CN114695440A - 可折叠显示装置 - Google Patents
可折叠显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114695440A CN114695440A CN202111217055.4A CN202111217055A CN114695440A CN 114695440 A CN114695440 A CN 114695440A CN 202111217055 A CN202111217055 A CN 202111217055A CN 114695440 A CN114695440 A CN 114695440A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- disposed
- layer
- display device
- transistor
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 241
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 44
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 101100347958 Arabidopsis thaliana NAP1;1 gene Proteins 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 101150046077 nfa1 gene Proteins 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 101100347962 Arabidopsis thaliana NAP1;2 gene Proteins 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 241000750042 Vini Species 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 101100134058 Caenorhabditis elegans nth-1 gene Proteins 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
- G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Geometry (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
提供了一种可折叠显示装置。可折叠显示装置包括:具有折叠区域和位于折叠区域两侧的非折叠区域的柔性显示基板;以及设置在柔性基板上并沿第一方向延伸的多条扫描线。设置在折叠区域中的扫描线包括设置在不同层上且由不同材料形成的第一部分和第二部分。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0189701号的优先权,其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及可折叠显示装置,更具体地,涉及具有改进的耐用性和可折叠性的可折叠显示装置。
背景技术
近来,随着社会进入全面信息时代,处理和显示大量信息的显示装置领域得到迅速发展。作为用于计算机、电视机、蜂窝电话等的显示器的显示装置,存在作为自发光装置的有机发光显示装置、需要单独光源的液晶显示(LCD)装置等。
显示装置的应用范围多样化到个人数字助理以及计算机和电视机的显示器,并且正在研究具有大的显示面积和减小的体积和重量的显示装置。
具体地,最近,被制造成即使其像纸一样弯曲或折叠也能够显示图像的柔性显示装置作为下一代显示装置受到关注。柔性显示装置利用塑料薄膜晶体管基板而不是玻璃,被分为具有高耐用性的不易断裂的显示装置(unbreakable display device)、能够弯曲而不断裂的可弯曲显示装置、能够卷绕的可卷绕显示装置、能够折叠的可折叠显示装置等。这样的柔性显示装置在空间利用、内部以及设计方面具有优势,并且具有各种应用领域。
其中,像可折叠显示装置的柔性显示装置包括折叠区域,该折叠区域能够相对于折叠轴线沿着特定的曲率半径折叠。然而,当可折叠显示装置的折叠区域被反复折叠时,设置在折叠区域中的布线可能破裂。具体地,由诸如钼(Mo)的断裂应变低于无机层的断裂应变的材料形成的布线容易破裂或短路,从而降低显示面板PNL的质量。
发明内容
本公开要实现的目的是提供一种可折叠显示装置,其中设置在折叠区域中的扫描线或发光控制信号线的耐用性和可折叠性得到提高。
本公开要实现的另一个目的是提供一种可折叠显示装置,其通过信号线提高显示质量,该信号线减少施加至布线的负载(load)并且快速传输信号。
本公开的目的不限于上述目的,并且本领域技术人员通过以下描述可以清楚地理解以上未提及的其他目的。
本公开涉及一种可折叠显示装置,具体地,根据本公开的一个方面,该可折叠显示装置包括:柔性显示基板,该柔性显示基板包括折叠区域和位于折叠区域两侧的非折叠区域;以及多条扫描线,上述多条扫描线设置在柔性基板上并沿第一方向延伸,并且设置在折叠区域中的扫描线包括设置在不同层上且由不同材料形成的第一部分与第二部分。
示例性实施方式的其他详细事项包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开,设置在折叠区域中的扫描线和/或发光控制信号线由设置在不同层上的第一部分和第二部分构成,以提高布线的耐用性和可折叠性。
根据本公开,可以抑制折叠区域中的信号线的破裂或短路,并且可以提高显示面板PNL的耐用性和显示质量。
根据本公开,信号线部分地使用具有低比电阻(specific resistance)的材料构成,以提供具有改进的显示性能的可折叠显示装置。
根据本公开的效果不限于以上例示的内容,并且本说明书中包括更多种效果。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点,在附图中:
图1是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的示意性平面图;
图2是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的像素电路的电路图;
图3是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的第一子像素的示意性平面图;
图4是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的第一子像素的示意性截面图;
图5是沿图3的V-V'线截取的截面图;
图6是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的第二子像素的示意性平面图;
图7是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的示意性截面图;以及
图8是沿图6的线VIII-VIII'截取的截面图。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式,本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而,本公开不限于本文中公开的示例性实施方式,而是将以各种形式实施。示例性实施方式仅作为示例提供,以使本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此,本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
在附图中示出的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例,并且本公开不限于此。在整个说明书中,相同的附图标记通常表示相同的元件。此外,在本公开的以下描述中,可以省略对已知相关技术的详细说明以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件,除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明,否则任何对单数的提及都可以包括复数。
即使没有明确说明,部件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”的术语来描述两个部分之间的位置关系时,除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用,否则一个或更多个部分可以定位在这两个部分之间。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时,该元件或层可以直接设置在另一元件或层上,或者其他元件或层可以置于其间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件,但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开来。因此,在本公开的技术构思中,下面要提到的第一部件可以是第二部件。
在整个说明书中,相似的附图标记通常表示相似的元件。
附图中所示的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的,并且本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施方式的特征可以部分或全部地彼此依附或组合,并且可以在技术上以多种方式互锁和操作,并且实施方式可以彼此独立或相关联地执行。
在下文中,将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置。
图1是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的示意性平面图。
参照图1,根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置100包括显示面板PNL。在下文中,为了便于描述,假设根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置是有机发光显示装置,但不限于此。
参照图1,可折叠显示装置100中包括的显示面板PNL包括显示区域DA和非显示区域NDA。此外,显示面板PNL包括折叠区域FA和非折叠区域NFA1和NFA2。显示面板PNL可以根据是否显示图像被划分为显示区域DA和非显示区域NDA,并且可以根据是否可折叠被划分为折叠区域FA和在折叠区域两侧的非折叠区域NFA1和NFA2。
显示区域DA是设置多个像素以基本上显示图像的区域。在显示区域DA中,可以设置多个像素,上述多个像素包括显示图像的发光区域、用于驱动像素的薄膜晶体管、电容器等。一个像素可以包括多个子像素SP。子像素SP是构成显示区域DA的最小单元,并且每个子像素SP可以被配置成发射特定波段的光。例如,每一个子像素SP可以被配置成发射红光、绿光、蓝光或白光。这里,多个子像素SP包括设置在非折叠区域NFA1和NFA2中的第一子像素SP1和设置在折叠区域FA中的第二子像素SP2。非显示区域NDA被定位成包围显示区域DA。非显示区域NDA是实质上不显示图像并且设置有用于驱动设置在显示区域DA中的像素的各种布线、驱动IC、印刷电路板等以及驱动电路的区域。例如,在非显示区域NDA中,可以设置诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种驱动IC、VSS线等。
如上所述,根据是否可折叠,显示面板PNL可以被限定为折叠区域FA和非折叠区域NFA1和NFA2。根据本公开的示例性实施方式的显示面板PNL包括沿着垂直于折叠区域FA的折叠轴线F的方向,即Y轴方向,顺序定位的第一非折叠区域NFA1、折叠区域FA和第二非折叠区域NFA2。
折叠区域FA是当可折叠显示装置100折叠时被折叠的区域,并且可以包括显示区域DA的一部分和非显示区域NDA的一部分。折叠区域FA可以沿着与折叠区域FA的折叠轴线F垂直的方向,即,沿着图1的Y轴方向,以特定曲率半径折叠。当折叠区域FA相对于与折叠轴线F垂直的方向折叠时,折叠区域FA可以形成圆形或椭圆形的一部分。此时,折叠区域FA的曲率半径可以指与由折叠区域FA形成的圆形或椭圆形的一部分对应的半径。
当可折叠显示装置100被折叠时,第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2不折叠。即,当可折叠显示装置100被折叠时,第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2保持平坦状态。第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2可以包括显示区域DA的一部分和非显示区域NDA的一部分。当折叠区域FA相对于折叠方向被折叠时,第一非折叠区域NFA1和第二非折叠区域NFA2可以彼此交叠。
显示面板PNL是实现图像的面板。用于实现图像的显示元件和用于驱动显示元件的电路单元可以设置在显示面板中。例如,当可折叠显示装置100是有机发光显示装置时,显示元件可以包括有机发光二极管。
