CN114497160A - 显示面板及其制作方法及电子设备 - Google Patents

显示面板及其制作方法及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN114497160A
CN114497160A CN202210107948.1A CN202210107948A CN114497160A CN 114497160 A CN114497160 A CN 114497160A CN 202210107948 A CN202210107948 A CN 202210107948A CN 114497160 A CN114497160 A CN 114497160A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pixel
display panel
light
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210107948.1A
Other languages
English (en)
Inventor
刘佳
熊志勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202210107948.1A priority Critical patent/CN114497160A/zh
Publication of CN114497160A publication Critical patent/CN114497160A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法及电子设备,设置第一电极的高度不完全相同,对于相邻的具有不同高度的第一电极,能够缩短二者之间的横向距离,且能够避免二者对应发光元件的短路问题,可以提高显示面板的分辨率。而且设置像素定义层具有区块,区块位于两个相邻像素开口之间,区块背离阵列基板的表面到该相邻两个像素开口底部之间的距离不同,如是能够增加该相邻两个像素开口之间的公共有机层长度以及第二电极层的长度,从而增大两发光元件之间公共有机层的阻抗以及第二电极层的阻抗,降低横向漏流,提高显示质量。

Description

显示面板及其制作方法及电子设备
技术领域
本申请涉及电子设备技术领域,更具体的说,涉及一种显示面板及其制作方法及电子设备。
背景技术
随着科学技术的不断发展,越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。
电子设备实现显示功能的主要部件是显示面板,OLED显示面板不需背光源,可以主动发光,且具有对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等诸多有点,成为当今主流显示面板之一。
随着显示面板分辨率的不断提高,导致OLED显示面板中,子像素的距离越来越近,从而导致OLED显示面板中,子像素之间具有较大的横向漏流,影响显示效果。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种显示面板及其制作方法及电子设备,方案如下:
一种显示面板,显示面板具有显示区以及包围显示区的边框区,显示面板包括:
阵列基板;
设置在阵列基板上的第一导电层,第一导电层包括多个第一电极,第一电极的高度不完全相同;其中,高度为相对于阵列基板的距离;
设置在第一导电层背离阵列基板一侧的像素定义层,像素定义层具有多个与第一电极一一对应的像素开口,像素开口用于露出第一电极;
位于显示区的显示阵列,显示阵列具有多个发光元件;发光元件包括层叠设置的发光功能层以及公共有机层;发光功能层位于像素开口内;发光元件的公共有机层为同一膜层,覆盖相邻两个像素开口之间的像素定义层;
覆盖显示阵列的第二导电层,第二导电层作为发光元件公共的第二电极;
其中,像素定义层具有至少一个区块,区块位于相邻两个像素开口之间,且区块背离阵列基板的表面到该相邻两个像素开口底部之间的距离不同。
本申请技术方案还提供了一种电子设备,包括上述显示面板。
本申请技术方案还提供了一种显示面板的制作方法,包括:
提供阵列基板;
在阵列基板上形成第一导电层,第一导电层包括多个第一电极,第一电极的高度不完全相同;其中,高度为相对于阵列基板的距离;
在第一导电层上形成像素定义层,像素定义层具有多个与第一电极一一对应的像素开口,像素开口用于露出第一电极;
在显示区形成显示阵列,显示阵列具有多个发光元件;发光元件包括层叠设置的发光功能层以及公共有机层;发光功能层位于像素开口内;发光元件的公共有机层为同一膜层,覆盖相邻两个像素开口之间的像素定义层;
形成覆盖显示阵列的第二导电层,第二导电层作为发光元件公共的第二电极;
其中,像素定义层具有至少一个区块,区块位于相邻两个像素开口之间,且区块背离阵列基板的表面到该相邻两个像素开口底部之间的距离不同。
通过上述描述可知,本申请技术方案提供的显示面板及其制作方法及电子设备中,设置第一电极的高度不完全相同,对于相邻的具有不同高度的第一电极,能够缩短二者之间的横向距离,且能够避免二者对应发光元件的短路问题,可以提高显示面板的分辨率。而且设置像素定义层具有区块,区块位于两个相邻像素开口之间,区块背离阵列基板的表面到该相邻两个像素开口底部之间的距离不同,如是能够增加该相邻两个像素开口之间的公共有机层长度以及第二电极层的长度,从而增大两发光元件之间公共有机层的阻抗以及第二电极层的阻抗,降低横向漏流,提高显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本申请可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
图1为一种常规OLED显示面板的切面图;
图2为图1所示显示面板无法进一步提升开口率的原理示意图;
图3为本申请实施例提供的一种显示面板的切面图;
图4为图3所示显示面板降低横向漏流的原理示意图;
图5为图3所示显示面板能够提升开口率的原理示意图;
图6为本申请实施例提供的一种发光元件的结构示意图;
图7为本申请实施例提供的另一种显示面板的切面图;
图8为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图;
图9为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图;
图10为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图;
图11为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图;
图12为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图;
图13为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图;
图14申请实施例提供的又一种显示面板的切面图;
图15为本申请实施例提供的一种显示面板中像素单元排布示意图;
图16为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图;
图17为本申请实施例提供的一种显示面板在边框区的切面图;
图18为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图;
图19为本申请实施例提供的一种制作方法的流程示意图;
图20为本申请实施例提供的形成第一导电层的方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请中的实施例进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
如图1和图2所示,图1为一种常规OLED显示面板的切面图,图2为图1所示显示面板无法进一步提升开口率的原理示意图,所示OLED显示面板包括:阵列基板10,具有像素电路;设置在阵列基板10上的第一电极层,包括多个阳极11,阳极11通过通孔和像素电路连接;设置在第一电极层11上的像素定义层12,像素定义层12具有露出阳极11的像素开口14;位于像素开14口内的发光功能层13。
所示显示面板中发光元件为OLED子像素,在垂直于显示板面板方向上,OLED子像素包括依次层叠设置的阳极11、第一公共有机层、发光功能层、第二公共有机层以及阴极。第一公共有机层、第二公共有机层以及阴极均为整面结构,所有OLED子像素公用。第一公共有机层包括在层叠方向上依次设置的空穴注入层和空穴传输层,第二公共有机层包括在层叠方向上依次设置的电子传输层和电子注入层。图1中仅示出了OLED子像素的两电极以及位于两电极之间的发光功能层13,并未示出第一公共有机层和第二公共有机层。
在图1所示显示面板中,各个像素开口14的深度相同。发光功能层13与像素开口14的侧壁之间具有间隙,受形成发光功能层13的蒸镀工艺以及掩膜版精度影响,该间隙的宽度具有最小值d1,无法消除。由于各个发光元件的阳极11为共平面设计,为了避免发光元件的阳极11短路,相邻两个发光元件之间像素定义层12的宽度具有最小值d2。因此,相邻两个发光元件的发光功能层13之间的距离为D=2d1+d2。其中的,本申请实施例中,通过发光功能层13之间的距离表征相邻两个发光元件之间的距离D。
一般的,D≥4μm。D的值较大,影响开口率,导致面板的分辨率无法进一步提升。而且,发光元件还包括为了避免相邻两个发光元件之间的横向漏流,需要进一步增大d2的取值,进而导致D的取值进一步增大,会进一步降低开口率和分辨率。
通过上述描述可知,d1受到掩膜版和蒸镀工艺精度影响,无法消除,而d2由于阳极11的共平面设计、相邻发光元件之间的短路设计以及防止相邻两个发光元件之间的横向漏流设计等,必须具有较大的值,因此图1所示显示面板结构,D的取值较大,无法降低,开口率提升困难。
为了解决上述问题,本申请技术方案提供了一种显示面板及其制作方法及电子设备,设置第一电极的高度不完全相同,对于相邻的具有不同高度的第一电极,能够缩短二者之间的横向距离,且能够避免二者对应发光元件的短路问题,可以提高显示面板的分辨率。而且设置像素定义层具有区块,区块位于两个相邻像素开口之间,区块背离阵列基板的表面到该相邻两个像素开口底部之间的距离不同,如是能够增加该相邻两个像素开口之间的公共有机层长度以及第二电极层的长度,从而增大两发光元件之间公共有机层的阻抗以及第二电极层的阻抗,降低横向漏流,提高显示质量。
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
如图3-图5所示,图3为本申请实施例提供的一种显示面板的切面图,图4为图3所示显示面板降低横向漏流的原理示意图,图5为图3所示显示面板能够提升开口率的原理示意图,所示显示面板具有显示区以及包围显示区的边框区,显示面板包括:
阵列基板20;
设置在阵列基板20上的第一导电层21,第一导电层21包括多个第一电极211,第一电极211的高度不完全相同;其中,高度为相对于阵列基板20的距离;
设置在第一导电层21背离阵列基板20一侧的像素定义层22,像素定义层22具有多个与第一电极211一一对应的像素开口23,像素开口23用于露出第一电极211;
位于显示区的显示阵列,显示阵列具有多个发光元件;发光元件包括层叠设置的发光功能层24以及公共有机层25;发光功能层24位于像素开口23内;发光元件的公共有机层25为同一膜层,覆盖相邻两个像素开口23之间的像素定义层22;
覆盖显示阵列的第二导电层27,第二导电层27作为发光元件公共的第二电极271;
其中,像素定义层具有至少一个区块26,区块26位于相邻两个像素开口23之间,且区块26背离阵列基板的表面261到该相邻两个像素开口23底部之间的距离不同。
本申请实施例中,显示面板为OLED显示面板,发光元件为OLED元件,第一电极211为OLED元件的阳极,第二电极271为OLED元件的阴极。
对于第一电极211高度不同的两发光元件,可以在横向上大大缩短两相邻发光元件之间区块26的宽度,即相邻两发光元件之间的像素定义层的宽度d2,由于第一电极211的高度不相同,可以缩小两相邻发光元件的第一电极21之间的距离,使得第一电极211之间的横向距离为0,甚至在垂直于显示面板的方向上,使得相邻的两第一电极211部分交叠,不存在第一电极211短路问题。因此,可以在有效缩小相邻两发光元件之间距离D,提升开口率,进而提高显示面板的分辨率。而且由于区块26背离阵列基板的表面261到其两侧两个像素开口23底部之间的距离不同,可以提高两个像素开口23的深度,以提高区块26侧壁高度,使得覆盖在区块26侧壁的公共有机层25长度以及第二电极层27的长度均增大,从而提高两像素开口23之间公共有机层25的阻抗以及第二电极层27的阻抗,降低横向漏流。
可见本申请实施例中,显示面板在提高开口率的同时,降低了横向漏流。
其中,公共有机层包括:位于第一电极211和发光功能层24之间的第一公共有机层251;位于发光功能层24和第二电极271之间的第二公共有机层252。
本申请实施例中,第一导电层21与阵列基板20之间具有第一绝缘层28;第一绝缘层28具有多个高度不完全相同的台阶,台阶表面用于形成第一电极211。第一绝缘层28可以为单层膜层结构,通过灰阶刻蚀法进行一次刻蚀,通过不同程度的曝光,形成高度不同的台阶,例如,对于高度较大的台阶,进行曝光刻蚀时,设置掩膜版对应的曝光区域的光透过率较小,从而使得该区域刻蚀深度较小,形成高度较大的台阶,对于高度较小的台阶,进行曝光刻蚀时,设置掩膜版对应的曝光区域的透透过率较大,从而使得该区域刻蚀深度较大,形成高度较小的台阶。这样,通过单膜层结构的第一绝缘层28,即可形成高度不同的台阶结构,形成高度不完全相同的第一电极211,工艺简单,
其他实施例中,也可以通过多层第一绝缘层28以及多次刻蚀,以形成多个高度不同的台阶。
本申请实施例的一种实现方式中,如图3所示,设置像素定义层22背离阵列基板20的一侧为平面,该平面平行于阵列基板20。可以保证像素定义层22上表面的平坦性,以便于后续对OLED显示面板进行表面封装。其中,像素定义层22可以为单膜层结构,以便于简化制作工艺。可以通过设置不同高度的第一绝缘层28,使得像素定义层22位于同一平面,以便于像素定义层22的蒸镀。
如图4中虚线椭圆所示,公共有机层25和/或第二导电层27都具有覆盖区块26侧壁的部分。如上述,由于区块26背离阵列基板20的表面261到其两侧相邻两个像素开口23底部之间的距离不同,因此,通过设置两个像素开口23开口深度,能够增加区块26侧壁上第二电极层27的长度以及公共有机层25的长度,从而提高两像素开口23之间公共有机层25的阻抗以及第二电极层27的阻抗,降低横向漏流。
本申请实施例中,各个发光元件的公共有机层25是同步沉积形成的,各个发光元件的第二电极层27是同步沉积形成的,在相同沉积时间内,对于深度较大的像素开口23所对应区块26侧壁上的公共有机层25以及第二电极层27的厚度均较小,而深度较小的像素开口所对应区块26侧壁上的公共有机层25以及第二电极层27的厚度均较大,使得相邻两像素开口23所对应区块26侧壁上的公共有机层25和第二电极层27具有厚度差异,从而可以进一步提升两像素开口23之间公共有机层25的阻抗以及第二电极层27的阻抗,降低横向漏流。
本申请实施例中,可以设置公共有机层25包括:电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的至少一者。可选的,公共有机层包括:位于第一电极211和发光功能层24之间的第一公共有机层251;和/或,位于发光功能层24和第二电极271之间的第二公共有机层252。本申请技术方案能够使得显示面板中具有不同高度第一电极211的两相邻发光元件之间的公共有机层25的各个膜层的长度以及第二电极层27的长度均增大,提高阻抗,以降低漏流。
如图6所示,图6为本申请实施例提供的一种发光元件的结构示意图,该方式中,发光元件包括:第一电极211和第二电极271;在第一方向上依次层叠的空穴注入层01、空穴传输层02、发光功能层24、电子传输层03和电子注入层04。其中,第一方向为第一电极211指向第二电极271的方向。第一公共有机层251包括空穴注入层01和空穴传输层02;第二公共有机层252包括电子传输层03和电子注入层04。
