CN114686203B - 一种量子点分散液及量子点保存方法 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 211
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004321 preservation Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 23
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims abstract description 66
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims abstract description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 54
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 15
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 7
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 7
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 7
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GODZNYBQGNSJJN-UHFFFAOYSA-N 1-aminoethane-1,2-diol Chemical compound NC(O)CO GODZNYBQGNSJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane Chemical compound C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 5
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 abstract description 31
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 25
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 11
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 10
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- -1 amino, sulfhydryl Chemical group 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 5
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N phosphanyl Chemical group [PH2] FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGZAJZLUKVKCBM-UHFFFAOYSA-N 6-sulfanylhexan-1-ol Chemical compound OCCCCCCS UGZAJZLUKVKCBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRRHAZIPTPMRBA-UHFFFAOYSA-N C(=O)(O)C1=C2C=CC=C3C=CC4=CC(=CC(=C1)C4=C32)CCCCCCCC Chemical compound C(=O)(O)C1=C2C=CC=C3C=CC4=CC(=CC(=C1)C4=C32)CCCCCCCC QRRHAZIPTPMRBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种量子点分散溶液及量子点保存方法。所述量子点分散溶液包括：分散剂、量子点和还原性有机物。本发明所述量子点分散溶液中含有还原性有机物，该还原性有机物可以消除和抵抗来自分散剂和空气中的水、氧、光照等因素产生的氧化反应因子，从而有效保证量子点在保存过程中的荧光稳定性，解决经纯化后的量子点在保存过程中受水、氧、光等因素影响导致的荧光量子产率降低的问题。
Description
技术领域
本发明涉及量子点技术领域，尤其涉及一种量子点分散液及量子点保存方法。
背景技术
