CN114639707A - 显示装置及制造显示装置的方法 - Google Patents

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金仙花
金圣哲
李宽熙
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Abstract

本发明涉及显示装置及制造显示装置的方法。显示装置包括:基板;基板上的像素电极;堤,部分地暴露像素电极的开口区被限定在堤中;有机发光层,被设置在像素电极上;公共电极,被设置在有机发光层和堤上;封装层,被设置在公共电极上;触摸电极,被设置在封装层上并且在厚度方向上不与开口区重叠;第一粘合构件,被设置在触摸电极上;第一遮光层,被设置在第一粘合构件上并且在厚度方向上不与开口区重叠;滤色器,被设置在第一粘合构件上并且在厚度方向上与开口区重叠;和支撑层,被设置在第一遮光层和滤色器上并且包括第一有机材料。

Description

显示装置及制造显示装置的方法
技术领域
本发明的实施例涉及显示装置及制造显示装置的方法。
背景技术
随着信息社会的发展,对用于显示图像的显示装置的需求正在以各种形式增加。例如,显示装置正被应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置。
显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置包括包含有机发光元件的有机发光显示装置、包含诸如无机半导体的无机发光元件的无机发光显示装置以及包含微型发光元件或纳米发光元件的微型发光显示装置或纳米发光显示装置。
显示装置通常包括诸如被附接到显示面板上的偏光板的抗反射构件,以减少显示面板的金属线对外部光的反射。近来,包括滤色器和黑矩阵的滤色器层正代替偏光板被用作抗反射构件,以降低显示装置的制造成本。
发明内容
当滤色器层被直接形成在包括有机发光元件的显示面板上以便将滤色器层用作抗反射构件时,需要用于形成滤色器层的新设备。另外,由于在形成有机发光元件之后形成滤色器层,因此存在必须通过低温工艺形成滤色器层的限制。也就是说,当滤色器层被直接形成在显示面板上时,制造成本由于对新设备和在低温工艺中使用的材料的投资而可能增加。
本发明的实施例提供可以通过将滤色器层而不是偏光板附接到显示面板上来防止或最小化制造成本的增加的显示装置。
本发明的实施例提供可以通过将滤色器层而不是偏光板附接到显示面板上来防止或最小化制造成本的增加的制造显示装置的方法。
本发明的实施例提供一种显示装置,包括:基板;多个像素电极,被设置在基板上;堤,分别部分地暴露多个像素电极的开口区被限定在堤中;有机发光层,分别被设置在多个像素电极上并且与多个像素电极对应;公共电极,被设置在有机发光层和堤上;封装层,被设置在公共电极上;触摸电极,被设置在封装层上并且在基板的厚度方向上不与开口区重叠,基板的厚度方向与基板的主平面延伸方向垂直;第一粘合构件,被设置在触摸电极上;第一遮光层,被设置在第一粘合构件上并且在基板的厚度方向上不与开口区重叠;多个滤色器,被设置在第一粘合构件上并且在基板的厚度方向上与开口区重叠;和支撑层,被设置在第一遮光层和多个滤色器上并且包括第一有机材料。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:覆盖窗,被设置在支撑层上;和第二粘合构件,被设置在支撑层与覆盖窗之间。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:分离层,被设置在支撑层上并且包括不同于第一有机材料的第二有机材料。
在实施例中,分离层的厚度可以小于支撑层的厚度。
在实施例中,支撑层与多个滤色器之间的粘合力可以大于支撑层与分离层之间的粘合力。
在实施例中,触摸电极的宽度可以小于第一遮光层的宽度。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:第二遮光层,被设置在触摸电极与第一粘合构件之间并且在基板的厚度方向上不与开口区重叠。
在实施例中,第二遮光层的光密度可以高于第一遮光层的光密度。
在实施例中,第二遮光层的厚度可以大于第一遮光层的厚度。
在实施例中,第二遮光层的黑色颜料的重量比可以大于第一遮光层的黑色颜料的重量比。
在实施例中,第二遮光层的最小宽度可以大于触摸电极的宽度,并且第二遮光层的最小宽度可以大于第一遮光层的最小宽度。
在实施例中,第一遮光层的最小宽度可以大于触摸电极的宽度。
在实施例中,触摸电极的宽度可以大于第一遮光层的最小宽度。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:第一发射区,被设置在多个像素电极当中的第一像素电极上并且包括有机发光层当中的发射第一光的第一有机发光层;第二发射区,被设置在多个像素电极当中的第二像素电极上并且包括有机发光层当中的发射第二光的第二有机发光层;第三发射区,被设置在多个像素电极当中的第三像素电极上并且包括有机发光层当中的发射第三光的第三有机发光层;和第四发射区,被设置在多个像素电极当中的第四像素电极上并且包括第二有机发光层。
在实施例中,被设置在第一发射区与第二发射区之间的第一遮光层的最小宽度可以不同于被设置在第二发射区与第三发射区之间的第一遮光层的最小宽度。
在实施例中,被设置在第三发射区与第四发射区之间的第一遮光层的最小宽度可以不同于被设置在第一发射区与第四发射区之间的第一遮光层的最小宽度。
在实施例中,被设置在第一发射区与第二发射区之间的第一遮光层的最小宽度可以等于被设置在第一发射区与第四发射区之间的第一遮光层的最小宽度。
在实施例中,被设置在第二发射区与第三发射区之间的第一遮光层的最小宽度可以等于被设置在第三发射区与第四发射区之间的第一遮光层的最小宽度。
在实施例中,被设置在第一发射区与第二发射区之间的第二遮光层的最小宽度可以不同于被设置在第二发射区与第三发射区之间的第二遮光层的最小宽度。
在实施例中,被设置在第三发射区与第四发射区之间的第二遮光层的最小宽度可以不同于被设置在第一发射区与第四发射区之间的第二遮光层的最小宽度。
在实施例中,被设置在第一发射区与第二发射区之间的第二遮光层的最小宽度可以等于被设置在第一发射区与第四发射区之间的第二遮光层的最小宽度。
在实施例中,被设置在第二发射区与第三发射区之间的第二遮光层的最小宽度可以等于被设置在第三发射区与第四发射区之间的第二遮光层的最小宽度。
在实施例中,在基板的主平面延伸方向上,从第一发射区到第一遮光层的距离可以大于从第一发射区到第二遮光层的距离。
在实施例中,多个滤色器可以包括:第一滤色器,在基板的厚度方向上与第一发射区重叠;第二滤色器,在基板的厚度方向上与第二发射区重叠;和第三滤色器,在基板的厚度方向上与第三发射区重叠。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:第二遮光层,被设置在触摸电极与封装层之间并且在基板的厚度方向上不与开口区重叠。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:紫外吸收层,被设置在触摸电极上并且吸收具有大约200纳米(nm)至大约400nm的波长的光。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:光吸收层,被设置在触摸电极上并且吸收具有预定波长范围的光。
本发明的实施例提供一种显示装置,包括:基板;多个像素电极,被设置在基板上;堤,包括分别部分地暴露多个像素电极的开口区;有机发光层,分别被设置在多个像素电极上并且与多个像素电极对应;公共电极,被设置在有机发光层和堤上;封装层,被设置在公共电极上;第一粘合构件,被设置在封装层上;第一遮光层,被设置在第一粘合构件上并且在基板的厚度方向上不与开口区域重叠,基板的厚度方向与基板的主平面延伸方向垂直;多个滤色器,被设置在第一粘合构件上并且在基板的厚度方向上与开口区重叠;支撑层,被设置在第一遮光层和多个滤色器上并且包括第一有机材料;和触摸感测层,被设置在支撑层上并且包括触摸电极。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:第二粘合构件,被设置在支撑层与触摸感测层之间;覆盖窗,被设置在触摸感测层上;和第三粘合构件,被设置在触摸感测层与覆盖窗之间。
在实施例中,第一粘合构件和第二粘合构件中的至少任何一个可以包括低介电常数材料。
在实施例中,低介电常数材料可以包括具有壳和被壳包围的空洞的中空颗粒。
在实施例中,壳可以包括二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)和氧化铁(Fe3O4)中的至少一种。
在实施例中,第一粘合构件和第二粘合构件中的至少任何一个的介电常数可以是3.0以下。
本发明的实施例提供一种制造显示装置的方法,该方法包括:在第一支撑基板的表面上形成多个显示面板;在第二支撑基板的表面上形成分离层并且在分离层上形成支撑层,并且在支撑层上形成多个滤色器层;通过多个第一粘合构件将第一支撑基板上的多个显示面板附接到第二支撑基板上的多个滤色器层;切割第二支撑基板上的支撑层;将第二支撑基板上的分离层与支撑层分离;并且切割多个显示面板,并且通过多个第二粘合构件将覆盖窗附接到多个滤色器层中的每一个上的支撑层上。
在实施例中,支撑层与多个滤色器层之间的粘合力可以大于支撑层与分离层之间的粘合力。
在实施例中,在切割第二支撑基板上的支撑层时,支撑层可以被切割以将支撑层的在第二支撑基板的厚度方向上与多个滤色器层重叠的第一区与支撑层的不与多个滤色器层重叠的第二区分离,第二支撑基板的厚度方向与第二支撑基板的主平面延伸方向垂直。
在实施例中,在将第二支撑基板上的分离层与支撑层分离时,分离层的一部分可以保留在支撑层的表面上。
在实施例中,分离层的一部分的厚度可以小于支撑层的厚度。
附图说明
本发明的这些和/或其它特征将从以下结合附图对实施例的描述中变得明显并且更易于理解,在附图中:
图1是显示装置的实施例的透视图;
图2是显示装置的实施例的截面图;
图3是显示装置的显示区的实施例的平面图;
图4是沿着图3的线B-B’截取的显示装置的实施例的截面图;
图5是显示装置的显示区的实施例的平面图;
图6是沿着图5的线C-C’截取的显示装置的实施例的截面图;
图7是详细图示图6的区A的放大的截面图;
图8是沿着图5的线C-C’截取的显示装置的实施例的截面图;
图9是沿着图5的线C-C’截取的显示装置的实施例的截面图;
图10是图示光吸收层的透射波段的示例图;
图11是图示当光吸收层是中性密度(“ND”)过滤器时根据光密度的透射波段的示例图;
图12是沿着图5的线C-C’截取的显示装置的实施例的截面图;
图13是沿着图5的线C-C’截取的显示装置的实施例的截面图;
图14是沿着图5的线C-C’截取的显示装置的实施例的截面图;
图15是显示装置的显示区的实施例的平面图;
图16是显示装置的截面图;
图17是显示装置的显示区的实施例的平面图;
图18是沿着图17的线D-D’截取的显示装置的实施例的截面图;
图19是图示制造显示装置的方法的实施例的流程图;
图20是图示包括多个显示单元的第一支撑基板和包括多个滤色器单元的第二支撑基板的实施例的视图;
图21是图示通过粘合构件结合在一起的第一支撑基板的显示单元和第二支撑基板的滤色器单元的实施例的视图;
图22是图示第二支撑基板的通过激光切割的支撑层的实施例的视图;
图23是图示包括与支撑层分离的分离层的第二支撑基板的实施例的视图;以及
图24是图示覆盖窗被附接到多个显示面板中的每一个的该多个显示面板的实施例的视图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述本发明的实施例,在附图中示出了本发明的优选实施例。然而,本发明可以以不同的形式具体体现,并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反,这些实施例被提供使得本发明将是全面的和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。遍及说明书,相同的附图标记指示相同的部件。在附图中,为了清楚起见,放大了层和区域的厚度。
将理解,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以被用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分,但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅被用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开来。因此,以下所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、部件、区域、层或部分,而不脱离本文中的教导。
还将理解,当层被称为在另一层或基板“上”时,它可以直接在另一层或基板上,或者也可以存在居间层。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,不存在居间元件。
本文中所使用的术语仅用于描述特定实施例的目的,并不旨在进行限制。如本文中所使用的,单数形式“一”和“该(所述)”旨在包括复数形式,包含“至少一个”,除非内容另外明确地指示。“或”意味着“和/或”。“A和B中的至少一个”意味着“A和/或B”。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或多个的任何组合和全部组合。将进一步理解,术语“包括”或“包含”在本说明书中使用时指明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但是不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或添加。
考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即,测量***的限制),本文中所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值,并且意味着在由本领域普通技术人员确定的特定值的偏差的可接受的范围内。
除非另外限定,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解,诸如在常用词典中限定的术语的术语应被解释为具有与它们在相关技术和本发明的背景中的含义一致的含义,并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释,除非本文中明确地如此限定。
本文中参考是理想化实施例的示意性图示的截面图示来描述实施例。因此,由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化是可以预期的。因此,本文中描述的实施例不应被解释为限于本文中图示的区域的特定形状,而是将包括例如由于制造而导致的形状偏差。例如,被图示或被描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外,被图示的尖角可以被倒圆。因此,附图中图示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在图示区域的精确形状,也不旨在限制权利要求的范围。
在下文中,将参考附图详细描述本发明的实施例。
图1是显示装置10的实施例的透视图。
参考图1,实施例中的显示装置10可以被应用于诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(“PC”)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(“PMP”)、导航装置和超移动PC(“UMPC”)的便携式电子装置。在替代实施例中,显示装置10可以被应用为电视、笔记本计算机、监控器、广告牌或物联网(“IoT”)装置的显示单元。在替代实施例中,显示装置10可以被应用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(“HMD”)的可穿戴装置。在替代实施例中,显示装置10可以被应用于车辆的仪表盘、车辆的中央仪表板、被设置在车辆的仪表盘上的中央信息显示器(“CID”)、代替车辆的侧视镜的车内镜显示器或者作为车辆的后座乘客的娱乐设施的被设置在前座的靠背上的显示器。
实施例中的显示装置10可以是诸如使用有机发光元件的有机发光显示装置、包括量子点发光层的量子点发光显示装置、包括无机半导体的无机发光显示装置或者使用微型发光二极管或纳米发光二极管的微型发光显示装置或纳米发光显示装置的发光显示装置。以下将主要描述其中实施例中的显示装置10是使用有机发光元件的有机发光显示装置的情况,但是本发明不限于此。
显示装置10包括显示面板100、显示驱动电路200、电路板300和触摸驱动电路400。
显示面板100可以被成形为像具有在第一方向(X轴方向)上的短边以及在与第一方向(X轴方向)交叉的第二方向(Y轴方向)上的长边的四边形(例如,矩形)平面。在第一方向(X轴方向)上延伸的短边与在第二方向(Y轴方向)上延伸的长边相交的每个拐角可以以预定曲率倒圆或者可以是直角。显示面板100的平面形状不限于四边形形状,而也可以是其它多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。显示面板100可以被形成或被提供为平坦的,但是本发明不限于此。在实施例中,例如,显示面板100包括被形成或被提供在左端部和右端部并且具有恒定曲率或变化曲率的曲线部。另外,显示面板100可以是柔性的,使得它可以被弯曲、被弯折、被折叠或被卷曲。
显示面板100包括主区MA和子区SBA。
主区MA包括显示图像的显示区DA和被设置在显示区DA周围的非显示区NDA。显示区DA包括显示图像的像素PX(参考图5)。子区SBA可以在第二方向(Y轴方向)上从主区MA的边突出。
尽管在图1和图2中子区SBA被展开,但是在其中子区SBA可以被设置在显示面板100的下表面上的情况下,它也可以被弯折。当子区SBA被弯折时,它可以在基板SUB的与基板SUB的由X轴方向和Y轴方向限定的主平面延伸方向垂直的厚度方向(Z轴方向)上与主区MA重叠。显示驱动电路200可以被设置在子区SBA中。
显示驱动电路200可以产生用于驱动显示面板100的信号和电压。在实施例中,显示驱动电路200可以被形成或被提供为集成电路(“IC”),并且使用玻璃上芯片(“COG”)方法、塑料上芯片(“COP”)方法或超声结合方法被附接到显示面板100上。然而,本发明不限于此。在实施例中,例如,显示驱动电路200也可以使用膜上芯片(“COF”)方法被附接到电路板300上。
电路板300可以被附接到显示面板100的子区SBA的端部。因此,电路板300可以电连接到显示面板100和显示驱动电路200。显示面板100和显示驱动电路200可以通过电路板300接收诸如数字视频数据、时序信号和驱动电压的各种电压。电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板或诸如COF的柔性膜。
触摸驱动电路400可以被设置在电路板300上。触摸驱动电路400可以被形成或被提供为IC并且被附接到电路板300。
触摸驱动电路400可以电连接到显示面板100的触摸电极。触摸电极可以包括驱动电极TE(参考图3)和感测电极RE(参考图3)。触摸驱动电路400可以将驱动信号传输到驱动电极TE(参考图3)并且测量来自感测电极RE(参考图3)的互电容的电荷变化。驱动信号中的每一个可以是具有多个驱动脉冲的信号。触摸驱动电路400可以根据互电容中的电荷变化来确定是否已经发生用户的触摸或接近。用户的触摸指示诸如用户的手指或笔的物体直接接触显示装置10的表面。用户的接近指示诸如用户的手指或笔的物***于(例如,悬停在)显示装置10的表面上方。
图2是显示装置10的截面图。图2是沿着图1的线A-A’截取的显示装置10的实施例的截面图。
参考图2,显示装置10包括显示面板100、第一粘合构件AHL1、滤色器层CFL、支撑层PL、分离层SL、第二粘合构件AHL2和覆盖窗CW。
显示面板100包括基板SUB、薄膜晶体管(“TFT”)层TFTL、发光元件层EML、封装层TFEL和触摸感测层TSL。
TFT层TFTL可以被设置在基板SUB上。TFT层TFTL可以包括多个晶体管TR(参考图4)。
发光元件层EML可以被设置TFT层TFTL上。发光元件层EML包括被分别设置在多个发射区EA1至EA4(参考图3)中的多个发光元件LEL(参考图4)。
封装层TFEL可以被设置在发光元件层EML上。封装层TFEL可以包括多个无机层以对发光元件层EML进行封装。封装层TFEL可以包括一个有机层以保护发光元件层EML免受颗粒的影响。
触摸感测层TSL可以被设置在封装层TFEL上。触摸感测层TSL可以包括多个触摸电极以检测人或物体的触摸。
第一粘合构件AHL1可以被设置在显示面板100的触摸感测层TSL上。第一粘合构件AHL1将显示面板100的触摸感测层TSL结合到滤色器层CFL。在实施例中,第一粘合构件AHL1可以是诸如光学透明粘合剂(“OCA”)膜或光学透明树脂(“OCR”)的透明粘合构件。
滤色器层CFL可以被设置在第一粘合构件AHL1上。滤色器层CFL可以被设置在主区MA的显示区DA和非显示区NDA中。滤色器层CFL可以是用于减少外部光从显示面板100的金属线和金属电极反射的抗反射构件。滤色器层CFL包括多个滤色器CF1至CF3(参考图4)以及第一遮光层BM1(参考图4)。在实施例中,例如,滤色器层CFL可以包括透射第一波长范围中的光的第一滤色器CF1(参考图4)、透射第二波长范围中的光的第二滤色器CF2(参考图4)、透射第三波长范围中的光的第三滤色器CF3(参考图4)以及吸收光的第一遮光层BM1(参考图4)。
支撑层PL可以被设置在滤色器层CFL上。支撑层PL支撑滤色器层CFL。支撑层PL可以包括第一有机材料。
分离层SL可以被设置在支撑层PL上。分离层SL可以是在制造显示装置10的工艺期间与支撑层PL分离的层。分离层SL的厚度可以小于支撑层PL的厚度。分离层SL可以包括不同于第一有机材料的第二有机材料。
第二粘合构件AHL2可以被设置在分离层SL或支撑层PL上。第二粘合构件AHL2将分离层SL或支撑层PL结合到覆盖窗CW。在实施例中,第二粘合构件AHL2可以是诸如OCA膜或OCR的透明粘合构件。
覆盖窗CW可以被设置在第二粘合构件AHL2上。覆盖窗CW保护显示装置10的上表面。在实施例中,覆盖窗CW可以是诸如玻璃的无机材料或者诸如塑料或聚合物材料的有机材料。
如图2中图示的,为了减少显示面板100的金属线对外部光的反射,不是偏光板而是包括滤色器CF1至CF3以及第一遮光层BM1的滤色器层CFL可以被附接到显示面板100上。在这种情况下,不需要新设备来直接在显示面板100上形成滤色器层CFL,并且可以使用与低温工艺中使用的材料相比具有更低的单位成本的材料。因此,可以防止或最小化制造成本的增加。
图3是显示装置10的显示区DA的实施例的平面图。
为了便于描述,图3图示驱动电极TE、感测电极RE、连接电极BE1、第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4,并且可以不图示其它元件。
参考图3,显示装置10的显示区DA包括像素PX。像素PX中的每一个包括发射第一光的第一发射区EA1、发射第二光的第二发射区EA2和第四发射区EA4以及发射第三光的第三发射区EA3。在实施例中,例如,第一颜色(例如,第一光的颜色)可以是红色,第二颜色(例如,第二光的颜色)可以是绿色,并且第三颜色(例如,第三光的颜色)可以是蓝色。然而,本发明不限于此,并且在另一实施例中,第一至第三颜色可以是其它颜色。
像素PX中的每一个的第一发射区EA1和第二发射区EA2可以在第四方向DR4上彼此相邻,并且第三发射区EA3和第四发射区EA4可以在第四方向DR4上彼此相邻。像素PX中的每一个的第一发射区EA1和第四发射区EA4可以在第五方向DR5上彼此相邻,并且第二发射区EA2和第三发射区EA3可以在第五方向DR5上彼此相邻。第四方向DR4可以是相对于第一方向(X轴方向)以大约45度的角度倾斜的方向,并且第五方向DR5可以是与第四方向DR4正交的方向。
第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4中的每一个可以具有四边形(例如,菱形或矩形)平面形状。然而,本发明不限于此,并且第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4中的每一个也可以具有除了四边形平面形状之外的多边形平面形状、圆形平面形状或椭圆形平面形状。另外,在图3中,第三发射区EA3的面积是最大的,并且第二发射区EA2和第四发射区EA4中的每一个的面积是最小的,但是本发明不限于此。
第二发射区EA2和第四发射区EA4可以被设置在奇数行中。第二发射区EA2和第四发射区EA4可以在奇数行中的每一个中在第一方向(X轴方向)上并排设置。第二发射区EA2和第四发射区EA4可以被交替地布置在奇数行中的每一个中。第二发射区EA2中的每一个可以具有在第四方向DR4上的长边和在第五方向DR5上的短边,而第四发射区EA4中的每一个具有在第四方向DR4上的短边和在第五方向DR5上的长边。第四方向DR4是第一方向(X轴方向)与第二方向(Y轴方向)之间的方向并且可以是相对于第一方向(X轴方向)以大约45度的角度倾斜的方向。第五方向DR5可以是与第四方向DR4正交的方向。
第一发射区EA1和第三发射区EA3可以被设置在偶数行中。第一发射区EA1和第三发射区EA3可以在偶数行中的每一个中在第一方向(X轴方向)上并排设置。第一发射区EA1和第三发射区EA3可以被交替地布置在偶数行中的每一个中。
第二发射区EA2和第四发射区EA4可以被设置在奇数列中。第二发射区EA2和第四发射区EA4可以在奇数列中的每一个中在第二方向(Y轴方向)上并排设置。第二发射区EA2和第四发射区EA4可以被交替地设置在奇数列中的每一个中。
第一发射区EA1和第三发射区EA3可以被设置在偶数列中。第一发射区EA1和第三发射区EA3可以在偶数列中的每一个中在第二方向(Y轴方向)上并排设置。第一发射区EA1和第三发射区EA3可以被交替地设置在偶数列中的每一个中。
在平面图中,驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1中的每一个可以具有网格结构或网状结构。驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1中的每一个可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一至第四发射区EA1至EA4重叠。因此,可以防止从第一至第四发射区EA1至EA4发射的光被驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1阻挡。
驱动电极TE和感测电极RE可以彼此间隔开。间隙可以被限定在彼此相邻的驱动电极TE与感测电极RE之间。连接电极BE1可以被弯折至少一次。在实施例中,例如,尽管连接电极BE1在平面图中被成形为像括号(“<”或“>”),但是连接电极BE1的平面形状不限于此。
连接电极BE1可以在第三方向(Z轴方向)上与驱动电极TE和感测电极RE重叠。连接电极BE1的一边可以通过触摸接触孔TCNT1连接到在第二方向(Y轴方向)上相邻的驱动电极TE中的任何一个。连接电极BE1的另一边可以通过触摸接触孔TCNT1连接到在第二方向(Y轴方向)上相邻的驱动电极TE中的另一个。由于连接电极BE1,驱动电极TE和感测电极RE可以在它们的交叉处电分离。因此,互电容可以在驱动电极TE与感测电极RE之间产生。
第一滤色器CF1可以在第三方向(Z轴方向)上与第一发射区EA1重叠。第一滤色器CF1可以在第三方向(Z轴方向)上不与第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4重叠。因此,从第一发射区EA1发射的第一光可以通过第一滤色器CF1出射。
第二滤色器CF2可以在第三方向(Z轴方向)上与第二发射区EA2和第四发射区EA4重叠。第二滤色器CF2可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一发射区EA1和第三发射区EA3重叠。因此,从第二发射区EA2和第四发射区EA4发射的第二光可以通过第二滤色器CF2出射。
第三滤色器CF3可以在第三方向(Z轴方向)上与第三发射区EA3重叠。第三滤色器CF3可以在第三方向(Z轴方向)上不与第一发射区EA1、第二发射区EA2和第四发射区EA4重叠。因此,从第三发射区EA3发射的第三光可以通过第三滤色器CF3出射。
由于在平面图中驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1中的每一个可以具有网格结构或网状结构,因此它们可以围绕第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4。然而,在驱动电极TE与感测电极RE之间的边界处,驱动电极TE和感测电极RE可以不围绕第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4。
第一遮光层BM1可以被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间、第二发射区EA2与第三发射区EA3之间、第三发射区EA3与第四发射区EA4之间以及第一发射区EA1与第四发射区EA4之间。第一遮光层BM1可以在第三方向(Z轴方向)上与驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1重叠。
第一开口区OA1可以由第一遮光层BM1限定。第一开口区OA1中的每一个可以与第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4中的任何一个重叠。尽管在图3中无论第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4如何,第一开口区OA1都具有相同的面积,但是本发明不限于此。在实施例中,例如,第一开口区OA1可以根据第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4而具有不同的面积。这将在稍后参考图5进行描述。
图4是沿着图3的线B-B’截取的显示装置10的实施例的截面图。
参考图4,基板SUB可以包括诸如聚合物树脂的绝缘材料或者由诸如聚合物树脂的绝缘材料组成。基板SUB可以是可以被弯折、被折叠或被卷曲的柔性基板或者可以是刚性基板。
阻挡层BR可以被设置在基板SUB上。阻挡层BR是用于保护TFT层TFTL的晶体管TR和发光元件层EML的发光层172免受通过易受湿气渗透的基板SUB引入的湿气的影响的层。阻挡层BR可以包括交替堆叠的多个无机层或者由交替堆叠的多个无机层组成。在实施例中,例如,阻挡层BR可以是其中一个或多个包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的至少一种或者由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的至少一种组成的无机层交替堆叠的多层。
晶体管TR可以被设置在阻挡层BR上。晶体管TR中的每一个包括有源层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
晶体管TR中的每一个的有源层ACT、源电极SE和漏电极DE可以被设置在阻挡层BR上。在实施例中,晶体管TR中的每一个的有源层ACT包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。在是基板SUB的厚度方向的第三方向(Z轴方向)上与栅电极GE重叠的有源层ACT可以被限定为沟道区。源电极SE和漏电极DE可以是在第三方向(Z轴方向)上不与栅电极GE重叠的区域,并且可以通过用离子或杂质对硅半导体或氧化物半导体进行掺杂而具有导电性。
栅绝缘层130可以被设置在晶体管TR中的每一个的有源层ACT、源电极SE和漏电极DE上。在实施例中,栅绝缘层130可以包括诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层或者由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层组成。
晶体管TR中的每一个的栅电极GE可以被设置在栅绝缘层130上。栅电极GE可以在第三方向(Z轴方向)上与有源层ACT重叠。在实施例中,栅电极GE可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个或者由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个组成的单层或多层。
第一中间绝缘膜141可以被设置在晶体管TR中的每一个的栅电极GE上。在实施例中,第一中间绝缘膜141可以包括诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层或者由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层组成。第一中间绝缘膜141可以包括多个无机层或者由多个无机层组成。
电容器电极CAE可以被设置在第一中间绝缘膜141上。电容器电极CAE可以在第三方向(X轴方向)上与晶体管TR中的每一个的栅电极GE重叠。由于第一中间绝缘膜141具有预定的介电常数,因此电容器电极CAE、栅电极GE以及被设置在电容器电极CAE与栅电极GE之间的第一中间绝缘膜141可以形成电容器。在实施例中,电容器电极CAE中的每一个可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个或者由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个组成的单层或多层。
第二中间绝缘膜142可以被设置在电容器电极CAE上。在实施例中,第二中间绝缘膜142可以包括诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层或者由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层组成。第二中间绝缘膜142可以包括多个无机层或者由多个无机层组成。
第一像素连接电极ANDE1可以被设置在第二中间绝缘膜142上。第一像素连接电极ANDE1可以通过穿透栅绝缘层130、第一中间绝缘膜141和第二中间绝缘膜142的第一连接接触孔ANCT1连接到晶体管TR中的每一个的漏电极DE。在实施例中,第一像素连接电极ANDE1中的每一个可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个或者由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个组成的单层或多层。
第一平坦化层160可以被设置在第一像素连接电极ANDE1上以平坦化由于晶体管TR而导致的台阶。在实施例中,第一平坦化层160可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层或者由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层组成。
第二像素连接电极ANDE2可以被设置在第一平坦化层160上。第二像素连接电极ANDE2中的每一个可以通过穿透第一平坦化层160的第二连接接触孔ANCT2连接到第一像素连接电极ANDE1。在实施例中,第二像素连接电极ANDE2中的每一个可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个或者由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个组成的单层或多层。
第二平坦化层180可以被设置在第二像素连接电极ANDE2上。在实施例中,第二平坦化层180可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层或者由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层组成。
发光元件LEL和堤190可以被设置在第二平坦化层180上。发光元件LEL中的每一个包括像素电极171、发光层172和公共电极173。
像素电极171可以被设置在第二平坦化层180上。像素电极171可以通过穿透第二平坦化层180的第三连接接触孔ANCT3连接到第二像素连接电极ANDE2中的每一个。
在其中光从发光层172朝向公共电极173发射的顶部发射结构的实施例中,像素电极171可以包括诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡(“ITO”)的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)的具有高反射率的金属材料或者由诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡(“ITO”)的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)的具有高反射率的金属材料组成。在实施例中,APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
堤190可以被形成或被设置在第二平坦化层180上以分离像素电极171,从而限定第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4。堤190可以覆盖像素电极171的边缘。在实施例中,堤190可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层或者由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层组成。
堤190可以包括吸收从发光层172发射的光的材料以防止颜色混合。在实施例中,例如,堤190可以包括有机黑色颜料或诸如炭黑的无机黑色颜料。在实施例中,例如,颜色混合指示第一至第四发射区EA1至EA4中的任何一个的光与跟该发射区相邻的另一发射区的光混合并且被相应地发射。
第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4中的每一个是其中像素电极171、发光层172和公共电极173依次堆叠的区,使得来自像素电极171的空穴和来自公共电极173的电子在发光层172中结合在一起以发光。
发光层172可以被设置在像素电极171和堤190上。发光层172可以包括有机材料以发射预定颜色的光。在这种情况下,发光层172也可以被称为有机发光层。在实施例中,例如,发光层172包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。
第一发射区EA1的发光层172可以包括包含第一主体材料和第一掺杂剂以发射第一光的有机材料。在这种情况下,第一掺杂剂可以是红色荧光掺杂剂或红色磷光掺杂剂,并且第一光可以是红光。
第二发射区EA2的发光层172可以包括包含第二主体材料和第二掺杂剂以发射第二光的有机材料。在这种情况下,第二掺杂剂可以是绿色荧光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂,并且第二光可以是绿光。
第三发射区EA3的发光层172可以包括包含第三主体材料和第三掺杂剂以发射第三光的有机材料。在这种情况下,第三掺杂剂可以是蓝色荧光掺杂剂或蓝色磷光掺杂剂,并且第三光可以是蓝光。
第四发射区EA4的发光层172可以包括发射第二光的有机材料。第四发射区EA4的发光层172可以包括包含第二主体材料和第二掺杂剂以发射第二光的有机材料。
公共电极173可以被设置在发光层172上。公共电极173可以覆盖发光层172。公共电极173可以是第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4中的全部共用的公共层。盖层(未被示出)可以被形成或被设置在公共电极173上。
在顶部发射结构中,公共电极173可以包括诸如ITO或氧化铟锌(“IZO”)的能够透射光的透明导电氧化物(“TCO”)或诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透明导电材料或者由诸如ITO或氧化铟锌(“IZO”)的能够透射光的透明导电氧化物(“TCO”)或诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透明导电材料组成。当公共电极173包括半透明导电材料或者由半透明导电材料组成时,光输出效率可以通过微腔而被提高。
封装层TFEL可以被设置在公共电极173上。封装层TFEL包括至少一个无机层以防止氧气或湿气渗透到发光元件层EML中。此外,封装层TFEL包括至少一个有机层以保护发光元件层EML免受诸如灰尘的外来物质的影响。在实施例中,例如,封装层TFEL包括第一封装无机层TFE1、封装有机层TFE2和第二封装无机层TFE3。
第一封装无机层TFE1可以被设置在公共电极173上,封装有机层TFE2可以被设置在第一封装无机层TFE1上,并且第二封装无机层TFE3可以被设置在封装有机层TFE2上。在实施例中,第一封装无机层TFE1和第二封装无机层TFE3中的每一个可以是其中一个或多个包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的至少一种或者由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的至少一种组成的无机层交替堆叠的多层。在实施例中,封装有机层TFE2可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层或者由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层组成。
触摸感测层TSL可以被设置在封装层TFEL上。触摸感测层TSL包括缓冲层BF、连接电极BE1、触摸绝缘层TINS1、驱动电极TE、感测电极RE。
在实施例中,缓冲层BF可以包括诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层或者由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层组成。
连接电极BE1可以被设置在缓冲层BF上。在实施例中,连接电极BE1可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个或者由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及它们的合金中的任何一个或多个组成的单层或多层。
触摸绝缘层TINS1被设置在连接电极BE1上。在实施例中,触摸绝缘层TINS1可以包括诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层或者由诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层组成。在替代实施例中,触摸绝缘层TINS1可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层或者由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层组成。
驱动电极TE和感测电极RE可以被设置在触摸绝缘层TINS1上。驱动电极TE和感测电极RE可以在第三方向(Z轴方向)上与连接电极BE1重叠。驱动电极TE可以通过穿透触摸绝缘层TINS1的触摸接触孔TCNT1连接到连接电极BE1。
第一粘合构件AHL1可以被设置在触摸感测层TSL上。第一粘合构件AHL1将显示面板100的触摸感测层TSL结合到滤色器层CFL。在实施例中,第一粘合构件AHL1可以是诸如OCA膜或OCR的透明粘合构件。
滤色器层CFL可以被设置在第一粘合构件AHL1上。滤色器层CFL可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1可以透射第一波长范围中的光并且在第三方向(Z轴方向)上与第一发射区EA1重叠。第一发射区EA1可以发射与第一波长范围中的光对应的第一光。也就是说,第一光的波长范围可以与第一波长范围重叠。在实施例中,例如,第一光的波长范围可以比第一波长范围宽。在实施例中,第一波长范围可以是大约600纳米(nm)至大约750nm。
第二滤色器CF2可以透射第二波长范围中的光并且在第三方向(Z轴方向)上与第二发射区EA2重叠。第二发射区EA2可以发射与第二波长范围中的光对应的第二光。也就是说,第二光的波长范围可以与第二波长范围重叠。在实施例中,例如,第二光的波长范围可以比第二波长范围宽。在实施例中,第二波长范围可以是大约480nm至大约560nm。
第三滤色器CF3可以透射第三波长范围中的光并且在第三方向(Z轴方向)上与第三发射区EA3重叠。第三发射区EA3可以发射与第三波长范围中的光对应的第三光。也就是说,第三光的波长范围可以与第三波长范围重叠。在实施例中,例如,第三光的波长范围可以比第三波长范围宽。在实施例中,第三波长范围可以是大约370nm至大约460nm。
第一遮光层BM1可以包括光吸收材料以降低光的透射率。在实施例中,第一遮光层BM1可以包括有机黑色颜料或诸如炭黑的无机黑色颜料。例如,第一遮光层BM1可以包括与堤190的材料相同的材料。
第一遮光层BM1可以在第三方向(Z轴方向)上与驱动电极TE和感测电极RE重叠。第一遮光层BM1可以在第三方向(Z轴方向)上与连接电极BE1重叠。第一遮光层BM1可以在第三方向(Z轴方向)上与触摸接触孔TCNT1重叠。
第一开口区OA1可以由第一遮光层BM1限定。第一开口区OA1可以是其中未设置第一遮光层BM1的区。第一开口区OA1可以与第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4重叠。
由于支撑层PL被形成或被设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3上,因此第一滤色器CF1的上表面、第二滤色器CF2的上表面和第三滤色器CF3的上表面可以是平坦的。
相反,由于第一滤色器CF1的边缘与第一遮光层BM1重叠,因此第一滤色器CF1的边缘可以比第一滤色器CF1的中心厚。因此,如图4中图示的,是凹形的第一凹槽GR1可以被限定在第一滤色器CF1的下表面中。第一滤色器CF1的第一凹槽GR1可以与第一发射区EA1重叠。
另外,如图4中图示的,是凹形的第二凹槽GR2可以被限定在第二滤色器CF2的下表面中。第二滤色器CF2的第二凹槽GR2可以与第二发射区EA2或第四发射区EA4重叠。
另外,如图4中图示的,是凹形的第三凹槽GR3可以被限定在第三滤色器CF3的下表面中。第三滤色器CF3的第三凹槽GR3可以与第三发射区EA3重叠。
如图4中图示的,由于第一遮光层BM1在第二发射区EA2与第三发射区EA3之间相当宽,因此间隙G可以被限定在第二滤色器CF2与第三滤色器CF3之间。也就是说,在间隙G中,第一遮光层BM1可以在第三方向(Z轴方向)上不与第二滤色器CF2和第三滤色器CF3重叠。
支撑层PL可以被设置在滤色器层CFL上。支撑层PL可以包括第一有机材料。
分离层SL可以被设置在支撑层PL上。分离层SL可以包括不同于第一有机材料的第二有机材料。第二有机材料可以是与第一有机材料相比具有更低的剥离强度的材料。在实施例中,例如,分离层SL的剥离强度可以是大约每25毫米(mm)1牛顿(N)(即,1N/25mm)。
在实施例中,第一有机材料和第二有机材料中的每一个可以包括聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚酰胺酸、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚降冰片烯、苯基马来酰亚胺共聚物、聚偶氮苯、聚苯邻苯二甲酰胺、聚酯、聚甲基甲基丙烯酸酯、聚芳酯、肉桂酸酯类聚合物、香豆素类聚合物、邻苯二甲酰亚胺类聚合物、查尔酮类聚合物和芳族乙炔类聚合物中的至少一种。在实施例中,第二有机材料可以进一步包括氟化合物以降低分离层SL的剥离强度。
支撑层PL与滤色器层CFL之间的粘合力可以大于支撑层PL与分离层SL之间的粘合力。因此,在制造显示装置10的工艺期间,分离层SL可以与支撑层PL分离。这里,分离层SL的一部分可以保留在支撑层PL的表面上,并且分离层SL的厚度可以小于支撑层PL的厚度。在替代实施例中,分离层SL可以不保留在支撑层PL的表面上。
支撑层PL和分离层SL将在稍后参考图19至图24详细描述。
第二粘合构件AHL2可以被设置在分离层SL或支撑层PL上。第二粘合构件AHL2将分离层SL或支撑层PL结合到覆盖窗CW。在实施例中,第二粘合构件AHL2可以是诸如OCA膜或OCR的透明粘合构件。
覆盖窗CW可以被设置在第二粘合构件AHL2上。覆盖窗CW保护显示装置10的上表面。在实施例中,覆盖窗CW可以是诸如玻璃的无机材料或者诸如塑料或聚合物材料的有机材料。
如图4中图示的,为了减少显示面板100的金属线对外部光的反射,不是偏光板而是包括滤色器CF1至CF3以及第一遮光层BM1的滤色器层CFL可以被附接到显示面板100上。在这种情况下,不需要新设备来直接在显示面板100上形成滤色器层CFL,并且可以使用与低温工艺中使用的材料相比具有更低的单位成本的材料。因此,可以防止或最小化制造成本的增加。
图5是显示装置10的显示区DA的实施例的平面图。图6是沿着图5的线C-C’截取的显示装置10的实施例的截面图。
图5和图6的实施例与图3和图4的实施例的不同之处在于添加了第二遮光层BM2。在图5和图6中,将主要描述与图3和图4的实施例的不同之处。
参考图5和图6,第二遮光层BM2可以被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间、第二发射区EA2与第三发射区EA3之间、第三发射区EA3与第四发射区EA4之间以及第一发射区EA1与第四发射区EA4之间。
第二遮光层BM2可以在第三方向(Z轴方向)上与第一遮光层BM1重叠。第二遮光层BM2可以在第三方向(Z轴方向)上与驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1重叠。
第二遮光层BM2可以包括光吸收材料以降低光的透射率。在实施例中,第二遮光层BM2可以包括有机黑色颜料或诸如炭黑的无机黑色颜料。例如,第二遮光层BM2可以包括与第一遮光层BM1和堤190的材料相同的材料。
第二遮光层BM2的光密度可以高于第一遮光层BM1的光密度。光密度越高,光的透射率越低。因此,第二遮光层BM2的透光率可以低于第一遮光层BM1的透光率。第二遮光层BM2的光吸收率可以高于第一遮光层BM1的光吸收率。为此,第二遮光层BM2的厚度D2可以大于第一遮光层BM1的厚度D1。另外,被包括在第二遮光层BM2中的无机黑色颜料或有机黑色颜料的重量比可以大于被包括在第一遮光层BM1中的无机黑色颜料或有机黑色颜料的重量比。
第二开口区OA2可以由第二遮光层BM2限定。第二开口区OA2可以是其中未设置第二遮光层BM2的区。第二开口区OA2中的每一个可以与第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4重叠。第二开口区OA2中的每一个的面积可以不同于与第二开口区OA2重叠的第一开口区OA1的面积。在实施例中,例如,第二开口区OA2中的每一个的面积可以小于与第二开口区OA2重叠的第一开口区OA1的面积。
由于第三发射区EA3的面积是最大的,因此第一开口区OA1当中的在第三方向(Z轴方向)上与第三发射区EA3重叠的第一开口区OA1中的每一个的面积可以是最大的。由于第二发射区EA2的面积和第四发射区EA4的面积是最小的,因此第一开口区OA1当中的在第三方向(Z轴方向)上与第二发射区EA2和第四发射区EA4重叠的第一开口区OA1中的每一个的面积可以是最小的。
另外,由于第三发射区EA3的面积是最大的,因此第二开口区OA2当中的在第三方向(Z轴方向)上与第三发射区EA3重叠的第二开口区OA2中的每一个的面积可以是最大的。由于第二发射区EA2的面积和第四发射区EA4的面积是最小的,因此第二开口区OA2当中的在第三方向(Z轴方向)上与第二发射区EA2和第四发射区EA4重叠的第二开口区OA2中的每一个的面积可以是最小的。
第二遮光层BM2的最小宽度W21至W24可以大于在第三方向(Z轴方向)上与第二遮光层BM2重叠的第一遮光层BM1的最小宽度W11至W14。第二遮光层BM2的最小宽度W21至W24可以大于在第三方向(Z轴方向)上与第二遮光层BM2重叠的驱动电极TE的宽度W3、感测电极RE的宽度W4以及连接电极BE1的宽度W5。
在图5和图6中,第一遮光层BM1的最小宽度W11至W14大于在第三方向(Z轴方向)上与第一遮光层BM1重叠的驱动电极TE的宽度W3、感测电极RE的宽度W4以及连接电极BE1的宽度W5。由于驱动电极TE的宽度W3、感测电极RE的宽度W4以及连接电极BE1的宽度W5小于第二遮光层BM2的最小宽度W21至W24,因此驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1可以被第二遮光层BM2覆盖。在另一实施例中,在第三方向(Z轴方向)上与第一遮光层BM1重叠的驱动电极TE的宽度W3、感测电极RE的宽度W4以及连接电极BE1的宽度W5可以大于第一遮光层BM1的最小宽度W11至W14,同时小于第二遮光层BM2的最小宽度W21至W24。
第一发射区EA1的面积、第二发射区EA2的面积和第三发射区EA3的面积彼此不同。因此,被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间的第一遮光层BM1的最小宽度W11、被设置在第二发射区EA2与第三发射区EA3之间的第一遮光层BM1的最小宽度W12、被设置在第三发射区EA3与第四发射区EA4之间的第一遮光层BM1的最小宽度W13以及被设置在第一发射区EA1与第四发射区EA4之间的第一遮光层BM1的最小宽度W14可以彼此不同。另外,被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间的第二遮光层BM2的最小宽度W21、被设置在第二发射区EA2与第三发射区EA3之间的第二遮光层BM2的最小宽度W22、被设置在第三发射区EA3与第四发射区EA4之间的第二遮光层BM2的最小宽度W23以及被设置在第一发射区EA1与第四发射区EA4之间的第二遮光层BM2的最小宽度W24可以彼此不同。
在实施例中,例如,第三发射区EA3的面积可以是最大的,并且第二发射区EA2的面积可以是最小的。在这种情况下,被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间的第一遮光层BM1的最小宽度W11以及被设置在第一发射区EA1与第四发射区EA4之间的第一遮光层BM1的最小宽度W14可以大于被设置在第二发射区EA2与第三发射区EA3之间的第一遮光层BM1的最小宽度W12以及被设置在第三发射区EA3与第四发射区EA4之间的第一遮光层BM1的最小宽度W13。另外,被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间的第一遮光层BM1的最小宽度W11和被设置在第一发射区EA1与第四发射区EA4之间的第一遮光层BM1的最小宽度W14可以基本上相等。另外,被设置在第二发射区EA2与第三发射区EA3之间的第一遮光层BM1的最小宽度W12和被设置在第三发射区EA3与第四发射区EA4之间的第一遮光层BM1的最小宽度W13可以基本上相等。
进一步,被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间的第二遮光层BM2的最小宽度W21以及被设置在第一发射区EA1与第四发射区EA4之间的第二遮光层BM2的最小宽度W24可以大于被设置在第二发射区EA2与第三发射区EA3之间的第二遮光层BM2的最小宽度W22以及被设置在第三发射区EA3与第四发射区EA4之间的第二遮光层BM2的最小宽度W23。另外,被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间的第二遮光层BM2的最小宽度W21和被设置在第一发射区EA1与第四发射区EA4之间的第二遮光层BM2的最小宽度W24可以基本上相等。另外,被设置在第二发射区EA2与第三发射区EA3之间的第二遮光层BM2的最小宽度W22和被设置在第三发射区EA3与第四发射区EA4之间的第二遮光层BM2的最小宽度W23可以基本上相等。
当第一发射区EA1和第二发射区EA2如图5中图示的在第四方向DR4上设置时,被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间的第一遮光层BM1的最小宽度W11和第二遮光层BM2的最小宽度W21可以分别是第一遮光层BM1在第四方向DR4上的宽度和第二遮光层BM2在第四方向DR4上的宽度。另外,当第二发射区EA2和第三发射区EA3如图5中图示的在第五方向DR5上设置时,被设置在第二发射区EA2与第三发射区EA3之间的第一遮光层BM1的最小宽度W12和第二遮光层BM2的最小宽度W22可以分别是第一遮光层BM1在第五方向DR5上的宽度和第二遮光层BM2在第五方向DR5上的宽度。另外,当第三发射区EA3和第四发射区EA4如图5中图示的在第四方向DR4上设置时,被设置在第三发射区EA3与第四发射区EA4之间的第一遮光层BM1的最小宽度W13和第二遮光层BM2的最小宽度W23可以分别是第一遮光层BM1在第四方向DR4上的宽度和第二遮光层BM2在第四方向DR4上的宽度。当第一发射区EA1和第四发射区EA4如图5中图示的在第五方向DR5上设置时,被设置在第一发射区EA1与第四发射区EA4之间的第一遮光层BM1的最小宽度W14和第二遮光层BM2的最小宽度W24可以分别是第一遮光层BM1在第五方向DR5上的宽度和第二遮光层BM2在第五方向DR5上的宽度。
如图5和图6中图示的,由于发光层172与第二遮光层BM2之间的距离小于发光层172与第一遮光层BM1之间的距离,因此,与当显示装置10只包括第一遮光层BM1时相比,当显示装置10包括第一遮光层BM1和第二遮光层BM2时,从发光层172发射的光传播到第一至第四发射区EA1至EA4中的每一个中的边的角度可以更大。也就是说,显示装置10的视角可以被加宽。显示装置10的视角指示在显示装置10上可以看到图像的角度。
现在将参考图7详细描述用于加宽显示装置10的视角的从第一发射区EA1到第一遮光层BM1的水平距离L2以及从第一发射区EA1到第二遮光层BM2的水平距离L1。从第二发射区EA2到第一遮光层BM1的水平距离L2、从第三发射区EA3到第一遮光层BM1的水平距离L2以及从第四发射区EA4到第一遮光层BM1的水平距离L2可以基本上等于参考图7描述的从第一发射区EA1到第一遮光层BM1的水平距离L2,并且从第二发射区EA2到第二遮光层BM2的水平距离L1、从第三发射区EA3到第二遮光层BM2的水平距离L1以及从第四发射区EA4到第二遮光层BM2的水平距离L1可以基本上等于参考图7描述的从第一发射区EA1到第二遮光层BM2的水平距离L1,并且因此其描述将被省略。
图7是详细图示图6的区A的放大的截面图。
参考图7,从发光层172发射的光可以穿过公共电极173、第一封装无机层TFE1、封装有机层TFE2、第二封装无机层TFE3、缓冲层BF、触摸绝缘层TINS1、第一粘合构件AHL1、第一滤色器CF1、支撑层PL、分离层SL、第二粘合构件AHL2和覆盖窗CW以出射到显示装置10之外。
从发光层172发射的光L可以在与层的边界对应的界面处通过斯涅耳定律折射。在实施例中,例如,从发光层172发射的光L可以在第一封装无机层TFE1与封装有机层TFE2之间的界面处、封装有机层TFE2与第二封装无机层TFE3之间的界面处、触摸绝缘层TINS1与第一粘合构件AHL1之间的界面处、第一粘合构件AHL1与第一滤色器CF1之间的界面处、第一滤色器CF1与支撑层PL之间的界面处以及覆盖窗CW与空气层之间的界面处通过斯涅耳定律折射。例如,从发光层172发射的光L也可以在公共电极173与第一封装无机层TFE1之间的界面处、第二封装无机层TFE3与缓冲层BF之间的界面处、缓冲层BF与触摸绝缘层TINS1之间的界面处、支撑层PL与分离层SL之间的界面处、分离层SL与第二粘合构件AHL2之间的界面处以及第二粘合构件AHL2与覆盖窗CW之间的界面处通过斯涅耳定律折射。然而,由于以上界面处的折射由于折射率的匹配而无关紧要,因此为了便于描述,在本文中被省略。
第一封装无机层TFE1的折射率可以被限定为n1,封装有机层TFE2的折射率为n2,第二封装无机层TFE3和触摸绝缘层TINS1的折射率为n3,第一粘合构件AHL1的折射率为n4,第一滤色器CF1的折射率为n5,支撑层PL的折射率和覆盖窗CW的折射率为n6,并且空气层的折射率为n7。另外,在第一封装无机层TFE1与封装有机层TFE2之间的界面处的光L的入射角和光L的折射角可以被分别限定为θ1和θ2,在封装有机层TFE2与第二封装无机层TFE3之间的界面处的光L的入射角和光L的折射角可以被分别限定为θ2和θ3,在触摸绝缘层TINS1与第一粘合构件AHL1之间的界面处的光L的入射角和光L的折射角可以被分别限定为θ3和θ4,在第一粘合构件AHL1与第一滤色器CF1之间的界面处的光L的入射角和光L的折射角可以被分别限定为θ4和θ5,在第一滤色器CF1与支撑层PL之间的界面处的光L的入射角和光L的折射角可以被分别限定为θ5和θ6,并且在覆盖窗CW与空气层之间的界面处的光L的入射角和光L的折射角可以被分别限定为θ6和θ7。在这种情况下,n1至n7以及θ1至θ7可以如等式(1)中限定:
Figure BDA0003413036620000241
