CN114641728A - 基于无掩模的平板印刷方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- YEJSPQZHMWGIGP-UHFFFAOYSA-N dl-glutamic acid dimethyl ester Natural products COC(=O)CCC(N)C(=O)OC YEJSPQZHMWGIGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- SEWIYICDCVPBEW-UHFFFAOYSA-N methyl glutamate Chemical compound COC(=O)C(N)CCC(O)=O SEWIYICDCVPBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0037—Production of three-dimensional images
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本文的多个实施方式涉及使用基于无掩模平板印刷术来形成层的方法。在这些实施方式中，该方法实现了剂量变化的阶梯，将几何形状划分为覆盖部分。覆盖部分可包括各部分的不同剂量以实现控制渐缩部。渐缩部可以通过将几何“掩模数据”操作成由像素融合(PB)曝光技术控制的不同剂量的覆盖部分来实现。为了执行本文所述的方法，使用了无掩模平板印刷工具。无掩模平板印刷工具包括执行基于软件的“掩模数据”操作的控制器。由于该方法是无掩模地由软件执行而无须额外的掩模成本和制造时间，因此有更大的弹性来调整多色调/灰色调掩模特征结构的渐缩部角度和/或光刻胶厚度残留，相对使用掩模的传统平板印刷方法更具优势。
Description
背景
领域
本文描述的多个实施方式一般涉及基于无掩模的平板印刷方法，特别是，涉及使用基于无掩模平板印刷术来形成层的方法。
相关技术描述
光刻术(photolithography)被广泛用于制造半导体装置和显示装置，例如液晶显示器(LCD)。在LCD的制造中经常利用大面积基板。LCD或平板(flat panel)通常用于主动式矩阵显示器，如计算机、触控面板装置、个人数字助理(PDA)、手机、电视显示器和类似装置。一般来说，平板可能包括一层液晶材料，该一层液晶材料形成夹在两块板之间的像素。当来自电源供应器的能量被施加到整个液晶材料上时，可在像素的位置控制通过液晶材料的光量，从而生成图像。
一般采用微平板印刷术(microlithography)来制造合并(incorporate)为形成像素的液晶材料层的一部分的电特征结构。根据该技术，光敏光刻胶(light-sensitivephotoresist)通常被施加(apply)到基板(substrate)的至少一个表面。然后，图案产生器(pattern generator)将选定的光敏光刻胶区域作为图案的一部分用光曝光，以使选定的区域中的光刻胶发生化学变化，从而准备用于随后的材料去除和/或材料添加工艺的选定区域来制造电特征结构。
渐缩部控制(taper control)是本领域公知的一种技术，用于控制光刻胶侧壁的角度。通过这种技术，可以提供一个平滑(smooth)的渐缩部轮廓，以实现薄膜工艺的良好阶梯覆盖(step-coverage)以及改变基板结构的角度，以提高有机发光二极管(OLED)的取出效率(out-coupling efficiency)。为了获得渐缩部的可控性以制造光刻胶的中间厚度图案(intermediate thickness pattern)，已提出有各种方法，如基于掩模的平板印刷***。然而，基于掩模的平板印刷***可能会出现问题。例如，为了微调渐缩部角(taper angle)，往往要移除与操作掩模，以准备更复杂的多色调(multitone)，这是耗时且高成本的。由于难以调整掩模的透明度(多色调/灰色调(gray-tone)掩模的概念)或调整掩模的精细光栅/狭缝(fine grating/slit)(多色调/灰色调掩模的概念)以获得往往曝光在光刻胶上的适当能量，因此很难获得期望的渐缩部。基于掩模的方法也不可能在一个印刷(printing)步骤中一起实现“多色调工艺和渐缩部控制”。这种方法往往会增加掩模的复杂性和掩模成本。更复杂的多色调/灰色调掩模会降低掩模生产的产量，从而紧缩(tighten)平板印刷工艺的工艺窗口(process window)。此外，由于平板印刷工艺的工艺偏差(processvariation)也会影响到渐缩部效果和临界尺寸的变化，因此掩模工艺需要进行大量的实验来重制掩模，而由于掩模制作的前置时间(lead time)，这就延长了整个工艺验证。
因此，在本领域中，存在使用基于无掩模平板印刷术的方法来控制光刻胶的侧壁角度的需求。
发明内容
本文描述的一个或多个实施方式一般涉及使用基于无掩模平板印刷术来形成层的方法。
在一个实施方式中，一种使用基于无掩模平板印刷术来形成光刻胶层的方法，包括以下步骤：获得光刻胶层的临界尺寸；输入基于获得的临界尺寸确定的层厚度(layerthickness)和渐缩部控制角(taper control angle)；使用层厚度和渐缩部控制角计算光刻胶层的几何距离(geometric distance)；将几何距离划分为多个部分(plurality ofsections)；确定多个部分中每个部分的宽度；和确定多个部分中每个部分的剂量大小。
在另一个实施方式中，一种使用基于无掩模平板印刷术在基板上形成光刻胶层的方法，包括以下步骤：获得第一光刻胶层的第一临界尺寸；输入基于获得的第一临界尺寸确定的第一层厚度和第一渐缩部控制角；利用第一层厚度和第一渐缩部控制角计算第一光刻胶层的第一几何距离；将第一几何距离划分为第一多个部分；确定第一多个部分中每个部分的第一宽度；确定第一多个部分中每个部分的第一剂量大小；和在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层。
在另一个实施方式中，一种使用基于无掩模平板印刷术来形成具有超过传统的多色调/灰色调掩模特征结构的不同光刻胶残留厚度的光刻胶层的方法，包括以下步骤：获取光刻胶层的临界尺寸；输入基于获得的临界尺寸确定的层厚度和渐缩部控制角；利用层厚度和渐缩部控制角计算光刻胶层的几何距离；将几何距离划分为多个部分；确定多个部分中每个部分的宽度；通过目标(target)光刻胶残留厚度确定多个部分的大小；和确定多个部分中每个部分的剂量大小。
附图说明
为了能够详细理解本公开内容所述的上述特征结构的方法，可以通过参考多个实施方式来得到上述简述的本公开内容的更具体的描述，多个实施方式的一些实施方式在附图中示出。然而，需要指出的是，附图仅说明了本公开的多个典型实施方式，因此不应被认为是对本公开内容范围的限制，因为本公开内容可以承认其他多个等效的实施方式。
图1是根据本文所述的至少一个实施方式的***的立体图。
图2是根据本文所述的至少一个实施方式的多个图像投影***的示意图。
图3是根据本文所述的至少一个实施方式的计算***。
图4是根据本文所述的至少一个实施方式的方法的流程图。
图5A和图5B是根据本文所述的至少一个实施方式的在基板上形成的层的示意图。
图6A和图6B分别是根据本文所述的至少一个实施方式的使用反色调印刷(reverse tone printing)形成的多个部分的俯视图和截面图。
图7A和图7B分别是根据本文所述的至少一个实施方式的使用正色调印刷(positive tone printing)形成的多个部分的俯视图和截面图。
图8是根据本文所述至少一个实施方式的多个部分与累积剂量大小关系的示意图。
为了便于理解，在可能的情况下，已经使用相同的附图标记来指示附图中共同的相同元素。考虑到一个实施方式的元素和特征结构可有利地并入多个其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
在下面的描述中，列出了许多具体细节以提供对本公开内容的多个实施方式的更彻底的理解。然而，对于本领域的技术人员来说，明显地，本公开内容的一个或多个实施方式可以在没有一个或多个这些具体细节的情况下实施。在其他情况下，为了避免混淆本公开内容的一个或多个实施方式，没有描述众所周知的特征结构。
本文描述的多个实施方式一般涉及使用基于无掩模平板印刷术来形成层的方法。在这些实施方式中，该方法实现了剂量变化的阶梯(ladders of does change)。通过将多个剂量变化覆盖(overlay)到具有特定图案设计的指定区域，可以实现具有微调渐缩部角能力的渐缩部轮廓(taper profile)。当实现剂量变化的阶梯时，几何形状可以被划分为覆盖部分(overlaying section)。这些覆盖部分可以包括每个部分的不同剂量，从而可以实现所需的渐缩部控制。
由于像素混合(pixel blending,PB)的本质和多个曝光等级被划分以制造这样的渐缩部，渐缩部可被良好的控制。渐缩部可以通过将几何“掩模数据”操控成受到各种剂量曝光的覆盖部分来实现，剂量由PB曝光技术所控制。每个不同部分的累积能量大小穿透(penetrate through)光刻胶的深度大小，这形成光刻胶的从底部到顶部的更平滑的渐缩部过渡。在本文所述的多个实施方式中，该方法可应用于一维(1D)线隙(line space)设计图案和二维(2D)线隙设计图案。为了执行本文所述的方法，使用了无掩模平板印刷工具。无掩模平板印刷工具包括控制器，执行基于软件的“掩模数据”操控。因此，无需任何额外的步骤即可实现多层渐缩部控制。此外，由于这些方法是无掩模地由软件执行，因此在调整渐缩部角方面有更大的弹性，而不需要任何额外的掩模成本和制造时间，与使用掩模的传统平板印刷方法相比具有优势。
图1是根据本文所述的至少一个实施方式的***100的立体图。***100包括基座102、板件104、两个或更多个平台106和处理设备108。在某些实施方式中，可以使用一个平台106。基座102可以放置在制造设施的底面(floor)上并支撑板件104。被动式空气隔振体110定位在基座102与板件104之间。板件104可以是一块整体的花岗岩，并且两个或更多个平台106设置在板件104上。基板112由两个或更多个平台106中的每个平台106支撑。在平台106中形成多个孔(hole)(未示出)，用于允许多个升降杆(未示出)延伸通过平台106。升降杆可以上升到延伸位置以接受(receive)基板112，例如从传送机器人(transfer robot)(未示出)。传送机器人将基板112定位在升降杆上，而升降杆轻轻地将基板112降低到平台106上。
基板112可以由例如石英制成，并用作平板显示器的一部分。在多个其他实施方式中，基板112可以由其他材料制成。在一些实施方式中，在基板112上可能形成有光刻胶层。光刻胶对辐射敏感，并可以是正性光刻胶(positive photoresist)或负性光刻胶(negative photoresist)，这意味着曝光于辐射的光刻胶部分分别可溶于或不溶于在图案写入光刻胶后施加于光刻胶的光刻胶显影剂(photoresist developer)。光刻胶的化学成分确定了光刻胶是正性光刻胶还是负性光刻胶。示范性的光刻胶的化学成分可以包括重氮萘醌(diazonaphthoquinone)、酚甲醛树脂(phenol formaldehyde resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate))、聚甲基戊二酰亚胺(poly(methyl glutarimide))和SU-8中的至少一种。以这种方式，可以在基板112的表面上制造图案以形成电子电路。
***100包括一对支撑件114和一对轨道116。一对支撑件114位于板件104上，板件104和一对支撑件114可以是单块(single piece)材料。一对轨道116由一对支撑件114支撑，并且两个或更多个平台106可以沿着轨道116在X方向上移动。在一个实施方式中，一对轨道116是一对平行的磁道(magnetic channel)。如图所示，一对轨道116的每个轨道116是线性的。在多个其它实施方式中，轨道116可以具有非线性形状。编码器118耦接到每个平台106，以便向控制器302提供位置信息(参见图3)。
在这些实施方式中，处理设备108包括支撑件120和处理单元122。支撑件120设置在板件104上，并且包括提供两个或更多个平台106从处理单元122下方通过的开口124。处理单元122可以由支撑件120支撑。在一些实施方式中，处理单元122是图案产生器，构造为在平板印刷工艺中曝光光刻胶。图案产生器构造为执行无掩模平板印刷工艺。处理单元122可包括多个设置在壳体(case)126中的图像投影***(如图2所示)。处理设备108可被利用来执行无掩模直接图案化(maskless direct patterning)。在操作过程中，如图1所示，两个或更多个平台106中的一个平台106在X方向上从装载位置移动到处理位置。处理位置可以指的是当平台106从处理单元122下方通过时，平台106的一个或多个位置。在操作过程中，两个或更多个平台106被多个空气轴承132抬升，并沿着一对轨道116从装载位置移动到处理位置。两个或更多个平台106中的每一个平台106还可以通过沿轨道130移动而在Y方向上移动，以便对基板106进行处理和/或转化(index)。
图2是根据本文所述的至少一个实施方式的多个图像投影***200的立体示意图。在这些实施方式中，每个图像投影***200产生多道光束202到基板112的表面204上。当基板112在X方向和Y方向移动时，整个表面204被光束202图案化。图像投影***200的数量可根据基板112的尺寸和/或平台106的速率而变化(图1)。
在这些实施方式中，每一个图像投影***200包括光源206、光圈208、透镜210、镜212、数字微镜装置(Digital Mirror Device,DMD)214、光线收集器(light dump)216、相机218和投影透镜220。光源206可以是发光二极管(LED)或激光，并且光源206可以能够产生具有预定波长的光。在一些实施方式中，预定波长在蓝色或近紫外线(UV)范围内，例如小于约450nm。镜212可以是球面镜。投影透镜220可以是10倍物镜。DMD 214可以包括多个镜，镜的数量可以对应于投影图像的分辨率。
在操作期间，由光源206产生具有预定波长的光束222，例如蓝色范围内的波长。光束222被镜212反射到DMD 214。DMD 214包括多个可单独控制的镜，DMD 214的多个镜中的每个镜基于通过控制器302提供给DMD 214的掩模资料，可以处于“开”的位置或“关”的位置，将在下面图3中进一步描述。当光束222到达DMD 214的镜时，处于“开”位置的镜将光束222(即，形成多个光束202)反射到投影透镜220。然后，投影透镜220将光束202投影到基板112的表面204。处于“关”位置的镜将光束222反射到光线收集器216而不是基板112的表面204。
图3示出了根据本文描述的至少一个实施方式的计算***300。如图所示，计算***300包括多个服务器308、焦点设定应用服务器310和多个控制器302(为了清楚起见，仅示出多个控制器302中两个控制器302)，每个控制器302皆连接到通信网络306(例如，互联网)。服务器308可以通过本地连接(例如，存储区域网(Storage Area Network,SAN)或网络附接存储(Network Attached Storage,NAS))或通过互联网与数据库312通信。服务器308构造为直接访问包括在数据库312中的数据，或与数据库管理器(database manager)连接，数据库管理器构造为管理在数据库312中的数据。
每个控制器302可包含计算装置的常规组件，例如，处理器、***内存、硬盘驱动器、电池、输入装置如鼠标和键盘，和/或输出装置如显示器或图形用户界面，和/或组合输入/输出装置如触控屏幕，触控屏幕不仅接收输入而且显示输出。每个服务器308和焦点设定应用服务器310可以包括处理器和***内存(未示出)，并且可以构造为使用例如关系数据库软件和/或文件***来管理储存在数据库312中的内容。服务器308可以被程序设定为使用诸如TCP/IP协议的网络协议与另一个服务器308、控制器302和焦点设定应用服务器310通信。焦点设定应用服务器310可以通过通信网络306与控制器302直接通信。控制器302被程序设定为执行如程序和/或其他软件应用的软件304，并访问由服务器308管理的应用程序。
在本文所述的多个实施方式中，用户可分别操作可经由通信网络306连接到服务器308的控制器302。页面、图像、数据、文件和类似信息可以经由控制器302显示给用户。信息和图像可以通过显示装置和/或与控制器302通信的图形用户界面来显示。
需要注意的是，控制器302可以是个人计算机、便携式移动计算装置、智能型手机、视频游戏主机(video game console)、家庭数字媒体播放器、连接网络的电视、机顶盒，和/或具有适合与通信网络306和/或所需应用程序或软件通信的组件的其他计算装置。控制器302构造为操作下面的方法400，并且还可以执行其他软件应用程序。
图4是根据本文所述的至少一个实施方式的方法400的流程图。在这些实施方式中，方法400用上述图1至图3中描述的***和装置来执行，但不限于这些***和装置，还可以用其它类似的***和装置来执行。方法400使用基于无掩模平板印刷术来形成光刻胶层。图5A和图5B是根据本文所述的至少一个实施方式在基板上形成的层的示意图。图6A和图6B分别是根据本文所述的至少一个实施方式，使用反色调印刷形成的多个部分的俯视图和剖视图。图7A和图7B分别是根据本文所述的至少一个实施方式，使用正色调印刷形成的多个部分的俯视图和剖视图。图8是根据本文描述的至少一个实施方式的多个部分与累积剂量大小关系的示意图。图5A至图8有助于解释方法400。
在框402中，可使用临界尺寸扫描电子显微镜(Critical Dimension ScanningElectron Microscope,CD-SEM)获得临界尺寸。在多个其他实施方式中，可以使用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、反射仪薄膜计(Reflectometer Thin FilmGauge)、椭圆仪薄膜计(Ellipsometer Thin Film Gauge)、原子力显微镜(Atomic ForceMicroscope,AFM)、聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)、白光干涉仪(White LightInterferometry,WLI)、接触/非接触型粗糙度测量仪(Contact/Non-Contact TypeRoughness Gauge)或其他类似装置获得临界尺寸。获得的临界尺寸可以是图5A所示的临界尺寸501。在框404中，层厚度(例如第一层厚度502)和渐缩部控制角(例如图5A中所示的角度A和角度B)被输入至控制器302。第一层厚度502由例如临界尺寸501处的厚度确定。角度A和角度B是光刻胶的第二层510的表面与临界尺寸501的顶部之间的角度。在框406中，通过使用第一层厚度502和角度A和角度B来计算几何距离，例如图5A中所示的几何距离504和几何距离505。更具体地说，几何距离504和几何距离505是通过将第一层厚度502除以角度A和角度B的正切值来计算而得的。例如，计算可以用下面的公式来表示：
Z＝X/tan(Y)
Z是几何距离504或几何距离505，X是第一层厚度502，并且Y是角度A或角度B。在一些实施方式中，第一层厚度502是4.5微米，但也可以是其他厚度。
在框408中，将光刻胶层604和光刻胶层704的几何距离划分为多个部分602或部分702(图6A和图7A)。例如，如图6A和图7A所示，多个部分602和部分702可以被划分为五个部分，它们由A部分、B部分、C部分、D部分和E部分表示。在框410中，多个部分602或部分702中的每个部分的宽度被确定。在这个例子中，可以使用下面的公式找到A部分至E部分的每个部分的宽度。如图6B和7B所示，A部分至E部分的每个部分的宽度由宽度A、宽度B、宽度C、宽度D和宽度E表示。公式如下：
宽度A＝临界尺寸
宽度B＝A+Z/(N-1)*2
宽度C＝A+Z/(N-1)*4
宽度D＝A +Z/(N-1)*6
宽度E＝A+Z/(N-1)*8
Z是几何距离，N是部分的总数(图6A和图7A所示的例子中是5)。
在框412中，使用线性关系来确定多个部分602和部分702中的每个部分的剂量大小。首先，层的深度和层的宽度之间存在线性关系。对于反色调印刷，如图6A和图6B所示，宽度随着进入光刻胶层604的深度增加而线性增加。例如，在图6B中的E部分处的宽度E最大。E部分是位于层604最深的部分。在图6B中的A部分处的宽度A最小，A部分对应于光刻胶层604的顶面，因此深度是零至最小值。对于正色调印刷来说则相反，如图7A和图7B所示。在本实施方式中，宽度随着进入光刻胶层704的深度的增加而线性减小。
另外，如图8所示的示意图802，进入层的深度与剂量大小之间存在线性关系。在反色调印刷中，随着光刻胶层深度的增加，剂量大小也会线性增加。因此，剂量大小也随着宽度的增加而线性增加，正如上面讨论的宽度随深度增加而线性增加一样。对于正色调印刷，剂量大小随宽度的增加而线性减少，因为深度随宽度的增加而线性减少。图6B示出了光刻胶层604的多个部分602中的每个部分的宽度和深度。如图所示，在反色调印刷中，宽度和深度从A部分到E部分增加。在反色调印刷中，A部分的宽度和深度最小，E部分的宽度和深度最大。随着宽度和深度的增加减少，剂量大小线性减少。相反地，图7B显示了在正色调印刷中，光刻胶层704的多个部分702中的每一个部分的宽度随着深度的减小而增加。A部分的宽度最小，但深度最大，并且E部分的宽度最大，深度最小。因此，在反色调印刷中，A部分具有最小的剂量大小，而E部分具有最大的剂量大小，而对正色调印刷反之亦然(vice versa)，形成“覆盖剂量”(overlay dose)。换句话说，如果将光刻胶的第一层512(图5A和图5B)的几何形状划分为一些覆盖部分，例如多个部分602和部分702，则可以实现渐缩部控制。因此，根据几何形状设计，在反色调时，会产生一个岛区(island)或线(line)，在正色调时，会产生一个沟渠(trench)或过孔(via)。
在第一层512的五个部分中，基本概念是每层的总覆盖剂量达到光刻胶的剂量阈值。由于覆盖的特性，每部分的剂量可以累计。例如，E部分的剂量可以是20％，D部分的剂量可以是40％，C部分的剂量可以是60％，B部分的剂量可以是80％，而A部分剂量可以是100％。然而这些剂量大小可以不同。在多个其它实施方式中，通过适当地调整各部分的位置，可以以任何所需的角度实现不对称渐缩部。
在一些实施方式中，如图5B所示，方法400产生多色调应用。多色调包括具有相同或不同厚度的两层或更多层构型(topography)。图5B示出了两层构型的反色调，但也可以应用于正色调和/或多层构型。首先通过应用上述方法400中的展示的框402至412，形成具有角度A和角度B的第一层512和第一厚度502。在框414中，可以选择性地将基板112从处理设备中移除。然而，在多个其他实施方式中，可以在不需要形成第一层512的情况下执行方法400。在框416中，用于形成第一层512的相同框402-412可用于形成第二层510。如图5B所示，第二层厚度503由临界尺寸506处的厚度确定。利用第二层厚度503和角度C和角度D计算出几何距离507和几何距离508，从而可以在基板112上如所预期的形成第二层510。需要注意的是，当构造第二层510时，可以从第一层512累积剂量中加入累积剂量。对于多色调的应用，如果所需的构型包括岛区和沟渠，可以同时应用反色调和正色调印刷。虽然在这些实施方式中描述了正性抗蚀剂(positive resist)，但这些实施方式可以构造为使用负性抗蚀剂(negative resist)。
方法400有利地使用无掩模平板印刷工具来轻松实现渐缩部控制。因此，无需任何额外的步骤即可实现多层渐缩部控制。此外，由于方法400是无掩模地由软件执行，因此在调整渐缩部角度方面有更大的弹性，不需要任何额外的掩模成本和制造时间，便可以在基板上局部或整体地实现具有任何所需角度的任何图案形状的3D对称或不对称渐缩部侧壁，与使用掩模的传统平板印刷方法相比具有优势。
通过调整部分的数量，可以在基板上局部或整体地实现任意所需厚度的光刻胶残留(对于正性光刻胶和负性光刻胶都是如此)的任何图案形状的灰色调曝光，并且能够与上述的渐缩部自由地合成，与使用掩模的传统平板印刷方法相比，具有进一步的优势。
虽然上述内容针对的是本发明公开的多个实施方式，但在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可以设计出多个其他的和更进一步的实施方式，本公开内容的范围由所附的权利要求书确定。
Claims (15)
1.一种使用基于无掩模平板印刷术来形成光刻胶层的方法，包含以下步骤：
获得所述光刻胶层的临界尺寸；
输入基于获得的所述临界尺寸确定的层厚度和渐缩部控制角；
使用所述层厚度和所述渐缩部控制角计算所述光刻胶层的几何距离；
将所述几何距离划分为多个部分；
确定所述多个部分的每一个部分的宽度；和
确定用于所述多个部分的每一个部分的剂量大小。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述多个部分包含A部分、B部分、C部分、D部分和E部分。
3.如权利要求2所述的方法，其中B部分总剂量比A部分总剂量少20％。
4.如权利要求3所述的方法，其中C部分总剂量比所述B部分总剂量少20％。
5.如权利要求4所述的方法，其中D部分总剂量比所述C部分总剂量少20％，并且E部分总剂量比所述D部分总剂量少20％。
6.一种使用基于无掩模平板印刷术在基板上形成多个光刻胶层的方法，包含以下步骤：
获得第一光刻胶层的第一临界尺寸；
输入基于获得的所述第一临界尺寸确定的第一层厚度和第一渐缩部控制角；
使用所述第一层厚度和所述第一渐缩部控制角计算所述第一光刻胶层的第一几何距离；
将所述第一几何距离划分为第一多个部分；
确定所述第一多个部分的每一个部分的第一宽度；
确定用于所述第一多个部分的每一个部分的第一剂量大小；和
在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层。
7.如权利要求6所述的方法，进一步包含以下步骤：
获得所述第二光刻胶层的第二临界尺寸；
输入基于获得的所述第二临界尺寸确定的第二层厚度和第二渐缩部控制角；
使用所述第二层厚度和所述第二渐缩部控制角计算所述第二光刻胶层的第二几何距离；
将所述第二几何距离划分为第二多个部分；
确定所述第二多个部分的每一个部分的第二宽度；和
确定用于所述多个部分的每一个部分的第二剂量大小。
8.如权利要求7所述的方法，其中不会从处理设备移除所述基板地实行所述方法。
9.如权利要求7所述的方法，其中在形成所述第二光刻胶层之前，会从处理设备移除所述基板地实行所述方法。
10.一种使用基于无掩模平板印刷术来形成光刻胶层的方法，所述光刻胶层具有超越传统多色调/灰色调多个掩模特征结构的不同的光刻胶残留厚度，所述方法包含以下步骤：
获得所述光刻胶层的临界尺寸；
输入基于获得的所述临界尺寸确定的层厚度和渐缩部控制角；
使用所述层厚度和所述渐缩部控制角计算所述光刻胶层的几何距离；
将所述几何距离划分为多个部分；
确定所述多个部分的每一个部分的宽度；
通过目标光刻胶残留厚度确定所述多个部分的大小；和
确定用于所述多个部分的每一个部分的剂量大小。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述多个部分包含A部分、B部分、C部分和D部分。
12.如权利要求11所述的方法，其中B部分总剂量比A部分总剂量少20％。
13.如权利要求12所述的方法，其中C部分总剂量比所述B部分总剂量少20％。
14.如权利要求13所述的方法，其中D部分总剂量比所述C部分总剂量少20％。
15.如权利要求10所述的方法，其中所述光刻胶层是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/US2019/055407 WO2021071484A1 (en) | 2019-10-09 | 2019-10-09 | Maskless based lithography methods |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114641728A true CN114641728A (zh) | 2022-06-17 |
Family
ID=75438021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201980101957.6A Pending CN114641728A (zh) | 2019-10-09 | 2019-10-09 | 基于无掩模的平板印刷方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11934107B1 (zh) |
| JP (1) | JP7377354B2 (zh) |
| KR (1) | KR20220079591A (zh) |
| CN (1) | CN114641728A (zh) |
| TW (1) | TWI760803B (zh) |
| WO (1) | WO2021071484A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4099092B1 (de) * | 2021-06-02 | 2023-03-15 | Joanneum Research Forschungsgesellschaft mbH | Lithographisches verfahren zur aufprägung von dreidimensionalen mikrostrukturen mit übergrossen strukturhöhen in ein trägermaterial |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424425A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Fujitsu Ltd | Formation of tapered pattern |
| JPH07254559A (ja) * | 1994-01-26 | 1995-10-03 | Canon Inc | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| KR101020281B1 (ko) | 2008-06-20 | 2011-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그라피 마스크의 제조 방법 |
| WO2011138237A1 (en) | 2010-05-07 | 2011-11-10 | Paul Scherrer Institut | Fabrication of nanometer and micrometer structures with continuous reliefs |
| JP5685400B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-03-18 | 株式会社クラレ | 微細構造体の製造方法 |
| WO2013023876A1 (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8455312B2 (en) | 2011-09-12 | 2013-06-04 | Cindy X. Qiu | Fabrication methods for T-gate and inverted L-gate structure for high frequency devices and circuits |
| KR102162270B1 (ko) | 2015-09-04 | 2020-10-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 스텝 크기 변경을 통한 라인 에지 거칠기 감소 |
| SG11201802076PA (en) * | 2015-09-30 | 2018-04-27 | Toray Industries | Negative photosensitive resin composition, cured film, element and display device each provided with cured film, and method for manufacturing display device |
| CN109116454B (zh) | 2017-06-26 | 2020-08-11 | 清华大学 | 光栅的制备方法 |
-
2019
- 2019-10-09 US US17/766,873 patent/US11934107B1/en active Active
- 2019-10-09 JP JP2022521505A patent/JP7377354B2/ja active Active
- 2019-10-09 KR KR1020227014671A patent/KR20220079591A/ko unknown
- 2019-10-09 CN CN201980101957.6A patent/CN114641728A/zh active Pending
- 2019-10-09 WO PCT/US2019/055407 patent/WO2021071484A1/en active Application Filing
-
2020
- 2020-07-30 TW TW109125800A patent/TWI760803B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023506359A (ja) | 2023-02-16 |
| WO2021071484A1 (en) | 2021-04-15 |
| TWI760803B (zh) | 2022-04-11 |
| US20240077805A1 (en) | 2024-03-07 |
| US11934107B1 (en) | 2024-03-19 |
| KR20220079591A (ko) | 2022-06-13 |
| TW202122923A (zh) | 2021-06-16 |
| JP7377354B2 (ja) | 2023-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |