CN114695445A - 透明显示装置 - Google Patents
透明显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114695445A CN114695445A CN202111306254.2A CN202111306254A CN114695445A CN 114695445 A CN114695445 A CN 114695445A CN 202111306254 A CN202111306254 A CN 202111306254A CN 114695445 A CN114695445 A CN 114695445A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- transparent
- electrode
- area
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 242
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQUNHXCJVILJQ-UHFFFAOYSA-N aluminum palladium Chemical compound [Al].[Pd] IEQUNHXCJVILJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种透明显示装置包括:基板,在基板上限定了包括沿第一方向布置的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域以及第一透明区域和第二透明区域的像素;发光二极管,设置在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中的每一个中并且包括第一电极、发光层和第二电极;以及辅助电极,该辅助电极在与第一方向垂直的第二方向上延伸并且电连接至第二电极,其中,第一发光区域和辅助电极设置在第一透明区域与第二透明区域之间,并且第二透明区域包括在第一发光区域与第二发光区域之间的第一部分,并且其中,第一透明区域具有比第二透明区域更高的透射率。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月28日提交的韩国专利申请第10-2020-0184998号的优先权和利益,该韩国专利申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开内容涉及显示装置,并且更具体地涉及具有发光区域和透明区域的透明显示装置。
背景技术
作为平板显示装置的一种,电致发光显示装置与液晶显示装置相比由于其自发光而具有宽视角,并且由于不需要背光单元还具有厚度薄、重量轻和功耗低的优点。
此外,电致发光显示装置由直流(DC)低电压驱动并且具有快速的响应时间。此外,电致发光显示装置由于其部件为固态而有力地抵御外界影响,并且被用在宽的温度范围内,尤其是电致发光显示装置可以以低成本制造。
近来,使用电致发光显示装置的透明显示装置得到了广泛的开发。透明显示装置是屏幕后面的背景可见的显示装置。因此,可以一起显示图像信息和周围环境。
使用电致发光显示装置的透明显示装置包括多个像素,每个像素具有多个发光区域。通过选择性地驱动多个发光区域,显示各种彩色图像。
在各个发光区域中设置发光层,并且每个发光层通过使用精细金属掩模(FMM)选择性地沉积发光材料的真空热蒸发工艺来形成。
然而,在使用电致发光显示装置的透明显示装置中,由于发光区域的尺寸相对较小,因此不容易通过蒸发工艺形成发光层。
此外,蒸发工艺由于掩模的制备而增加了制造成本,并且由于掩膜的制造变化、松垂、阴影效应等在应用于大尺寸和高清晰度的显示装置时存在问题。
发明内容
因此,本公开内容涉及基本上避免由于相关技术的限制和缺点而产生的一个或更多个问题的透明显示装置。
本公开内容的目的是提供具有大尺寸和高清晰度的透明显示装置。
本公开内容的附加的特点和优点将在下面的描述中阐述,并且部分将根据描述变得明显,或者可以通过实践本公开内容来了解。本公开内容的目的和其他优点将通过在公开中特别指出的结构来实现和达到。
为了实现这些和其他优点,并且根据本公开内容的目的,如本文体现的和广泛描述的,提供了一种透明显示装置,该透明显示装置包括:基板,在所述基板上限定了包括沿第一方向布置的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域以及第一透明区域和第二透明区域的像素;发光二极管,所述发光二极管设置在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中的每一个中并且包括第一电极、发光层和第二电极;以及辅助电极,所述辅助电极在与第一方向垂直的第二方向上延伸并且电连接至第二电极,其中,第一发光区域和辅助电极设置在第一透明区域与第二透明区域之间,并且第二透明区域包括在第一发光区域与第二发光区域之间的第一部分,并且其中,第一透明区域具有比第二透明区域更高的透射率。
应当理解,在前的总体描述和以下的详细的描述均是示例性的和说明性的,并且旨在提供对所要求保护的本公开内容的进一步的说明。
附图说明
附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且并入本说明书并构成其一部分,这些附图示出了本公开内容的实施方式,并与说明书一同用于说明本公开内容的原理。
图1是根据本公开内容的实施方式的透明显示装置的一个像素的电路图。
图2是根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置的示意性平面图。
图3是根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置的示意性截面图,并且对应于图2的线I-I'。
图4是根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置的堤部结构的示意性平面图。
图5是与图4的线II-II'对应的截面图。
图6是与图4的线III-III'对应的截面图。
图7是根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置的示意性平面图。
图8是根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置的堤部结构的示意性平面图。
图9是与图8的线IV-IV'对应的截面图。
图10是与图8的线V-V'对应的截面图。
图11是与图8的线VI-VI'对应的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本公开内容的示例性实施方式,其示例在附图中示出。
根据本公开内容的实施方式的透明显示装置使用电致发光显示装置显示图像。使用电致发光显示装置的透明显示装置包括用于显示图像的多个像素,并且多个像素中的每个像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一子像素、第二子像素和第三子像素可以具有图1所示的配置。
图1是根据本公开内容的实施方式的透明显示装置的一个像素的电路图。
在图1中,根据本公开内容的实施方式的透明显示装置包括彼此交叉以限定子像素的多条栅极线和多条数据线。具体地,在图1的示例中,栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的每一个包括发光区域EA和透明区域TA。因此,一个像素可以包括三个发光区域EA和三个透明区域TA。
可替选地,第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的透明区域TA可以彼此连接并设置为一体。即,一个像素可以包括三个发光区域EA和一个透明区域TA,但不限于此。例如,第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以分别是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
根据本公开内容的实施方式的透明显示装置在通过发光区域EA显示图像信息的同时通过透明区域TA一起显示周围环境信息例如背景。
在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的每一个的发光区域EA中形成开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2、存储电容器Cst和发光二极管De。
更具体地,栅极线GL在水平方向上延伸,并且数据线DL在垂直方向上延伸。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3沿水平方向依次布置。每个子像素P1、P2和P3的发光区域EA和透明区域TA可以沿垂直方向布置。
在每个子像素P1、P2和P3的发光区域EA中,开关薄膜晶体管T1的栅电极连接至栅极线GL,并且开关薄膜晶体管T1的源电极连接至数据线DL。驱动薄膜晶体管T2的栅电极连接至开关薄膜晶体管T1的漏电极,并且驱动薄膜晶体管T2的源电极连接至高电压电源VDD。发光二极管De的阳极连接至驱动薄膜晶体管T2的漏电极,并且发光二极管De的阴极连接至低电压电源VSS。存储电容器Cst连接至驱动薄膜晶体管T2的栅电极和漏电极。
使用电致发光显示装置的透明显示装置被驱动以显示图像。例如,当通过栅极线GL施加的栅极信号使开关薄膜晶体管T1导通时,来自数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管T1被施加至驱动薄膜晶体管T2的栅电极和存储电容器Cst的电极。
当数据信号使驱动薄膜晶体管T2导通时,流过发光二极管De的电流被控制,由此显示图像。发光二极管De由于从高电压电源VDD通过驱动薄膜晶体管T2提供的电流而发光。
即,流过发光二极管De的电流的量与数据信号的大小成比例,并且由发光二极管De发射的光的强度与流过发光二极管De的电流的量成比例。因此,第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3根据数据信号的大小显示不同的灰度级,并因此,透明显示装置显示图像。
