CN114649469B - 一种磁存储位元及其制作方法、磁存储器 - Google Patents

一种磁存储位元及其制作方法、磁存储器 Download PDF

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Abstract

本申请公开了磁存储位元及其制作方法和磁存储器，磁存储位元包括固定层、参考层、隧道层、自由层，自由层包括多个层叠的结构单元，结构单元包括在远离隧道层方向上层叠的铁磁层和氧化物传导层，铁磁层包括在远离隧道层方向上依次层叠的第一磁性层、间隔层、第二磁性层。自由层包括多个结构单元，每个结构单元包括铁磁层和氧化物传导层，即自由层中有多个氧化物传导层与铁磁层的界面，多层界面的各向异性能使自由层维持垂直各向异性，可提升数据保存时间，提高自旋转移矩翻转速度，且降低去磁化场，提高自由层的磁各向异性场，且不影响磁存储位元隧道磁阻；铁磁层又包括第一磁性层、间隔层、第二磁性层，提升自由层的厚度，从而提升数据保存时间。

Description

一种磁存储位元及其制作方法、磁存储器
技术领域
本申请涉及磁存储技术领域，特别是涉及一种磁存储位元及其制作方法、磁存储器。
背景技术
自旋转移力矩磁性随机存储器(Spin Transfer Torque Magnetic RandomAccess Memory，简称STT-MRAM)是一种极具潜力的新型存储器，STT-MRAM中包括至少一个存储位元--磁隧道结(Magnetic Tunnel Junctions，MTJ)，其包括固定层、参考层、隧道层、自由层。要取代或部分取代现有的主流存储器，STT-MRAM的数据保存时间需要尽可能长，同时保持足够的耐擦写次数。为了提升数据保存时间，目前主要通过在自由层中***一过渡层，同时加上MgO覆盖层来提升自由层的厚度又不影响其垂直各向异性，从而增大数据保存时间。但受界面限制，整体自由层的厚度较低，数据保存时间还是无法满足小尺寸后的数据保存时间要求。同时，该结构的写电流较大，很难满足耐擦写次数要求。
因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
发明内容
本申请的目的是提供一种磁存储位元及其制作方法、磁存储器，以提升数据保存时间，同时使磁存储位元具有较高的隧道磁阻和较小的写电流。
为解决上述技术问题，本申请提供一种磁存储位元，包括固定层、参考层、隧道层、自由层，所述自由层包括多个层叠的结构单元，所述结构单元包括在远离所述隧道层方向上依次层叠的铁磁层和氧化物传导层，所述铁磁层包括在远离所述隧道层方向上依次层叠的第一磁性层、间隔层、第二磁性层。
可选的，所述第一磁性层和所述第二磁性层均包括在远离所述隧道层方向上层叠第一子磁性层和第二子磁性层，所述自由层中与所述隧道层最近的所述第一磁性层中的第一子磁性层的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层的饱和磁化强度。
可选的，在除与所述隧道层最近的所述第一磁性层之外的所述第一磁性层中，所述第一子磁性层的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层的饱和磁化强度；在所述第二磁性层中，所述第二子磁性层的饱和磁化强度大于所述第一子磁性层的饱和磁化强度。
可选的，还包括：
位于所述第一子磁性层和所述第二子磁性层之间的过渡层。
可选的，与所述氧化物传导层接触的所述第一子磁性层和所述第二子磁性层为铁磁性层或者CoFeB磁性层。
可选的，所述CoFeB磁性层中Fe的含量大于40％。
可选的，所述间隔层的数量为多个。
可选的，所述氧化物传导层中掺有导电杂质。
本申请还提供一种磁存储位元制作方法，包括：
步骤S1：获得位元基体，所述位元基体包括固定层、参考层、隧道层，或者包括所述隧道层；
步骤S2：在所述位元基体上按照远离所述隧道层方向依次沉积第一磁性层、间隔层、第二磁性层，形成铁磁层；
步骤S3：在所述铁磁层上沉积氧化物传导层；
步骤S4：进入步骤S2，直至所述铁磁层和所述氧化物传导层的层数达到预设阈值，形成自由层；
步骤S5：高温退火，得到磁存储位元；
相应的，当所述位元基体包括所述隧道层时，在步骤S4和S5之间还包括：
在所述自由层上形成所述参考层和所述固定层。
可选的，在沉积第一磁性层之后，还包括：
对所述第一磁性层进行退火处理。
本申请还提供一种磁存储器，所述磁存储器包括上述任一种所述的磁存储位元。
本申请所提供的一种磁存储位元，包括固定层、参考层、隧道层、自由层，所述自由层包括多个层叠的结构单元，所述结构单元包括在远离所述隧道层方向上依次层叠的铁磁层和氧化物传导层，所述铁磁层包括由下至上依次层叠的第一磁性层、间隔层、第二磁性层。
可见，本申请中的磁存储位元，包括固定层、参考层、隧道层、自由层，其中的自由层包括多个层叠的结构单元，每个结构单元包括铁磁层和氧化物传导层，即本申请自由层中具有多个氧化物传导层与铁磁层的界面，多层界面的各向异性能使自由层维持垂直各向异性，可以提升数据保存时间，提高自旋转移矩翻转速度，同时降低去磁化场，提高自由层的磁各向异性场，且不影响磁存储位元隧道磁阻；铁磁层又包括第一磁性层、间隔层、第二磁性层，提升自由层的厚度，可以提升数据保存时间。
此外，本申请还提供一种具有上述优点的磁存储位元制作方法和磁存储器。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例所提供的磁存储位元的结构示意图；
图2为本申请实施例所提供的自由层的一种结构示意图；
图3为本申请实施例所提供的第一磁性层和第二磁性层的一种结构示意图；
图4为本申请实施例所提供的第一磁性层和第二磁性层的另一种结构示意图；
图5为本申请实施例所提供的一种磁存储位元的制作流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，目前为了提升数据保存时间，通过在自由层中***一过渡层，同时加上MgO覆盖层来提升自由层的厚度又不影响其垂直各向异性，从而增大数据保存时间。但整体自由层的厚度较低，数据保存时间还是无法满足小尺寸后的数据保存时间要求。同时，该结构的写电流较大，很难满足耐擦写次数要求。
有鉴于此，本申请提供了一种磁存储位元，请参考图1和图2，图1为本申请实施例所提供的磁存储位元的结构示意图，图2为本申请实施例所提供的自由层的示意图，该磁存储位元，包括固定层1、参考层2、隧道层3、自由层4，所述自由层4包括多个层叠的结构单元，所述结构单元包括在远离所述隧道层3方向上依次层叠的铁磁层41和氧化物传导层42，所述铁磁层41包括在远离所述隧道层方向上依次层叠的第一磁性层411、间隔层412、第二磁性层413。
受到制作工艺的影响，结构单元的数量一般在5个以内。需要说明的是，图1中隧道层3与自由层4的位置可以互换。
氧化物传导层42的材料包括但不限于MgO、AlO、MgAlO、SiO、TiO、TaO、ZrO、HfO等具有界面各向异性的金属材料，其导电不是由隧道主导的，电阻比隧道层3(势垒层)的电阻低的多，比如不超过10％。
优选地，所述氧化物传导层42中掺有导电杂质，以在氧化物传导层42中形成导电通道，以使氧化物传导层42具有导电性(非隧道传导)。导电杂质可以为Mg、Al、Ta、Fe等金属。
氧化物传导层42的厚度不超过5个分子层，厚度在0.2nm到1.0nm之间。除了位于最顶层的氧化物传导层42，其他的氧化物传导层42的上下均有铁磁层41，所以还需作为铁磁层41的磁性耦合层，厚度优选在1-2个分子层内。优选地，氧化物传导层42的厚度为形成没有空位的完整的氧化物传导层42的最小厚度。