量子点(量子点发光材料)一般由无机纳米晶体和形成在所述无机纳米晶体表面的表面配体组成，其中，所述无机纳米晶体可以是核壳结构无机纳米晶体。所述核壳结构无机纳米晶体具体包括量子点晶核、以及包覆所述量子点晶核的多壳层结构。所述量子点中，量子点晶核通过多壳层和表面配体连接，可以得到高荧光量子效率、稳定性较好的量子点发光材料。
在生产制备过程中，需要对合成得到量子点进行保存，具体是将合成得到量子点经过纯化后，分散到有机相、醇相或者水相溶剂中进行低温保存。但是，量子点发光材料在保存过程中会发生或快或慢的荧光量子产量衰减的问题。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点分散液及量子点保存方法，旨在解决量子点发光材料在保存过程中会发生荧光量子产量衰减的问题。
一种量子点分散液，其中，包括：分散剂、量子点和还原性有机物。
所述的量子点分散液，其中，所述还原性有机物选自醇类、酚类、醛类、有机胺类、有机磷类、烯烃中的一种或多种；
优选的，所述还原性有机物选自乙醇胺、三丁基膦、聚乙二醇胺中的一种或多种。
所述的量子点分散液，其中，所述量子点为含有表面配体的量子点。
所述的量子点分散液，其中，所述表面配体包括羧基表面配体、胺基表面配体、巯基表面配体和膦基表面配体中的一种或多种。
所述的量子点分散液，其中，所述还原性有机物为含有配位基团的还原性有机物。
所述的量子点分散液，其中，所述配位基团包括羧基、胺基、巯基、膦基中的至少一种。
所述的量子点分散液，其中，所述配位基团与所述量子点的配位活性强于所述表面配体与所述量子点的配位活性。
所述的量子点分散液，其中，所述分散剂包括氯仿、甲苯、正己烷、环己烷、正庚烷、癸烷、正辛烷、环庚烷、二氧六环、水、甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇中的一种或多种；
优选的，所述还原性有机物与所述量子点的摩尔比为0.5:1～2:1；
优选的，所述量子点分散液中，所述量子点的浓度为1mmol/mL～100mmol/mL；
优选的，所述量子点选自II-VI族化合物量子点、IV-VI族化合物量子点、III-V族化合物量子点、I-VI族化合物量子点中的一种或多种。
一种量子点保存方法，其中，包括：
将量子点、还原性有机物、分散剂配制成如权利要求1～8任一所述量子点分散液，对所述量子点进行保存。
所述的量子点保存方法，其中，所述保存的温度为20～30℃。
有益效果：本发明所述量子点分散液含有还原性有机物，该还原性有机物可以消除和抵抗来自分散剂和空气中的水、氧、光照等因素产生的氧化反应因子，从而有效保证量子点在保存过程中的荧光稳定性，解决量子点在保存过程中受水、氧、光等因素影响导致的荧光量子产率降低的问题。
具体实施方式
本发明提供一种量子点分散液及量子点保存方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在对量子点进行保存时，将合成得到的量子点从包含反应溶剂、未转化前驱物和过量有机配体的反应体系中分离出来，得到由无机纳米晶体和有机表面配体组成的量子点，并将得到的量子点分散在溶剂中进行保存。发明人在研究量子点发光材料工作中发现，温度、光照和水氧环境等保存条件对量子点的光学性能和稳定性有重要影响。
具体地，通常根据表面配体性质的不同，将量子点无机纳米晶体分散在不同的溶剂中，所述溶剂可以是有机相、醇相或者水相溶剂。由于表面配体与量子点核壳结构是通过配位键方式连接，在分散剂中，表面配体容易从量子点核壳结构的无机纳米晶体的表面脱落使量子点的表面形成缺陷，当缺陷捕获一个电子或空穴时，它可以充当一个氧化还原反应的活性中心，所述反应中心会与空气中的水、氧发生反应，进而破坏量子点的荧光稳定性。
另外，在短波长紫外波段的光照下，量子点表面吸附来自于溶剂或者空气环境中的水分子，使量子点无机纳米晶体表面金属原子氧化从而产生缺陷，导致荧光量子效率降低。
同时，还发现经过纯化的量子点荧光强度随着存放温度的升高呈线性下降趋势，主要是由于不可逆辐射或者量子点无机纳米晶体表面氧化作用增强导致量子产率下降。
针对量子点纳米材料存放过程中荧光量子产率降低的问题，通过避光保存在惰性气氛环境下可以一定程度延缓量子点表面被水汽、氧气和光照等因素的侵蚀产生的不良影响，但是无法改善由于表面配体脱落产生的荧光量子产率降低的问题。另外，量子点苛刻的存放条件增加了额外的工艺成本。因此，亟需寻求一种可以有效改善量子点保存过程中荧光量子产率降低的解决办法。
经过研究，量子点经纯化后保存在有机相、醇相或者水相溶剂中，在受到环境的温度、光照和水氧等保存条件因素影响，会发生氧化等反应，干扰可移动电子和空穴的布局，导致不可逆的光致猝灭。其中，量子点表面吸附的水分子会氧化量子点表面，导致激子发射的蓝移，最终引入新的表面缺陷，降低了量子点的发光强度。量子点的光氧化将产生新的缺陷抑制激子的发射，从而导致较低的发光量子产率(发光QY)。在量子点晶核外层除了配位键连接的表面配体，宽带隙的壳层也有维持荧光量子产率的作用，但是宽带隙壳层在湿氧环境下，量子点表面受形成的氧自由基阴离子吸附物影响，导致电子波函数受限程度降低。另外，氧在量子点核壳间非平滑的能级梯度有一定渗透性，即使对于壳层较厚的量子点，氧分子可以通过核壳界面到达量子点晶核，产生缺陷空位降低荧光量子产率。