电路单元可以包括用于驱动有机发光二极管的各种薄膜晶体管、电容器、布线、驱动IC等。例如,电路单元可以包括诸如驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容器、栅极线、数据线、栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种配置,但不限于此。
在显示面板PNL中,其上形成有驱动薄膜晶体管和发光二极管的柔性基板被封装单元封装,从而为了实现柔性,显示面板PNL包括具有非常薄的厚度的柔性基板和设置在柔性基板上的显示元件。
将一起参照图2更详细地描述显示面板PNL的多个子像素SP的像素电路。
图2是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的像素电路的电路图。
参照图2,在多个子像素SP的每一个子像素中,设置有发光二极管(OLED)和用于驱动发光二极管(OLED)的像素电路。
像素电路可以包括多个晶体管和存储电容器Cst。例如,像素电路可以形成为包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、驱动晶体管DT和一个存储电容器Cst的7T1C结构。然而,像素电路中包括的晶体管及电容器的数目可以变化,并且不限于此。
同时,多个晶体管可以是N型晶体管或P型晶体管。在N型晶体管中,载流子是电子,因此电子可以从源电极流向漏电极,并且电流可以从漏电极流向源电极。在P型晶体管中,载流子是空穴,因此空穴可以从源电极流向漏电极,并且电流可以从源电极流向漏电极。例如,多个晶体管中的一个或更多个晶体管可以是N型晶体管,并且多个晶体管中的其他晶体管可以是P型晶体管。在下文中,假设多个晶体管是P型晶体管,但不限于此。
驱动晶体管DT是控制施加至发光二极管OLED的驱动电流的晶体管。在驱动晶体管DT中,第一电极连接至第一节点N1,栅电极GE连接至第二节点N2,并且第二电极连接至第三节点N3。第一节点N1是高电位电力电压VDD或数据电压Vdata被传输到其的节点,并且驱动晶体管DT可以经由第一节点N1电连接至高电位电力线或数据线DL。第二节点N2是存储电容器Cst与初始化线之间的节点,并且驱动晶体管DT可以基于传输至第二节点N2的电压而导通或截止。第三节点N3是驱动晶体管DT与发光二极管OLED之间的节点,并且驱动电流可以传递通过第三节点N3以被传输至发光二极管OLED的阳极。
第一晶体管T1根据施加至栅电极GE的电压选择性地连接数据线DL和第一节点N1。第一晶体管T1具有连接至第N扫描线SL的栅电极GE,以通过第N扫描信号SCAN(N)导通或截止。当第一晶体管T1导通时,第一节点N1和数据线DL可以电连接。
第二晶体管T2根据施加至栅电极GE的电压选择性地连接高电位电力线和第一节点N1。第二晶体管T2具有连接至发光控制线的栅电极GE,以通过施加至发光控制线的发光控制信号EM导通或截止。当第二晶体管T2导通时,第一节点N1和高电位电力线可以电连接。
第三晶体管T3连接在第二节点N2与第三节点N3之间。第三晶体管T3可以连接在驱动晶体管DT的栅电极GE与第二电极之间。第三晶体管T3具有连接至第N扫描线SL的栅电极GE,以通过第N扫描信号SCAN(N)导通或截止。导通的第三晶体管T3将驱动晶体管DT的栅电极GE与第二电极短路以形成驱动晶体管DT的二极管连接。
如果驱动晶体管DT通过第三晶体管T3形成二极管连接,则电流可以从驱动晶体管DT的第一电极流向第二电极,并且第二节点N2的电压可以持续增加。在这种情况下,连接至驱动晶体管DT的栅电极GE的第二节点N2的电压上升了通过从数据电压Vdata中减去驱动晶体管DT的阈值电压而获得的值,以对驱动晶体管DT的阈值电压进行采样。因此,第三晶体管T3可以允许通过将驱动晶体管DT的阈值电压补偿到数据电压Vdata而获得的电压被施加至驱动晶体管DT。
第四晶体管T4设置在初始化线与第二节点N2之间。第四晶体管T4通过施加至第N-1扫描线SL的第N-1扫描信号SCAN(N-1)导通以电连接初始化线和第二节点N2。第四晶体管T4向作为第二节点N2的驱动晶体管DT的栅电极GE传输初始化电压Vini,以将驱动晶体管DT的栅电极GE的电压初始化为初始化电压Vini。
第五晶体管T5设置在驱动晶体管DT与发光二极管OLED之间。第五晶体管T5通过发光控制线的发光控制信号EM导通以将驱动电流传输至发光二极管OLED。可以通过调整第五晶体管T5的导通定时来控制发光二极管OLED的发光定时。
第六晶体管T6设置在发光二极管OLED的阳极与初始化线之间。第六晶体管T6通过施加至第N-1扫描线SL的第N-1扫描信号SCAN(N-1)导通,以将发光二极管OLED的阳极的电压初始化为初始化电压Vini。此时,将阳极的电压初始化为初始化电压Vini的第六晶体管T6可以被称为初始化晶体管。
存储电容器Cst设置在高电位电力线与第二节点N2之间。存储电容器Cst存储预定电压以在发光时段期间恒定地保持驱动晶体管DT的栅电极GE的电压。
在发光二极管OLED中,阳极连接至第五晶体管T5,并且阴极连接至低电位电力线。发光二极管OLED可以被提供由驱动晶体管DT控制的驱动电流以发光。
其中,可以通过将一帧划分成初始化时段、采样和数据写入时段以及发光时段来在一帧中驱动像素电路。
在初始化时段期间,驱动晶体管DT的栅电极GE的电压可以被初始化。
首先,在初始化时段期间,可以将低电平的第N-1扫描信号SCAN(N-1)施加至第N-1扫描线SL。当低电平的第N-1扫描信号SCAN(N-1)被施加时,第四晶体管T4和第六晶体管T6可以导通。
第四晶体管T4导通以将驱动晶体管DT的栅电极GE的电压初始化为初始化电压Vini。第六晶体管T6导通,使得初始化电压Vini被传输至发光二极管OLED的阳极,以将阳极的电压初始化为初始化电压Vini。
接下来,在采样和数据写入时段期间,可以向第N扫描线SL施加低电平的第N扫描信号SCAN(N)。在这种情况下,通过栅电极GE连接至第N扫描线SL的第一晶体管T1和第三晶体管T3可以导通。
第一晶体管T1导通以将数据电压Vdata提供至作为第一节点N1的驱动晶体管DT的第一电极。此时,如上所述,第三晶体管T3导通,使得第二节点N2的电压升高了通过从数据电压Vdata中减去驱动晶体管DT的阈值电压而获得的值。此外,通过向数据电压Vdata补偿驱动晶体管DT的阈值电压而获得的电压可以被施加至驱动晶体管DT的栅电极GE。
最后,在发光时段期间,施加低电平的发光控制信号EM以使第二晶体管T2和第五晶体管T5导通。第二晶体管T2被导通以向驱动晶体管DT提供高电位电力电压VDD,以及第五晶体管T5被导通以将驱动电流从驱动晶体管DT传输至发光二极管OLED。因此,在发光时段期间,可以向发光二极管OLED提供驱动电流以发光。
在下文中,将一起参照图3至图5更详细地描述多个子像素SP中的设置在非折叠区域NFA1和NFA2中的第一子像素SP1。
图3是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的第一子像素的示意性平面图。图4是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的第一子像素的示意性截面图。图5是沿图3中V-V'线截取的截面图。在图4中,为了描述方便,在截面图上主要示出第一子像素的发光二极管和第五晶体管T5。
首先,参照图3,在第一子像素SPl中,设置有第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、驱动晶体管DT和一个存储电容器Cst。此外,在第一子像素SP1中,传输高电位电力电压的高电位电力线VDDL、传输数据电压的数据线DL、传输第n扫描信号的第n扫描线SL(n)、传输第n-1扫描信号的第n-1扫描线SL(n-1)、传输发光控制信号的发光控制信号线ECL、以及传输初始化电压的初始化电压线(VIL)被设置成从中通过。已经参照图2详细描述了第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、驱动晶体管DT和一个存储电容器Cst,因此将省略冗余的描述。然而,第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、驱动晶体管DT和一个存储电容器Cst在平面图中的布置不限于图3所示的示例性实施方式,并且可以以各种形式变化。
参照图4,显示装置100包括基板110、第一缓冲层111、第二缓冲层112、栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第一平坦化层116、第二平坦化层117、堤部118、发光二极管OLED、第五晶体管T5、遮光层BSM、第一导电层M1、第二导电层M2、以及第三导电层M3。
参照图4,基板110是用于支承可折叠显示装置100的其他部件的支承构件,并且可以由绝缘材料配置。例如,基板110可以由玻璃或树脂形成。此外,基板110可以被配置成包括诸如聚合物或聚酰亚胺PI的塑料或者可以由具有柔性的材料形成。
第一缓冲层111设置在基板110上。第一缓冲层111可以减少湿气或杂质通过基板110的渗透。例如,第一缓冲层111可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物SiNx的单层或双层构成,但不限于此。然而,根据基板110的类型或晶体管的类型可以省略第一缓冲层111,但不限于此。
遮光层BSM设置在第一缓冲层111上。遮光层BSM是阻挡入射到第五晶体管T5的有源层ACT上的外部光的层。遮光层BSM可以由金属形成,但不限于此。
可以向遮光层BSM施加电压。例如,可以向遮光层BSM施加恒定电压,并且抑制遮光层BSM的电浮置状态,以抑制遮光层BSM与其他部件之间产生的寄生电容,但不限于此。可替选地,可以向遮光层BSM施加与栅电极GE相同的电压。因此,第五晶体管T5可以实现为具有包括两个栅电极GE的双栅结构,但不限于此。
第二缓冲层112设置在第一缓冲层111和遮光层BSM上。第二缓冲层112可以减少湿气或杂质通过基板110的渗透,并且使遮光层BSM与第五晶体管T5的有源层ACT绝缘。例如,第二缓冲层112可以由硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx的单层或双层构成,但不限于此。
第五晶体管T5设置在第二缓冲层112上。第五晶体管T5包括有源层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
有源层ACT可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成,但不限于此。例如,当有源层ACT由氧化物半导体形成时,有源层ACT由沟道区、源极区和漏极区构成,并且源极区和漏极区可以是导电区,但不限于此。
栅极绝缘层113设置在有源层ACT上。栅极绝缘层113是使有源层ACT与栅电极GE绝缘的绝缘层,并且可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或双层构成,但不限于此。
栅电极GE设置在栅极绝缘层113上。栅电极GE可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成,但不限于此。然而,根据下面要描述的第a扫描线和第b扫描线的配置,栅电极可以由钼(Mo)构成。
此外,第一导电层M1可以设置在栅极绝缘层113上。第一导电层M1是向遮光层BSM施加电压的导电层。第一导电层M1可以是电极或布线。第一导电层M1可以由与栅电极GE相同的材料形成,但不限于此。
第一层间绝缘层114设置在栅电极GE和第一导电层M1上。在第一层间绝缘层114中,形成源电极SE和漏电极DE通过其分别连接至有源层ACT的接触孔。第一层间绝缘层114可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或双层构成,但不限于此。
第二导电层M2设置在第一层间绝缘层114上。第二导电层M2可以用作像素电路中的中间层。此处,中间层是将两个导电层(例如,两条不同的布线、两个不同的电极、或一条布线和一个电极)电连接的导电层。另外,第二导电层M2也可以用作为存储电容器的一个电极。然而,其不限于此,并且第二导电层M2可以在像素电路中用于各种目的。
第二层间绝缘层115设置在第一层间绝缘层114和第二导电层M2上。在第二层间绝缘层115中,形成源电极SE和漏电极DE通过其分别连接至有源层ACT的接触孔。第二层间绝缘层115可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或双层构成,但不限于此。
源电极SE和漏电极DE设置在第二层间绝缘层115上。设置为彼此间隔开的源电极SE和漏电极DE可以电连接至有源层ACT。源电极SE和漏电极DE可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成,但不限于此。然而,根据下面要描述的第b扫描线的配置,源电极SE和漏电极DE可以由铝(Al)构成。
第一平坦化层116设置在第二层间绝缘层115上。第一平坦化层116是使基板110的上部平坦化的绝缘层。第一平坦化层116可以由有机材料形成,并且例如,可以由聚酰亚胺或光亚克力的单层或双层构成,但不限于此。
第三导电层M3设置在第一平坦化层116上。第三导电层M3是连接第五晶体管T5的漏电极DE和发光二极管OLED的阳极ANO的中间层。第三导电层M3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成,但是不限于此。然而,第三导电层M3可以由与高电位电力线VDDL和数据线DL相同的材料形成。