需要说明的是，本申请中对铁磁层41的结构不做具体限定，可自行设置。例如，铁磁层41的结构可以为单层铁磁结构、多层铁磁结构、具有反铁磁耦合的多层磁性结构。当为单层铁磁结构时，铁磁层41的材料可以为金属单质或者合金，例如，Co、Fe、CoFeB、FeB、CoFe、NiFe、CoNiFe等；当为多层铁磁结构时，铁磁层41为上述Co、Fe、CoFeB、FeB、CoFe、NiFe、CoNiFe等材料形成的单层结构层的任意组合；当为具有反铁磁耦合的多层磁性结构时，即在多层铁磁结构中***反铁磁耦合层，反铁磁耦合层的材料可以为Ru、Ir、Cr等。
间隔层412的材料包括但不限于Mo、Ta、W、Mg、Ir、Ru、Hf，Nb、V、Y、Cr，具有吸收第一磁性层411和第二磁性层413中的硼，第一磁性层411和第二磁性层413的材料为CoFeB，作为第一磁性层411和第二磁性层413的磁性耦合层，以及降低总饱和磁化强度(saturationmagnetization，简称Ms)的作用。间隔层412还可以是弱铁磁层41或顺磁层以提高第一磁性层411和第二磁性层413间的磁耦合。
优选地，所述间隔层412的数量为多个，提升对硼B的吸收效果，同时降低整体Ms，提升自由层4交换强度，进一步提升磁存储位元的数据保存时间。
铁磁层41中的第一磁性层411、间隔层412、第二磁性层413可以是完整的一层，也可以是不完整的一层(dusting layer)，不完整的一层就是无法形成完整的一个分子层。
本申请中的磁存储位元，包括固定层、参考层、隧道层、自由层4，其中的自由层4包括多个层叠的结构单元，每个结构单元包括铁磁层41和氧化物传导层42，即本申请自由层4中具有多个氧化物传导层42与铁磁层41的界面，多层界面的各向异性能使自由层4维持垂直各向异性，可以提升数据保存时间，提高自旋转移矩翻转速度，同时降低去磁化场，提高自由层4的磁各向异性场，且不影响磁存储位元隧道磁阻；铁磁层41又包括第一磁性层411、间隔层412、第二磁性层413，提升自由层4的厚度，可以提升数据保存时间。
可选的，在本申请的一个实施例中，第一磁性层411和第二磁性层413的结构示意图如图3所示，所述第一磁性层411和所述第二磁性层413均包括在远离所述隧道层方向上层叠第一子磁性层5和第二子磁性层6，所述自由层4中与所述隧道层最近的所述第一磁性层411中的第一子磁性层5的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层6的饱和磁化强度。
与所述隧道层最近的第一磁性层411中的第一子磁性层5与隧道层直接接触，具有较大的饱和磁化强度Ms，可以有效降低铁磁层41自旋转移矩的翻转速度，与所述隧道层最近的第一磁性层411中的第二子磁性层6的饱和磁化强度小于第一子磁性层5，可以降低铁磁层41的饱和磁化强度Ms，降低退磁场，提高自由层4的磁各向异性场Hk。与所述隧道层最近的第一磁性层411中的第一子磁性层5中的硼含量要尽量的少，甚至为0，不与氧化物传导层42直接接触的其他第一子磁性层5和第二子磁性层6硼含量可以高一些，含量在10％～40％范围内，以提高隧道磁阻。除去与所述隧道层最近的第一磁性层411，其他第一磁性层411中硼含量在25％以下，以使氧化物传导层42界面杂质硼含量较少。
第一磁性层411和第二磁性层413采用分层结构，与所述隧道层最近的第一磁性层411中B含量较少，可以使CoFe形成完整的晶体结构，产生强的交换耦合。
与所述隧道层最近的第一磁性层411中的第一子磁性层5的材料可以是铁磁性金属及其合金，例如，CoxFe1-x，其中x在0.3到0.5之间，Fe，富Fe-(CoxFe1-x)yB1-y，其中x在0.3到0.5之间、y在0.85到0.7之间。
进一步地，在除与所述隧道层3最近的所述第一磁性层411之外的所述第一磁性层411中，所述第一子磁性层5的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层6的饱和磁化强度；在所述第二磁性层中，所述第二子磁性层6的饱和磁化强度大于所述第一子磁性层5的饱和磁化强度。
以第二层结构单元中的铁磁层41为例进行说明，该磁性层中的第一磁性层411与第一层结构单元中的氧化物传导层42接触，进一步地，第一磁性层411中的第一子磁性层5与第一层结构单元中的氧化物传导层42接触，第二子磁性层6与间隔层412接触，则在该第一磁性层411中第一子磁性层5的饱和磁化强度大于第二子磁性层6；该磁性层中的第二磁性层413与该层结构单元中的氧化物传导层42接触，进一步地，第二磁性层413中的第二子磁性层6与该层结构单元中的氧化物传导层42接触，第一子磁性层5与间隔层412接触，则在该第二磁性层413中第二子磁性层6的饱和磁化强度大于第一子磁性层5。
在除与所述隧道层最近的第一磁性层411之外的第一磁性层411和第二磁性层413中，与所述氧化物传导层42接触的所述第一子磁性层5和所述第二子磁性层6为铁磁性层或者CoFeB磁性层。可选的，当第一子磁性层5和第二子磁性层6为CoFeB磁性层时，CoFeB磁性层中Fe的含量大于40％。
请参考图4，图4为本申请实施例所提供的第一磁性层411和第二磁性层413的另一种结构示意图。在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，磁存储位元还包括：
位于所述第一子磁性层5和所述第二子磁性层6之间的过渡层7，以改善第一磁性层411、第二磁性层413的晶体结构。
本申请中对过渡层7的材料不做具体限定，可自行选择。例如，过渡层7的材料可以为Mg、Mo、Ta、W、Ir、Ru等。
本申请还提供一种磁存储位元制作方法，请参考图5，图5为本申请实施例所提供的一种磁存储位元制作方法的流程图，该方法包括：
步骤S1：获得位元基体，所述位元基体包括固定层、参考层、隧道层。
具体的制作过程可参考现有相关技术，本申请中不再详细赘述。
步骤S2：在所述位元基体上按照远离所述隧道层方向依次沉积第一磁性层、间隔层、第二磁性层，形成铁磁层。
本申请中对形成铁磁层的沉积工艺不做具体限定，视情况而定。例如，沉积工艺可以为离子束沉积、物理气相沉积、等离子体增强化学气相沉积。
具体的，在沉积第一磁性层、间隔层、第二磁性层时，沉积气压在15mTorr到30mTorr范围内，沉积功率小于500W，沉积温度小于0℃，以使第一磁性层、间隔层、第二磁性层以层状生长，降低柱状及斑块生长，增加界面均匀性，减低边界的混合，提高Fe-O结合数及均匀性。
沉积间隔层的材料包括但不限于Mo、Ta、W、Mg、Ir、Ru、Hf、Nb、V、Y、Cr。沉积第一磁性层和第二磁性层的材料包括但不限于Co、Fe、CoFeB、FeB、CoFe、NiFe、CoNiFe。
优选地，控制沉积间隔层的数量为多个，提升对第一磁性层和第二磁性层中硼B的吸收效果，同时降低整体Ms，提升自由层交换强度，进一步提升磁存储位元的数据保存时间。
优选地，在沉积第一磁性层之后，还包括：
对所述第一磁性层进行退火处理，以使第一磁性层中的界面杂质硼扩散到上表面，进而被间隔层吸收，从而降低或者消除界面硼杂质。
步骤S3：在所述铁磁层上沉积氧化物传导层。
本申请中对形成氧化物传导层的沉积工艺不做具体限定，视情况而定。例如，沉积工艺可以为离子束沉积、物理气相沉积、等离子体增强化学气相沉积。
具体的，在沉积氧化物传导层时，沉积气压在15mTorr到30mTorr范围内，沉积功率小于500W，沉积温度小于0℃，以使氧化物传导层以层状生长，降低柱状及斑块生长，增加界面均匀性，减低边界的混合。
沉积氧化物传导层的材料包括但不限于MgO、AlO、MgAlO、SiO、TiO、TaO、ZrO、HfO。
优选地，控制氧化物传导层沉积时的氧含量，例如，当氧化物传导层为MgO时，控制一个Mg对应一个O，避免氧的数量过多，从而减少或消除氧化物传导层与铁磁层界面多余的氧。
优选地，在沉积氧化物传导层时，掺杂Mg、Al、Ta、Ru，Ir，Fe等金属导电杂质，以在氧化物传导层中形成导电通道，以使氧化物传导层具有导电性(非隧道传导)。
步骤S4：进入步骤S2，直至所述铁磁层和所述氧化物传导层的层数达到预设阈值，形成自由层。
需要说明的是，本申请中对预设阈值不做具体限定，视情况而定。但是，受到制作工艺的影响，铁磁层和氧化物传导层的层数一般在5层以内。
在重复进行步骤S2时，还可以控制第一磁性层中硼含量在25％以下，进一步降低界面杂质。当第一磁性层和第二磁性层的材料为CoFeB时，沉积气压在15mTorr到30mTorr范围内，沉积功率小于500W，沉积温度小于0℃，还可以降低界面不稳定性，减少磁性死层。
步骤S5：高温退火，得到磁存储位元。
高温退火可以改善氧化物传导层和铁磁层的结晶程度及两者间的晶格匹配度。
需要指出的是，当所述位元基体包括所述隧道层时，在步骤S4和S5之间还包括：在所述自由层上形成所述参考层和所述固定层。该种方法对应的磁存储位元的结构由下至上依次是固定层、参考层、自由层、隧道层。
本申请磁存储位元制作方法制得的磁存储位元，包括固定层、参考层、隧道层、自由层，其中的自由层包括多个层叠的结构单元，每个结构单元包括铁磁层和氧化物传导层，即本申请自由层中具有多个氧化物传导层与铁磁层的界面，多层界面的各向异性能使自由层维持垂直各向异性，可以提升数据保存时间，提高自旋转移矩翻转速度，同时降低去磁化场，提高自由层的磁各向异性场，且不影响磁存储位元隧道磁阻；铁磁层又包括第一磁性层、间隔层、第二磁性层，提升自由层的厚度，可以提升数据保存时间。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，沉积第一磁性层和沉积第二磁性层时包括：
依次沉积第一子磁性层和第二子磁性层；其中，与位元基体接触的第一磁性层(与所述隧道层最近的第一磁性层)中的第一子磁性层的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层的饱和磁化强度。
沉积与所述隧道层最近的第一磁性层中的第一子磁性层时，沉积气压在15mTorr到30mTorr范围内，沉积功率小于500W，沉积温度小于0℃，可以使其与隧道层的界面清晰，平整，均匀，没有混合。然后进行高温退火，使其内部的B扩散到远离隧道层的表面，随后被后续的过渡层吸收或扩散到远离隧道层的第二子磁性层(低Ms层)，降低隧道层界面的B含量。
与隧道层接触的第一磁性层中的第一子磁性层与隧道层直接接触，具有较大的饱和磁化强度Ms，可以有效提高铁磁层自旋转移矩的翻转速度，与所述隧道层最近的第一磁性层中的第二子磁性层的饱和磁化强度小于第一子磁性层，可以降低铁磁层的饱和磁化强度Ms，降低退磁场，提高自由层的磁各向异性场Hk。
与所述隧道层最近的第一磁性层中的第一子磁性层中的硼含量要尽量的少，甚至为0，不与氧化物传导层直接接触的其他第一子磁性层和第二子磁性层硼含量可以高一些，含量在10％～40％范围内，以提高隧道磁阻。除去与所述隧道层最近的第一磁性层，其他第一磁性层中硼含量在25％以下，以使氧化物传导层界面杂质硼含量较少。
进一步地，在除与所述隧道层最近的所述第一磁性层之外的所述第一磁性层中，所述第一子磁性层的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层的饱和磁化强度；在所述第二磁性层中，所述第二子磁性层的饱和磁化强度大于所述第一子磁性层的饱和磁化强度。
在除与所述隧道层最近的第一磁性层之外的第一磁性层和第二磁性层中，与所述氧化物传导层接触的所述第一子磁性层和所述第二子磁性层为铁磁性层或者CoFeB磁性层，其中，CoFeB磁性层中Fe的含量大于40％，以增加Fe-O结合；不与氧化物传导层接触的所述第一子磁性层和所述第二子磁性层中Fe含量较低，以降低饱和磁化强度Ms。
优选地，在沉积第一子磁性层之后，沉积第二子磁性层之前，还包括：
在第一子磁性层上沉积过渡层，以改善第一磁性层、第二磁性层的晶体结构。
本申请还提供一种磁存储器，所述磁存储器包括上述任一实施例所述的磁存储位元。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
以上对本申请所提供的磁存储位元及其制作方法、磁存储器进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

Claims (8)

1.一种磁存储位元，包括固定层、参考层、隧道层、自由层，其特征在于，所述自由层包括多个层叠的结构单元，所述结构单元包括在远离所述隧道层方向上依次层叠的铁磁层和氧化物传导层，所述铁磁层包括在远离所述隧道层方向上依次层叠的第一磁性层、间隔层、第二磁性层；所述间隔层的数量为多个；
所述第一磁性层和所述第二磁性层均包括在远离所述隧道层方向上层叠的第一子磁性层和第二子磁性层，所述自由层中与所述隧道层最近的所述第一磁性层中的第一子磁性层的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层的饱和磁化强度；
在除与所述隧道层最近的所述第一磁性层之外的所述第一磁性层中，所述第一子磁性层的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层的饱和磁化强度；在所述第二磁性层中，所述第二子磁性层的饱和磁化强度大于所述第一子磁性层的饱和磁化强度。
2.如权利要求1所述的磁存储位元，其特征在于，还包括：
位于所述第一子磁性层和所述第二子磁性层之间的过渡层。
3.如权利要求1所述的磁存储位元，其特征在于，与所述氧化物传导层接触的所述第一子磁性层和所述第二子磁性层为铁磁性层。
4.如权利要求3所述的磁存储位元，其特征在于，所述铁磁性层为CoFeB磁性层，所述CoFeB磁性层中Fe的含量大于40％。
5.如权利要求1至4任一项所述的磁存储位元，其特征在于，所述氧化物传导层中掺有导电杂质。
6.一种磁存储位元制作方法，其特征在于，包括：
步骤S1：获得位元基体，所述位元基体为(i)包括固定层、参考层、隧道层，或者(ii)包括隧道层；
步骤S2：在所述位元基体上按照远离所述隧道层方向依次沉积第一磁性层、间隔层、第二磁性层，形成铁磁层；所述间隔层的数量为多个；
步骤S3：在所述铁磁层上沉积氧化物传导层；
步骤S4：进入步骤S2-S3，直至所述铁磁层和所述氧化物传导层的层数达到预设阈值，形成自由层；
步骤S5：高温退火，得到磁存储位元；
相应的，当所述位元基体为所述(ii)包括隧道层时，在步骤S4和S5之间还包括：
在所述自由层上形成参考层和固定层；
沉积第一磁性层和沉积第二磁性层时包括：
依次沉积第一子磁性层和第二子磁性层；其中，与所述隧道层最近的第一磁性层中的第一子磁性层的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层的饱和磁化强度；
在除与所述隧道层最近的所述第一磁性层之外的所述第一磁性层中，所述第一子磁性层的饱和磁化强度大于所述第二子磁性层的饱和磁化强度；在所述第二磁性层中，所述第二子磁性层的饱和磁化强度大于所述第一子磁性层的饱和磁化强度。
7.如权利要求6所述的磁存储位元制作方法，其特征在于，在沉积第一磁性层之后，还包括：
对所述第一磁性层进行退火处理。
8.一种磁存储器，其特征在于，所述磁存储器包括如权利要求1至5任一项所述的磁存储位元。
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