在等式(1)中,覆盖窗CW的折射率n6可以如等式(2)中计算:
Figure BDA0003413036620000242
另外,在等式(1)中,第一滤色器CF1的折射率n5以及在第一粘合构件AHL1与第一滤色器CF1之间的界面处的光L的折射角θ5可以如等式(3)中计算:
Figure BDA0003413036620000243
以类似的方式,第一粘合构件AHL1的折射率n4以及在触摸绝缘层TINS1与第一粘合构件AHL1之间的界面处的光L的折射角θ4可以如等式(4)中计算:
Figure BDA0003413036620000244
另外,以类似的方式,第二封装无机层TFE3的折射率n3以及在封装有机层TFE2与第二封装无机层TFE3之间的界面处的光L的折射角θ3可以如等式(5)中计算:
Figure BDA0003413036620000251
另外,以类似的方式,封装有机层TFE2的折射率n2以及在第一封装无机层TFE1与封装有机层TFE2之间的界面处的光L的入射角θ2可以如等式(6)中计算:
Figure BDA0003413036620000252
另外,以类似的方式,第一封装无机层TFE1的折射率n1以及在第一封装无机层TFE1与封装有机层TFE2之间的界面处的光L的入射角θ1可以如等式(7)中计算:
Figure BDA0003413036620000253
从发光层172发射的光L在平行于基板SUB的水平方向上传播到第二遮光层BM2的距离ΔX可以大于图7的距离L1。图7的距离ΔX可以包括光L在第一封装无机层TFE1内在水平方向上移动的距离ΔX1、光L在封装有机层TFE2内在水平方向上移动的距离ΔX2、光L在第二封装无机层TFE3或触摸绝缘层TINS1内在水平方向上移动的距离ΔX3以及光L在第一粘合构件AHL1内在水平方向上移动的距离ΔXbm2,并且可以被归纳为等式(8):
Figure BDA0003413036620000254
类似地,图7的距离ΔX’可以包括光L在第一封装无机层TFE1内在水平方向上移动的距离ΔX1、光L在封装有机层TFE2内在水平方向上移动的距离ΔX2、光L在第二封装无机层TFE3或触摸绝缘层TINS1内在水平方向上移动的距离ΔX3、光L在第一粘合构件AHL1内在水平方向上移动的距离ΔX4以及光L在第一滤色器CF1内在水平方向上移动的距离ΔXbm1,并且可以被归纳为等式(9):
Figure BDA0003413036620000255
这里,根据等式(1)至(7),θi可以如等式(10)中计算:
Figure BDA0003413036620000261
当等式(10)被代入等式(8)时,从第一发射区EA1到第二遮光层BM2的水平距离L1可以如不等式(11)中计算:
Figure BDA0003413036620000262
当等式(10)被代入等式(9)时,从第一发射区EA1到第一遮光层BM1的水平距离L2可以如不等式(12)中计算:
Figure BDA0003413036620000263
如图7中图示的,从第一发射区EA1到第二遮光层BM2的水平距离L1可以小于从第一发射区EA1到第一遮光层BM1的水平距离L2。
图8是沿着图5的线C-C’截取的显示装置10的实施例的截面图。
图8的实施例与图6的实施例的不同之处在于紫外吸收层UVL被设置在第二遮光层BM2上。在图8中,将主要描述与图6的实施例的不同之处。
参考图8,紫外吸收层UVL可以被设置在第二遮光层BM2与第一粘合构件AHL1之间。在实施例中,紫外吸收层UVL可以包括其中紫外吸收材料被添加到诸如丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、异戊二烯树脂、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、苝树脂或酰亚胺树脂的基质材料中的材料。紫外吸收材料可以与基质材料交联。
在实施例中,紫外吸收材料可以吸收具有大约200nm至大约400nm的波长的光。在实施例中,例如,紫外吸收材料可以包括二苯甲酮类化合物、苯并***类化合物、苯甲酸酯类化合物、氰基丙烯酸酯类化合物、三嗪类化合物、草酰苯胺类化合物和水杨酸酯类化合物中的至少一种。
在实施例中,二苯甲酮类化合物可以包括2,4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羟基-4-辛基二苯甲酮、4-十二烷氧基-2-羟基二苯甲酮、4-苄氧基-2-羟基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羟基二苯甲酮和2,2’-二羟基4,4’-二甲氧基二苯甲酮中的至少一种。
在实施例中,苯并***类化合物可以包括2-(5-甲基-2-羟基苯基)苯并***、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、2-(3-5-二叔丁基-2-羟基苯基)苯并***、2-(3-叔丁基-5-甲基-2-羟基苯基)-5-氯苯并***、2-(3,5-二叔丁基-2-羟基苯基)-5-氯苯并***、2-(3,5-二叔酰基-2-羟基苯基)苯并***和2-(2’-羟基5’-叔辛基苯基)苯并***中的至少一种。
在实施例中,苯甲酸酯类化合物可以包括2,4-二叔丁基苯基-3’,5’-二叔丁基-4-羟基苯甲酸酯。
在实施例中,三嗪类化合物可以包括2-[4-[(2-羟基-3-十二烷氧基丙基)氧基]-2-羟基苯基]-4,6-双(2,4-二甲基苯基)1,3,5-三嗪。
在实施例中,水杨酸酯类化合物可以包括水杨酸苯酯和4-叔丁基苯基水杨酸酯中的至少一种。
由于滤色器层CFL的透光率高于偏光板的透光率,因此当显示装置10包括滤色器层CFL而不是偏光板时,更多的光可以从外部入射到第一至第四发射区EA1至EA4上。当显示装置10包括紫外吸收层UVL时,可以防止显示装置10的第一至第四发射区EA1至EA4的可靠性由于从外部入射的光而降低。
在图8中,紫外吸收层UVL被设置在第二遮光层BM2与第一粘合构件AHL1之间。然而,本说明书的实施例不限于此。在实施例中,例如,第一粘合构件AHL1可以包括紫外吸收材料以吸收具有大约200nm至大约400nm的波长的光。
图9是沿着图5的线C-C’截取的显示装置10的实施例的截面图。
图9的实施例与图6的实施例的不同之处在于光吸收层LAL被设置在第二遮光层BM2上。在图9中,将主要描述与图6的实施例的不同之处。
参考图9,光吸收层LAL可以被设置在第二遮光层BM2与第一粘合构件AHL1之间。光吸收层LAL可以包括可以吸收预定波长范围中的光的染料或颜料。光吸收层LAL可以包括至少一种染料或颜料,或者可以包括多种染料或颜料的组合。
如图10中图示的,光吸收层LAL可以选择性地吸收预定波长范围中的光。在图10中,X轴指示光的波长,并且Y轴指示光的透射率。在实施例中,例如,光吸收层LAL可以吸收具有大约470nm至大约510nm的波长的光以及具有大约570nm至大约610nm的波长的光,以在大约470nm至大约510nm的波长范围以及大约570nm至大约610nm的波长范围中将透光率降低至大约百分之50(%)以下。在这种情况下,由显示面板100的金属线反射的外部光的颜色可以被调整为红色。另外,从显示装置10发射的光的颜色可以被调整为红色。
在替代实施例中,如图11中图示的,光吸收层LAL可以是降低大约400nm至大约750nm的波长范围中的光的总透射率的中性密度(“ND”)滤色器,以便降低外部光的反射率。在图11中,X轴指示光的波长,Y轴指示光的透射率,并且OD指示光密度。随着ND滤色器的光密度变得更高,光的透射率变得更低。因此,ND滤色器的光密度可以考虑光的透射率来设置。
在图9中,光吸收层LAL被设置在第二遮光层BM2与第一粘合构件AHL1之间。然而,本说明书的实施例不限于此。在实施例中,例如,第一粘合构件AHL1可以包括可以吸收光的染料或颜料以选择性地吸收预定波长范围中的光或者降低大约400nm至大约750nm的波长范围中的光的总透射率。
图12是沿着图5的线C-C’截取的显示装置10的实施例的截面图。
图12的实施例与图6的实施例的不同之处在于紫外吸收层UVL和光吸收层LAL被设置在第二遮光层BM2上。紫外吸收层UVL与参考图8描述的紫外吸收层UVL基本上相同,并且光吸收层LAL与参考图9至图11描述的光吸收层LAL基本上相同。因此,图12的实施例的描述被省略。
图13是沿着图5的线C-C’截取的显示装置10的实施例的截面图。
图13的实施例与图6的实施例的不同之处在于省略了第一遮光层BM1。在图13中,将主要描述与图6的实施例的不同之处。
参考图13,第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的重叠区吸收第一光、第二光和第三光中的全部,并且因此与不透射光的第一遮光层BM1起到基本上相同的作用。因此,不是第一遮光层BM1而是第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的重叠区可以被设置在第一发射区EA1与第二发射区EA2之间、第二发射区EA2与第三发射区EA3之间、第三发射区EA3与第四发射区EA4之间以及第一发射区EA1与第四发射区EA4之间。也就是说,第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的重叠区在第三方向(Z轴方向)上不与第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4重叠。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的重叠区可以在第三方向(Z轴方向)上与驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1重叠。另外,第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的重叠区可以围绕第一发射区EA1、第二发射区EA2、第三发射区EA3和第四发射区EA4中的每一个。
图14是沿着图5的线C-C’截取的显示装置10的实施例的截面图。
图14的实施例与图6的实施例的不同之处在于第二遮光层BM2被设置在封装层TFEL上,并且触摸感测层TSL被设置在第二遮光层BM2上。在图14中,将主要描述与图6的实施例的不同之处。
参考图14,第二遮光层BM2可以被设置在封装层TFEL的第二封装无机层TFE3上。第三平坦化层191可以被设置在第二遮光层BM2上以平坦化由于第二遮光层BM2而导致的台阶。在实施例中,第三平坦化层191可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层或者由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层组成。触摸感测层TSL可以被设置在第三平坦化层191上。
如图14中图示的,与当第二遮光层BM2被设置在触摸感测层TSL上时相比,当第二遮光层BM2被设置在封装层TFEL与触摸感测层TSL之间时,发光层172与第二遮光层BM2之间的距离可以更小。因此,从发光层172发射的光传播到第一至第四发射区EA1至EA4中的每一个中的边的角度可以更大。也就是说,显示装置10的视角可以更宽。
另外,如图14中图示的,与当第二遮光层BM2被设置在触摸感测层TSL上时相比,当第二遮光层BM2被设置在封装层TFEL与触摸感测层TSL之间时,触摸感测层TSL的驱动电极TE与公共电极173之间的距离以及感测电极RE与公共电极173之间的距离可以更大。由于驱动电极TE与公共电极173之间的寄生电容跟驱动电极TE与公共电极173之间的距离成反比,因此,与当第二遮光层BM2被设置在触摸感测层TSL上时相比,当第二遮光层BM2被设置在封装层TFEL与触摸感测层TSL之间时,驱动电极TE与公共电极173之间的寄生电容可以更小。另外,与当第二遮光层BM2被设置在触摸感测层TSL上时相比,当第二遮光层BM2被设置在封装层TFEL与触摸感测层TSL之间时,感测电极RE与公共电极173之间的寄生电容可以更小。因此,触摸感测层TSL的触摸灵敏度可以增加。
图15是显示装置10的显示区DA的实施例的平面图。
图15的实施例与图5的实施例的不同之处在于第一发射区EA1和第三发射区EA3中的每一个在平面图中具有X形状,并且第二发射区EA2和第四发射区EA4中的每一个在平面图中具有圆形形状。在图15中,将主要描述与图5的实施例的不同之处。
参考图15,第一发射区EA1和第三发射区EA3中的每一个可以包括至少一条弧。在实施例中,例如,第一发射区EA1和第三发射区EA3中的每一个可以包括向内凹进的第一弧和向外突出的第二弧。第一发射区EA1和第三发射区EA3中的每一个可以包括多条第一弧和多条第二弧。
在替代实施例中,第一发射区EA1和第三发射区EA3中的每一个可以包括向内凹进的弧和直线。在实施例中,例如,第一发射区EA1和第三发射区EA3中的每一个可以包括直线而不是向外突出的第二弧。第一发射区EA1和第三发射区EA3中的每一个可以包括多条弧和多条直线。
在图15中,第一发射区EA1和第三发射区EA3中的每一个具有X平面形状。然而,本说明书的实施例不限于此。在实施例中,例如,第一发射区EA1和第三发射区EA3中的每一个可以具有十字(+)平面形状。
另外,在图15中,第二发射区EA2和第四发射区EA4中的每一个具有圆形平面形状。然而,本说明书的实施例不限于此。在实施例中,例如,第二发射区EA2和第四发射区EA4中的每一个可以具有椭圆形平面形状或诸如正方形的多边形平面形状。
第一开口区OA1中的每一个的平面形状可以取决于与第一开口区OA1重叠的发射区的平面形状。在实施例中,例如,与第一发射区EA1和第三发射区EA3重叠的第一开口区OA1中的每一个的平面形状可以与第一发射区EA1的平面形状和第三发射区EA3的平面形状基本上相同。与第二发射区EA2和第四发射区EA4重叠的第一开口区OA1中的每一个的平面形状可以与第二发射区EA2的平面形状和第四发射区EA4的平面形状基本上相同。在实施例中,例如,如图15中图示的,与第一发射区EA1和第三发射区EA3重叠的第一开口区OA1中的每一个可以具有X平面形状,并且与第二发射区EA2和第四发射区EA4重叠的第一开口区OA1中的每一个可以具有圆形平面形状。
另外,第二开口区OA2中的每一个的平面形状可以取决于与第二开口区OA2重叠的发射区的平面形状。与第一发射区EA1和第三发射区EA3重叠的第二开口区OA2中的每一个的平面形状可以与第一发射区EA1的平面形状和第三发射区EA3的平面形状基本上相同。与第二发射区EA2和第四发射区EA4重叠的第二开口区OA2中的每一个的平面形状可以与第二发射区EA2的平面形状和第四发射区EA4的平面形状基本上相同。在实施例中,例如,如图15中图示的,与第一发射区EA1和第三发射区EA3重叠的第二开口区OA2中的每一个可以具有X平面形状,并且与第二发射区EA2和第四发射区EA4重叠的第二开口区OA2中的每一个可以具有圆形平面形状。
图16是显示装置10的截面图。图17是显示装置10的显示区DA的实施例的平面图。图18是沿着图17的线D-D’截取的显示装置10的实施例的截面图。
图16至图18的实施例与图2、图6和图7的实施例的不同之处在于触摸感测层TSL被设置在支撑层PL与覆盖窗CW之间。在图16至图18中,将主要描述与图2、图6和图7的实施例的不同之处。
参考图16至图18,触摸感测层TSL可以被设置在分离层SL或支撑层PL上。触摸感测层TSL可以是与显示面板100(参考图2)分开形成或提供的触摸面板或触摸膜,而不是与显示面板100一体形成。触摸感测层TSL可以包括多个触摸电极。
第二粘合构件AHL2可以被设置在触摸感测层TSL与分离层SL或支撑层PL之间。第二粘合构件AHL2将触摸感测层TSL结合到分离层SL或支撑层PL。在实施例中,第二粘合构件AHL2可以是诸如OCA膜或OCR的透明粘合构件。
第三粘合构件AHL3可以被设置在触摸感测层TSL上。第三粘合构件AHL3将触摸感测层TSL结合到覆盖窗CW。在实施例中,第三粘合构件AHL3可以是诸如OCA膜或OCR的透明粘合构件。
如图16至图18中图示的,与当触摸感测层TSL被设置在封装层TFEL上时相比,当触摸感测层TSL被设置在分离层SL或支撑层PL上时,触摸感测层TSL的触摸电极与公共电极173之间的距离可以更大。由于驱动电极TE与公共电极173之间的寄生电容跟驱动电极TE与公共电极173之间的距离成反比,因此,与当触摸感测层TSL被设置在封装层TFEL上时相比,当触摸感测层TSL被设置在分离层SL或支撑层PL上时,驱动电极TE与公共电极173之间的寄生电容可以更小。另外,与当触摸感测层TSL被设置在封装层TFEL上时相比,当触摸感测层TSL被设置在分离层SL或支撑层PL上时,感测电极RE与公共电极173之间的寄生电容可以更小。因此,触摸感测层TSL的触摸灵敏度可以增加。
另外,第一粘合构件AHL1和第二粘合构件AHL2中的每一个可以包括低介电常数材料。在实施例中,例如,第一粘合构件AHL1和第二粘合构件AHL2中的每一个可以包括更长的烷基链、大分子、氟端基、有机硅类单体或低聚物或者中空颗粒。
在实施例中,中空颗粒可以包括壳和被壳包围的空洞,壳包括二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)和氧化铁(Fe3O4)中的至少一种或者由二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)和氧化铁(Fe3O4)中的至少一种组成。在实施例中,中空颗粒的直径可以是大约20nm至大约200nm。在实施例中,中空颗粒的壳的厚度可以是大约5nm至大约20nm。随着中空颗粒的直径增加,第一粘合构件AHL1和第二粘合构件AHL2中的每一个的介电常数可以减小。
另外,随着中空颗粒的含量增加,第一粘合构件AHL1和第二粘合构件AHL2中的每一个的介电常数可以减小。随着中空颗粒的质量与第一粘合构件AHL1和第二粘合构件AHL2中的每一个的质量的比率增加,第一粘合构件AHL1和第二粘合构件AHL2中的每一个的介电常数可以减小。在实施例中,第一粘合构件AHL1的介电常数和第二粘合构件AHL2的介电常数可以是3.0以下。
触摸感测层TSL的触摸电极与公共电极173之间的寄生电容的介电常数可以与第一粘合构件AHL1的介电常数和第二粘合构件AHL2的介电常数成正比。因此,当第一粘合构件AHL1和第二粘合构件AHL2中的每一个的介电常数减小时,寄生电容可以减小。因此,触摸感测层TSL的触摸灵敏度可以增加。
图19是图示制造显示装置10的方法的流程图。图20是图示包括多个显示单元的第一支撑基板MSUB1和包括多个滤色器单元的第二支撑基板MSUB2的实施例的视图。图21是图示通过粘合构件结合在一起的第一支撑基板MSUB1的显示单元和第二支撑基板MSUB2的滤色器单元的实施例的视图。图22是图示第二支撑基板MSUB2的通过激光切割的支撑层PL的实施例的视图。图23是图示包括与支撑层PL分离的分离层SL的第二支撑基板MSUB2的实施例的视图。图24是图示覆盖窗CW被附接到多个显示面板100中的每一个的多个显示面板100的实施例的视图。
现在将参考图19至图24描述实施例中的制造显示装置10的方法。
首先,参考图20,多个显示面板100被形成或被设置在第一支撑基板MSUB1的表面上(图19的操作S110)。
如图2、图4和图6中图示的,显示面板100中的每一个可以包括TFT层TFTL、发光元件层EML、封装层TFEL和触摸感测层TSL。另外,如图6中图示的,显示面板100中的每一个可以进一步包括第二遮光层BM2。
其次,参考图20,分离层SL、支撑层PL和多个滤色器层CFL被形成或被设置在第二支撑基板MSUB2的表面上(图19的操作S120)。
支撑层PL可以包括第一有机材料,并且分离层SL可以包括第二有机材料。如图4中图示的,滤色器层CFL中的每一个可以包括第一遮光层BM1、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第二有机材料可以是与第一有机材料相比具有更低的剥离强度的材料。在实施例中,例如,分离层SL的剥离强度可以是大约1N/25mm。支撑层PL与滤色器层CFL之间的粘合力可以大于支撑层PL与分离层SL之间的粘合力。
在实施例中,第一有机材料和第二有机材料中的每一个可以包括聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚酰胺酸、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚降冰片烯、苯基马来酰亚胺共聚物、聚偶氮苯、聚苯邻苯二甲酰胺、聚酯、聚甲基甲基丙烯酸酯、聚芳酯、肉桂酸酯类聚合物、香豆素类聚合物、邻苯二甲酰亚胺类聚合物、查尔酮类聚合物和芳族乙炔类聚合物中的至少一种。在实施例中,第二有机材料可以进一步包括氟化合物以降低分离层SL的剥离强度。
第三,参考图21,使用多个第一粘合构件AHL1将显示面板100和滤色器层CFL结合在一起(图19的操作S130)。
第一粘合构件AHL1中的任何一个的表面可以接触显示面板100当中的与第一粘合构件AHL1对应的显示面板100,并且另一表面可以接触滤色器层CFL当中的与第一粘合构件AHL1对应的滤色器层CFL。在实施例中,第一粘合构件AHL1中的每一个可以是诸如OCA膜或OCR的透明粘合构件。
第四,参考图22,切割第二支撑基板MSUB2上的支撑层PL(图19的操作S140)。
可以使用激光或轮划线器切割支撑层PL。支撑层PL可以被切割以将支撑层PL的与滤色器层CFL重叠的第一区A1与支撑层PL的不与滤色器层CFL重叠的第二区A2分离。也就是说,支撑层PL的切口可以从滤色器层CFL中的每一个的每个侧表面延伸。
第五,参考图23,第二支撑基板MSUB2上的分离层SL与支撑层PL分离(图19的操作S150)。
由于分离层SL包括具有低剥离强度的材料,因此支撑层PL与分离层SL之间的粘合力可以小于支撑层PL与滤色器层CFL之间的粘合力。因此,当力被施加以将分离层SL与支撑层PL分离时,分离层SL可以与支撑层PL分离。这里,分离层SL的一部分可以保留在支撑层PL的表面上。在这种情况下,分离层SL的厚度可以小于支撑层PL的厚度。在替代实施例中,分离层SL可以不保留在支撑层PL的表面上。
第六,参考图24,覆盖窗CW被附接到被设置在滤色器层CFL中的每一个上的支撑层PL上,并且第一支撑基板MSUB1与显示面板100分离(图19的操作S160)。
覆盖窗CW通过多个第二粘合构件AHL2被附接到被设置在滤色器层CFL中的每一个上的支撑层PL上。然后,第一支撑基板MSUB1通过激光工艺与显示面板100分离以完成显示装置10。
如图19至图24中图示的,被形成或被设置在第一支撑基板MSUB1的表面上的显示面板100通过第一粘合构件AHL1被附接到被形成或被设置在第二支撑基板MSUB2的表面上的滤色器层CFL,并且具有低剥离强度的分离层SL与支撑层PL分离。因此,滤色器层CFL可以容易地被形成或被设置在显示面板100上。在这种情况下,不需要新设备来直接在显示面板100上形成滤色器层CFL,并且可以使用与低温工艺中使用的材料相比具有更低的单位成本的材料。因此,可以防止或最小化制造成本的增加。
在实施例中的显示装置及制造显示装置的方法中,被形成或被设置在第一支撑基板的表面上的多个显示面板通过多个第一粘合构件被附接到被形成或被设置在第二支撑基板的表面上的多个滤色器层,并且具有低剥离强度的分离层与支撑层分离。因此,滤色器层可以容易地被形成或被设置在显示面板上。在这种情况下,不需要新设备来直接在显示面板上形成滤色器层,并且可以使用与低温工艺中使用的材料相比具有更低的单位成本的材料。因此,可以防止或最小化制造成本的增加。
本发明不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反,这些实施例被提供使得本发明将是全面的和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的构思。
虽然已经参考本发明的实施例具体示出并描述了本发明,但是本领域普通技术人员将理解,可以对其进行形式上和细节上的各种改变而不背离本发明的精神或范围。

Claims (32)

1.一种显示装置,包括:
基板;
多个像素电极,被设置在所述基板上;
堤,分别部分地暴露所述多个像素电极的开口区被限定在所述堤中;
有机发光层,分别被设置在所述多个像素电极上并且与所述多个像素电极对应;
公共电极,被设置在所述有机发光层和所述堤上;
封装层,被设置在所述公共电极上;
触摸电极,被设置在所述封装层上并且在所述基板的厚度方向上不与所述开口区重叠,所述基板的所述厚度方向与所述基板的主平面延伸方向垂直;
第一粘合构件,被设置在所述触摸电极上;
第一遮光层,被设置在所述第一粘合构件上并且在所述基板的所述厚度方向上不与所述开口区重叠;
多个滤色器,被设置在所述第一粘合构件上并且在所述基板的所述厚度方向上与所述开口区重叠;和