此外,当开关薄膜晶体管T1截止时,存储电容器Cst将与数据信号对应的电荷保持一帧。因此,即使开关薄膜晶体管T1截止,存储电容器Cst也使得流过发光二极管De的电流的量能够恒定以及由发光二极管De显示的灰度级能够被保持,直到下一帧。
同时,除了开关薄膜晶体管T1和驱动薄膜晶体管T2以及存储电容器Cst之外,还可以在每个子像素P1、P2和P3中添加一个或更多个薄膜晶体管和/或电容器。
例如,在使用电致发光显示装置的透明显示装置中,当数据信号被施加至驱动薄膜晶体管T2的栅电极时,驱动薄膜晶体管T2导通相对较长的时间,并且发光二极管De发光,从而显示灰度级。由于长时间施加数据信号,所以驱动薄膜晶体管T2可能劣化。因此,驱动薄膜晶体管T2的迁移率和/或阈值电压Vth会改变,并且因此每个子像素P1、P2和P3针对相同的数据信号显示不同的灰度级。这会导致亮度不均匀,从而降低显示装置的图像质量。
因此,为了补偿驱动薄膜晶体管T2的迁移率和/或阈值电压的变化,还可以在每个子像素P1、P2和P3中添加用于感测电压变化的至少一个感测薄膜晶体管和/或电容器。感测薄膜晶体管和/或电容器可以连接至用于施加参考电压和输出感测电压的参考线。
透明显示装置根据针对其所使用的电致发光显示装置的发光方向可以分为底部发光型和顶部发光型。在底部发光型显示装置中,来自发光二极管De的光通过阳极朝向其上形成有薄膜晶体管T1和T2的基板输出,而在顶部发光型显示装置中,来自发光二极管De的光通过阴极朝向与基板相对的方向输出。一般而言,由于在电致发光显示装置中薄膜晶体管T1和T2形成在发光二极管De下方,因此在底部发光型显示装置中有效发光区域的尺寸由于薄膜晶体管T1和T2而受到限制,并且顶部发光型显示装置比底部发光型显示装置具有更大的有效发光区域。因此,顶部发光型显示装置比底部发光型显示装置具有更高的开口率,使得顶部发光型显示装置广泛用于具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
由于阴极主要由金属材料形成,因此在顶部发光型显示装置中阴极可以形成为相对薄的厚度,使得光通过阴极输出。因此,在具有大尺寸和高清晰度的显示装置中,阴极的电阻增大,并且由于阴极的电阻而引起VSS电压降,从而导致亮度不均匀的问题。因此,根据本公开内容的实施方式的透明显示装置具有用于降低阴极的电阻的结构。
同时,本公开内容的发光二极管De的发光层通过溶液工艺形成。因此,可以简化工艺并且可以提供具有大尺寸和高分辨率的显示装置。
顺便提及,随着分辨率的增加,像素的尺寸减小。因此,通过溶液工艺形成的相邻的不同颜色子像素的发光层可能彼此连接,从而导致颜色混合。特别地,由于透明显示装置在像素中包括发光区域和透明区域,并且发光区域的尺寸相对较小,因此随着分辨率的增加,颜色混合的可能性很高。本公开内容的透明显示装置提出了用于防止颜色混合的结构。
图2是根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置的示意性平面图。
如图2所示,在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,一个像素P包括发光区域EA和透明区域TA。此时,一个像素P可以包括三个发光区域EA1、EA2和EA3以及两个透明区域TA1和TA2,并且每个发光区域EA1、EA2和EA3除尺寸之外具有基本相同的配置。
更具体地,像素P包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。发光区域EA可以包括分别与红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素对应的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3。此外,透明区域TA包括第一透明区域TA1和第二透明区域TA2,并且第一透明区域TA1和第二透明区域TA2具有不同的透射率。基于相同的面积,第一透明区域TA1的透射率高于第二透明区域TA2的透射率。
在图的背景下,第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2沿Y方向(例如,垂直方向)布置。在此,Y方向可以被定义为第一方向,并且在图的背景下X方向(例如,水平方向)可以被定义为第二方向。可替选地,X方向可以被定义为第一方向,并且Y方向可以被定义为第二方向。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1可以沿Y方向依次布置,并且第二透明区域TA2可以设置在第一发光区域EA1的两侧。即,第二透明区域TA2可以包括设置在彼此相邻的第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间的第一部分以及设置在彼此相邻的第一发光区域EA1与第一透明区域TA1之间的第二部分。在此,可以省略设置在第一发光区域EA1与第一透明区域TA1之间的第二透明区域TA2的第二部分。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以具有不同的尺寸。例如,绿色子像素的第二发光区域EA2的尺寸可以大于红色子像素的第一发光区域EA1的尺寸并且小于蓝色子像素的第三发光区域EA3的尺寸,但不限于此。
由于设置在各个子像素处的发光二极管由具有不同特性的发光材料形成,因此发光二极管具有不同的寿命和效率,并且由于发光二极管的寿命的差异,显示装置的寿命可能降低。因此,在本公开内容中,通过使红色子像素的第一发光区域EA1、绿色子像素的第二发光区域EA2和蓝色子像素的第三发光区域EA3的尺寸差异化,可以优化设置在各个子像素处的发光二极管的寿命和效率,由此解决降低显示装置的寿命的问题,从而提高显示装置的寿命。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以沿X方向具有相同的长度以及沿Y方向具有不同的宽度。例如,绿色子像素的第二发光区域EA2的宽度可以大于红色子像素的第一发光区域EA1的宽度并且小于蓝色子像素的第三发光区域EA3的宽度。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2各自示出为具有矩形形状,但不限于此。第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2各自可以具有各种形状,例如带圆角的矩形形状、椭圆形形状等。
同时,信号线114和116设置在相邻的第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间,更具体地,设置在相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间。信号线114和116包括用于提供低电位电压VSS的低电位电压线114和用于提供高电位电压VDD的高电位电压线116。低电位电压线114和高电位电压线116沿X方向延伸并且沿Y方向彼此交替。即,低电位电压线114沿Y方向设置在相邻的两个像素P之一中,而高电位电压线116设置在相邻的两个像素P中的另一个中。低电位电压线114和高电位电压线116可以由相同的材料形成并且形成在同一层上。然而,本公开内容不限于此。可替选地,低电位电压线114和高电位电压线116可以由相同的材料形成并且形成在不同的层上,或者由不同的材料形成并且形成在不同的层上。
接触孔170d形成为对应于低电位电压线114,并且低电位电压线114通过接触孔170d电连接至发光二极管的阴极(未示出)。
将参照图3详细描述根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000的截面结构。
图3是根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置的示意性截面图,并且对应于图2的线I-I'。将结合参照图2进行描述。
如上所述,发光区域EA包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3,并且透明区域TA包括第一透明区域TA1和第二透明区域TA2。由于第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3具有基本相同的配置,因此在图3中仅示出了第一发光区域EA1。
如图3所示,在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,在基板100上形成光阻挡图案112和诸如金属的第一导电材料的第一辅助电极114,在基板100上限定了包括发光区域EA1、EA2和EA3以及透明区域TA1和TA2的像素P。光阻挡图案112设置在每个发光区域EA1、EA2和EA3中,作为低电位电压线的第一辅助电极114设置在彼此相邻的第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间,更具体地,设置在彼此相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间。
基板100可以是玻璃基板或塑料基板。例如,聚酰亚胺可以用于塑料基板,但不限于此。
光阻挡图案112和第一辅助电极114可以由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)中的至少一种或其合金形成,并且可以具有单层结构或多层结构。例如,光阻挡图案112和第一辅助电极114可以具有包括钼钛合金(MoTi)的下层和铜(Cu)的上层的双层结构,并且上层可以具有比下层更厚的厚度。
同时,如上所述,高电位电压线116形成在基板100上的另一个像素P的彼此相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间,并且由与第一辅助电极114相同的材料形成。
缓冲层120形成在光阻挡图案112和第一辅助电极114上,基本上在基板100的整个表面上。缓冲层120可以由无机绝缘材料诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成,并且可以形成为单层或多层。