第二平坦化层117设置在第三导电层M3上。第二平坦化层117是将基板110的上部平坦化的绝缘层。第二平坦化层117可以由有机材料形成,并且例如可以由聚酰亚胺或光亚克力的单层或双层构成,但不限于此。
发光二极管OLED设置在第二平坦化层117上。发光二极管OLED包括阳极ANO、有机层EL和阴极CAT。
阳极ANO设置在第二平坦化层117上。阳极ANO电连接至像素电路的晶体管,例如,第五晶体管T5,以被提供驱动电流。阳极ANO向有机层EL提供空穴,因此阳极可以由具有高功函数的导电材料形成。例如,阳极ANO可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成,但不限于此。
其中,可折叠显示装置100可以通过顶部发光型或底部发光型来实现。当显示装置为顶部发光型时,可以在阳极ANO下方添加由例如铝(Al)或银(Ag)的具有优异反射效率的金属材料形成的反射层。因此,从有机层EL发出的光被阳极ANO反射而被导向上方,即,阴极CAT。相反,当可折叠显示装置100是底部发光型时,阳极ANO可以仅由透明导电材料形成。在下文中,将在根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置100是顶部发光型的假设下进行描述。
堤部118设置在阳极ANO和第二平坦化层117上。堤部118是设置在多个子像素SP之间以划分多个子像素SP的绝缘层。堤部118包括使阳极ANO的一部分露出的开口。堤部118可以是设置成覆盖阳极ANO的边缘或边界的有机绝缘材料。例如,堤部118可以由聚酰亚胺树脂、亚克力树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂形成,但不限于此。
有机层EL设置在阳极ANO和堤部118上。有机层EL可以包括发光层和公共层。发光层是发射具有特定颜色的光的有机层EL,并且可以根据由多个子像素发射的光的颜色对于每一个子像素设置不同的发光层。然而,其不限于此,并且发光层公共地设置在多个子像素SP的全部中,并且来自发光层的光可以通过光转换层、滤色器等被转换成具有各种颜色的光。
公共层是被设置成提高发光层的发光效率的有机层EL。公共层可以形成为多个子像素SP上方的一个层。即,多个子像素SP的公共层被连接以一体地形成。公共层可以包括电荷产生层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等,但不限于此。
阴极CAT设置在有机层EL上。阴极CAT向有机层EL提供电子,因此阴极可以由具有低功函数的导电材料形成。阴极CAT可以形成为多个子像素SP上方的一个层。即,多个子像素SP的阴极CAT被连接以一体形成。例如,阴极CAT可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料或者诸如MgAg或镱(Yb)合金的金属合金形成,并且还可以包括金属掺杂层,但不限于此。同时,尽管附图中未示出,阴极CAT电连接至低电位电力线以被提供低电位电力电压VSS。
参照图5,图5示出其中在图3所示的像素电路的平面图上在水平方向上延伸的第n扫描线SL(n)被设置的区域的截面。在图3中,为了概括说明的目的,示出了第n扫描线SL(n)和第n-1扫描线SL(n-1)。然而,在图5中,为了说明特定的第一子像素SP1,即位于第a线上的第一子像素SP1,第n扫描线SL(n)以第a扫描线表示。
参照图5,第一缓冲层111设置在基板110上并且第二缓冲层112设置在第一缓冲层111上。
第一布线L1设置在第二缓冲层112上。第一布线L1可以由与有源层ACT相同的材料形成。此外,第一布线L1可以连接至有源层ACT。然而,除了用作有源层的区域之外,电流可能不会在第一布线L1中流动。
栅极绝缘层113设置在第一布线L1上。
第a扫描线SL(a)设置在栅极绝缘层113上。第a扫描线SL(a)可以由与栅电极GE相同的材料形成。具体地,第a扫描线SL(a)可以与第三晶体管T3的栅电极GE一体形成。第a扫描线SL(a)可以形成为整个显示面板PNL中的单层。然而,根据将在下面描述的第b扫描线SL(b)的配置,第a扫描线SL(a)可以由钼(Mo)构成。
第一层间绝缘层114设置在第a扫描线SL(a)上,并且第二层间绝缘层115设置在第一层间绝缘层114上。
第二布线L2设置在第二层间绝缘层115上。第二布线L2可以用作连接线。即,第二布线可以用作连接两个需要连接的导电层的布线。例如,参照图3,第二布线L2可以连接第一布线L1和第二导电层M2。即,第二布线L2可以连接第三晶体管T3的源电极SE和存储电容器Cst的一个电极。然而,第二布线L2的功能不限于此。此外,第二布线L2可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成,但不限于此。然而,根据下面将描述的第b扫描线SL(b)的配置,第二布线L2可以由铝(Al)构成。
第一平坦化层116设置在第二布线L2上。高电位电力线VDDL和数据线DL设置在第一平坦化层116上。第二平坦化层117设置在高电位电力线VDDL和数据线DL上。
尽管图4和图5中未示出,发光控制信号线ECL设置在栅极绝缘层113上。发光控制信号线ECL可以由与栅电极GE和第a扫描线SL(a)相同的材料形成。
尽管图4和图5中未示出,初始化电压线VIL设置在第二层间绝缘层115上。初始化电压线VIL可以由与源电极SE和漏电极DE相同的材料形成。
在下文中,将一起参照图6至图8更详细地描述多个子像素SP中的设置在折叠区域FA中的第二子像素SP2。
图6是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的第二子像素的示意性平面图。图7是根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置的示意性截面图。图8是沿图6的VIII-VIII'线截取的截面图。图7中,为了描述方便,在截面图上主要示意性地示出了第二子像素SP2的第五晶体管T5和发光二极管OLED。
首先,参照图6,在第二子像素SP2中,设置有第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、驱动晶体管DT和一个存储电容器Cst。此外,在第二子像素SP2中,传输高电位电力电压的高电位电力线VDDL、传输数据电压的数据线DL、传输第n扫描信号的第n扫描线SL(n)、传输第n-1扫描信号的第n-1扫描线SL(n-1)、传输发光控制信号的发光控制信号线ECL和传输初始化电压的初始化电压线(VIL)被设置为从中通过。已经参照图2详细描述了第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、驱动晶体管DT和一个存储电容器Cst,因此将省略冗余的描述。然而,第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、驱动晶体管DT和一个存储电容器Cst在平面图上的布置不限于图6所示的示例性实施方式并且可以以各种形式变化。
