CN114650657B - 产生及更新定位分布图的方法及其*** - Google Patents

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Abstract

一种产生及更新定位分布图的方法，包括：依据电路图及曝光样式产生定位分布图，依据定位分布图进行曝光模拟以产生曝光结果图，比对电路图及曝光结果图以产生多个候选误差分布图，选取候选误差分布图中的一个作为误差分布图，以及依据电路图及误差分布图的误差像素进行0‑1整数规划运算以更新定位分布图，其中被更新的定位分布图关联于误差分布图。

Description

产生及更新定位分布图的方法及其***
技术领域
本发明涉及产生及更新定位分布图的方法及其***。
背景技术
印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)产业及触控面板产业发展至今，其用途越来越广。随着电子产品的中央处理器的运算能力增强，电子设备的结构变得越来越复杂，需要的零件越来越多，且越轻薄短小，印刷电路板上面的线路与零件也越来越密集。所以在印刷电路板上，导线与导线间的线宽及线距也就越来越小。在未来电路板市场中，线宽或线距的需求可能会从150微米(micrometer，μm)精细到10微米，下一代的产品设计甚至可能会细至5微米以下。当印刷电路板朝向高密度连接(High Density Interconnect，HDI)板或多层板的趋势发展，对于印刷电路板上的电路线宽及对位精度要求越来越高，因此，新兴的直接成像(direct imaging)技术也越来越受到产业的重视。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种产生及更新定位分布图的方法及其***，从而实现以大尺寸的雷射光斑曝光得到小尺寸的电路线宽。
依据本发明一实施例提出的一种产生及更新定位分布图的方法，包括：依据一电路图及至少一曝光样式产生至少一定位分布图，其中该电路图包含多个目标像素及多个背景像素，每一该至少一定位分布图包括多个定位点，该些定位点位于该些目标像素中的多者且关联于该曝光样式；依据该至少一定位分布图的每一个进行一曝光模拟以产生至少一曝光结果图，该曝光模拟包括以该至少一定位分布图的每一个的每一该些定位点模拟发射一虚拟光斑以产生至少一曝光结果图；比对该电路图及该至少一曝光结果图以产生至少一候选误差分布图；选取该至少一候选误差分布图中的一个作为一误差分布图，其中该误差分布图包含多个误差像素；依据该电路图及该些误差像素中的至少一个进行一0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的一个，其中被更新的该定位分布图包括多个修正定位点，且被更新的该定位分布图关联于所选取的该候选误差分布图。
依据本发明一实施例提出的一种产生及更新定位分布图的***包括：一非暂时性机器可读储存装置，储存多个指令；以及一处理装置，电性连接该非暂时性机器可读储存装置，该处理装置执行该些指令并引发多个操作，该些操作包括：依据一电路图及至少一曝光样式产生至少一定位分布图，其中该电路图包含多个目标像素及多个背景像素，每一该至少一定位分布图包括多个定位点，该些定位点位于该些目标像素中的多者且关联于该曝光样式；依据该至少一定位分布图的每一个进行一曝光模拟以产生至少一曝光结果图，该曝光模拟包括以该至少一定位分布图的每一个的每一该些定位点模拟发射一虚拟光斑以产生至少一曝光结果图；比对该电路图及该至少一曝光结果图以产生至少一候选误差分布图；选取该至少一候选误差分布图中的一个作为一误差分布图，其中该误差分布图包含多个误差像素；依据该电路图及该些误差像素中的至少一个进行一0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的一个，其中被更新的该定位分布图包括多个修正定位点，且被更新的该定位分布图关联于所选取的该候选误差分布图。
综上所述，本发明提出的产生及更新定位分布图的方法及其***，通过曝光仿真预先找到光斑初始位置图，并运用连通分量标记(Connented-Component Labeling，CCL)以及平行化整数规划运算处理，有效地降低运算量以加速计算。本发明可达到使用大于线宽尺寸的光斑进行曝光，以满足细小线宽与线距的精度需求。
附图说明
图1是依据本发明一实施例的产生及更新定位分布图的方法的流程图；
图2是电路图的示例图；
图3是电路图的一个简化版示例图；
图4是曝光样式的一种示例图；
图5是图1的步骤S1的细部流程图；
图6是图5的步骤S11的一种示例图；
图7是图5的步骤S12的一种示例图；
图8及图9为曝光样式的另两种示例及其定位点的标示结果图；
图10A为长度及宽度皆为3个像素的曝光样式的四种示例图；
图10B为以图10A的四种曝光样式铺满平面区域的示意图；
图11A为长度及宽度皆为4个像素的曝光样式的六种示例图；
图11B为以图11A的六种曝光样式铺满平面区域的示意图；
图12是图1的步骤S5的第一种实施方式的流程图；
图13A是一个简化的电路图示例图；
图13B是依据图13A及图1的步骤S4所选取的误差分布图示例图；
图13C是误差像素及修正像素的示意图；
图14是基于图13C的修正像素决定验证像素的示意图；
图15是图1的步骤S5的第二种实施方式的流程图；
图16是像素群的一种示例图；
图17是基于图16的修正像素决定验证像素的示意图；
图18是图1的步骤S5的第三种实施方式的流程图；
图19是大型像素群的局部示意图；以及
图20是本发明一实施例的一种产生及更新定位分布图的***方块图。
附图标记说明：
S1～S5、S11～S12、S51～S57、S61～S67、S71～S78…步骤
A0-平面区域；
A1-目标形状；
B21～B23、B31～B34、B41～B46-曝光样式；
P6、P9、P14、XA、XB、X-误差像素；
P1～P18、FA1～FA8、FB1～FB8、F-修正像素；
P1～P18、V-验证像素；
1-非暂时性机器可读储存装置；
3-处理装置。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
数字直接成像曝光机是将计算机辅助制造(Computer-Aided Manufacture，CAM)数据直接成像在印刷电路板的基板上，可省去曝光过程中的底片程序，以及减少了因底片涨缩引发的偏差，提升了印刷电路板生产的良率。
在具有雷射数组的数字直接成像***中，为了得到高质量的曝光影像，除了精确地控制并修正扫描时序，雷射数组的功率均匀也会影响为影像质量。一种方式为以功率计检测并调整雷射功率输出，然而，在更高精度的成像质量要求下，曝光结果可能呈现部分不均匀的现象，此现象牵涉个别雷射光斑分布(spot profile)与光阻阈值(photoresistthreshold)效应。雷射数组***因具有不同雷射源的光斑分布，即使各个雷射源皆具备相同功率，分布不易一致，且当精度需求推至极限，即使是雷射理想光斑，其本质也存在光学物理上的复杂光斑分布及特性，难以视为单纯的数学模型。另外由于电路图线宽不断细小化，要曝光出细小线宽需要更细小的光斑，但由于雷射光斑无法违背物理限制而一直缩小，所以当电路图线宽缩小到比光斑还细小时，可能造成曝光精度不足，在本发明的一实施例中，可使用较大的光斑曝光出细小的线宽，提升电路线图精度。
本发明提出的产生及更新定位分布图的方法及其***，适用于在雷射直接成像曝光机处理印刷电路板之前预先计算好定位分布图。定位分布图用于指示电路图中每个位置的像素是否需要接受曝光。
图1是依据本发明一实施例的产生及更新定位分布图的方法的流程图。步骤S1是“依据一电路图及至少一曝光样式产生至少一定位分布图”，其中该电路图包含多个目标像素及多个背景像素，每一该至少一定位分布图包括多个定位点，该些定位点位于该些目标像素中的多者且关联于该曝光样式。请注意步骤S1及后文中所提及的“至少一”泛指一个或多个。
目标像素及背景像素例如以矩阵形式排列。在一实施例中，目标像素形成电路结构，背景像素形成基板结构。图2是电路图的示例，其中白色部分由多个目标像素形成，黑色部分由多个背景像素形成。目标像素及背景像素中的每一个具有曝光状态，每个目标像素的曝光状态为高度曝光，每个背景像素的曝光状态为低度曝光。
在一实施例中，剂量阈值是曝光时让感光材料硬化的最小能量值。若一个像素所需的曝光剂量值超过剂量阈值，则此像素的曝光状态为高度曝光。若一像素所需的曝光剂量值未满剂量阈值，则此像素的曝光状态为低度曝光。图3是电路图的一个简化版示例，每个方格代表一个像素，白色方格代表背景像素，着色方格代表目标像素，电路图的平面区域A0为81个像素，其中的45个目标像素组成一个T形的目标形状A1，且代表一个电路结构。
曝光样式提供一种在电路图布置定位点的基本规则。图4是曝光样式B21的一种示例。图4的曝光样式B21占用的平面区域称为基本区域，在一实施例中，基本区域的长度及宽度皆为2个像素。曝光样式B21中的黑点代表定位点。步骤S1所述的“至少一曝光样式”可以是一个固定的曝光样式或多个候选曝光样式。以下先说明步骤S1如何依据图3的电路图及图4的曝光样式产生定位分布图，然后再介绍多种候选曝光样式。
图5是图1的步骤S1的细部流程图，步骤S11是“确认目标形状中的曝光样式”，图6是步骤S11的一种示例。从左上角开始，图6的示例采用从左到右且从上到下的方式将曝光样式B21铺满整个平面区域A0，如粗线方格所示。在平面区域A0下方及右方边界处的像素则使用部分的基本区域铺设，以免超出边界。
步骤S12是“标示目标形状中的定位点”，图7是步骤S12的一种示例。目标形状A1为图7中的着色方格。对于重叠于目标形状A1的曝光样式B21，依据曝光样式B21中配置的定位点，在目标形状A1中的目标像素标示定位点。图7为位于目标像素中的所有定位点，这些定位点形成一定位分布图。定位分布图包含多个定位点，这些定位点位于这些目标像素中的多者。
本发明一实施例将基本区域的长度及宽度皆为k个像素的曝光样式称为k×k曝光样式。本发明并不限制k的数值。例如，依据1×1的曝光样式产生的定位分布图的每个目标像素皆会标示定位点。图8及图9是曝光样式的另外两种示例B22、B23，以及依据这两种示例产生的定位点分布图。图10A是3×3曝光样式的四种示例B31～B34。图10B是图10A的3×3曝光样式的四种示例B31～B34铺满整个平面区域A0的示意图。图11A是4×4曝光样式的六种示例B41～B46。图11B是图11A的4×4曝光样式的六种示例B41～B46铺满整个平面区域A0的示意图。在曝光样式的其他示例，基本区域的长度及宽度可不相同。
本发明并不限制定位分布图中的多个定位点的配置方式。在一实施例中，多个定位点中的二定位点之间的距离不小于一个目标像素的长度或宽度。换言之，两个定位点在水平方向上间隔一个像素以上，或两个定位点在垂直方向上间隔一个像素以上。例如在图10B中，依据曝光样式B31布置的平面区域A0，在同一列上的两个定位点间隔2个像素。例如在图11B中，依据曝光样式B45布置的平面区域A0，在同一列上的两个定位点间隔3个像素。
请回顾图1，步骤S2是“依据该至少一定位分布图的每一个进行一曝光模拟以产生至少一曝光结果图”。该曝光模拟包括以该至少一定位分布图的每一个的每一该些定位点模拟发射一虚拟光斑以产生至少一曝光结果图。曝光仿真是以软件仿真一虚拟雷射源，此虚拟雷射源依据定位分布图中的每个定位点发射一虚拟光斑，从而仿真实际雷射源的曝光行为并产生曝光结果图。
在一实施例中，曝光样式、定位分布图及曝光结果图的数量皆相等。在步骤S1中采用一个曝光样式则产生一个定位分布图，且步骤S2根据此定位分布图产生一个曝光结果图。在步骤S1采用多个候选曝光样式则产生多个定位分布图，且步骤S2产生多个曝光结果图。
在一实施例中，目标像素及背景像素的每一个的长度或宽度小于虚拟光斑的直径，换言之，虚拟光斑的直径大于电路图中任何像素的尺寸；但本发明不以此为限。
一个曝光结果图包含多个试曝结果，且每个试曝结果对应至目标像素及背景像素中的一个。换言之，曝光结果图及电路图在格式上基本相同，其差别在于：电路图中每个像素的值代表此像素预期接受的曝光剂量值，而曝光结果图中每个像素的值代表此像素在曝光模拟后的剂量累计值。在一实施例中，因为一个虚拟光斑的面积大于一个像素的面积，若两个定位点之间的距离不大于光斑直径，则依据这两个定位点发射的两个虚拟光斑具有重叠区域，位于此重叠区域内的像素将包含两个虚拟光斑的剂量累计。
请回顾图1，步骤S3是“比对该电路图及该至少一曝光结果图以产生至少一候选误差分布图”，步骤S4是“选取该至少一候选误差分布图中的一个作为一误差分布图”，其中该误差分布图包含多个误差像素。
候选误差分布图的数量取决于曝光样式的数量，若步骤S1使用一个曝光样式，则步骤S3根据步骤S2产生的一个曝光结果图产生一个候选误差分布图，且步骤S4产生的误差分布图就是步骤S3的候选误差分布图。以下先说明误差分布图的格式，然后说明步骤S3如何产生候选误差分布图，再说明如何从步骤S3产生的多个候选误差分布图中选择一个作为步骤S4所述的误差分布图。
误差分布图包含多个误差像素，每个误差像素对应至试曝结果中的一个。前文提及每个试曝结果对应至目标像素及背景像素中的一个，因此误差像素也对应至目标像素及背景像素中的一个。当误差像素对应至目标像素时，此误差像素所对应的试曝结果为低度曝光。当误差像素对应至背景像素时，此误差像素所对应的试曝结果为高度曝光。换言之，误差像素包含那些预期被曝光但实际未成功曝光的目标像素，以及那些预期不曝光但实际被曝光的背景像素。
产生候选误差分布图的方式例如：依据电路图的每个像素的曝光状态，逐一比对曝光结果图的每个试曝结果。例如：将电路图中的每个像素的曝光状态作二值化运算以产生第一矩阵，将曝光结果图中的每个试曝结果作二值化运算以产生第二矩阵，再将第一矩阵及第二运算作逻辑互斥或(Exclusive-OR，XOR)运算即可产生误差分布图。依据上述示例产生的误差分布图是一个布尔(Boolean)矩阵，且误差像素对应的矩阵元素值为1，非误差像素对应的矩阵元素值为0。上述示例中的二值化运算包括以下两种标示方式：若此像素的剂量累计值大于或等于其剂量阈值则标示为1，若此像素的剂量累计值小于其剂量阈值则标示为0。
若步骤S1所述的至少一曝光样式为多个候选曝光样式，例如包含图4、图8及图9中的B21～B23、图10A中的B31～B34、以及图11A中的B41～B46，则步骤S1产生多个定位分布图，步骤S2产生多个曝光结果图，步骤S3产生多个候选误差分布图，这些候选误差分布图分别具有多个误差像素数量。因此，在步骤S4的一实施例中，选取该些误差像素数量中的一最小值，以具有该最小值的该误差像素数量所对应的该至少一候选误差分布图中的一个作为该误差分布图。简言之，步骤S4选取一个具有最小误差像素数量的候选误差分布图作为误差分布图。
例如，若步骤S1采用1×1曝光样式、图4及图8～图11的多个候选曝光样式B21～B46，则在步骤S4计算的多个误差像素数量如下方表格一所示。
表格一
候选曝光样式 误差像素数量 候选曝光样式 误差像素数量
1×1曝光样式 5819942 B34 203323(最小)
B21 2347445 B41 5135068
B22 1847766 B42 5455178
B23 2783945 B43 4536068
B31 1540662 B44 5496023
B32 1534771 B45 5135068
B33 919520 B46 5051078
误差像素数量越少代表后面的步骤所需的计算量越少。由表格一可知，采用候选曝光样式B34产生的候选误差分布图具有最少的误差像素。因此在后面的步骤中，将以候选曝光样式B34所对应的候选误差分布图作为误差分布图进行处理。
请回顾图1，步骤S5是“依据该电路图及该些误差像素中的至少一个进行一0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的一个”，其中被更新的该定位分布图包括多个修正定位点，且被更新的该定位分布图关联于所选取的该候选误差分布图。步骤S5基本上包括以下三个阶段。第一阶段：“选择该误差分布图的该至少一误差像素执行一膨胀运算，以在该至少一定位分布图中的该个决定多个修正像素”。第二阶段：“依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在至少一定位分布图中的一个决定多个验证像素”。第三阶段：“依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个”。
以下说明步骤S5的三种实施方式，第一种实施方式处理误差分布图中的至少一误差像素。第二种实施方式处理误差分布图中的一像素群，此像素群包含多个误差像素，这些误差像素经膨胀运算后得到的多个修正像素具有一连通性质。第三种实施方式处理如第二种实施方式所述的像素群，且此像素群中的像素个数超过指定处理器的最大运算量，因此第三种实施方式更包括分批处理大型像素群中的多个像素的机制。在第三种实施方式中，分批的数量以及每一批中的像素数量依据处理器及内存等硬件的处理能力而定，本发明并不特别限制。
图12是图1的步骤S5的第一种实施方式的流程图。在一实施例中，图12的流程可依据误差像素的数量被重复执行多次，或以多个处理器同时执行图12的流程，本发明对此并不限制。图12中的步骤S51及步骤S52对应至上述的第一阶段，步骤S53对应至上述的第二阶段，步骤S54～S57对应至上述的第三阶段。
步骤S51是“选择该误差分布图的该至少一误差像素”。在一实施例中，若同时挑选的多个误差像素彼此间的距离大于光斑直径，可采用平行化执行步骤S51。
步骤S52是“依据该些误差像素中的该至少一个执行一膨胀运算，以在该定位分布图中决定多个修正像素”。膨胀(dilation)运算是以每个误差像素为圆心，在定位分布图中将光斑半径内涵盖的多个像素皆视为修正像素。修正像素包含误差像素。每个修正像素与误差像素的距离不大于虚拟光斑的半径。
图13A是一个简化的电路图示例，其中以粗线围成的T形内的方格代表目标像素。图13B是依据图13A及步骤S4所选取的误差分布图示例，其中标示P6、P9及P14的方格代表误差像素。依据图13B执行步骤S51～S52后，图13C是误差像素及修正像素的示意图，其中标示为P1～P5、P7～P8、P10～P13及P15～P18的方格代表除了误差像素外的修正像素，换言之，修正像素包括P1～P18。在此实施例中，光斑半径为1个像素的长度或宽度，但本发明不以此为限。
步骤S53是“依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在该定位分布图中决定多个验证像素”。步骤S53的膨胀运算是以每个修正像素P1～P18为圆心，在定位分布图中将光斑半径内涵盖的多个像素皆视为验证像素，验证像素包含步骤S51选择的至少一误差像素P6、P9及P14及步骤S52决定的修正像素P1～P5、P7～P8、P10～P13及P15～P18。每个验证像素与修正像素中的一个的距离不大于虚拟光斑的半径。图14是基于图13C的修正像素决定验证像素的示意图，其中标示为V的方格为除了误差像素及修正像素外的验证像素，换言之，验证像素包含误差像素及修正像素P1～P18以及所有标示为V的像素。
步骤S54是“依据该至少一误差像素及该些修正像素产生一定位点配置”。在步骤S54的一实施例中，定位点配置包含多个指定的配置值，每个配置值指示一个修正像素或一个误差像素是否为定位点。基于图14的示例，步骤S54产生一个18列1行的0-1矩阵代表图13中的18个修正像素P1～P18-的定位点配置。矩阵中的一个元素代表一个定位点的配置值，配置值为1例如代表该矩阵元素对应的像素被设为定位点，配置值为0例如代表该矩阵元素对应的像素未被设置为定位点。例如：若0-1矩阵为[1100 1100 0000 0000 00]T 18×1，代表修正像素P1、P2、P5、P6被设置为定位点，其余修正像素P3、P4、P7、P8～P18未被设置为定位点。在上述示例中矩阵元素由上至下分别对应修正像素P1～P18，但本发明并未特别限制修正像素与矩阵元素的对应关系。在步骤S54的另一实施例中，修正像素P1～P18为一个具有18个变量的矩阵，如下所示：[X1 X2 X3 … X18]T 18×1，此矩阵中的每一个元素X的值为0或1，这些变量将于步骤S55进行求解。
步骤S55是“依据该些修正像素及该定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个修正结果”。每个修正结果指示误差像素、修正像素及验证像素中的每一个为高度曝光或低度曝光。步骤S56是“比对每一该些修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生一比对结果指示是否合格”。
举例来说，目标像素的剂量阈值为22，且光斑窗口矩阵如下所示：
在一实施例中，所述的0-1整数规划运算例如以光斑窗口矩阵对每一个验证像素V及P1～P18进行内积和运算，以得出该验证像素的剂量累计值(修正结果)。例如计算验证像素P14的剂量累计值D14的方程式为：
D14＝0.34*P9+2.49*P10+0.34*P11+2.49*P13+18.4*P14+2.49*P15+0.34*P16+2.49*P17+0.34*P18
在一实施例中，因为步骤S54已指定定位点配置的多个配置值，因此将对应于上式的配置值代入后可得出剂量累计值D14。由于验证像素P14属于目标像素，故其剂量累计值D14需大于剂量阈值22。
计算另一个验证像素V(1，3)的剂量累计值D(1，3)的方程式为：
D(1，3)＝0.34*A(0，2)+2.49*A(1，2)+0.34*V(2，2)+2.49*A(0，3)+18.4*V(1，3)+2.49*V(2，3)+0.34*A(0，4)+2.49*V(1，4)+0.34*P1
其中V(x，y)代表水平方向坐标为x，垂直方向坐标为y的验证像素V。A((x，y)代表水平方向坐标为x，垂直方向坐标为y的非验证像素。该非验证像素A是否为定位点则取决于步骤S2的定位分布图。将步骤S54的定位点配置以及步骤S2的定位分布图代入上式后可得出剂量累计值D(1，3)。由于验证像素V(1，3)属于背景像素，故其剂量累计值D(1，3)需小于或等于剂量阈值22。
在本实施例中，若步骤S54指定的定位点配置可让每一个验证像素V及P1～P18的剂量累计值符合其对应的剂量阈值，则步骤S56产生一比对结果指示合格。否则回到步骤S54产生另一种定位点配置，然后重复步骤S55～S56的流程。
在另一实施例中，以AX≤B的矩阵运算形式表示所有验证像素V及P1～P18(在本示例中共40个像素)的剂量累计值的计算。其中矩阵X为步骤S53提到的将修正像素P1～P18-以变量表示的矩阵，如下所示：[X1 X2 X3… X18]T 18×1。矩阵B为剂量阈值矩阵，如下所示[22 2222 … 22]T 40×1。矩阵B中的元素的值由电路图决定。矩阵A为光斑窗口遍历所有验证像素V及P1～P18所得到的系数矩阵，如下方表格二所示，其中系数为负数的表格代表该列系数应使验证像素的剂量累计值大于剂量阈值，因此采用移项运算后修改系数为负值。
表格二
在步骤S55～S56的另一实施例中，采用0-1整数规划(zero-one integerprogramming)将AX≤B的矩阵运算求解修正像素矩阵X。因此，可得到多个修正结果，分别对应至矩阵X中的每个修正像素P1～P18。
步骤S56是“比对每一该些修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生一比对结果指示是否合格”。所述的“电路图的该些曝光状态中的一个”对应至误差像素、修正像素及验证像素中的一个。步骤S56判断每个像素的修正结果(即：每个误差像素、每个修正像素及每个验证像素的对应的曝光状态)是否符合电路图中此像素对应的曝光状态。在一实施例中，若每个像素的修正结果皆符合其对应的曝光状态，代表本次用于修正的定位点配置在确保验证像素正确的前提下消除了误差像素，因此步骤S56的比对结果为“是”，且继续执行步骤S57，“依据该比对结果及该定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个”。更新的定位分布图包括多个修正定位点，修正定位点与步骤S12的定位点可能不同，例如在更新的定位分布图中，原先步骤S12的定位点的位置可能不是修正定位点；又例如在更新的定位分布图中，原先在步骤S12的不是定位点的位置可能变成修正定位点；又例如在更新的定位分布图中，原先在步骤S12的是定位点的位置仍然是修正定位点。在另一实施例中，可能无法找到满足所有像素的修正结果，因此当“不符合的像素个数小于一阈值”时，步骤S56即可产生指示为合格的比对结果。在另一实施例中，若列举所有组合的定位点配置，有可能获得多个适合的定位点配置。在本发明一实施例中，将初次获得的适合的定位点配置作为更新定位分布图的依据，从而加速整体流程。若步骤S56的比对结果为“否”，则返回步骤S53，更换另一个定位点配置，并再次执行步骤S54～S56的流程以获得适合的定位点配置。
图15是图1的步骤S5的第二种实施方式的流程图。在一实施例中，图15的流程可依据像素群的数量被重复执行多次，或以多个处理器针对多个像素群同时执行图15的流程，本发明对此并不限制。
步骤S61是“依据该误差分布图的每一该些误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素”。步骤S61与步骤S52相似，在一实施例中，步骤S52针对一个误差像素进行膨胀运算，步骤S61则对所有误差像素分别执行膨胀运算。
步骤S62是“依据每一该些修正像素执行一连通分量标记程序以决定多个像素群”。在一实施例中，步骤S61的膨胀运算在步骤S62的分群决定之前完成，以得知每个像素群的范围。每个像素群的每个修正像素与误差像素中的一个的距离不大于虚拟光斑的半径。该像素群包含该些修正像素中的多个修正像素，且该像素群的该些修正像素具有一连通性质，连通性质例如是两个像素彼此共享一个相同的边界，也就是两个像素彼此相邻。连通分量标记(connected component labeling，CCL)程序用于将二值图像中的每个连通区域标上一个特定的标号，此处的连通区域由相邻的修正像素或相邻的误差像素所组成。
图16是像素群的一种示例，标示为XA及XB的方格代表误差像素，标示为FA1～FA8的方格代表属于误差像素XA的修正像素，标示为FB1～FB8的方格代表属于误差像素XB的修正像素。图16中位于误差像素XA右方的三个修正像素FA1、FA4、FA7的每一个皆与位于误差像素XB左方的三个修正像素FB1、FB4、FB7的每一个相邻，因此这些修正像素具有连通性质。依据所有修正像素执行连通分量标记程序可决定多个独立的像素群，任二个像素群之间不具有连通性质。
步骤S63是“依据每一该些像素群执行该膨胀运算以在该定位分布图中决定该些验证像素”。该像素群的每一该些修正像素与该些误差像素中的一个的距离不大于该虚拟光斑的半径。步骤S63与步骤S54相似，在一实施例中，步骤S54对所有修正像素的每一个执行膨胀运算，而步骤S63则对每一个像素群中的所有修正像素执行膨胀运算。图17是基于图16的修正像素决定验证像素的示意图，标示为V的方格为除了误差像素及修正像素外的验证像素。
步骤S64是“依据每一该些像素群中的每一该些误差像素及每一该些修正像素产生一定位点配置”。步骤S64与步骤S53相似，在一实施例中，步骤53对所有修正像素产生一个定位点配置，而步骤S64则对每一个像素群中的误差像素及修正像素产生一个定位点配置，因此步骤S64产生多个定位点配置对应于多个像素群。步骤S64产生的一个定位点配置是关联于一个像素群中的所有修正像素。基于图16的示例，步骤S64产生一个18列1行的矩阵代表图16中的18个修正像素FA1～FA8、XA、FB1～FB8、XB。所述矩阵例如[X1 X2 X3 … X18]T 18×1，其中X1～X8分别对应于FA1～FA8，X9对应于XA，X10～X17分别对应于FB1～FB8，X18对应于XB。
步骤S65是“依据每一该些像素群及每一该些定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个修正结果”。步骤S65与步骤S55相似，在一实施例中，步骤S55对每个误差像素所对应的一个定位点配置进行0-1整数规划运算，而步骤S65则对每个像素群中所对应的一个定位配置执行0-1整数规划运算。
步骤S66是“比对每一该些像素群的每一该些修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生一比对结果”，步骤S67是“依据每一该些像素群的该些比对结果及该定位点配置更新该定位分布图”。步骤S66～S67的流程与步骤S56～S57的流程相似，从步骤S66返回步骤S64的流程从步骤S56返回步骤S53的流程相似，在一实施例中，步骤S56～S57处理的是像素，步骤S66～S67是依照像素群处理像素。
在图1的步骤S5的第二种实施方式中，在步骤S62采用连通分量标记，将修正像素区分为多个像素群以便独立计算。因为光斑半径具有一定的大小，对于误差像素周边的修正像素，其剂量累计值彼此互相影响。在像素群内具有连通性质的修正像素彼此交互耦合(coupling)而具有相干性(coherence)，较不易单独抽出进行0-1整数规划运算。利用连通分量标记程序可决定多个独立的像素群，这些像素群适合平行化进行0-1整数规划运算，从而可提高误差像素修正的效率。
矩阵运算的维度受硬件能力的限制。换言之，在处理器依据定位点配置进行0-1整数规划运算时，处理器的“最大运算量”决定了定位点配置中单次可运算的修正像素的数量。在一实施例中，最大运算量是处理器一次可处理的像素的数量；在另一实施例中，最大运算量由使用者自行设置，其值不超过处理器的运算能力。在图1的步骤S5的第二种实施方式中，以处理器一次处理一个像素群中的所有误差像素及修正像素。若处理器一次无法处理一个像素群中的所有修正像素或用户欲加速整体处理流程时，可采用步骤S5的第三种实施方式。图18是图1的步骤S5的第三种实施方式的流程图，其中步骤S71～S73的流程与步骤S61～S63的流程相似。请注意，下文提及“修正像素”时，若未特别提及，皆指经由膨胀运算决定的位于误差像素周边的像素及误差像素本身。
步骤S74是“依据一最大运算量决定每一该些像素群中的一第一定位点配置及一第二定位点配置”。步骤S74相似于第二实施方式的步骤S64，在第三实施方式的步骤S74中，“定位点配置”可分为动态配置部分及静态分配部分。动态配置部分的修正像素数量由第一定位点配置决定，静态分配部分的修正像素数量由第二定位点配置决定。第一定位点配置包含多个第一配置值，这些第一配置值将在步骤S75的0-1整数规划运算被动态地调整。第二定位点配置包含多个第二配置值，这些第二配置值在步骤S75的0-1整数规划运算中被设置固定的默认值。第一配置值及第二配置值的总数量关联于最大运算量一一；在一实施例中，第一配置值及第二配置值的总数量小于或等于最大运算量。
请参考图19，其为大型像素群的局部示意图。在一实施例中，假设处理器的最大运算量是20个像素，则此处理器无法在一次运算中修正图19中所有的修正像素F、X。因此，对于一个修正像素的数量超过最大运算量的大型像素群，在执行第三实施方式的步骤S74时，首先依据修正像素F、X对应于二维矩阵的坐标位置排序此大型像素群中的所有修正像素F、X，然后采用列扫描(row scan)或行扫描(column scan)的策略选取前20个修正像素，例如按行扫描的方式依序选择图19中坐标为(1，8)，(1，9)，(1，10)，(2，10)，(2，9),(2，8)，(2，7)，(3，6)，(3，7),(3，8)，(3，9)，(3，10)…，(5，5)，(5，6)等20个修正像素F以及误差像素X作为第一批被处理器处理的修正像素，第二批修正像素包括：(5，7)，(5，8)，(6，7)，(6，6)，(6，5)，(6，4)，…，(9，1)，(9，2)等20个修正像素F、X。按照上述方式可持续地选取下一批的20个修正像素F、X，直到此大型像素群中的所有修正像素F、X都被选取。
在连续选取的两批修正像素F、X中，第一批与第二批可能各自包括彼此连通的至少两个修正像素，使得因此较晚被修正的像素会影响较早被修正的像素。以图19为例，第二批中的修正像素(6，4)与第一批中的修正像素(5，4)在水平方向彼此连通，但这两个修正像素(6，4)、(5，4)并非同时接受处理，第一批中的修正像素(5，4)的处理时序早于第二批中的修正像素(6，4)的处理时序。为了避免较晚进行的修正取代较早进行的修正进而浪费处理器的计算能力，因此，在第三实施方式的步骤S74中，20个修正像素F、X将被区分为动态配置部分及静态分配部分。动态配置部分由第一定位点配置决定，静态分配部分由第二定位点配置决定。动态配置部分相似于步骤S64的定位点配置，在步骤S75执行0-1整数规划运算时，动态配置部分的多个第一配置值可被调整，静态分配部分的第二配置值则为固定数值，这些固定数值在步骤S75执行0-1整数规划运算时并不会被改变。关于这些固定数值的设置策略，例如：所有的第二配置值皆设定为0，或设定为1，或设定为一个默认的0-1组合序列，本发明对此不予限制。本发明也不限制第一配置值的数量及第二配置值的数量。以图19为例，在满足总数量不超过20个修正像素的前提下，例如：第一配置值与及二配置值各自对应至10个修正像素，或者第一配置值对应至15个修正像素且第二配置值对应至5个修正像素。在一实施例中，与前一批的修正像素相邻的修正像素为静态分配部分，未与前一批的修正像素相邻的修正像素为动态配置部分，以图19为例，第二批中的修正像素(6，4)与第一批中的修正像素(5，4)在水平方向彼此连通，第二批中的修正像素(7，2)未与第一批中的修正像素(5，4)连通，因此修正像素(6，4)属于静态分配部分，修正像素(7，2)属于动态配置部分。
步骤S75是“依据每一该些像素群、该最大运算量、该第一定位点配置及该第二定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个第一修正结果”。每个第一修正结果指示误差像素、修正像素及验证像素中的一个为高度曝光或低度曝光。步骤S75与步骤S65相似，在一实施例中，步骤S65的多个修正结果对应至一个像素群中的所有误差像素、修正像素及验证像素，而步骤S75的多个第一修正结果对应至一个大型像素群中一部分的误差像素、修正像素及验证像素。
步骤S76是“比对每一该些第一修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生一第一比对结果指示是否合格”。步骤S76与步骤S66相似。
步骤S77是“依据每一该些像素群的该第一比对结果及该第一定位点配置更新该定位分布图”。步骤S77与步骤S67相似，在一实施例中，步骤S67依据定位点配置中的所有配置值将这些配置值所对应的修正像素F、X更新至定位分布图；而步骤S77则是依据第一定位点配置中的所有第一配置值将这些第一配置值所对应的修正像素F、X更新至定位分布图。
步骤S78是“检查该些误差像素的一剩余数量是否大于一容许值”。在执行一次步骤S76～S77的流程之后，已经有部分的误差像素因为被修正而消失。因此在每次修正后，步骤S78检查一个大型像素群中剩余的误差像素数量是否仍然大于一容许值。若检查结果为“是”，代表剩余的误差像素仍然需要被修正，因此返回步骤S74。若检查结果为“否”，代表剩余的误差像素的数量小于或等于容许值，可以不用继续修正。实务上，可能有修正像素F、X在连续两次的修正结果中有一个不合格。换言之，此种修正像素在第k次修正时获得的配置值相异于其在第k+1次修正时获得的配置值。例如，针对处于相邻区域A、B的临界位置的修正像素，将此修正像素设置为1解决了A区域的修正但使B区域的修正不满足；反过来将此像素设置为0解决了B区域的修正但使A区域的修正不满足。容许值的设定可忽略这种被反复修正的修正像素过度占用处理器的运算资源。
为了清楚说明第三实施方式，再次说明返回步骤S74后的流程。为便于说明，将第二次执行步骤S74时决定的第一定位点配置称为第三定位点配置，将第二次执行步骤S74时决定的第二定位点配置称为第四定位点配置，将第二次执行步骤S75时产生的第一修正结果称为第二修正结果，且将第二次执行步骤S76时产生的第一比对结果称为第二比对结果。
在步骤S74的第二次执行中，依据最大运算量决定像素群中的第三定位点配置及第四定位点配置。第三定位点配置包含多个第三配置值，第四定位点配置包含多个第四配置值，且第三配置值及第四配置值的总数量关联于最大运算量。值得注意的是，为了避免修正像素以及误差像素被反复修正，可让像素群的修正像素以及误差像素中的一个在第一时序被设定为第二配置值，且在第二时序被设定为第三配置值，第一时序早于第二时序。简言之，在连续两次选取的多个修正像素以及误差像素中具有相同的一或多个修正像素以及误差像素。例如第一次执行步骤S74时选取第1～100个修正像素以及误差像素，第二次执行步骤S74时选取第51～150个像素。上述数字仅为举例说明，而非用以限制被重复选取的修正像素的数量。
在步骤S75的第二次执行中，依据像素群、最大运算量、第三定位点配置及第四定位点配置执行0-1整数规划运算以产生多个第二修正结果。步骤S75执行的0-1整数规划运算将动态地改变这些第三配置值，且这些第四配置值在该0-1整数规划运算中不变。在步骤S76的第二次执行中，比对每个第二修正结果与电路图的一个曝光状态以产生第二比对结果。在步骤S77的第二次执行中，依据第二比对结果及第三定位点配置更新定位分布图。
图20是本发明一实施例的一种产生及更新定位分布图的***。产生及更新定位分布图的***包括非暂时性机器可读储存装置1及处理装置3。非暂时性机器可读装置1用以储存多个指令。处理装置3电性连接非暂时性机器可读储存装置1。处理装置3执行该些指令并引发多个操作，该些操作包括：依据一电路图及至少一曝光样式产生至少一定位分布图，其中该电路图包含多个目标像素及多个背景像素，每一该至少一定位分布图包括多个定位点，该些定位点位于该些目标像素中的多者且关联于该曝光样式；依据该至少一定位分布图的每一个进行一曝光模拟以产生至少一曝光结果图，该曝光模拟包括以该至少一定位分布图的每一个的每一该些定位点模拟发射一虚拟光斑以产生至少一曝光结果图；比对该电路图及该至少一曝光结果图以产生至少一候选误差分布图；选取该至少一候选误差分布图中的一个作为一误差分布图，其中该误差分布图包含多个误差像素；依据该电路图及该些误差像素中的至少一个进行一0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的一个，其中被更新的该定位分布图包括多个修正定位点，且被更新的该定位分布图关联于所选取的该候选误差分布图。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，该些目标像素形成一电路结构，该些目标像素及该些背景像素中的每一个具有一曝光状态，每一该些目标像素的该曝光状态为高度曝光，且每一该些背景像素的该曝光状态为低度曝光。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，该至少一候选误差分布图为多个候选误差分布图，该些候选误差分布图分别具有多个误差像素数量；在该些操作中，选取该至少一候选误差分布图中的一个作为该误差分布图包括：选取该些误差像素数量中的一最小值；以及以具有该最小值的该误差像素数量所对应的该至少一候选误差分布图中的一个作为该误差分布图。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，在该些操作中，依据该电路图及该些误差像素中的至少一个进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的一个包括：选择该误差分布图的该至少一误差像素执行一膨胀运算，以在该定位分布图中决定多个修正像素；依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在定位分布图中决定多个验证像素；以及依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，在该些操作中，依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个包括：依据该至少一误差像素及该些修正像素产生一定位点配置；依据该至少一误差像素、该些修正像素及该定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个修正结果；比对每一该些修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生一比对结果，其中每一该些修正结果指示该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素中的每一个为高度曝光或低度曝光；以及依据该比对结果及该定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，在该些操作中，选择该误差分布图的该至少一误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素包括：依据该误差分布图的每一该些误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素；依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在定位分布图中决定该些验证像素包括：依据每一该些修正像素执行一连通分量标记程序以决定多个像素群；及依据每一该些像素群执行该膨胀运算以在该定位分布图中决定该些验证像素；依据每一该些像素群中的每一该些误差像素及每一该些修正像素产生一定位点配置；依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个包括：依据每一该些像素群及每一该些定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个修正结果；比对每一该些像素群的每一该些修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生一比对结果，其中每一该些修正结果指示该误差像素中的至少一个、该些修正像素及该些验证像素中的每一个为高度曝光或低度曝光；及依据每一该些像素群的该些比对结果及该定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，在该些操作中，选择该误差分布图的该至少一误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素包括：依据该误差分布图的每一该些误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素；依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在定位分布图中决定该些验证像素包括：依据每一该些修正像素执行一连通分量标记程序以决定多个像素群；及依据每一该些像素群执行该膨胀运算以在该定位分布图中决定该些验证像素；依据一最大运算量决定每一该些像素群中的一第一定位点配置及一第二定位点配置；依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个包括：依据每一该些像素群、该最大运算量、该第一定位点配置及该第二定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个第一修正结果；及比对每一该些像素群的每一该些第一修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生一第一比对结果，其中每一该些第一修正结果指示该误差像素中的至少一个、该些修正像素及该些验证像素中的每一个为高度曝光或低度曝光；及依据每一该些像素群的该些第一比对结果及该些第一定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，在该些操作中，在依据每一该些像素群的该些第一比对结果及该些第一定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个之后，更包括：检查该些像素群中的一个中的该些误差像素的一剩余数量；当该剩余数量大于一容许值时，依据该最大运算量决定被检查的该像素群中的一第三定位点配置及一第四定位点配置；依据被检查的该像素群、该最大运算量、该第三定位点配置及该第四定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个第二修正结果；比对每一该些第二修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生一第二比对结果；以及依据该第二比对结果及该第三定位点配置更新该定位分布图；其中该第三定位点配置包含多个第三配置值，该0-1整数规划运算动态地改变该些第三配置值；该第四定位点配置包含多个第四配置值，该些第四配置值在该0-1整数规划运算中不变；及该些第三配置值及该些第四配置值的总数量关联于该最大运算量。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，在该些操作中，该像素群的该些修正像素中的一个在一第一时序被设定为该第二配置值，且在一第二时序被设定为该第三配置值，且该第一时序早于该第二时序。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，该些目标像素及该些背景像素的每一个的长度或宽度小于该虚拟光斑的直径。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，该些定位点中的二定位点之间的距离不小于该些目标像素中的一个的长度或宽度。
在产生及更新定位分布图的***的一实施例中，每一该至少一曝光结果图包含多个试曝结果，每一该些试曝结果对应至该些目标像素及该些背景像素中的一个，且每一该些误差像素对应至该些试曝结果中的一个；其中当该些误差像素中的一个对应至该些目标像素中的一个时，该些误差像素中的一个所对应的该些试曝结果中的一个为低度曝光；及当该些误差像素中的一个对应至该些背景像素中的一个时，该些误差像素中的一个所对应的该些试曝结果中的另一个为高度曝光。
综上所述，本发明提出的产生及更新定位分布图的方法及其***，通过曝光仿真预先找到光斑初始位置图，并运用连通分量标记以及平行化整数规划运算处理，有效地降低运算量以加速计算。本发明可达到使用大于线宽尺寸的光斑进行曝光，以满足细小线宽与线距的精度需求。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (22)

1.一种产生及更新定位分布图的方法，包括：
依据电路图及至少一曝光样式产生至少一定位分布图，其中该电路图包含多个目标像素及多个背景像素，每一该至少一定位分布图包括多个定位点，该些定位点位于该些目标像素中的多个且关联于该曝光样式；
依据该至少一定位分布图的每一个进行曝光模拟以产生至少一曝光结果图，该曝光模拟包括以该至少一定位分布图的每一个的每一该些定位点模拟发射虚拟光斑以产生至少一曝光结果图；
比对该电路图及该至少一曝光结果图以产生至少一候选误差分布图；
选取该至少一候选误差分布图中的一个作为误差分布图，其中该误差分布图包含多个误差像素；以及
依据该电路图及该些误差像素中的至少一个进行0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的一个，其中被更新的该定位分布图包括多个修正定位点，且被更新的该定位分布图关联于所选取的该候选误差分布图；
其中该些目标像素形成电路结构，该些目标像素及该些背景像素中的每一个具有曝光状态，每一该些目标像素的该曝光状态为高度曝光，以及每一该些背景像素的该曝光状态为低度曝光。
2.根据权利要求1所述产生及更新定位分布图的方法，其中该至少一候选误差分布图为多个候选误差分布图，该些候选误差分布图分别具有多个误差像素数量；选取该至少一候选误差分布图中的一个作为该误差分布图包括：
选取该些误差像素数量中的最小值；以及
以具有该最小值的该误差像素数量所对应的该至少一候选误差分布图中的一个作为该误差分布图。
3.根据权利要求1所述产生及更新定位分布图的方法，其中依据该电路图及该些误差像素中的至少一个进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的一个包括：
选择该误差分布图的该至少一误差像素执行膨胀运算，以在该至少一定位分布图中的该个决定多个修正像素；
依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定多个验证像素；以及
依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个。
4.根据权利要求3所述产生及更新定位分布图的方法，其中依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个包括：
依据该至少一误差像素及该些修正像素产生定位点配置；
依据该至少一误差像素、该些修正像素及该定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个修正结果；
比对每一该些修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生比对结果，其中每一该些修正结果指示该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素中的每一个为高度曝光或低度曝光；以及
依据该比对结果及该定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个。
5.根据权利要求3所述产生及更新定位分布图的方法，其中选择该误差分布图的该至少一误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素包括：依据该误差分布图的每一该些误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素；
依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定该些验证像素包括：依据每一该些修正像素执行连通分量标记程序以决定多个像素群；及依据每一该些像素群执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定该些验证像素；
依据每一该些像素群中的每一该些误差像素及每一该些修正像素产生定位点配置；
依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个包括：依据每一该些像素群及每一该些定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个修正结果；比对每一该些像素群的每一该些修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生比对结果，其中每一该些修正结果指示该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素中的每一个为高度曝光或低度曝光；及依据该些像素群的该些比对结果及该定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个。
6.根据权利要求3所述产生及更新定位分布图的方法，其中选择该误差分布图的该至少一误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素包括：依据该误差分布图的每一该些误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素；
依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定该些验证像素包括：依据每一该些修正像素执行连通分量标记程序以决定多个像素群；及依据每一该些像素群执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定该些验证像素；
依据最大运算量决定每一该些像素群中的第一定位点配置及第二定位点配置，其中该第一定位点配置包含多个第一配置值，该0-1整数规划运算动态地改变该些第一配置值；该第二定位点配置包含多个第二配置值，该些第二配置值在该0-1整数规划运算中不变；及该些第一配置值及该些第二配置值的总数量关联于该最大运算量；
依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个包括：依据每一该些像素群、该最大运算量及每一该些像素群中的该第一定位点配置及该第二定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个第一修正结果；比对每一该些像素群的每一该些第一修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生第一比对结果，其中每一该些第一修正结果指示该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素中的每一个是高度曝光或低度曝光；及依据每一该些像素群的该第一比对结果及该第一定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个。
7.根据权利要求6所述产生及更新定位分布图的方法，在依据每一该些像素群的该些第一比对结果及该些第一定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个之后，更包括：
检查该些像素群中的一个中的该些误差像素的剩余数量；
当该剩余数量大于容许值时，依据该最大运算量决定被检查的该像素群中的第三定位点配置及第四定位点配置；
依据该被检查的该像素群、该最大运算量、该第三定位点配置及该第四定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个第二修正结果；
比对每一该些第二修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生第二比对结果；以及
依据该第二比对结果及该第三定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个；其中，
该第三定位点配置包含多个第三配置值，该0-1整数规划运算动态地改变该些第三配置值；
该第四定位点配置包含多个第四配置值，该些第四配置值在该0-1整数规划运算中不变；及
该些第三配置值及该些第四配置值的总数量关联于该最大运算量。
8.根据权利要求7所述产生及更新定位分布图的方法，其中被检查的该像素群的该些修正像素中的一个在第一时序被设定为该第二配置值，在第二时序被设定为该第三配置值，且该第一时序早于该第二时序。
9.根据权利要求1所述产生及更新定位分布图的方法，其中该些目标像素及该些背景像素的每一个的长度或宽度小于该虚拟光斑的直径。
10.根据权利要求1所述产生及更新定位分布图的方法，其中该些定位点中的二定位点之间的距离不小于该些目标像素中的一个的长度或宽度。
11.根据权利要求1所述产生及更新定位分布图的方法，其中每一该至少一曝光结果图包含多个试曝结果，每一该些试曝结果对应至该些目标像素及该些背景像素中的一个，且每一该些误差像素对应至该些试曝结果中的一个；其中
当该些误差像素中的一个对应至该些目标像素中的一个时，该些误差像素中的一个所对应的该些试曝结果中的一个为低度曝光；及
当该些误差像素中的一个对应至该些背景像素中的一个时，该些误差像素中的一个所对应的该些试曝结果中的另一个为高度曝光。
12.一种产生及更新定位分布图的***包括，非暂时性机器可读储存装置，储存多个指令；以及处理装置，电性连接该非暂时性机器可读储存装置，该处理装置执行该些指令并引发多个操作，该些操作包括：
依据电路图及至少一曝光样式产生至少一定位分布图，其中该电路图包含多个目标像素及多个背景像素，每一该至少一定位分布图包括多个定位点，该些定位点位于该些目标像素中的多者且关联于该曝光样式；
依据该至少一定位分布图的每一个进行曝光模拟以产生至少一曝光结果图，该曝光模拟包括以该至少一定位分布图的每一个的每一该些定位点模拟发射虚拟光斑以产生至少一曝光结果图；
比对该电路图及该至少一曝光结果图以产生至少一候选误差分布图；
选取该至少一候选误差分布图中的一个作为误差分布图，其中该误差分布图包含多个误差像素；以及
依据该电路图及该些误差像素中的至少一个进行0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的一个，其中被更新的该定位分布图包括多个修正定位点，且被更新的该定位分布图关联于所选取的该候选误差分布图；
其中该些目标像素形成电路结构，该些目标像素及该些背景像素中的每一个具有曝光状态，每一该些目标像素的该曝光状态为高度曝光，以及每一该些背景像素的该曝光状态为低度曝光。
13.根据权利要求12所述产生及更新定位分布图的***，其中该至少一候选误差分布图为多个候选误差分布图，该些候选误差分布图分别具有多个误差像素数量；在该些操作中，选取该至少一候选误差分布图中的一个作为该误差分布图包括：
选取该些误差像素数量中的最小值；以及
以具有该最小值的该误差像素数量所对应的该至少一候选误差分布图中的一个作为该误差分布图。
14.根据权利要求13所述产生及更新定位分布图的***，在该些操作中，依据该电路图及该些误差像素中的至少一个进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的一个包括：
选择该误差分布图的该至少一误差像素执行膨胀运算，以在该至少一定位分布图中的该个决定多个修正像素；
依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定多个验证像素；以及
依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个。
15.根据权利要求14所述产生及更新定位分布图的***，在该些操作中，依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个包括：
依据该至少一误差像素及该些修正像素产生定位点配置；
依据该至少一误差像素、该些修正像素及该定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个修正结果；
比对每一该些修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生比对结果，其中每一该些修正结果指示该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素中的每一个为高度曝光或低度曝光；以及
依据该比对结果及该定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个。
16.根据权利要求14所述产生及更新定位分布图的***，在该些操作中，选择该误差分布图的该至少一误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素包括：依据该误差分布图的每一该些误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素；
依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定该些验证像素包括：
依据每一该些修正像素执行连通分量标记程序以决定多个像素群；及
依据每一该些像素群执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定该些验证像素；
依据每一该些像素群中的每一该些误差像素及每一该些修正像素产生定位点配置；
依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个包括：
依据每一该些像素群及每一该些定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个修正结果；
比对每一该些像素群的每一该些修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生比对结果，其中每一该些修正结果指示该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素中的每一个为高度曝光或低度曝光；及
依据该些像素群的该些比对结果及该定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个。
17.根据权利要求14所述产生及更新定位分布图的***，在该些操作中，选择该误差分布图的该至少一误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素包括：依据该误差分布图的每一该些误差像素执行该膨胀运算，以在该定位分布图中决定该些修正像素；
依据每一该些修正像素执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定该些验证像素包括：
依据每一该些修正像素执行连通分量标记程序以决定多个像素群；及
依据每一该些像素群执行该膨胀运算以在该至少一定位分布图中的该个决定该些验证像素；
依据最大运算量决定每一该些像素群中的第一定位点配置及第二定位点配置，其中该第一定位点配置包含多个第一配置值，该0-1整数规划运算动态地改变该些第一配置值；该第二定位点配置包含多个第二配置值，该些第二配置值在该0-1整数规划运算中不变；及该些第一配置值及该些第二配置值的总数量关联于该最大运算量；
依据该电路图、该至少一误差像素、该些修正像素及该些验证像素进行该0-1整数规划运算，以更新该至少一定位分布图中的该个包括：
依据每一该些像素群、该最大运算量及每一该些像素群中的该第一定位点配置及该第二定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个第一修正结果；
比对每一该些像素群的每一该些第一修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生第一比对结果，其中每一该些第一修正结果指示该误差像素中的至少一个、该些修正像素及该些验证像素中的每一个为高度曝光或低度曝光；及
依据每一该些像素群的该些第一比对结果及该些第一定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个。
18.根据权利要求17所述产生及更新定位分布图的***，在该些操作中，
在依据每一该些像素群的该些第一比对结果及该些第一定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个之后，更包括：
检查该些像素群中的一个中的该些误差像素的剩余数量；
当该剩余数量大于容许值时，依据该最大运算量决定该些被检查的该像素群中的第三定位点配置及第四定位点配置；
依据被检查的该像素群、该最大运算量、该第三定位点配置及该第四定位点配置执行该0-1整数规划运算以产生多个第二修正结果；
比对每一该些第二修正结果与该电路图的该些曝光状态中的一个以产生第二比对结果；以及
依据该第二比对结果及该第三定位点配置更新该至少一定位分布图中的该个；其中
该第三定位点配置包含多个第三配置值，该0-1整数规划运算动态地改变该些第三配置值；
该第四定位点配置包含多个第四配置值，该些第四配置值在该0-1整数规划运算中不变；及
该些第三配置值及该些第四配置值的总数量关联于该最大运算量。
19.根据权利要求18所述产生及更新定位分布图的***，在该些操作中，被检查的该像素群的的该些修正像素中的一个在第一时序被设定为该第二配置值，且在第二时序被设定为该第三配置值，且该第一时序早于该第二时序。
20.根据权利要求12所述产生及更新定位分布图的***，其中该些目标像素及该些背景像素的每一个的长度或宽度小于该虚拟光斑的直径。
21.根据权利要求12所述产生及更新定位分布图的***，其中该些定位点中的两定位点之间的距离不小于该些目标像素中的一个的长度或宽度。
22.根据权利要求12所述产生及更新定位分布图的***，其中每一该至少一曝光结果图包含多个试曝结果，每一该些试曝结果对应至该些目标像素及该些背景像素中的一个，且每一该些误差像素对应至该些试曝结果中的一个；其中
当该些误差像素中的一个对应至该些目标像素中的一个时，该些误差像素中的一个所对应的该些试曝结果中的一个为低度曝光；及
当该些误差像素中的一个对应至该些背景像素中的一个时，该些误差像素中的一个所对应的该些试曝结果中的另一个为高度曝光。
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