在此,缓冲层120在光阻挡图案112上具有第一孔120a以及在第一辅助电极114上具有第二孔120b。光阻挡图案112的顶表面通过第一孔120a部分地暴露,并且第一辅助电极114的顶表面通过第二孔120b部分地暴露。
半导体层122和电容器电极124被图案化并形成在缓冲层120上。半导体层122和电容器电极124在光阻挡图案112之上彼此间隔开。光阻挡图案112阻挡入射在半导体层122上的光,并防止半导体层122由于光而劣化。
半导体层122和电容器电极124可以由多晶硅形成,并且在这种情况下,半导体层122和电容器电极124的两端可以掺杂有杂质。可替选地,半导体层122和电容器电极124可以由氧化物半导体材料形成。
在半导体层122上依次形成绝缘材料的栅极绝缘层130和诸如金属的第二导电材料的栅电极132。栅极绝缘层130和栅电极132被设置成对应于半导体层122的中心。
栅极绝缘层130可以由无机绝缘材料诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。当半导体层122由氧化物半导体材料制成时,栅极绝缘层130优选地由硅氧化物(SiO2)形成。
栅电极132可以由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)中的至少一种或其合金形成,并且可以具有单层结构或多层结构。例如,栅电极132可以具有包括钼钛合金(MoTi)的下层和铜(Cu)的上层的双层结构,并且上层可以具有比下层更厚的厚度。
如图所示,栅极绝缘层130可以被图案化成具有与栅电极132基本相同的形状。此时,栅极绝缘层130的宽度可以比栅电极132的宽度宽,由此可以暴露栅极绝缘层130的顶表面的边缘。可替选地,栅极绝缘层130的宽度可以与栅电极132的宽度相同。否则,栅极绝缘层130可以不被图案化并且可以基本上形成在基板100的整个表面上方。
同时,栅极线(未示出)还可以由与栅电极132相同的材料形成并且与栅电极132形成在同一层上。
基本上在基板100的整个表面上方在栅电极132上形成由绝缘材料制成的层间绝缘层140。层间绝缘层140可以由无机绝缘材料诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。可替选地,层间绝缘层140可以由有机绝缘材料诸如光丙烯或苯并环丁烯形成。
层间绝缘层140具有第一接触孔140a、第二接触孔140b、第三接触孔140c和第四接触孔140d。第一接触孔140a和第二接触孔140b分别暴露半导体层122的两端。第三接触孔140c部分地暴露光阻挡图案112的顶表面,并且位于第一孔120a中。可替选地,可以省略第一孔120a,并且可以在缓冲层120以及层间绝缘层140中形成第三接触孔140c,以部分地暴露光阻挡图案112的顶表面。第四接触孔140d部分地暴露第一辅助电极114的顶表面,并且位于第二孔120b中。可替选地,可以省略第二孔120b,并且可以在缓冲层120以及层间绝缘层140中形成第四接触孔140d,以部分地暴露第一辅助电极114的顶表面。
在层间绝缘层140上形成源电极142和漏电极144以及由诸如金属的第三导电材料制成的第二辅助电极146。源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可以由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)中的至少一种或其合金形成,并且可以具有单层结构或多层结构。例如,源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可以具有包括钼钛合金(MoTi)的下层和铜(Cu)的上层的双层结构,并且上层可以具有比下层更厚的厚度。可替选地,源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可以具有三层结构。
源电极142和漏电极144分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b接触半导体层122的两端。此外,漏电极144通过第三接触孔140c接触光阻挡图案112并与电容器电极124交叠。电容器电极124与光阻挡图案112和漏电极144交叠以形成存储电容器。
同时,第二辅助电极146通过第四接触孔140d接触第一辅助电极114。可以省略第二辅助电极146。
此外,可以在层间绝缘层140上进一步形成数据线(未示出),并且数据线可以由第三导电材料制成。
半导体层122、栅电极132、源电极142和漏电极144形成薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr具有共面结构,其中栅电极132、源电极142和漏电极144位于关于半导体层122的同一侧。
可替选地,薄膜晶体管Tr可以具有反向交错结构,其中栅电极、源电极和漏电极位于关于半导体层的不同侧。即,栅电极可以设置在半导体层下方,并且源电极和漏电极可以设置在半导体层之上。在这种情况下,半导体层可以由氧化物半导体或非晶硅形成。
薄膜晶体管Tr对应于图1的驱动薄膜晶体管T2,并且还可以在基板100上形成与薄膜晶体管Tr具有相同结构的图1的开关薄膜晶体管T1。
基本上在基板100的整个表面上方在源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146上形成绝缘材料的钝化层150。钝化层150可以由无机绝缘材料诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。
接下来,基本上在基板100的整个表面上方在钝化层150上形成绝缘材料的涂覆层155。涂覆层155可以由有机绝缘材料诸如光丙烯或苯并环丁烯形成。涂覆层155可以消除由于下层引起的水平差并且具有基本上平坦的顶表面。
在此,可以省略钝化层150和涂覆层155之一。例如,可以省略钝化层150,但不限于此。
钝化层150和涂覆层155具有暴露漏电极144的漏极接触孔155a。此外,钝化层150和涂覆层155具有暴露第二辅助电极146的第五接触孔155b。
在每个发光区域EA1、EA2和EA3中,具有相对高功函数的第一电极160形成在涂覆层155上。第一电极160通过漏极接触孔155a与漏电极144接触。
例如,第一电极160可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成,但不限于此。
同时,根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置可以是顶部发光型,在顶部发光型中,发光二极管的光朝向与基板100相反的方向输出。因此,第一电极160还可以包括在透明导电材料层下方由具有相对高反射率的金属材料形成的反射电极或反射层。例如,反射电极或反射层可以由铝钯铜(APC)合金、银(Ag)、铝(Al)或钼(Mo)形成。第一电极160可以具有ITO/APC/ITO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO或ITO/Mo/ITO的三层结构,但不限于此。
此外,在彼此相邻的第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间,更具体地,在第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间在涂覆层155上形成连接图案162,并且连接图案162由与第一电极160相同的材料形成。连接图案162通过第五接触孔155b与第二辅助电极146接触。
在第一电极160和连接图案162上形成绝缘材料的堤部170。堤部170交叠并覆盖第一电极160和连接图案162中的每一个的边缘。
堤部170具有第一开口170a和第二开口170b。第一开口170a对应于第一发光区域EA1和第二透明区域TA2,并且第二开口170b对应于第一透明区域TA1。第一电极160通过第一发光区域EA1中的第一开口170a暴露,并且涂覆层155的顶表面通过第一透明区域TA1中的第二开口170b暴露。
此外,堤部170在彼此相邻的第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间,更具体地在彼此相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间,还具有辅助接触孔170d。连接图案162的一部分通过辅助接触孔170d暴露。
尽管在图中未示出,但是堤部170还包括与第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个相对应的第三开口,这将在后面详细描述。
堤部170包括具有亲水性的第一堤部172和具有疏水性的第二堤部174。第二堤部174设置在第一堤部172上。第二堤部174具有比第一堤部172窄的宽度并且暴露第一堤部172的顶表面的边缘。此外,第二堤部174可以具有比第一堤部172更厚的厚度。
在此,第二堤部174基本上具有第一开口170a和第二开口170b以及辅助接触孔170d。
因此,第一堤部172在第一发光区域EA1中与第一电极160的边缘交叠并接触,并且第二堤部174与第一电极160间隔开。此时,第二堤部174与第一电极160之间的区域成为第二透明区域TA2。
例如,第一堤部172可以由具有亲水性的材料诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料形成。可替选地,第一堤部172可以由聚酰亚胺形成。
此外,第二堤部174的至少顶表面是疏水的,并且第二堤部174的侧表面可以是疏水的或亲水的。第二堤部174可以由具有疏水性的有机绝缘材料形成。可替选地,第二堤部174可以由具有亲水性的有机绝缘材料形成并且经受疏水处理。
同时,第一堤部172和第二堤部174由不同的材料形成并且彼此分离。然而,亲水的第一堤部172和疏水的第二堤部174可以由相同的材料形成并且形成为一体。例如,具有疏水性顶表面的有机材料层可以基本上形成在基板100的整个表面上方,可以通过包括透光部分、光阻挡部分和半透光部分的半色调掩模暴露于光,并且可以被图案化,从而形成具有不同宽度和厚度的亲水的第一堤部172和疏水的第二堤部174。
可替选地,可以省略第一堤部172。
在通过第一开口170a暴露的第一电极160上形成发光层180。发光层180的彼此面对的侧表面由第二堤部174包围。第一发光区域EA1的第一电极160上的发光层180延伸至第二透明区域TA2中。即,发光层180设置在第一发光区域EA1和第二透明区域TA2两者中。
发光层180与第一堤部172的顶表面和侧表面以及第二堤部174的侧表面接触。
尽管图中未示出,但发光层180包括发光材料层。发光材料层可以由红色、绿色和蓝色发光材料中的任何一种形成,但不限于此。发光材料可以是有机发光材料,例如磷光化合物或荧光化合物,或者可以是无机发光材料,例如量子点。
此外,发光层180还可以包括发光材料层下的第一电荷辅助层和发光材料层上的第二电荷辅助层。
第一电荷辅助层可以是空穴辅助层,并且空穴辅助层可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。此外,第二电荷辅助层可以是电子辅助层,并且电子辅助层可以包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。然而,本公开内容不限于此。
发光层180通过溶液工艺形成。因此,可以简化工艺并且可以提供具有大尺寸和高分辨率的显示装置。旋涂方法、喷墨印刷方法或丝网印刷方法可以用作溶液工艺,但本公开内容不限于此。
当溶液干燥时,邻近第二堤部174的区域中的溶剂的干燥速度不同于其他区域中的溶剂的干燥速度。即,邻近第二堤部174的区域中的溶剂的干燥速度比其他区域中的溶剂的干燥速度快。因此,发光层180在邻近第二堤部174的区域中的高度可以随着发光层180更靠近第二堤部174而升高。在第一发光区域EA1的边缘处的发光层180的高度高于在第一发光区域EA1的中心处的发光层180的高度。
同时,发光层180的电子辅助层可以通过热蒸发工艺形成。因此,电子辅助层可以基本上形成在基板100的整个表面上方。
基本上在基板100的整个表面上方、更具体地基本上在包括多个像素P的整个显示区域上方,在发光层180、第二堤部174和连接图案162上形成具有相对低功函数的导电材料的第二电极190。因此,在所有第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2中形成第二电极190。
第二电极190可以由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其合金形成。第二电极190具有相对薄的厚度,使得来自发光层180的光可以透射穿过第二电极190。例如,第二电极190可以具有5nm至10nm的厚度。
第二电极190接触堤部170的顶表面和侧表面。更具体地,第二电极190与第二堤部174的顶表面和侧表面接触,并且第二电极190可以与第一堤部172的顶表面和侧表面接触。
同时,第二电极190通过辅助接触孔170d电连接至连接图案162。因此,第二电极190通过连接图案162电连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146。此时,第二电极190可以与连接图案162直接接触。可替选地,当发光层180的电子辅助层基本上形成在基板100的整个表面上方时,第二电极190可以与连接图案162间接接触。
此外,第二电极190在第一透明区域TA1中与涂覆层155的顶表面接触。第二电极190可以在第一透明区域TA1中与涂覆层155的顶表面直接接触。
在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,与第一透明区域TA1相比,在第二透明区域TA2中进一步形成第一堤部172和发光层180。因此,第一透明区域TA1的透射率高于第二透明区域TA2的透射率。
第一电极160、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。第一电极160可以用作阳极,并且第二电极190可以用作阴极,但不限于此。
如上所述,根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000可以是顶部发光型,在顶部发光型中,来自发光二极管De的发光层180的光朝向与基板100相反的方向输出,即,通过第二电极190输出到外部。顶部发光型显示装置可以具有比相同尺寸的底部发光型显示装置更宽的发光区域,从而提高亮度并降低功耗。
此时,每个子像素的发光二极管De可以具有与发射光的波长对应的用于微腔效应的元件厚度,从而提高发光效率。在此,元件厚度可以定义为发光层180的厚度,即,第一电极160与第二电极190之间的距离,但不限于此。例如,第二发光区域EA2的元件厚度可以小于第一发光区域EA1的元件厚度并且大于第三发光区域EA3的元件厚度。
同时,可以基本上在基板100的整个表面上方在第二电极190上形成保护层和/或封装层(未示出),以阻挡从外部引入的水分或氧气,从而保护发光二极管De。
此外,可以基本上在基板100的整个表面上方在第二电极190上形成覆盖层(未示出)。覆盖层可以由具有相对高的折射率的绝缘材料形成。沿覆盖层行进的光的波长可以通过表面等离子体共振来放大,从而可以增加峰的强度,从而提高顶部发光型电致发光显示装置中的发光效率。例如,覆盖层可以形成为有机层或无机层的单层,或者形成为有机/无机堆叠层。
在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,相邻子像素的发光层180彼此连接并形成为一体,从而减小或最小化喷嘴之间的滴注量偏差。这些发光区域和透明区域的配置可以通过堤部结构来实现,并且这将参照图4至图6进行详细描述。
图4是根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置的堤部结构的示意性平面图。
在图4中,根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000的一个像素P包括发光区域和透明区域。发光区域EA包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3,并且透明区域包括第一透明区域TA1和第二透明区域TA2。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1沿Y方向依次布置,并且第二透明区域TA2设置在彼此相邻的第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间以及彼此相邻的第一发光区域EA1与第一透明区域TA1之间。
此外,沿X方向延伸的低电位电压线的第一辅助电极114或高电位电压线116设置在彼此相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间。第一辅助电极114和高电位电压线116沿Y方向交替布置。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2由堤部170限定。
堤部170具有第一开口170a、第二开口170b和第三开口170c。第一开口170a对应于第一发光区域EA1和第二透明区域TA2,第二开口170b对应于第一透明区域TA1,并且第三开口170c对应于第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个。
在此,第一开口170a和第三开口170c中的每一个可以被设置成与包括沿X方向彼此相邻的相同颜色子像素的一个子像素行的发光区域EA1、EA2和EA3相对应。具体地,第一开口170a可以对应于沿X方向布置的子像素行的第一发光区域EA1,并且第三开口170c可以对应于沿X方向布置的子像素行的第二发光区域EA2,或者对应于沿X方向布置的子像素行的第三发光区域EA3。第二开口170b可以对应于沿X方向布置的第一透明区域TA1。
此外,堤部170还具有辅助接触孔170d。辅助接触孔170d设置在彼此相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间,并与第一辅助电极114交叠。同时,辅助接触孔170d未形成在高电位电压线116之上。
可以沿X方向针对每个像素P形成辅助接触孔170d。在这种情况下,可以增加发光二极管的第二电极与第一辅助电极114之间的电接触面积,从而改善接触特性。可替选地,可以沿X方向针对两个像素P形成辅助接触孔170d。在这种情况下,可以减少在辅助接触孔170d的图案化工艺中可能发生的问题。
堤部170包括具有亲水性的第一堤部172和具有疏水性的第二堤部174。第二堤部174基本上具有第一开口170a、第二开口170b和第三开口170c以及辅助接触孔170d。
在此,第一堤部172沿X方向设置在相邻的相同颜色子像素之间,并且第二堤部174设置在相邻的不同颜色子像素之间。即,第一堤部172沿X方向设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3的相邻发光区域之间,并且第二堤部174沿Y方向设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3的相邻发光区域之间。此外,第二堤部174还设置在发光区域与透明区域之间,更具体地,设置在第三发光区域EA3与第一透明区域TA1之间以及设置在第二发光区域EA2与第二透明区域TA2之间。此外,第二堤部174还设置在第一透明区域TA1与第二透明区域TA2之间。
同时,第一堤部172还设置在第二透明区域TA2中。因此,第一发光区域EA1的发光层延伸至第二透明区域TA2中。
在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,相同颜色子像素的发光层由于第一开口170a和第三开口170c彼此连接并形成为一体,从而减小或最小化喷嘴之间的滴注量的偏差并均匀地形成子像素的发光层的厚度。因此,防止了不均匀,从而有效地防止显示装置的图像质量降低。
在图5和图6中示出了根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000的截面结构。
图5是与图4的线II-II'对应的截面图,并且图6是与图4的线III-III'对应的截面图。将结合参照图3和图4进行描述。
如图5和图6所示,在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,在基板100上限定包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的像素P。在此,第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3具有不同的宽度。例如,第二发光区域EA2的宽度大于第一发光区域EA1的宽度并且小于第三发光区域EA3的宽度。
第一发光区域EA1和第二透明区域TA2设置在第一透明区域TA1与第二发光区域EA2之间,并且第二透明区域TA2设置在第一发光区域EA1的两侧。
第一辅助电极114形成在基板100上的第二发光区域EA2与第二透明区域TA2之间。缓冲层120基本上形成在基板100的整个表面上,并且薄膜晶体管Tr形成为对应于缓冲层120上的各个子像素的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个。
在此,薄膜晶体管Tr可以具有与图3的配置相同的配置。
然后,基本上在基板100的整个表面上方在薄膜晶体管Tr上依次形成钝化层150和涂覆层155,并且在各个子像素的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个中在涂覆层155上形成第一电极160。
尽管图中未示出,但是可以在缓冲层120与钝化层150之间进一步形成至少一个绝缘层。
钝化层150和涂覆层155具有暴露薄膜晶体管Tr的一部分、即漏电极的漏极接触孔155a,并且第一电极160通过漏极接触孔155a与薄膜晶体管Tr的漏电极接触。
同时,在第二发光区域EA2与第二透明区域TA2之间在涂覆层155上形成连接图案162,并且连接图案162由与第一电极160相同的材料形成。此时,涂覆层155具有对应于第一辅助电极114的接触孔155c,并且连接图案162通过接触孔155c电连接至第一辅助电极114。在此,示出了接触孔155c也形成在钝化层150和缓冲层120中,但不限于此。可替选地,可以在连接图案162与第一辅助电极114之间进一步形成第二辅助电极(未示出)。在这种情况下,可以仅在涂覆层155和钝化层150中形成接触孔155c,并且缓冲层120可以具有暴露第二辅助电极的其他接触孔。
接下来,在第一电极160和连接图案162上形成堤部170。堤部170具有第一开口170a、第二开口170b和第三开口170c。第一开口170a对应于第一发光区域EA1和第二透明区域TA2,第二开口170b对应于第一透明区域TA1,并且第三开口170c对应于第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个。此外,堤部170在第二发光区域EA2与第二透明区域TA2之间还具有辅助接触孔170d。辅助接触孔170d对应于第一辅助电极114。
堤部170包括具有亲水性的第一堤部172和具有疏水性的第二堤部174。
第一堤部172形成在相邻的相同颜色子像素之间。另一方面,第二堤部174形成在相邻的不同颜色子像素之间,并且暴露设置在相邻的相同颜色子像素之间的第一堤部172。因此,在图5和图6中,第二堤部174形成在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的相邻发光区域之间,并且第一堤部172形成在相邻的第三发光区域EA3之间。尽管图中未示出,但是第一堤部172也形成在相邻的第一发光区域EA1之间以及相邻的第二发光区域EA2之间。
此外,第二堤部174形成在相邻的第一透明区域TA1与第二透明区域TA2之间以及彼此相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间。
同时,第一堤部172也形成在第二透明区域TA2中。此外,可以在第二堤部174下方进一步形成第一堤部172。因此,第一堤部172形成在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3的相邻发光区域之间,并且也形成在相邻的第一透明区域TA1与第二透明区域TA2之间以及彼此相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间。
发光层180形成在通过第一开口170a和第三开口170c中的每一个暴露的第一电极160上。发光层180包括分别对应于第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3的红色发光层180r、绿色发光层180g和蓝色发光层180b。红色发光层180r形成在第二透明区域TA2以及第一发光区域EA1中。
红色发光层180r、绿色发光层180g和蓝色发光层180b具有不同的厚度。例如,绿色发光层180g的厚度小于红色发光层180r的厚度并且大于蓝色发光层180b的厚度。
在此,发光层180还形成在相邻的相同颜色子像素之间暴露的第一堤部172上。第一堤部172上的发光层180连接至与其相邻的第一电极160上的发光层180,从而形成一体。即,如图6所示,蓝色发光层180b形成在相邻的第三发光区域EA3之间的第一堤部172上,并且第一堤部172上的蓝色发光层180b连接至与其相邻的第三发光区域EA3的蓝色发光层180b,从而形成一体。
发光层180通过溶液工艺形成。在此,通过与相同颜色子像素行对应的不同喷嘴滴下的溶液彼此连接,并且溶液被干燥,从而形成发光层180。因此,减小或最小化喷嘴之间的滴注量的偏差,使得形成在各个子像素中的薄膜的厚度可以均匀地形成。
此时,形成在具有最窄宽度的第一发光区域EA1中并且具有最厚厚度的红光发光层180r形成在第二透明区域TA2中以及第一发光区域EA1中,从而可以充分确保溶液滴落的区域。此外,由于第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间的第一辅助电极114和辅助接触孔170d,可以增加红色发光层180r与绿色发光层180g之间的距离。因此,可以防止红色发光层180r与绿色发光层180g之间的颜色混合。
接下来,在发光层180上形成第二电极190。第一电极160、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。
在此,基本上在基板100的整个表面上方、更具体地基本上在设置有多个像素P的整个显示区域上方形成第二电极190。即,第二电极190形成在所有第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2中,并且还形成在堤部170上。
第二电极190通过辅助接触孔170d电连接至第一辅助电极114。具体地,第二电极190通过辅助接触孔170d电连接至连接图案162,并且连接图案162通过接触孔155c电连接至第一辅助电极114。因此,第二电极190通过连接图案162电连接至第一辅助电极114。在此,第二电极190可以与连接图案162直接接触。
此外,第二电极190在第一透明区域TA1中还与通过第二开口170b暴露的涂覆层155接触。
在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,与第一透明区域TA1相比,在第二透明区域TA2中进一步形成第一堤部172和发光层180。因此,第一透明区域TA1的透射率高于第二透明区域TA2的透射率。
如上所述,在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,一个像素P包括发光区域EA和透明区域TA,使得可以在通过发光区域EA显示图像信息的同时通过透明区域TA显示周围环境信息例如背景。
此外,在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,通过经由溶液工艺形成发光层180中的至少一些,可以省略精细金属掩模,从而降低制造成本,并且可以实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
此外,根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000被实现为顶部发光型,从而提高亮度并降低功耗。在此,由于第二电极190被形成为具有相对薄的厚度以透射光,因此第二电极190的电阻可能增加,但是可以通过经由连接图案162将第二电极190电连接至第一辅助电极114来降低第二电极190的电阻。
此外,在根据本公开内容的第一实施方式的透明显示装置1000中,相同颜色子像素的发光层180彼此连接并形成为一体,从而减小或最小化喷嘴之间的滴注量的偏差并均匀地形成各个子像素的发光层180的厚度。
此外,第二透明区域TA2设置在具有最小尺寸的第一发光区域EA1的两侧,使得第一发光区域EA1的具有最厚厚度的发光层180延伸至第二透明区域TA2中,从而防止第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间的颜色混合。
此外,第一辅助电极114设置在第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间,更具体地,设置在第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间,使得可以进一步防止第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间的颜色混合。还可以增大辅助接触孔170d的尺寸,并且可以增大第二电极190与连接图案162之间的接触面积,从而改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性。
在本公开内容中,第一辅助电极可以被设置成与第一发光区域EA1交叠。将参照图7详细描述根据本公开内容的第二实施方式的这样的透明显示装置。
图7是根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置的示意性平面图。
如图7所示,在根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000中,一个像素P包括发光区域EA和透明区域TA。此时,一个像素P可以包括分别与第一子像素、第二子像素和第三子像素(例如,红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素)对应的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2。
第一透明区域TA1和第二透明区域TA2具有不同的透射率。在此,基于相同的面积,第一透明区域TA1的透射率高于第二透明区域TA2的透射率。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1可以沿第一方向、即Y方向依次布置,并且第二透明区域TA2可以设置在第一发光区域EA1的两侧。即,第二透明区域TA2可以包括设置在彼此相邻的第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间的第一部分以及设置在彼此相邻的第一发光区域EA1与第一透明区域TA1之间的第二部分。在此,可以省略第一发光区域EA1与第一透明区域TA1之间设置的第二透明区域TA2的第二部分。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以具有不同的尺寸。例如,绿色子像素的第二发光区域EA2的尺寸可以大于红色子像素的第一发光区域EA1的尺寸并且小于蓝色子像素的第三发光区域EA3的尺寸,但不限于此。
此时,第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以沿第二方向、即X方向具有相同的长度,并且第一发光区域EA1可以具有比第二发光区域EA2和第三发光区域EA3更小的长度。此外,第一发光区域EA1和第二发光区域EA2可以具有比第三发光区域EA3更小的宽度,并且第一发光区域EA1和第二发光区域EA2的宽度可以相同或不同。
同时,信号线214和216被设置成与第一发光区域EA1交叠。信号线214和216包括用于提供低电位电压VSS的低电位电压线的第一辅助电极214和用于提供高电位电压VDD的高电位电压线216。
第一发光区域EA1的宽度可以比第一辅助电极214或高电位电压线216的宽度更宽。
第一辅助电极214和高电位电压线216沿X方向延伸,并沿Y方向彼此交替。即,第一辅助电极214沿Y方向设置在相邻的两个像素P之一中,而高电位电压线216设置在相邻的两个像素P中的另一个中。第一辅助电极214和高电位电压线216可以由相同的材料形成并且形成在同一层上。然而,本公开内容不限于此。
接触孔270d形成为对应于第一辅助电极214,并且第一辅助电极214通过接触孔270d电连接至发光二极管的阴极(未示出)。在此,接触孔270d基本上设置在第二透明区域TA2的第二部分之间。
同时,对于每个像素P,第二透明区域TA2的第一部分和第二部分可以具有不同的长度。即,在设置有第一辅助电极214的像素P中,第二透明区域TA2的第二部分可以具有比第二透明区域TA2的第一部分更长的长度。可替选地,在设置有高电位电压线216的像素P中,第二透明区域TA2的第一部分和第二部分可以具有相同的长度。然而,本公开内容不限于此。在设置有高电位电压线216的像素P中,第二透明区域TA2的第二部分的长度可以比第二透明区域TA2的第一部分的长度长。
将参照图8至图10详细描述根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000的截面结构。
图8是根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置的堤部结构的示意性平面图。
在图8中,根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2由堤部270限定。
堤部270具有第一开口270a、第二开口270b和第三开口270c。第一开口270a对应于第一发光区域EA1和第二透明区域TA2,第二开口270b对应于第一透明区域TA1,并且第三开口270c对应于第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个。
在此,第一开口270a和第三开口270c中的每一个可以被设置成与包括沿X方向彼此相邻的相同颜色子像素的一个子像素行的发光区域EA1、EA2和EA3相对应。
此外,堤部270还具有辅助接触孔270d。辅助接触孔270d设置在第二透明区域TA2的第一部分与第二部分之间,并与第一辅助电极214交叠。同时,辅助接触孔270d未形成在高电位电压线216之上。
可以沿X方向针对每个像素P形成辅助接触孔270d。在这种情况下,可以增加发光二极管的第二电极与第一辅助电极114之间的电接触面积,从而改善接触特性。可替选地,可以沿X方向针对两个像素P形成辅助接触孔270d。在这种情况下,可以减少在辅助接触孔270d的图案化工艺中可能发生的问题。
堤部270包括具有亲水性的第一堤部272和具有疏水性的第二堤部274。第二堤部274基本上具有第一开口270a、第二开口270b和第三开口270c以及辅助接触孔270d。
第一堤部272沿X方向设置在相邻的相同颜色子像素之间,并且第二堤部274设置在相邻的不同颜色子像素之间。即,第一堤部272沿X方向设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3的相邻发光区域之间,并且第二堤部274沿Y方向设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3的相邻发光区域之间。此外,第二堤部274还设置在发光区域与透明区域之间,更具体地,设置在第三发光区域EA3与第一透明区域TA1之间以及设置在第二发光区域EA2与第二透明区域TA2之间。此外,第二堤部274还设置在第一透明区域TA1与第二透明区域TA2之间。
第二堤部274具有与辅助接触孔270d对应的突起。因此,与辅助接触孔270d对应的第一开口270a的宽度小于与第一发光区域EA1对应的第一开口270a的宽度。
同时,第一堤部272还设置在第二透明区域TA2中。因此,第一发光区域EA1的发光层延伸至第二透明区域TA2中。
在根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000中,相同颜色子像素的发光层由于第一开口270a和第三开口270c而彼此连接并形成为一体,从而减小或最小化喷嘴之间的滴注量的偏差并均匀地形成子像素的发光层的厚度。因此,防止了不均匀,从而有效地防止显示装置的图像质量降低。
在图9和图10中示出了根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000的截面结构。
图9是与图8的线IV-IV'对应的截面图,图10是与图8的线V-V'对应的截面图,并且图11是与图8的线VI-VI'对应的截面图。将结合参照图3和图4进行描述。
如图9、图10和图11中所示,在根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000中,在基板200上限定包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的像素P。在此,第一发光区域EA1和第二发光区域EA2具有比第三发光区域EA3更小的宽度,并且第一发光区域EA1和第二发光区域EA2具有相同的宽度或不同的宽度。
第一发光区域EA1和第二透明区域TA2设置在第一透明区域TA1与第二发光区域EA2之间,并且第二透明区域TA2设置在第一发光区域EA1的两侧。
第一辅助电极214形成在基板200上的第一发光区域EA1中。缓冲层220基本上形成在基板200的整个表面上,并且薄膜晶体管Tr形成为对应于缓冲层220上的第二发光区域EA2和第三发光区域EA3。具体地,第一薄膜晶体管Tr1和第二薄膜晶体管Tr2设置在第二发光区域EA2中,并且第三薄膜晶体管Tr3设置在第三发光区域EA3中。可替选地,第一薄膜晶体管Tr1可以设置在第三发光区域EA3中。
在此,第一薄膜晶体管Tr1、第二薄膜晶体管Tr2和第三薄膜晶体管Tr3中的每一个可以具有与图3的薄膜晶体管Tr相同的配置。
然后,基本上在基板200的整个表面上方在薄膜晶体管Tr上依次形成钝化层250和涂覆层255,并且在各个子像素的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个中在涂覆层255上形成第一电极260。
尽管图中未显示,但是可以在缓冲层220与钝化层250之间进一步形成至少一个绝缘层。
钝化层250和涂覆层255具有暴露薄膜晶体管Tr的一部分、即漏电极的漏极接触孔255a,并且第一电极260通过漏极接触孔255a与薄膜晶体管Tr的漏电极接触。
在此,第一发光区域EA1中的第一电极260电连接至第二发光区域EA2中的第一薄膜晶体管Tr1。即,为了防止耦合,在第一辅助电极214所在的第一发光区域EA1中不形成薄膜晶体管,并且在第二发光区域EA2或第三发光区域EA3中形成第一薄膜晶体管Tr1。第一发光区域EA1中的第一电极260可以通过第二透明区域TA2与第二发光区域EA2或第三发光区域EA3之间的附加接触孔和/或图案连接至第一薄膜晶体管Tr1。可替选地,第一发光区域EA1中的第一电极260可以连接至第二发光区域EA2或第三发光区域EA3中的第一薄膜晶体管Tr1。
同时,在第二发光区域EA2与第二透明区域TA2之间在涂覆层255上形成连接图案262,并且连接图案262由与第一电极260相同的材料形成。具体地,连接图案262设置在第二透明区域TA2的第二部分与第二发光区域EA2之间。连接图案262与第一辅助电极214交叠。
涂覆层255具有对应于第一辅助电极214的接触孔255c,并且连接图案262通过接触孔255c电连接至第一辅助电极214。在此,示出了接触孔255c也形成在钝化层250和缓冲层220中,但不限于此。可替选地,可以在连接图案262与第一辅助电极214之间进一步形成第二辅助电极(未示出)。在这种情况下,可以仅在涂覆层255和钝化层250中形成接触孔255c,并且缓冲层220可以具有暴露第二辅助电极的其他接触孔。
接下来,在第一电极260和连接图案262上形成堤部270。堤部270具有第一开口270a、第二开口270b和第三开口270c。第一开口270a对应于第一发光区域EA1和第二透明区域TA2,第二开口270b对应于第一透明区域TA1,并且第三开口270c对应于第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个。此外,堤部270在第二发光区域EA2与第二透明区域TA2之间,更具体地,在第二发光区域EA2与第二透明区域TA2的第二部分之间,还具有辅助接触孔270d。辅助接触孔270d对应于第一辅助电极214。
第一发光区域EA1的第一电极260通过第一开口270a暴露,第一透明区域TA1的涂覆层255的顶表面通过第二开口270b暴露,第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每一个的第一电极260通过第三开口270c暴露。此外,连接图案262通过辅助接触孔270d暴露。
堤部270包括具有亲水性的第一堤部272和具有疏水性的第二堤部274。
第一堤部272形成在相邻的相同颜色子像素之间。另一方面,第二堤部274形成在相邻的不同颜色子像素之间,并且暴露设置在相邻的相同颜色子像素之间的第一堤部272。因此,在图9至图11中,第二堤部274形成在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的相邻发光区域之间,并且第一堤部272形成在相邻的第三发光区域EA3之间。尽管图中未示出,但是第一堤部272也形成在相邻的第一发光区域EA1之间以及相邻的第二发光区域EA2之间。
此外,第二堤部274形成在相邻的第一透明区域TA1与第二透明区域TA2之间以及彼此相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间。
同时,第一堤部272也形成在第二透明区域TA2中。此外,还可以在第二堤部274下方形成第一堤部272。因此,第一堤部272形成在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3的相邻发光区域之间,并且也形成在相邻的第一透明区域TA1与第二透明区域TA2之间以及彼此相邻的第二透明区域TA2与第二发光区域EA2之间。
发光层280形成在通过第一开口270a和第三开口270c中的每一个暴露的第一电极260上。发光层280包括分别对应于第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3的红色发光层280r、绿色发光层280g和蓝色发光层280b。红色发光层280r形成在第二透明区域TA2以及第一发光区域EA1中。
红色发光层280r、绿色发光层280g和蓝色发光层280b具有不同的厚度。例如,绿色发光层280g的厚度小于红色发光层280r的厚度并且大于蓝色发光层280b的厚度。
在此,发光层280还形成在相邻的相同颜色子像素之间暴露的第一堤部272上。第一堤部272上的发光层280连接至与其相邻的第一电极260上的发光层280,从而形成一体。即,如图11所示,蓝色发光层280b形成在相邻的第三发光区域EA3之间的第一堤部272上,并且第一堤部272上的蓝色发光层280b连接至与其相邻的第三发光区域EA3的蓝色发光层280b,从而形成一体。
发光层280通过溶液工艺形成。在此,通过与相同颜色子像素行对应的不同喷嘴滴下的溶液彼此连接,并且溶液被干燥,从而形成发光层280。因此,减小或最小化喷嘴之间的滴注量的偏差,使得形成在各个子像素中的薄膜的厚度可以均匀地形成。
此时,形成在具有最窄宽度的第一发光区域EA1中并且具有最厚厚度的红光发光层280r形成在第二透明区域TA2中以及第一发光区域EA1中,从而可以充分确保溶液滴落的区域。因此,可以防止红色发光层280r与绿色发光层280g之间的颜色混合。
接下来,在发光层280上形成第二电极290。第一电极260、发光层280和第二电极290构成发光二极管De。
在此,基本上在基板200的整个表面上方,更具体地,基本上在设置有多个像素P的整个显示区域上方形成第二电极290。即,第二电极290形成在所有第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2中,并且还形成在堤部270上。
第二电极290通过辅助接触孔270d电连接至第一辅助电极214。具体地,第二电极290通过辅助接触孔270d电连接至连接图案262,并且连接图案262通过接触孔255c电连接至第一辅助电极214。因此,第二电极290通过连接图案262电连接至第一辅助电极214。在此,第二电极290可以与连接图案262直接接触。
此外,第二电极290在第一透明区域TA1中还与通过第二开口270b暴露的涂覆层255接触。
在根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000中,与第一透明区域TA1相比,在第二透明区域TA2中还形成第一堤部272和发光层280。因此,第一透明区域TA1的透射率高于第二透明区域TA2的透射率。
如上所述,在根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000中,一个像素P包括发光区域EA和透明区域TA,使得可以在通过发光区域EA显示图像信息的同时通过透明区域TA显示周围环境信息例如背景。
此外,在根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000中,通过经由溶液工艺形成发光层280中的至少一些,可以省略精细金属掩模,从而降低制造成本,并且可以实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
此外,根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000被实现为顶部发光型,从而提高亮度并降低功耗。在此,由于第二电极290被形成为具有相对薄的厚度以透射光,因此第二电极290的电阻可能增加,但是可以通过经由连接图案262将第二电极290电连接至第一辅助电极214来降低第二电极290的电阻。
此外,在根据本公开内容的第二实施方式的透明显示装置2000中,相同颜色子像素的发光层280彼此连接并形成为一体,从而减小或最小化喷嘴之间的滴注量的偏差并均匀地形成各个子像素的发光层280的厚度。
此外,第二透明区域TA2设置在具有最小尺寸的第一发光区域EA1的两侧,使得第一发光区域EA1的具有最厚厚度的发光层280延伸至第二透明区域TA2中,从而防止第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间的颜色混合。
此外,第一辅助电极214设置在第一发光区域EA1下方,使得第一辅助电极214的宽度可以增加,从而进一步降低第二电极290的电阻。此外,由于可以增大辅助接触孔270d的尺寸,因此可以增大第二电极290与连接图案262之间的接触面积,从而可以改善第二电极290与连接图案262之间的接触特性。
在本公开内容中,由于每个像素包括发光区域和透明区域,因此可以在通过发光区域显示图像信息的同时通过透明区域显示周围环境信息例如背景。
此外,红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的发光区域被配置为具有不同的尺寸,设置在各个子像素处的发光二极管的寿命可以是均匀的,从而提高透明显示装置的寿命。
此外,透明显示装置被实现为顶部发光型,从而增加亮度并降低功耗。此时,第二电极通过连接图案电连接至辅助电极,使得第二电极的电阻降低。
此外,通过经由溶液工艺形成发光层的至少一部分,可以省略精细金属掩模,从而降低制造成本,并且可以实现大尺寸和高清晰度的显示装置。
此外,在具有最小尺寸并且其中形成具有最厚厚度的发光层的第一发光区域的两侧设置具有比第一透明区域低的透射率的第二透明区域,使得发光层延伸至第二透明区域中,从而防止彼此相邻的第一发光区域与第二发光区域之间的颜色混合。
此外,辅助电极设置在第二透明区域与第二发光区域之间,从而可以进一步防止彼此相邻的第一发光区域与第二发光区域之间的颜色混合。
可替选地,辅助电极设置在第一发光区域下方,使得辅助电极的宽度增加,从而进一步降低第二电极的电阻。
对于本领域技术人员而言明显的是,在不脱离实施方式的精神或范围的情况下,可以对本公开内容的装置进行各种修改和变化。因此,本公开内容旨在涵盖本发明的修改和变化,只要这些修改和变化落入所附权利要求及其等同的范围内即可。
Claims (15)
1.一种透明显示装置,包括:
基板,在所述基板上限定了包括沿第一方向布置的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域以及第一透明区域和第二透明区域的像素;
发光二极管,所述发光二极管设置在所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每一个中,并且包括第一电极、发光层和第二电极;以及
辅助电极,所述辅助电极在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且电连接至所述第二电极,
其中,所述第一发光区域和所述辅助电极设置在所述第一透明区域与所述第二透明区域之间,并且所述第二透明区域包括在所述第一发光区域与所述第二发光区域之间的第一部分,以及
其中,所述第一透明区域具有比所述第二透明区域更高的透射率。
2.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述第一发光区域中的所述发光层延伸至所述第二透明区域中。
3.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述辅助电极设置在所述第二透明区域与所述第二发光区域之间。
4.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述第二发光区域具有大于所述第一发光区域且小于所述第三发光区域的尺寸。
5.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述第二透明区域还包括在所述第一发光区域与所述第一透明区域之间的第二部分。
6.根据权利要求5所述的透明显示装置,其中,所述第二部分沿所述第二方向的长度比所述第一部分沿所述第二方向的长度长。
7.根据权利要求1所述的透明显示装置,还包括具有第一开口、第二开口、第三开口和辅助接触孔的堤部,
其中,所述第一开口对应于所述第一发光区域和所述第二透明区域,所述第二开口对应于所述第一透明区域,所述第三开口对应于所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每一个,并且所述辅助接触孔对应于所述辅助电极。
8.根据权利要求7所述的透明显示装置,其中,所述堤部包括具有亲水性的第一堤部和具有疏水性的第二堤部。
9.根据权利要求8所述的透明显示装置,其中,所述第一堤部和所述第二堤部形成为一体。
10.根据权利要求7所述的透明显示装置,其中,沿所述第二方向的相邻发光区域的所述发光层彼此连接以形成一体。
11.根据权利要求1所述的透明显示装置,还包括在所述基板与所述第一电极之间的至少一个薄膜晶体管,其中,所述第一电极连接至所述至少一个薄膜晶体管。
12.根据权利要求1所述的透明显示装置,还包括连接图案,所述连接图案由与所述第一电极相同的材料形成并且与所述第一电极形成在同一层上,
其中,所述第二电极通过所述连接图案电连接至所述辅助电极。
13.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述辅助电极与所述第一发光区域交叠。
14.根据权利要求13所述的透明显示装置,还包括在所述基板与所述第一电极之间的至少一个薄膜晶体管,
其中,所述至少一个薄膜晶体管连接至所述第一发光区域中的所述第一电极,并且设置在所述第二发光区域或所述第三发光区域中。
15.根据权利要求8所述的透明显示装置,其中,所述第一堤部沿所述第二方向设置在相邻的相同颜色子像素之间,并且所述第二堤部设置在相邻的不同颜色子像素之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200184998A KR20220093874A (ko) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 투명표시장치 |
KR10-2020-0184998 | 2020-12-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114695445A true CN114695445A (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=81972249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111306254.2A Pending CN114695445A (zh) | 2020-12-28 | 2021-11-05 | 透明显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11839108B2 (zh) |
JP (1) | JP7410918B2 (zh) |
KR (1) | KR20220093874A (zh) |
CN (1) | CN114695445A (zh) |
DE (1) | DE102021134453A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024027716A1 (zh) * | 2022-08-03 | 2024-02-08 | 华为技术有限公司 | 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102613734B1 (ko) * | 2018-12-24 | 2023-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101097338B1 (ko) | 2010-03-05 | 2011-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN103500752A (zh) | 2013-09-27 | 2014-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled像素结构和oled显示装置 |
KR102290785B1 (ko) | 2014-11-18 | 2021-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN105633297B (zh) * | 2014-11-25 | 2018-04-20 | 乐金显示有限公司 | 透视有机发光显示装置及其制造方法 |
KR102475504B1 (ko) * | 2015-08-20 | 2022-12-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명표시패널 및 이를 포함하는 투명표시장치 |
KR102520708B1 (ko) | 2016-03-29 | 2023-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
EP3240036B1 (en) | 2016-04-29 | 2024-05-01 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
KR20180077855A (ko) | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
CN109937443A (zh) | 2016-11-10 | 2019-06-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及显示装置的驱动方法 |
KR102448843B1 (ko) | 2017-12-29 | 2022-09-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP7179517B2 (ja) | 2018-03-01 | 2022-11-29 | Tianma Japan株式会社 | 表示装置 |
KR20200073599A (ko) | 2018-12-14 | 2020-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
-
2020
- 2020-12-28 KR KR1020200184998A patent/KR20220093874A/ko unknown
-
2021
- 2021-10-28 US US17/513,590 patent/US11839108B2/en active Active
- 2021-11-05 CN CN202111306254.2A patent/CN114695445A/zh active Pending
- 2021-11-22 JP JP2021189189A patent/JP7410918B2/ja active Active
- 2021-12-23 DE DE102021134453.0A patent/DE102021134453A1/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024027716A1 (zh) * | 2022-08-03 | 2024-02-08 | 华为技术有限公司 | 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220093874A (ko) | 2022-07-05 |
JP2022104551A (ja) | 2022-07-08 |
US20220208865A1 (en) | 2022-06-30 |
JP7410918B2 (ja) | 2024-01-10 |
DE102021134453A1 (de) | 2022-06-30 |
US11839108B2 (en) | 2023-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11398535B2 (en) | Electroluminescent display device with bank between same color sub-pixels | |
US11063097B2 (en) | Transparent display device | |
US11605681B2 (en) | Electroluminescent display device | |
CN111326549B (zh) | 电致发光显示装置及其制造方法 | |
CN113130565B (zh) | 电致发光显示装置 | |
US11903235B2 (en) | Transparent display device | |
US11594701B2 (en) | Electroluminescent display device and method of manufacturing the same | |
US20210175305A1 (en) | Electroluminescent Display Device | |
JP7410918B2 (ja) | 透明表示装置 | |
US11864440B2 (en) | Electroluminescent display device | |
US11658205B2 (en) | Electroluminescent display device | |
US11917847B2 (en) | Electroluminescent display device including a conductive bank disposed between a second electrode and a connection pattern | |
US11825693B2 (en) | Transparent display device | |
US20220173179A1 (en) | Electroluminescent display device | |
CN116249399A (zh) | 电致发光显示装置及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |