CN114643651B - 一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置，该碳化硅晶片贴蜡方法包括：利用辅助贴蜡装置将碳化硅晶片置于陶瓷盘上，并对陶瓷盘进行加热；待陶瓷盘达到预设温度时，在碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置进行涂蜡；其中，待涂蜡表面为碳化硅晶片远离陶瓷盘的一面；利用辅助贴蜡装置将涂蜡的碳化硅晶片从陶瓷盘上取下并进行冷却，得到具有蜡层的碳化硅晶片；利用辅助贴蜡装置将具有蜡层的碳化硅晶片置于达到预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合；其中，蜡层朝向陶瓷盘。本发明采用辅助贴蜡装置手动对碳化硅晶片进行贴蜡，降低对工人贴蜡熟练度的要求，能够在手动贴蜡中消除气泡，实现手动贴蜡的高效以及提高贴片成品率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶片贴蜡技术领域，特别涉及一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置。
背景技术
目前在碳化硅晶片的上游贴蜡加工领域，传统的贴蜡装置需经过加热、上蜡、贴片、压片、下蜡等多个步骤，效率低。尽管市面上也已有效率较高的自动贴片设备，但该设备价格高昂，且在前期研发阶段或在下游厂商测试产品性能的阶段，由于贴片数量不大，工程师在进行实验时仍无法避免手动贴蜡。
现有传统晶片手动贴蜡的工艺，需事先将陶瓷盘加热至一定温度，确保粘接蜡能够融化，在陶瓷盘***需要贴蜡的位置完成蜡层的涂布，且该涂蜡面积大于晶片面积，然后将需要粘接的晶片置于液态蜡层之上，使晶片的表面最终全面覆盖蜡层，完成上蜡操作。蜡熔化后，利用贴蜡机气缸压力压实晶片时，鉴于蜡层的厚度和工人贴片熟练度的不同，晶片周围空气易造成上蜡气泡，如果压实晶片过程中无法及时排出空气就会在蜡层中间造成气泡残留。因此传统手动贴蜡方式不利于晶片贴蜡成品率，不仅降低了工作效率，还增加了企业成本。
发明内容
本发明提供了一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置，该碳化硅晶片贴蜡方法采用自然流延的方式进行贴蜡，降低对工人贴蜡熟练度的要求，能够在手动贴蜡中消除气泡，实现手动贴蜡的高效以及提高贴片成品率。
为了实现上述目的，第一方面，本发明提供了一种碳化硅晶片贴蜡方法，包括：
利用辅助贴蜡装置将碳化硅晶片置于陶瓷盘上，并对所述陶瓷盘进行加热；
待所述陶瓷盘达到预设温度时，在所述碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置进行涂蜡；其中，所述待涂蜡表面为所述碳化硅晶片远离所述陶瓷盘的一面；
利用辅助贴蜡装置将涂蜡的碳化硅晶片从所述陶瓷盘上取下并进行冷却，得到具有蜡层的碳化硅晶片；
利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合；其中，所述蜡层朝向所述陶瓷盘。
优选地，所述预设温度为80～140℃。
优选地，所述涂蜡采用固体粘接蜡。
优选地，所述利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合，包括：
将达到所述预设温度的陶瓷盘置于震动装置上，待所述蜡层融化后，以通过所述震动装置将所述蜡层铺展至整个碳化硅晶片，实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合。
优选地，所述辅助贴蜡装置上设有通孔，且所述通孔与所述碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置相对应。
优选地，所述利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合，还包括：
利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，待所述蜡层融化后，沿所述通孔的缺口方向抽离所述辅助贴蜡装置，以使所述蜡层铺展至整个碳化硅晶片，实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合；其中，所述蜡层位于所述通孔内。
第二方面，本发明提供了用于上述第一方面所述的碳化硅晶片贴蜡方法的辅助贴蜡装置，该辅助贴蜡装置包括：手柄、托盘和限位部件；
所述手柄与所述托盘固定连接，所述托盘的边缘位置设有所述限位部件；
所述托盘用于承载碳化硅晶片，以将所述碳化硅晶片置于陶瓷盘上或从所述陶瓷盘上取下；
所述托盘上设置有通孔；且所述通孔与所述碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置相对应；
所述限位部件用于对所述碳化硅晶片进行限位。
优选地，所述托盘的上表面为斜面结构。
优选地，所述通孔为U型。
优选地，所述托盘的直径与所述碳化硅晶片的直径相同。
优选地，所述托盘为导热的金属材料制成，优选为铁、铝、铜中的至少一种。
优选地，所述托盘的一侧还设有直边缺口，所述直边缺口与所述碳化硅晶片的定位边相匹配；
其中，在所述直边缺口与所述定位边重合时，用于通过所述直边缺口区分所述碳化硅晶片的碳面和硅面。
更优选地，所述直边缺口的长度与所述碳化硅晶片的定位边的长度相同。
本发明与现有技术相比至少具有如下有益效果：
在本发明中，采用局部涂蜡方式，仅在碳化硅晶片的中心位置涂蜡，然后将冷却后的涂蜡碳化硅晶片以涂蜡的表面朝向陶瓷盘，并置于陶瓷盘上，借助固体粘接蜡受热自然流延方式，使蜡由中心位置凭借重力作用逐步铺展至边缘，同时挤出晶片下方的空气，实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合，有效避免蜡层中气泡驻留的问题，在手动贴蜡中消除气泡，大大降低了对工人手工贴蜡的经验要求，实现手动贴蜡的高效，并提高了手动贴蜡的成品率。并且，本发明采用辅助贴蜡装置进行碳化硅晶片贴蜡，避免人工手动贴蜡时陶瓷盘的高温造成人员烫伤的风险，同时利用该装置使得该操作更加简单方便，从而进一步提高了手动贴片的效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种碳化硅晶片贴蜡方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种碳化硅晶片贴蜡的示意图；
图3是本发明实施例提供的一种辅助贴蜡装置的俯视图；
图4是本发明实施例提供的一种辅助贴蜡装置的主视图；
图中：201：碳化硅晶片；202：蜡层；203：陶瓷盘；204：震动装置；301：手柄；302：托盘；303：限位部件；3021：通孔；3022：直边缺口。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例以及附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种碳化硅晶片贴蜡方法，如图1所示，该碳化硅晶片贴蜡方法包括：
步骤100：利用辅助贴蜡装置将碳化硅晶片置于陶瓷盘上，并对陶瓷盘进行加热；
步骤102：待陶瓷盘达到预设温度时，在碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置进行涂蜡；其中，待涂蜡表面为碳化硅晶片远离陶瓷盘的一面；
步骤104：利用辅助贴蜡装置将涂蜡的碳化硅晶片从陶瓷盘上取下并进行冷却，得到具有蜡层的碳化硅晶片；
步骤106：利用辅助贴蜡装置将具有蜡层的碳化硅晶片置于达到预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合；其中，蜡层朝向陶瓷盘。
需要说明的是，涂蜡面积小于碳化硅晶片的面积。
在本发明的步骤100中，借助辅助贴蜡装置能更快的实现由陶瓷盘到碳化硅晶片的传热。
在本发明中，在步骤104中，所述冷却为将涂蜡的碳化硅晶片置于室温条件(25℃)下冷却30～60s，以使蜡层重新固化，并在中心位置形成凸起的蜡层，方便在步骤106中进行翻面操作，即使蜡的碳化硅晶片的涂蜡表面朝向陶瓷盘(即蜡层朝向陶瓷盘)。需要说明的是，具体冷却时间视实际情况而定。
在本发明中，在步骤106中，将步骤104得到的具有凸起蜡层的涂蜡的碳化硅晶片翻面，使有蜡层的一面朝下，利用辅助贴蜡装置将该涂蜡的碳化硅晶片重新放回达到预设温度的陶瓷盘上，然后取下该辅助贴蜡转装置，借助蜡层会在加热状态下重新融化并受重力影响下垂直，直至蜡层全部铺展于陶瓷盘上自然接触并粘合，同时蜡层会在碳化硅晶片的重力作用下自然流延铺展并挤出晶片下方的空气，以至最终填充整个碳化硅晶片的下层空间，同时蜡层的铺展过程也使得蜡层的厚度同步摊薄。
需要说明的是，在步骤106完成碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合后，采用现有技术常规的晶片压片和冷却工序完成贴片的最终贴蜡工艺。
在本发明中，采用局部涂蜡方式，仅在碳化硅晶片的中心位置涂蜡，然后将冷却后的涂蜡碳化硅晶片以涂蜡的表面朝向陶瓷盘，并置于陶瓷盘上，借助固体粘接蜡受热自然流延方式，使蜡由中心位置凭借重力作用逐步铺展至边缘，同时挤出晶片下方的空气，实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合，有效避免蜡层中气泡驻留的问题，大大降低了对工人手工贴蜡的经验要求，实现手动贴蜡的高效，并提高了手动贴蜡的成品率。同时，由于采用局部涂蜡方式，与传统对整个晶面进行手动涂蜡相比，大幅减少了蜡的用量。并且，本发明采用辅助贴蜡装置进行碳化硅晶片贴蜡，避免人工手动贴蜡时陶瓷盘的高温造成人员烫伤的风险，同时利用该装置使得该操作更加简单方便，从而进一步提高了手动贴片的效率。
根据一些优选的实施方式，在步骤102中，预设温度为80～140℃(例如，可以为80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、115℃、120℃、125℃、130℃、135℃或140℃)。
根据一些优选的实施方式，在步骤102中，涂蜡采用固体粘接蜡。
需要说明的是，所述固体粘接蜡包括但不限于采用一般型、耐温性、高粘力型、醇溶型等种类的任一种。并且，涂蜡的范围不宜过大且位于碳化硅晶片的中心位置，一般选用直径约1～4cm的圆柱形固体粘接蜡即可，涂蜡厚度视碳化硅晶片的尺寸而定，但应确保待蜡层铺展后能完全覆盖待涂蜡的碳化硅晶片表面。因此，手动涂蜡时仅需保证涂蜡用量大于实际所需贴蜡用量即可，多出的蜡后期可以进行去除，同时在中心位置涂蜡有利于蜡更均匀地流延至碳化硅晶片的边缘。
在本发明中，将陶瓷盘加热到预设温度，是为了使所采用的固体粘接蜡融化，并能够在该预热温度下保持液体状态。
根据一些优选的实施方式，步骤106还包括：
将达到预设温度的陶瓷盘置于震动装置上，待蜡层融化后，以通过震动装置将蜡层铺展至整个碳化硅晶片，实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合。
具体地，如图2所示的碳化硅晶片贴蜡的示意图，陶瓷盘置于震动装置上，待蜡层融化后，以通过震动装置以及借助碳化硅晶片的重力将蜡层铺展至整个碳化硅晶片，实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合。如此，借助震动装置能进一步加速液态蜡的流延和均匀分布，提高碳化硅晶片下蜡层的厚度均一性。需要说明的是，根据碳化硅晶片的规格，震动设备的震动时间可以设为20～40s。
根据一些优选的实施方式，辅助贴蜡装置上设有通孔，且通孔与碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置相对应。
需要说明的是，通孔与碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置相对应，是指该中心位置与通孔相重合，且该中心位置落在通孔的范围内，以便后续采用自动流延的方式进行粘合。
根据一些优选的实施方式，步骤106还包括：
利用辅助贴蜡装置将具有蜡层的碳化硅晶片置于达到预设温度的陶瓷盘上，待蜡层融化后，沿通孔的缺口方向抽离辅助贴蜡装置，以使蜡层铺展至整个碳化硅晶片，实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合；其中，蜡层位于通孔内。
在本发明的步骤106中，将步骤104得到的具有凸起蜡层的涂蜡的碳化硅晶片翻面，使有蜡层的一面朝下，利用辅助贴蜡装置将该涂蜡的碳化硅晶片重新放回达到预设温度的陶瓷盘上，并使该凸起的蜡层落入辅助贴蜡装置的通孔中，待蜡层受热重新融化并受重力影响下垂直，直至蜡层填充该通孔后，沿通孔的缺口方向缓慢抽离辅助贴蜡装置，使蜡层会在碳化硅晶片的重力作用下自然流延铺展并挤出晶片下方的空气，以至最终填充整个碳化硅晶片的下层空间，同时蜡层的铺展过程也使得蜡层的厚度同步摊薄。
本发明还提供了一种基于上述碳化硅晶片贴蜡方法的辅助贴蜡装置，如图3所示，该辅助贴蜡装置包括：手柄301、托盘302和限位部件303；
手柄301与托盘302固定连接，托盘301的边缘位置设有限位部件303；
托盘301用于承载碳化硅晶片，以将碳化硅晶片置于陶瓷盘上或从陶瓷盘上取下；
托盘302上设置有通孔3021；且通孔3021与碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置相对应；
限位部件303用于对碳化硅晶片进行限位。
需要说明的是，本发明的附图仅仅为说明目的提供，图中各部件的比例不一定与实际产品一致。所述手柄上还可以设置有隔热部件。
在本发明中，辅助贴蜡装置旨在方便加热碳化硅晶片的取放操作，提高操作效率和工作的安全性，避免操作人员的烫伤。此外，限位部件则是限制碳化硅晶片的过度***，避免手动操作时因幅度过大导致晶片意外跌落的风险。
需要说明的是，限位部件为至少两个，且至少两个限位部件的设置在不影响碳化硅晶片沿通孔的缺口方向抽离的位置上。优选地，所述限位部件位于所述手柄两端的任一1/4圆弧(该圆弧为以托盘的直径计算得到的周长)内。
根据一些优选的实施方式，如图4所示，托盘302的上表面为斜面结构。
在本发明中，将托盘的上表面设为微斜面结构，下表面设为平面，不仅能保证该辅助贴蜡装置、陶瓷盘和碳化硅晶片能更好地贴合，加快传热，还方便蜡层重新融化后受自身重力影响利于形成单凸起蜡层，而不用手动保持微抬姿势，并最终完成与陶瓷盘的自然粘结，消除蜡层与陶瓷盘多点接触可能形成气泡的隐患；同时该斜面结构也有利于取放碳化硅晶片。
根据一些优选的实施方式，如图3所示，通孔3021为U型。
在本发明中，托盘的U型通孔有利于蜡层重新融化后受自身重力影响与陶瓷盘的自然粘结，并方便托盘的后续抽离操作，提高贴蜡操作效率。
根据一些优选的实施方式，托盘的直径与碳化硅晶片的直径相同。
根据一些更优选的实施方式，如图3所示，通孔3021为U型，托盘的直径与碳化硅晶片的直径相同时，所述U型的弧面所在圆心与所述碳化硅晶片的圆心重合，如此有利于涂蜡时直接通过该U型通孔直接确定碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置，从而进一步确保中心位置的蜡能更均匀地流延至整个碳化硅晶片。
根据一些优选的实施方式，托盘302为导热的金属材料制成，优选为铁、铝、铜中的至少一种。
需要说明的是，至少一种即为任意一种或任意几种以任意比例混合的混合物。其中，铁、铝、铜的任意几种以比例混合的混合物为合金。由导热的金属材料制成的托盘能更快地实现由陶瓷盘到碳化硅晶片的传热。
根据一些优选的实施方式，如图3所示，托盘302的一侧还设有直边缺口3022，直边缺口3022与碳化硅晶片的定位边相匹配；其中，在直边缺口3022与定位边重合时，用于通过直边缺口区分碳化硅晶片的碳面和硅面。
在本发明中，托盘的直边缺口旨在涂蜡操作时方便确定碳化硅晶片的上层表面是碳面还是硅面。当碳化硅晶片本身的定位边和托盘的直边缺口重合时，此时碳化硅晶片的上表面为硅面，反之则为碳面，该设计简化了操作人员对碳化硅晶体表面性质的判断步骤，可有效避免工作人员由于判断失误导致的误粘现象，从而进一步提高了贴蜡操作效率和工作的准确性。
根据一些更优选的实施方式，直边缺口3022的长度与碳化硅晶片的定位边的长度相同。
需要说明的是，当托盘的直径与碳化硅晶片的直径相同时，直边缺口的长度与碳化硅晶片的定位边的长度相同。
为了更加清楚地说明本发明的技术方案及优点，下面结合实施例对本发明作进一步说明。
以下实施例中，采用的辅助贴蜡装置均如图3和图4所示。
实施例1
一种尺寸为4英寸的碳化硅晶片手动贴蜡的方法，该方法包括：
步骤(1)：将4英寸碳化硅晶片的待涂蜡表面朝上置于辅助贴蜡装置上，然后利用该辅助贴蜡装置的托盘(采用铁制成)将碳化硅晶片放置于陶瓷盘上加热，陶瓷盘预设温度为100℃；
步骤(2)：待陶瓷盘预设温度达到100℃时，碳化硅晶片完成预热，利用醇溶型固体粘接蜡在该碳化硅晶片的上表面的中心位置进行涂蜡，涂蜡区域为直径3cm的圆形；
步骤(3)：利用辅助贴蜡装置将步骤(2)涂蜡的碳化硅晶片从陶瓷盘移出，并于室温下(25℃)使蜡层重新冷却至凝固；
步骤(4)：将冷却的具有凸起蜡层的碳化硅晶片手动翻面，使有蜡层的一面朝下，朝向陶瓷盘，然后利用辅助贴蜡装置将该碳化硅晶片重新放回达到预设温度的陶瓷盘上；其中，该凸起蜡层位于托盘的通孔内；
步骤(5)：在加热状态下，碳化硅晶片上的凸起蜡层重新融化并受重力影响下垂并在U型通孔内形成单突起的蜡层，直至与陶瓷盘接触并粘合；然后沿U型通孔的缺口方向抽离辅助贴蜡装置，融化的蜡层则在碳化硅晶片的重力作用下，自然流延铺展挤出晶片下方的空气最终填充整个晶片的下层空间，同时蜡层的铺展过程使得蜡层的厚度同步摊薄；与此同时，位于震动台上的陶瓷盘通过振动台施加的震动也增加了蜡层的流动性，并在蜡层铺展完成后持续震动20s，以使得蜡层内部实现空间均匀再分布；
步骤(6)：采用常规的压片和冷却工序完成对该碳化硅晶片的贴蜡工艺。
实施例2
实施例2与实施例1基本相同，不同之处在于：
采用尺寸为6英寸的碳化硅晶片；其中辅助贴蜡装置的托盘采用铝制成；
陶瓷盘的预设温度为120℃；步骤(2)中采用耐温型固体粘接蜡，涂蜡区域为直径4cm的圆形；步骤(5)中在蜡层铺展完成后震动台的持续震动时间为40s。
实施例3
实施例3与实施例1基本相同，不同之处在于：
采用尺寸为2英寸的碳化硅晶片；其中辅助贴蜡装置的托盘采用铜铁合金制成；
陶瓷盘的预设温度为110℃；步骤(2)中采用高粘力型固体粘接蜡，涂蜡区域为直径1cm的圆形。
对比例1
一种传统手动贴蜡的方法，该方法包括：
步骤(1)：将陶瓷盘加热，并预热到120℃；
步骤(2)：待陶瓷盘达到120℃时，在陶瓷盘上待贴蜡的区域进行涂蜡，其中，涂蜡区域的面积大于碳化硅晶片的面积；
步骤(3)：用刮片去除多余的蜡，并使蜡层涂布均匀，然后手动将6英寸的碳化硅晶片置于该涂布均匀的蜡层上，使碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合；
步骤(4)：采用常规的压片和冷却工序完成对该碳化硅晶片的贴蜡工艺。
采用实施例1至3的碳化硅晶片手动贴蜡方法完成的贴蜡工艺，碳化硅晶片与陶瓷盘之间的空间由粘接蜡层完全填充，且无气泡驻留，同时蜡层的厚度均一性高。而在对比例1中，由于碳化硅晶片属于薄层材料，在手动放置晶片时，受制于手拿捏位置的不同、晶片自身的轻微形变以及蜡层厚度在不同位置的不均匀性，在接触蜡层时，无法保证晶片与蜡层间的空气能够被及时挤出，当蜡层和晶片接触并相互连通时，导致少量气体被蜡层密封并驻留在晶片下方形成气泡，故而传统的手动贴蜡方法对于操作人员有一定的经验要求，且成品率较低。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。本发明未详细说明部分为本领域技术人员公知技术。
Claims (10)
1.一种碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，包括：
利用辅助贴蜡装置将碳化硅晶片置于陶瓷盘上，并对所述陶瓷盘进行加热；
待所述陶瓷盘达到预设温度时，在所述碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置进行涂蜡；其中，所述待涂蜡表面为所述碳化硅晶片远离所述陶瓷盘的一面；
利用辅助贴蜡装置将涂蜡的碳化硅晶片从所述陶瓷盘上取下并进行冷却，得到具有蜡层的碳化硅晶片；所述辅助贴蜡装置上设有通孔，且所述通孔与所述碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置相对应；
利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合；其中，所述蜡层朝向所述陶瓷盘；利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，待所述蜡层融化后，沿所述通孔的缺口方向抽离所述辅助贴蜡装置，以使所述蜡层铺展至整个碳化硅晶片，实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合；其中，所述蜡层位于所述通孔内。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，
所述预设温度为80～140℃。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，
所述涂蜡采用固体粘接蜡。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，所述利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合，包括：
将达到所述预设温度的陶瓷盘置于震动装置上，待所述蜡层融化后，以通过所述震动装置将所述蜡层铺展至整个碳化硅晶片，实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合。
5.一种基于权利要求1-4任一所述的碳化硅晶片贴蜡方法的辅助贴蜡装置，其特征在于，所述辅助贴蜡装置包括：手柄、托盘和限位部件；
所述手柄与所述托盘固定连接，所述托盘的边缘位置设有所述限位部件；
所述托盘用于承载碳化硅晶片，以将所述碳化硅晶片置于陶瓷盘上或从所述陶瓷盘上取下；
所述托盘上设置有通孔；且所述通孔与所述碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置相对应；
所述限位部件用于对所述碳化硅晶片进行限位。
6.根据权利要求5所述的辅助贴蜡装置，其特征在于，
所述托盘的上表面为斜面结构；和/或
所述通孔为U型。
7.根据权利要求5所述的辅助贴蜡装置，其特征在于，
所述托盘的直径与所述碳化硅晶片的直径相同；和/或
所述托盘为导热的金属材料制成。
8.根据权利要求7所述的辅助贴蜡装置，其特征在于，
所述金属材料为铁、铝、铜中的至少一种。
9.根据权利要求5至8中任一所述的辅助贴蜡装置，其特征在于，
所述托盘的一侧还设有直边缺口，所述直边缺口与所述碳化硅晶片的定位边相匹配；
其中，在所述直边缺口与所述定位边重合时，用于通过所述直边缺口区分所述碳化硅晶片的碳面和硅面。
10.根据权利要求9所述的辅助贴蜡装置，其特征在于，
所述直边缺口的长度与所述碳化硅晶片的定位边的长度相同。
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