如图7所示,图7为本申请实施例提供的另一种显示面板的切面图,该方式中,像素定义层22包括多个高度不同的子像素区域,每个像素中具有一个像素开口23。
具体的,与图3所示方式中像素定义层22背离阵列基板20的表面位于同一平面的方案不同,图7所示方式中,像素定义层22背离阵列基板20的表面对应不同高度的第一电极211,具有不同高度的子像素区域,图7中示出了两个高度不同的第一电极211,右侧高度较大的第一电极211对应高度较大的子像素区域,左侧高度较小的第一电极211对应高度较小的子像素区域。通过设置像素定义层在不同子像素区域具有不同高度,能够进一步调节高度不同的相邻两第一电极211所对应区块26的高度,增加其侧壁公共有机层25和第二电极层27的长度,进而提升阻抗,降低漏流。
在图7所示方式中,不同像素开口23的深度相同。该方式同样可以通过灰阶刻蚀法进行一次刻蚀,采用单层像素定义层22形成多个高度不同的子像素区域。如是,对于不同的像素开口23,采用同一像素定义层,且采用相同的深度参数设计,无需设置多个不同深度参数的像素开口23,使得制作工艺简单。
其他试试方式中,也可以通过多层像素定义层22以及多次刻蚀,形成多个高度不同的子像素区域。
如图8所示,图8为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图,该方式中,显示面板具有发光原色互不相同的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件。可以设置该三种发光元件分别对应红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b中的一种。
其中,第一发光元件所对应的第一电极211的高度相同,第二发光元件所对应的第一电极211的高度相同,第三发光元件所对应的第一电极211的高度相同。可选的,可以设置蓝色子像素b对应的第一电极211的高度最大,红色子像素r对应第一电极211的高度最小,绿色子像素g对应第一电极211位于另外两种颜色子像素第一电极211的高度之间。设置同一颜色的发光元件的第一电极211高度相同,便于第一电极211的制作以及第一绝缘层28的刻蚀,使得制作工艺简单。
本申请实施例中,显示阵列具有多个像素组,像素组包括至少三个发光颜色互不相同的发光元件;其中,像素组包括多个高度不完全相同的第一电极211。这样,不仅能够缩小发光元件间距,提升开口率的同,降低横向漏流,还能够通过周期性的像素组,规律的布局发光元件,简化显示面板的制作工艺。
一种方式中,可以如图8所示方式,图8示出了一个像素组,每个像素组包括五个发光元件,同一像素组中,同一发光颜色的发光元件的第一电极211的高度相同,不同发光颜色的发光元件的第一电极211的高度不同。具体的,蓝色子像素b对应的第一电极211高度最大,红色子像素r对应第一电极211的高度最小。像素定义层22上表面为平面。该方式不仅能够缩小发光元件间距,提升开口率的同,降低横向漏流,还能够通过周期性的像素组,规律的布局发光元件,简化显示面板的制作工艺。
如图9所示,图9为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图,该方式中,每个像素组包括三个发光元件,该三个发光元件的发光颜色互不相同,如分别为红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b。其中,两个发光元件的高度相同,且与另一发光元件的高度不同。像素定义层22上表面为平面。具体的,绿色子像素g对应的第一电极211高度最大,红色子像素r和蓝色子像素b对应的第一电极211的高度相同。同样,该方式不仅能够缩小发光元件间距,提升开口率的同,降低横向漏流,还能够通过周期性的像素组,规律的布局发光元件,简化显示面板的制作工艺。
如图10所示,图10为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图,该方式中,同一个像素组中,具有三个发光元件,发光元件在平行于阵列基板20的方向上依次排布,第一电极211的高度逐渐增大,像素定义层22上表面为平面。具体的,红色子像素r对应的第一电极211的高度最小,蓝色子像素b对应的第一电极b的高度最大。其他方式中,也可以设置第一电极211的高度逐渐减小。同样,该方式不仅能够缩小发光元件间距,提升开口率的同,降低横向漏流,还能够通过周期性的像素组,规律的布局发光元件,简化显示面板的制作工艺。
如图11所示,图11为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图,该方式中,同一个像素组中,具有六个发光元件,发光元件在平行于阵列基板20的方向上依次排布,第一电极211的高度逐渐增大,像素定义层22上表面为平面。具体的,六个发光元件的高度依次增加,包括两个红色子像素r,两个蓝色子像素b和两个绿色子像素g。其他方式中,也可以设置第一电极211的高度逐渐减小。同样,该方式不仅能够缩小发光元件间距,提升开口率的同,降低横向漏流,还能够通过周期性的像素组,规律的布局发光元件,简化显示面板的制作工艺。
如图12所示,图12为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图,该方式中,同一个像素组中,具有五个发光颜色不完全相同的发光元件,各个发光元件对应红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b一种。像素定义层22上表面为平面。可选的,可以设置蓝色子像素b对应的第一电极211的高度最小,红色子像素r对应第一电极211的高度最大,绿色子像素g对应第一电极211位于另外两种颜色子像素第一电极211的高度之间。该方式不仅能够缩小发光元件间距,提升开口率的同,降低横向漏流,还能够通过周期性的像素组,规律的布局发光元件,简化显示面板的制作工艺。
在图8-图12所示方式中,以像素定义层22上表面为平面示意各个像素组,其他实施例中,也可以设置像素定义层22的上表面为台阶结构,即像素定义层22包括多个高度不同的子像素区域,每个像素中具有一个像素开口23。
如图13所示,图13为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图,像素定义层22包括多个高度不同的子像素区域,每个像素中具有一个像素开口23。该方式不仅能够缩小发光元件间距,提升开口率的同,降低横向漏流,还能够通过周期性的像素组,规律的布局发光元件,简化显示面板的制作工艺。
如图14,图14申请实施例提供的又一种显示面板的切面图,与图8所示方式不同在于,图14方式中,像素定义层22包括多个高度不同的子像素区域,每个像素中具有一个像素开口23。同样,该方式不仅能够缩小发光元件间距,提升开口率的同,降低横向漏流,还能够通过周期性的像素组,规律的布局发光元件,简化显示面板的制作工艺。
当像素定义层22包括多个高度不同的子像素区域,每个像素中具有一个像素开口23时,其布局方式不局限于图13和图14所示,可以在图8-图12任一种方式基础上,设置像素定义层22包括多个高度不同的子像素区域,每个像素中具有一个像素开口23,本申请实施例不再逐一进行图示说明。
当像素定义层22包括多个高度不同的子像素区域,每个像素中具有一个像素开口23时,可以通过形成不同厚度的第一绝缘层28,实现对应像素定义层22中子像素区域的像素开口23在不同高度,因而发光功能层处于不同高度,此时可以设置各个像素开口23的深度相同。
当像素定义层22包括多个高度不同的子像素区域,每个像素中具有一个像素开口23时,同一像素组中,如果各个发光元件所对应第一电极211的高度互不相同,则对应像素定义层211的子像素区域高度也互不相同,如果发光元件所对应第一电极211的高度互相同,则对应像素定义层211的子像素区域高度也相同。
需要说明的是,本申请实施例中,同一像素组中发光元件的数量以及布局方式可以基于需求设定,不局限于本申请实施例图示方式。
本申请实施例中,如上述图9方式所示,同一个像素组中,可以设置一部分第一电极211位于第一高度,另一部分第一电极211位于第二高度,第一高度与第二高度不同。同一像素组中,只需要第一绝缘层28具有两个不同高度的台阶结构即可形成第一高度和第二高度的第一电极211,制作工艺简单。
本申请实施例中,如上述图10方式所示,同一像素组中,具有发光颜色互不相同的三个发光元件,该三个发光元件在平行于阵列基板20的方向上依次排布,任意相邻的两个第一电极211的高度不同。同一像素组中,只需要第一绝缘层28具有三个不同高度的台阶结构即可形成三个不同高度的第一电极211,制作工艺简单。可以同一像素组中三个发光元件分别为红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b,设置蓝色子像素b对应的第一电极211的高度最大,绿色子像素g对应的第一电极211的高度最小。对于OLED元件,由于不同颜色OLED亮度衰减速度不同,且蓝色OLED亮度衰减速度最大,绿色OLED亮度衰减最慢,设置蓝色子像素b对应的第一电极211的高度最大,可以使得其距离显示面板的发光表面距离最小,可以在一定程度上改善由于蓝色子像素b亮度衰减速度较大导致的显示色偏问题。
基于上述描述,为了降低由于蓝色子像素b亮度衰减较大导致的显示色偏问题,本申请实施例中,设置至少部分蓝色子像素b对应的第一电极211具有最大的高度。
可选的,设置不同第一电极211的高度差不超过4μm,以避免显示面板的厚度过大。设置高度最小的第一电极211下方的第一绝缘层28厚度范围是1μm-2μm,高度最小的第一电极211下方的第一绝缘层28的厚度不超过5μm,在满足第一电极211高度不同设计,提高开口率的同时,还能够保证显示面板具有较薄的厚度。
本申请实施例中,显示阵列包括多个像素单元,像素单元包括三个发光颜色互不相同的发光元件,如红色发光元件r、蓝色发光元件和绿色发光元件g。像素单元中发光单元的排布方式可以如图15所示。
如图15所示,图15为本申请实施例提供的一种显示面板中像素单元排布示意图。图15左图中,两个像素单元均具有独立的红色发光元件r和绿色发光元件g,且公用同一蓝色发光元件b,蓝色发光元件b的尺寸大于红色发光元件r和绿色发光元件g的尺寸,该方式通过公用蓝色发光元件b,可以降低混色风险。
而且,相邻两个像素单元中,蓝色发光元件b共用排布可以提升蓝色发光元件b的开口率,提升蓝色发光元件b的寿命,可以结合后续实施例的台阶结构的第一信号线布局方式,节约在边框区的布线空间,可以实现高分辨率的显示面板。
图15右图中,两个像素单元均独立的具有三种颜色的发光元件,该方式能过提升显示的细腻程度。
如图16所示,图16为本申请实施例提供的又一种显示面板的切面图,显示面板具有显示区A和边框区B,第一导电层21还包括第一信号线212,第一信号线212位于边框区B;第二电极271与第一信号线212连接。该放方式中,第一信号线212和第一电极211同层,复用第一导电层21制备第一信号线212,无需单独通过导电层制作第一信号线212,制作工艺简单,且不增加显示面板厚度。
阵列基板20包括第三导体30,第三导电层包括像素电路中薄膜晶体管的源极和漏极,还包括第二信号线301,第一信号线212通过通孔29和第二信号线301连接,第三信号线301用于为第二电极271提供公共电压,以控制显示面板进行发光显示。
如图17所示,图17为本申请实施例提供的一种显示面板在边框区的切面图,该方式中具有多条第一信号线212,第一信号线212的高度不完全相同,通过将第一信号线212分层设置,可以缩短第一信号线212之间的横向距离,降低边框宽度,便于实现在窄边框设计。
可选的,设置每条第一信号线212至少对应有一个高度相同的第一电极211,从而使得第一信号线212均具有同层对应的第一电极211,减少用于设置信号先212和第一电极211的不同高度的台阶数量,以降低显示面板的厚度,简化制作工艺。
在边框区B,第二导电层27和第一信号线212连接,第一信号线212通过通孔29和第二信号线301连接,从而为第二导电层27输入公共电压。
通过上述描述可知,本申请实施例中,通过设置高度不完全相同的第一电极211,能够提高开口率,进而提高显示面板分辨率,而且还能够通过增加两高度不同第一电极211所对应两相邻发光元件之间公共邮件层251和第二导电层27的长度,增加阻抗,进而降低横向漏流,解决由于横向漏流导致的发光元件在非发光阶段的偷亮问题。
基于上述实施例,本申请另一实施例还提供了一种电子设备,如图18所示,图18为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图,包括上述实施例任一种方式提供的显示面板41。
本申请实施例中,电子设备包括但不局限于为手机、平板电脑、笔记本电脑以及具有显示功能的穿戴设备及家电设备等。电子设备具有上述实施例提供的显示面板41,能够在提高显示面板中发光元件开口率的同时,降低横向漏流,因此,在提高显示面板分辨率的同时,解决了由于漏流导致的显示问题,提高了显示质量。
基于上述实施例,本申请另一实施例还提供了一种显示面板的制作方法,如图19所示,图19为本申请实施例提供的一种制作方法的流程示意图,该方法包括:
步骤S11:提供阵列基板。
步骤S12:在阵列基板上形成第一导电层,第一导电层包括多个第一电极,第一电极的高度不完全相同;其中,高度为相对于阵列基板的距离。
步骤S13:在第一导电层上形成像素定义层,像素定义层具有多个与第一电极一一对应的像素开口,像素开口用于露出第一电极。
步骤S14:在显示区形成显示阵列,显示阵列具有多个发光元件;发光元件包括层叠设置的发光功能层以及公共有机层;发光功能层位于像素开口内。
其中,发光元件的公共有机层为同一膜层,覆盖相邻两个像素开口之间的像素定义层。
步骤S15:形成覆盖显示阵列的第二导电层,第二导电层作为发光元件公共的第二电极。
其中,像素定义层具有至少一个区块,区块位于相邻两个像素开口之间,且区块背离阵列基板的表面到该相邻两个像素开口底部之间的距离不同。可以通过喷墨打印工艺形成发光功能层。
本申请实施例提供制作方法能够上述实施例的显示面板,增加显示面板中公共有机层以及第二导电层的长度,从而增大其阻抗,降低横向漏电流。而且还能够通过高度不同的第一电极,提高开口率,提升显示面板分辨率。
如图20所示,图20为本申请实施例提供的形成第一导电层的方法流程图,包括:
步骤S21:在阵列基板上形成第一绝缘层。
步骤S22:图形化第一绝缘层,形成多个高度不完全相同的台阶。
步骤S23:形成第一导电层。
步骤S24:图形化第一导电层,第一电极位于台阶表面。
在图20所示方式中,采用同一层第一绝缘层刻蚀形成设置所有第一电极所需台阶,无需多层第一绝缘层,工艺简单,只需在现有工艺基础上第一绝缘层通过一次灰阶刻蚀即可,与现有制作工艺兼容性高。
可选的,形成显示阵列的方法包括:通过蒸镀工艺形成发光元件的发光功能层;其中,采用同一次的蒸镀形成发光颜色相同的发光元件的发光功能层;采用不同次的蒸镀形成发光颜色不同的发光元件的发光功能层。这样,相同发光颜色的发光元件的发光功能层同步蒸镀形成,降低工艺难度和成本。
本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的电子设备和制作方法而言,由于其与实施例公开的显示面板相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。
需要说明的是,在本申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件,它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。
还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (20)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有显示区以及包围所述显示区的边框区,所述显示面板包括:
阵列基板;
设置在所述阵列基板上的第一导电层,所述第一导电层包括多个第一电极,所述第一电极的高度不完全相同;其中,高度为相对于所述阵列基板的距离;
设置在所述第一导电层背离所述阵列基板一侧的像素定义层,所述像素定义层具有多个与所述第一电极一一对应的像素开口,所述像素开口用于露出所述第一电极;
位于所述显示区的显示阵列,所述显示阵列具有多个发光元件;所述发光元件包括层叠设置的发光功能层以及公共有机层;所述发光功能层位于所述像素开口内;所述发光元件的公共有机层为同一膜层,覆盖相邻两个所述像素开口之间的像素定义层;
覆盖所述显示阵列的第二导电层,所述第二导电层作为所述发光元件公共的第二电极;
其中,所述像素定义层具有至少一个区块,所述区块位于相邻两个所述像素开口之间,且所述区块背离所述阵列基板的表面到该相邻两个所述像素开口底部之间的距离不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层与所述阵列基板之间具有第一绝缘层
所述第一绝缘层具有多个高度不完全相同的台阶,所述台阶表面用于形成所述第一电极。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧为平面,该平面平行于阵列基板。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述公共有机层和/或所述第二导电层都具有覆盖所述区块侧壁的部分。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述公共有机层包括:电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的至少一者。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层包括多个高度不同的子像素区域,每个所述像素中具有一个所述像素开口。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,不同所述像素开口的深度相同。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板具有发光颜色互不同的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件;
所述第一发光元件所对应的第一电极的高度相同,所述第二发光元件所对应的第一电极的高度相同,所述第三发光元件所对应的第一电极的高度相同。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示阵列具有多个像素组,所述像素组包括至少三个发光颜色互不相同的发光元件;
其中,所述像素组包括多个高度不完全相同的所述第一电极。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,同一个所述像素组中,所述发光元件在平行于所述阵列基板的方向上依次排布,所述第一电极的高度逐渐增大,或逐渐减小。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,同一个所述像素组中,一部分所述第一电极位于第一高度,另一部分所述第一电极位于第二高度,所述第一高度与所述第二高度不同。
12.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,同一所述像素组中,具有发光颜色互不相同的三个所述发光元件,该三个所述发光元件在平行于所述阵列基板的方向上依次排布,任意相邻的两个所述第一电极的高度不同。
13.根据权利要求1所述的显示面板,不同所述第一电极的高度差不超过4μm。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层还包括第一信号线,所述第一信号线位于所述边框区;所述第二电极与所述第一信号线连接。
15.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,具有多条所述第一信号线,所述第一信号线的高度不完全相同。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其特征在于,每条所述第一信号线至少对应有一个高度相同的所述第一电极。
17.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-16任一项所述的显示面板。
18.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供阵列基板;
在所述阵列基板上形成第一导电层,所述第一导电层包括多个第一电极,所述第一电极的高度不完全相同;其中,高度为相对于所述阵列基板的距离;
在所述第一导电层上形成像素定义层,所述像素定义层具有多个与所述第一电极一一对应的像素开口,所述像素开口用于露出所述第一电极;
在所述显示区形成显示阵列,所述显示阵列具有多个发光元件;所述发光元件包括层叠设置的发光功能层以及公共有机层;所述发光功能层位于所述像素开口内;所述发光元件的公共有机层为同一膜层,覆盖相邻两个所述像素开口之间的像素定义层;
形成覆盖所述显示阵列的第二导电层,所述第二导电层作为所述发光元件公共的第二电极;
其中,所述像素定义层具有至少一个区块,所述区块位于相邻两个所述像素开口之间,且所述区块背离所述阵列基板的表面到该相邻两个所述像素开口底部之间的距离不同。
19.根据权利要求18所述的制作方法,其特征在于,形成所述第一导电层的方法包括:
在所述阵列基板上形成第一绝缘层;
图形化所述第一绝缘层,形成多个高度不完全相同的台阶;
形成所述第一导电层;
图形化所述第一导电层,所述第一电极位于所述台阶表面。
20.根据权利要求18所述的制作方法,其特征在于,形成所述显示阵列的方法包括:
通过蒸镀工艺形成所述发光元件的发光功能层;
其中,采用同一次的蒸镀形成发光颜色相同的所述发光元件的发光功能层;采用不同次的蒸镀形成发光颜色不同的所述发光元件的发光功能层。
CN202210107948.1A 2022-01-28 2022-01-28 显示面板及其制作方法及电子设备 Pending CN114497160A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210107948.1A CN114497160A (zh) 2022-01-28 2022-01-28 显示面板及其制作方法及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210107948.1A CN114497160A (zh) 2022-01-28 2022-01-28 显示面板及其制作方法及电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114497160A true CN114497160A (zh) 2022-05-13

Family

ID=81476612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210107948.1A Pending CN114497160A (zh) 2022-01-28 2022-01-28 显示面板及其制作方法及电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114497160A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116887615A (zh) * 2023-06-30 2023-10-13 惠科股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116887615A (zh) * 2023-06-30 2023-10-13 惠科股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7453277B2 (ja) エレクトロルミネセント表示パネル、及び表示装置
CN111769148B (zh) 显示面板和显示装置
CN109713162B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN109686768B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN107863366B (zh) 有机发光二极管显示装置
US11532803B2 (en) Display panel and method of manufacturing the same, and display device
CN109346505B (zh) 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置
US20230371324A1 (en) Display panel and display device
CN108695370A (zh) Oled基板及制作方法、显示装置
US20210367003A1 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate
US11183111B2 (en) Pixel unit and method for manufacturing the same, and double-sided OLED display device
CN111710792A (zh) 显示面板及显示面板的制备方法
US20220223669A1 (en) Display device
CN113410268B (zh) 显示面板、显示面板的制造方法及显示装置
CN114497160A (zh) 显示面板及其制作方法及电子设备
CN113410279A (zh) 显示基板、显示装置
WO2021227025A1 (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
US20240074257A1 (en) Display panel and electronic device
CN116583155A (zh) 显示面板
WO2023280099A1 (zh) 显示基板和触控显示装置
CN115207248B (zh) 显示面板及显示装置
KR101202547B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US20220123252A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
CN113178524B (zh) 显示面板及显示面板制作方法、显示装置
US11404515B2 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination