳米银导电层120及第二纳米银导电层140其中至少一者耦接。在一些实施例中，金属线110的材质为铜。在一些实施例中，周边区P还包含第二纳米银导电层140，并以金属线110电镀于周边区P中的第二纳米银导电层140上。在一些实施例中，金属线110电镀于多个第一电极M1及多个第二电极M2之上。
在一些实施例中，制造第一导电薄层121及第二导电薄层141的制程步骤可为上述溅镀或蒸镀方式。
在一些实施例中，金属线110的电阻值介于0.001Ω至1Ω。在另一些实施例中，金属线110的电阻值介于0.01Ω至0.8Ω。在又一些实施例中，金属线110的电阻值介于0.1Ω至0.5Ω。
在一些实施例中，绝缘层130位于第一纳米银导电层120及第二纳米银导电层140之间，并用以隔绝第一纳米银导电层120及第二纳米银导电层140。在一些实施例中，绝缘层130的厚度介于0.001μm至3μm。在另一些实施例中，绝缘层130的厚度介于0.5μm至2.5μm。在又一些实施例中，绝缘层130的厚度介于0.8μm至1.7μm。
在一些实施例中，由于纳米银特性，需于第二纳米银导电层140上制成一层光阻混合覆盖层170，以保护第二纳米银导电层140防止受紫外光(Ultraviolet，UV)照射而分解。在一些实施例中，光阻混合覆盖层170于制程中包含高分子溶剂及光阻，使光阻混合覆盖层170可进行曝光制程及图形化，并作为触控区D的光阻混合覆盖层，此外，光阻混合覆盖层170不仅具有高透光性，于物理性质上具有可挠性。光阻混合覆盖层170的高分子溶剂于制程中将会被烤干。
在一些实施例中，光阻混合覆盖层170的厚度介于0.001μm至3μm。在另一些实施例中，光阻混合覆盖层170的厚度介于0.02μm至2.5μm。在又一些实施例中，光阻混合覆盖层170的厚度介于0.1μm至1.5μm。
在一些实施例中，钝化层180的厚度介于0.001μm至3μm。在另一些实施例中，钝化层180的厚度介于0.5μm至2.5μm。在又一些实施例中，钝化层180的厚度介于1μm至2.5μm。
在一些实施例中，阻水阻气层190用以防止水气进入，并包含第一阻水阻气层191及第二阻水阻气层192。在一些实施例中，第二阻水阻气层192位于第一阻水阻气层191之上。在一些实施例中，第一阻水阻气层191的材料为氮化硅(Si3N4)及第二阻水阻气层192的材料为二氧化硅(SiO2)。
在一些实施例中，第一阻水阻气层191的厚度介于0.001μm至1μm。在另一些实施例中，第一阻水阻气层191的厚度介于0.05μm至0.8μm。在又一些实施例中，第一阻水阻气层191的厚度介于0.1μm至0.7μm。
在一些实施例中，第二阻水阻气层192的厚度介于0.001μm至1μm。在另一些实施例中，第二阻水阻气层192的厚度介于0.05μm至0.8μm。在又一些实施例中，第二阻水阻气层192的厚度介于1μm至0.7μm。
图2B为根据本案一些实施例绘示的电子装置的部分结构剖面示意图。在一些实施例中，相较于图2A，至少一导电薄层121位于第一纳米银导电层120之上，其余结构与图2A的实施例相同，于此不作赘述。
图2C为根据本案一些实施例绘示的电子装置的部分结构剖面示意图。在一些实施例中，相较于图2A，至少一导电薄层141位于第二纳米银导电层140之上其余结构与图2A的实施例相同，于此不作赘述。
图3为根据本案一些实施例绘示的部分结构剖面放大示意图。在一些实施例中，如图3所示，图3对应至图2A中Z的放大图。Z为第一纳米银导电层120上溅镀第一导电薄层121或第二纳米银导电层140上溅镀第二导电薄层141的放大图。由于纳米银导电层中的纳米银线为散乱分布且具有良好的可挠性，并不会干扰视觉或产生莫列波纹(Moire pattern)。此外，银具有优越的导电性，较铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)能提供元件更快的反应速度。再者，可以控制纳米银线的分布密度，来提高光学上的穿透率。
图4为根据本案一些实施例绘示的金属线示意图。在一些实施例中，如图4所示，金属线410为15μm*15μm的搭接图形。金属线420为10μm*10μm的搭接图形。须说明的是，金属线410及金属线420以图4中搭接图形与上述第一纳米银导电层120及上述第二纳米银导电层140搭接。
依据前案实施例，本案提供一种电子装置，借以改善挠性面板的感测器结构厚度及电阻值太高的问题。
虽然本案以详细的实施例揭露如上，然而本案并不排除其他可行的实施态样。因此，本案的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准，而非受于前述实施例的限制。
对本领域技术人员而言，在不脱离本案的精神和范围内，当可对本案作各种的更动与润饰。基于前述实施例，所有对本案所作的更动与润饰，亦涵盖于本案的保护范围内。
Claims (13)
1.一种电子装置，其特征在于，包含：
一柔性基板，包含一触控区及一周边区；
其中该触控区，包含：
多个第一电极，所述多个第一电极包含一第一纳米银导电层及一第一导电薄层，其中该第一导电薄层位于该第一纳米银导电层之上；
多个绝缘层，位于所述多个第一电极之上；
多个第二电极，位于所述多个绝缘层之上，并包含一第二纳米银导电层及一第二导电薄层，其中该第二导电薄层位于该第二纳米银导电层之上，其中所述多个绝缘层用以隔绝所述多个第一电极及所述多个第二电极；以及
多个金属线，其中所述多个第一电极及所述多个第二电极至少其中一者于该周边区与所述多个金属线耦接。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个金属线包含铜，所述多个金属线的电阻值介于0.001Ω至1Ω。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该第一导电薄层及该第二导电薄层均包含银，其中该第一导电薄层及该第二导电薄层的厚度介于1nm至50nm。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，该第一导电薄层及该第二导电薄层的厚度介于3nm至25nm。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该第一导电薄层及该第二导电薄层的厚度介于3nm至15nm。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第一导电薄层及该第一纳米银导电层的复合电阻值介于0.001Ω至50Ω。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该第二导电薄层及该第二纳米银导电层的复合电阻值介于0.001Ω至50Ω。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该触控区还包含一光阻混合覆盖层，该光阻混合覆盖层覆盖于该第二纳米银导电层之上。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该光阻混合覆盖层的厚度介于0.001μm至3μm。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，柔性基板包含聚酰亚胺及环烯烃聚合物。
11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该触控区还包含一缓冲层，该缓冲层位于该柔性基板及该第一纳米银导电层之间。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，该缓冲层的厚度介于0.001μm至3μm。
13.一种电子装置，其特征在于，包含：
一柔性基板，包含一触控区及一周边区；
其中该触控区，包含：
多个第一电极，所述多个第一电极包含一第一纳米银导电层；
多个绝缘层，位于所述多个第一电极之上；
多个第二电极，位于所述多个绝缘层之上，所述多个第二电极包含一第二纳米银导电层；以及
至少一导电薄层，位于该第一纳米银导电层或该第二纳米银导电层之上；
其中所述多个绝缘层用以隔绝所述多个第一电极及所述多个第二电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
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| CN202110118193.0A Pending CN114816099A (zh) | 2021-01-28 | 2021-01-28 | 电子装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN114816099A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103870076A (zh) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | 明兴光电股份有限公司 | 触控面板及其制造方法 |
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