参照图7,显示装置100包括基板110、第一缓冲层111、第二缓冲层112、栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第一平坦化层116、第二平坦化层117、堤部118、发光二极管OLED、第五晶体管T5、遮光层BSM、第三导电层M3、第四导电层M4和第五导电层M5。与图4所示的第一子像素SP1的截面结构相比,图7所示的第二子像素SP2的截面结构基本相同,不同之处在于省略了第一导电层M1和第二导电层M2以及增加了第四导电层M4和第五导电层M5。因此,将省略冗余的描述。
第四导电层M4设置在第二层间绝缘层115上。第四导电层M4是向遮光层BSM施加电压的导电层。第四导电层M4可以是电极或布线。第四导电层M4可以由与源电极SE和漏电极DE相同的材料形成,但不限于此。第四导电层M4可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成,但不限于此。然而,根据下面将描述的第b扫描线SL(b)的配置,第四导电层M4可以由铝(Al)构成。
第五导电层M5设置在第一平坦化层116上。第五导电层M5是用于连接第四导电层M4的中间层。第五导电层M5可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成,但不限于此。
第二平坦化层117设置在第五导电层M5上。
参照图8,图8示出了在图6所示的像素电路的平面图上在水平方向上延伸的第n扫描线SL(n)被设置的区域的截面。在图6中,为了概括说明的目的,示出了第n扫描线SL(n)和第n-1扫描线SL(n-1)。然而,在图8中,为了说明特定的第二子像素SP2,即位于第b线上的第二子像素SP2,第n扫描线SL(n)以第b扫描线SL(b)表示。
参照图8,第一缓冲层111设置在基板110上,并且第二缓冲层112设置在第一缓冲层111上。
第一布线L1设置在第二缓冲层112上。第一布线L1可以由与有源层ACT相同的材料形成。此外,第一布线L1可以连接至有源层ACT。然而,除了用作有源层的区域之外,电流可能不会在第一布线L1中流动。
栅极绝缘层113设置在第一布线L1上。
在根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置100中,设置在折叠区域FA中的第二子像素SP2的第b扫描线SL(b)包括第一部分SL(b)_1和第二部分SL(b)_2。第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1和第二部分SL(b)_2设置在不同的层上。
第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1设置在栅极绝缘层113上。第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1可以由与栅电极GE相同的材料形成。具体地,第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1可以与第三晶体管T3的栅电极GE一体形成。第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成,并且根据第二部分SL(b)_2的配置,第一部分SL(b)_1可以由钼(Mo)构成。
第一层间绝缘层114设置在第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1上,并且第二层间绝缘层115设置在第一层间绝缘层114上。
第b扫描线SL(b)的第二部分SL(b)_2设置在第二层间绝缘层115上。第b扫描线SL(b)的第二部分SL(b)_2可以由与源电极和漏电极相同的材料形成。第b扫描线SL(b)的第二部分SL(b)_2可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成,但不限于此。
其中,第b扫描线SL(b)的第二部分SL(b)_2可以由具有比构成第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1的材料的模量(modulus)和断裂应变更高的模量和断裂应变的材料形成。例如,当第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1由钼(Mo)形成时,第b扫描线SL(b)的第二部分SL(b)_2可以由铝(Al)形成。
第b扫描线SL(b)的第二部分SL(b)_2通过形成在第一层间绝缘层114和第二层间绝缘层115中的接触孔连接至第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1。形成在折叠区域中的第b扫描线SL(b)由设置在不同层上的第一部分SL(b)_1和第二部分SL(b)_2构成,并且第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1和第二部分SL(b)_2通过接触孔电连接以形成一条扫描线。
第一平坦化层116设置在第b扫描线SL(b)的第二部分SL(b)_2上。第二布线L2、高电位电力线VDDL和数据线DL设置在第一平坦化层116上。第二平坦化层117设置在第二布线L2、高电位电力线VDDL和数据线DL上。
通常,扫描线由与栅电极GE相同的材料形成,并且主要使用钼Mo。然而,钼(Mo)具有低模量和低断裂应变,因此当产生折叠或弯曲时,钼可能容易破裂并导致缺陷。因此,当设置在折叠区域中的扫描线与设置在非折叠区域中的扫描线一样由钼(Mo)形成时,由于显示装置的反复折叠,扫描线破裂。因此,由于扫描信号的缺陷而产生微小的负载差异。这会导致暗淡型故障,从而导致显示面板的质量下降。
在根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置100中,设置在折叠区域FA中的第二子像素SP2的第b扫描线SL(b)包括设置在不同层上的第一部分SL(b)_1和第二部分SL(b)_2。具体地,第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1设置在栅极绝缘层113上并且由与栅电极GE相同的材料形成。此外,第b扫描线SL(b)的第二部分SL(b)_2设置在第二层间绝缘层115上并且由与源电极SE和漏电极DE相同的材料形成。即,第b扫描线SL(b)的第一部分SL(b)_1由钼(Mo)形成,并且第b扫描线SL(b)的第二部分SL(b)_2由铝(Al)形成。构成扫描线的一些金属线由铝(Al)而不是相关技术中使用的钼(Mo)构成,从而可以提高扫描线的耐用性和可折叠性。
此外,铝(Al)的比电阻低于钼(Mo)的比电阻。例如,铝(Al)的比电阻约为4.6×10-2Ω·μm,并且钼(Mo)的比电阻约为1.5×10-1Ω·μm。因此,如本公开所述,当扫描线形成有使用钼(Mo)构成的第一部分SL(b)_1和使用铝(Al)构成的第二部分SL(b)_2时,与仅由钼(Mo)形成的扫描线相比,可以减少施加至布线的负载。此外,可以更快地传输信号。因此,可以提高显示面板PNL的耐用性和性能。
尽管在图7和图8中未示出,但是在根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置100中,设置在折叠区域FA中的第二子像素SP2的发光控制信号线ECL可以如第b扫描线SL(b)那样包括设置在不同的层上的第三部分和第四部分。即,设置在折叠区域FA中的发光控制信号线ECL包括设置在栅极绝缘层113上的第三部分和设置在第二层间绝缘层115上的第四部分。此外,发光控制信号线ECL的第四部分通过形成在第一层间绝缘层114和第二层间绝缘层115中的接触孔连接至发光控制信号线ECL的第三部分。
此外,发光控制信号线ECL的第三部分由钼(Mo)形成,并且发光控制信号线ECL的第四部分由铝(Al)形成。发光控制信号线ECL的一部分由铝(Al)形成,从而与仅由钼(Mo)形成的单层发光控制信号线ECL相比,可以提高耐用性和可折叠性。
在根据本公开的示例性实施方式的可折叠显示装置中,设置在折叠区域和非折叠区域中的扫描线和/或发光控制信号线具有不同的配置。具体地,设置在非折叠区域中的扫描线和/或发光控制信号线在栅极绝缘层上形成为单层。相比之下,设置在折叠区域中的扫描线和/或发光控制信号线由设置在不同层上的第一部分和第二部分形成,并且第一部分和第二部分中的任何一者使用具有与构成设置在非折叠区域中的扫描线和/或发光控制信号线的材料的模量和断裂应变相比更优异的模量和断裂应变的材料构成。通过这样做,可以提高布线的耐用性和可折叠性。因此,当显示装置被折叠或弯曲时,可以抑制扫描线和/或发光控制信号线的破裂,并且可以提高显示面板的耐用性和显示质量。
本公开的示例性实施方式还可以描述如下:
根据本公开的一方面,提供了一种可折叠显示装置。可折叠显示装置包括具有折叠区域和位于折叠区域两侧的非折叠区域的柔性显示基板、以及设置在柔性基板上并沿第一方向延伸的多条扫描线。设置在折叠区域中的扫描线包括设置在不同层上且由不同材料形成的第一部分和第二部分。
第一部分和第二部分中的任何一者可以由钼形成并且另一者由铝形成。
设置在非折叠区域中的扫描线可以形成为单层,第一部分可以与单层设置在相同的层上,并且第二部分可以由具有比第一部分的模量和断裂应变更高的模量和断裂应变的材料形成。
设置在非折叠区域中的扫描线可以是由钼形成的单层。
可折叠显示装置还可以包括多条发光控制信号线,所述多条发光控制信号线设置在柔性基板上并沿第一方向延伸。设置在折叠区域中的发光控制信号线可以包括设置在不同层上并且由不同材料形成的第三部分和第四部分。
第三部分可以与第一部分设置在相同的层上,并且第四部分可以与第二部分设置在相同的层上。
可折叠显示装置还可以包括位于柔性基板上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的栅电极、位于栅电极上的第一层间绝缘层、位于第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层、在第二层间绝缘层上的源电极和漏电极、以及在源电极和漏电极上的平坦化层。第一部分可以设置在栅极绝缘层上,第二部分可以设置在第二层间绝缘层上,并且第一部分和第二部分可以通过形成在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的接触孔连接。
非折叠区域中的扫描线可以作为单层设置在栅极绝缘层上。
可折叠显示装置还可以包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多条数据线和多条高电位电力线。第二部分可以由与多条数据线和多条高电位电力线相同的材料形成。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式,但是本公开不限于此并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此,提供本公开的示例性实施方式仅用于说明目的,而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此,应当理解,上述示例性实施方式在所有方面都是示例性的,并不限制本公开。本公开的保护范围应基于所附权利要求理解,并且与其等同范围内的所有技术构思均应理解为落入本公开的范围内。
Claims (9)
1.一种可折叠显示装置,包括:
柔性显示基板,其包括折叠区域和位于所述折叠区域两侧的非折叠区域;以及
多条扫描线,所述多条扫描线设置在所述柔性基板上并沿第一方向延伸,
其中,设置在所述折叠区域中的所述扫描线包括设置在不同层上且由不同材料形成的第一部分和第二部分。
2.根据权利要求1所述的可折叠显示装置,其中,所述第一部分和所述第二部分中的任何一者由钼形成,并且另一者由铝形成。
3.根据权利要求1所述的可折叠显示装置,其中,设置在所述非折叠区域中的扫描线形成为单层,所述第一部分与所述单层设置在相同的层上,并且所述第二部分由具有比所述第一部分的模量和断裂应变更高的模量和断裂应变的材料形成。
4.根据权利要求3所述的可折叠显示装置,其中,设置在所述非折叠区域中的扫描线是由钼形成的单层。
5.根据权利要求1所述的可折叠显示装置,还包括:
多条发光控制信号线,所述多条发光控制信号线设置在所述柔性基板上并沿所述第一方向延伸,
其中,设置在所述折叠区域中的发光控制信号线包括设置在不同层上且由不同材料形成的第三部分和第四部分。
6.根据权利要求5所述的可折叠显示装置,其中,所述第三部分与所述第一部分设置在相同的层上,并且所述第四部分与所述第二部分设置在相同的层上。
7.根据权利要求1所述的可折叠显示装置,还包括:
在所述柔性基板上的栅极绝缘层;
设置在所述栅极绝缘层上的栅电极;
在所述栅电极上的第一层间绝缘层;
在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层;
在所述第二层间绝缘层上的源电极和漏电极;以及
在所述源电极和所述漏电极上的平坦化层,
其中,所述第一部分设置在所述栅极绝缘层上,所述第二部分设置在所述第二层间绝缘层上,并且所述第一部分和所述第二部分通过形成在所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层中的接触孔连接。
8.根据权利要求7所述的可折叠显示装置,其中,所述非折叠区域中的扫描线作为单层设置在所述栅极绝缘层上。
9.根据权利要求1所述的可折叠显示装置,还包括:
沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的多条数据线和多条高电位电力线,
其中,所述第二部分由与所述多条数据线和所述多条高电位电力线相同的材料形成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200189701A KR20220096869A (ko) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 폴더블 표시 장치 |
KR10-2020-0189701 | 2020-12-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114695440A true CN114695440A (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=82119109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111217055.4A Pending CN114695440A (zh) | 2020-12-31 | 2021-10-19 | 可折叠显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12004393B2 (zh) |
KR (1) | KR20220096869A (zh) |
CN (1) | CN114695440A (zh) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102285394B1 (ko) | 2012-11-13 | 2021-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102557892B1 (ko) * | 2016-08-19 | 2023-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US11985876B2 (en) * | 2018-07-20 | 2024-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
KR102598061B1 (ko) | 2018-09-03 | 2023-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2020
- 2020-12-31 KR KR1020200189701A patent/KR20220096869A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-10-19 CN CN202111217055.4A patent/CN114695440A/zh active Pending
- 2021-10-21 US US17/507,566 patent/US12004393B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220208931A1 (en) | 2022-06-30 |
KR20220096869A (ko) | 2022-07-07 |
US12004393B2 (en) | 2024-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107275368B (zh) | 像素及包括像素的有机发光显示设备 | |
CN107664862B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
KR100637458B1 (ko) | 유기전계 발광 표시 패널 | |
US9053986B2 (en) | Semiconductor device and flat panel display including the same | |
KR100670140B1 (ko) | 커패시터 | |
US8785936B2 (en) | Organic electroluminescent display device | |
KR100758062B1 (ko) | 디스플레이패널 | |
US20080211385A1 (en) | Organic electro-luminescent display | |
CN112582449A (zh) | 显示装置 | |
KR100589375B1 (ko) | 커패시터 및 이를 이용하는 발광 표시 장치 | |
US20230380242A1 (en) | Display device | |
US7079093B2 (en) | Organic light emitting diodes display | |
KR20200047834A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN115000092A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN115394201B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN111834378A (zh) | 显示装置 | |
CN116367579A (zh) | 显示装置 | |
US12004393B2 (en) | Foldable display device | |
US8576207B2 (en) | Self-emission type display and method for fabricating the same | |
CN114093316A (zh) | 显示装置 | |
US9286829B2 (en) | Display device | |
KR20050113693A (ko) | 유기전계 발광 표시 패널 | |
US20230060203A1 (en) | Display device | |
US20230200153A1 (en) | Foldable display device | |
JP4379285B2 (ja) | ディスプレイパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |