CN114695670A - 钙钛矿光电元件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供钙钛矿光电元件，此钙钛矿光电元件包含介面修饰层位于下载子传输层及钙钛矿活性层之间。介面修饰层由介面修饰层材料所构成，介面修饰层材料包含具有两性离子基团的聚乙烯亚胺，两性离子基团具有阳离子基团及阴离子基团；且，阳离子基团为选自由仲铵阳离子基、叔铵阳离子基及季铵阳离子基所组成组群中至少其中之一。当此介面修饰层积层在下载子传输层的上表面后，能使随后形成于介面修饰层上表面的钙钛矿活性层的涂布过程能够获得良好的涂布均匀性，并因而使得钙钛矿光电元件有良好的光电特性及环境稳定性。
Description
技术领域
本发明有关于一种钙钛矿光电元件，尤其是指包含有介面修饰层位于下载子传输层及钙钛矿活性层之间的钙钛矿光电元件。
背景技术
钙钛矿光电元件是具低成本且高功能性的光电元件，其可以制成包括太阳能电池、发光二极管及光感测器等，又因其可以湿式涂布制程生产且具有良好的光电性质而发展迅速。一般而言，钙钛矿光电元件的结构由下而上依序包含基板、下电极、下载子传输层、钙钛矿活性层、上载子传输层、上电极。
被广泛使用于下载子传输层的材料为空穴传输材料PTAA(poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine，聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺])，PTAA为弱极性因此其一般是溶解于非极性的苯类溶剂中例如甲苯，然而钙钛矿活性层的材料为HC(NH2)2I、CsI、PbI2、PbBr2，其为高极性因此一般是溶解于极性较大的DMF(Dimethylformamide，二甲基甲酰胺)中而形成高极性的钙钛矿活性层涂布液。因此，当高极性的钙钛矿活性层涂布液在涂布于弱极性PTAA所构成的下载子传输层的表面时，会遇到接触角太大所导致的无法良好湿润(wetting)问题，因而使得钙钛矿活性层涂布液在下载子传输层的表面呈现涂布不均匀，并且使得所构成的钙钛矿活性层的形貌发生各区域的厚度彼此不均匀或甚至出现裂痕，这导致钙钛矿光电元件的光电特性不佳例如PCE(power conversion efficiency，能量转换效率)较低，以及环境稳定性不良例如PCE于使用一段时间后下降过快。
为了解决上述涂布不均匀及/或裂痕问题，目前已知的方式是将下载子传输层经臭氧处理使其先形成高极性的表面之后再进行钙钛矿活性层涂布液的涂布。但是前述臭氧处理于实际上是会对下载子传输层造成伤害例如对下载子传输层表面造成不同深度的侵蚀，并且因而导致钙钛矿光电元件的光电特性不佳及环境稳定性不良。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种钙钛矿光电元件，使得下载子传输层不需经臭氧处理，且涂布后的所形成的钙钛矿活性层能够最佳地呈现均匀且无裂痕，因而本发明的钙钛矿光电元件具有良好的PCE及环境稳定性。
基于上述目的，本发明提供一种钙钛矿光电元件，至少包括：一下电极，积层于该下电极上方的一下载子传输层，积层于该下载子传输层上方的一介面修饰层，积层于该介面修饰层上方的一钙钛矿活性层，积层于该钙钛矿活性层上方的一上载子传输层，积层于该上载子传输层上方的一上电极；其中，该介面修饰层由一介面修饰层材料所构成，该介面修饰层材料包含一具有两性离子基团的聚乙烯亚胺，前述的两性离子基团具有阳离子基团及阴离子基团；且，该阳离子基团为选自由仲铵阳离子基、叔铵阳离子基及季铵阳离子基所组成组群中至少其中之一。
本发明首先将利用聚乙烯亚胺(线性聚乙烯亚胺linear PEI或分枝状聚乙烯亚胺branched PEI)的主链及侧链上的胺基的氮上的孤电子对与一改性剂进行反应，以形成前述具有两性离子(zwitterionic)基团的聚乙烯亚胺的介面修饰层材料，使得前述具有两性离子基团的聚乙烯亚胺的的主链及侧链上的胺基的氮上无孤电子对或只存在少量孤电子对，或者使得前述具有两性离子基团的聚乙烯亚胺的的主链及侧链上的胺基的氮上的孤电子对的数量少于聚乙烯亚胺的主链及侧链上的胺基的氮上的孤电子对的数量。换言之，本发明先将聚乙烯亚胺上的胺基，通过与该改性剂反应而转变成铵基。接着，将此介面修饰层材料形成介面修饰层积层于下载子修饰层的上方时，其能够有效降低钙钛矿活性层涂布液涂布在介面修饰层时的接触角的角度，因而使得钙钛矿活性层涂布液能够在介面修饰层获得更佳的涂布，并使得后续所完成的钙钛矿光电元件的光电特性及环境稳定性获得提升。
依据前述钙钛矿光电元件，其中，该介面修饰层材料更包含一添加聚合物，通过添加重量平均分子量(Mw)为30000～50000的该添加聚合物以提高介面修饰层涂布液的黏度，以更进一步改善涂布性。须说明的是，前述符号“～”代表介于端值之间且包含端值。该添加聚合物为选自由聚乙二醇(Polyethylene glycol，PEG)、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone，PVP)、聚乙烯咔唑(Polyvinylcarbazole，PVK)及聚(9,9-双(3'-(N,N-二甲基)-N-乙基铵-丙基-2,7-芴)-alt-2,7-(9,9-二辛基芴))二溴化物(Poly(9,9-bis(3'-(N,N-dimethyl)-N-ethylammoinium-propyl-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene))dibromide，PFN-Br)所组成组群中至少其中之一或其任意组合。
依据前述钙钛矿光电元件，其中，前述具有两性离子基团的聚乙烯亚胺与该添加聚合物的重量比例为1:5～1:0.5，也就是说该添加聚合物的重量是介于前述具有两性离子基团的聚乙烯亚胺的重量的0.5倍至5倍之间且包含端值。
依据前述钙钛矿光电元件，其中，该介面修饰层的厚度为0.1～5纳米。
依据前述钙钛矿光电元件，其中，该下载子传输层为一空穴传输层，该下载子传输层为一电子传输层。
依据前述钙钛矿光电元件，其中，该介面修饰层材料更包含一添加聚合物，该添加聚合物为聚乙烯吡咯烷酮，前述具有两性离子基团的聚乙烯亚胺与该聚乙烯吡咯烷酮的重量比例为1:5～1:0.5，也就是说该聚乙烯吡咯烷酮的重量是介于前述具有两性离子基团的聚乙烯亚胺的重量的0.5倍至5倍之间且包含端值，该介面修饰层的厚度为0.1～5纳米，该下载子传输层为一空穴传输层，且该下载子传输层为一电子传输层。
附图说明
图1为本发明的钙钛矿光电元件的结构示意图。
图2的(a)～(d)分别为比较例1及本发明实施例1～3的钙钛矿活性层形貌影像图。
图3为本发明实施例1～3及比较例1的钙钛矿光电元件的光稳定性测试图。
【符号说明】
1：钙钛矿光电元件
10：基板
20：下电极
30：下载子传输层
40：介面修饰层
50：钙钛矿活性层
60：上载子传输层
70：上电极
具体实施方式
以下通过较佳实施例详细说明本发明，以使本领域的通常知识者易于了解本发明的说明书所揭示的益处及功效。然而，实施例为示例，本发明并不限于此。
请参阅图1，本发明提供一种钙钛矿光电元件1，该钙钛矿光电元件1至少包括：一基板10，积层于该基板10上方的一下电极20，积层于该下电极20上方的一下载子传输层30，积层于该下载子传输层30上方的一介面修饰层40，积层于该介面修饰层40上方的一钙钛矿活性层50，积层于该钙钛矿活性层50上方的一上载子传输层60，积层于该上载子传输层60上方的一上电极70；其中，该介面修饰层40由一介面修饰层材料所构成，该介面修饰层材料包含一具有两性离子基团的聚乙烯亚胺，前述的两性离子基团具有阳离子基团及阴离子基团；且，该阳离子基团为选自由仲铵阳离子基、叔铵阳离子基及季铵阳离子基所组成组群中至少其中之一。
该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺可以如下式(I)所示：
[式(I)]
其中，
R1、R2及R3分别为H或由聚乙烯亚胺所形成的官能基，且R1、R2及R3中至少一者为由聚乙烯亚胺所形成的官能基；及
A-为经一阴离子取代的C1～C4烷基，该阴离子为氧阴离子(-O-)、羧酸根阴离子[-C(＝O)O-]、磺酸根阴离子[-S(＝O)(＝O)-O-]或磷酸根阴离子(-PO4 3-)。
该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺可由有三种方式制备：制备方式(A)，该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺由聚乙烯亚胺与改性剂进行反应所形成，该改性剂为环氧乙烷、酸酐、内酯、磺内酯或磷酸盐；制备方式(B)，该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺由聚乙烯亚胺与至少二个交联基团的化合物进行交联反应所形成；制备方式(C)，该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺依序由以下步骤所形成：聚乙烯亚胺与具有至少二个交联基团的化合物进行交联反应；接着，再与改性剂进行反应，该改性剂为内酯、磺内酯或磷酸盐。
为方便说明及理解，以下是以制备方式(A)作为实施方式的举例说明。
前述的该介面修饰层材料根据以下的一种介面修饰层材料的制造方法来制备。前述的该介面修饰层材料的制造方法可以是以下方法一或方法二的其中之一。
方法一：(1)依据聚乙烯亚胺及改性剂所对应的重量，准备聚乙烯亚胺及改性剂，前述聚乙烯亚胺可采用分支型聚乙烯亚胺(branched polyethylenimine，b-PEI)，分支型聚乙烯亚胺是由一、二、叔胺以33％：41％：26％的胺基比例组成，例如重量平均分子量约25000g/mol.Sigma-Aldrich，Product Number:408727，CAS Number:9002-98-6；(2)将已经准备好的聚乙烯亚胺及改性剂，置于反应瓶中，再加入20mL的2-丁醇搅拌溶解，于氮气统下以80℃持续加热12～16小时。方法一适用于后述的制备例1、制备例2及制备例3。
方法二：(1)依据聚乙烯亚胺(同方法一)、第一改性剂及第二改性剂所对应的重量，准备聚乙烯亚胺、第一改性剂及第二改性剂；(2)将已经准备好的聚乙烯亚胺及第一改性剂，置于反应瓶中，再加入20mL的2-丁醇搅拌溶解，于氮气统下以80℃持续加热12～16小时之后降至室温；(3)接着，再加入第二改性剂置于反应瓶中，于70℃持续加热16小时。方法二适用于后述的制备例4。
以下说明制备例1～5，其分别对应为聚合物1～4及混合聚合物1。
制备例1，根据前述方法一制备该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺的聚合物1，其中该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺(聚合物1)的阴离子基团为链上一个H被氧阴离子(-O-)基取代的具有2个碳的经取代烷基。于制备例1中，该改性剂为丙二醇二环氧丙酯(glycerol diglycidyl ether，别名为甘油二缩水甘油基醚)，聚乙烯亚胺的重量为1.0克，丙二醇二环氧丙酯的重量为0.5克。特别说明的是，聚合物1可以丙二醇二环氧丙酯为交联剂(cross-linker)彼此交联。因此，该两性离子基团的该阴离子基团为氧阴离子基，且该聚乙烯亚胺以环氧乙烷(Ethylene Oxide)为交联剂彼此交联，所述环氧乙烷为甘油二缩水甘油基醚(Glycerol diglycidyl ether)、丙二酚A二环氧甘油醚(bisphenol A diglycidylether)、1,4-丁二醇二缩水甘油醚(1,4-Butanediol diglycidyl ether)、聚丙二醇醚(poly(propylene glycol)diglycidyl ether)、聚(丙二醇)缩水甘油醚(polypropyleneglycol diglycidyl ether)或三羟甲基丙烷三缩水甘油醚(Trimethylolpropanetriglycidyl ether)
制备例2，根据前述方法一制备该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺的聚合物2，其中该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺(聚合物2)的阴离子基团为链上一个H被羧酸根阴离子(-C(＝O)O-)基取代的具有3个碳的经取代烷基。于制备例2中，该改性剂为戊二酸酐(Glutaric anhydride)，聚乙烯亚胺的重量为1.0克，戊二酸酐的重量为0.5克。当然类似地，聚合物2可以酸酐为交联剂彼此交联，而该两性离子基团的该阴离子基团为羧酸根阴离子基，且该聚乙烯亚胺以酸酐为交联剂彼此交联，所述酸酐为乙酸酐(Acetic anhydride)或顺丁烯二酸酐(Maleic anhydride)。
制备例3，根据前述方法一制备该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺的聚合物3，其中该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺(聚合物3)的阴离子基团为链上一个H被磺酸根阴离子(-S(＝O)(＝O)-O-)基取代的具有4个碳的未取代烷基。于制备例3中，该改性剂为1,4-丁烷磺酸内酯(1,4-Butanesultone)，聚乙烯亚胺的重量为1.0克，1,4-丁烷磺酸内酯的重量为0.5克。当然类似地，聚合物3可以磺内酯为交联剂彼此交联，而该两性离子基团的该阴离子基团为磺酸根阴离子基，且该聚乙烯亚胺以磺内酯为交联剂彼此交联，所述磺内酯为1,3-丙烷磺内酯(1,3-Propanesultone)或1,4-丁烷磺内酯(1,4-Butanesultone)。
制备例4，根据前述方法二制备该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺的聚合物4，其中该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺(聚合物4)的阴离子基团同时具有：链上一个H被氧阴离子(-O-)基取代的具有2个碳的经取代烷基，以及链上一个H被磺酸根阴离子(-S(＝O)(＝O)-O-)基取代的具有4个碳的未取代烷基。于制备例4中，该第一改性剂为丙二醇二环氧丙酯(glycerol diglycidyl ether)，该第二改性剂为1,4-丁烷磺酸内酯(1,4-Butanesultone)，聚乙烯亚胺的重量为1.0克，丙二醇二环氧丙酯的重量为0.25克，1,4-丁烷磺酸内酯的重量为0.25克。
制备例5，根据制备例1的方法所制备成的聚合物1，将聚合物1与浓度为0.03wt％的聚乙烯吡咯烷酮的2-丁醇溶液以体积比5:5的方式于25℃下均匀搅拌可得到重量比为聚合物1：聚乙烯吡咯烷酮＝1:0.5的混合聚合物1。换言之，聚乙烯吡咯烷酮是一添加聚合物。
以下则是进一步说明本发明的钙钛矿光电元件的结构所使用的材料，也请再度参阅图1。
该基板10较佳为使用具有机械强度、热强度且具有透明性的玻璃基板或透明性树脂膜。透明性树脂膜可列举：聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯基丁醛、尼龙、聚醚醚酮、聚砜、聚醚砜、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚氟乙烯、四氟乙烯-乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚胺基甲酸酯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰亚胺、聚丙烯等。最佳地，该基板10为玻璃基板。
该下电极20除了金、铂、铬、镍等金属以外，较佳为使用具有透明性的铟、锡等的金属氧化物，复合金属氧化物(铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟锌氧化物(IndiumZinc Oxide，IZO)等)。最佳地，该下电极20使用铟锡氧化物。
该下载子传输层30可为一种有机高分子材料，如(poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine，聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺])。
该介面修饰层40由该介面修饰层材料所构成，该介面修饰层材料包含该具有两性离子基团的聚乙烯亚胺，例如为前述聚合物1～4及混合聚合物1。
该钙钛矿活性层50为钙钛矿主成份含有一种下列化合物CH3NH3I、CH3NH3Br、CH3NH3Cl、HC(NH2)2I、HC(NH2)2Br、HC(NH2)2Cl、CsI、CsBr、CsCl、RbI、RbBr、RbCl或其组合，以及至少含有一种下列化合物PbI2、PbBr2、PbCl2、SnI2、SnBr2、SnCl2或其组合；其中溶剂至少含有一种下列有机溶剂二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、γ-丁内酯(GBL)或其组合
该上载子传输层60可为一种富勒烯材料如C60、PCBM(([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester)，或可为一金属氧氧化物如氧化锌、氧化铝、二氧化锡。
该上电极70可使用碱金属或碱土类金属，具体而言使用锂、镁、钙。另外，锡或银、铝亦可较佳使用。最佳地，该上电极70为银。
钙钛矿光电元件的制作：使用以下方式分别制备实施例1～3以及比较例1的钙钛矿光电元件，结果示于后述的表1。
基板及下电极：将氧化铟锡(ITO)玻璃基板(12Ω/□)依序使用清洁剂、去离子水、丙酮及异丙醇经超音波震荡清洗15分钟后，再经由UV ozone清洁机进行基板表面清洁30分钟。
下载子传输层：将空穴传输材料PTAA与溶剂甲苯混和，形成固含量为1.5wt％的溶液。将该溶液涂布于ITO玻璃基板上，并于100-120℃烘烤10-30分钟后，形成厚度约为20nm的下载子传输层。因此，下载子传输层为一空穴传输层。
介面修饰层：将聚合物1、聚合物4及混合聚合物1分别调制成0.5wt％的2-丁醇溶液以分别形成介面修饰层涂布液，接着分别将介面修饰层涂布液旋转涂布于下载子传输层上，并于100℃下烘烤5分钟以对应形成后述表1所对应的实施例1～3的介面修饰层，介面修饰层的厚度为1～3nm(纳米)。特别说明的是，比较例1的不同之处则是没有介面修饰层，且在涂布后述钙钛矿活性层涂布液前需经UVO(紫外光臭氧)处理下载子传输层的表面。
钙钛矿活性层：将钙钛矿原料成份HC(NH2)2I、CsI、PbI2、PbBr2依照莫尔比例0.83:0.17:0.85:0.15并以溶剂DMF/DMSO(9:1v/v体积比)，形成固含量约为49wt％的钙钛矿活性层涂布液。将该钙钛矿活性层涂布液涂布于介面修饰层上，利用真空减压法将溶剂去除，并于100-110℃烘烤30-60分钟后，形成厚度约为400nm的钙钛矿活性层，请参见图2中的(b)、(c)及(d)分别所显示的实施例1～3于形成钙钛矿活性层后所观察到的钙钛矿活性层形貌影像，其显示钙钛矿活性层形貌各区域均匀且无裂痕。特别说明的是，比较例1的不同之处则是将该钙钛矿活性层涂布液涂布于下载子传输层上，请参见图2中的(a)所显示的比较例1于形成钙钛矿活性层后所观察到的钙钛矿活性层形貌影像，其显示钙钛矿活性层形貌出现裂痕，所述裂痕就展现在如图2中的(a)的白色条状痕迹。因此，显然地，钙钛矿活性层涂布液无法良好地涂布于下载子传输层上即使下载子传输层的表面已经经过UVO处理，但钙钛矿活性层涂布液可以良好地涂布于介面修饰层上。
上载子传输层：将PCBM与溶剂氯苯混合，形成固含量2.5wt％的溶液。将该溶液涂布于钙钛矿活性层上，并于80-100℃烘烤10分钟后，形成厚度约为50nm的上载子传输层。因此，上载子传输层为一电子传输层。
上电极：接着，以真空腔体加热沉积Ag金属(厚度100nm)，以形成比较例、实施例1～3的上电极。
<钙钛矿光电元件的能量转换效率(PCE)分析>
钙钛矿光电元件的量测区域经由金属遮罩定义为0.04cm2。Keithley 2400作为电源供应器，以Lab-View程式控制，在照度100mW/cm2的AM1.5G模拟太阳光(SAN-EI XES-40S3)的照射下量测元件的电性，并以电脑程式记录，得到电压-电流密度图。实施例1～3与比较例1的钙钛矿光电元件由前述电性分析结果所得的开路电压(open voltage；Voc)、短路电流(short-circuit current；Jsc)、填充因子(fill factor；FF)与能量转换效率(PCE)分别整理于下表1中。
表1
由表1可以发现，相较于无介面修饰层的钙钛矿光电元件(比较例1，PCE为12.72％)，本发明以聚合物1、聚合物4及混合聚合物1的具有两性离子基团的聚乙烯亚胺作为介面修饰层的钙钛矿光电元件(实施例1～3，PCE为15.63％～15.89％)会具有更高的能量转换效率(PCE)。前述情况是因为本发明实施例1～3的钙钛矿光电元件中所设置的介面修饰层能够使得积层于其上的钙钛矿活性层形貌各区域均匀且无裂痕，有效提高了钙钛矿光电元件的能量转换效率(PCE)。
<钙钛矿光电元件的光稳定性测试>
将实施例1～3与比较例1的钙钛矿光电元件持续照光作模拟实际应用情况，测试结果见图3。
由图3可以发现，相较于无介面修饰层的钙钛矿光电元件(比较例1)，本发明以聚合物1、聚合物4及混合聚合物1的具有两性离子基团的聚乙烯亚胺作为介面修饰层的钙钛矿光电元件(实施例1～3)具有更稳定的能量转换效率(PCE)。前述情况是因为本发明实施例1～3的钙钛矿光电元件中所设置的介面修饰层能够使得积层于其上的钙钛矿活性层形貌各区域均匀且无裂痕，有效提高了钙钛矿光电元件的光稳定性(也称为环境稳定性)。
虽然本发明已透过特定具体实施例揭露和说明，然本发明适用于各种其他具体实施例对本领域具有通常知识者为显而易见。因此，本发明的保护范围当是本案所附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (6)
1.一种钙钛矿光电元件，至少包括：一下电极，积层于该下电极上方的一下载子传输层，积层于该下载子传输层上方的一介面修饰层，积层于该介面修饰层上方的一钙钛矿活性层，积层于该钙钛矿活性层上方的一上载子传输层，积层于该上载子传输层上方的一上电极；其中，该介面修饰层由一介面修饰层材料所构成，该介面修饰层材料包含一具有两性离子基团的聚乙烯亚胺，前述的两性离子基团具有一阳离子基团及一阴离子基团；且，该阳离子基团为选自由仲铵阳离子基、叔铵阳离子基及季铵阳离子基所组成组群中至少其中之一。
2.如权利要求1所述的钙钛矿光电元件，其中，该介面修饰层材料更包含一添加聚合物，该添加聚合物为选自由聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯咔唑及聚(9,9-双(3'-(N,N-二甲基)-N-乙基铵-丙基-2,7-芴)-alt-2,7-(9,9-二辛基芴))二溴化物所组成组群中至少其中之一或其任意组合。
3.如权利要求2所述的钙钛矿光电元件，其中，前述具有两性离子基团的聚乙烯亚胺与该添加聚合物的重量比例为1:5～1:0.5。
4.如权利要求1所述的钙钛矿光电元件，其中，该介面修饰层的厚度为0.1～5纳米。
5.如权利要求1所述的钙钛矿光电元件，其中，该下载子传输层为一空穴传输层，该下载子传输层为一电子传输层。
6.如权利要求1所述的钙钛矿光电元件，其中，该介面修饰层材料更包含一添加聚合物，该添加聚合物为一聚乙烯吡咯烷酮，前述具有两性离子基团的聚乙烯亚胺与该聚乙烯吡咯烷酮的重量比例为1:5～1:0.5，该介面修饰层的厚度为0.1～5纳米，该下载子传输层为一空穴传输层，且该下载子传输层为一电子传输层。
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