温度造成的光致发光性质的改变均是不可逆的，可能是因为温度的升高，导致了不可逆辐射的增强以及发生类似氧化等反应，从而致使荧光强度或量子产率降低以及发射峰位置的改变不能恢复到升温前的状态。
无论是温度还是光照、水氧的因素对量子点结构产生的破坏导致荧光量子产率的衰减，都与外部产生的氧化因子直接相关，本发明提出一种在分散剂中添加具有抗氧化效果的还原性有机物方法，将由温度或者光照、水氧等环境因素产生的氧化因子消除，避免由这些氧化因子引起的负电性氧自由基对量子点表面或者内部产生不可逆的破坏，导致荧光量子产率降低，影响量子点光电性能。
本发明实施例提供一种量子点分散液，其中，包括：分散剂、量子点和还原性有机物。
本发明实施例通过在分散剂中添加还原性有机物，该还原性有机物可以消除和抵抗来自分散剂和空气中的水、氧、光照等因素产生的氧化反应因子，从而有效的保证量子点长久保存的荧光稳定性，可以有效解决量子点保存过程中受水、氧、光等因素影响导致的荧光量子产率降低的问题。
在本发明的一个实施方式中，所述还原性有机物是具有弱还原性的有机物，具体地，所述还原性有机物选自醇类、酚类、醛类、有机胺类、有机磷类、烯烃中的一种或多种。本实施例所述还原性有机物不限于上述种类的还原性有机物，例如所述还原性有机物还可以是其他含双键的化合物。在实施过程中，可以根据分散剂的不同，选择能够分散在相应分散剂的还原性有机物。
在本发明的一个实施方式中，所述的量子点分散液中，所述量子点为含有表面配体的量子点，具体地，所述量子点包括无机纳米晶体，以及结合在所述无机纳米晶体表面的有机配体。其中，所述表面配体包括羧基表面配体、胺基表面配体、巯基表面配体和膦基表面配体中的一种或多种。具体地，所述表面配体包括含有羧基、胺基、巯基和膦基的短链或长链有机物中的一种或多种，所述表面配体与无机纳米晶表面阳离子以配位键形式连接。举例地，所述表面配体可以为9-羧基-2-辛基芘、三辛基膦、十八烷基胺、十八硫醇等。
在研究过程中还发现，所述量子点的表面配体的脱落也是引起量子点表面缺陷的主要原因之一。量子点的表面配体的脱落后会对离域到表面的激子产生一定的淬灭效应导致荧光量子产率较低。在量子点无机纳米晶体的表面，由晶格缺陷产生的表面悬挂键，会影响量子点的光学性质。具体地，量子点无机纳米晶体表面性质对处于基态的量子点影响较小，但对激发态下的量子点性能影响巨大，量子点表面的缺陷存在，会引入缺陷态能级，当缺陷能级比激子能级低时，缺陷能级就可能捕获电子和空穴，然后激子通过缺陷态复合，能量以光或热的形式放出。通过表面配体对量子点表面的包覆，消除晶格缺陷，使量子点具有更好的荧光稳定性，一般来说，表面配体的选择更长链、更大空间位阻的表面配体。
在本发明的一个实施方式中，所述还原性有机物为含有配位基团的还原性有机物，所述含有配位基团的还原性有机物是指所述还原性有机物的分子链上连接有配位基团，所述配位基团能够与所述无机纳米晶体表面阳离子形成配位键。可选地，所述表面配体包括羧基表面配体、胺基表面配体、巯基表面配体和膦基表面配体中的一种或多种，也即是所述配位基团包括羧基、胺基、巯基、膦基中的至少一种。本实施例所述还原性有机物中的羧基、胺基、巯基、膦基等配位基团可以对量子点表面由于有机配体脱落产生的晶格缺陷进行补位，避免由此产生的缺陷淬灭激子，降低荧光量子产率的问题。
在本发明的一个实施方式中，所述配位基团与所述量子点的配位活性强于所述表面配体与所述量子点的配位活性。也即是，选择的还原性有机物的配位活性强于表面配体的配位活性，其中，所述配位活性是指配位基团或表面配体与无机纳米晶体形成配位键的容易程度或形成配位键的稳定程度。本发明实施例通过选择比表面配体的配位活性更高的还原性有机物，能够在无机纳米晶体的表面形成更加稳定的配位键。
通常，配位基团的配位活性顺序为巯基>胺基>羧基>膦基，而对于相同的配位基团的配位活性顺序为短链>长链(含有配位基团的还原性有机物分子链越长，含有配位基团的还原性有机物配位活性越低)。在本发明的一个实施方式中，根据上述配位基团活性顺序选取比表面配体的配位活性更高的还原性有机物。
在本发明的一个实施方式中，所述还原性有机物选自乙醇胺、三丁基膦、聚乙二醇胺中的一种或多种。所述乙醇胺、三丁基膦、聚乙二醇胺具有还原性，能够消除由温度或者光照、水氧等环境因素产生的氧化因子；同时分别还含有胺基、膦基等配位基团，可以对量子点表面由于配体脱落产生的空位缺陷进行补位，避免荧光量子产率的降低。
在实施过程中，可以根据量子点分散剂不同，选择添加的还原性有机物需满足可分散在有机相、醇相或者水相溶剂中。具体地，通过选择在分散剂中具有良好溶解性的还原性有机物，从而形成均一稳定的量子点分散液，使所述还原性有机物能够在分散液中自由移动，有利于通过自由移动实现还原性有机物作为表面配体的形态与量子点无机纳米晶体表面成键，从而填补由于原位表面配体脱落产生的缺陷。举例地，可以相似相容的原理选择还原性有机物，如极性分散剂对应选取极性的还原性有机物，非极性的分散剂则选取非极性的还原性有机物。
本实施例所述分散剂用于分散量子点以及还原性有机物。所述量子点分散剂包括有机相溶剂、醇相溶剂或者水相溶剂。有机相溶剂可以为氯仿、甲苯、正己烷、环己烷、正庚烷、癸烷、正辛烷、环庚烷和二氧六环中的一种或多种；醇相溶剂可以为甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇等中的一种或多种；水相溶剂为去离子水。
本实施例所述分散剂可以为非极性溶剂，如二氯乙烷，也可以为极性溶剂，如水。
在本发明的一个实施方式中，所述还原性有机物与所述量子点的摩尔比为0.5:1～2:1。也即是，在分散剂中根据摩尔比为m(还原性有机物):m(量子点)＝0.5:1～2:1的方式添加，在研究过程中发现，当所述摩尔比小于0.5:1时，添加的还原性有机物偏少，对分散剂中氧化因子的消除和对量子点的表面配体的补充效果较差，根据测定的荧光量子产率数据，仍会明显的衰减；当所述摩尔比大于2:1时，过多的还原性有机物添加会影响量子点在分散剂中存在的形态，可能会在量子点表面形成有机物包覆层，影响量子点的应用。
本实施例所述还原性有机物与所述量子点的摩尔比为0.5:1～2:1，使得量子点表面存在一定程度的还原性环境下，避免量子点的荧光性能受环境中的温度、光照和水氧等保存条件因素引入的氧化因子影响，同时，分散剂中存在一定比例的表面配体可以与量子点表面脱落的有机配体形成动态补位缺陷的效果，减少由于表面缺陷产生的荧光不稳定性问题。
所述量子点选自II-VI族化合物量子点、IV-VI族化合物量子点、III-V族化合物量子点、I-VI族化合物量子点，也即是，所述量子点选自II-VI点、IV-VI、III-V、I-VI族化合物的单一结构量子点和复合结构量子点中的至少一种。在本发明的一个实施方式中，所述量子点为核壳量子点。核壳量子点为一种复合结构量子点，具体通过采用单层或多层半导体材料壳层包覆量子点晶核，举例地，所述量子点晶核选自CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP、InGaN、CdZnSe和CdZnSe中的至少一种；半导体材料壳层选自ZnSe、ZnS和ZnSeS中的至少一种，具体地，所述量子点可以为红色量子点CdZnSe/ZnSe/ZnS或绿色量子点CdZnSe/ZnS。其中，量子点晶核与半导体材料壳层间的晶格失配及能带偏差的调整改善量子点性能，一方面，核壳间晶格失配小有利于层核壳界面处形成合金过渡，减少晶格应力导致的界面缺陷形成无辐射复合中心；另一方面，核与壳间能带偏差大有利于电子和空穴波函数束缚在核内，远离壳层表面态的无辐射复合中心，所以通过多壳层的生长可以提高量子点的荧光稳定性和光电性能。
在本发明的一个实施方式中，所述量子点分散液中，所述量子点的浓度为1mmol/mL～100mmol/mL，具体地，所述量子点的浓度为5mmol/mL、40mmol/mL、80mmol/mL等。
本发明实施例提供一种量子点保存方法，其中，包括：
将量子点、还原性有机物、分散剂配制成如上所述量子点分散液，对所述量子点进行保存。
本实施例所述量子点保存方法是将量子点分散在含有还原性有机物的分散剂中进行保存，该还原性有机物可以消除和抵抗来自分散剂和空气中的水、氧、光照等因素产生的氧化反应因子，从而能够有效的保证量子点在保存过程中的荧光稳定性，解决经纯化后量子点在保存过程中受水、氧、光等因素影响导致的荧光量子产率降低的问题。
在本发明的一个实施方式中，所述保存的温度为20～30℃。本实施例所述量子点保存方法的无需要求低温(0℃)保存，在室温条件下也可以实现量子点的长期保存。具体地，本实施例所述量子点保存方法的条件设置为常温25℃，50％的环境湿度，自然光照的环境。
在本发明的一个实施方式中，所述量子点保存方法可以实现量子点的长时间保存，具体地，所述保存的时间为1周～15周。本实施例所述量子点在保存15周后仍保持高荧光量子效率。
所述量子点样品保存方法中，通过在纯化后的量子点分散剂中添加具有弱还原性的有机物，可以消除和抵抗来自分散剂和空气的水、氧、光照等因素产生的氧化反应因子，同时添加的还原性有机物游离分散在分散剂中，能够及时填充量子点表面弱配体脱落产生的缺陷，保证量子点在分散剂长时间荧光量子效率不变化。
下面通过具体的实施例和对比例对本发明的技术方案进行说明。
实施例1
本实施例中，分散剂为氯仿，取5mL 50mmol/mL红色量子点CdZnSe/ZnSe/ZnS(PL＝625nm，FWHM＝22nm)置于白色透明玻璃瓶中，有机配体为油酸、油胺，添加的还原性有机物为150mmol的三丁基膦，在常温25℃，50％的环境湿度，自然光照的存放条件下，监测样品荧光强度变化。
对比例1
与实施例1的区别为，对比例1未添加还原性有机物三丁基膦，其余相同。
由表1可知，从得到的数据可知，对比例1量子点的荧光量子产率随着存放时间的延长，荧光强度不断衰减，从初始的荧光量子产率85％下降到趋于稳定的38％。而添加了三丁基膦的荧光量子产率在前期有小幅降低到80％，随着时间延长一直处于正常波动的水平。可见，在常温环境下的水、氧、光照产生了氧化因子，致使量子点的荧光强度逐渐衰减，而添加了还原性有机物的量子点分散液的量子点荧光强度保持较好，可知添加的还原性有机物起到了保护量子点荧光稳定性作用。
实施例2
本实施例中，选取分散在5mL乙醇溶剂中的绿色量子点CdZnSe/ZnS(PL＝535nm，FWHM＝24nm)，浓度30mmol/mL，量子点表面有机配体为6-巯基己醇，添加100mmol乙醇胺作为还原性有机物。监测量子点样品的荧光稳定性。
对比例2
与实施例2的区别为，对比例2未添加还原性有机物乙醇胺，其余相同。
如表1所示，对比例2的量子点的荧光量子产率从初始60％下降到15％，而实施例2添加了乙醇胺的量子点最终荧光量子产率高达55％。
实施例3
本实施例中，采用去离子水为分散剂，配制5mL 10mmol/mL二乙烯三胺作为表面有机配体的CdSe/CdS/ZnS水溶性量子点，添加30mmol聚乙二醇胺作为还原性有机物，在冰箱中低温0℃保存，监测量子点样品的荧光稳定性。
对比例3
与实施例3的区别为，对比例3未添加还原性有机物聚乙二醇胺，其余相同。
对比例3中，选取5mL 10mmol/mL二乙烯三胺作为表面有机配体的CdSe/CdS/ZnS水溶性量子点作为监测对象，由于水相溶液的特殊性，常温状态下容易产生聚集沉降问题，故置于低温冰箱0℃保存。如表1所示，对比例3中水相量子点的初始荧光量子产率为33％，经过测试周期变化，对比量子点的荧光强度淬灭较为明显，最终测试值为5％。而实施例3在添加30mmol聚乙二醇胺的量子点水相的荧光量子产率为26％。
实施例1～3和对比例1～3中，所述监测量子点分散液的荧光稳定性按照以下流程进行：
(1)、分别选取10组平行条件下分散在有机相、醇相和水相溶剂中的量子点溶液；
(2)、样品保存的条件设置为常温25℃或0℃，50％的环境湿度，自然光照的环境；
(3)、荧光量子产率测试设置标准为周期取样监测样品的荧光量子产率，测试间隔时间为1周、1周、2周、3周、4周、4周，测试取样按照从10组平行样品中随机抽取3组样品进行测定。
表1是本发明提供的实施例1～3和对比例1～3荧光量子产率监测数据。如表1可知，本发明所述量子点的保存方法能够有效保证量子点长久保存的荧光稳定性。
表1：是本发明提供的实施例和对比例荧光量子产率监测数据
本发明所述量子点分散液中含有具有弱还原性的有机物，一方面可以消除由于温度、光照和水氧环境等因素引入的氧化反应因子，避免量子点无机纳米晶体表面产生缺陷降低荧光量子产率；另外一方面，添加的还原性有机物可以充当量子点表面配体的作用，在分散剂中处于游离态，当量子点表面配体由于弱配位键失效脱落时，及时补位量子点表面形成的缺陷，保持量子点荧光稳定性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种量子点保存方法，其特征在于，包括：
将量子点、还原性有机物、分散剂配制成量子点分散液，对所述量子点进行保存；
所述还原性有机物选自含有配位基团的乙醇胺、三丁基膦、聚乙二醇胺中的一种或多种；
所述量子点为含有表面配体的量子点；
所述配位基团与所述量子点的配位活性强于所述表面配体与所述量子点的配位活性。
2.根据权利要求1所述的量子点保存方法，其特征在于，所述表面配体包括羧基表面配体、胺基表面配体、巯基表面配体和膦基表面配体中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的量子点保存方法，其特征在于，所述分散剂包括氯仿、甲苯、正己烷、环己烷、正庚烷、癸烷、正辛烷、环庚烷、二氧六环、水、甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的量子点保存方法，其特征在于，所述还原性有机物与所述量子点的摩尔比为0.5:1～2:1。
5.根据权利要求1所述的量子点保存方法，其特征在于，所述量子点分散液中，所述量子点的浓度为1mmol/mL～100mmol/mL。
6.根据权利要求1所述的量子点保存方法，其特征在于，所述量子点选自II-VI族化合物量子点、IV-VI族化合物量子点、III-V族化合物量子点、I-VI族化合物量子点中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的量子点保存方法，其特征在于，所述保存的温度为20～30℃。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011583569.7A CN114686203B (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种量子点分散液及量子点保存方法 |
| PCT/CN2021/140506 WO2022143343A1 (zh) | 2020-12-28 | 2021-12-22 | 一种量子点分散液及量子点保存方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011583569.7A CN114686203B (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种量子点分散液及量子点保存方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114686203A CN114686203A (zh) | 2022-07-01 |
| CN114686203B true CN114686203B (zh) | 2023-12-26 |
Family
ID=82130747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011583569.7A Active CN114686203B (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种量子点分散液及量子点保存方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114686203B (zh) |
| WO (1) | WO2022143343A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116144358A (zh) * | 2022-12-27 | 2023-05-23 | 无锡极电光能科技有限公司 | 钙钛矿量子点及其制备方法 |
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| CN104940958B (zh) * | 2015-05-19 | 2018-04-06 | 中南大学 | 一种荧光磁性纳米靶向药物及其制备方法 |
| CN110016256A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-16 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种量子点油墨及制备方法、喷墨打印装置及打印方法、显示装置 |
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-
2020
- 2020-12-28 CN CN202011583569.7A patent/CN114686203B/zh active Active
-
2021
- 2021-12-22 WO PCT/CN2021/140506 patent/WO2022143343A1/zh active Application Filing
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| CN106905774A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-06-30 | 于军胜 | 一种含有发光量子点的醇基银纳米线导电墨水 |
| CN110452681A (zh) * | 2018-05-08 | 2019-11-15 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点溶液及其制备方法 |
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| CN111393908A (zh) * | 2019-01-03 | 2020-07-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 量子点墨水及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022143343A1 (zh) | 2022-07-07 |
| CN114686203A (zh) | 2022-07-01 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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