支撑层,被设置在所述第一遮光层和所述多个滤色器上并且包括第一有机材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
覆盖窗,被设置在所述支撑层上;和
第二粘合构件,被设置在所述支撑层与所述覆盖窗之间。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,进一步包括:
分离层,被设置在所述支撑层上并且包括不同于所述第一有机材料的第二有机材料。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述分离层的厚度小于所述支撑层的厚度。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述支撑层与所述多个滤色器之间的粘合力大于所述支撑层与所述分离层之间的粘合力。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,所述触摸电极的宽度小于所述第一遮光层的宽度。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置,进一步包括:
第二遮光层,被设置在所述触摸电极与所述第一粘合构件之间并且在所述基板的所述厚度方向上不与所述开口区重叠。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二遮光层的光密度高于所述第一遮光层的光密度。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二遮光层的厚度大于所述第一遮光层的厚度。
10.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二遮光层的黑色颜料的重量比大于所述第一遮光层的黑色颜料的重量比。
11.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二遮光层的最小宽度大于所述触摸电极的宽度,并且所述第二遮光层的所述最小宽度大于所述第一遮光层的最小宽度。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一遮光层的所述最小宽度大于所述触摸电极的所述宽度。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述触摸电极的所述宽度大于所述第一遮光层的所述最小宽度。
14.根据权利要求7所述的显示装置,进一步包括:
第一发射区,被设置在所述多个像素电极当中的第一像素电极上并且包括所述有机发光层当中的发射第一光的第一有机发光层;
第二发射区,被设置在所述多个像素电极当中的第二像素电极上并且包括所述有机发光层当中的发射第二光的第二有机发光层;
第三发射区,被设置在所述多个像素电极当中的第三像素电极上并且包括所述有机发光层当中的发射第三光的第三有机发光层;和
第四发射区,被设置在所述多个像素电极当中的第四像素电极上并且包括所述第二有机发光层。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,被设置在所述第一发射区与所述第二发射区之间的所述第一遮光层的最小宽度不同于被设置在所述第二发射区与所述第三发射区之间的所述第一遮光层的最小宽度。
16.根据权利要求14所述的显示装置,其中,被设置在所述第三发射区与所述第四发射区之间的所述第一遮光层的最小宽度不同于被设置在所述第一发射区与所述第四发射区之间的所述第一遮光层的最小宽度。
17.根据权利要求14所述的显示装置,其中,被设置在所述第一发射区与所述第二发射区之间的所述第一遮光层的最小宽度等于被设置在所述第一发射区与所述第四发射区之间的所述第一遮光层的最小宽度。
18.根据权利要求14所述的显示装置,其中,被设置在所述第二发射区与所述第三发射区之间的所述第一遮光层的最小宽度等于被设置在所述第三发射区与所述第四发射区之间的所述第一遮光层的最小宽度。
19.根据权利要求14所述的显示装置,其中,被设置在所述第一发射区与所述第二发射区之间的所述第二遮光层的最小宽度不同于被设置在所述第二发射区与所述第三发射区之间的所述第二遮光层的最小宽度。
20.根据权利要求14所述的显示装置,其中,被设置在所述第三发射区与所述第四发射区之间的所述第二遮光层的最小宽度不同于被设置在所述第一发射区与所述第四发射区之间的所述第二遮光层的最小宽度。
21.根据权利要求14所述的显示装置,其中,被设置在所述第一发射区与所述第二发射区之间的所述第二遮光层的最小宽度等于被设置在所述第一发射区与所述第四发射区之间的所述第二遮光层的最小宽度。
22.根据权利要求14所述的显示装置,其中,被设置在所述第二发射区与所述第三发射区之间的所述第二遮光层的最小宽度等于被设置在所述第三发射区与所述第四发射区之间的所述第二遮光层的最小宽度。
23.根据权利要求14所述的显示装置,其中,在所述基板的所述主平面延伸方向上,从所述第一发射区到所述第一遮光层的距离大于从所述第一发射区到所述第二遮光层的距离。
24.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述多个滤色器包括:
第一滤色器,在所述基板的所述厚度方向上与所述第一发射区重叠;
第二滤色器,在所述基板的所述厚度方向上与所述第二发射区重叠;和
第三滤色器,在所述基板的所述厚度方向上与所述第三发射区重叠。
25.根据权利要求1或2所述的显示装置,进一步包括:
第二遮光层,被设置在所述触摸电极与所述封装层之间并且在所述基板的所述厚度方向上不与所述开口区重叠。
26.根据权利要求1或2所述的显示装置,进一步包括:
紫外吸收层,被设置在所述触摸电极上并且吸收具有200纳米至400纳米的波长的光。
27.根据权利要求1或2所述的显示装置,进一步包括:
光吸收层,被设置在所述触摸电极上并且吸收具有预定波长范围的光。
28.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
在第一支撑基板的表面上形成多个显示面板;
在第二支撑基板的表面上形成分离层并且在所述分离层上形成支撑层,并且在所述支撑层上形成多个滤色器层;
通过多个第一粘合构件将所述第一支撑基板上的所述多个显示面板附接到所述第二支撑基板上的所述多个滤色器层;
切割所述第二支撑基板上的所述支撑层;
将所述第二支撑基板上的所述分离层与所述支撑层分离;并且
切割所述多个显示面板,并且通过多个第二粘合构件将覆盖窗附接到所述多个滤色器层中的每一个上的所述支撑层上。
29.根据权利要求28所述的方法,其中,所述支撑层与所述多个滤色器层之间的粘合力大于所述支撑层与所述分离层之间的粘合力。
30.根据权利要求28所述的方法,其中,在所述切割所述第二支撑基板上的所述支撑层时,所述支撑层被切割以将所述支撑层的在所述第二支撑基板的厚度方向上与所述多个滤色器层重叠的第一区与所述支撑层的不与所述多个滤色器层重叠的第二区分离,所述第二支撑基板的所述厚度方向与所述第二支撑基板的主平面延伸方向垂直。
31.根据权利要求30所述的方法,其中,在所述将所述第二支撑基板上的所述分离层与所述支撑层分离时,所述分离层的一部分保留在所述支撑层的表面上。
32.根据权利要求31所述的方法,其中,所述分离层的所述一部分的厚度小于所述支撑层的厚度。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20240069924A (ko) * 2022-11-11 2024-05-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015152158A1 (ja) * 2014-03-31 2017-04-13 株式会社Joled 積層体および積層体の剥離方法ならびに可撓性デバイスの製造方法
KR20160017396A (ko) * 2014-08-05 2016-02-16 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR101586736B1 (ko) 2014-11-20 2016-01-20 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법
WO2016151908A1 (ja) * 2015-03-26 2016-09-29 富士フイルム株式会社 タッチパネル
KR102381287B1 (ko) 2015-04-24 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN104965617B (zh) * 2015-06-30 2018-11-02 上海天马微电子有限公司 触控显示面板
KR102403000B1 (ko) 2015-10-01 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102454824B1 (ko) 2016-03-25 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
CN106157818B (zh) 2016-09-05 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
KR20180046708A (ko) 2016-10-28 2018-05-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20180074985A (ko) * 2016-12-26 2018-07-04 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR102356792B1 (ko) * 2017-06-28 2022-01-27 엘지디스플레이 주식회사 보호필름 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법
KR102551140B1 (ko) * 2017-09-20 2023-07-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102477579B1 (ko) * 2017-11-15 2022-12-13 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 갖는 전자장치 및 표시장치
KR102431808B1 (ko) * 2017-12-11 2022-08-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR102480896B1 (ko) 2018-01-12 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102508724B1 (ko) * 2018-02-14 2023-03-14 삼성디스플레이 주식회사 지문 센싱 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
CN111788274A (zh) * 2018-02-28 2020-10-16 3M创新有限公司 包含聚烯烃共聚物添加剂的聚异丁烯粘合剂
KR102655476B1 (ko) 2018-05-03 2024-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20210017056A (ko) * 2019-08-06 2021-02-17 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR20210083005A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 패널
CN116133490A (zh) * 2020-05-29 2023-05-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置
CN111883576B (zh) 2020-09-09 2022-09-02 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示装置及成型方法

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